JP2001203255A - Semiconductor wafer holding/protecting adhesive sheet - Google Patents

Semiconductor wafer holding/protecting adhesive sheet

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JP2001203255A JP2000012677A JP2000012677A JP2001203255A JP 2001203255 A JP2001203255 A JP 2001203255A JP 2000012677 A JP2000012677 A JP 2000012677A JP 2000012677 A JP2000012677 A JP 2000012677A JP 2001203255 A JP2001203255 A JP 2001203255A
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日東電工株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor wafer holding/protecting adhesive sheet capable of following the irregularities of wafer surfaces, even if there is a great difference of irregularities between the wafer surfaces. SOLUTION: The adhesive sheet is to be pasted to the surface of a semiconductor wafer, thereby holding/protecting the semiconductor wafer during processing of the wafer. The sheet comprises an intermediate layer (1) provided on one surface of a base material layer (3) and an adhesive layer (2) formed on the surface of the intermediate layer (1), and the intermediate layer (1) has a modulus of elasticity of 30-1000 kPa and a gel content of 20% or less.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばシリコンやガリウム−ヒ素などの半導体ウエハの加工時に使用される半導体ウエハ保持保護用粘着シートに関する。 The present invention relates to, for example silicon or gallium - a semiconductor wafer holding protective pressure sensitive adhesive sheet used during processing of a semiconductor wafer, such as arsenic. より詳細には、半導体ウエハの回路パターン形成面(以下、単に「パターン面」と称する場合がある)の裏面を研磨研削するバックグラインド工程において、パターン面に貼り付けてパターン面を保護し、同時に研磨研削により薄肉化した半導体ウエハを保持するための半導体ウエハ保持保護用粘着シート、およびウエハを1つ1つのパターン毎に切断し、半導体素子として分割するダイシング工程においてウエハを保持保護するために用いる半導体ウエハ保持保護用粘着シートに関する。 More specifically, the circuit pattern formation surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as "pattern surface") in the back-grinding step of polishing grinding the back surface of, to protect the pattern surface adhered to the pattern surface, at the same time by polishing grinding cut thinned semiconductor wafer semiconductor wafer held protecting adhesive sheet for holding the, and the wafer for each one one pattern, used to hold the protective wafer in the dicing step of dividing a semiconductor element a semiconductor wafer holding protective pressure sensitive adhesive sheet.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体ウエハの回路パターン形成面の反対側の面に研磨研削加工を施すバックグラインド工程、 BACKGROUND OF THE INVENTION back grinding step of performing grinding grinding on the opposite side of the circuit pattern formed surface of the semiconductor wafer,
またウエハを個々のチップに切断するダイシング工程では、パターン面が損傷したり研削くずや研削水などにより汚染されるのを防止するため、パターン面を保護しておく必要がある。 In the dicing step of cutting the wafer into individual chips, to prevent the pattern surface from being contaminated by such as grinding scraps and grinding water damaged, it is necessary to protect the pattern surface. また、半導体ウエハ自体が肉薄で脆いのに加え、半導体ウエハのパターン表面が凹凸状であるため、わずかな外力によっても破損しやすいという問題がある。 In addition to the semiconductor wafer itself that brittle in thin, because the pattern surface of the semiconductor wafer is uneven, there is a problem that easily damaged even by a slight external force.

【0003】このような半導体ウエハの加工時におけるパターン面の保護と半導体ウエハの破損防止を図るため、半導体ウエハのパターン面にバックグラインドテープやダイシングテープなどの粘着シートを貼着する方法が知られている。 [0003] order to prevent damage of the semiconductor wafer protection and semiconductor wafer of the pattern surface during processing, a method of attaching an adhesive sheet such as back grinding tapes, dicing tapes pattern surface of the semiconductor wafer is known ing. 例えば、特開昭61−10242号公報には、ショアーD型硬度が40以下である基材シートの表面に粘着層を設けたシリコンウエハ加工用フィルムが開示されている。 For example, JP-A-61-10242, a silicon wafer processing film is disclosed Shore D hardness is provided an adhesive layer on the substrate surface of the sheet of 40 or less. また、特開昭61−260629号公報には、ショアーD型硬度が40以下である基材フィルムの片側表面上にショアーD型硬度が40よりも大きい補助フィルムが積層され、基材フィルムの他方の表面上に粘着層が配設されたウエハ加工用フィルムが開示されている。 Further, in JP-A-61-260629, the auxiliary film-Shore D hardness greater than 40 is laminated on one surface of the substrate film Shore D hardness is 40 or less, the other base film wafer processing film for the adhesive layer is disposed on a surface is disclosed in.

【0004】しかし、近年、半導体ウエハのパターン表面の凹凸の差が大きくなってきている。 [0004] However, in recent years, the difference of the unevenness of the pattern surface of the semiconductor wafer has been increased. 例えば、ポリイミド膜付きのウエハでは、前記凹凸の差が1〜20μm For example, in the wafer with a polyimide film, a difference of the irregularities 1~20μm
程度である。 It is the degree. また、不良半導体チップを認識するための不良マーク(バッドマーク)は高低差10〜70μm程度の凹凸を有している。 Moreover, bad marks (bad mark) for recognizing a defective semiconductor chip has irregularities of about height difference 10 to 70 [mu] m. さらに、パターン状の電極に形成されるバンプの高さは20〜200μm程度である。 Further, the height of the bumps formed in a pattern of electrodes is about 20 to 200 [mu] m.
そのため、従来公知の粘着シートを用いる方法では、これらの凹凸に対してシートが追従できず、粘着剤とウエハ表面との間の接着が不十分となる。 Therefore, in the method of using a conventionally known pressure-sensitive adhesive sheet, not the sheet can be followed for these irregularities, the adhesion between the adhesive and the wafer surface becomes insufficient. その結果、ウエハ加工時において、シートの剥離、パターン面への研削水や異物の浸入、加工ミス、ディンプルの発生、チップ飛びなどが起きたり、さらにはウエハが破損する場合もある。 As a result, during the wafer processing, separation of the sheet, penetration of grinding water or foreign matters into the pattern surface, machining errors, the occurrence of dimples is you experience such chip scattering, and occasionally if the wafer is damaged.

【0005】また、半導体ウエハを加工する際に使用するバックグラインドテープやダイシングテープは、加工後の剥離を容易にするため放射線硬化型の保持保護用粘着シートを用いる場合が多くなってきているが、特に取り扱いが容易な紫外線効果型の場合、パターン表面の凹凸が埋まらず隙間が残ると、酸素による硬化不良が発生し糊残りする場合があった。 [0005] The back grinding tape and the dicing tape for use in fabricating a semiconductor wafer is has become often using radiation curable holding protective pressure sensitive adhesive sheet to facilitate peeling after processing , especially in the case of easy UV-effect handling, the gap does not bury the unevenness of the pattern surface is left, defective curing by oxygen in some cases to the remaining glue it occurred.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の目的は、ウエハ表面の凹凸の差が大きくても、その凹凸に追従できる半導体ウエハ保持保護用粘着シートを提供することにある。 OBJECTS OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention, even if the difference of unevenness of the wafer surface is large, is to provide a semiconductor wafer holding protective pressure sensitive adhesive sheet that can follow the irregularities. 本発明の他の目的は、ウエハ表面からの剥離性に優れ、しかもウエハに対する保持性及び補強性の高い半導体ウエハ保持保護用シートを提供することである。 Another object of the present invention is excellent in releasability from the wafer surface, yet to provide a retention and high reinforcing semiconductor wafer holding protective sheet to the wafer.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討した結果、特定の弾性率、ゲル分を有する中間層を備えたシートを用いると、半導体ウエハ表面の高低差の大きい凹凸にも良く追従し、しかも研削加工後にウエハ表面を汚染することなく容易に剥離できることを見出し、本発明を完成した。 Means for Solving the Problems The present inventors have found, after intensive investigations to achieve the above object, a specific elastic modulus, the use of sheet with an intermediate layer having a gel fraction, the level of the surface of a semiconductor wafer even better follow the large unevenness of the differences, yet found that can be easily peeled without contaminating the wafer surface after grinding, the present invention has been completed.

【0008】すなわち、本発明は、半導体ウエハ加工時において、半導体ウエハ表面に貼り付けて半導体ウエハを保持保護するための粘着シートであって、基材層(3)の片面に弾性率が30〜1000kPaでありかつゲル分が20%以下の中間層(1)が設けられ、該中間層(1)の表面に粘着剤層(2)が形成されていることを特徴とする半導体ウエハ保持保護用粘着シートを提供する(請求項1)。 Namely, the present invention, at the time of semiconductor wafer processing, a pressure-sensitive adhesive sheet for supporting and protecting a semiconductor wafer adhered to a semiconductor wafer surface, one side to the elastic modulus of the base layer (3) 30 1000kPa a and and gel content of 20% or less of the intermediate layer (1) is provided, the surface pressure-sensitive adhesive layer of the intermediate layer (1) (2) semiconductor wafer holding protection, characterized in that is formed providing an adhesive sheet (claim 1).

【0009】また本発明では好ましい形態として、中間層(1)の厚さt 1が20〜500μmであり、粘着剤層(2)の厚さt 2が1〜100μmであって、その比がt 2 /t 1 =0.01〜0.5であることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート(請求項2)、中間層(1)または粘着剤層(2)が、アクリル系ポリマーを構成材料とする請求項1または2記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート(請求項3, [0009] As a preferred embodiment in the present invention, the thickness t 1 of the intermediate layer (1) is 20 to 500 [mu] m, the thickness t 2 of the pressure-sensitive adhesive layer (2) is a 1 to 100 [mu] m, is the ratio t 2 / t 1 = 0.01 to 0.5, characterized in that a claim 1, wherein the semiconductor wafer holding protective pressure sensitive adhesive sheet (claim 2), an intermediate layer (1) or pressure-sensitive adhesive layer (2) but according to claim 1 or 2, wherein the semiconductor wafer holding protective pressure sensitive adhesive sheet (claim 3 as a constituent material of an acrylic polymer,
4)、粘着剤層(2)が、その分子内に炭素−炭素二重結合を有する放射線硬化型のアクリル系ポリマーであることを特徴とする請求項4記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート(請求項5)を提供する。 4), the pressure-sensitive adhesive layer (2) is, the intramolecular carbon - claim 4, wherein the semiconductor wafer holding protective pressure sensitive adhesive sheet, which is a acrylic polymer of the radiation curable having a carbon-carbon double bond ( providing claim 5).

【0010】なお、本明細書では、「弾性率」とは動的粘弾性測定装置『レオメトリックスARES』(レオメトリック社製)で測定された25℃での弾性率G'である。 [0010] In this specification, a dynamic viscoelasticity measuring apparatus a "modulus" "Rheometrics ARES" elastic modulus at 25 ° C. as measured by (Rheometric Co.) G '. また、「ゲル分」とは、該ポリマーをトルエン、酢酸エチル混合溶剤(1:1)中に25℃7日間浸漬させ溶解しないものの割合である。 In addition, the "gel fraction", toluene the polymer, ethyl acetate mixed solvent (1: 1) is the percentage of those not dissolved by immersing 25 ° C. 7 days in.

【0011】 [0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実例を図面にもとづいて説明するが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter will be described a practical example of the present invention with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to these examples. 図1は、本発明の半導体保持保護用粘着シートを模式的に示す断面図である。 1, the semiconductor holding protecting adhesive sheet of the present invention is a cross-sectional view schematically showing.

【0012】図1において、1は中間層を示し、中間層1の弾性率は30〜1000kPa、好ましくは50〜7 [0012] In FIG. 1, 1 denotes an intermediate layer, the elastic modulus of the intermediate layer 1 30~1000KPa, preferably 50-7
00kPaである。 Is 00kPa. 中間層1の弾性率が30kPa未満であると、中間層が柔らかくなるため、シート又はテープ形状安定性が低下し、例えば長期保存や荷重がかかった場合シートが変形する可能性が高い。 When the elastic modulus of the intermediate layer 1 is less than 30 kPa, since the intermediate layer is softened, the sheet or tape shape stability is lowered, for example, there is a high possibility that when long-term storage or load is applied sheet is deformed. またテープへかかる圧力により、中間層がはみ出し、半導体ウエハを汚染する問題がある。 Also the pressure exerted to the tape, sticking the intermediate layer, there is a problem of contamination of the semiconductor wafer. また中間層1の弾性率が1000kPaを超える場合には、本発明が求める半導体ウエハ表面の凹凸への追従性が劣るため、ウエハの研削加工時に隙間から水の浸入や割れ、ディンプルの発生などが生じやすくなる。 Also when the elastic modulus of the intermediate layer 1 is more than 1000kPa, since followability to unevenness of the semiconductor wafer surface to which the present invention seeks poor, ingress of water or cracks through the gap during grinding of the wafer, such as the occurrence of dimples It occurs more easily.

【0013】また中間層1のゲル分は、20%以下、好ましくは10%以下である。 [0013] Gel content of the intermediate layer 1 is preferably 20% or less, preferably 10% or less. 中間層1のゲル分が20% Gel fraction of the intermediate layer 1 20%
を超えると、適用時のポリマーの動きが悪くなり、凹凸面への追従性が劣るため、ウエハの研削加工時に割れやディンプルの発生などが生じやすくなる。 By weight, movement of the polymer upon application deteriorates, because the followability to the uneven surface is poor, such as crack or dimple generated during grinding of the wafer is likely to occur. この場合、たとえ弾性率が上記範囲内であっても、ゲル分が高いと追従性が劣り、好ましくない。 In this case, even if the elastic modulus is within the above range, poor trackability and gel content is high, which is not preferable.

【0014】中間層1の厚さは、ウエハ表面の凹凸の高さや、ウエハの保持性、保護性を損なわない範囲で適宜選択できるが、好ましくは20〜500μm、さらに好ましくは30〜200μm程度である。 [0014] The thickness of the intermediate layer 1, the height and the unevenness of the wafer surface, retention of the wafer, can be appropriately selected within a range not impairing the protective, preferably 20 to 500 [mu] m, more preferably at about 30~200μm is there. 中間層1の厚さが20μm未満では、ウエハパターン面の凹凸への追従性が発揮されにくくなり、ウエハの研削加工時に割れやディンプルの発生が生じやすくなる。 Is less than the thickness of the intermediate layer 1 is 20 [mu] m, conformability to the unevenness of the wafer pattern surface is less likely to exhibit the occurrence of cracks or dimples during grinding of the wafer is likely to occur. また中間層1の厚さが500μmを超えると、中間層のはみ出しや、シートの貼り付けに時間がかかり作業効率が低下したり、研削加工機器に入らなかったりする問題がある。 Further, if the thickness of the intermediate layer 1 is more than 500 [mu] m, flash or the intermediate layer, pasting lowered work efficiency takes time sheet, there is a problem that may not enter the grinding equipment. またシートをウエハから剥離する際、シートの曲げ応力により、 Also upon the release of the sheet from the wafer, the bending stress of the sheet,
研削加工後の薄肉のウエハが破損する恐れが生じる。 Risk of thin wafer after grinding is damaged occurs.

【0015】中間層1の材料としては、上記範囲の特性を有するものであれば特に限定されないが、粘着剤層との接着性(投錨性)が良好であり、また弾性率の調整の容易さなどの点からアクリル系ポリマーが好ましく、具体的には(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸2―エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸ラウリルなどのアルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。 Examples of the intermediate layer first material, is not particularly limited as long as it has the characteristics of the above range, adhesiveness (anchoring property) between the pressure-sensitive adhesive layer is good and also the ease of adjustment of elastic modulus preferably an acrylic polymer in view of, in particular (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) lauryl acrylate (meth) acrylic acid alkyl ester having a carbon number 4 to 12 alkyl groups and the like. これらのアルキルエステルの中から、その1種または2種以上が用いられる。 From among these alkyl esters, the one or more is used.

【0016】本発明において、上記主モノマーの他に弾性率およびゲル分の調整のため、およびその他要求される特性に応じて共重合可能な他のモノマーを併用してもよい。 [0016] In the present invention, since the elastic modulus and gel fraction adjusted in addition to the above main monomers, and may be used together other copolymerizable monomers according to other required properties. この他のモノマーは、全モノマーの30重量%未満の範囲で、各モノマーの種類に応じて適宜その使用量を選択できる。 The other monomer is in a range of less than 30% by weight of the total monomers, select the amount depending on the type of each monomer.

【0017】他のモノマーとしては、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸イソプロピルなどのアルキル基の炭素数が1〜3の(メタ)アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸ステアリルなどのアルキル基の炭素数が13〜1 [0017] Other monomers include methyl methacrylate, ethyl acrylate, (meth) acrylic acid alkyl ester having a carbon number from 1 to 3 alkyl groups such as isopropyl acrylate, tridecyl methacrylate, (meth) acrylate, stearyl the number of carbon atoms in the alkyl groups, such as the 1:13
8の(メタ)アクリル酸アルキルエステル、イタコン酸、無水マレイン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル、グリセリンジメタクリレート、(メタ)アクリル酸グリシジル、 8 (meth) acrylic acid alkyl ester, itaconic acid, maleic acid anhydride, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, (meth) acrylic acid hydroxyalkyl, glycerol dimethacrylate, glycidyl (meth) acrylate,
メタクリル酸メチルグリシジル、(メタ)アクリル酸アミノエチル、2メタクリロイルオキシエチルイソシアネートなどの官能性モノマー、トリエチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、 Methyl methacrylate glycidyl, (meth) aminoethyl acrylate, 2-methacryloyl-functional monomers, such as oxyethyl isocyanate, triethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate,
トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレートなどの多官能性モノマー、酢酸ビニル、スチレン、(メタ) Polyfunctional monomers such as trimethylolpropane tri (meth) acrylate, vinyl acetate, styrene, (meth)
アクリロニトリル、N−ビニルピロリドン、(メタ)アクリロイルモルホリン、 シクロヘキシルマレイミド、 Acrylonitrile, N- vinylpyrrolidone, (meth) acryloyl morpholine, cyclohexyl maleimide,
イソプロピルマレイミド、(メタ)アクリルアミドなどが挙げられる。 Isopropyl maleimide, and (meth) acrylamide.

【0018】本発明に使用されるアクリル系ポリマーは、上記単量体混合物を、溶液重合法、塊状重合法、乳化重合法、懸濁重合法等の方法で共重合させて得られる。 The acrylic polymer used in the present invention, the monomer mixture, a solution polymerization method, bulk polymerization method, emulsion polymerization method, obtained by copolymerizing by the method of suspension polymerization.

【0019】中間層1に用いるポリマーの数平均分子量は、上記範囲の特性を保てば限定はされないが、好ましくは1万〜200万の範囲が望ましい。 [0019] The number average molecular weight of the polymer used in the intermediate layer 1 is not limited Keeping the characteristics of the above range, preferably in the range of from 10,000 to 2,000,000 is preferable. 1万未満では高温化で容易に流れてしまい、シート形状保持が難しく、 If it is less than 10,000 will flow easily at high temperature, the sheet shape retention is difficult,
また200万を超えると、貼付け時の凹凸追従性に劣る場合がある。 Also, when more than two million, there may be inferior to the uneven follow-up at the time of pasting.

【0020】中間層1に用いるポリマーには、上述の範囲でゲル分を含ませることができ、このために架橋剤として、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メラミン系架橋剤等、周知のものを添加することができる。 [0020] Polymers used for the intermediate layer 1 may be included gel fraction in the above range, the crosslinking agent for the epoxy-based crosslinking agents, isocyanate crosslinking agents, melamine crosslinking agent, a known it can be added to things. また、紫外線照射、電子線照射により架橋を起こし、ゲル分を持たせることもできる。 The ultraviolet radiation, causes a cross-linked by electron beam irradiation, it is also possible to have a gel fraction.

【0021】中間層1は、上記特性を損なわない範囲で他の成分(添加剤)を含んでいてもよい。 [0021] Intermediate layer 1 may contain other components (additives) in the range of not impairing the above properties. このような成分としては、例えば、粘着付与剤、可塑剤、柔軟剤、充填剤、酸化防止剤、などが挙げられる。 Examples of such components, for example, tackifiers, plasticizers, softeners, fillers, antioxidants, and the like.

【0022】本発明において中間層1は、一層で構成されていてもよいが、同種または異種の複数の層からなる多層構造を有していてもよい。 [0022] Intermediate layer 1 in the present invention may be composed of a single layer, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers of the same or different.

【0023】粘着剤層2を構成する粘着剤としては、慣用の粘着剤、例えば、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤などが挙げられ、特に接着力の調整の容易さの点でアクリル系粘着剤が好ましい。 [0023] As the adhesive constituting the adhesive layer 2, a conventional adhesive, e.g., acrylic pressure-sensitive adhesives, silicone pressure-sensitive adhesives, include a rubber-based adhesive, especially ease of adjustment of adhesion acrylic adhesive is preferable in a point. 粘着剤は1種又は2種以上を混合して使用することもできる。 Adhesive can be used either singly or in combination.

【0024】粘着剤を構成するポリマーは架橋構造を有していてもよい。 The polymer constituting the adhesive may have a crosslinked structure. このようなポリマーは、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基などの官能基を有するモノマー(例えばアクリル系モノマー)を含むモノマー混合物を架橋剤の存在下で重合させることにより得られる。 Such polymers are carboxyl group, a hydroxyl group, an epoxy group, obtained by polymerizing in the presence of a crosslinking agent a monomer mixture containing a monomer having a functional group such as an amino group (e.g., acrylic monomers). 架橋構造を有するポリマーを含む粘着剤層2を備えたシートでは、自己保持性が向上するので、 The sheet provided with an adhesive layer 2 comprising a polymer having a crosslinked structure, the self-holding property is improved,
シートの変形を防止でき、シートの平板状態を維持できる。 It prevents deformation of the sheet can be maintained flat state of the sheet. そのため、半導体ウエハに正確に且つ自動貼り付け装置などを用いて簡易に貼り付けることができる。 Therefore, it is possible to paste easily by using a precise and automatic applier to the semiconductor wafer.

【0025】また、本発明においては、粘着剤層2として放射線硬化型の粘着剤を用いることが好ましい。 [0025] In the present invention, it is preferable to use a radiation curable pressure sensitive adhesive as an adhesive layer 2. この粘着剤は、例えば、粘着性物質に、放射線照射により硬化して低接着性物質を形成するオリゴマー成分を配合することにより得られる。 The adhesive, for example, the adhesive material was hardened by irradiation obtained by blending oligomer component to form a low adhesive substance. 粘着剤層2を放射線硬化型粘着剤で構成すると、シートの貼り付け時には、前記オリゴマー成分により粘着剤に塑性流動性が付与されるため、 When constituting a pressure-sensitive adhesive layer 2 with a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, when pasting the sheet, since the plastic fluidity is imparted to the adhesive by the oligomer component,
貼り付けが容易になるとともに、シート剥離時には、放射線の照射により低接着性物質が生成するため、ウエハから容易に剥離できる。 With Paste is facilitated, at the time of sheet peeling, since the low adhesive material is produced by irradiation of radiation, it can be easily peeled from the wafer.

【0026】又、上記放射線硬化型の粘着剤は、分子内に炭素−炭素2重結合を有するアクリル系ポリマーであることが好ましい。 [0026] Further, the radiation curable pressure sensitive adhesive preferably has a polymerizable carbon - is preferably an acrylic polymer having a carbon double bond. 通常、放射線硬化型粘着剤は、放射線硬化型のオリゴマーを添加されるが、テープの保管により、オリゴマーの移動が発生し、テープの保管による変化が現れ易い。 Usually, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is added to the oligomer of the radiation curable, the storage tape, and generating movement oligomers easily appear change due storage tape.

【0027】なお、本発明において放射線としては、ポリマー硬化可能なものであれば特に限定されず、例えばX線、電子線、紫外線などが挙げられるが、取り扱いの容易さから紫外線が好ましい。 [0027] As the radiation in the present invention is not particularly limited as long as it is a polymer curing, such as X-rays, electron rays, ultraviolet rays and the like, ultraviolet ray is preferable from ease of handling.

【0028】分子内に炭素-炭素2重結合を有するポリマーからなる放射線硬化型粘着剤層の具体的な内容を説明すると、用いるポリマーは分子設計の容易さからアクリル系ポリマーが望ましい。 [0028] in the molecule a carbon - To describe specific contents of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer comprising a polymer having a carbon double bond, the polymer employed acrylic polymer is desirable from the easiness of molecular design. 例えば、メチル基やエチル基、プルピル基やイソプルピル基、n−ブチル基やt− For example, a methyl group or an ethyl group, Purupiru group or an isopropyl group, and n- butyl t-
ブチル基、イソブチル基やアミル基、イソアミル基やへキシル基、へプチル基やシクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基やオクチル基、イソオクチル基やノニル基、 Butyl group, an isobutyl group and amyl group, an isoamyl group or a hexyl group, heptyl group and a cyclohexyl group, a 2-ethylhexyl group and an octyl group, an isooctyl group or a nonyl group,
イソノニル基やデシル基、イソデシル基やウンデシル基、ラウリル基やトリデシル基、テトラデシル基やステアリル基、オクタデシル基やドデシル基の如き炭素数3 Isononyl group and decyl group, an isodecyl group and an undecyl group, lauryl group and tridecyl group, a tetradecyl group and a stearyl group, C 3, such as octadecyl or dodecyl
0以下、就中4〜18の直鎖又は分岐のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルの1種又は2 0 or less, having a linear or branched alkyl group especially 4 to 18 (meth) one acrylic acid alkyl ester or 2
種以上を成分とする重合体などがあげられる。 Such polymers may be mentioned that the above species and component.

【0029】本発明においては、上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他のモノマーを添加し、官能基や極性基の導入による接着性の改良、または共重合体のガラス転移温度をコントロールして凝集力や耐熱性を改善、改質しても良い。 In the present invention, the addition of the (meth) acrylic acid alkyl ester and other monomers copolymerizable, improved adhesion by introduction of functional groups or polar groups, or a glass transition temperature of the copolymer improved cohesive force and heat resistance to control, it may be modified. この目的で用いられる共重合可能な他のモノマーとしては、例えばアクリル酸やメタクリル酸、カルボキシエチルアクリレートやカルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸やマレイン酸、フマル酸やクロトン酸の如きカルボキシル基含有モノマー、あるいは無水マレイン酸や無水イタコン酸の如き酸無水物モノマー、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチルや(メタ)アクリル酸2一ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチルや(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチルや(メタ)アクリル酸l As the other copolymerizable monomer used for this purpose, for example, acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate and carboxypentyl acrylate, itaconic acid or maleic acid, such as a carboxyl group-containing monomer fumaric acid and crotonic acid or anhydride, such anhydride monomer of maleic acid or itaconic acid, 2-hydroxyethyl (meth) and acrylic acid (meth) acrylic acid 2 primary hydroxy propyl (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl or (meth) acrylic acid 6 hydroxyhexyl, (meth) acrylic acid 8-hydroxyoctyl and (meth) acrylic acid l
0−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリルや(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)−メチルアクリレートの如きヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸やアリルスルホン酸、2− 0 hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxy lauryl and (4-hydroxymethyl cyclohexyl) - such as a hydroxyl group-containing monomers methyl acrylate, styrene sulfonic acid and allyl sulfonic acid, 2-
(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸や(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレートや(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸の如きスルホン酸基含有モノマー、2一ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートの如き燐酸基含有モノマーなどがあげられる。 (Meth) acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid or (meth) acrylamide propanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate and (meth) acryloyl such sulfonic acid group-containing monomers oxy naphthalenesulfonic acid, 2 primary hydroxy ethyl acryloyl phosphate such as such as phosphoric acid group-containing monomer, and the like.

【0030】主成分である(メタ)アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他のモノマーとは、前者が70〜100重量%、好ましくは85〜95重量%、 [0030] which is the main component (meth) acrylic acid alkyl ester and copolymerizable therewith other monomers, the former is 70 to 100 wt%, preferably 85 to 95 wt%,
後者が30〜0重量%、好ましくは15〜5重量%となるようにするのがよく、この範囲で使用することにより接着性、凝集力などのバランスをうまくとることができる。 The latter is 30-0 wt%, preferably better to such a 15 to 5 wt%, it is possible to take the adhesive by the use in this range, the balance of such cohesion well.

【0031】加えてアクリル系ポリマーの架橋処理等を目的に多官能モノマーなども必要に応じて共重合用のモノマー成分として用いうる。 [0031] may be added by using as a monomer component for copolymerization according to need such as a polyfunctional monomer for the purpose of crosslinking treatment of acrylic-based polymer. かかるモノマーの例としては、ヘキサンジオ一ルジ(メタ)アクリレートや(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ボリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレートやネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレートやトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール. Examples of such monomers include hexanediol one distearate (meth) acrylate and (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (Helsingborg) propylene glycol di (meth) acrylate and neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di ( meth) acrylate and trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol. トリ(メタ)アクリレートやジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシアクリレートやポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどがあげられる。 Tri (meth) acrylate and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy acrylate, polyester acrylate, and urethane acrylate. 多官能モノマーもl種又は2種以上を用いることができ、その使用量は、粘着特性等の点より全モノマーの30重量%以下が好ましい。 Polyfunctional monomers can also be used more than l kinds or two kinds, and amount thereof is preferably 30 wt% or less of the total monomer from the viewpoint of adhesive properties.

【0032】このようなアクリル系ポリマーの調製は、 [0032] The preparation of such acrylic polymer,
例えばl種又は2種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。 For example, a solution polymerization method or emulsion polymerization method to a mixture of l species or two or more components monomers, can be performed by applying a suitable method such as bulk polymerization method or suspension polymerization method.

【0033】本発明において、上記アクリルポリマーの数平均分子量は、例えば20万〜300万程度、好ましくは25万〜150万程度である。 [0033] In the present invention, the number average molecular weight of the acrylic polymer, for example 200000-3000000 mm, preferably from 250,000 to 1,500,000 or so.

【0034】このアクリル系ポリマーの分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入するには、既知の様々な方法があるが、分子設計の容易さから、あらかじめポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と付加反応し得るようなもう一方の官能基とかつ炭素−炭素二重結合を有するモノマーを、炭素−炭素二重結合を維持したまま縮合あるいは付加反応させる方法が好ましい。 The carbon molecular side chain in the acrylic polymer - To introduce a carbon double bond, it is known various methods, ease of molecular design, co-monomer having a functional group in advance polymer after polymerization, the other functional group and carbon, such as may be addition reaction with the functional group - a monomer having a carbon double bond, a carbon - how to leave a condensation or addition reaction was maintained carbon double bond is preferred .

【0035】これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、 [0035] Examples of the combination of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridine group,
ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられ、これらで反応後上記ポリマーを生成するような組合せであればどのような組合せであってもかまわないが、特に反応追跡の容易さからヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適に用いられる。 Raised such a hydroxyl group and an isocyanate group, but may be any combination as long as the combination so as to produce a post-reaction the polymer in these, hydroxyl groups and isocyanate groups, especially from easiness of reaction tracing combinations are preferably used.

【0036】例えば炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物の例として、メタクリロイルイソシアネートや2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。 [0036] For example a carbon - Examples of the isocyanate compound having a carbon double bond, methacryloyl isocyanate and 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m- isopropenyl-.alpha., such as α- dimethylbenzyl isocyanate.

【0037】このようなイソシアネート化合物と反応するヒドロキシル基含有化合物の例としては、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチルや(メタ)アクリル酸2 [0037] Examples of such hydroxyl-containing compound that reacts with an isocyanate compound, (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl and (meth) acrylic acid 2
一ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチルや(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシルなどの、その分子内にエステル結合を有するものや、 Primary hydroxy propyl, or (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl or (meth) acrylic acid 6-hydroxyhexyl, those having an ester bond in the molecule,
2−ヒドロキシエチルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルなどの、その分子内にエーテル結合を有する化合物が好適に用いられる。 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, such as diethylene glycol monomethyl ether, compounds having an ether bond in the molecule is preferably used. しかしながらいずれも反応後、上記ポリマー構造を生成し得るような化合物であればこれらに限定されない。 However after any reaction, without limitation so long as it is a compound that can generate the polymer structure.

【0038】本発明の放射線硬化型粘着剤は、通常、重合開始剤を含む。 The radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the invention usually comprises a polymerization initiator. 重合開始剤としては、従来より知られた物を適宜使用でき、例えば、紫外線による硬化方式を採る場合に配合されることのある光重合開始剤の例としては、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2− As the polymerization initiator, those which have been conventionally known appropriate available, for example, Examples of the photopolymerization initiator which may be incorporated in the case of employing the curing system by ultraviolet, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-
ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、α―ヒドロキシーα、α´―ジメチルアセトフェノン、2−メチル−2− Hydroxy-2-propyl) ketone, alpha-hydroxy-alpha,. Alpha .'- dimethyl acetophenone, 2-methyl-2-
ヒドロキシプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール化合物;メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1などのアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物;2−ナフタレンスルフォニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物; Hydroxy propiophenone, alpha-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( methylthio) - phenyl] acetophenone compounds such as 2-morpholino-propane-1; benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin ether compounds such as anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; 2-naphthalene sulfonyl aromatic sulfonyl chloride compounds such as chlorides;
1−フェノンー1,1−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシムなどの光学活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3 Optically active oxime compounds such as 1-Fenon 1,1-propane dione-2-(o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoyl benzoic acid, 3,3
´−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、2−メチルチオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、 '- benzophenone compounds such as dimethyl-4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone,
2,4−ジクロロチオキサンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナートなどが挙げられる。 2,4-dichloro thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, 2,4-diisopropyl thioxanthone compounds such as thioxanthone, camphorquinone, halogenated ketones, acyl phosphino sulfoxide; an acyl phosphonium diisocyanate is and the like. これらの重合開始剤の使用量は、例えば、上記放射線硬化性ポリマー100重量部に対して、1〜10重量部程度である。 The amount of the polymerization initiator is, for example, with respect to the radiation curable polymer 100 parts by weight, and about 1 to 10 parts by weight.

【0039】また、本発明の放射線硬化型粘着剤においては、公知慣用の架橋剤、例えば、エポキシ系架橋剤、 Further, in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the present invention, conventionally known crosslinking agents, for example, epoxy crosslinking agents,
アジリジン系架橋剤、ポリイソシアネート等のイソシアネート系架橋剤などを使用できる。 Aziridine crosslinking agents, isocyanate crosslinking agents such as polyisocyanate, etc. may be used.

【0040】上記放射線硬化型粘着剤には、特性を悪化させない程度の放射線硬化性オリゴマーを加えることも出来る。 [0040] The above radiation-curable pressure-sensitive adhesive, it may also be added degree of radiation-curable oligomer that does not deteriorate the characteristics. 放射線硬化性オリゴマーは、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーの選択、組み合わせが可能である。 Radiation curable oligomer, urethane, polyether, polyester, polycarbonate, selection of various oligomers such as polybutadiene, combinations are possible. 通常ポリマー100重量部に対して3 3 the normal polymer 100 parts by weight
0重量部の範囲内であり、好ましくは0〜10重量部の範囲である。 0 in the range of parts by weight, preferably 0-10 parts by weight.

【0041】さらに、本発明における粘着剤層2には、 [0041] Further, the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the present invention,
加熱により発泡又は膨張する成分を含有させてもよい。 It may contain a foaming or expanding component by heating.
熱発泡性又は膨張性成分としては、例えば、イソブタン、プロパン等の加熱により容易にガス化する物質を弾性を有する殻内に内包させた熱膨張性微小球[例えば、 Thermal The foaming or expanding component, for example, isobutane, heat-expandable microspheres readily is encapsulated in shells having elasticity a material gasified by heating, such as propane for example,
商品名:マイクロスフィア、松本油脂製薬(株)製など]などが例示できる。 Product Name: such as microspheres, Matsumoto Yushi-Seiyaku Co., Ltd.], and others. 粘着剤層2にこのような熱発泡性又は熱膨張性成分を含有させると、ウエハ研削加工後、加熱処理により粘着剤層2が膨張して、粘着剤層2 The inclusion of such a thermally expandable or intumescent component in the pressure-sensitive adhesive layer 2, after the wafer grinding, pressure-sensitive adhesive layer 2 is expanded by heat treatment, the pressure-sensitive adhesive layer 2
とウエハとの接着面積が著しく減少するため、ウエハから容易にシートを剥離できる。 Because the adhesion area of ​​the wafer is significantly reduced, it can be easily peeled off the sheet from the wafer.

【0042】本発明において、粘着剤層2の弾性率はウエハに対する接着性や保持性を損なわない範囲で適宜設定できるが、好ましくは10〜1000kPaである。 [0042] In the present invention, the elastic modulus of the adhesive layer 2 can be appropriately set within a range that does not impair the adhesion and retention to the wafer, preferably 10~1000KPa. 1
0kPa未満では、粘着剤が柔らかくなるためウエハの保持性や保護性が低下する恐れがあり、また1000kPa If it is less than 0 kPa, there is a possibility that the retention and protection of the wafer is reduced because the adhesive is soft, also 1000kPa
を超えると初期の接着力が得られない場合がある。 By weight, there are cases where the initial adhesive strength can not be obtained.

【0043】粘着剤層2の厚さは、ウエハの保持性や保護性を損なわない範囲で適宜設定できるが、好ましくは1〜100μm、さらに好ましくは2〜60μm程度である。 The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 can be appropriately set within a range that does not impair the holding property and protection of the wafer is preferably 1 to 100 [mu] m, more preferably about 2~60Myuemu. 粘着剤層2の厚さが1μm未満では粘着剤層2の破壊による中間層1の析出の恐れがあり、また100μ Is less than the thickness of the adhesive layer 2 is 1μm may cause precipitation intermediate layer 1 due to the destruction of the pressure-sensitive adhesive layer 2, also 100μ
mを超えると、本シートをウエハに貼付する際、ウエハ表面の凹凸に追従しにくくなり、何れも好ましくない。 It exceeds m, when sticking the present sheet to the wafer, it becomes difficult to follow the uneven surface of a wafer, both undesirable.

【0044】本発明において粘着剤層2の厚さt 2と中間層1の厚さt 1との比は、t 2 /t 1 =0.01〜0. The ratio of the thickness t 1 of the thickness t 2 and the intermediate layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer 2 in the present invention, t 2 / t 1 = 0.01~0 .
5、好ましくは0.02〜0.3程度である。 5, preferably about 0.02 to 0.3. 2 /t 1 t 2 / t 1
が0.01未満では、放射線照射後に接着力が十分低下せず剥離が困難となる恐れがあり、またt 2 /t 1が0. There is less than 0.01, peel without adhesion lowered enough after exposure to radiation may become difficult, and t 2 / t 1 is 0.
5を超えると中間層の効果が発揮されずウエハパターン面の凹凸への追従性が発揮されにくくなり、ウエハの研削加工時に割れやディンプルの発生が生じやすくなる。 More than 5 when hardly effect of the intermediate layer is exhibited conformability to the unevenness of the wafer pattern surface not exerted, the occurrence of cracks or dimples during grinding of the wafer is likely to occur.

【0045】本発明において、基材層3は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)などのポリエステル;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)などのポリオレフィン系樹脂;ポリイミド(PI);ポリエーテルエーテルケトン(PEEK); [0045] In the present invention, the base layer 3 is not particularly limited, for example, polyesters such as polyethylene terephthalate (PET); polyethylene (PE), polypropylene (PP) a polyolefin resin and the like; a polyimide (PI); polyether ether ketone (PEEK);
ポリ塩化ビニル(PVC)などのポリ塩化ビニル系樹脂;ポリ塩化ビニリデン系樹脂;ポリアミド系樹脂;ポリウレタン;ポリスチレン系樹脂;アクリル系樹脂;フッ素樹脂;セルロース系樹脂;ポリカーボネート系樹脂などの熱可塑性樹脂のほか、熱硬化性樹脂、金属箔、紙などが例示できる。 Polyvinylidene chloride-based resin; polyamide resin; polyurethane; polystyrene resins; acrylic resins; fluorine resin; cellulose resins, polyvinyl chloride (PVC) polyvinyl chloride resin such as a polycarbonate-based resin of the thermoplastic resin In addition, thermosetting resin, metal foil, paper may be exemplified. なお、基材層3は、同種の、または異種の材料からなる複数の層により多層構造としてもよい。 Incidentally, the base material layer 3 may have a multilayer structure of a plurality of layers consisting of the same type, or of different materials.

【0046】本発明の半導体ウエハ保持保護用シートは、図1に示すように上記の中間層1、粘着剤層2、及び基材層3を積層したシート状物であって、基材層3の片面に中間層1を設け、中間層1の表面に粘着剤層2を形成したことを特徴とするものである。 The semiconductor wafer holding protective sheet of the present invention, the intermediate layer 1, as shown in FIG. 1, the pressure-sensitive adhesive layer 2, and a sheet formed by laminating a substrate layer 3, the base layer 3 the intermediate layer 1 on one side of, and is characterized in that to form an adhesive layer 2 on the surface of the intermediate layer 1.

【0047】また、本発明の半導体ウエハ保持保護用シートは、図2に示す様にこれを巻回してテープ状としてもよい。 Further, the semiconductor wafer holding protective sheet of the present invention may be tape-shaped by winding it as shown in FIG. この場合、粘着剤層2の保護のため、その上に剥離フィルム層4を積層してもよい。 In this case, for the protection of the pressure-sensitive adhesive layer 2 may be laminated to the release film layer 4 thereon. 剥離フィルム層4 Release film layer 4
は、従来より公知のシリコーン処理やフッ素処理されたプラスチックフィルム(ポリエチレンテレフタレート、 Is conventionally known silicone treatment or fluorine-treated plastic films (polyethylene terephthalate,
ポリプロピレンなど)、紙、非極性材料(ポリエチレン、ポリプロピレンなど)などが挙げられる。 Polypropylene, etc.), paper, nonpolar material (polyethylene, polypropylene, etc.) and the like.

【0048】また、本発明の半導体ウエハ保持保護用シートをテープ状に巻回する場合、図3に示すように剥離フィルム層4を用いず、基材の反対面(すなわち巻回した場合に粘着剤層2と接触する面)に剥離処理層5を設けることで巻き戻ししやすくすることもできる。 [0048] In addition, the pressure-sensitive adhesive when the semiconductor wafer holding protective sheet of the present invention when winding the tape-like, without using the release film layer 4 as shown in FIG. 3, which turned the opposite surface (i.e. the winding of the base material It can be easily rewound by providing a release treatment layer 5 on the surface) in contact with the adhesive layer 2.

【0049】剥離処理層5は、従来より公知の剥離剤を用いて処理を行えば良く、例えばシリコーン処理、フッ素処理、長鎖アルキル基含有ポリマー処理などが挙げられる。 The release treatment layer 5 may be performed a process using a known release agents conventionally, for example silicone treatment, fluorine treatment, and the like long-chain alkyl group-containing polymer treatment.

【0050】本発明の半導体ウエハ保持保護用シートの製造方法は特に限定されず、基材層3上に、中間層1および粘着剤層2を形成することで本発明の半導体ウエハ保持保護用シートを得ることができる。 The manufacturing method of semiconductor wafer holding protective sheet of the present invention is not particularly limited, on the base material layer 3, the semiconductor wafer holding protective sheet of the present invention by forming the intermediate layer 1 and the adhesive layer 2 it is possible to obtain. 中間層組成物および粘着剤組成物を塗布するには、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などの塗工方式を用いて行えばよく、これらは直接基材上に形成しても良いし、表面に剥離処理を行った剥離紙等に形成後、基材に転写しても良い。 To apply the intermediate layer composition and the adhesive composition include roll coating, screen coating, may be performed using a coating method such as gravure coating, it may be formed directly on the substrate and, after forming the release paper or the like subjected to release treatment on the surface, it may be transferred to the substrate.

【0051】本発明の半導体保持保護用シートは、半導体ウエハ表面(回路パターン形成面)に、粘着剤層2の面が前記ウエハ側となるように重ね合わせ、押圧しながら貼り付けることができる。 [0051] Semiconductor retaining protective sheet of the present invention, the semiconductor wafer surface (circuit pattern formation surface), superposed as the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is the wafer side, it can be attached while being pressed.

【0052】より具体的には、例えばテーブル上にウエハを載置し、その上に本発明のシートを粘着剤層2がウエハ側になるように重ね、圧着ロールなどの押圧手段により、押圧しながら貼り付ける。 [0052] More specifically, by placing the wafer, for example, on a table, a sheet of the present invention stacked as pressure-sensitive adhesive layer 2 is the wafer-side thereon, with a pressing means such as a press roll to press while paste.

【0053】また、加圧可能な容器(たとえばオートクレーブなど)中で、ウエハと本シートを上記のように重ね、容器内を加圧することでウエハに貼り付けることもできる。 [0053] Further, in pressurizable container (for example an autoclave, etc.), the wafer and the sheet stacked as described above, it may be affixed to the wafer by pressurizing the vessel. この際、押圧手段により押圧しながら貼り付けてもよい。 In this case, it may be attached while being pressed by the pressing means.

【0054】さらに、真空チャンバー内で、上記と同様に貼り付けることもできる。 [0054] Further, in a vacuum chamber, it can be pasted in the same manner as described above.

【0055】またこれらの方法で貼り付ける際に、30 [0055] Further, when pasting by these methods, 30
〜150℃程度の加熱を行ってもよい。 It may be subjected to a heat of about ~150 ℃. 貼り付け方法はこれらに限定されるものではない。 Paste method of the present invention is not limited to these.

【0056】貼り付けられたシートは、半導体ウエハの研削加工後、人力又は機械により剥離される。 [0056] pasted sheets, after grinding of the semiconductor wafer is peeled off by human or machine. この際、 On this occasion,
粘着剤に放射線硬化型粘着剤を用いた場合は、剥離前に適当な放射線を照射することで、粘着剤層の接着力が低下し、容易に剥離することが出きるので好ましい。 In the case of using a radiation-curable pressure-sensitive adhesive in the pressure-sensitive adhesive, by irradiation with suitable radiation before peeling, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer decreases, preferred because as possible out be easily peeled off.

【0057】 [0057]

【発明の効果】本発明の半導体ウエハ保持保護用シートおよび貼り付け方法によれば、保持保護シートが特定弾性率、ゲル分の中間層を有しており、貼り付ける際に中間層1と粘着剤層2の適度な変形により、ウエハ表面の凹凸差が大きくても、その凹凸に良く追従できる。 According to the semiconductor wafer holding protective sheet and paste method of the present invention, the holding protective sheet specific elastic modulus, and an intermediate layer of gel fraction, an intermediate layer 1 when pasting adhesive the moderate deformation of the adhesive layer 2, be greater unevenness difference of the wafer surface, it may follow the unevenness. そのため、ウエハと保持保護シートが良く接着され、ウエハ裏面の研削加工時における、ウエハパターン面への研削水や異物の浸入、加工ミス、ディンプルの発生、ウエハ割れなどを大きく減少できる。 Therefore, the wafer and the holding protective sheet is adhered well, the wafer back in the grinding process, penetration of grinding water or foreign matters into the wafer pattern surface, machining errors, the occurrence of dimples wafer cracking or the like can greatly decrease.

【0058】 [0058]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, will be described in more detail the present invention based on examples, the present invention is not limited by these examples.

【0059】下記条件で作製された粘着シートを、半導体ウエハに貼り付け、研削し、粘着シートの剥離を行い、「水浸入」および「ウエハ割れ」の評価を行った。 [0059] a pressure-sensitive adhesive sheet, which is produced under the following conditions, adhered to the semiconductor wafer, grinding, make the release of the pressure-sensitive adhesive sheet, we were evaluated of the "water intrusion" and "wafer cracking".
結果を表1に示した。 The results are shown in Table 1.

【0060】(貼り合わせ)下記条件で粘着シートを作製し、高さ80、100、150μmのバンプの形成された厚さ625μm(バンプ含まず)の6インチウエハ25枚に該粘着シートを日東精機(株)製DR−850 [0060] (bonding) the adhesive sheet was produced under the following conditions, Nitto Seiki the PSA sheet a 6-inch wafer 25 sheets of height bump thickness formed of 80,100,150Myuemu 625 .mu.m (excluding the bump) (Ltd.) DR-850
0IIを用いて貼り合わせた。 They were bonded using a 0II. これは、上述の方法(テーブル上にウエハを載置し、その上に本発明のシートを粘着剤層2がウエハ側になるように重ね、圧着ロールなどの押圧手段により、押圧しながら貼り付ける)に相当する。 This places the wafer on the methods described above (Table, the sheet of the present invention stacked as pressure-sensitive adhesive layer 2 is the wafer-side thereon, with a pressing means such as a press roll, paste while pressing It corresponds to).

【0061】(研削)上記方法により粘着シートを貼り合わせたウエハを、ディスコ(株)製シリコンウエハ研削機により厚さ280μmまで研削を行った。 [0061] The wafer obtained by bonding the adhesive sheet by (grinding) the above method, was subjected to grinding to a thickness of 280μm by Disco Corp. silicon wafer grinder.

【0062】(剥離)上記方法により研削を行ったウエハを、日東精機(株)製DR−8500IIを用いて粘着シートの剥離を行った。 [0062] (peeling) of the wafer subjected to grinding by the above method was subjected to a peeling of the adhesive sheet using the DR-8500II manufactured by Nitto Seiki Corporation. なお、粘着剤に感圧接着剤を用いた場合は、研削後粘着シート背面に剥離用テープを貼り付けて、該テープとともに粘着シートを剥離した。 In the case of using the pressure sensitive adhesive in the pressure-sensitive adhesive, paste the peeling tape after the grinding the pressure-sensitive adhesive sheet back, the pressure-sensitive adhesive sheet was stripped with the tape. また、粘着剤にUV粘着剤を用いた場合は、ウエハを研削後、粘着シートに400mJ/cm 2の紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、同様に剥離用テープを貼り付けて、 In the case of using the UV adhesive in the pressure-sensitive adhesive, after grinding the wafer, the adhesive sheet is irradiated with ultraviolet rays of 400 mJ / cm 2 to cure the adhesive layer, and sticking a peeling tape as well,
該テープとともに粘着シートを剥離した。 The pressure-sensitive adhesive sheet was stripped with the tape.

【0063】評価項目 (水浸入)研削中にウエハと粘着シートとの間に研削水が染み込む現象をいい、これによりウエハが汚染される。 [0063] refers to the phenomenon in which the grinding water soaks during the evaluation items and wafer in the (water infiltration) grinding and the pressure-sensitive adhesive sheet, which by the wafer is contaminated. 粘着シートを剥離後、光学顕微鏡観察(100倍、 After peeling off the adhesive sheet, light microscopy (100x,
200倍)により、25枚中1枚でもウエハ上に水が確認されたウエハは、水浸入ありとした。 The 200-fold), the wafer water was observed on the wafer, even one in 25 sheets, and that there is intrusion of water.

【0064】(ウエハ割れ)研削中にバンプの凹凸がシートで吸収されず発生する。 [0064] unevenness of bump occurs without being absorbed by the sheet during (wafer cracking) grinding. 研削中に25枚中1枚でもウエハの割れが発生されたウエハは、割れありとした。 Wafer cracking of the wafer has been generated even one in 25 sheets in the grinding, it was that there is a crack.

【0065】粘着剤として、以下の感圧粘着剤とUV [0065] as a pressure-sensitive adhesive, and the following of the pressure-sensitive adhesive UV
(紫外線)硬化型粘着剤を用いた。 (UV) was used curable adhesive. また、以下において部とあるのは、重量部を意味するものとする。 Also, all parts in the following, shall mean parts by weight. [感圧粘着剤]アクリル酸2−エチルヘキシル82部、 [Sensitive adhesive] 2-ethylhexyl 82 parts of acrylic acid,
アクリル酸3部、アクリルアミド15部を酢酸エチル1 Ethyl acetate 3 parts of acrylamide 15 parts of acrylic acid 1
00部中で溶液重合して数平均分子量700,000のアクリル系共重合体ポリマーを得た。 Solution polymerization in 00 parts to obtain an acrylic copolymer polymer of number average molecular weight 700,000. 続いてこの得られたポリマー100部に、エステル系可塑剤20部、メラミン系架橋剤0.1部、イソシアネート架橋剤3部を添加して粘着剤を得た。 Then 100 parts of the obtained polymer, 20 parts of ester plasticizer, 0.1 parts of a melamine crosslinking agent, to obtain an adhesive with the addition of 3 parts of an isocyanate crosslinking agent.

【0066】[UV硬化型粘着剤]アクリル酸エチル7 [0066] [UV curable adhesive] ethyl acrylate 7
8部、アクリル酸ブチル100部、アクリル酸2−ヒドロキシエチル40部からなる配合混合物をトルエン溶液中で共重合させ、数平均分子量300,000のアクリル系共重合体ポリマーを得た。 8 parts, 100 parts of butyl acrylate, a blend mixture of 40 parts of 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized in a toluene solution to obtain an acrylic copolymer polymer of number average molecular weight of 300,000. 続いてこの共重合ポリマーに対し、43部の2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した。 Subsequently to this copolymer, to addition reaction with 43 parts of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, carbon polymer molecule inside chains - were introduced carbon double bond. このポリマー100部に対して、さらにポリイソシアネート系架橋剤1部、アセトフェノン系光重合開始剤3部を混合し、離型処理されたフィルム上に塗布することで粘着剤層を調整した。 For this polymer 100 parts, 1 part further polyisocyanate crosslinking agent, a mixture of acetophenone photopolymerization initiator 3 parts to prepare a pressure-sensitive adhesive layer by applying to a release treated on the film.

【0067】中間層として、以下のポリマーを用いた。 [0067] As the intermediate layer, using the following polymers. [ポリマーA]アクリル酸ブチル94部、アクリル酸1 Polymer A] 94 parts of butyl acrylate, 1
部、アクリロニトリル5部を、乳化重合法により共重合し、ポリマーを得た。 Parts, the 5 parts of acrylonitrile were copolymerized by emulsion polymerization, a polymer was obtained. このポリマー100部に対してイソシアネート系架橋剤1部を添加し、ポリマーAとした。 It was added 1 part of an isocyanate crosslinking agent to the polymer to 100 parts, and the polymer A. なお、中間層形成後のポリマーAの弾性率は100 The elastic modulus of the polymer A after forming the intermediate layer is 100
kPa、ゲル分は5%であった。 kPa, gel content was 5 percent.

【0068】[ポリマーB]アクリル酸2−エチルヘキシル75部、アクリル酸アミド20部、アクリル酸5部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。 [0068] Polymer B] 2-ethylhexyl 75 parts of acrylic acid, 20 parts of acrylic acid amide, 5 parts of acrylic acid were copolymerized by solution polymerization in toluene, to obtain a polymer. このポリマー100部に対してエポキシ系架橋剤0.05部を添加し、ポリマーBとした。 And 0.05 parts of an epoxy crosslinking agent to the polymer to 100 parts, and a polymer B. なお、中間層形成後のポリマーBの弾性率は500kPa、ゲル分は1 The elastic modulus of the polymer B after forming the intermediate layer is 500 kPa, the gel fraction is 1
%であった。 %Met.

【0069】[ポリマーC]アクリル酸ブチル95部、 [0069] Polymer C] 95 parts of butyl acrylate,
アクリル酸5部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。 5 parts of acrylic acid were copolymerized by solution polymerization in toluene, to obtain a polymer. このポリマー100部に対してメラミン系架橋剤0.1部を添加し、ポリマーCとした。 0.1 parts melamine crosslinking agent was added to the polymer to 100 parts, and a polymer C.
なお、中間層形成後のポリマーCの弾性率は2000kP The elastic modulus of the polymer C after forming the intermediate layer is 2000kP
a、ゲル分は5%であった。 a, gel content was 5 percent.

【0070】[ポリマーD]アクリル酸ブチル95部、 [0070] Polymer D] 95 parts of butyl acrylate,
アクリル酸5部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。 5 parts of acrylic acid were copolymerized by solution polymerization in toluene, to obtain a polymer. このポリマー100部に対してエポキシ系架橋剤1部を添加し、ポリマーDとした。 It was added 1 part of an epoxy crosslinking agent to the polymer to 100 parts, and the polymer D. なお、中間層形成後のポリマーDの弾性率は700kPa、 The elastic modulus of the polymer D after forming the intermediate layer is 700 kPa,
ゲル分は25%であった。 The gel fraction was 25%.

【0071】実施例1 基材層として厚さ140μmのエチレン−酢酸ビニル共重合物(EVA)フィルムを用い、その上にポリマーA [0071] a thickness of 140μm as Example 1 base layer of ethylene - vinyl acetate copolymer used (EVA) films, polymer A thereon
を厚さ100μmで設け、中間層を形成した。 The provided with a thickness 100 [mu] m, to form an intermediate layer. さらに中間層の上に感圧粘着剤を厚さ5μmとなるよう設け、粘着剤層を形成した。 Further provided such that a thickness of 5μm to pressure sensitive adhesive on the intermediate layer, to form an adhesive layer. このシートを高さ80μmのバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。 Paste this sheet to the bumped wafer of height 80μm, grinding, the separation was carried out. その結果水浸入、ウエハ割れなく作業できた。 As a result of water intrusion, it was able to work without cracking wafer.

【0072】実施例2 基材層として厚さ200μmのエチレン−酢酸ビニル共重合物(EVA)フィルムを用い、その上にポリマーB [0072] Ethylene thickness 200μm as Example 2 Substrate layer - using vinyl acetate copolymer (EVA) films, polymer B thereon
を厚さ140μmで設け、中間層を形成した。 The provided with a thickness 140 .mu.m, to form an intermediate layer. さらに中間層の上にUV硬化型粘着剤を厚さ20μmとなるよう設け、粘着剤層を形成した。 Further provided such that a thickness of 20μm to UV curable adhesive on the intermediate layer, to form an adhesive layer. このシートを高さ100μ The seat height 100μ
mのバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。 Affixed to a bumped wafer of m, grinding, the separation was carried out. その結果水浸入、ウエハ割れなく作業できた。 As a result of water intrusion, it was able to work without cracking wafer.

【0073】実施例3 基材層として厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用い、その上にポリマーBを厚さ200μmで設け、中間層を形成した。 [0073] a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50μm Example 3 base layer, provided with a thickness 200μm Polymer B thereon, to form an intermediate layer. さらに中間層の上にUV硬化型粘着剤を厚さ40μmとなるよう設け、粘着剤層を形成した。 Further provided such that a thickness of 40μm to UV curable adhesive on the intermediate layer, to form an adhesive layer. このシートを高さ150μm Height 150μm this sheet
のバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。 Paste of the bumped wafer, grinding, the separation was carried out.
その結果水浸入、ウエハ割れなく作業できた。 As a result of water intrusion, it was able to work without cracking wafer.

【0074】比較例1 基材層として厚さ140μmのエチレン−酢酸ビニル共重合物(EVA)フィルムを用い、その上にポリマーC [0074] Ethylene thickness 140μm Comparative Example 1 base layer - vinyl acetate copolymer of (EVA) film using polymer C thereon
を厚さ100μmで設け、中間層を形成した。 The provided with a thickness 100 [mu] m, to form an intermediate layer. さらに中間層の上に感圧粘着剤を厚さ5μmとなるよう設け、粘着剤層を形成した。 Further provided such that a thickness of 5μm to pressure sensitive adhesive on the intermediate layer, to form an adhesive layer. このシートを高さ80μmのバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。 Paste this sheet to the bumped wafer of height 80μm, grinding, the separation was carried out. その結果、中間層の弾性率が高く固すぎたため、バンプを埋めることができず水浸入が発生した。 As a result, the elastic modulus of the intermediate layer is too hard high water entry occurs can not fill the bump. ウエハ割れはなかった。 Wafer cracking was not.

【0075】比較例2 基材層として厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用い、その上にポリマーDを厚さ200μmで設け、中間層を形成した。 [0075] a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50μm Comparative Example 2 base layer, provided with a thickness 200μm polymer D thereon, to form an intermediate layer. さらに中間層の上にUV硬化型粘着剤を厚さ40μmとなるよう設け、粘着剤層を形成した。 Further provided such that a thickness of 40μm to UV curable adhesive on the intermediate layer, to form an adhesive layer. このシートを高さ150μm Height 150μm this sheet
のバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。 Paste of the bumped wafer, grinding, the separation was carried out.
その結果、中間層のゲル分率が高く凹凸面への追従性が劣るため、研削時に水浸入とウエハ割れが発生した。 As a result, the conformability to the gel fraction is high irregular surface of the intermediate layer is poor, water entry and wafer cracking occurs during grinding.

【0076】 [0076]

【表1】 [Table 1]

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の半導体ウエハ保持保護用粘着シートを模式的に示す断面図である。 The semiconductor wafer holding adhesive sheet for protecting of the present invention; FIG is a cross-sectional view schematically showing.

【図2】本発明の半導体ウエハ保持保護用粘着シートをテープ状に巻回した一例を模式的に示す断面図である。 An example of winding the semiconductor wafer holding adhesive sheet for protecting a tape-like [Figure 2] The present invention is a cross-sectional view schematically showing.

【図3】本発明の半導体ウエハ保持保護用粘着シートをテープ状に巻回した他の例を模式的に示す断面図である。 [3] The semiconductor wafer holding protecting adhesive sheet of the present invention is a cross-sectional view showing another example wound into a tape schematically.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 中間層 2 粘着剤層 3 基材層 4 剥離フィルム層 5 剥離処理層 1 intermediate layer 2 adhesive layer 3 base layer 4 release film layer 5 release treatment layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J004 AA10 AB01 AB06 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA08 CC02 CE01 DA04 DA05 DB03 EA01 FA04 FA08 GA01 4J040 DF041 DF051 EC231 EF181 EF341 GA02 GA05 GA07 GA08 GA11 GA20 GA22 GA25 GA27 JA09 JB07 JB09 LA01 LA06 MA02 MB05 NA20 PA20 PA42 5F031 CA02 HA78 MA22 MA37 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 4J004 AA10 AB01 AB06 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA08 CC02 CE01 DA04 DA05 DB03 EA01 FA04 FA08 GA01 4J040 DF041 DF051 EC231 EF181 EF341 GA02 GA05 GA07 GA08 GA11 GA20 GA22 GA25 GA27 JA09 JB07 JB09 LA01 LA06 MA02 MB05 NA20 PA20 PA42 5F031 CA02 HA78 MA22 MA37

Claims (5)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】半導体ウエハ加工時において、半導体ウエハ表面に貼り付けて半導体ウエハを保持保護するための粘着シートであって、基材層(3)の片面に弾性率が3 1. A time of semiconductor wafer processing, a pressure-sensitive adhesive sheet for supporting and protecting a semiconductor wafer adhered to a semiconductor wafer surface, one side to the elastic modulus of the base layer (3) 3
    0〜1000kPaでありかつゲル分が20%以下の中間層(1)が設けられ、該中間層(1)の表面に粘着剤層(2)が形成されていることを特徴とする半導体ウエハ保持保護用粘着シート。 0~1000kPa a and and gel content of 20% or less of the intermediate layer (1) is provided, the semiconductor wafer held, characterized in that the surface of the adhesive layer of the intermediate layer (1) (2) is formed protective pressure sensitive adhesive sheet.
  2. 【請求項2】中間層(1)の厚さt 1が20〜500μ Wherein the thickness t 1 of the intermediate layer (1) is 20~500μ
    mであり、粘着剤層(2)の厚さt 2が1〜100μm m, and the thickness t 2 is 1~100μm of the pressure-sensitive adhesive layer (2)
    であって、その比がt 2 /t 1 =0.01〜0.5であることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。 A is, claim 1 semiconductor wafer holding adhesive sheet for protecting a wherein the the ratio is t 2 / t 1 = 0.01~0.5.
  3. 【請求項3】中間層(1)が、アクリル系ポリマーを構成材料とする請求項1または2記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。 Wherein the intermediate layer (1) is, according to claim 1 or 2 semiconductor wafer held protecting adhesive sheet according to the constituent material of the acrylic polymer.
  4. 【請求項4】粘着剤層(2)が、アクリル系ポリマーを構成材料とする請求項1または2記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。 4. A pressure-sensitive adhesive layer (2) is, according to claim 1 or 2 semiconductor wafer held protecting adhesive sheet according to the constituent material of the acrylic polymer.
  5. 【請求項5】粘着剤層(2)が、その分子内に炭素−炭素二重結合を有する放射線硬化型のアクリル系ポリマーであることを特徴とする請求項4記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。 5. A pressure-sensitive adhesive layer (2) is, the intramolecular carbon - semiconductor wafer held protecting adhesive according to claim 4, characterized in that the acrylic polymer of the radiation curable having a carbon-carbon double bond sheet.
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