JP6107230B2 - Dicing film - Google Patents
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Description
本発明は、ダイシングフィルムに関するものである。 The present invention relates to a dicing film.
半導体装置を製造する工程において、半導体ウェハやパッケージ等の半導体部材を切断する際にダイシングフィルムが用いられている。ダイシングフィルムとは、半導体部材を貼り付け、ダイシング（切断、個片化）し、さらに当該ダイシングフィルムのエキスパンディング等を行い、次いで切断された前記半導体部材をピックアップするために用いられるものである。 In the process of manufacturing a semiconductor device, a dicing film is used when cutting a semiconductor member such as a semiconductor wafer or a package. The dicing film is used for attaching a semiconductor member, dicing (cutting, dividing into pieces), further expanding the dicing film, and then picking up the cut semiconductor member.
一般にダイシングフィルムは、基材フィルムと、粘着剤層とで構成されている。従来、基材フィルムとしてはポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂フィルムが多く用いられていた。しかしながら、ＰＶＣ樹脂フィルムに含有される可塑剤の付着による半導体部材の汚染防止や、環境問題に対する意識の高まりから、最近ではオレフィン系樹脂並びに、エチレンビニルアルコール系樹脂およびエチレンメタクリル酸アクリレート系樹脂等の非ＰＶＣ樹脂系材料を用いた基材フィルムが開発されている（例えば特許文献１参照）。 Generally, the dicing film is composed of a base film and an adhesive layer. Conventionally, a polyvinyl chloride (PVC) resin film has been often used as a base film. However, from the prevention of contamination of semiconductor members due to the adhesion of plasticizers contained in PVC resin films and the growing awareness of environmental issues, recently, such as olefin resins, ethylene vinyl alcohol resins and ethylene methacrylate acrylate resins, etc. A base film using a non-PVC resin-based material has been developed (see, for example, Patent Document 1).
近年に見られる半導体部材の小型化・薄型化の動向により、半導体部材の汚染性に関してますます厳しいレベルが要求されている。
半導体基板を切断する際には、回転刃であるダイシングブレードが、目的のライン上を切断する方式がとられているが、半導体ウェハ等を完全に切断するためにダイシングフィルムの一部まで切り込みが発生することになる。このため、ダイシングの際、半導体ウェハ等の切削屑以外にダイシングフィルムの基材フィルム層が基材ヒゲと呼ばれる線状の屑となって半導体素子表面に付着することが半導体素子の汚染の原因となっている。
Due to the trend of miniaturization and thinning of semiconductor members seen in recent years, an increasingly strict level regarding the contamination of semiconductor members is required.
When cutting a semiconductor substrate, a dicing blade, which is a rotary blade, is used to cut the target line, but in order to completely cut a semiconductor wafer, etc., a part of the dicing film can be cut. Will occur. For this reason, during dicing, the substrate film layer of the dicing film becomes linear scraps called substrate whiskers in addition to cutting scraps such as semiconductor wafers, and adheres to the surface of the semiconductor element as a cause of contamination of the semiconductor element. It has become.
また、半導体部材を貼り付けてダイシングした後、半導体部材の間隔を広げるために、ダイシングフィルムのエキスパンディングを行うが、基材に十分な靭性および柔軟性がない場合、エキスパンディング時にダイシングフィルムが破断してしまう不具合が生じることがある。ダイシング時に基材ヒゲを抑制することができ、かつ、エキスパンディング時に基材が破断しないダイシングフィルムが求められている。 Also, after dicing with a semiconductor member attached, dicing film is expanded to widen the gap between the semiconductor members, but if the substrate does not have sufficient toughness and flexibility, the dicing film breaks during expansion May cause problems. There is a need for a dicing film that can suppress substrate whiskers during dicing and that does not break during expansion.
本発明の目的は、半導体製造時のダイシング工程において基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンディング性を有するダイシングフィルムを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a dicing film that has less base whisker generation in a dicing process during semiconductor manufacturing and has suitable expanding properties.
（１）樹脂で構成される基材と、前記基材上に形成される粘着剤層とを有するダイシングフィルムであって、前記基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上であることを特徴とするダイシングフィルム。
（２）前記基材の８０℃における破断伸度が７５０％以下である上記（１）に記載のダイシングフィルム。
（３）前記基材の２３℃における破断伸度が５０％以上である上記（１）または（２）に
記載のダイシングフィルム。
（４）前記基材の厚みが、５０〜２５０μｍである上記（１）ないし（３）いずれかに記載のダイシングフィルム。
（５）前記粘着剤層が、ゴム系、シリコーン系、アクリル系粘着剤のいずれか１つ以上を含むものである上記（１）ないし（４）いずれかに記載のダイシングフィルム。
(1) A dicing film having a base material composed of a resin and an adhesive layer formed on the base material, wherein the melt tension at 200 ° C. of the base material is 80 mN or more. Dicing film.
(2) The dicing film according to the above (1), wherein the elongation at break of the substrate at 80 ° C. is 750% or less.
(3) The dicing film according to (1) or (2), wherein the elongation at break of the substrate at 23 ° C. is 50% or more.
(4) The dicing film according to any one of (1) to (3), wherein the base material has a thickness of 50 to 250 μm.
(5) The dicing film according to any one of (1) to (4), wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains one or more of rubber-based, silicone-based, and acrylic pressure-sensitive adhesives.
本発明によれば、半導体製造時のダイシング工程において基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンディング性を有するダイシングフィルムを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a dicing film that generates less base whiskers in a dicing process during semiconductor manufacturing and has suitable expanding properties.
本発明のダイシングフィルムの一例を、図を参照しながら詳細に説明する。 An example of the dicing film of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
本発明に係るダイシングフィルム１０は、図１に例示するように基材１と粘着剤層２とを有する。 The dicing film 10 according to the present invention includes a base material 1 and an adhesive layer 2 as illustrated in FIG.
以下、ダイシングフィルム１０の各部の構成について順次説明する。 Hereinafter, the structure of each part of the dicing film 10 will be sequentially described.
（基材１）
基材１は、半導体ウェハ等の搬送時に安定させるため、並びにダイシング時に粘着剤層の下層まで切り込みを入れるため、またダイシング後のチップ間隔を広げるためのものである。
ここで、基材１の２００℃における溶融張力は８０ｍＮ以上である。
ダイシング工程において、半導体ウェハ等を切削する際、ダイシングブレードとダイシングフィルムとの間には摩擦熱が発生することがある。そのため、ダイシングブレードとの接触部は、高温に晒され、基材が溶融状態となり、柔らかく伸びやすく、基材由来の切り屑がダイシングブレードの回転に引っ張られ伸長することがダイシング工程で基材ヒゲが発生する一因である。
この点、本発明の基材１は、２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上であることにより、高温状態において柔らかく伸びやすい状態にはなりにくいために、ダイシング工程における基材ヒゲの発生を抑制することができるものである。
基材１の２００℃における溶融張力は８０ｍＮ以上であれば特に限定されないが、１００ｍＮ以上であることが好ましく、１２０ｍＮ以上であることがより好ましい。
(Substrate 1)
The base material 1 is used for stabilizing the semiconductor wafer or the like during transportation, for cutting into the lower layer of the pressure-sensitive adhesive layer during dicing, and for widening the chip interval after dicing.
Here, the melt tension at 200 ° C. of the substrate 1 is 80 mN or more.
In the dicing process, when cutting a semiconductor wafer or the like, frictional heat may be generated between the dicing blade and the dicing film. For this reason, the contact portion with the dicing blade is exposed to a high temperature, the base material is in a molten state, is soft and easily stretched, and the chip derived from the base material is pulled by the rotation of the dicing blade and is extended in the dicing process. This is one of the causes.
In this respect, since the base material 1 of the present invention has a melt tension at 200 ° C. of 80 mN or more, it is difficult to be soft and easily stretched in a high temperature state, so that the occurrence of base whiskers in the dicing process is suppressed. It is something that can be done.
Although it will not specifically limit if the melt tension in 200 degreeC of the base material 1 is 80 mN or more, It is preferable that it is 100 mN or more, and it is more preferable that it is 120 mN or more.
また、基材１は、８０℃における破断伸度が７５０％以下であることが好ましく、６００％以下であることがより好ましく、４００％以下であることがより好ましい。
基材１の８０℃における破断伸度が上限値以下であることにより、ダイシング時に発生する摩擦熱が溶融温度以下の場合においても、基材ヒゲ発生を抑制することができる。
The base material 1 preferably has a breaking elongation at 80 ° C. of 750% or less, more preferably 600% or less, and even more preferably 400% or less.
When the breaking elongation at 80 ° C. of the substrate 1 is not more than the upper limit value, it is possible to suppress the occurrence of substrate whiskers even when the frictional heat generated during dicing is not more than the melting temperature.
また、基材１は、２３℃における破断伸度が５０％以上であることが好ましい。
ダイシングフィルムは、基材に十分な靭性がないと、エキスパンディング時に基材が破断するといった問題が発生する場合があるところ、エキスパンディング工程が行われる常温付近の２３℃における基材１の破断伸度が５０％以上であることにより、エキスパンディング時に基材１が破断し難いものとなる。
基材１の２３℃における破断伸度は、５０％以上であれば特に限定されないが、１００％以上であることが好ましく、２００％以上であることがより好ましい。
The base material 1 preferably has a breaking elongation at 23 ° C. of 50% or more.
In the dicing film, if the base material does not have sufficient toughness, there may occur a problem that the base material breaks at the time of expanding. When the degree is 50% or more, the base material 1 is hardly broken at the time of expanding.
The breaking elongation at 23 ° C. of the substrate 1 is not particularly limited as long as it is 50% or more, but is preferably 100% or more, and more preferably 200% or more.
また、ダイシングブレードとの摩擦熱が、８０℃を超える場合を考慮すれば、基材１は、８０℃を超える温度においても、低い破断伸度を有することが好ましく、例えば１００℃における判断伸度が、６００％以下であることが好ましく、４００％以下であることがより好ましい。
これにより、ダイシング工程おける基材ヒゲの発生をさらに抑制することができる。
In consideration of the case where the frictional heat with the dicing blade exceeds 80 ° C., the base material 1 preferably has a low breaking elongation even at a temperature exceeding 80 ° C., for example, the judged elongation at 100 ° C. However, it is preferable that it is 600% or less, and it is more preferable that it is 400% or less.
Thereby, generation | occurrence | production of the base mustache in a dicing process can further be suppressed.
基材１に含まれる樹脂としては、本発明の効果を損なわないものであれば、特に限定されないが、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の２種以上の混合物、エラストマーとの混合物等が挙げられる。 The resin contained in the substrate 1 is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired. For example, polyolefin resins such as polyvinyl chloride, polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, Ethylene / vinyl acetate copolymer, ionomer, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, olefin copolymer such as ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer, polyalkylene such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate Examples thereof include thermoplastic resins such as terephthalate-based resins, styrene-based thermoplastic elastomers, olefin-based thermoplastic elastomers, polyvinyl isoprene and polycarbonate, mixtures of two or more of these thermoplastic resins, and mixtures with elastomers.
基材１の厚さは、特に限定されないが、５０〜２５０μｍであることが好ましく、７０〜２００μｍであることがより好ましく、８０〜１５０μｍであることがより一層好ましい。
基材１の厚さが前記下限値以上であることにより、エキスパンディング時に基材１がより破断しにくいものとなり、基材１の厚さが前記上限値以下であることにより、コスト面で優れる場合がある。
Although the thickness of the base material 1 is not specifically limited, It is preferable that it is 50-250 micrometers, It is more preferable that it is 70-200 micrometers, It is much more preferable that it is 80-150 micrometers.
When the thickness of the base material 1 is equal to or greater than the lower limit value, the base material 1 is more difficult to break during expanding, and when the thickness of the base material 1 is equal to or less than the upper limit value, the cost is excellent. There is a case.
また基材１は、本発明の効果を損なわない範囲で、目的に合わせて、各種樹脂や添加剤等を添加することができる。例えば、帯電防止性を付与するために、ポリエーテル/ポリオ
レフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤やカーボンブラック等が添加可能な材料として挙げられる。なお、帯電防止効果を付与する場合においては、オレフィン系樹脂との相溶性という観点からは、ポリエーテル/ポリオレフィン共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤が好ましい。
Moreover, the base material 1 can add various resin, an additive, etc. according to the objective in the range which does not impair the effect of this invention. For example, in order to impart antistatic properties, a polymer type antistatic agent such as a polyether / polyolefin block polymer or a polyether ester amide block polymer, carbon black or the like can be added. In the case of imparting an antistatic effect, an ion conductive antistatic agent using a polyether / polyolefin copolymer is preferable from the viewpoint of compatibility with the olefin resin.
尚、溶融張力を上昇させる目的で、高溶融張力ポリオレフィンエラストマ―や、ポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ)系などの改質剤等を添加することができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン系改質剤の場合、ポリテトラフルオロエチレンが有する高結晶性および低分子間力の特徴により、オレフィン系樹脂等への添加することで、ポリテトラフルオロエチレンが繊維状に分散し、疑似３次元ネットワークを形成することにより、基材１の溶融張力の向上に寄与することができる。 For the purpose of increasing the melt tension, a high melt tension polyolefin elastomer, a modifier such as polytetrafluoroethylene (PTFE), or the like can be added. For example, in the case of a polytetrafluoroethylene modifier, due to the high crystallinity and low intermolecular force characteristics of polytetrafluoroethylene, it can be added to an olefin resin to make the polytetrafluoroethylene fibrous. By dispersing and forming a pseudo three-dimensional network, it is possible to contribute to the improvement of the melt tension of the substrate 1.
（粘着剤層２）
図１に例示するように本発明に係るダイシングフィルム１０の基材１上に粘着剤層２が形成されている。粘着剤層２は、ダイシングフィルム１０に被着体を保持する役割を有する。
粘着剤層２に用いられる樹脂組成物としては、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤、紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、イソシアネート系架橋剤等があげられる。これらの中でも半導体部材マウント、端材飛び及びチッピングを抑制するためには、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤のいずれか１つ以上を含むものであることが好ましい。
また、上記アクリル系粘着剤は、極性基を有するものであることがより好ましく、極性基を有するアクリル系粘着剤としては、カルボキシル基含有のアクリル酸ブチル等が挙げられる。
粘着剤層２が極性基を有するアクリル系粘着剤を含むことにより、半導体部材のマウント
時の気泡噛み込みや端材飛び、チッピングの抑制が特に好適なものとなる。
(Adhesive layer 2)
As illustrated in FIG. 1, an adhesive layer 2 is formed on a substrate 1 of a dicing film 10 according to the present invention. The pressure-sensitive adhesive layer 2 has a role of holding the adherend on the dicing film 10.
Examples of the resin composition used for the pressure-sensitive adhesive layer 2 include a rubber-based pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive, an ultraviolet curable urethane acrylate resin, and an isocyanate-based cross-linking agent. Among these, in order to suppress the semiconductor member mount, end material jumping, and chipping, it is preferable to include any one or more of a rubber-based adhesive, a silicone-based adhesive, and an acrylic-based adhesive.
The acrylic pressure-sensitive adhesive preferably has a polar group, and examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive having a polar group include carboxyl group-containing butyl acrylate.
When the pressure-sensitive adhesive layer 2 contains an acrylic pressure-sensitive adhesive having a polar group, it is particularly preferable to suppress bubble biting, end material jumping, and chipping during mounting of the semiconductor member.
粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、ダイシングフィルムの半導体ウェハ切断用では５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
また、パッケージ等の特殊部材切断用としては１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。前記範囲下限値以上とすることにより被着体の保持力に優れ、前記範囲上限値以下とすることによりダイシング時の加工性およびコスト面で優れる場合がある。
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably 3 μm or more and 40 μm or less, and preferably 5 μm or more and 20 μm or less for cutting a semiconductor wafer of a dicing film.
Further, for cutting special members such as packages, it is preferably 10 μm or more and 30 μm or less. By setting it to the range lower limit value or more, the adherend holding force is excellent, and by setting it to the range upper limit value or less, it may be excellent in workability and cost during dicing.
＜ダイシングフィルムの製造方法の一例＞
本発明に係るダイシングフィルム１０の粘着剤層２は基材１、または基材１を含む樹脂フィルムに対して粘着剤層２として用いられる樹脂を適宜溶剤に溶解または分散させて塗工液とし、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法により塗布し、乾燥することにより形成される。
<Example of manufacturing method of dicing film>
The pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing film 10 according to the present invention is a coating liquid by appropriately dissolving or dispersing a resin used as the pressure-sensitive adhesive layer 2 in the base material 1 or the resin film containing the base material 1 in a solvent, It is formed by applying and drying by a known coating method such as roll coating or gravure coating.
本発明に係るダイシングフィルム１０には、本発明の効果を損なわない範囲で目的に応じて他の樹脂層を設けることができる。 The dicing film 10 according to the present invention can be provided with other resin layers depending on the purpose within a range not impairing the effects of the present invention.
本発明を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本発明はこれにより限定されるものではない。 The present invention will be described in more detail by way of examples, but this is merely an example, and the present invention is not limited thereby.
（実施例１）
＜基材の作成＞
基材１を構成する材料として低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９１９ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．２）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備し、タンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度２００℃に調整した２軸混練機で溶融混練、造粒し、樹脂混合物のペレットを得た。
得られたペレットを、ダイス温度２００℃に調整した押出し機でシート状に押し出し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。
Example 1
<Creation of base material>
99 parts by weight of low density polyethylene (LDPE, density 919 kg / m 3 , MFR 1.2) and 1 part by weight of powdered polytetrafluoroethylene (PTFE) are prepared as materials constituting the substrate 1 and premixed with a tumbler mixer Then, the mixture was melt-kneaded and granulated with a biaxial kneader adjusted to a cylinder temperature of 200 ° C. to obtain pellets of a resin mixture.
The obtained pellets were extruded into a sheet with an extruder adjusted to a die temperature of 200 ° C. to obtain a sheet having a thickness of 100 μm. Then, the corona treatment was given to the adhesive coating surface.
＜粘着剤層の作成＞
粘着剤層のベースポリマーとして、アクリル酸２−エチルヘキシルを３０重量部と、酢酸ビニル７０重量部と、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量：３０万）４２重量％を用いた。
<Creation of adhesive layer>
As a base polymer of the pressure-sensitive adhesive layer, a copolymer (weight average) obtained by copolymerizing 30 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 70 parts by weight of vinyl acetate, and 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate. (Molecular weight: 300,000) 42% by weight was used.
粘着剤層の硬化成分として、重量平均分子量が５０００、重合性官能基数が４であるウレタンアクリレートを４７重量％、粘着剤層の光重合開始剤として、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・ジャパン株式会社製）を３重量％準備した。粘着剤層のイソシアネート系架橋剤として、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）を８重量％準備した。 The curing component of the pressure-sensitive adhesive layer is 47% by weight of urethane acrylate having a weight average molecular weight of 5000 and the number of polymerizable functional groups of 4, and the photopolymerization initiator of the pressure-sensitive adhesive layer is 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl. 3% by weight of ethane-1-one (trade name “Irgacure 651”, manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.) was prepared. As an isocyanate-based crosslinking agent for the pressure-sensitive adhesive layer, 8% by weight of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) was prepared.
上記の粘着剤層のベースポリマー、硬化成分、光重合開始剤、架橋剤、さらにその合計の２倍量の酢酸エチルを常温で１５分間撹拌し、混合溶液を作製した。この混合溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材にバーコート塗工した後、８０℃で５分間乾燥させて、所望のダイシングフィルムを得た。 The base polymer, the curing component, the photopolymerization initiator, the cross-linking agent of the above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer, and ethyl acetate twice the total amount thereof were stirred at room temperature for 15 minutes to prepare a mixed solution. This mixed solution was bar-coated on the substrate so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying was 10 μm, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes to obtain a desired dicing film.
（実施例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として
、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２３ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ３．７）９０重量部、スチレン−イソプレン−スチレン・ブロック共重合体（ＳＩＳ，スチレン含有量１２％、ＭＦＲ０．５）１０重量部を準備した。
(Example 2)
A dicing film 10 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. As base materials, 90 parts by weight of low density polyethylene (LDPE, density 923 kg / m 3 , MFR 3.7), 10 parts by weight of styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS, styrene content 12%, MFR 0.5) Prepared.
（実施例３）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２３ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ３．７）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。
(Example 3)
A dicing film 10 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. As base materials, 99 parts by weight of low density polyethylene (LDPE, density 923 kg / m 3 , MFR 3.7) and 1 part by weight of powdered polytetrafluoroethylene (PTFE) were prepared.
（実施例４）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２２ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．０）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。
Example 4
A dicing film 10 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. As base materials, 99 parts by weight of low density polyethylene (LDPE, density 922 kg / m 3 , MFR 2.0) and 1 part by weight of powdered polytetrafluoroethylene (PTFE) were prepared.
（実施例５）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２２ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．０）９８重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）２重量部を準備した。
(Example 5)
A dicing film 10 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. As base materials, 98 parts by weight of low density polyethylene (LDPE, density 922 kg / m 3 , MFR 2.0) and 2 parts by weight of powdered polytetrafluoroethylene (PTFE) were prepared.
（参考例６）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、ポリプロピレン（ＰＰ、密度９１０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．４）６０重量部、スチレン−イソプレン−スチレン・ブロック共重合体（ＳＩＳ、スチレン含有量１２％、ＭＦＲ０．５）４０重量部を準備した。
( Reference Example 6)
A dicing film 10 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. As base materials, 60 parts by weight of polypropylene (PP, density 910 kg / m 3, MFR 2.4) and 40 parts by weight of styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS, styrene content 12%, MFR 0.5) were prepared. .
（実施例７）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、ポリプロピレン（ＰＰ、密度９１０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．４）５９重量部、スチレン−イソプレン−スチレン・ブロック共重合体（ＳＩＳ、スチレン含有量１２％、ＭＦＲ０．５）４０重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。
(Example 7)
A dicing film 10 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. As a base material, polypropylene (PP, density 910 kg / m3, MFR 2.4) 59 parts by weight, styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS, styrene content 12%, MFR 0.5) 40 parts by weight, powdery 1 part by weight of polytetrafluoroethylene (PTFE) was prepared.
（比較例１）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ、密度９５４ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．４、商品名「サンテックＢ１６１」、旭化成ケミカルズ株式会社製）を準備し、ダイス温度２００℃に調整した押出し機にてシート状に押し出し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。
(Comparative Example 1)
A dicing film 10 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. As a base material, high density polyethylene (HDPE, density 954 kg / m 3 , MFR1.4, trade name “Suntech B161”, manufactured by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.) is prepared, and in a sheet form with an extruder adjusted to a die temperature of 200 ° C. And a sheet having a thickness of 100 μm was obtained. Then, the corona treatment was given to the adhesive coating surface.
（比較例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ、密度９１９ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．０、商品名「ウルトゼックス２０２２Ｌ」、株式会社プライムポリマー製）を準備し、ダイス温度２００℃に調整した押出し機にてシート状に押し出し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。
(Comparative Example 2)
A dicing film 10 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. Extruder prepared by preparing a linear low density polyethylene (LLDPE, density 919 kg / m 3 , MFR 2.0, trade name “Ultzex 2022L”, manufactured by Prime Polymer Co., Ltd.) as a base material and adjusting the die temperature to 200 ° C. To give a sheet having a thickness of 100 μm. Then, the corona treatment was given to the adhesive coating surface.
（比較例３）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、ポリプロピレン（ＰＰ、密度９１９ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．５）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。
(Comparative Example 3)
A dicing film 10 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. As base materials, 99 parts by weight of polypropylene (PP, density 919 kg / m 3 , MFR 2.5) and 1 part by weight of powdered polytetrafluoroethylene (PTFE) were prepared.
＜溶融張力の測定＞
溶融張力は上記で準備した混練後のペレットをサンプルとして、炉体径９．５５ｍｍ、キャピラリー長１０ｍｍ、キャピラリー径１ｍｍの毛管粘度計（商品名「キャピログラフ１Ｃ」、東洋精機製作所製）を用いて測定した。溶融張力は、炉内温度を２００℃、ピストンスピードを１０ｍｍ／ｍｉｎ、引取速度を５ｍ／ｍｉｎに設定し、引き取りに必要な荷重（ｍＮ）を溶融張力とした。
<Measurement of melt tension>
Melt tension was measured using a kneaded pellet prepared above as a sample and a capillary viscometer (trade name “Capillograph 1C”, manufactured by Toyo Seiki Seisakusho) with a furnace body diameter of 9.55 mm, a capillary length of 10 mm, and a capillary diameter of 1 mm. did. As for the melt tension, the furnace temperature was set to 200 ° C., the piston speed was set to 10 mm / min, the take-up speed was set to 5 m / min, and the load (mN) required for take-up was taken as the melt tension.
＜破断伸度（２３℃）の測定＞
２３℃における破断伸度は、２３℃環境下において、ＪＩＳＫ６７３４に準拠し、テンシロン万能試験機を用いて、ＭＤ方向、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎにて測定した。
<Measurement of elongation at break (23 ° C.)>
The breaking elongation at 23 ° C. was measured in the MD direction and the tensile speed of 200 mm / min using a Tensilon universal testing machine in accordance with JISK6734 in a 23 ° C. environment.
＜破断伸度（８０℃）の測定＞
８０℃における破断伸度は、８０℃環境下において、６ｍｍ幅、５０ｍｍ長さの短冊状サンプルを準備し、テンシロン万能試験機を用いて、ＭＤ方向、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎにて測定した。
<Measurement of elongation at break (80 ° C.)>
The breaking elongation at 80 ° C. was measured in a MD direction and a tensile speed of 200 mm / min using a Tensilon universal testing machine by preparing a strip sample having a width of 6 mm and a length of 50 mm in an 80 ° C. environment.
＜基材ヒゲ評価＞
作製したダイシングフィルムに、４インチサイズのシリコンウェハ（厚み２００μｍ）を貼り付け、ダイシングソー（商品名「ＤＡＤ３３５０」、株式会社ディスコ製）を用いて下記条件でダイシングを行った後、シリコンウェハ表面の観察を行い、カットラインから出てくる長さ１００μｍ以上の基材ヒゲの数をカウントした。
判定基準
◎ ： ０〜５本
○ ： ６−１０本
× ： １１本以上
<Base material beard evaluation>
A 4-inch silicon wafer (thickness: 200 μm) was attached to the produced dicing film, and dicing was performed using a dicing saw (trade name “DAD3350”, manufactured by DISCO Corporation) under the following conditions. Observation was performed, and the number of substrate whiskers having a length of 100 μm or more coming out from the cut line was counted.
Judgment criteria ◎: 0 to 5 ○: 6-10 ×: 11 or more
＜ダイシング条件＞
ブレード 「ＮＢＣ−ＺＨ２０５０ ２７ＨＥＤＤ」、株式会社ディスコ製
ブレード回転数 ５５，０００ｒｐｍ
カット速度 ５０ｍｍ／ｓｅｃ
切込量 ダイシングフィルム表面から３０μｍ
カットサイズ ３ｍｍ×３ｍｍ
ブレードクーラー ２Ｌ／ｍｉｎ
<Dicing conditions>
Blade "NBC-ZH2050 27HEDD", DISCO blade rotation speed 55,000rpm
Cutting speed 50mm / sec
Cutting depth 30μm from dicing film surface
Cut size 3mm x 3mm
Blade cooler 2L / min
本発明のダイシングフィルムはダイシング時の基材ヒゲの発生が少なく、ダイシングフィルムとして好適な強度と良好な外観を有するため半導体装置製造のダイシング工程において半導体部材固定用のフィルムとして好適に用いることができる。 Since the dicing film of the present invention has less generation of substrate whisker during dicing and has a suitable strength and good appearance as a dicing film, it can be suitably used as a film for fixing a semiconductor member in a dicing process of manufacturing a semiconductor device. .
１・・・基材
２・・・粘着剤層
１０・・・ダイシングフィルム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material 2 ... Adhesive layer 10 ... Dicing film
Claims (3)
前記基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上であり、
前記基材の８０℃における破断伸度が７５０％以下であり、
前記基材の２３℃における破断伸度が５５０％以上である
ことを特徴とするダイシングフィルム。 A dicing film having a base made of resin and an adhesive layer formed on the base,
Ri der melt tension than 80mN at 200 ° C. of the substrate,
The elongation at break of the substrate at 80 ° C. is 750% or less,
A dicing film, wherein the base material has a breaking elongation at 23C of 550% or more .
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