KR101273871B1 - Dicing/die bonding tape and method for manufacturing semiconductor chip - Google Patents

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마사떼루 후꾸오까
쇼따 마쯔다
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼를 다이싱하고, 다이본딩 필름째 반도체칩을 픽업할 때에, 다이본딩 필름째 반도체칩을 용이하게 박리하여, 취출하는 것을 가능하게 하는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 얻는다. 반도체 웨이퍼를 다이싱하여, 반도체칩을 얻고, 반도체칩을 다이본딩하는 데에 이용되는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)로서, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)은 다이본딩 필름 (3)과, 다이본딩 테이프 (3)의 한쪽면에 첩부된 비점착 필름 (4)를 갖고, 비점착 필름 (4)는 (메트)아크릴 수지 가교체를 주성분으로서 포함한다.In the present invention, when dicing a semiconductor wafer and picking up the die-bonding semiconductor chip, the die-bonding film-th semiconductor chip is easily peeled off to obtain a dicing die-bonding tape. A dicing die-bonding tape 1 used for dicing a semiconductor wafer to obtain a semiconductor chip and die bonding the semiconductor chip, wherein the dicing die-bonding tape 1 is formed of a die-bonding film 3. And the non-adhesive film 4 affixed on one side of the die-bonding tape 3, and the non-adhesion film 4 contains a (meth) acrylic resin crosslinked body as a main component.

다이싱ㆍ다이본딩 테이프, 반도체칩, 반도체 웨이퍼, (메트)아크릴 수지 가교체 Dicing die-bonding tape, semiconductor chip, semiconductor wafer, (meth) acrylic resin crosslinked body

Description

다이싱ㆍ다이본딩 테이프 및 반도체칩의 제조 방법{DICING/DIE BONDING TAPE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP}Manufacturing method of dicing die-bonding tape and semiconductor chip {DICING / DIE BONDING TAPE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP}

본 발명은 반도체칩의 제조에 이용되는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼에 접합되어 다이싱시 및 다이본딩시에 이용되는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프, 및 상기 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 이용한 반도체칩의 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing die-bonding tape for use in the manufacture of semiconductor chips, and more particularly to a dicing die-bonding tape bonded to a semiconductor wafer for use in dicing and die bonding, and the dicing. A method for manufacturing a semiconductor chip using a die-bonding tape.

종래, 반도체 웨이퍼로부터 반도체칩을 취출하여, 반도체칩을 기판 등에 실장하기 위해서, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프가 이용되고 있다.Conventionally, a dicing die-bonding tape is used in order to take out a semiconductor chip from a semiconductor wafer and to mount a semiconductor chip on a board | substrate.

상기 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 일례로서, 하기의 특허 문헌 1에는 필름상 접착제층의 한쪽면에, 방사선 경화형 점착제층이 적층된 다이싱ㆍ다이본딩 테이프가 개시되어 있다. 필름상 접착제층은 열가소성 수지와, 에폭시 수지를 포함한다. 필름상 접착제층은 다이본딩 필름에 상당한다. 또한, 방사선 경화형 점착제층은 방사선 경화형의 다이싱 필름이다.As an example of the said dicing die-bonding tape, the following patent document 1 discloses the dicing die-bonding tape by which the radiation-curable adhesive layer was laminated | stacked on one side of the film adhesive layer. The film adhesive layer contains a thermoplastic resin and an epoxy resin. The film adhesive layer corresponds to a die bonding film. Moreover, a radiation curable adhesive layer is a radiation curable dicing film.

특허 문헌 1에 기재된 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 이용하여, 반도체칩을 제조할 때에는 우선 다이본딩 필름의 다이싱 필름이 적층된 면과는 반대측의 면에, 반도체 웨이퍼를 접합한다. 다음으로, 반도체 웨이퍼를 다이본딩 필름째 다이싱한 다. 다이싱 후에, 방사선 경화형의 다이싱 필름에 방사선을 조사하여, 다이싱 필름을 경화시킨다. 다이싱 필름이 경화되면, 그의 점착력이 낮아진다. 그 후, 반도체칩이 접합된 다이본딩 필름을 다이싱 필름으로부터 박리하여, 취출한다. 그리고, 다이본딩 필름을 통해, 반도체칩이 기판 상에 실장되어 있다.When manufacturing a semiconductor chip using the dicing die-bonding tape of patent document 1, a semiconductor wafer is first bonded to the surface on the opposite side to the surface where the dicing film of the die-bonding film was laminated | stacked. Next, the semiconductor wafer is diced by the die-bonding film. After dicing, the radiation curable dicing film is irradiated with radiation to cure the dicing film. When the dicing film is cured, its adhesive force is lowered. Thereafter, the die bonding film to which the semiconductor chip is bonded is peeled off from the dicing film and taken out. And a semiconductor chip is mounted on the board | substrate through the die bonding film.

그런데, 다이싱에 있어서는 다이싱을 안정적으로 행하기 위해서, 다이본딩 필름은 다이싱 필름에 견고하게 접합되어 있을 필요가 있다. 이것에 대하여, 다이싱 후에 반도체칩을 픽업할 때에는 반도체칩이 부착된 다이본딩 필름은 다이싱 필름으로부터 무리없이 박리되지 않으면 안된다. 그 때문에, 특허 문헌 1에서는 방사선이 조사되기 전에는 점착력이 높고, 또한 방사선이 조사된 후에는 경화하여, 점착력이 저하되는 방사선 경화형의 다이싱 필름이 이용되고 있었다.By the way, in dicing, in order to perform dicing stably, the die bonding film needs to be firmly bonded to the dicing film. On the other hand, when picking up a semiconductor chip after dicing, the die bonding film with a semiconductor chip must peel from a dicing film without difficulty. Therefore, in the patent document 1, the radiation hardening type dicing film which adhesiveness is high before radiation is irradiated, and after radiation is irradiated, hardens | cures and adhesive force falls is used.

한편, 방사선 경화형의 다이싱 필름이 아닌 다이싱 필름을 구비하는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프도 알려져 있다.On the other hand, the dicing die-bonding tape provided with the dicing film instead of the radiation-curing dicing film is also known.

예를 들면, 하기의 특허 문헌 2에는 필름상 접착제층의 한쪽면에, 기재 필름 (II)가 적층되어 있는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프가 개시되어 있다. 필름상 접착제층은 폴리이미드 또는 아크릴계 중합체 등의 열가소성 수지와, 열 경화성 수지를 포함하는 수지 조성물을 포함한다. 필름상 접착제층은 다이본딩 필름에 상당한다. 다이싱 필름으로서는 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 이용되고 있다. 기재 필름 (II)는 다이싱 필름에 상당한다.For example, Patent Document 2 below discloses a dicing die-bonding tape in which a base film (II) is laminated on one surface of a film adhesive layer. The film adhesive layer contains the resin composition containing thermoplastic resins, such as a polyimide or an acrylic polymer, and a thermosetting resin. The film adhesive layer corresponds to a die bonding film. As the dicing film, a polypropylene film, a polyethylene film or a polyethylene terephthalate film is used. Base film (II) is corresponded to a dicing film.

특허 문헌 2에서는 다이싱 후에, 반도체칩이 부착된 다이본딩 필름을 다이싱 필름으로부터 무리없이 박리할 수 있도록, 다이싱 필름의 다이본딩 필름에 첩부되 는 면은 이형 처리되어 있다.In patent document 2, the surface affixed on the die-bonding film of a dicing film is releasing-processed so that the die-bonding film with a semiconductor chip may be peeled from a dicing film without difficulty after dicing.

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 제2004-292821호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-292821

특허 문헌 2: 일본 특허 공개 제2006-165074호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2006-165074

<발명의 개시><Start of invention>

특허 문헌 1에 기재된 다이싱ㆍ다이본딩 테이프로서는 방사선이 조사되면 경화하여, 점착력이 저하되는 방사선 경화형의 다이싱 필름이 이용되고 있다. 그러나, 방사선 경화형의 다이싱 필름을 이용한 경우에는, 다이싱 후에, 다이싱 필름에 방사선을 조사하고, 다이싱 필름을 경화시켜, 그의 점착력을 저하시킬 필요가 있었다. 그 때문에, 방사선을 조사하는 작업을 행하지 않으면 안되었다.As a dicing die-bonding tape of patent document 1, the radiation hardening-type dicing film which hardens when radiation is irradiated and adhesive force falls is used. However, in the case of using a radiation curable dicing film, it was necessary to irradiate the dicing film with radiation after dicing, to cure the dicing film, and to lower its adhesive force. Therefore, the work which irradiated the radiation had to be performed.

또한, 다이싱 필름에 방사선을 조사하더라도, 다이싱 필름의 점착력이 충분히 저하되지 않는 경우도 있었다. 다이싱 필름의 점착력이 충분히 저하되지 않은 상태에서, 반도체칩이 부착된 다이본딩 필름을 다이싱 필름으로부터 박리하려고 하면, 반도체칩에 불필요한 힘이 가해지는 경향이 있었다. 그 때문에, 반도체칩이 파손될 우려가 있었다.Moreover, even if the dicing film was irradiated with radiation, the adhesive force of the dicing film did not fully fall in some cases. When the adhesive force of a dicing film did not fall enough, when the die bonding film with a semiconductor chip was trying to peel from a dicing film, there existed a tendency for unnecessary force to be applied to a semiconductor chip. Therefore, there was a fear that the semiconductor chip would be damaged.

한편, 특허 문헌 2에 기재된 다이싱ㆍ다이본딩 테이프로서는 박리성을 높이기 위해서, 다이싱 필름은 이형 처리되어 있다. 그 때문에, 반도체칩을 픽업할 때, 방사선을 조사할 필요는 없다. 그러나, 이 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 제조할 때에는 다이싱 필름의 표면에 이형제를 도포하거나, 다이본딩 필름의 표면에 요철을 형성하기도 하는 이형 처리를 행하지 않으면 안되었다.On the other hand, as a dicing die-bonding tape of patent document 2, in order to improve peelability, a dicing film is release-processed. Therefore, it is not necessary to irradiate the radiation when picking up the semiconductor chip. However, when manufacturing this dicing die-bonding tape, the mold release agent should be apply | coated to the surface of a dicing film, and the mold release process which may form an unevenness | corrugation on the surface of a die-bonding film had to be performed.

또한, 다이싱 필름의 표면에 이형제가 도포되어 있는 경우에는 다이본딩 필름에 이형제가 부착되기 쉬었다. 이 경우, 픽업된 반도체칩을 기판 상에 확실하게 실장할 수 없는 경우가 있었다. 한편, 다이싱 필름의 표면에 요철이 형성되어 있는 경우에는 다이본딩 필름과 다이싱 필름이 충분히 밀착하지 않는 경우가 있고, 다이싱할 때, 다이본딩 필름이 다이싱 필름으로부터 박리되는 경우가 있었다.Moreover, when the mold release agent was apply | coated on the surface of a dicing film, the mold release agent was easy to adhere to the die bonding film. In this case, the picked-up semiconductor chip may not be reliably mounted on a board | substrate. On the other hand, when the unevenness | corrugation is formed in the surface of a dicing film, a die bonding film and a dicing film may not fully adhere, and when dicing, the die bonding film may peel from a dicing film.

또한, 특허 문헌 2에서는 다이싱 필름으로서 폴리프로필렌프렌 필름, 폴리에틸렌 필름 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 이용되고 있기 때문에, 반도체칩을 픽업할 때에 절삭 부스러기가 생기기 쉬었다. 절삭 부스러기가 생기면, 반도체칩을 확실하게 픽업할 수 없는 경우가 있었다. 또한, 절삭 부스러기가 다이본딩 필름이나 반도체칩에 부착되어, 픽업된 반도체칩을 정밀도 있고 옳은 방향으로, 기판 상에 실장할 수 없는 경우도 있었다.Moreover, in patent document 2, since a polypropylene pren film, a polyethylene film, or a polyethylene terephthalate film is used as a dicing film, the cutting chips tended to generate | occur | produce when picking up a semiconductor chip. If cutting chips occur, the semiconductor chips may not be picked up reliably. In addition, cutting chips adhered to the die-bonding film or the semiconductor chip, so that the picked-up semiconductor chip could not be mounted on the substrate in a precise and correct direction.

본 발명의 목적은 상술한 종래 기술의 현실에 감안하여, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여, 다이본딩 필름째 반도체칩을 픽업할 때, 광을 조사하는 작업을 요하는 것 없이, 다이본딩 필름째 반도체칩을 용이하게 박리하여, 취출하는 것을 가능하게 하는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프, 및 상기 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 이용한 반도체칩의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.DISCLOSURE OF THE INVENTION In view of the above-described prior art reality, an object of the present invention is to die-bond a semiconductor chip without requiring a work of irradiating light when dicing a semiconductor wafer to pick up the semiconductor chip. It is to provide a dicing die-bonding tape which can peel easily and take out, and a manufacturing method of a semiconductor chip using the said dicing die-bonding tape.

본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체칩을 얻고, 반도체칩을 다이본딩하는 데 이용되는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프로서, 다이본딩 필름과, 상기 다이본딩 필름의 한쪽면에 첩부된 비점착 필름을 갖고, 상기 비점착 필름은 (메트)아크릴 수지 가교체를 주성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프가 제공된다.According to the present invention, a dicing die-bonding tape used for dicing a semiconductor wafer to obtain a semiconductor chip and die-bonding the semiconductor chip, wherein the die-bonding film and the non-adhesive adhered to one side of the die-bonding film are used. It has a film and the said non-adhesive film contains the (meth) acrylic resin crosslinked body as a main component, The dicing die-bonding tape is provided.

또한, 상기 비점착 필름의 다이본딩 필름이 첩부된 면과는 반대측의 면에는, 예를 들면 다이싱 필름이 첩부되어 다이싱이 행해질 수도 있다. 또는, 상기 비점착 필름 자체가 다이싱 필름으로서 이용될 수도 있다. 상기한 바와 같이, 본 발명의 「다이싱ㆍ다이본딩 테이프」란, 다이싱 및 다이본딩에 이용되는 테이프이고, 상기 다이본딩 필름과 비점착 필름을 필수적인 구성으로서 포함하여, 다이싱 필름을 별도로 갖고 있을 수도 있고, 갖고 있지 않을 수도 있다. 다이싱ㆍ다이본딩 테이프가 다이싱 필름을 갖지 않는 경우에는 다이싱할 때 다이싱 필름이 별도로 준비된다. 상기 다이싱 필름이 비점착 필름의 다이본딩 필름이 첩부된 면과는 반대측의 면에 첩부되어, 다이싱이 행해진다. 이 경우, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프는 다이싱 필름을 갖지 않지만, 다이싱시에 있어서도 이용되는 것이기 때문에, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프이다.In addition, a dicing film may be affixed on the surface on the opposite side to the surface on which the die-bonding film of the said non-adhesion film was affixed, for example, and dicing may be performed. Alternatively, the non-adhesive film itself may be used as the dicing film. As mentioned above, the "dicing die-bonding tape" of this invention is a tape used for dicing and die-bonding, Comprising: The said di-bonding film and a non-adhesive film are included as an essential structure, and have a dicing film separately. It may or may not have it. When a dicing die-bonding tape does not have a dicing film, a dicing film is prepared separately at the time of dicing. The said dicing film is affixed on the surface on the opposite side to the surface on which the die-bonding film of the non-adhesive film was affixed, and dicing is performed. In this case, although the dicing die-bonding tape does not have a dicing film, it is a dicing die-bonding tape since it is used also at the time of dicing.

본 발명의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 어느 특정한 국면에서는, 상기 비점착 필름의 파단점에서의 신도는 5 내지 100％의 범위 내라고 되어 있다. 이 경우, 다이싱 블레이드로 다이싱할 때에, 절삭 부스러기가 생기기 어렵다.In a specific aspect of the dicing die-bonding tape of the present invention, the elongation at the breaking point of the non-adhesive film is in the range of 5 to 100%. In this case, when dicing with a dicing blade, it is difficult to produce cutting chips.

본 발명의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 다른 특정한 국면에서는, 상기 비점착 필름의 상기 다이본딩 필름이 첩부된 면의 표면 에너지는 40 N/m 이하라고 되어 있다. 이 경우, 다이본딩 필름을 비점착 필름으로부터, 보다 한층 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 다이본딩 필름과 비점착 필름과의 계면에서의 밀착성이 낮기 때문에, 박리할 때에 다이본딩 필름의 일부가 결여되어 필름편으로서 분리되어 상기 필름편이 비점착 필름에 부착되는 것을 억제할 수 있다.In another specific aspect of the dicing die-bonding tape of the present invention, the surface energy of the surface on which the die-bonding film of the non-adhesive film is affixed is 40 N / m or less. In this case, a die bonding film can be peeled more easily from a non-adhesive film. Moreover, since the adhesiveness in the interface of a die-bonding film and a non-adhesive film is low, a part of die-bonding film is missing at the time of peeling, it isolates as a film piece, and it can suppress that the said film piece adheres to a non-adhesive film.

본 발명의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 비점착 필름의 상기 다이본딩 필름이 첩부된 면은 이형 처리되어 있지 않다.In another specific situation of the dicing die-bonding tape of this invention, the surface in which the said die-bonding film of the said non-adhesion film was affixed is not mold-released.

상기 (메트)아크릴 수지 가교체는, 바람직하게는 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 중합체를 포함한다. (메트)아크릴산에스테르 중합체의 산가는 2 이하인 것이 바람직하다. 또한, (메트)아크릴산에스테르 중합체는 아크릴산부틸과, 아크릴산에틸 중의 적어도 한쪽을 중합시켜 얻어진 (메트)아크릴산에스테르 중합체인 것이 보다 바람직하다.The said (meth) acrylic resin crosslinked body contains the (meth) acrylic acid ester polymer which preferably has a C1-C18 alkyl group. It is preferable that the acid value of a (meth) acrylic acid ester polymer is 2 or less. In addition, the (meth) acrylic acid ester polymer is more preferably a (meth) acrylic acid ester polymer obtained by polymerizing at least one of butyl acrylate and ethyl acrylate.

본 발명의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 별도의 특정한 국면에서는, 상기 다이본딩 필름은 열 경화성 수지 조성물로 이루어진다.In another specific situation of the dicing die-bonding tape of this invention, the said die-bonding film consists of a thermosetting resin composition.

본 발명의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 다이본딩 필름의 열 경화 전의 25 ℃에 있어서의 저장 탄성률은 106 내지 109 Pa의 범위에 있다.In another specific situation of the dicing die-bonding tape of this invention, the storage elastic modulus in 25 degreeC before the thermosetting of the said die-bonding film exists in the range of 10 <6> -10 <9> Pa.

상기 다이본딩 필름은 바람직하게는 에폭시 수지와, 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 고분자 중합체와, 열 경화제를 포함한다. 보다 바람직하게는 다이본딩 필름은 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 상기 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 고분자 중합체를 10 내지 100 중량부의 비율로 포함한다.The die-bonding film preferably contains an epoxy resin, a polymer polymer having a functional group reacting with the epoxy group, and a thermosetting agent. More preferably, the die-bonding film contains a polymer polymer having a functional group reacting with the epoxy group in an amount of 10 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin.

본 발명의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 다른 특정한 국면에서는, 상기 비점착 필름의 상기 다이본딩 필름이 첩부된 면과는 반대측의 면에 다이싱 필름이 첩부되어 있다.In another specific situation of the dicing die-bonding tape of this invention, a dicing film is affixed on the surface on the opposite side to the surface on which the said die-bonding film of the said non-adhesion film was affixed.

본 발명의 반도체칩의 제조 방법은 본 발명의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프와, 반도체 웨이퍼를 준비하는 공정과, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 상기 다이본딩 필름의 상기 비점착 필름이 첩부된 면과는 반대측의 면에 반도체 웨이퍼를 접합하는 공정과, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프가 접합된 반도체 웨이퍼를 상기 다이본딩 필름째 다이싱하여 개개의 반도체칩으로 분할하는 공정과, 다이싱 후에 상기 반도체칩이 접합된 상기 다이본딩 필름을 상기 비점착 필름으로부터 박리하고, 다이본딩 필름째 반도체칩을 취출하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체칩의 제조 방법이다.The manufacturing method of the semiconductor chip of this invention differs from the dicing die-bonding tape of this invention, the process of preparing a semiconductor wafer, and the surface to which the said non-adhesive film of the said die-bonding film of the dicing die-bonding tape affixed. Bonding the semiconductor wafer to the surface on the opposite side, dicing the semiconductor wafer bonded with the dicing die-bonding tape, dividing the die-bonding film into individual semiconductor chips, and bonding the semiconductor chip after dicing. It is a manufacturing method of the semiconductor chip characterized by including the process of peeling the said die-bonding film from the said non-adhesion film, and taking out a die-bonding film 1st semiconductor chip.

또한, 본 발명의 반도체칩의 제조 방법으로서는 바람직하게는 상기 다이싱 후에 반도체칩을 취출하는 공정에서, 상기 다이본딩 필름과 상기 비점착 필름과의 사이의 박리력을 변화시키지 않고, 반도체칩이 취출된다.In the method for manufacturing a semiconductor chip of the present invention, preferably, in the step of taking out the semiconductor chip after the dicing, the semiconductor chip is taken out without changing the peel force between the die bonding film and the non-adhesive film. do.

또한, 본 명세서에 있어서 박리력을 변화시키지 않는다는 것은, 예를 들면 광의 조사나 가열에 의해 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 중 어느 층을 경화시켜 점착력을 내림으로써 박리력을 변화시키는 공정, 또는 어느 하나의 층을 수축시켜 박리력을 변화시키는 공정, 또는 어느 하나의 층을 발포시켜 박리력을 변화시키는 공정 등의 박리력을 변화시키는 처리를 실시하지 않는 것을 의미한다.In addition, in this specification, not changing peeling force is the process of changing peeling force by hardening any layer of dicing die-bonding tape by irradiation of light or heating, and lowering adhesive force, or any one of It means not performing the process which changes peeling force, such as the process of shrinking a layer and changing peeling force, or the process of foaming any one layer and changing peeling force, and the like.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 따른 다이싱ㆍ다이본딩 테이프로서는 다이본딩 필름에 비점착 필름이 첩부되어 있고, 상기 비점착 필름이 (메트)아크릴 수지 가교체를 주성분으로서 포함하기 때문에, 다이본딩 필름을 비점착 필름으로부터 용이하게 박리할 수 있다. 따라서, 다이싱 후에, 반도체칩을 다이본딩 필름째 취출할 때에 반도체칩이 파손되기 어렵다.As a dicing die-bonding tape which concerns on this invention, a non-adhesive film is affixed on a die bonding film, and since the said non-adhesion film contains a (meth) acrylic resin crosslinked body as a main component, a die-bonding film is used from a non-adhesive film. It can peel easily. Therefore, after dicing, the semiconductor chip is hardly damaged when the die-bonding film is taken out.

또한, 다이싱 후에, 광의 조사 등의 작업을 행하지 않더라도, 반도체칩이 부착된 다이본딩 필름을 비점착 필름으로부터 용이하게 박리하여, 취출할 수 있다.Moreover, even after dicing, even if the operation | work of light etc. is not performed, the die bonding film with a semiconductor chip can peel easily from a non-adhesion film, and can take out.

또한, 본 발명에서는 비점착 필름이 이형 처리되어 있지 않더라도, 다이본딩 필름을 비점착 필름으로부터 용이하게 박리할 수 있다. 그 때문에, 다이싱 필름의 표면에 이형제를 도포하거나, 요철을 형성하기도 하는 불필요한 작업을 행하지 않을 수도 있다. 다이싱 필름의 표면에 이형제를 도포하지 않을 수도 있기 때문에, 다이본딩 필름에 이형제가 부착되는 경우도 없다. 또한, 다이싱 필름의 표면에 요철을 형성하지 않을 수도 있기 때문에, 다이본딩 필름과 비점착 필름과의 밀착성이 저하되기 어렵다. 따라서, 다이싱을 안정적으로 행할 수도 있다.In addition, in this invention, even if a non-adhesive film is not mold-releasing-processed, a die bonding film can be easily peeled from a non-adhesive film. Therefore, unnecessary work which may apply a mold release agent to the surface of a dicing film, or may form an unevenness | corrugation may not be performed. Since a mold release agent may not be apply | coated to the surface of a dicing film, a mold release agent does not adhere to a die bonding film. Moreover, since unevenness | corrugation may not be formed in the surface of a dicing film, adhesiveness of a die bonding film and a non-adhesive film hardly falls. Therefore, dicing can also be performed stably.

본 발명에 따른 반도체칩의 제조 방법에서는 본 발명의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프가 접합된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 반도체칩으로 분할한 후, 반도체칩이 접합된 다이본딩 필름을 비점착 필름으로부터 박리하기 때문에, 다이본딩 필름의 일부가 결여되어 필름편으로서 분리되어 상기 필름편이 비점착 필름에 부착되기 어렵다. 따라서, 얻어진 반도체칩에는 결여됨이 없는 다이본딩 필름이 접합되어 있기 때문에, 다이본딩을 보다 한층 확실하게 행할 수 있다. In the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention, after dicing the semiconductor wafer to which the dicing die-bonding tape of the present invention is bonded and dividing into individual semiconductor chips, the die-bonding film to which the semiconductor chip is bonded is separated from the non-adhesive film. Since it peels, a part of die-bonding film is lacking and isolate | separates as a film piece, and the said film piece is hard to adhere to a non-adhesive film. Therefore, since the die bonding film which is not lacking is bonded to the obtained semiconductor chip, die bonding can be performed more reliably.

[도 1] 도 1(a) 및 (b)는 본 발명의 일실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 나타내는 부분 절결 정면 단면도 및 부분 절결 평면도이다.1: (a) and (b) are the partial notch front sectional drawing and partial notch top view which show the dicing die-bonding tape which concerns on one Embodiment of this invention.

[도 2] 도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.FIG. 2 is a partially cutaway front cross-sectional view showing a dicing die-bonding tape according to another embodiment of the present invention.

[도 3] 도 3은 본 발명의 별도의 실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.3 is a partially cutaway front cross-sectional view showing a dicing die-bonding tape according to another embodiment of the present invention.

[도 4] 도 4는 반도체칩의 제조에 이용되는 반도체 웨이퍼를 나타내는 평면도이다.Fig. 4 is a plan view showing a semiconductor wafer used for manufacturing a semiconductor chip.

[도 5] 도 5는 본 발명의 일실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 이용하여 반도체칩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이고, 반도체 웨이퍼가 스테이지 상에 장착된 상태를 나타내는 정면 단면도이다.FIG. 5 is a view for explaining a method of manufacturing a semiconductor chip using a dicing die-bonding tape according to one embodiment of the present invention, and a front cross-sectional view showing a state where the semiconductor wafer is mounted on a stage. to be.

[도 6] 도 6은 본 발명의 일실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 이용하여 반도체칩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이고, 점접착층에 반도체 웨이퍼를 접합할 때의 상태를 나타내는 정면 단면도이다.FIG. 6 is a view for explaining a method of manufacturing a semiconductor chip using a dicing die-bonding tape according to one embodiment of the present invention, and showing a state when the semiconductor wafer is bonded to an adhesive layer. It is a front section.

[도 7] 도 7은 본 발명의 일실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 이용하여 반도체칩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이고, 점접착층에 반도체 웨이퍼를 접합한 상태를 나타내는 정면 단면도이다.FIG. 7 is a view for explaining a method of manufacturing a semiconductor chip using a dicing die-bonding tape according to one embodiment of the present invention, and a front sectional view showing a state in which a semiconductor wafer is bonded to an adhesive layer. to be.

[도 8] 도 8은 본 발명의 일실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 이용하여 반도체칩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이고, 반도체 웨이퍼가 부착된 점접착층이 뒤집혀 별도의 스테이지 상에 장착된 상태를 나타내는 정면 단면도이다.FIG. 8 is a view for explaining a method for manufacturing a semiconductor chip using a dicing die-bonding tape according to one embodiment of the present invention, in which an adhesive layer on which a semiconductor wafer is attached is inverted to form a separate stage. Front sectional drawing which shows the state attached to the.

[도 9] 도 9는 본 발명의 일실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이고, 점접착층이 접합된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 반도체칩으로 분할한 상태를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.FIG. 9 is a view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using a dicing die-bonding tape according to one embodiment of the present invention. It is a partial notch front sectional drawing which shows the state divided into a semiconductor chip.

[도 10] 도 10은 본 발명의 일실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 이용하여 제조된 반도체칩을 나타내는 정면 단면도이다.FIG. 10 is a front sectional view showing a semiconductor chip manufactured using a dicing die-bonding tape according to one embodiment of the present invention. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.

1…다이싱ㆍ다이본딩 테이프One… Dicing Die Bonding Tape

2…이형 필름2… Release film

2a…상면2a... Top

3…다이본딩 필름3 ... Die bonding film

3a…표면3a... surface

4…비점착 필름4… Non-stick film

4a, 4b… 표면4a, 4b ... surface

5…다이싱 필름5 ... Dicing film

5a…기재5a ... materials

5b…점착제5b... adhesive

5c…연장부5c ... Extension

6, 7…보호 시트6, 7... Protection sheet

11…다이싱ㆍ다이본딩 테이프11... Dicing Die Bonding Tape

15…다이싱ㆍ다이본딩 테이프15... Dicing Die Bonding Tape

16…비점착 필름16 ... Non-stick film

16a, 16b…표면16a, 16b... surface

17…제1의 층17... First layer

18…제2의 층18... Second layer

21…반도체 웨이퍼21 ... Semiconductor wafer

21a…표면21a... surface

21b…이면21b... If

21c…외주 측면21c... Outer side

22…스테이지22 ... stage

23…다이싱링23 ... Dicing Ring

24…스테이지24 ... stage

31…반도체칩31... Semiconductor chip

41…절결 부분41... Cutout

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명함으로써, 본 발명을 분명하게 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is made clear by describing specific embodiment of this invention, referring drawings.

도 1(a), (b)에 본 발명의 일실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 부분 절결 정면 단면도 및 부분 절결 평면도로 나타낸다.The dicing die-bonding tape which concerns on one Embodiment of this invention to FIG.1 (a), (b) is shown by partial notch front sectional drawing and partial notch top view.

도 1(a), (b)에 나타낸 바와 같이, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)은 장척상의 이형 필름 (2)를 갖는다. 이형 필름 (2)의 상면 (2a)에 다이본딩 필름 (3), 비점착 필름 (4) 및 다이싱 필름 (5)가 이 순으로 적층되어 있다. 다이본딩 필름 (3)의 이형 필름 (2)가 첩부된 표면 (3a)는 반도체 웨이퍼가 접합되는 면이다.As shown to Fig.1 (a), (b), the dicing die-bonding tape 1 has the elongate release film 2. On the upper surface 2a of the release film 2, the die bonding film 3, the non-adhesive film 4, and the dicing film 5 are laminated | stacked in this order. The surface 3a on which the release film 2 of the die bonding film 3 is affixed is a surface to which a semiconductor wafer is bonded.

다이본딩 필름 (3), 비점착 필름 (4) 및 다이싱 필름 (5)는 원형의 평면 형상을 갖는다. 다이싱 필름 (5)는 다이본딩 필름 (3) 및 비점착 필름 (4)보다도 큰 직경을 갖는다. 또한, 다이본딩 필름 (3)의 직경은 비점착 필름 (4)의 직경과 같게 되어 있다. 무엇보다도, 양자의 직경은 상이할 수 있다.The die bonding film 3, the non-adhesive film 4, and the dicing film 5 have a circular planar shape. The dicing film 5 has a larger diameter than the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4. In addition, the diameter of the die bonding film 3 is equal to the diameter of the non-adhesive film 4. First of all, the diameter of both may be different.

다이싱 필름 (5)는 기재 (5a)와, 기재 (5a)의 한쪽면에 도포된 점착제 (5b)를 갖는다. 다이싱 필름 (5)는 비점착 필름 (4)의 다이본딩 필름 (3)이 첩부된 표면 (4a)와는 반대측의 표면 (4b)에 점착제 (5b)측에서 첩부되어 있다. 다이싱 필름 (5)는 비점착 필름 (4)를 개재하여, 다이본딩 필름 (3)에 간접적으로 첩부되어 있다.The dicing film 5 has the base material 5a and the adhesive 5b apply | coated to one side of the base material 5a. The dicing film 5 is affixed on the adhesive 5b side to the surface 4b on the opposite side to the surface 4a on which the die bonding film 3 of the non-adhesive film 4 was affixed. The dicing film 5 is affixed indirectly to the die bonding film 3 via the non-adhesive film 4.

다이싱 필름 (5)는 다이본딩 필름 (3) 및 비점착 필름 (4)보다도 큰 직경을 갖기 때문에, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 다이싱 필름 (5)는 다이본딩 필름 (3) 및 비점착 필름 (4)의 외주 가장자리를 초과하도록 연장되어 있는 연장부 (5c)를 갖는다. 상기 연장부 (5c)의 일면이 점착제 (5b)에 의해 이형 필름 (2)의 상면 (2a)에 첩부되어 있다. 즉, 다이본딩 필름 (3) 및 비점착 필름 (4)의 외주 가장자리보다도 외측의 영역에서, 다이싱 필름 (5)가 이형 필름 (2)의 상면 (2a)에 첩부되어 있다.Since the dicing film 5 has a larger diameter than the die-bonding film 3 and the non-adhesive film 4, as shown in FIG. 1 (b), the dicing film 5 is the die-bonding film 3 And an extension 5c extending beyond the outer peripheral edge of the non-adhesive film 4. One surface of the said extension part 5c is affixed on the upper surface 2a of the release film 2 with the adhesive 5b. That is, the dicing film 5 is affixed on the upper surface 2a of the release film 2 in the area | region outside the outer peripheral edge of the die-bonding film 3 and the non-adhesive film 4.

다이싱 필름 (5)가 다이본딩 필름 (3) 및 비점착 필름 (4)보다도 큰 직경을 갖는 것은 다이본딩 필름 (3)의 표면 (3a)에 반도체 웨이퍼를 접합할 때에, 연장부 (5c)에 위치하고 있는 점착제 (5b)에 다이싱링을 첩부하기 때문이다.The dicing film 5 having a diameter larger than that of the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4 is extended when the semiconductor wafer is bonded to the surface 3a of the die bonding film 3. This is because the dicing ring is affixed to the pressure-sensitive adhesive 5b located at.

도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 장척상의 이형 필름 (2)의 길이 방향에서, 다이본딩 필름 (3), 비점착 필름 (4) 및 다이싱 필름 (5)를 포함하는 복수의 적층체가 등간격으로 배치되어 있다. 또한, 다이싱 필름 (5)의 측방의 영역에서, 반드시 설치할 필요는 없지만, 이형 필름 (2)의 상면 (2a)에 보호시트 (6, 7)이 설치되어 있다. 보호 시트 (6, 7)이 설치되어 있는 경우에는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)이 예를 들면 롤상으로 권회됨으로써 다이본딩 필름 (3), 비점착 필름 (4) 및 다이싱 필름 (5)에 가해지는 압력이 보호 시트 (6, 7)의 존재에 의해 경감된다.As shown to FIG. 1 (b), in the longitudinal direction of the elongate release film 2, the several laminated body containing the die-bonding film 3, the non-adhesive film 4, and the dicing film 5, etc. It is arranged at intervals. In addition, in the area | region of the side of the dicing film 5, although it does not necessarily need to provide, the protective sheets 6 and 7 are provided in the upper surface 2a of the release film 2. As shown in FIG. When the protective sheets 6 and 7 are provided, the die-bonding film 3, the non-adhesive film 4, and the dicing film 5 are wound by dicing die-bonding tape 1, for example in roll shape. The pressure applied to it is alleviated by the presence of the protective sheets 6, 7.

또한, 이형 필름 (2)의 두께나 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 정방형의 형상의 이형 필름이 이용될 수도 있다. 그 경우에는 이형 필름 상에 다이본딩 필름, 비점착 필름 및 다이싱 필름을 포함하는 1개의 적층체만이 배치되어 있을 수도 있다. 또한, 상기 적층체는 상기 이형 필름과 함께, 상술한 바와 같이 롤상으로 권회되어 있지 않을 수도 있다. 또한, 다이본딩 필름, 비점착 필름 및 다이싱 필름의 두께나 형상도 특별히 한정되지 않는다.In addition, the thickness and shape of the release film 2 are not specifically limited. For example, a release film having a square shape may be used. In that case, only one laminated body containing a die-bonding film, a non-adhesive film, and a dicing film may be arrange | positioned on a release film. In addition, the said laminated body may not be wound in roll shape as mentioned above with the said release film. Moreover, the thickness and shape of a die bonding film, a non-adhesive film, and a dicing film are not specifically limited, either.

다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)에서는 다이본딩 필름 (3)이 부착된 반도체칩을 취출할 때에, 다이본딩 필름 (3)과 비점착 필름 (4)와의 박리력은 비점착 필름 (4)와 다이싱 필름 (5)와의 박리력보다도 작게 되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 다이본딩 필름 (3)을 비점착 필름 (4)로부터 양자의 계면에서 박리하기 쉬워진다. 따라서, 다이본딩 필름 (3)째 반도체칩을, 비점착 필름 (4)로부터 보다 한층 용이 하게 박리하여, 취출할 수 있다.In the dicing die-bonding tape 1, when taking out the semiconductor chip with the die-bonding film 3, the peeling force of the die-bonding film 3 and the non-adhesive film 4 is compared with the non-adhesive film 4 It is preferable that it is smaller than the peeling force with the dicing film 5. In this case, it becomes easy to peel the die-bonding film 3 from the non-adhesive film 4 at the interface of both. Therefore, the die bonding film 3rd semiconductor chip can be peeled off from the non-adhesion film 4 more easily, and can be taken out.

다이본딩 필름 (3)째 반도체칩을, 비점착 필름 (4)로부터 박리하여, 취출할 때에는 다이본딩 필름 (3)과 비점착 필름 (4)와의 박리 강도는 15 N/m 이하가 바람직하고, 8 N/m 이하가 보다 바람직하고, 6 N/m 이하가 더욱 바람직하다. 박리 강도가 너무 크면, 비점착 필름 (4)로부터의 다이본딩 필름 (3)의 박리가 곤란해지는 경우가 있다. 박리 강도의 바람직한 하한은 1 N/m이다. 박리 강도가 너무 작으면, 다이싱할 때에, 반도체칩의 튀어오름이 생기기 쉬워진다.When the die bonding film 3rd semiconductor chip is peeled off from the non-adhesive film 4 and taken out, the peeling strength of the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4 is preferably 15 N / m or less, 8 N / m or less is more preferable, and 6 N / m or less is more preferable. When peeling strength is too big, peeling of the die-bonding film 3 from the non-adhesive film 4 may become difficult. The minimum with preferable peeling strength is 1 N / m. If the peeling strength is too small, springing of the semiconductor chip easily occurs when dicing.

(비점착 필름)(Non-adhesive film)

상기 비점착 필름 (4)는 다이본딩 필름 (3)과 비점착 필름 (4)와의 계면에서, 다이본딩 필름 (3)을 비점착 필름 (4)로부터 박리하기 위해서 설치되어 있다.The non-adhesive film 4 is provided in order to peel the die-bonding film 3 from the non-adhesive film 4 at the interface between the die-bonding film 3 and the non-adhesive film 4.

비점착 필름 (4)는 비점착성을 갖는다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「비점착성 필름」이란, 표면이 점착성을 갖지 않는 필름뿐만 아니라, 표면을 손가락으로 접촉했을 때에 달라 붙지 않는 필름도 포함하는 것으로 한다. 구체적으로는 「비점착성 필름」에 있어서의 「비점착」이란, 비점착 필름을 스테인리스판에 접착하여, 비점착 필름을 300 mm/분의 박리 속도로 박리했을 때에, 박리력이 5 g/25 mm 폭 이하인 것을 의미한다.The non-tacky film 4 has non-tackiness. In addition, in this specification, a "non-adhesive film" shall include not only the film which does not have adhesiveness on the surface, but also the film which does not stick when the surface touches with a finger. Specifically, the term "non-adhesion" in the "non-adhesive film" means that the non-adhesive film is adhered to a stainless steel plate, and the peeling force is 5 g / 25 when the non-adhesive film is peeled at a peel rate of 300 mm / min. It means below mm width.

본 실시 형태의 특징은 상기 비점착 필름 (4)가 (메트)아크릴 수지 가교체를 주성분으로서 포함하는 데에 있다.The characteristic of this embodiment is that the said non-adhesive film 4 contains a (meth) acrylic resin crosslinked body as a main component.

상술한 특허 문헌 1에 기재된 바와 같은 다이싱ㆍ다이본딩 테이프에서는 다이싱 필름은 방사선 경화형 점착제를 포함하고, 방사선이 조사되기 전의 다이싱 필 름의 점착력은 비교적 높게 되어 있었다. 따라서, 다이본딩 필름을 다이싱 필름으로부터 박리하기 위해서는 다이싱 필름의 점착력을 충분히 저하시킬 필요가 있었다. 그 때문에, 다이싱 필름에 방사선을 조사하는 필요없는 시간을 필요로 하였다. 또한, 방사선을 조사한 후에, 점착력이 충분히 저하하지 않은 적도 있었다.In the dicing die-bonding tape as described in the above-mentioned patent document 1, the dicing film contains the radiation curable adhesive, and the adhesive force of the dicing film before radiation was irradiated relatively. Therefore, in order to peel a die-bonding film from a dicing film, it was necessary to fully reduce the adhesive force of a dicing film. Therefore, the time which does not need to irradiate a dicing film with radiation was needed. Moreover, after irradiating radiation, the adhesive force did not fully fall.

이것에 대하여, 본 실시 형태의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)에서는 비점착 필름이 (메트)아크릴 수지 가교체를 주성분으로서 포함하기 때문에, 다이본딩 필름 (3)을 비점착 필름 (4)로부터 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 다이싱 후에 반도체칩을 다이본딩 필름 (3)째 취출할 때에, 반도체칩도 파손되기 어렵다.In contrast, in the dicing die-bonding tape 1 of this embodiment, since the non-adhesive film contains a (meth) acrylic resin crosslinked body as a main component, the die-bonding film 3 is removed from the non-adhesive film 4. It can peel easily. In addition, when taking out a semiconductor chip 3 after a dicing, the semiconductor chip is also hard to be damaged.

또한, 상술한 특허 문헌 2에 기재된 바와 같은 다이싱ㆍ다이본딩 테이프에서는 박리성을 높이기 위해서, 다이싱 필름의 다이본딩 필름이 첩부되는 면은 이형 처리되어 있었다. 따라서, 다이싱 필름의 표면에 이형제를 도포하거나, 요철을 형성하기도 하는 이형 처리를 행하지 않으면 안되었다. 다이싱 필름에 이형제를 도포한 경우에는 다이본딩 필름에 이형제가 부착되는 경우가 있었다. 또한, 다이싱 필름의 표면에 요철을 형성한 경우에는 다이싱할 때, 다이본딩 필름이 다이싱 필름으로부터 박리되기 쉬었다.Moreover, in the dicing die-bonding tape as described in patent document 2 mentioned above, in order to improve peelability, the surface on which the die-bonding film of a dicing film is affixed was release-processed. Therefore, the mold release agent was apply | coated to the surface of a dicing film, and the mold release process which may form an unevenness | corrugation had to be performed. When a mold release agent was apply | coated to a dicing film, the mold release agent might adhere to the die bonding film in some cases. In addition, when the unevenness | corrugation was formed in the surface of a dicing film, when dicing, the die bonding film was easy to peel from a dicing film.

또한, 특허 문헌 2에서는 다이싱 필름으로서, 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 이용되고 있었다. 이러한 필름을 이용한 경우에는 다이싱에 있어서, 절삭 부스러기가 생기기 쉬었다.Moreover, in patent document 2, the polypropylene film, the polyethylene film, or the polyethylene terephthalate film was used as a dicing film. When such a film was used, cutting chips tended to occur in dicing.

이것에 대하여, 본 실시 형태의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)에서는 비점착 필름 (4)가 이형 처리되어 있지 않더라도, 다이본딩 필름 (3)을 비점착 필름 (4)로 부터, 용이하게 박리할 수 있다. 그 때문에, 다이싱 필름 (5)의 표면에 이형제를 도포하거나, 요철을 형성하기도 하는 불필요한 작업을 행하지 않을 수도 있다. 다이싱 필름 (5)의 표면에 이형제를 도포하지 않을 수도 있기 때문에, 다이본딩 필름 (3)에 이형제가 부착되는 경우도 없다. 또한, 비점착 필름 (4)의 표면에 요철을 형성하지 않을 수도 있기 때문에, 다이싱을 안정적으로 행할 수도 있다. 또한, 본 실시 형태의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)에서는 다이싱할 때, 절삭 부스러기도 생기기 어렵다.On the other hand, in the dicing die-bonding tape 1 of this embodiment, even if the non-adhesive film 4 is not mold-releasing-processed, the die-bonding film 3 is peeled easily from the non-adhesive film 4 easily. can do. Therefore, unnecessary work which may apply a mold release agent to the surface of the dicing film 5, or may form an unevenness | corrugation may not be performed. Since a mold release agent may not be apply | coated to the surface of the dicing film 5, a mold release agent does not adhere to the die bonding film 3, either. Moreover, since unevenness | corrugation may not be formed in the surface of the non-adhesive film 4, dicing can also be performed stably. In addition, in the dicing die-bonding tape 1 of this embodiment, when cutting, it is hard to produce cutting chips.

비점착 필름 (4)의 주성분은 (메트)아크릴 수지 가교체이다. 이 경우, 비점착 필름 (4)는 (메트)아크릴 수지 가교체를 50 중량％ 이상 포함한다. 상기 (메트)아크릴 수지 가교체를 주성분으로서 포함하는 비점착 필름 (4)는 폴리올레핀계 필름에 비하여 부드럽고, 예를 들면 낮은 저장 탄성률을 갖는다. 또한, 상기 (메트)아크릴 수지 가교체를 이용함으로써, 비점착 필름 (4)와 다이본딩 필름 (3)과의 계면의 융합을 막아, 픽업시에 불량을 일으키기 어렵게 할 수 있다. 또한, 비점착 필름 (4)의 파단 신도를 낮춤으로써, 다이싱 블레이드로 다이싱할 때에, 절삭 부스러기가 가루가 되기 때문에, 배출성이 좋아지고, 수염상의 절삭 부스러기의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, (메트)아크릴 수지 가교체를 주성분으로서 포함하는 비점착 필름 (4)를 이용한 경우에는 다이싱에 있어서의 절삭성이나, 다이싱 후의 박리성이 높아진다. 또한, 주성분인 (메트)아크릴 수지 가교체를 선택함으로써, 비점착 필름 (4)의 극성을 낮추거나, 탄성률을 낮추거나, 파단 신도를 용이하게 제어할 수 있다.The main component of the non-adhesive film 4 is a (meth) acrylic resin crosslinked product. In this case, the non-adhesive film 4 contains 50 weight% or more of (meth) acrylic resin crosslinked bodies. The non-adhesive film 4 which contains the said (meth) acrylic resin crosslinked body as a main component is soft compared with a polyolefin type film, for example, has low storage elastic modulus. Moreover, by using the said (meth) acrylic resin crosslinked body, the fusing of the interface of the non-adhesive film 4 and the die-bonding film 3 can be prevented, and it can make it difficult to produce a defect at the time of pick-up. In addition, by lowering the elongation at break of the non-adhesive film 4, when dicing with a dicing blade, the cutting debris becomes powder, so that the discharge property is improved, and generation of the beard-shaped cutting debris can be suppressed. Therefore, when the non-adhesive film 4 containing a (meth) acrylic resin crosslinked body is used, the cutting property in dicing and the peelability after dicing become high. Moreover, by selecting the (meth) acrylic resin crosslinked product which is a main component, the polarity of the non-adhesive film 4 can be reduced, an elasticity modulus can be reduced, or breaking elongation can be controlled easily.

또한, 본 발명에 있어서 「(메트)아크릴」이란, 「메타크릴산 또는 아크릴산」을 의미한다.In addition, in this invention, "(meth) acryl" means "methacrylic acid or acrylic acid."

비점착 필름 (4)를 구성하는 재료로서는 특별히 한정되지 않지만, 광 경화성 수지일 수도 있고, 또는 열 경화성 수지일 수도 있다. 상기 광 경화성 수지나 열 경화성 수지를 이용한 경우, 광 경화 또는 열 경화시킴으로써, 비점착 필름 (4)가 형성된다. 형성된 비점착 필름 (4)에 있어서는 이들 수지의 경화는 이미 완료되어 있는 것이 바람직하다. 수지의 경화가 완료되지 않은 경우에는, 예를 들면 레이저광에 의해 다이싱을 행할 때에, 레이저광에 의해 비점착 필름 (4)가 용융하여, 다이싱 필름 (3)에 부착될 우려가 있다.Although it does not specifically limit as a material which comprises the non-adhesive film 4, Photocurable resin may be sufficient or a thermosetting resin may be sufficient. When the said photocurable resin and thermosetting resin are used, the non-adhesive film 4 is formed by photocuring or thermosetting. In the formed non-adhesive film 4, it is preferable that hardening of these resin is already completed. When hardening of resin is not completed, when dicing with a laser beam, for example, the non-adhesive film 4 may melt by a laser beam and adhere to the dicing film 3.

또한, 반도체칩의 제조에 있어서는, 바람직하게는 다이싱 후에 비점착 필름 (4)에 대한 다이본딩 필름 (3)의 박리력을 변화시키지 않고서 픽업이 행해진다. 이 경우, 광의 조사 등에 의해서 비점착 필름 (4)가 경화되지 않는 것이 바람직하고, 따라서, 상기 광 경화성 수지나 열 경화성 수지를 이용하여 형성된 비점착 필름 (4)에 있어서는 이들 경화성 수지는 이미 경화되어 있는 것이 바람직하다.Moreover, in manufacture of a semiconductor chip, pickup is performed preferably without changing the peeling force of the die-bonding film 3 with respect to the non-adhesive film 4 after dicing. In this case, it is preferable that the non-adhesive film 4 is not hardened by irradiation of light etc. Therefore, in the non-adhesive film 4 formed using the said photocurable resin and thermosetting resin, these curable resins are already hardened | cured It is desirable to have.

비점착 필름 (4)를 구성하는 재료로서는 (메트)아크릴 수지 가교체에 더하여, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 다른 합성 수지를 이용할 수도 있다.As a material which comprises the non-adhesive film 4, other synthetic resins, such as an epoxy resin, a urethane resin, a silicone resin, or a polyimide resin, can be used in addition to a (meth) acrylic resin crosslinked body.

상기 (메트)아크릴 수지 가교체로서는 특별히 한정되지 않지만, (메트)아크릴산에스테르 중합체가 바람직하다. 비점착 필름 (4)의 주성분이 (메트)아크릴산에스테르 중합체인 경우에는, 다이싱 후에, 다이본딩 필름 (3)을 비점착 필름 (4) 로부터 박리할 때, 다이본딩 필름 (3)의 결여가 보다 한층 생기기 어렵다. 또한, 다이싱에 있어서의 절삭성이나, 다이싱 후의 박리성도 보다 한층 높아진다. 또한, (메트)아크릴산에스테르 중합체를 이용한 경우, 저장 탄성률과 파단 신도를 용이하게 제어할 수 있다.Although it does not specifically limit as said (meth) acrylic resin crosslinked material, A (meth) acrylic acid ester polymer is preferable. In the case where the main component of the non-adhesive film 4 is a (meth) acrylic acid ester polymer, when the die bonding film 3 is peeled from the non-adhesive film 4 after dicing, the lack of the die bonding film 3 It is hard to produce more. Moreover, the cutting property in dicing and the peelability after dicing are further improved. Moreover, when a (meth) acrylic acid ester polymer is used, storage elastic modulus and elongation at break can be controlled easily.

상기 (메트)아크릴산에스테르 중합체로서는 특별히 한정되지 않지만, 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 중합체가 바람직하다. 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 중합체를 이용한 경우에는 극성이 충분히 낮아지고, 비점착 필름 (4)의 표면 에너지를 낮게 할 수 있고, 박리성을 보다 한층 높일 수 있다. 알킬기의 탄소수가 18을 초과하면, 용액 중합이 곤란해지고, 비점착 필름 (4)의 제조가 곤란해질 경우가 있다. 알킬기의 탄소수는 보다 바람직하게는 6 이상이고, 그에 따라 극성이 보다 한층 낮아진다.Although it does not specifically limit as said (meth) acrylic acid ester polymer, The (meth) acrylic acid ester polymer which has a C1-C18 alkyl group is preferable. When using the (meth) acrylic acid ester polymer which has a C1-C18 alkyl group, polarity becomes low enough, the surface energy of the non-adhesive film 4 can be made low, and peelability can be improved further. When carbon number of an alkyl group exceeds 18, solution polymerization may become difficult and manufacture of the non-adhesive film 4 may become difficult. Carbon number of an alkyl group becomes like this. More preferably, it is 6 or more, and therefore polarity becomes further lower.

상기 (메트)아크릴산에스테르 중합체로서는 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체를 주 단량체로 하고, 이것과 관능기 함유 단량체와, 추가로 필요에 따라서 이들과 공중합 가능한 다른 개질용 단량체를 통상법에 의해 공중합시켜 얻어진 (메트)아크릴산에스테르 중합체가 바람직하다. 이 경우, (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체의 알킬기의 탄소수는 2 이상이 보다 바람직하고, 6 이상이 특히 바람직하다.As said (meth) acrylic acid ester polymer, the (meth) acrylic-acid alkylester monomer which has a C1-C18 alkyl group is used as a main monomer, this, a functional group containing monomer, and the other monomer for modification which can be copolymerized with these as needed. The (meth) acrylic acid ester polymer obtained by copolymerization by a conventional method is preferable. In this case, 2 or more are more preferable and, as for carbon number of the alkyl group of the (meth) acrylic-acid alkylester monomer, 6 or more are especially preferable.

상기 (메트)아크릴산에스테르 중합체의 중량 평균 분자량은 20만 내지 200만의 범위가 바람직하다. 20만 미만이면, 도공 성형시에 외관 결점을 다량으로 발생시킬 경우가 있고, 200만을 초과하면, 제조시에 너무 점성이 늘어나 중합체 용액을 취출할 수 없게 되는 경우가 있다.The weight average molecular weight of the (meth) acrylic acid ester polymer is preferably in the range of 200,000 to 2 million. If it is less than 200,000, it may generate a large amount of external defects at the time of coating shaping, and when it exceeds 2 million, it may become too viscous at the time of manufacture, and it may become impossible to take out a polymer solution.

상기 개질용 단량체로서는 특별히 한정은 되지 않지만, 카르복실기를 함유하는 단량체가 아닌 것이 바람직하다. 카르복실기를 함유하는 단량체를 사용하면, 비점착 필름 (4)의 극성이 높아지고, 픽업성에 악영향을 미치는 경우가 있다.Although it does not specifically limit as said monomer for modification, It is preferable that it is not a monomer containing a carboxyl group. When the monomer containing a carboxyl group is used, the polarity of the non-adhesive film 4 may become high and may have a bad influence on pick-up property.

상기 개질용 단량체로서 사용할 수 있는 단량체로서는, 예를 들면 이중 결합을 갖는 부타디엔, 스티렌, 이소프렌, 또는 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다.As a monomer which can be used as the said monomer for modification, butadiene, styrene, isoprene, an acrylonitrile, etc. which have a double bond are mentioned, for example.

상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체로서는 특별히 한정되지 않지만, 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 1급 또는 2급의 알킬알코올과, (메트)아크릴산과의 에스테르화 반응에 의해 얻어진 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체가 바람직하다.Although it does not specifically limit as said (meth) acrylic-acid alkylester monomer, The (meth) acrylic-acid alkylester obtained by esterification of the primary or secondary alkyl alcohol which has a C1-C18 alkyl group, and (meth) acrylic acid Monomers are preferred.

상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체로서는, 구체적으로는 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸, 또는 (메트)아크릴산라우릴 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 알킬기의 탄소수가 4 이상의 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체가 특히 바람직하다. (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.As said (meth) acrylic-acid alkylester monomer, Specifically, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid t-butyl, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, etc. are mentioned. Especially, the (meth) acrylic-acid alkylester monomer of 4 or more carbon atoms of an alkyl group is especially preferable. (Meth) acrylic-acid alkylester monomer may be used independently and 2 or more types may be used together.

비점착 필름 (4)의 주성분으로서의 상기 (메트)아크릴산에스테르 중합체의 산가는 2 이하인 것이 바람직하다. 산가가 2 이하이면, 표면 에너지를 작게 할 수가 있고, 박리성을 보다 한층 높일 수 있다.It is preferable that the acid value of the said (meth) acrylic acid ester polymer as a main component of the non-adhesive film 4 is 2 or less. If an acid value is two or less, surface energy can be made small and peelability can be improved further.

상기 산가를 2 이하로 조정하는 방법으로서는 특별히 한정은 되지 않지만, 상기 개질용 단량체로서, 카르복실기를 함유하는 단량체를 사용하지 않는 방법, 또는 중합 반응 과정에서 에스테르의 가수분해가 생기지 않도록 반응을 조정하는 방법이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a method of adjusting the said acid value to 2 or less, The method of not using a monomer containing a carboxyl group as said modification monomer, or the method of adjusting reaction so that hydrolysis of ester does not arise in a polymerization reaction process. This is preferred.

또한, 본 명세서에 있어서 산가란, (메트)아크릴산에스테르 중합체 1 g 중에 포함되는 유리산을 중화하는 데 요하는 수산화칼륨의 밀리그램 수이다.In addition, in this specification, an acid value is the number of milligrams of potassium hydroxide required to neutralize the free acid contained in 1 g of (meth) acrylic acid ester polymers.

비점착 필름 (4)는 상기 주성분으로서의 (메트)아크릴 수지 가교체 이외에, 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합성기를 갖고, 중량 평균 분자량이 500 내지 50000의 범위에 있고, 유리 전이점 Tg가 25 ℃ 이하인 올리고머를 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 이 올리고머를 이용한 경우에는 비점착 필름 (4)에 대한 다이본딩 필름 (3)의 박리성이 보다 한층 높아진다. 또한, 비점착 필름 (4)의 파단 신도를 5 내지 100％의 범위로 용이하게 설계할 수 있다. 상기 올리고머의 중량 평균 분자량이 500 미만이면, 올리고머의 배합에 의한 효과가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있고, 50000을 초과하면, 비점착 필름 (4)에 대한 다이본딩 필름 (3)의 박리성이 저하되는 경우가 있다.In addition to the (meth) acrylic resin crosslinked product as the main component, the non-adhesive film 4 has a double bond group capable of reacting with an acrylic group, has a weight average molecular weight in the range of 500 to 50000, and an oligomer having a glass transition point Tg of 25 ° C. or less. It is preferable to further include. When this oligomer is used, the peelability of the die-bonding film 3 with respect to the non-adhesive film 4 becomes still higher. In addition, the breaking elongation of the non-adhesive film 4 can be easily designed in 5 to 100% of range. When the weight average molecular weight of the said oligomer is less than 500, the effect by the compounding of an oligomer may not fully be acquired, and when it exceeds 50000, the peelability of the die bonding film 3 with respect to the non-adhesive film 4 will fall. It may become.

상기 올리고머는 특별히 한정되지 않지만, 유연성을 갖는 골격, 예를 들면 폴리에테르 골격, 폴리에스테르 골격, 부타디엔 골격, 폴리우레탄 골격, 실리케이트 골격 또는 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 것이 바람직하다. 유연성을 갖는 골격이란, 상기 올리고머의 Tg가 25 ℃ 이하가 되는 골격을 말하는 것으로 한다.Although the said oligomer is not specifically limited, It is preferable to have a flexible skeleton, for example, a polyether skeleton, a polyester skeleton, a butadiene skeleton, a polyurethane skeleton, a silicate skeleton, or a dicyclopentadiene skeleton. The skeleton having flexibility refers to a skeleton in which the Tg of the oligomer is 25 ° C. or less.

또한, 상기 올리고머로서는 폴리에테르 골격 또는 폴리에스테르 골격을 갖는 아크릴올리고머가 보다 바람직하다. 상기 폴리에테르 골격 또는 폴리에스테르 골격을 갖는 아크릴올리고머로서는 폴리프로필렌옥사이드디아크릴레이트 또는 폴리에테르계우레탄아크릴올리고머를 들 수 있다. 그의 시판품으로서는 M-225(도아 고세이사 제조), UN-7600(네가미 고교사 제조) 등을 들 수 있다.Moreover, as said oligomer, the acryl oligomer which has a polyether skeleton or a polyester skeleton is more preferable. Examples of the acryl oligomer having the polyether skeleton or the polyester skeleton include polypropylene oxide diacrylate or polyether urethane acryl oligomer. As its commercial item, M-225 (made by Toagosei Co., Ltd.), UN-7600 (made by Negami Kogyo Co., Ltd.), etc. are mentioned.

상기 올리고머의 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합성기로서는 특별히 한정은 되지 않고, 아크릴기, 메타크릴기, 비닐기 또는 알릴기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 아크릴기가 바람직하다. 상기 올리고머는 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합성기를 2 이상 갖는 것이 바람직하다.It does not specifically limit as a double bond group which can react with the acryl group of the said oligomer, An acryl group, a methacryl group, a vinyl group, an allyl group, etc. are mentioned. Especially, an acryl group is preferable. It is preferable that the said oligomer has 2 or more double bond groups which can react with an acryl group.

또한, 상기 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합성기는 분자의 양쪽 말단에 2개 존재할 수도 있고, 분자쇄의 도중에 존재하고 있을 수도 있다. 그 중에서도, 분자의 양쪽 말단에만 상기 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합성기가 2개 존재하는 것이 바람직하고, 분자의 양쪽 말단에만 아크릴기가 2개 존재하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 분자의 양쪽 말단 및 분자쇄 중에 상기 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합성기가 존재하는 것도 바람직하다.In addition, two double-bonding groups capable of reacting with the acrylic group may be present at both ends of the molecule, or may be present in the middle of the molecular chain. Especially, it is preferable that two double-bonding groups which can react with the said acryl group exist only in the both ends of a molecule | numerator, and it is more preferable that two acryl groups exist in both the ends of a molecule | numerator. In addition, it is also preferable that a double bond group capable of reacting with the acrylic group exists in both ends of the molecule and in the molecular chain.

상기 폴리에테르 골격으로서는, 예를 들면 폴리프로필렌옥사이드 골격 또는 폴리에틸렌옥사이드 골격 등을 들 수 있다.As said polyether skeleton, a polypropylene oxide skeleton, a polyethylene oxide skeleton, etc. are mentioned, for example.

상기 폴리에테르 골격을 갖고, 또한 분자의 양쪽 말단에만 아크릴기를 갖는 아크릴올리고머로서는 폴리프로필렌옥사이드디아크릴레이트 또는 폴리에스테르계 우레탄아크릴올리고머를 들 수 있다. 그의 시판품으로서는 UA340P, UA4200(이상, 모두 나카무라 가가꾸 고교사 제조); 아로닉스 M-1600, 아로닉스 M-220(이상, 모두 도아 고세이사 제조) 등을 들 수 있다.As an acryl oligomer which has the said polyether frame | skeleton, and has an acryl group only in the both terminal of a molecule | numerator, a polypropylene oxide diacrylate or polyester type urethane acryl oligomer is mentioned. As commercially available products thereof, UA340P and UA4200 (above, all manufactured by Nakamura Chemical Industries, Ltd.); Aronix M-1600, Aronix M-220 (above, all are manufactured by Toagosei Co., Ltd.), etc. are mentioned.

또한, 상기 아크릴올리고머로서, 3 내지 10관능의 우레탄아크릴올리고머가 바람직하게 이용된다. 우레탄아크릴올리고머가 3 내지 10관능이면, 골격이 적절한 유연성을 갖는 것이 된다. 우레탄아크릴올리고머가 3관능 미만이면, 유연성이 너무 낮아 다이본딩 필름 (3)의 절단시에 수염상의 절삭 부스러기가 생기기 쉽고, 10관능을 초과하면, 유연성이 너무 높아 다이본딩 필름 (3)의 절단시에, 다이본딩 필름 (3)이 오염되는 경우가 있다.Moreover, as said acryl oligomer, the urethane acryl oligomer of 3-10 functional is used preferably. If a urethane acryl oligomer is 3-10 functional, a skeleton will have moderate flexibility. When the urethane acryl oligomer is less than trifunctional, the flexibility is too low to easily generate beard-like cutting chips at the time of cutting the die-bonding film 3, and when it exceeds 10 functionalities, the flexibility is too high at the time of cutting the die-bonding film 3 In some cases, the die bonding film 3 may be contaminated.

상기 3 내지 10관능의 우레탄아크릴올리고머로서는 폴리프로필렌옥사이드 주쇄의 우레탄아크릴올리고머 등을 들 수 있다. 상기 3 내지 10관능의 우레탄아크릴올리고머의 시판품으로서는 U-2PPA, U-4HA, U-6HA, U-15HA, UA-32P, U-324A U-108A, U-200AX, UA-4400, UA-2235PE, UA-160TM, UA-6100(이상, 모두 신나카무라 가가꾸 고교사 제조); UN-7600, UN-7700, UN-333, UN-1255(이상, 모두 네가미 고교사 제조) 등을 들 수 있다.As said 3-10 functional urethane acryl oligomer, the urethane acryl oligomer of a polypropylene oxide main chain, etc. are mentioned. As a commercial item of the said 3-10 functional urethane acryl oligomer, U-2PPA, U-4HA, U-6HA, U-15HA, UA-32P, U-324A U-108A, U-200AX, UA-4400, UA-2235PE , UA-160TM, UA-6100 (above, all manufactured by Shinnakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.); And UN-7600, UN-7700, UN-333, and UN-1255 (above, all manufactured by Nagami Kogyo Co., Ltd.).

상기 올리고머의 배합 비율은 특별히 한정되지 않지만, 올리고머를 배합한 효과를 얻기 위해서는 (메트)아크릴산에스테르 중합체 100 중량부에 대하여, 1 중량부 이상이 바람직하다. 바람직한 상한은 50 중량부이다. 상기 올리고머가 너무 많으면, 원료가 용해되지 않고, 비점착 필름 (4)의 제조가 불가능해질 경우가 있다.Although the compounding ratio of the said oligomer is not specifically limited, In order to acquire the effect which mix | blended the oligomer, 1 weight part or more is preferable with respect to 100 weight part of (meth) acrylic acid ester polymers. The upper limit is preferably 50 parts by weight. When there are too many said oligomers, a raw material may not melt | dissolve and manufacture of the non-adhesive film 4 may become impossible.

양쪽 말단에 아크릴기를 갖는 올리고머를 이용하는 경우에는 상기 올리고머의 배합 비율은 (메트)아크릴산에스테르 중합체 100 중량부에 대하여, 1 내지 100 중량부가 바람직하고, 1 내지 50 중량부가 보다 바람직하다. 다관능의 우레탄아크릴올리고머의 경우에는 상기 올리고머의 배합 비율은 (메트)아크릴산에스테르 중합체 100 중량부에 대하여, 1 내지 50 중량부가 바람직하고, 1 내지 30 중량부가 보다 바람직하다.When using the oligomer which has an acryl group in both terminal, 1-100 weight part is preferable with respect to 100 weight part of (meth) acrylic acid ester polymers, and, as for the compounding ratio of the said oligomer, 1-50 weight part is more preferable. In the case of a polyfunctional urethane acryl oligomer, 1-50 weight part is preferable with respect to 100 weight part of (meth) acrylic acid ester polymers, and, as for the compounding ratio of the said oligomer, 1-30 weight part is more preferable.

비점착 필름 (4)를 형성하는 데 광 경화성 수지 또는 열 경화성 수지를 이용하는 경우에는 광 반응 개시제나 열 반응 개시제를 이용하여, 광의 조사나 가열에 의해 수지를 미리 경화시킬 필요가 있다. 광 반응 개시제로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 광 라디칼 발생제나 광 양이온 발생제 등을 사용할 수 있다. 또한, 열 반응 개시제로서는 열 라디칼 발생제 등을 들 수 있다.When using photocurable resin or a thermosetting resin for forming the non-adhesive film 4, it is necessary to harden resin previously by irradiation of light or heating using a photoreaction initiator or a thermal reaction initiator. It does not specifically limit as a photoreaction initiator, For example, an optical radical generator, a photocationic generator, etc. can be used. Moreover, a thermal radical generating agent etc. are mentioned as a thermal reaction initiator.

상기 광 라디칼 발생제로서는 특별히 한정되지 않지만, 시판되어 있는 것으로서는, 예를 들면 이르가큐어 184, 이르가큐어 2959, 이르가큐어 907, 이르가큐어 819, 이르가큐어 651, 이르가큐어 369, 이르가큐어 379(이상, 모두 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조); 벤조인메틸에테르; 벤조인에틸에테르; 벤조인이소프로필에테르; 루시린 TPO(바스프 재팬(BASF Japan)사 제조) 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as said optical radical generating agent, As what is marketed, for example, Irgacure 184, Irgacure 2959, Irgacure 907, Irgacure 819, Irgacure 651, Irgacure 369, Irgacure 379 (above, all manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.); Benzoin methyl ether; Benzoin ethyl ether; Benzoin isopropyl ether; Lucirin TPO (made by BASF Japan) etc. are mentioned.

상기 광 양이온 발생제로서, 방향족 디아조늄염, 방향족 할로늄염, 방향족 술포늄염 등의 오늄염류; 철-아렌 착체, 티타노센 착체, 아릴실라놀-알루미늄 착체 등의 유기 금속 착체류를 사용할 수 있다.As said photocationic generator, Onium salts, such as an aromatic diazonium salt, an aromatic halonium salt, and an aromatic sulfonium salt; Organometallic complexes, such as an iron- arene complex, a titanocene complex, and an aryl silanol- aluminum complex, can be used.

상기 열 라디칼 발생제로서는 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시이소프로필카르보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-아밀퍼옥시-2-에 틸헥사노에이트 등의 유기 과산화물; 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산카르보니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 등의 아조 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the thermal radical generator include cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene peroxide, di-t-butyl peroxide, lauryl peroxide, benzoyl peroxide, t-butyl peroxy isopropyl carbonate, and t-butyl peroxide. Organic peroxides such as oxy-2-ethylhexanoate and t-amylperoxy-2-ethylhexanoate; 2,2'-azobis (isobutyronitrile), 1,1'-azobis (cyclohexanecarbonitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), dimethyl2,2 Azo compounds, such as "-azobis (2-methylpropionate), etc. are mentioned.

비점착 필름 (4)는 충전재를 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 충전재를 포함함으로써, 절삭성이 보다 한층 높아진다. 따라서, 다이본딩 필름 (3)이나 반도체칩에의 절결 부스러기의 부착을 억제할 수 있다.It is preferable that the non-adhesive film 4 further contains a filler. By including a filler, cutting property is further improved. Therefore, adhesion of the notch debris to the die-bonding film 3 and a semiconductor chip can be suppressed.

상기 충전재의 평균 입경은, 바람직하게는 0.1 내지 10 μm, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5 μm이다. 평균 입경이 너무 크면, 비점착 필름 (4)의 면내 두께가 변동되는 경우가 있고, 너무 작으면, 절삭성이 충분히 높아지지 않을 경우가 있이다.The average particle diameter of the said filler is preferably 0.1-10 micrometers, More preferably, it is 0.1-5 micrometers. When the average particle diameter is too large, the in-plane thickness of the non-adhesive film 4 may fluctuate, and when it is too small, cutting property may not become high enough.

상기 충전재로서는 특별히 한정되지 않지만, 실리카 또는 알루미나 등이 이용된다. 충전재의 배합 비율은 충전재를 제외한 비점착 필름 (4)를 구성하는 재료의 합계 100 중량부에 대하여, 0.1 내지 150 중량부가 바람직하다. 충전재의 배합 비율이 너무 많으면, 비점착 필름 (4)가 엑기스 펀드시에 파단되어 버릴 경우가 있고, 너무 적으면, 절삭성이 충분히 높아지지 않을 경우가 있다.Although it does not specifically limit as said filler, Silica, alumina, etc. are used. As for the compounding ratio of a filler, 0.1-150 weight part is preferable with respect to a total of 100 weight part of the material which comprises the non-adhesive film 4 except a filler. When there are too many compounding ratios of a filler, the non-adhesive film 4 may be broken at the time of an extract fund, and when too small, cutting property may not become high enough.

또한, 비점착 필름 (4)는 자외선 흡수제를 추가로 함유할 수도 있다. 자외선 흡수제가 함유되어 있으면, 다이본딩 필름 (3)을 용이하게 레이저 다이싱할 수 있다.In addition, the non-adhesive film 4 may further contain a ultraviolet absorber. If the ultraviolet absorber is contained, the die bonding film 3 can be easily laser diced.

비점착 필름 (4)의 제조 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 비점착 필름 (4)를 구성하는 재료를 이형 필름 상에 도포하고, 광의 조사 및/또는 가열을 행하 여, 이형 필름 상에 비점착 필름 (4)를 형성한 후, 이형 필름을 박리하는 방법을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a manufacturing method of the non-adhesive film 4, The material which comprises the non-adhesive film 4 is apply | coated on a release film, irradiation of light and / or heating, and a non-adhesion film on a release film After forming (4), the method of peeling a release film is mentioned.

비점착 필름 (4)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 30 내지 100 μm가 바람직하다. 두께가 30 μm 미만이면, 충분한 엑기스 펀드성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 두께가 100 μm를 초과하면, 균일한 두께로 하는 것이 곤란한 경우가 있다. 두께에 변동이 있으면, 반도체칩을 제조할 때에 다이싱을 적절히 행할 수 없는 경우가 있다.Although the thickness of the non-adhesive film 4 is not specifically limited, 30-100 micrometers is preferable. If the thickness is less than 30 µm, sufficient extract fundability may not be obtained. If the thickness exceeds 100 µm, it may be difficult to obtain a uniform thickness. If there is a variation in the thickness, dicing may not be performed properly when the semiconductor chip is manufactured.

비점착 필름 (4)의 다이본딩 필름 (3)이 첩부되어 있는 표면 (4a)의 표면 에너지는 40 N/m 이하인 것이 바람직하다. 비점착 필름 (4)가 비점착성을 갖고, 또한 표면 (4a)의 표면 에너지가 40 N/m 이하이면, 다이본딩 필름 (3)을 비점착 필름 (4)로부터 보다 한층 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 박리할 때에, 다이본딩 필름의 일부가 결여되어 필름편으로서 분리되어 상기 필름편이 비점착 필름 (4)에 부착되기 어렵다. 따라서, 다이본딩 필름 (3)의 결함이 생기기 어렵기 때문에, 다이본딩을 보다 한층 확실하게 행할 수 있다.It is preferable that the surface energy of the surface 4a to which the die-bonding film 3 of the non-adhesive film 4 is stuck is 40 N / m or less. If the non-adhesive film 4 has non-adhesiveness and the surface energy of the surface 4a is 40 N / m or less, the die-bonding film 3 can be more easily peeled from the non-adhesive film 4. . Moreover, when peeling, a part of die-bonding film is lacking and it isolate | separates as a film piece, and the said film piece is hard to adhere to the non-adhesive film 4. Therefore, since the defect of the die-bonding film 3 hardly occurs, die-bonding can be performed more reliably.

비점착 필름 (4)의 표면 (4a)의 표면 에너지는 30 내지 35 N/m의 범위가 보다 바람직하다. 표면 에너지가 너무 높으면, 픽업시에 박리 불량이 생기는 경우가 있고, 너무 낮으면, 다이싱시의 수압에 의해서 칩 튀어오름이 발생하는 경우가 있다.As for the surface energy of the surface 4a of the non-adhesive film 4, the range of 30-35 N / m is more preferable. When surface energy is too high, peeling defect may arise at the time of pick-up, and when too low, chip | tip jumping may generate | occur | produce by the water pressure at the time of dicing.

상기 표면 에너지는, 예를 들면 습윤성 시약을 이용하고, JIS K6798에 준거하여 측정할 수 있다.The said surface energy can be measured based on JISK6798, for example using a wettability reagent.

비점착 필름 (4)는 23 ℃에 있어서의 저장 탄성률이 1 내지 1000 MPa의 범위에 있는 것이 바람직하다. 저장 탄성률이 1 MPa 미만이면, 엑기스 펀드성이 저하되는 경우가 있고, 1000 MPa를 초과하면, 픽업성이 저하되는 경우가 있다. 보다 바람직하게는 10 내지 1000 MPa이다.It is preferable that the non-adhesive film 4 exists in the range of 1-1000 Mpa storage elastic modulus in 23 degreeC. If the storage modulus is less than 1 MPa, the extract fund property may be lowered. If it exceeds 1000 MPa, the pick-up property may be lowered. More preferably, it is 10-1000 MPa.

비점착 필름 (4)의 파단점에서의 신도, 즉 파단 신도의 바람직한 하한은 5％, 보다 바람직한 하한은 10％이다. 파단 신도가 5％ 이상이면, 엑기스 펀드성이 높아지고, 반도체칩의 픽업성이 보다 한층 높아진다. 비점착 필름 (4)의 파단 신도의 바람직한 상한은 100％이다. 파단 신도가 100％를 초과하면, 다이싱시에 수염상의 절삭 부스러기의 발생을 충분히 억제할 수 없는 경우가 있다. 비 점착 필름 (4)의 파단 신도의 보다 바람직한 상한은 60％이다.The lower limit of elongation at the breaking point of the non-adhesive film 4, that is, the breaking elongation, is preferably 5%, and more preferably 10%. When the elongation at break is 5% or more, the extract fund property is increased, and the pickup property of the semiconductor chip is further improved. The upper limit with preferable elongation at break of the non-adhesive film 4 is 100%. When breaking elongation exceeds 100%, generation | occurrence | production of the beard-like cutting waste at the time of dicing may not be fully suppressed. The upper limit with more preferable elongation at break of the non-adhesive film 4 is 60%.

상기 (메트)아크릴산에스테르 중합체로서는 유리 전이 온도가 비교적 낮고, 또한 유연성이 우수하므로, 아크릴산부틸과 아크릴산에틸 중의 적어도 한쪽을 포함하는 성분을 가교시켜 얻어진 (메트)아크릴산에스테르 중합체가 바람직하다. 이 경우, 비점착 필름 (4)의 다이본딩 필름 (3)에 대한 밀착성과, 절삭성이 높아진다.As said (meth) acrylic acid ester polymer, since a glass transition temperature is comparatively low and excellent in flexibility, the (meth) acrylic acid ester polymer obtained by crosslinking the component containing at least one of butyl acrylate and ethyl acrylate is preferable. In this case, the adhesiveness with respect to the die-bonding film 3 of the non-adhesive film 4, and cutting property become high.

(다이본딩 필름)(Die bonding film)

상기 다이본딩 필름 (3)은 다이싱할 때, 반도체 웨이퍼째 절단된다. 다이본딩 필름 (3)은 다이싱 후에 반도체칩째 취출되어, 반도체칩의 다이본딩에 이용된다.When the die-bonding film 3 is diced, the die-bonding film 3 is cut into the semiconductor wafer. The die bonding film 3 is taken out of the semiconductor chip after dicing and used for die bonding of the semiconductor chip.

상기 다이본딩 필름 (3)은, 예를 들면 적절한 경화성 수지를 포함하는 경화성 수지 조성물 등을 이용하여 형성된다. 경화 전의 상기 경화성 조성물은 충분히 부드럽고, 따라서 외력에 의해 용이하게 변형된다. 무엇보다도, 반도체칩을 얻은 후에, 다이본딩 필름 (3)에 열이나 광의 에너지를 제공하여 경화시킴으로써, 기판 등의 피착체에 반도체칩을 견고하게 접합시킬 수 있다. 경화성 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 열 가소성 수지, 열 경화성 수지, 또는 광 경화성 수지 등을 들 수 있다.The die bonding film 3 is formed using, for example, a curable resin composition containing an appropriate curable resin. The curable composition before curing is sufficiently soft and therefore easily deformed by external force. First of all, after obtaining a semiconductor chip, the die-bonding film 3 can be hardened by supplying energy of heat or light to thereby firmly bond the semiconductor chip to an adherend such as a substrate. Although it does not specifically limit as curable resin, A thermoplastic resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, etc. are mentioned.

상기 열 가소성 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 폴리(메트)아크릴산에스테르 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리비닐알코올 수지 또는 폴리아세트산비닐 수지 등을 들 수 있다. 이들 열 가소성 수지는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.Although it does not specifically limit as said thermoplastic resin, For example, poly (meth) acrylic acid ester resin, polyester resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl acetate resin, etc. are mentioned. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 열 경화성 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 에폭시 수지, 또는 폴리우레탄 수지 등을 들 수 있다. 이들 열 경화성 수지는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.Although it does not specifically limit as said thermosetting resin, For example, an epoxy resin, a polyurethane resin, etc. are mentioned. These thermosetting resins may be used independently and 2 or more types may be used together.

상기 광 경화성 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 감광성 오늄염 등의 광 양이온 촉매를 함유하는 에폭시 수지나 감광성 비닐기를 갖는 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 이들 광 경화성 수지는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.Although it does not specifically limit as said photocurable resin, For example, the epoxy resin containing photocationic catalysts, such as a photosensitive onium salt, the acrylic resin which has a photosensitive vinyl group, etc. are mentioned. These photocurable resins may be used independently and 2 or more types may be used together.

상기 경화성 수지로서는 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지, 메타크릴산메틸 또는 아크릴산부틸 등을 주된 단량체 단위로 하는 폴리(메트)아크릴산에스테르 수지 등의 핫 멜트형 접착 수지가 특히 바람직하게 이용된다.As said curable resin, hot-melt-type adhesive resin, such as a poly (meth) acrylic acid ester resin which makes an epoxy resin, a polyester resin, methyl methacrylate, butyl acrylate, etc. a main monomeric unit, is especially used preferably.

다이본딩 필름 (3)은 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 것이 보다 바람직 하다. 또한, 다이본딩 필름 (3)은 에폭시 수지와, 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 고분자 중합체와, 열 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 다이본딩 필름 (3)을 이용하여 접합된 반도체칩과 기판과의 사이, 또는 복수의 반도체칩 사이에서의 접합 신뢰성이 보다 한층 높아진다. 또한, 에폭시 수지란, 일반적으로는 1분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 분자량 300 내지 8000 정도의 비교적 저분자의 중합체(예비 중합체), 및 그의 에폭시기의 개환 반응에 의해서 생긴 열 경화성 수지를 나타낸다.As for the die-bonding film 3, it is more preferable that it consists of a thermosetting resin composition. Moreover, it is preferable that the die-bonding film 3 contains an epoxy resin, the high molecular polymer which has a functional group which reacts with an epoxy group, and a thermosetting agent. In this case, the bonding reliability between the semiconductor chip and the board | substrate joined using the die-bonding film 3, or between some semiconductor chips becomes higher. In addition, an epoxy resin generally shows the comparatively low molecular weight polymer (preliminary polymer) of about 300-8000 molecular weight which has 2 or more epoxy groups in 1 molecule, and the thermosetting resin produced by the ring-opening reaction of the epoxy group.

다이본딩 필름 (3)은 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 고분자 중합체를 10 내지 100 중량부의 비율로 포함하는 것이 바람직하다. 상기 고분자 중합체의 배합 비율은, 더욱 바람직하게는 15 내지 50 중량부이다. 상기 고분자 중합체가 너무 많으면, 유동성이 부족하여, 다이본딩 필름 (3)과 웨이퍼와의 밀착 불량을 일으키거나, 다이싱시에 수염상의 절삭 부스러기의 발생을 증장하는 경우가 있다. 고분자 중합체가 너무 적으면, 다이본딩 필름 (3)의 성형시에 외관 불량을 야기하는 경우가 있다.It is preferable that the die-bonding film 3 contains the high molecular polymer which has a functional group which reacts with an epoxy group in the ratio of 10-100 weight part with respect to 100 weight part of epoxy resins. The blending ratio of the high polymer is more preferably 15 to 50 parts by weight. If the polymer polymer is too large, fluidity may be insufficient, resulting in poor adhesion between the die-bonding film 3 and the wafer, or an increase in the generation of beard chips during dicing. When there are too few high polymers, an appearance defect may be caused at the time of shaping | molding of the die-bonding film 3.

상기 에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지가 바람직하다. 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지를 이용한 경우, 강직이 되어, 분자의 운동이 저해되기 때문에, 경화물의 기계적 강도나 내열성이 높아짐과 동시에, 내습성도 높아진다.Although it does not specifically limit as said epoxy resin, The epoxy resin which has a polycyclic hydrocarbon backbone in a principal chain is preferable. When the epoxy resin which has a polycyclic hydrocarbon backbone in a main chain is used, since it becomes rigid and the movement of a molecule | numerator is inhibited, mechanical strength and heat resistance of hardened | cured material become high, and moisture resistance also becomes high.

상기 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 디시클로펜타디엔디옥사이드, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 페놀노볼락 에폭시 수지 등의 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 수지(이하, 「디시클로펜타디엔형 에폭시 수지」라고 적음), 1-글리시딜나프탈렌, 2-글리시딜나프탈렌, 1,2-디글리시딜나프탈렌, 1,5-디글리시딜나프탈렌, 1,6-디글리시딜나프탈렌, 1,7-디글리시딜나프탈렌, 2,7-디글리시딜나프탈렌, 트리글리시딜나프탈렌, 1,2,5,6-테트라글리시딜나프탈렌 등의 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지(이하, 「나프탈렌형 에폭시 수지」라고 적음), 테트라히드록시페닐에탄형 에폭시 수지, 테트라키스(글리시딜옥시페닐)에탄, 또는 3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실메틸-3,4-에폭시-6-메틸시클로헥산카르보네이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지나 나프탈렌형 에폭시 수지가 바람직하게 이용된다.Although it does not specifically limit as an epoxy resin which has the said polycyclic hydrocarbon skeleton in a principal chain, For example, epoxy resin which has dicyclopentadiene frame | skeleton, such as a dicyclopentadiene dioxide and the phenol novolak epoxy resin which has a dicyclopentadiene skeleton ( Hereinafter, it writes as "dicyclopentadiene type epoxy resin"), 1-glycidyl naphthalene, 2-glycidyl naphthalene, 1,2- diglycidyl naphthalene, 1,5- diglycidyl naphthalene, 1 Naphthalenes, such as 6- diglycidyl naphthalene, 1,7- diglycidyl naphthalene, 2,7- diglycidyl naphthalene, triglycidyl naphthalene, and 1,2,5,6- tetraglycidyl naphthalene Epoxy resin having a skeleton (hereinafter referred to as "naphthalene type epoxy resin"), tetrahydroxyphenylethane type epoxy resin, tetrakis (glycidyloxyphenyl) ethane, or 3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl Methyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexanecarbo Nate etc. are mentioned. Especially, a dicyclopentadiene type epoxy resin and a naphthalene type epoxy resin are used preferably.

이들 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다. 또한, 상기 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지는 각각 단독으로 이용될 수도 있고, 양자가 병용될 수도 있다.The epoxy resin which has these polycyclic hydrocarbon backbone in a principal chain may be used independently, and 2 or more types may be used together. In addition, the said dicyclopentadiene type epoxy resin and the naphthalene type epoxy resin may be used independently, respectively, and both may be used together.

상기 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지의 중량 평균 분자량의 바람직한 하한은 500이고, 바람직한 상한은 1000이다. 중량 평균 분자량이 500 미만이면, 경화 후의 경화물의 기계적 강도, 내열성 및/또는 내습성 등이 충분히 향상되지 않는 경우가 있고, 중량 평균 분자량이 1000을 초과하면, 경화물이 너무 강직해져, 부서지는 경우가 있다.The minimum with preferable weight average molecular weight of the epoxy resin which has the said polycyclic hydrocarbon skeleton in a principal chain is 500, and a preferable upper limit is 1000. When the weight average molecular weight is less than 500, the mechanical strength, heat resistance, and / or moisture resistance of the cured product after curing may not be sufficiently improved, and when the weight average molecular weight exceeds 1000, the cured product is too rigid and broken. There is.

상기 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 고분자 중합체로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 아미노기, 우레탄기, 이미드기, 수산기, 카르복실기, 또는 에폭시기 등을 갖는 중합체를 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시기를 갖는 고분자 중합체가 바람직하다. 에폭시기를 갖는 고분자 중합체를 이용한 경우, 경화물의 가요성이 높아진다.Although it does not specifically limit as a high molecular polymer which has a functional group which reacts with the said epoxy group, For example, the polymer which has an amino group, a urethane group, an imide group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group, etc. is mentioned. Especially, the high molecular polymer which has an epoxy group is preferable. When the high polymer which has an epoxy group is used, the flexibility of hardened | cured material becomes high.

또한, 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지와, 에폭시기를 갖는 고분자 중합체를 이용한 경우, 경화물로서는 상기 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지에 의해 기계적 강도, 내열성, 및 내습성이 높아짐과 동시에, 상기 에폭시기를 갖는 고분자 중합체에 의해 가요성도 높아진다.Moreover, when the epoxy resin which has a polycyclic hydrocarbon backbone in a main chain, and the high molecular polymer which has an epoxy group is used, as hardened | cured material, the mechanical strength, heat resistance, and moisture resistance become high by the epoxy resin which has the said polycyclic hydrocarbon backbone in a main chain, At the same time, the flexibility is also increased by the polymer polymer having the epoxy group.

상기 에폭시기를 갖는 고분자 중합체의 분자량은 중량 평균 분자량으로 10만 내지 200만의 범위의 것이 이용된다. 상기 에폭시기를 갖는 고분자 중합체로서는 말단 및/또는 측쇄(팬던트 위치)에 에폭시기를 갖는 고분자 중합체일 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 에폭시기 함유 아크릴 고무, 에폭시기 함유 부타디엔 고무, 비스페놀형 고분자량 에폭시 수지, 에폭시기 함유 페녹시 수지, 에폭시기 함유 아크릴 수지, 에폭시기 함유 우레탄 수지, 또는 에폭시기 함유 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화물의 기계적 강도나 내열성을 높일 수 있는 점에서, 에폭시기 함유 아크릴 수지가 바람직하게 이용된다. 이들 에폭시기를 갖는 고분자 중합체는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The molecular weight of the high molecular polymer which has the said epoxy group uses the thing of the range of 100,000-2 million as a weight average molecular weight. The polymer polymer having the epoxy group may be a polymer polymer having an epoxy group at the terminal and / or side chain (pendant position), and is not particularly limited. Examples thereof include an epoxy group-containing acrylic rubber, an epoxy group-containing butadiene rubber, and a bisphenol-type high molecular weight epoxy resin. And epoxy group-containing phenoxy resins, epoxy group-containing acrylic resins, epoxy group-containing urethane resins, and epoxy group-containing polyester resins. Especially, an epoxy group containing acrylic resin is used preferably at the point which can improve the mechanical strength and heat resistance of hardened | cured material. The high molecular polymers having these epoxy groups may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 열 경화제로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 트리알킬테트라히드로무수프탈산 등의 가열 경화형 산 무수물계 경화제, 페놀계 경화제, 아민계 경화제, 디시안디아미드 등의 잠재성 경화제, 또는 양이온계 촉매형 경화제 등을 들 수 있다. 이들 열 경화제는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.Although it does not specifically limit as said thermosetting agent, For example, latent hardening agents, such as heat-hardening-type acid anhydride type hardening agents, such as a trialkyl tetrahydro phthalic anhydride, a phenol type hardening | curing agent, an amine type hardening | curing agent, and dicyandiamide, or a cationic catalyst type And a curing agent. These thermal curing agents may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

상기 열 경화제 중에서도, 상온에서 액상의 가열 경화형 경화제나, 다관능이고, 당량적으로 첨가량이 소량일 수 있는 디시안디아미드 등의 잠재성 경화제가 바람직하게 이용된다. 이러한 경화제를 이용함으로써, 경화 전의 다이본딩 필름의 상온에서의 유연성이 높아지고, 또한 취급성이 높아진다.Among the above-mentioned thermosetting agents, a liquid heat curing type curing agent or a latent curing agent such as dicyandiamide, which is polyfunctional and can be added in a small amount equivalently at room temperature, is preferably used. By using such a hardening | curing agent, flexibility at normal temperature of the die-bonding film before hardening becomes high, and handleability becomes high.

상기 상온에서 액상의 가열 경화형 경화제의 대표적인 것으로서는, 예를 들면 메틸테트라히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 메틸나스산 무수물, 또는 트리알킬테트라히드로무수프탈산 등의 산 무수물계 경화제를 들 수 있다. 그 중에서도, 소수화되어 있는 점에서, 메틸나스산 무수물이나 트리알킬테트라히드로무수프탈산이 바람직하게 이용된다. 이들 산 무수물계 경화제는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.As typical examples of the liquid heat curable curing agent at room temperature, for example, acid anhydride curing agents such as methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnasic anhydride, or trialkyltetrahydrophthalic anhydride can be mentioned. . Especially, since it is hydrophobized, methylnamic acid anhydride and a trialkyl tetrahydro phthalic anhydride are used preferably. These acid anhydride type hardeners may be used independently and 2 or more types may be used together.

상기 열 경화성 수지 조성물에 있어서는 경화 속도나 경화물의 물성 등을 조정하기 위해서, 상기 열 경화제와 동시에, 경화 촉진제를 병용할 수도 있다.In the said thermosetting resin composition, in order to adjust the hardening rate, the physical property of hardened | cured material, etc., you may use a hardening accelerator together with the said thermosetting agent simultaneously.

상기 경화 촉진제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 이미다졸계 경화 촉진제, 3급 아민계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화 속도나 경화물의 물성 등의 조정을 하기 위한 반응계의 제어를 하기 쉬운 점에서, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하다. 이들 경화 촉진제는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.Although it does not specifically limit as said hardening accelerator, For example, an imidazole series hardening accelerator, a tertiary amine hardening accelerator, etc. are mentioned. Especially, an imidazole series hardening accelerator is preferable at the point which is easy to control the reaction system for adjusting hardening rate, the physical property of hardened | cured material, etc. These hardening accelerators may be used independently and 2 or more types may be used together.

상기 이미다졸계 경화 촉진제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 이 미다졸의 1위치를 시아노에틸기로 보호한 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸이나, 이소시아누르산으로 염기성을 보호한 상품명 「2MAOK-PW」(시코쿠 가세이 고교사 제조) 등을 들 수 있다. 이들 이미다졸계 경화 촉진제는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.Although it does not specifically limit as said imidazole series hardening accelerator, For example, 1-cyanoethyl- 2-phenylimidazole which protected the 1 position of this mididazole by the cyano ethyl group, or isocyanuric acid protects basicity. One brand name "2MAOK-PW" (made by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), etc. are mentioned. These imidazole series hardening accelerators may be used independently, and 2 or more types may be used together.

산 무수물계 경화제와 예를 들면 이미다졸계 경화 촉진제 등의 경화 촉진제를 병용하는 경우에는 산 무수물계 경화제의 첨가량을 에폭시기의 당량에 대하여 이론적으로 필요한 당량 이하로 하는 것이 바람직하다. 산 무수물계 경화제의 첨가량이 필요 이상으로 과잉이면, 수분에 의해 열 경화성 수지 조성물의 경화물로부터 염소 이온이 용출되기 쉬워질 우려가 있다. 예를 들면, 열수를 이용하여, 경화 후의 경화물로부터 용출 성분을 취출했을 때에, 취출수의 pH가 4 내지 5 정도까지 낮아지고, 에폭시 수지로부터 방출된 염소 이온이 다량으로 용출되어 버리는 경우가 있다.When using together an acid anhydride type hardening | curing accelerator and hardening accelerators, such as an imidazole series hardening accelerator, it is preferable to make the addition amount of an acid anhydride type hardening | curing agent below the theoretically required equivalent with respect to the equivalent of an epoxy group. If the amount of the acid anhydride-based curing agent added is excessively necessary, there is a fear that chlorine ions are easily eluted from the cured product of the thermosetting resin composition by water. For example, when taking out an eluting component from the hardened | cured material after hardening using hot water, pH of extraction water will fall to about 4-5 degree, and the chlorine ion discharged from an epoxy resin may elute a large amount. .

또한, 아민계 경화제와 예를 들면 이미다졸계 경화 촉진제 등의 경화 촉진제를 병용하는 경우에는 아민계 경화제의 첨가량을 에폭시기에 대하여 이론적으로 필요한 당량 이하로 하는 것이 바람직하다. 아민물계 경화제의 첨가량이 필요 이상으로 과잉이면, 열 경화성 수지 조성물의 경화물로부터 수분에 의해 염소 이온이 용출되기 쉬워질 우려가 있다. 예를 들면, 열수를 이용하여, 경화 후의 경화물로부터 용출 성분을 취출했을 때에, 취출수의 pH가 높아 염기성이 되고, 에폭시 수지로부터 방출된 염소 이온이 다량으로 용출되어 버리는 경우가 있다.In addition, when using an amine hardening | curing agent and hardening accelerators, such as imidazole series hardening accelerators together, it is preferable to make the addition amount of an amine hardening | curing agent into the theoretically required equivalent or less with respect to an epoxy group. If the amount of the amine-based curing agent added is excessively necessary, there is a possibility that chlorine ions are easily eluted by the moisture from the cured product of the thermosetting resin composition. For example, when taking out an eluting component from the hardened | cured material after hardening using hot water, pH of the extraction water is high and becomes basic, and the chlorine ion discharged from an epoxy resin may elute a large amount.

상기 열 경화성 수지 조성물을 필름상으로 성형하여, 다이본딩 필름 (3)을 얻는 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 다이코터, 립코터, 코머코터, 또는 그라비아코터 등이 이용된다. 그 중에서도, 다이본딩 필름의 두께 정밀도가 높아지고, 이물이 혼입되었다고 해도 근상의 얼룩 등이 형성되기 어렵기 때문에, 그라비아코터가 바람직하다.Although it does not specifically limit as a method of shape | molding the said thermosetting resin composition and obtaining the die-bonding film 3, A die coater, a lip coater, a commer coater, a gravure coater, etc. are used. Especially, since the precision of the thickness of a die-bonding film becomes high and even a foreign material mixes, it is difficult to form a rough spot etc., A gravure coater is preferable.

다이본딩 필름 (3)의 경화 전의 25 ℃에 있어서의 저장 탄성률은 106 내지 109 Pa의 범위가 바람직하다. 다이본딩 필름 (3)의 저장 탄성률이 너무 낮으면, 자기 형상 유지 성능이 저하되어, 픽업시에 다이본딩 필름의 결함이 생기는 경우가 있고, 너무 크면, 다이본딩 필름 (3)이 비점착 필름 (4)에 충분히 밀착되지 않고, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)을 제조할 수 없는 경우가 있다.The storage elastic modulus at 25 ° C before curing of the die-bonding film 3 is preferably in the range of 10 6 to 10 9 Pa. If the storage elastic modulus of the die-bonding film 3 is too low, the self-shape holding performance may fall, and the defect of the die-bonding film may arise at the time of pick-up, and if too large, the die-bonding film 3 may be a non-adhesive film ( 4) may not be sufficiently adhered and the dicing die-bonding tape 1 may not be manufactured.

(다이싱 필름)(Dicing film)

상기 다이싱 필름 (5)는 다이싱링에 접착하기 위해서 이용되고 있다. 또한, 다이싱 필름 (5)는 다이싱이 행해진 후의 엑기스 펀드성을 높이기 위해서, 또는 다이본딩 필름 (3)이 부착된 반도체칩의 픽업성을 높이기 위해서 이용되고 있다. 상기 다이싱 필름 (5)는 기재 (5a)와, 상기 기재 (5a)의 한쪽면에 점착제가 도포되어 구성된 점착제 (5b)를 갖는다. 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)은 다이싱 필름 (5)를 구비하고 있지만, 다이싱 필름 (5)는 반드시 구비되어 있지 않을 수도 있다.The dicing film 5 is used to adhere to the dicing ring. In addition, the dicing film 5 is used in order to improve the extract fund property after dicing is performed, or to raise the pick-up property of the semiconductor chip with the die bonding film 3 attached. The said dicing film 5 has the base material 5a and the adhesive 5b comprised by apply | coating an adhesive to one side of the said base material 5a. Although the dicing die-bonding tape 1 is equipped with the dicing film 5, the dicing film 5 may not necessarily be provided.

상기 기재 (5a)로서는 특별히 한정되지 않지만, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리비닐아세테이트 필름 등의 폴리올 레핀계 필름, 폴리염화비닐 필름, 또는 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 엑기스 펀드성이 우수하여, 환경 부하가 작기 때문에, 폴리올레핀계 필름이 바람직하게 이용된다.Although it does not specifically limit as said base material 5a, Polyol refin type, such as polyester type films, such as a polyethylene terephthalate film, a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethyl pentene film, and a polyvinylacetate film Plastic films, such as a film, a polyvinyl chloride film, or a polyimide film, etc. are mentioned. Among them, polyolefin-based films are preferably used because they have excellent extract fundability and low environmental load.

상기 점착제 (5b)로서는 특별히 한정되지 않지만, 아크릴계 점착제, 특수 합성 고무계 점착제, 합성 수지계 점착제, 고무계 점착제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 감압 타입으로서의 아크릴계 점착제가 바람직하다. 아크릴계 점착제를 이용한 경우에는 비점착 필름 (4)에 대한 점착력 및 다이싱링으로부터의 박리성을 높일 수 있고, 또한 비용을 감소할 수 있다. 또한, 점착제 (5b)는, 예를 들면 다이싱링을 첩부할 수 있도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as said adhesive 5b, An acrylic adhesive, a special synthetic rubber adhesive, a synthetic resin adhesive, a rubber adhesive etc. are mentioned. Especially, the acrylic adhesive as a pressure reduction type is preferable. When an acrylic adhesive is used, adhesive force with respect to the non-adhesive film 4 and peelability from a dicing ring can be improved, and cost can also be reduced. Moreover, it is preferable that the adhesive 5b is comprised so that a dicing ring can be stuck, for example.

상기 기재 (5a)를 구성하는 재료로서는 폴리올레핀 또는 폴리염화비닐 등이 특히 바람직하고, 점착제 (5b)로서는 아크릴계 점착제 또는 고무계 점착제가 바람직하다. 이들 바람직한 재료를 이용함으로써, 반도체칩을 픽업할 때, 적절한 엑기스 펀드성이 얻어진다.As a material which comprises the said base material 5a, polyolefin, a polyvinyl chloride, etc. are especially preferable, and as an adhesive 5b, an acrylic adhesive or a rubber adhesive is preferable. By using these preferred materials, an appropriate extract fund property is obtained when picking up a semiconductor chip.

(이형 필름)(Release film)

상기 이형 필름 (2)는 반도체 웨이퍼가 첩부된 다이본딩 필름 (3)의 표면 (3a)를 보호하기 위해서 이용되고 있다. 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)은 이형 필름 (2)를 구비하고 있지만, 이형 필름 (2)는 반드시 구비되어 있을 필요는 없다.The release film 2 is used to protect the surface 3a of the die bonding film 3 to which the semiconductor wafer is affixed. Although the dicing die-bonding tape 1 is equipped with the release film 2, the release film 2 does not necessarily need to be provided.

이형 필름 (2)로서는 특별히 한정되지 않지만, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리비닐아세테이트 필름 등의 폴리올레핀 계 필름, 폴리염화비닐 필름, 또는 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등의 한쪽면을 실리콘 등으로 이형 처리한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 평활성, 두께 정밀도 등이 우수하기 때문에, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 합성 수지 필름이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a release film 2, Polyolefin type films, such as polyester type films, such as a polyethylene terephthalate film, a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethyl pentene film, and a polyvinylacetate film And a mold release treatment of one surface of a plastic film such as a polyvinyl chloride film or a polyimide film with silicone or the like. Especially, since it is excellent in smoothness, thickness precision, etc., synthetic resin films, such as a polyethylene terephthalate film, are preferable.

상기 이형 필름은 한층의 상기 필름으로 구성되어 있을 수도 있고, 상기 필름이 적층되어 2층 이상의 적층 필름으로 구성되어 있을 수도 있다. 이형 필름이 복수의 필름이 적층된 적층 필름인 경우, 다른 2종 이상의 상기 필름이 적층되어 있을 수도 있다.The said release film may be comprised by one layer of the said film, and the said film may be laminated | stacked, and may be comprised by the laminated | multilayer film of two or more layers. When the release film is a laminated film in which a plurality of films are laminated, two or more different kinds of the above films may be laminated.

도 2에, 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 부분 절결 정면 단면도로 나타낸다.2, the dicing die-bonding tape which concerns on other embodiment of this invention is shown by partial notch front sectional drawing.

도 2에 나타내는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (11)에서는 상술한 이형 필름 (2), 다이본딩 필름 (3) 및 비점착 필름 (4)가 이 순으로 적층되어 있다. 즉, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (11)은 다이싱 필름 (5)가 별도로 설치되어 있지 않은 것 이외에는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)과 동일하게 구성되어 있다. 이와 같이, 다이싱 필름 (5)는 반드시 설치되어 있지 않을 수도 있다. 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (11)에서는 비점착 필름 (4)를 다이싱 필름으로서 이용할 수도 있다.In the dicing die-bonding tape 11 shown in FIG. 2, the above-mentioned release film 2, the die-bonding film 3, and the non-adhesive film 4 are laminated | stacked in this order. That is, the dicing die-bonding tape 11 is comprised similarly to the dicing die-bonding tape 1 except that the dicing film 5 is not provided separately. Thus, the dicing film 5 may not necessarily be provided. In the dicing die-bonding tape 11, the non-adhesive film 4 can also be used as a dicing film.

도 3에, 본 발명의 별도의 실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 부분 절결 정면 단면도로 나타낸다.3, the dicing die-bonding tape which concerns on other embodiment of this invention is shown by partial notch front sectional drawing.

도 3에 나타내는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (15)는 비점착 필름의 구성이 다른 것을 제외하고는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)과 동일하게 구성되어 있다. 다 이싱ㆍ다이본딩 테이프 (15)에서는 이형 필름 (2), 다이본딩 필름 (3), 비점착 필름 (16) 및 다이싱 필름 (5)가 이 순으로 적층되어 있다.The dicing die-bonding tape 15 shown in FIG. 3 is comprised similarly to the dicing die-bonding tape 1 except the structure of a non-adhesive film is different. In the dicing die-bonding tape 15, the release film 2, the die-bonding film 3, the non-adhesive film 16, and the dicing film 5 are laminated | stacked in this order.

비점착 필름 (16)은 비점착성을 갖는다. 즉, 제1의 층 (17) 및 제2의 층 (18)은 비점착성을 갖는다. 또한, 비점착 필름 (16)은 (메트)아크릴 수지 가교체를 주성분으로서 포함한다.The non-adhesive film 16 has non-tackiness. That is, the first layer 17 and the second layer 18 are non-tacky. In addition, the non-adhesive film 16 contains a (meth) acrylic resin crosslinked body as a main component.

비점착 필름 (16)의 다이본딩 필름 (3)이 첩부된 표면 (16a), 즉 제1의 층 (17)의 다이본딩 필름이 첩부된 표면의 표면 에너지는 40 N/m 이하가 바람직하다. 이 경우, 픽업시에, 다이본딩 필름의 일부가 결여되어 필름편이 분리되어 상기 필름편이 비점착 필름 (16)에 부착되기 어렵다. 따라서, 다이본딩 필름 (3)을 비점착 필름 (16)으로부터 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 다이본딩 필름 (3)의 결함이 생기지 않는 경우에는 다이본딩을 확실하게 행할 수 있다.The surface energy of the surface 16a on which the die-bonding film 3 of the non-adhesive film 16 is affixed, that is, the surface on which the die-bonding film of the first layer 17 is affixed, is preferably 40 N / m or less. In this case, at the time of pick-up, a part of the die-bonding film is missing, the film piece is separated, and the film piece is hard to adhere to the non-adhesive film 16. Therefore, the die bonding film 3 can be easily peeled from the non-adhesive film 16. In addition, when the defect of the die-bonding film 3 does not arise, die-bonding can be reliably performed.

다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (15)에서는 비점착 필름 (16)이 2개의 층 (17, 18)이 적층된 2층 구조를 갖기 때문에, 제1, 제2의 층 (17, 18)에 각각 다른 기능을 갖게 할 수 있다. 예를 들면, 제1의 층 (17)에 점접착 필름 (3)과 비점착 필름 (16)과의 박리성을 높이는 기능을 갖게 하고, 또한 제2의 층 (18)에 엑기스 펀드 기능을 갖게 할 수 있다. 따라서, 비점착 필름 (16)이 2층 구조를 가짐으로써, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프로서 최적인 물성을 용이하게 설계할 수 있다.In the dicing die-bonding tape 15, since the non-adhesive film 16 has a two-layer structure in which two layers 17 and 18 are laminated, they are different from the first and second layers 17 and 18, respectively. I can have a function. For example, the first layer 17 has a function of increasing the peelability between the adhesive film 3 and the non-adhesive film 16, and the second layer 18 has an extract fund function. can do. Therefore, when the non-adhesive film 16 has a two-layer structure, the optimal physical property can be easily designed as a dicing die-bonding tape.

(반도체칩의 제조 방법)(Semiconductor Chip Manufacturing Method)

다음으로, 상술한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)을 이용한 경우의 반도체칩의 제조 방법을 도 4 내지 도 10을 이용하여 이하 설명한다.Next, the manufacturing method of the semiconductor chip at the time of using the above-mentioned dicing die-bonding tape 1 is demonstrated using FIGS. 4-10.

우선 상술한 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)과, 도 4에 평면도로 나타내는 반도체 웨이퍼 (21)을 준비한다.First, the dicing die-bonding tape 1 mentioned above and the semiconductor wafer 21 shown by the top view in FIG. 4 are prepared.

상기 반도체 웨이퍼 (21)은 원형의 평면 형상을 갖는다. 반도체 웨이퍼 (21)의 표면 (21a)에는 도시하지 않지만, 스트리트에 의해서 매트릭스상으로 구획된 각 영역에, 개개의 반도체칩을 구성하기 위한 회로가 형성되어 있다. 반도체 웨이퍼 (21)은 소정의 두께가 되도록 이면 (21b)가 연마되어 있다.The semiconductor wafer 21 has a circular planar shape. Although not shown on the surface 21a of the semiconductor wafer 21, circuits for forming individual semiconductor chips are formed in respective regions partitioned in a matrix by streets. The back surface 21b is polished so that the semiconductor wafer 21 may have a predetermined thickness.

반도체 웨이퍼 (21)의 두께는, 바람직하게는 30 μm 이상이다. 반도체 웨이퍼 (21)의 두께가 30 μm보다도 얇으면, 연삭시나 핸들링시에, 균열 등이 발생하여, 파손되는 경우가 있다.The thickness of the semiconductor wafer 21 becomes like this. Preferably it is 30 micrometers or more. When the thickness of the semiconductor wafer 21 is thinner than 30 micrometers, a crack etc. may arise and may be damaged at the time of grinding or handling.

또한, 후술하는 다이싱시에, 매트릭스상으로 구획된 각 영역마다 반도체 웨이퍼 (21)이 분할된다.In addition, at the time of dicing mentioned later, the semiconductor wafer 21 is divided | segmented into each area | region partitioned in matrix form.

도 5에 나타낸 바와 같이, 준비한 반도체 웨이퍼 (21)을 뒤집힌 상태로 스테이지 (22) 상에 얹어 놓는다. 즉, 반도체 웨이퍼 (21)의 표면 (21a)가 스테이지 (22)에 접하도록, 반도체 웨이퍼 (21)을 스테이지 (22) 상에 얹어 놓는다. 스테이지 (22) 상에는 반도체 웨이퍼 (21)의 외주측면 (21c)로부터 일정 간격을 사이에 두고, 원환상의 다이싱링 (23)이 설치되어 있다. 다이싱링 (23)의 높이는 반도체 웨이퍼 (21)과, 다이본딩 필름 (3)과, 비점착 필름 (4)와의 합계 두께와 같거나, 또는 간신히 낮게 되어 있다.As shown in FIG. 5, the prepared semiconductor wafer 21 is placed on the stage 22 in an inverted state. That is, the semiconductor wafer 21 is mounted on the stage 22 so that the surface 21a of the semiconductor wafer 21 is in contact with the stage 22. On the stage 22, an annular dicing ring 23 is provided with a predetermined interval therebetween from the outer circumferential side surface 21c of the semiconductor wafer 21. The height of the dicing ring 23 is equal to or slightly lower than the total thickness of the semiconductor wafer 21, the die bonding film 3, and the non-adhesive film 4.

다음으로, 도 6에 나타낸 바와 같이, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)의 다이본딩 필름 (3)의 표면 (3a)에 반도체 웨이퍼 (21)을 접합한다. 다이싱 필름 (5)는 다이본딩 필름 (3) 및 비점착 필름 (4)의 외주 가장자리보다도 외측에 이르도록 연장되어 있는 연장부 (5c)를 갖는다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)의 이형 필름 (2)를 박리하면서, 노출된 다이싱 필름 (5)의 연장부 (5c)의 점착제 (5b)를 다이싱링 (23) 상에 첩부한다. 또한, 노출된 다이본딩 필름 (3)을 반도체 웨이퍼 (21)의 이면 (21b)에 접합한다.Next, as shown in FIG. 6, the semiconductor wafer 21 is bonded to the surface 3a of the die bonding film 3 of the dicing die bonding tape 1. The dicing film 5 has the extension part 5c extended so that the outer peripheral edge of the die-bonding film 3 and the non-adhesive film 4 may be reached outward. As illustrated in FIG. 6, the pressure-sensitive adhesive 5b of the extended portion 5c of the exposed dicing film 5 is peeled off while the release film 2 of the dicing die-bonding tape 1 is peeled off. Affix on). In addition, the exposed die bonding film 3 is bonded to the back surface 21b of the semiconductor wafer 21.

도 7에, 다이본딩 필름 (3)에 반도체 웨이퍼 (21)을 접합한 상태를 정면 단면도로 나타낸다. 반도체 웨이퍼 (21)의 이면 (21b) 전체에 다이본딩 필름 (3)이 접합되어 있다. 반도체 웨이퍼 (21)에 불필요한 힘이 가해지지 않도록, 다이싱 필름 (5)의 연장부 (5c)는 다이싱링 (23)에 지지되어 있다.In FIG. 7, the state which bonded the semiconductor wafer 21 to the die bonding film 3 is shown by front sectional drawing. The die bonding film 3 is bonded to the entire back surface 21b of the semiconductor wafer 21. The extension part 5c of the dicing film 5 is supported by the dicing ring 23 so that unnecessary force is not applied to the semiconductor wafer 21.

다음으로, 도 8에 정면 단면도로 나타낸 바와 같이, 스테이지 (22)로부터 다이본딩 필름 (3)이 접합된 반도체 웨이퍼 (21)을 취출하여, 뒤집는다. 이 때, 다이싱링 (23)이 다이싱 필름 (5)에 첩부된 상태로 취출된다. 표면 (21a)가 상측이 되도록, 취출된 반도체 웨이퍼 (21)을 별도의 스테이지 (24) 상에 얹어 놓는다.Next, as shown in front sectional drawing in FIG. 8, the semiconductor wafer 21 with which the die-bonding film 3 was bonded was taken out from the stage 22, and it is inverted. At this time, the dicing ring 23 is taken out in the state affixed on the dicing film 5. The taken-out semiconductor wafer 21 is placed on another stage 24 so that the surface 21a is on the upper side.

다음으로, 다이본딩 필름 (3)이 접합된 반도체 웨이퍼 (21)을 다이싱하여 개개의 반도체칩으로 분할한다. 도 8에 화살표 X를 붙여 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (21)측에서 다이싱이 행해진다.Next, the semiconductor wafer 21 to which the die-bonding film 3 was bonded is diced and divided into individual semiconductor chips. As shown by the arrow X in FIG. 8, dicing is performed on the semiconductor wafer 21 side.

도 9에 나타낸 바와 같이, 다이싱 후에 반도체 웨이퍼 (21) 및 다이본딩 필름 (3)은 완전히 절단되어 있다. 다이싱은 다이본딩 필름 (3)을 관통하도록 행해지면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 비점착 필름 (4)의 두께의 반 이하의 위치까지 절단날이 삽입될 수도 있다. 도 9에서는 다이본딩 필름 (3)과 비점착 필름 (4)와의 계면보다도 깊게 절단날이 삽입되어, 절결 부분 (41)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 9, after dicing, the semiconductor wafer 21 and the die-bonding film 3 are cut | disconnected completely. Dicing is not specifically limited as long as it is made to penetrate the die-bonding film 3, For example, a cutting blade may be inserted to the position below half the thickness of the non-adhesive film 4, for example. In FIG. 9, a cutting blade is inserted deeper than the interface between the die-bonding film 3 and the non-adhesive film 4, and the notch part 41 is formed.

또한, 도 9에서는 다이싱은 2단계(스텝 컷트)법으로 행해지고 있다. 다이싱시에 반도체 웨이퍼 (21)의 파손을 방지할 수 있으면, 다이싱은 한번의 절단 행정에 의해 행해질 수도 있다.In Fig. 9, dicing is performed by a two-step (step cut) method. As long as the breakage of the semiconductor wafer 21 can be prevented at the time of dicing, dicing may be performed by one cutting stroke.

반도체 웨이퍼 (21)의 다이싱 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 한장의 날로 컷팅하는 싱글 컷트법, 두장의 날을 순차 이용하여 컷팅하는 스텝 컷트법, 또한 2매의 날로 컷팅을 행하여 반도체 웨이퍼의 표면에 대해서는 V자 형상의 날을 사용하는 베벨 컷트법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 절단시에 반도체 웨이퍼의 파손이 생기기 어렵기 때문에, 스텝 컷트법이 바람직하게 행해진다.It does not specifically limit as a dicing method of the semiconductor wafer 21, For example, the single-cut method which cuts with one blade, the step cut method which cuts using two blades sequentially, and also cuts with two blades, a semiconductor wafer About the surface of the bevel cut method using a V-shaped blade, etc. are mentioned. Especially, since the breakage of a semiconductor wafer hardly occurs at the time of cutting | disconnection, the step cut method is performed preferably.

또한, 상기 다이싱은 절단날이 아니고, 레이저광을 이용하여 행해질 수도 있다. 즉, 레이저광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼를 다이싱할 수도 있다. 이 경우, 다이싱은 반도체 웨이퍼 (21)뿐만 아니라, 다이본딩 필름 (3)을 관통하도록 행해진다. 따라서, 레이저광은 다이본딩 필름 (3)을 관통하여, 비점착 필름 (4)의 도중에 이른다. 이러한 레이저광의 조사에 의한 다이싱을 행했다고 해도, 비점착 필름 (4)의 다이본딩 필름 (3)으로의 용착은 생기기 어렵다.In addition, the dicing may be performed using a laser beam instead of a cutting blade. In other words, the semiconductor wafer may be diced by laser light irradiation. In this case, dicing is performed to penetrate not only the semiconductor wafer 21 but the die bonding film 3. Therefore, the laser beam penetrates through the die bonding film 3 and reaches the middle of the non-adhesive film 4. Even if dicing by irradiation of such laser beam is performed, welding of the non-adhesive film 4 to the die-bonding film 3 hardly occurs.

방사선 경화형의 다이싱 필름이 다이본딩 필름에 첩부되어 있는 종래의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프에서는 레이저광에 의해 다이싱을 행한 경우, 다이싱 필름이 용융하여, 다이본딩 필름에 부착되는 경우가 있었다. 그 때문에, 반도체칩을 취출할 수 없는 경우가 있었다. 이것에 대하여, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)에서는, 비점착 필름 (4)는 광의 조사에 의해 점착력이 감소되는 것이 아니고, 또한 (메트) 아크릴 수지 가교체를 주성분으로서 포함하기 때문에, 레이저광이 조사되더라도 용착이 생기기 어렵다.In the conventional dicing die-bonding tape in which the radiation hardening type dicing film is affixed on the die-bonding film, when dicing with a laser beam, the dicing film may melt and adhere to the die-bonding film. Therefore, the semiconductor chip may not be taken out in some cases. On the other hand, in the dicing die-bonding tape 1, since the adhesive force does not reduce by the irradiation of light, and also contains a (meth) acrylic resin crosslinked body as a main component, it is a laser beam Even if this is investigated, welding hardly occurs.

반도체 웨이퍼 (21)을 다이싱하여 개개의 반도체칩으로 분할한 후, 비점착 필름 (4) 및 다이싱 필름 (5)를 늘여, 분할된 개개의 반도체칩의 간격을 확장한다. 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)은 다이싱 필름 (5)를 갖기 때문에, 엑기스 펀드성이 우수하여, 비점착 필름 (4) 및 다이싱 필름 (5)를 용이하게 늘일 수 있다.After dicing the semiconductor wafer 21 and dividing it into individual semiconductor chips, the non-stick film 4 and the dicing film 5 are extended, and the space | interval of each divided semiconductor chip is extended. Since the dicing die-bonding tape 1 has the dicing film 5, it is excellent in extract fund property and can easily extend the non-adhesive film 4 and the dicing film 5.

비점착 필름 (4) 및 다이싱 필름 (5)를 늘어나게 한 후에, 반도체칩이 접합된 상태에서, 다이본딩 필름 (3)이 비점착 필름 (4)로부터 박리되어, 도 10에 나타내는 반도체칩 (31)이 취출된다.After the non-adhesive film 4 and the dicing film 5 are stretched, the die-bonding film 3 is peeled from the non-adhesive film 4 in a state where the semiconductor chips are bonded to each other. 31) is taken out.

또한, 반도체칩이 접합된 다이본딩 필름 (3)을 비점착 필름 (4)로부터 박리하는 방법으로서는 반도체 웨이퍼 (21)의 이면 (21b)측에서, 다수의 핀을 이용하여 밀어올리는 방법이나 다단핀을 이용하여 밀어올리는 방법, 반도체 웨이퍼 (21)의 표면 (21a)측에서 진공 박리하는 방법, 또는 초음파 진동을 이용하는 방법 등을 들 수 있다.In addition, as a method of peeling the die-bonding film 3 to which the semiconductor chip was bonded from the non-adhesive film 4, the method of pushing up using the many pins and the multistage pin on the back surface 21b side of the semiconductor wafer 21 is mentioned. The method of pushing up using this method, the method of vacuum-peeling from the surface 21a side of the semiconductor wafer 21, the method of using ultrasonic vibration, etc. are mentioned.

반도체칩 (31)의 파손을 보다 한층 방지할 수 있기 때문에, 반도체 웨이퍼 (21)과 다이본딩 필름 (3)과의 접합면에 대하여 대략 직교하는 방향으로 작용하는 힘을 부여함으로써, 다이본딩 필름 (3)이 접합된 상태에서 반도체칩 (31)을 비점착 필름 (4)로부터 박리하는 것이 바람직하다.Since the damage of the semiconductor chip 31 can be prevented further, a die bonding film (by providing a force acting in a direction substantially orthogonal to the bonding surface between the semiconductor wafer 21 and the die bonding film 3). It is preferable to peel the semiconductor chip 31 from the non-adhesive film 4 in the state in which 3) was bonded.

다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)에서는 다이본딩 필름 (3)과, 비점착 필름 (4)와의 박리성이 높아지고 있다. 따라서, 광 조사 등에 의해 박리력을 저하시키는 작업을 행하지 않더라도, 다이본딩 필름째 반도체칩을 용이하게 취출할 수 있다. 즉, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프 (1)에서는, 예를 들면 광의 조사 등에 의해 박리력이 저하되도록 비점착 필름을 구성할 필요는 없다. 비점착 필름은 광 조사 등에 의해 박리력이 저하될만한 것이 아닌 것이 바람직하다. 비점착 필름이 광 조사 등에 의해 박리력이 저하되는 것이 아닌 경우에는 광 조사 등에 의해 박리력을 저하시키는 작업을 행하지 않을 수도 있고, 반도체칩의 제조 효율이 높아진다. 또한, 광의 조사란, 자연광 아래에 노출되어지는 경우를 포함하지 않고, 자외선 등을 의도적으로 조사하는 것을 말한다.In the dicing die-bonding tape 1, the peelability of the die-bonding film 3 and the non-adhesive film 4 is high. Therefore, even if the operation | work which reduces peeling force by light irradiation etc. is not performed, a die bonding film semiconductor chip can be taken out easily. That is, in the dicing die-bonding tape 1, it is not necessary to comprise a non-adhesive film so that peeling force may fall, for example by irradiation of light. It is preferable that a non-adhesive film does not seem to fall peeling force by light irradiation. When a non-adhesive film does not fall peel force by light irradiation etc., the operation | work which reduces peeling force by light irradiation etc. may not be performed, and manufacturing efficiency of a semiconductor chip will become high. In addition, irradiation of light does not include the case where it is exposed under natural light, and means intentionally irradiating an ultraviolet-ray etc ..

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 자세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.Although an Example is given to the following and this invention is demonstrated to it in more detail, this invention is not limited only to these Examples.

실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 3의 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 제조할 때, 이하의 다이본딩 필름 A 내지 D, 비점착 필름 L1 내지 L10, 및 다이싱 필름 DC1 내지 DC4를 준비하였다.The dicing die-bonding tapes of Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 3 were prepared. When the following die bonding films A to D, non-adhesive films L1 to L10, and dicing films DC1 to DC4 were prepared.

(1) 다이본딩 필름의 형성(1) Formation of Die Bonding Film

(다이본딩 필름 A)(Die bonding film A)

G-2050M(닛본 유시사 제조, 에폭시기 함유 아크릴계 고분자 중합체, 중량 평균 분자량 Mw 20만) 15 중량부와, EXA-7200HH(다이닛본 잉크사 제조, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지) 80 중량부와, HP-4032D(다이닛본 잉크사 제조, 나프탈렌형 에 폭시 수지) 5 중량부와, YH-309(재팬 에폭시 레진사 제조, 산 무수물계 경화제) 35 중량부와, 2MAOK-PW(시코쿠 가세이사 제조, 이미다졸) 8 중량부와, S320(칫소사 제조, 아미노실란) 2 중량부를 배합하여, 배합물을 얻었다. 이 배합물을 용제로서의 메틸에틸케톤(MEK)에 고형분 60％가 되도록 첨가하고, 교반하여 도액을 얻었다. 이것을 이형 필름에 도포하고, 110 ℃에서 3분간 오븐속에서 가열 건조하여, 이형 필름 상에 두께 40 μm의 다이본딩 필름 A를 형성하였다.15 parts by weight of G-2050M (manufactured by Nippon Yushi, epoxy group-containing acrylic polymer, weight average molecular weight Mw 200,000), 80 parts by weight of EXA-7200HH (manufactured by Dainippon Ink, Dicyclopentadiene type epoxy resin), 5 parts by weight of HP-4032D (manufactured by Dainippon Ink, Inc., naphthalene type epoxy resin), 35 parts by weight of YH-309 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., acid anhydride-based curing agent), and 2MAOK-PW (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) 8 parts by weight of imidazole) and 2 parts by weight of S320 (manufactured by Chisso, Aminosilane) were blended to obtain a blend. This compound was added to methyl ethyl ketone (MEK) as a solvent so as to have a solid content of 60%, and stirred to obtain a coating liquid. This was apply | coated to a release film, and it heat-dried in oven at 110 degreeC for 3 minutes, and formed the die-bonding film A of thickness 40micrometer on the release film.

(다이본딩 필름 B)(Die bonding film B)

G-2050M(닛본 유시사 제조, 에폭시기 함유 아크릴계 고분자 중합체, 중량 평균 분자량 Mw 20만) 100 중량부와, EXA-7200HH(다이닛본 잉크사 제조, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지) 80 중량부와, HP-4032D(다이닛본 잉크사 제조, 나프탈렌형 에폭시 수지) 5 중량부와, YH-309(재팬 에폭시 레진사 제조, 산 무수물계 경화제) 35 중량부와, 2MAOK-PW(시코쿠 가세이사 제조, 이미다졸) 8 중량부와, S320(칫소사 제조, 아미노실란) 2 중량부를 배합하여, 배합물을 얻었다. 그 후, 다이본딩 필름 A와 동일하게 하여 다이본딩 필름 B를 형성하였다.100 parts by weight of G-2050M (manufactured by Nippon Yushi Corporation, an epoxy group-containing acrylic polymer, weight average molecular weight Mw 200,000), 80 parts by weight of EXA-7200HH (manufactured by Dainippon Ink, Dicyclopentadiene type epoxy resin), 5 parts by weight of HP-4032D (manufactured by Dainippon Ink, Naphthalene type epoxy resin), 35 parts by weight of YH-309 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., acid anhydride-based curing agent), and 2MAOK-PW (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) 8 parts by weight of Dazole) and 2 parts by weight of S320 (manufactured by Chisso, Aminosilane) were blended to obtain a compound. Thereafter, the die bonding film B was formed in the same manner as the die bonding film A. FIG.

(다이본딩 필름 C)(Die bonding film C)

G-2050M(닛본 유시사 제조, 에폭시기 함유 아크릴계 고분자 중합체, 중량 평균 분자량 Mw 20만) 7 중량부와, EXA-7200HH(다이닛본 잉크사 제조, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지) 88 중량부와, HP-4032D(다이닛본 잉크사 제조, 나프탈렌형 에폭시 수지) 5 중량부와, YH-309(재팬 에폭시 레진사 제조, 산 무수물계 경화제) 35 중량부와, 2MAOK-PW(시코쿠 가세이사 제조, 이미다졸) 8 중량부와, S320(칫소사 제 조, 아미노실란) 2 중량부를 배합하여, 배합물을 얻었다. 그 후, 다이본딩 필름 A와 동일하게 하여 다이본딩 필름 C를 형성하였다.7 parts by weight of G-2050M (manufactured by Nippon Yushi Co., Ltd., an epoxy group-containing acrylic polymer, weight average molecular weight Mw 200,000), 88 parts by weight of EXA-7200HH (manufactured by Dainippon Ink, Dicyclopentadiene type epoxy resin); 5 parts by weight of HP-4032D (manufactured by Dainippon Ink, Naphthalene type epoxy resin), 35 parts by weight of YH-309 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., acid anhydride-based curing agent), and 2MAOK-PW (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) 8 parts by weight of Dazole) and 2 parts by weight of S320 (manufactured by Chisso, Aminosilane) were combined to obtain a blend. Thereafter, the die bonding film C was formed in the same manner as the die bonding film A. FIG.

(다이본딩 필름 D)(Die bonding film D)

히타치 가세이 고교사 제조 DF402Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd. production DF402

(2) 비점착 필름의 형성(2) Formation of non-adhesive film

우선, 이하의 아크릴 중합체를 합성하였다.First, the following acrylic polymers were synthesized.

(중합체 1)(Polymer 1)

2-에틸헥실아크릴레이트 95 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50％ 아세트산에틸 용액) 0.2 중량부, 및 라우릴메르캅탄 0.01 중량부를 아세트산에틸에 용해시켜, 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하고 중합을 행하여, 중합체의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI)를 3.5 중량부 반응시켜, (메트)아크릴 수지 가교체인 아크릴 공중합체(중합체 1)를 얻었다. 중합체 1은 중량 평균 분자량이 70만이고, 산가가 0.86(mgKOH/g)이었다.95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (Ciba Gaigi Co., 50% ethyl acetate solution) as an optical radical generator, and lauryl mer 0.01 part by weight of captan was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Ultraviolet was irradiated to this solution, it superposed | polymerized, and the ethyl acetate solution of the polymer was obtained. Furthermore, 3.5 weight part of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (Showa Denko Co., Carlens MOI) are made to react with respect to 100 weight part of solid content of this solution, and the acrylic copolymer which is a (meth) acrylic resin crosslinked body ( Polymer 1) was obtained. Polymer 1 had a weight average molecular weight of 700,000 and an acid value of 0.86 (mgKOH / g).

(중합체 2)(Polymer 2)

2-에틸헥실아크릴레이트 94 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부, 아크릴산 1 중량부, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50％ 아세트산에틸 용액) 0.2 중량부, 및 라우릴메르캅탄 0.01 중량부를 아세트산에틸에 용해시켜, 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하고 중합을 행하여, 중합체의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI)를 3.5 중량부 반응시켜, (메트)아크릴 수지 가교체인 아크릴 공중합체(중합체 2)를 얻었다. 중합체 2는 중량 평균 분자량이 76만이고, 산가가 6.73(mgKOH/g)이었다.94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 1 part by weight of acrylic acid, 0.2 parts by weight of Irgacure 651 (Ciba Gaigi Co., 50% ethyl acetate solution) as an optical radical generator , And 0.01 part by weight of lauryl mercaptan were dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Ultraviolet was irradiated to this solution, it superposed | polymerized, and the ethyl acetate solution of the polymer was obtained. Furthermore, 3.5 weight part of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (Showa Denko Co., Carlens MOI) are made to react with respect to 100 weight part of solid content of this solution, and the acrylic copolymer which is a (meth) acrylic resin crosslinked body ( Polymer 2) was obtained. Polymer 2 had a weight average molecular weight of 760,000 and an acid value of 6.73 (mgKOH / g).

(중합체 3)(Polymer 3)

2-에틸헥실아크릴레이트 97 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 3 중량부, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50％ 아세트산에틸 용액) 0.2 중량부, 및 라우릴메르캅탄 0.01 중량부를 아세트산에틸에 용해시켜, 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하고 중합을 행하여, 중합체의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI)를 1.8 중량부 반응시켜, (메트)아크릴 수지 가교체인 아크릴 공중합체(중합체 3)를 얻었다. 중합체 3은 중량 평균 분자량이 89만이고, 산가가 0.58(mgKOH/g)이었다.97 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (Ciba Gaigi Co., 50% ethyl acetate solution) as an optical radical generator, and lauryl mer 0.01 part by weight of captan was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Ultraviolet was irradiated to this solution, it superposed | polymerized, and the ethyl acetate solution of the polymer was obtained. Furthermore, 1.8 weight part of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (Showa Denko Corporation make, Carens MOI) are made to react with respect to 100 weight part of solid content of this solution, and the acrylic copolymer which is a (meth) acrylic resin crosslinked body ( Polymer 3) was obtained. Polymer 3 had a weight average molecular weight of 890,000 and an acid value of 0.58 (mgKOH / g).

(중합체 4)(Polymer 4)

2-에틸헥실아크릴레이트 99 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 1 중량부, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50％ 아세트산에틸 용액) 0.2 중량부, 및 라우릴메르캅탄 0.01 중량부를 아세트산에틸에 용해시켜, 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하고 중합을 행하여, 중합체의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI)를 0.9 중량부 반응시켜, (메트)아크릴 수지 가교체인 아크릴 공중합체(중합체 4)를 얻었다. 중합체 4는 중량 평균 분자량이 73만이고, 산가가 0.34(mgKOH/g)였다.99 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 1 part by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (Ciba Gaigi Co., 50% ethyl acetate solution) as an optical radical generator, and lauryl mer 0.01 part by weight of captan was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Ultraviolet was irradiated to this solution, it superposed | polymerized, and the ethyl acetate solution of the polymer was obtained. Furthermore, 0.9 weight part of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (Showa Denko Corporation make, Carens MOI) is made to react with 100 weight part of solid content of this solution, and the acrylic copolymer which is a (meth) acrylic resin crosslinked body ( Polymer 4) was obtained. Polymer 4 had a weight average molecular weight of 730,000 and an acid value of 0.34 (mgKOH / g).

(중합체 5)(Polymer 5)

2-에틸헥실아크릴레이트 95 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50％ 아세트산에틸 용액) 0.2 중량부, 및 라우릴메르캅탄 0.01 중량부를 아세트산에틸에 용해시켜, 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하고 중합을 행하여, 중합체의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI)를 7 중량부 반응시켜, (메트)아크릴 수지 가교체인 아크릴 공중합체(중합체 5)를 얻었다. 중합체 5는 중량 평균 분자량이 92만이고, 산가가 1.00(mgKOH/g)이었다.95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (Ciba Gaigi Co., 50% ethyl acetate solution) as an optical radical generator, and lauryl mer 0.01 part by weight of captan was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Ultraviolet was irradiated to this solution, it superposed | polymerized, and the ethyl acetate solution of the polymer was obtained. Furthermore, 7 weight part of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (Showa Denko Co., Carlens MOI) are made to react with respect to 100 weight part of solid content of this solution, and the acrylic copolymer which is a (meth) acrylic resin crosslinked body ( Polymer 5) was obtained. Polymer 5 had a weight average molecular weight of 920,000 and an acid value of 1.00 (mgKOH / g).

(비점착 필름 L1 내지 L7)(Non-adhesive films L1 to L7)

얻어진 중합체 1 내지 5 중 어느 하나의 중합체와, U-324A(신나카무라 가가꾸 고교사 제조, 우레탄아크릴올리고머)와, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조)과, 충전재로서의 SE4050(애드마텍스사 제조, 실리카 충전재)을 하기 표 1에 나타내는 비율로 배합하고, 아세트산에틸에 용해하여, 용액을 얻었다. 이 용액을 이형 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름 상에 어플리케이터를 이용하여 도공하였다. 또한 110 ℃의 오븐속에서 3분간 가열 건조하여, 두께 50 μm의 필름을 형성하였다. 이 필름에 고압 수은등하에서, 365 nm의 자외선을 1000 mJ로 조사하였다. 이와 같이 하여 가교된 비점착 필름 L1 내지 L7을 얻었다.The polymer in any one of the obtained polymers 1-5, U-324A (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., urethane acryl oligomer), Irgacure 651 (made by Shiba Kaiki Co., Ltd.) as an optical radical generator, and SE4050 as a filler (Admatex company make, silica filler) was mix | blended in the ratio shown in Table 1, it was melt | dissolved in ethyl acetate, and the solution was obtained. This solution was coated on a release PET (polyethylene terephthalate) film using an applicator. Furthermore, it heat-dried for 3 minutes in 110 degreeC oven, and formed the film of 50 micrometers in thickness. Under a high pressure mercury lamp, the film was irradiated with 365 nm of ultraviolet light at 1000 mJ. Thus, crosslinked non-adhesive films L1 to L7 were obtained.

(비점착 필름 L9)(Non-adhesive film L9)

다마폴리사 제조 폴리올레핀계 필름 GF-8Dama Poly Co., Ltd. polyolefin film GF-8

(비점착 필름 L10)(Non-adhesive film L10)

린텍사 제조 실리콘 이형 처리 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 PET5011Lintec Co., Ltd. silicone release processing polyethylene terephthalate film PET5011

(3) 다이싱 필름(다이싱 필름 DC1)(3) dicing film (dicing film DC1)

PE 테이프 #6318-B: 세키스이 가가꾸 제조, 폴리에틸렌 기재의 한쪽면에 고무계 점착제를 포함하는 점착제층이 형성된 PE 테이프, 기재의 두께 60 μm, 점착제층의 두께 10 μmPE tape # 6318-B: A PE tape having a pressure-sensitive adhesive layer containing a rubber-based pressure-sensitive adhesive formed on one side of a polyethylene substrate manufactured by Sekisui Chemical Industries, Ltd., 60 µm thick, 10 µm thick.

(다이싱 필름 DC2)(Dicing Film DC2)

애드윌(Adwill) D650: 린텍사 제조, 올레핀 기재의 한쪽면에 아크릴 수지 풀로 이루어지는 점착제층이 형성된 UV 경화형의 다이싱 테이프Adwill D650: A UV curable dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer composed of an acrylic resin paste formed on one side of an olefin substrate manufactured by Lintec Co., Ltd.

(다이싱 필름 DC3)(Dicing Film DC3)

일렉트로닉 그립 UHP-0805MC: 덴끼 가가꾸 고교사 제조, 올레핀 기재의 한쪽면에 아크릴 수지 풀로 이루어지는 점착제층이 형성된 UV 경화형의 다이싱 테이프, 기재층의 두께 80 μm, 점착제층의 두께 5 μmElectronic Grip UHP-0805MC: A UV curable dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer made of an acrylic resin paste formed on one side of an olefin substrate by Denki Chemical Industries, Ltd., a thickness of 80 μm of the base material layer, and a thickness of 5 μm of the pressure-sensitive adhesive layer.

(다이싱 필름 DC4)(Dicing Film DC4)

상기 다이싱 필름 DC2(애드윌 D650)를 광 경화시켜, 비점착 상태로 한 다이싱 필름The dicing film which photocured the said dicing film DC2 (Adwill D650), and made it into the non-adhesive state

(실시예 1)(Example 1)

이형 필름 상의 다이본딩 필름 A의 표면에, 비점착 필름 L1을 60 ℃에서 라 미네이트하였다. 다음으로, 비점착 필름 L1의 다이본딩 필름 A에 첩부된 면과는 반대측의 면에, 다이싱 필름 DC1을 점착제측에서 접착하였다. 이와 같이 하여, 이형 필름/다이본딩 필름/비점착 필름/다이싱 필름이 이 순으로 적층된 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 제조하였다.The non-adhesive film L1 was laminated at 60 degreeC on the surface of the die-bonding film A on a release film. Next, the dicing film DC1 was stuck by the adhesive side to the surface on the opposite side to the surface affixed on the die bonding film A of the non-adhesive film L1. In this way, a dicing die-bonding tape in which a release film / die bonding film / non-adhesive film / dicing film was laminated in this order was produced.

(실시예 2 내지 13)(Examples 2 to 13)

다이본딩 필름, 비점착 필름 및/또는 다이싱 필름을 하기의 표 1에 나타내는 필름으로 각각 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 제조하였다. 또한, 접착할 때에 있어서, 다이싱 필름이 점착제층을 갖는 경우에는 다이싱 필름은 점착제측에서 비점착 필름으로 접착하였다.Dicing die-bonding tape was manufactured like Example 1 except having changed the die-bonding film, the non-adhesive film, and / or the dicing film into the film shown in following Table 1, respectively. In addition, in the case of adhering, when the dicing film had an adhesive layer, the dicing film was adhere | attached by the non-adhesive film on the adhesive side.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

이형 필름 상의 다이본딩 필름 A의 표면에, 다이싱 필름 DC2(애드윌 D650)를 광 경화시켜, 비점착 상태로 한 다이싱 필름 DC4를 점착제측에서 접착하였다. 비점착 필름 및 다이싱 필름으로서, 단층의 다이싱 필름 DC4를 이용하였다. 이형 필름/다이본딩 필름/다이싱 필름(비점착 필름에도 상당함)이 이 순으로 적층된 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 제조하였다.Dicing film DC2 (Adwill D650) was photocured on the surface of the die-bonding film A on a release film, and the dicing film DC4 which made it into a non-adhesive state was adhere | attached on the adhesive side. As the non-adhesive film and the dicing film, a single layer dicing film DC4 was used. A dicing die-bonding tape in which a release film / die bonding film / dicing film (which corresponds to a non-adhesive film) was laminated in this order was produced.

(비교예 2 내지 3)(Comparative Examples 2 to 3)

비점착 필름을 하기의 표 1에 나타내는 비점착 필름으로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 제조하였다.A dicing die-bonding tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the non-adhesive film was changed to the non-adhesive film shown in Table 1 below.

(다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 평가)(Evaluation of Dicing Die Bonding Tape)

(1) 다이본딩 필름의 경화 전의 25 ℃에 있어서의 저장 탄성률(1) Storage modulus at 25 ° C. before curing of the die-bonding film

가열에 의해 경화되기 전의 다이본딩 필름을 두께 0.5 mmm, 폭 5 mm 및 길이 3 cm의 크기로 취출하여, 평가 샘플을 얻었다. 얻어진 평가 샘플에 대해서, 아이티 게이소꾸사 제조 DVA-200을 이용하여, 10 Hz 및 왜곡 0.1％의 조건으로 25 ℃에서의 저장 탄성률을 측정하였다.The die-bonding film before hardening by heating was taken out in the size of thickness 0.5mmm, width 5mm, and length 3cm, and the evaluation sample was obtained. About the obtained evaluation sample, the storage elastic modulus in 25 degreeC was measured on condition of 10 Hz and distortion 0.1% using DVA-200 by Haiti Keikoku Co., Ltd.

(2) 다이본딩 필름과 비점착 필름과의 박리 강도(2) Peel strength of die bonding film and non-adhesive film

다이본딩 필름의 한쪽면에 비점착 필름을 60 ℃에서 라미네이트하였다. 다음으로, 다이본딩 필름의 비점착 필름이 첩부된 면과는 반대측의 면에 스테인리스판을 접착하고, 다이본딩 필름과 스테인리스판을 접착하여, 평가 샘플을 얻었다. 그 후, 비점착 필름과 다이본딩 필름과의 계면으로 박리가 생기도록 평가 샘플을 고정한 상태에서, 300 mm/분의 박리 속도로, 다이본딩 필름과 비점착 필름과의 계면에 대하여 180도 방향으로, 비점착 필름을 다이본딩 필름으로부터 박리하였다. 이 때 박리에 필요한 힘을 시마즈 세이사꾸쇼 제조 AGS-100D를 이용하여 측정폭 25 mm에서 측정하고, 얻어진 값의 평균치를 박리 강도로 하였다.A non-adhesive film was laminated at 60 ° C. on one side of the diebonding film. Next, the stainless steel plate was bonded to the surface on the opposite side to the surface on which the non-adhesive film of the die bonding film was affixed, the die bonding film and the stainless steel plate were bonded, and the evaluation sample was obtained. Then, in the state which fixed the evaluation sample so that peeling might arise in the interface of a non-adhesive film and a die-bonding film, at the peeling speed of 300 mm / min, it is a 180 degree direction with respect to the interface of a die-bonding film and a non-adhesive film. The non-adhesive film was peeled off from the die bonding film. At this time, the force required for peeling was measured by measuring width 25mm using Shimadzu Corporation AGS-100D, and the average value of the obtained value was made into peeling strength.

(3) 비점착 필름의 파단 신도(3) elongation at break of non-adhesive film

비점착 필름(두께 0.5 mm×폭 5 mm×길이 7 cm)을 인장 시험기 AG-IS(시마즈 세이사꾸쇼 제조)를 이용하여, 300 mm/분의 조건으로 인장, 파단에 이르렀을 때의 신도를 파단 신도로 하였다.Elongation when tensile | strength and rupture were reached on 300 mm / min conditions using the non-adhesive film (0.5 mm in thickness X 5 mm in width X 7 cm in length) using the tensile tester AG-IS (manufactured by Shimadzu Corporation). It was taken as a break elongation.

(4) 비점착 필름의 표면 에너지(4) surface energy of non-adhesive film

습윤성 시약(나카라이텍사 제조)을 이용하여, 비점착 필름의 다이본딩 필름에 첩부되는 면의 표면 에너지를 JIS K6798에 준거하여 측정하였다.The surface energy of the surface affixed on the die-bonding film of a non-adhesive film was measured using the wettability reagent (made by Nakarai Tech Co., Ltd.) based on JISK6798.

(5) 반도체칩의 제조시의 평가(5) Evaluation in the manufacture of semiconductor chip

다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 이형 필름을 박리하여, 노출된 다이본딩 필름을 직경 8인치, 두께 80 μm의 실리콘 웨이퍼의 한쪽면에 60 ℃의 온도로 라미네이트하여, 평가 샘플을 제조하였다.The release film of the dicing die-bonding tape was peeled off, and the exposed die-bonding film was laminated on one side of the silicon wafer of 8 inches in diameter and thickness of 80 micrometers at the temperature of 60 degreeC, and the evaluation sample was produced.

다이싱 장치 DFD651(디스코사 제조)을 이용하여, 전송 속도 50 mm/초로, 평가 샘플을 10 mm×10 mm의 칩 크기로 다이싱하였다.Using a dicing apparatus DFD651 (manufactured by Disco Corporation), the evaluation sample was diced into a chip size of 10 mm x 10 mm at a transmission speed of 50 mm / second.

다이싱 후에, 다이본더 베스템(bestem) D-02(캐논 머시너리사 제조)를 이용하여, 콜렛 크기 8 mm 각, 밀어올림 속도 5 mm/초, 및 엑기스 펀드 4 mm의 각 조건으로, 분할된 반도체칩의 연속 픽업을 행하였다. 상기한 바와 같이 하여, 다이싱시의 절삭성 및 픽업의 가부를 평가하였다. 또한, 픽업 후에, 픽업된 5개의 반도체칩에 대해서 4변씩, 계 20변에서 다이본딩 필름의 일부가 결여되어 있는지의 여부를 관찰하였다. 변에 따른 길이가 50 μm보다 큰 결함이 존재하지 않는 변의 수를 셌다.After dicing, using a die bonder bestem D-02 (manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.), the collet size is divided into 8 mm angles, 5 mm / sec push-up speeds, and 4 mm extract funds. Continuous pickup of the semiconductor chip was performed. As mentioned above, the cutting property at the time of dicing and the availability of the pick-up were evaluated. After pick-up, it was observed whether or not a part of the die-bonding film was missing at the 20 sides of the four semiconductor chips picked up each. The number of sides without defects greater than 50 μm in length along the sides was counted.

또한, 절삭성은 하기의 평가 기준으로 평가하였다.In addition, machinability was evaluated by the following evaluation criteria.

〔절삭시의 수염상의 절삭 부스러기의 발생 평가 기준〕[Occurrence evaluation standard of cutting debris at the time of cutting]

○: 다이싱시에 수염상의 절삭 부스러기를 거의 볼 수 없었다. 또는, 수염상의 절삭 부스러기가 존재했다고 해도 픽업에 문제가 없는 정도였다.(Circle): It was hard to see the shaving | wrap of a beard shape at the time of dicing. Or even if there existed beard shavings, there was no problem in pick-up.

△: 수염상의 절삭 부스러기가 생기는 경우가 있었다.(Triangle | delta): There existed a case where the cutting chips of beard shape generate | occur | produce.

×: 다수의 칩에서 수염상의 절삭 부스러기가 보였다.X: The chip | tip of the beard shape was seen by many chips.

결과를 하기 표 1에 나타내었다.The results are shown in Table 1 below.

〔절삭시의 칩 튀어오름 평가 기준〕[Chip springing evaluation standard at the time of cutting]

○: 칩 튀어오름이 발생하지 않았다.○: No chipping occurred.

△: 1부의 칩에서 칩 튀어오름이 발생하였다.(Triangle | delta): A chip | tip jump generate | occur | produced in the chip of 1 part.

×: 칩 튀어오름이 현저하였다(많은 칩이 다이싱시에 칩이 튀어오름).X: Chip jump was remarkable (many chips jump up at the time of dicing).

Figure 112009063439424-pct00001
Figure 112009063439424-pct00001

Claims (14)

탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 중합체를 포함하는 (메트)아크릴산 수지 가교체를 포함하는 비점착 필름용 조성물 전체에 광을 조사하거나 또는 가열하여 비점착 필름을 형성하는 공정과,A step of irradiating or heating the entire composition for a non-tacky film containing a (meth) acrylic acid resin crosslinked product containing a (meth) acrylic acid ester polymer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms to form a non-tacky film, and 상기 비점착 필름을 형성하는 공정 후에, 상기 비점착 필름의 한쪽면에 다이본딩 필름을, 다이본딩 필름의 비점착 필름으로부터의 박리력이 1N/m 내지 15N/m 범위가 되도록 첩부하는 공정과,After the step of forming the non-adhesive film, attaching the die-bonding film to one side of the non-adhesive film so that the peeling force from the non-adhesive film of the die-bonding film is in the range of 1 N / m to 15 N / m, 상기 다이본딩 필름을 첩부한 후에, 상기 비점착 필름의 다른쪽 면에 다이싱 필름을 첩부하는 공정을 구비하는, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 제조 방법.After affixing the said die-bonding film, the manufacturing method of the dicing die-bonding tape provided with the process of sticking a dicing film to the other surface of the said non-adhesion film. 제1항에 있어서, 상기 비점착 필름의 파단점에서의 신도가 5 내지 100％의 범위 내에 있는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 제조 방법. The method for producing a dicing die-bonding tape according to claim 1, wherein the elongation at the breaking point of the non-adhesive film is within a range of 5 to 100%. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비점착 필름의 상기 다이본딩 필름이 첩부된 면의 표면 에너지가 40 N/m 이하인 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 제조 방법.The manufacturing method of the dicing die-bonding tape of Claim 1 or 2 whose surface energy of the surface on which the said die-bonding film of the said non-adhesion film was affixed was 40 N / m or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비점착 필름의 상기 다이본딩 필름이 첩부된 면이 이형 처리되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 제조 방법.The surface on which the said die-bonding film of the said non-adhesion film affixed was not mold-released, The manufacturing method of the dicing die-bonding tape of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (메트)아크릴산에스테르 중합체의 산가가 2 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 제조 방법.The acid value of the said (meth) acrylic acid ester polymer is 2 or less, The manufacturing method of the dicing die-bonding tape of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (메트)아크릴산에스테르 중합체가 아크릴산부틸과 아크릴산에틸 중의 적어도 한쪽을 중합시켜 얻어진 (메트)아크릴산에스테르 중합체인 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 제조 방법.The method for producing a dicing die-bonding tape according to claim 1 or 2, wherein the (meth) acrylic acid ester polymer is a (meth) acrylic acid ester polymer obtained by polymerizing at least one of butyl acrylate and ethyl acrylate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 다이본딩 필름은 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 제조 방법.The method for producing a dicing die bonding tape according to claim 1 or 2, wherein the die bonding film is made of a thermosetting resin composition. 제7항에 있어서, 상기 다이본딩 필름의 열 경화전의 23 ℃에서의 저장 탄성률이 106 내지 1O9 Pa의 범위에 있는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 제조 방법. The method of claim 7, wherein the dicing and die bonding process for producing a tape is in a range of the die-bonding film 23 ℃ thermosetting storage modulus is from 6 to 10 9 Pa at 1O before the. 제7항에 있어서, 상기 다이본딩 필름이 에폭시 수지와, 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 고분자 중합체와, 열 경화제를 포함하는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 제조 방법.The manufacturing method of the dicing die-bonding tape of Claim 7 in which the said die-bonding film contains an epoxy resin, the high molecular polymer which has a functional group which reacts with an epoxy group, and a thermosetting agent. 제9항에 있어서, 상기 다이본딩 필름이 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 상기 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 고분자 중합체를 10 내지 100 중량부의 비율로 포함하는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 제조 방법. The manufacturing method of the dicing die-bonding tape of Claim 9 in which the said die-bonding film contains the polymer polymer which has a functional group which reacts with the said epoxy group with respect to 100 weight part of said epoxy resins at a ratio of 10-100 weight part. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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