KR20100022019A

KR20100022019A - 수지 조성물, 수지 스페이서용 필름 및 반도체 장치

Info

Publication number: KR20100022019A
Application number: KR1020097024448A
Authority: KR
Inventors: 도요세이 다카하시; 리에 다카야마
Original assignee: 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2007-05-25
Filing date: 2008-05-23
Publication date: 2010-02-26
Also published as: WO2008146723A1; JP4959627B2; EP2154205A4; CN101679758A; TW200912527A; US20100164126A1; JP2009293010A; EP2154205A1; JP2009015309A

Abstract

본 발명의 수지 조성물은 기판과 반도체소자 사이에 공극부를 형성하기 위한 수지 스페이서로 이용하기 위한 수지 조성물로서, 상기 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지와, 광중합성 수지와, 광중합 개시제와, 입자상 충전재를 포함하고, 상기 충전재의 평균 입경이 0.05∼0.35㎛ 이하이며, 상기 충전재의 함유량이 1∼40중량%이다. 또, 본 발명의 수지 스페이서용 필름은 상기에 기재된 수지 조성물로 구성되어 있다.

Description

수지 조성물, 수지 스페이서용 필름 및 반도체 장치{RESIN COMPOSITION, RESIN SPACER FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 수지 조성물, 수지 스페이서용 필름 및 반도체 장치에 관한 것이다.

근래, 반도체 웨이퍼 등에 감광성 필름을 접착하고 노광, 현상에 의해 패턴을 형성한 후, 유리 등의 투명 기판과 압착할 수 있는 감광성 필름에 대한 요구가 있다(예를 들면, 특허문헌 1: 일본 특개2006-323089호 공보 참조). 이와 같은 감광성 필름을 이용했을 경우, 패터닝 후의 감광성 필름은 반도체 웨이퍼와 투명 기판 사이의 스페이서 작용을 갖게 된다.

이 스페이서용 수지 조성물에는 포토리소그래피법에 의해 패터닝할 수 있는 것에 더하여 스페이서로서 형상 유지가 가능한 것이 요구되고 있다.

또, 상술한 것처럼 스페이서용 수지 조성물은 노광, 현상 공정을 거치기 때문에, 뛰어난 현상성도 요구되고 있다.

발명의 개시

본 발명의 목적은 수지 스페이서로서의 형상 유지 기능이 뛰어나고, 또한 현상성도 뛰어난 수지 조성물 및 그것을 이용한 수지 스페이서용 필름을 제공하는 것에 있다.

또, 본 발명의 목적은 반도체소자와 기판이 상기 수지 조성물의 경화물로 구성되는 수지 스페이서를 통해 접합되어 있는 반도체 장치를 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 하기 [1]∼[6]에 기재된 본 발명은,

[1] 기판과 반도체소자 사이에 공극부를 형성하기 위한 수지 스페이서로 이용하기 위한 수지 조성물로서, 상기 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지와, 광중합성 수지와, 입자상 충전재를 포함하고, 상기 충전재의 평균 입경이 0.05∼0.35 ㎛이며, 상기 충전재의 함유량이 1∼40 중량%인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.

[2] 상기 충전재는 실리카를 포함하는 것인 상기 [1]에 기재된 수지 조성물.

[3] 상기 수지 조성물이 추가로 상기 알칼리 가용성 수지와는 상이한 열경화성 수지를 포함하는 것인 상기 [1]에 기재된 수지 조성물.

[4] 상기 [1]에 기재된 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 스페이서용 필름.

[5] 하기 조건 (1)∼(3)으로 측정할 때의 상기 수지 스페이서용 필름의 탄성률이 500 Pa 이상인 상기 [4]에 기재된 수지 스페이서용 필름.

(1) 수지 스페이서용 필름의 두께: 100 ㎛

(2) 700(mJ/㎠)으로 자외선을 조사한 후의 수지 스페이서용 필름

(3) 측정 온도: 130℃

[6] 기판과 반도체소자가 상기 [1]에 기재된 수지 조성물의 경화물로 구성되는 수지 스페이서를 통해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.

발명을 실시하기 위한 바람직한 형태

이하, 본 발명의 수지 조성물, 수지 스페이서용 필름 및 반도체 장치에 대해 상세히 설명한다.

본 발명의 수지 조성물은 기판과 반도체소자의 사이에 공극부를 형성하기 위한 수지 스페이서로 이용하기 위한 수지 조성물로서, 상기 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지와, 광중합성 수지와, 광중합 개시제와, 입자상 충전재를 포함하고, 상기 충전재의 평균 입경이 0.05∼0.35 ㎛ 이하이며, 상기 충전재의 함유량이1∼40 중량%인 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 수지 스페이서용 필름은 상기에 기재된 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 반도체 장치는 기판과 반도체소자가 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물로 구성되는 수지 스페이서를 통해 접합되어 있는 것을 특징으로 한다.

우선, 수지 조성물 및 수지 스페이서용 필름에 대해 설명한다.

본 발명의 수지 조성물은 도 1에 나타내는 반도체 장치(100)의 기판(1)과 반도체소자(2) 사이에 공극부(3)를 형성하기 위한 수지 스페이서(4)로 이용하기 위한 것이다.

이와 같은 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지와, 광중합성 수지와, 입자상 충전재를 포함하고, 상기 충전재의 평균 입경이 0.05∼0.35 ㎛ 이하이며, 상기 충전재의 함유량이 1∼40 중량%인 것을 특징으로 한다. 이것에 의해 수지 스페이서(4)의 형상 유지성이 뛰어나고, 또한 현상성(특히, 현상 처리 후의 잔사를 저감)이 뛰어나다.

상기 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지를 포함한다. 이것에 의해 알칼리 현상이 가능해진다. 상기 알칼리 가용성 수지로는, 예를 들면 크레졸형, 페놀형, 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 카테콜형, 레졸시놀형, 피로가롤형 등의 노볼락 수지, 페놀 아랄킬 수지, 히드록시 스티렌 수지, 메타크릴산 수지, 메타크릴산 에스테르 수지 등의 아크릴계 수지, 수산기, 카르복시기 등을 포함하는 환상 올레핀계 수지, 폴리아미드계 수지(구체적으로는, 폴리벤조옥사졸 구조 및 폴리이미드 구조의 적어도 한쪽을 갖고, 또한 주쇄 또는 측쇄에 수산기, 카르복시기, 에테르기 또는 에스테르기를 갖는 수지, 폴리벤조옥사졸 전구체 구조를 갖는 수지, 폴리이미드 전구체 구조를 갖는 수지, 폴리아미드산 에스테르 구조를 갖는 수지 등) 등을 들 수 있다.

또, 상기 알칼리 가용성 수지로는, 보다 바람직하게는 알칼리 가용성기 및 이중 결합을 갖는 수지를 들 수 있다.

상기 알칼리 가용성기 및 이중 결합을 갖는 수지로는, 예를 들면 광 및 열의 양쪽으로 경화 가능한 경화성 수지를 들 수 있다.

상기 알칼리 가용성기로는, 예를 들면 수산기, 카르복시기 등을 들 수 있다. 이 알칼리 가용성기는 열경화 반응에 기여할 수도 있다.

이와 같은 수지로는, 예를 들면 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기 등의 광반응기를 갖는 열경화성 수지나, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 카르복시기, 산무수물기 등의 열반응기를 갖는 광경화성 수지 등을 들 수 있다. 또한, 광경화성 수지는 추가로 에폭시기, 아미노기, 시아네이트기 등의 열반응기를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, (메타)아크릴 변성 페놀 수지, (메타)아크릴로일기 함유 아크릴산 중합체, 카르복시기 함유 (에폭시)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 카르복시기 함유 아크릴 수지와 같은 열가소성 수지여도 상관없다.

이들 중에서도 (메타)아크릴 변성 페놀 수지가 바람직하다. 알칼리 가용성기를 포함하는 수지를 이용함으로써, 현상 처리 시에 이중 결합 부분이 미반응인 수지를 제거할 때에, 현상액으로 통상 이용되는 유기용제 대신에 환경에 대한 부하가 보다 적은 알칼리 수용액을 적용할 수 있는 동시에, 이중 결합 부분이 경화 반응에 기여하는 것으로부터 수지 조성물의 내열성을 유지할 수 있다.

여기서, 광반응기를 갖는 열경화성 수지를 이용하는 경우, 상기 광반응기의 변성율(치환율)은 특별히 한정되지 않지만, 상기 알칼리 가용성기 및 이중 결합을 갖는 수지의 반응기 전체의 20∼80%가 바람직하고, 특히 30∼70%가 바람직하다. 광반응기의 변성량을 상기 범위로 함으로써, 특히 해상성이 뛰어난 수지 조성물을 제공할 수 있다.

한편, 열반응기를 갖는 광경화성 수지를 이용하는 경우, 상기 열반응기의 변성율(치환율)은 특별히 한정되지 않지만, 상기 알칼리 가용성기 및 이중 결합을 갖는 수지의 반응기 전체의 20∼80%가 바람직하고, 특히 30∼70%가 바람직하다. 열반응기의 변성량을 상기 범위로 함으로써, 특히 해상성이 뛰어난 수지 조성물을 제공할 수 있다.

상기 알칼리 가용성기 및 이중 결합을 갖는 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 30,000 이하인 것이 바람직하고, 특히 5,000∼150,000이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면 수지 스페이서용 필름의 제막성이 특히 뛰어나다.

여기서, 중량 평균 분자량은, 예를 들면 G.P.C.를 이용하여 평가할 수 있고, 미리 스티렌 표준 물질을 이용하여 작성된 검량선에 의해 중량 평균 분자량을 산출할 수 있다. 또한, 측정 용매로 테트라히드로푸란(THF)을 이용하여 40℃의 온도 조건 하에서 측정하였다.

여기서, 알칼리 가용성 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 상기 수지 조성물 전체의 15∼50 중량%가 바람직하고, 특히 20∼40 중량%가 바람직하다. 특히, 수지 조성물의 수지 성분(충전재를 제외한 전부의 성분) 중에서 10∼80 중량%, 바람직하게는 15∼70 중량%라도 된다. 알칼리 가용성 수지의 함유량이 상기 하한값 미만이면 광경화성 수지 및 열경화성 수지와의 상용성을 향상시키는 효과가 저하되는 경우가 있고, 상기 상한값를 초과하면 현상성 또는 포토리소그래피 기술에 의한 접착층의 패터닝의 해상성이 저하하는 경우가 있다. 알칼리 가용성 수지의 함유량 또는 수지 조성물 중의 액상 성분량을 상기의 범위로 함으로써, 포토리소그래피법에 의해 수지를 패터닝한 후 열압착할 수 있다는 기능을 가질 수 있다.

상기 수지 조성물은 광중합성 수지를 포함한다. 이것에 의해 전술한 알칼리 가용성 수지와 함께 패터닝성을 보다 향상시킬 수 있다.

상기 광중합성 수지로는, 예를 들면 불포화 폴리에스테르, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 1분자 중에 적어도 1개 이상 갖는 아크릴계 모노머나 올리고머 등의 아크릴계 화합물, 스티렌 등의 비닐계 화합물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 이용하는 것도 가능하고, 또 2 종류 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다.

이들 중에서도 아크릴계 화합물을 주성분으로 하는 자외선 경화성 수지가 바람직하다. 아크릴계 화합물은 광을 조사했을 때의 경화 속도가 빠르고, 이것에 의해 비교적 소량의 노광량으로 수지를 패터닝할 수 있기 때문이다.

상기 아크릴계 화합물로는 아크릴산 에스테르 혹은 메타크릴산 에스테르의 모노머 등을 들 수 있고, 구체적으로는 디아크릴산 에틸렌글리콜, 디메타크릴산 에틸렌글리콜, 디아크릴산 1,6-헥산디올, 디메타크릴산 1,6-헥산디올, 디아크릴산 글리세린, 디메타크릴산 글리세린, 디아크릴산 1,10-데칸디올, 디메타크릴산 1,10-데칸디올 등의 2 관능 아크릴레이트, 트리아크릴산 트리메티롤프로판, 트리메타크릴산 트리메티롤프로판, 트리아크릴산 펜타에리트리톨, 트리메타크릴산 펜타에리트리톨, 헥사아크릴산 디펜타에리트리톨, 헥사메타크릴산 디펜타에리트리톨 등의 다관능 아크릴레이트 등을 들 수 있다.

이들 중에서도 (메타)아크릴산 에스테르가 바람직하고, 특히 바람직하게는 에스테르 부위의 탄소수가 1∼15인 아크릴산 에스테르 또는 메타크릴산 알킬 에스테르가 바람직하다. 이것에 의해 반응성을 향상시킬 수 있고, 그것에 따라 감도가 향상된다.

또, 상기 광중합성 수지는 특별히 한정되지 않지만, 상온에서 액상인 것이 바람직하다. 이것에 의해 자외선에 의한 경화 반응성을 향상시킬 수 있다. 또, 다른 배합 성분(예를 들면, 알칼리 가용성 수지)과의 혼합 작업을 용이하게 할 수 있다. 상온에서 액상인 광중합성 수지로는 전술한 아크릴 화합물을 주성분으로 하는 자외선 경화성 수지 등을 들 수 있다.

상기 광중합성 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 5,000 이하인 것이 바람직하고, 특히 150∼3,000이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면 수지 스페이서용 필름의 감도가 특별히 뛰어나다. 또한, 수지 스페이서용 필름의 해상성도 뛰어나다.

여기서, 중량 평균 분자량은, 예를 들면 G.P.C.를 이용해 평가할 수 있고, 미리 스티렌 표준 물질을 이용하여 작성된 검량선에 의해 중량 평균 분자량을 산출할 수 있다. 또한, 측정 용매로 테트라히드로푸란(THF)을 이용하여 40℃의 온도 조건 하에서 측정하였다.

여기서, 상기 광중합성 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 상기 수지 조성물 전체의 5∼60 중량%가 바람직하고, 특히 8∼30 중량%가 바람직하다. 특히, 수지 조성물의 수지 성분(충전재를 제외한 전부의 성분) 중에서 9 중량% 이상, 바람직하게는 13 중량% 이상인 것이 바람직하다.

상기 광중합성 수지의 함유량이 상기 상한값을 초과하면 수지 조성물의 내열성이 손상되는 경우가 있다. 또, 상기 광중합성 수지의 함유량이 상기 하한값 미만이면 가요성이 손상되는 경우가 있고, 또 광(예를 들면, 자외선) 조사에 의한 수지의 패터닝을 충분히 수행할 수 없는 경우가 생길 우려가 있다. 따라서, 상기 광중합성 수지의 함유량을 상기 범위로 함으로써 양자의 밸런스가 뛰어나, 예를 들면 내열성, 가요성의 밸런스를 해치지 않고, 특히 접착 필름에 적용했을 때의 보호 필름 등에 대한 박리성이 양호한 수지 조성물을 제공할 수 있다.

상기 수지 조성물은 입자상 충전재를 포함하고, 상기 충전재의 평균 입경이 0.05∼0.35 ㎛이며, 또한 상기 충전재의 함유량이 1∼40 중량%인 것을 특징으로 한다. 이것에 의해 현상 처리 후의 잔사를 저감할 수 있고, 또한 수지 스페이서의 형상 유지성도 뛰어나, 현상성과 형상 유지성의 밸런스가 특히 뛰어나게 된다.

이와 같은 입자상 충전재로는, 예를 들면 페놀 수지, 아크릴 수지, 폴리아미드, 폴리술폰, 폴리스티렌, 불소 수지 등의 미립자 등의 유기 충전재, 후술하는 무기 충전재를 들 수 있다. 이들 중에서도 무기 충전재가 바람직하다. 이것에 의해 내열성, 치수 안정성, 내습성 등을 향상시킬 수 있다. 또, 접착 필름으로 이용했을 경우의 보호 필름에 대한 박리성을 향상시킬 수 있다.

이와 같은 무기 충전재로는, 예를 들면 탈크, 소성 클레이, 미소성 클레이, 마이카, 유리 등의 규산염, 산화티탄, 알루미나, 용융 실리카(용융 구상 실리카, 용융 파쇄 실리카), 결정 실리카 등의 실리카 분말 등의 산화물, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 하이드로탈사이트 등의 탄산염, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘 등의 수산화물, 황산바륨, 황산칼슘, 아황산칼슘 등의 황산염 또는 아황산염, 붕산아연, 메타붕산바륨, 붕산알루미늄, 붕산칼슘, 붕산나트륨 등의 붕산염, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화규소 등의 질화물 등을 들 수 있다. 이들 무기 충전재는 단독으로도, 혼합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도 용융 실리카, 결정 실리카 등의 실리카 분말이 바람직하고, 특히 구상 용융 실리카가 바람직하다.

이 입자상 충전재의 평균 입경은 0.05∼0.35 ㎛이다. 이것에 의해 현상 처리 후의 잔사를 저감하는 효과가 뛰어나다. 충전재의 평균 입경이 상기 상한값를 초과하면 현상 처리 후의 잔액을 저감하는 효과가 저하하는 경우가 있고, 평균 입경이 상기 하한값 미만이면 작업성이 저하하는 경우가 있다.

상기 입자상 충전재의 평균 입경은, 보다 구체적으로는 0.1∼0.3 ㎛인 것이 바람직하고, 특히는 0.1∼0.25 ㎛인 것이 바람직하다. 이것에 의해 잔사를 저감할 수 있는 것에 더하여 스페이서용 필름으로 했을 경우의 인식성(시인성)을 향상시킬 수 있다.

여기서, 충전재의 평균 입경은 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(SALD-7000)를 이용하여 수중에 충전재를 분산시켜 측정을 수행하였다. 측정 시에는 초음파 처리를 1분간 실시한 후에 측정을 개시하였다.

또, 이 입자상 충전재의 함유량은 상기 수지 조성물 전체의 1∼40 중량%이다. 이것에 의해 기판과 반도체소자 사이의 공극을 유지하는 형상 유지성이 뛰어나다. 상기 함유량이 상기 상한값를 초과하면 현상 처리 후의 잔액을 저감하는 효과가 저하하는 경우가 있고, 상기 하한값 미만이면 형상 유지성이 저하하는 경우가 있다.

상기 입자상 충전재의 함유량은, 보다 구체적으로는 상기 수지 조성물 전체의 3∼38 중량%인 것이 바람직하고, 특히 5∼35 중량%인 것이 바람직하다.

상기 수지 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 상술한 알칼리 가용성 수지, 광중합성 수지 및 입자상 충전재 이외에 열경화성 수지, 경화제(감광제), 자외선 흡수제, 레벨링제 등을 포함하고 있는 것이 바람직하다.

상기 열경화성 수지(상기 알칼리 가용성 수지와는 수지 구조가 상이한 열경화성 수지)는, 예를 들면 수지 스페이서용 필름의 내열성을 향상하는 기능을 부여할 수 있다.

상기 열경화성 수지로는, 예를 들면 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸페놀 수지 등의 페놀 수지,비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 트리아진 핵 함유 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지, 우레아(요소) 수지, 멜라민 수지 등의 트리아진환을 갖는 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 비스말레이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 디알릴 프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 벤조옥사진환을 갖는 수지, 시아네이트에스테르 수지 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로도, 혼합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이것에 의해 내열성 및 밀착성을 보다 향상할 수 있다.

또, 추가로 상기 에폭시 수지로 실리콘 변성 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 실온에서 고형인 에폭시 수지(특히, 비스페놀형 에폭시 수지)와 실온에서 액상인 에폭시 수지(특히, 실온에서 액상인 실리콘 변성 에폭시 수지)를 병용하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 내열성을 유지하면서, 가요성과 해상성의 양쪽이 뛰어난 수지 조성물로 할 수 있다.

상기 열경화성 수지의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 상기 수지 조성물 전체의 10∼40 중량%가 바람직하고, 특히 15∼35 중량%가 바람직하다. 함유량이 상기 하한값 미만이면 내열성을 향상시키는 효과가 저하하는 경우가 있고, 상기 상한값를 초과하면 수지 조성물의 인성을 향상시키는 효과가 저하하는 경우가 있다.

상기 경화제(감광제)는 광중합에 의해 수지 스페이서용 필름을 효율적으로 패터닝할 수 있는 기능을 부여할 수 있다.

상기 경화제(감광제)로는 상기 알칼리 가용성 수지 및 광중합성 수지를 경화시키는 것이면 특별히 한정되지 않는다.

이와 같은 경화제(감광제)로는, 예를 들면 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인이소부틸 에테르, 벤조인 벤조산 메틸, 벤조인 벤조산, 벤조인메틸 에테르, 벤질페닐설파이드, 벤질, 디벤질, 디아세틸 등을 들 수 있다.

이 경화제(감광제)의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 상기 수지 조성물 전체의 0.5∼5 중량%가 바람직하고, 특히 0.8∼2.5 중량%가 바람직하다. 경화제(감광제)의 함유량이 상기 하한값 미만이면 광중합을 개시하는 효과가 저하되는 경우가 있고, 상기 상한값을 초과하면 반응성이 너무 높아져 사용 전에 있어서의 수지 조성물의 보존성이나 상기 패터닝 후의 해상성이 저하하는 경우가 있다. 따라서, 경화제(감광제)를 상기의 범위로 함으로써, 양자의 밸런스가 뛰어난 수지 조성물을 제공할 수 있다.

이와 같은 수지 조성물을 적당한 유기용제(예를 들면, N-메틸-2-피롤리돈, 아니솔, 메틸에틸 케톤, 톨루엔, 아세트산 에틸 등) 중에 혼합하고, 예를 들면 지지 필름 등에 도포·건조하여 수지 스페이서용 필름을 얻을 수 있다.

상기 수지 스페이서용 필름의 두께는 요구되는 수지 스페이서의 두께와 거의 동일하고 특별히 한정되지 않지만, 20∼150 ㎛인 것이 바람직하고, 특히 30∼80 ㎛인 것이 바람직하다. 두께를 상기 범위 내로 함으로써, 수광부를 갖는 반도체 장치에 수지 스페이서를 적용했을 경우에 수광부와 기판의 거리를 떼어 놓을 수 있다. 그것에 의해 초점을 옮길 수 있으므로, 기판 상에 먼지 등이 부착했을 경우의 영향을 작게 할 수 있다.

또, 이와 같은 수지 스페이서용 필름은 다음의 요건을 만족하는 것이 바람직하다. 즉, 하기 조건 (1)∼(3)으로 측정할 때의 상기 수지 스페이서용 필름의 탄성률이 500 Pa 이상인 것이 바람직하고, 1,000 Pa 이상인 것이 특히 바람직하며, 5,000 Pa 이상인 것이 가장 바람직하다. 상기 탄성률이 상기 하한값 이상이면 수지 스페이서의 형상 유지성이 특히 뛰어나다. 상기 탄성률의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 200,000 Pa 이하인 것이 바람직하고, 특히 150,000 Pa 이하인 것이 바람직하다. 탄성률의 상한이 상기 범위를 초과하면 응력 완화가 충분히 되지 않아 신뢰성이 저하하는 경우가 있다.

(1) 수지 스페이서용 필름의 두께: 100 ㎛

(3) 측정 온도: 130℃

여기서, 상기 탄성률은, 예를 들면 동적 점탄성 측정 장치 Rheo Stress RS150(HAAKE사제)으로 평가할 수 있다. 구체적으로는, 250 ㎜×200 ㎜ 크기의 폴리에스테르 필름 상에 막 두께 50 ㎛의 수지층(전술한 수지 조성물로 구성되는 수지층)을 형성한 후, 30 ㎜×30 ㎜ 크기로 절단한 샘플을 3매 준비한다. 상기 각 샘플에 수은 램프를 이용해 광조사하여 수지층을 광경화한다. 노광량은 파장 365 ㎚의 광으로 700 mJ/㎠로 한다. 다음에, 폴리에스테르 필름으로부터 수지층을 박리하고, 3매 겹쳐 상술한 동적 점탄성 측정 장치에 세팅한다. 여기서, 샘플을 세팅하는 콘 플레이트 사이의 간극을 100 ㎛로 하였다(상술한 수지층을 3매 겹치고, 플레이트 사이를 눌러 100 ㎛로 하였다). 측정 조건은 주파수 1 Hz, 승온 속도 10℃/분에서 온도 범위를 실온∼250℃로 하였다.

여기서, 상기 탄성률은 기판을 압착하는 온도에서의 탄성률을 평가하는 것이 바람직하고, 그것은 일반적으로 80∼180℃의 온도 범위이다. 따라서, 상기 온도 범위의 평균값인 130℃에서 측정한 탄성률이 상기 범위 내이면 수지 스페이서의 형상 유지성이 뛰어나다는 것을 발견하였다.

또, 수지 스페이서용 필름의 두께를 100 ㎛로 한 이유는, 본래라면 이용될 수지 스페이서의 두께와 동일한 두께로 평가하는 것이 바람직하지만, 수지 스페이서의 두께가 얇은 경우 탄성률 결과의 안정성이 불충분하게 되는 경우가 있기 때문에 100 ㎛로 통일하여 탄성률을 평가하였다.

또한, 실제 수지 스페이서(수지 스페이서용 필름)의 두께로 얻을 수 있는 탄성률과 상술한 100 ㎛의 두께로 한 수지 스페이서용 필름의 탄성률은 실질적으로 동일하게 된다.

또, 700(mJ/㎠)으로 자외선을 조사하는 이유는 수지 스페이서용 필름을 충분히 광경화시키기 위함이다. 또한, 수지 스페이서용 필름의 두께가 바뀌는 경우에는 적당히 노광량을 조정한다.

다음에, 반도체 장치에 대하여 바람직한 실시 형태에 근거해 설명한다.

상술한 수지 스페이서용 필름(4')을 수광부(21)를 갖는 반도체소자(2)를 탑재하고 있는 인터포저(5)의 한쪽면측(도 2a 중의 위쪽면)에 접합한다.

다음에, 반도체소자(2)가 탑재되는 부분에 공극부(3)를 형성하기 위하여, 수지 스페이서(4)가 되는 부분 이외에 마스크(6)를 설치하고 자외선(7)을 조사한다(도 2b). 이것에 의해 자외선(7)이 조사된 부분(수지 스페이서(4)가 되는 부분)은 광경화한다.

다음에, 현상 처리를 수행하여 자외선(7)이 조사되어 있지 않은 부분을 제거한다. 이것에 의해 수지 스페이서(4)(공극부(3))를 형성한다(도 2c).

다음에, 공극부(3)에 수광부(21)를 갖는 반도체소자(2)를 탑재한다(도 2d).

다음에, 반도체소자(2)의 기능면과 인터포저(5)의 단자를 본딩와이어(22)로 접속한다(도 2d).

다음에, 수지 스페이서(4)의 상단부(도 2d 중의 위쪽)에 기판(1)을 열압착하여 도 1에 나타내는 반도체 장치(100)를 얻을 수 있다. 여기서, 열압착은 통상 80∼180℃의 온도 범위 내에서 수행되는 경우가 많다. 그 때문에, 130℃에서의 수지 스페이서용 필름(4')의 탄성률이 상기 범위내이면 수지 스페이서(4)의 형상 유지성이 특히 뛰어나게 된다.

본 발명의 반도체 장치(100)는 상술한 바와 같은 수지 스페이서용 필름(4')을 이용하고 있으므로, 반도체 장치(100)를 제조시의 패터닝성 및 현상성(잔사가 억제되고 있음)도 뛰어나며, 또한 기판(1)을 열압착할 때의 형상 유지성도 뛰어난 것이다. 즉, 현상성과 형상 유지성의 양립이 도모되고 있는 것이다.

또, 반도체 장치(100)는 상술한 수지 스페이서(4)에서 공극부(3)가 형성되어 있으므로 수지 스페이서(4)의 두께 정밀도가 뛰어나다. 또, 수지 스페이서(4)의 형상 유지성이 뛰어나므로 반도체 장치(100)의 신뢰성이 뛰어나다.

또, 다른 반도체 장치의 실시 형태로서 도 3에 나타내는 반도체 장치(100)를 얻을 수도 있다. 도 3에 나타내는 반도체 장치(100)에서는 반도체소자(2) 상의 수광부(21)의 외주부에 상기와 동일한 수지 스페이서(4)가 배치되어 있다. 수지 스페이서(4)의 상부(도 3 중의 위쪽)에는 기판(1)이 열압착되어 있다. 이와 같이, 반도체소자(2) 전체를 덮는 것이 아니라 수광부(21)를 덮도록 하여 기판(1)이 배치되어 있다. 반도체소자(2) 상의 단부(수지 스페이서(4)보다 바깥쪽의 부위)에는 본딩와이어(22)가 배치되어 있어 인터포저(5)로 전기적인 접속을 수행하고 있다. 이와 같은 도 3에 나타내는 반도체 장치(100)에 의하면 반도체 장치를 보다 소형화할 수 있다. 또한, 수광부(21)를 기판(1)으로 덮어 중공 구조로 함으로써 후속 공정의 클린도 레벨을 저감할 수 있다. 또한, 도 3에 나타내는 반도체 장치(100)라면 수지 스페이서(4)의 두께를 얇게 할 수 있고, 그것에 따라 신뢰성을 향상시킬 수도 있다.

도 1은 반도체 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.

도 2는 반도체 장치의 제조 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.

도 3은 다른 반도체 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 근거해 상세히 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1)

1. 알칼리 가용성 수지(알칼리 가용성기 및 이중 결합을 갖는 수지(광 및 열의 양쪽으로 경화 가능한 경화성 수지: 메타크릴 변성 비스페놀 A 페놀 노볼락 수지: MPN)의 합성)

비스페놀 A 노볼락 수지(페놀라이트 LF-4871, 다이니폰잉크화학(주)제)의 고형분 60% MEK 용액 500 g을 2 ℓ 플라스크 중에 투입하고, 이것에 촉매로 트리부틸 아민 1.5 g 및 중합금지제로 하이드로퀴논 0.15 g을 첨가하여 100℃로 가온하였다. 그 중에, 글리시딜메타크릴레이트 180.9 g을 30분간 적하하고, 100℃에서 5시간 교반 반응시킴으로써, 불휘발분 74%의 메타크릴 변성 비스페놀 A 노볼락 수지(메타크릴변성률 50%)를 얻었다.

2. 수지 바니시의 조제

알칼리 가용성 수지(광 및 열의 양쪽으로 경화 가능한 경화성 수지)로 상기 합성한 메타크릴 변성 비스페놀 A 페놀노볼락 수지(MPN) 31.74 중량%와, 광중합성 수지로 실온에서 액상인 아크릴 수지 모노머(신나카무라화학사제, NK 에스테르 3G) 9.83 중량%와, 열경화성 수지로 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지(대일본잉크화학공업사제, 에피크론 N-865) 19.84 중량%, 실리콘 에폭시 수지(토오레·다우코닝·실리콘사제, BY16-115) 3.63 중량%, 입자상 충전재로 실리카(니혼쇼쿠바이사제, KE-P30, 평균 입자 지름: 0.28 ㎛, 최대 입경: 0.9 ㎛) 33.71 중량%를 칭량하고, 추가로 메틸에틸 케톤(MEK, 다이신화학사제)을 첨가하여, 수지 성분 농도가 71%가 되도록 조제하였다. 그리고, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지(N-865)가 용해될 때까지 교반하였다.

다음에, 비즈 밀(비즈 직경 400 ㎛, 처리 속도 6 g/s, 5 패스)을 이용하여 실리카를 분산시켰다.

그리고, 추가로 경화제(감광제)(치바·스페셜티·케미컬즈사제, 이르가큐어 651) 1.25 중량%를 첨가하고, 교반 날개(450 rpm)로 1시간 교반함으로써 수지 바니시를 얻었다.

3. 수지 스페이서용 필름의 제조

상술한 수지 바니시를 폴리에스테르 필름(두께 25 ㎛) 상에 도포하고 80℃에서 15분간 건조시킴으로써 수지 스페이서용 필름을 얻었다. 이 수지 스페이서용 필름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 하기 표 1에 나타내는 대로 500 Pa 이상이었다. 또한, 탄성률은 파장 365 ㎚의 광을 700 mJ/㎠ 조사한 수지 스페이서용 필름을 3매 겹치고, 동적 점탄성 측정 장치-Rheo Stress RS150(HAAKE사제, 측정 주파수: 1 Hz, 갭 간격: 100 ㎛, 측정 온도 범위: 실온∼200℃, 승온 속도 10℃/분)으로 측정하여 130℃의 탄성률을 구하였다.

4. 반도체 장치의 제조

상술한 수지 스페이서용 필름을 반도체 웨이퍼 상에 라미네이트하고, 노광, 현상하여 수지 스페이서(공극부)를 형성하고, 수지 스페이서의 상단부에 유리 기판을 120℃에서 열압착하였다. 다음에, 반도체 웨이퍼를 다이싱(개편화)하여 반도체 장치를 얻었다.

(실시예 2)

충전재로 이하의 것을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하였다.

실리카로 실리카(토쿠야마사제, NSS-3N, 평균 입자 지름: 0.125 ㎛, 최대 입경: 0.35 ㎛)를 이용하였다. 이 수지 스페이서용 필름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 하기 표 1에 나타내는 대로 500 Pa 이상이었다.

(실시예 3)

실리카로 실리카(덴카사제, SFP-20M, 평균 입자 지름: 0.33 ㎛, 최대 입경: 0.8 ㎛)를 이용하였다. 이 수지 스페이서용 필름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 하기 표 1에 나타내는 대로 500 Pa 이상이었다.

(실시예 4)

실리카로 실리카(니혼쇼쿠바이사제, KE-S30, 평균 입자 지름: 0.24 ㎛, 최대 입경: 0.9 ㎛)를 이용하였다. 이 수지 스페이서용 필름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 하기 표 1에 나타내는 대로 500 Pa 이상이었다.

(실시예 5)

충전재의 배합량을 바꾸어 전체 배합을 이하와 같이 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하였다.

알칼리 가용성 수지(광 및 열 양쪽으로 경화 가능한 경화성 수지)로 상기 합성한 메타크릴 변성 비스페놀 A 노볼락 수지(MPN) 37.20 중량%와, 페놀 노볼락 수지(스미토모베이클리트사제, PR53647) 2.30 중량%와, 광중합성 수지로 실온에서 액상인 아크릴 수지 모노머(신나카무라화학사제, NK 에스테르 3G) 9.20 중량%와, 입자상 충전재로 실리카(토쿠야마사제, NSS-3N, 평균 입자 지름: 0.125 ㎛, 최대 입 경: 0.35 ㎛) 28.10 중량%와, 열경화성 수지로 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지(대일본잉크화학공업사제, 에피크론 N-865) 18.60 중량%, 실리콘 에폭시 수지(토오레·다우코닝·실리콘사제, BY16-115) 3.40 중량%와, 경화제(감광제)(치바·스페셜티·케미컬즈사제, 이르가큐어 651) 1.20 중량%를 이용하였다. 이 수지 스페이서용 필름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 하기 표 1에 나타내는 대로 500 Pa 이상이었다.

(실시예 6)

알칼리 가용성 수지로 이하의 것을 이용한 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 하였다.

알칼리 가용성 수지로 사이클로머 P ACA200M(다이셀화학공업(주)제, 고형분 농도 50%의 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 용액)을 이용하였다. 이 수지 스페이서용 필름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 하기 표 1에 나타내는 대로 500 Pa 이상이었다.

(실시예 7)

충전재의 배합량을 바꾸어 전체의 배합을 이하와 같이 한 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 하였다.

알칼리 가용성 수지(광 및 열의 양쪽으로 경화 가능한 경화성 수지)로 상기 합성한 메타크릴 변성 페놀노볼락 수지(MPN) 40.0 중량%와, 광중합성 수지로 실온 에서 액상인 아크릴 수지 모노머(신나카무라화학사제, NK 에스테르 3G) 12.5 중량%와, 입자상 충전재로 실리카(토쿠야마사제, NSS-3N, 평균 입자 지름: 0.125 ㎛, 최대 입경: 0.35 ㎛) 16.6 중량%와, 열경화성 수지로 비스 A 노볼락형 에폭시 수지(대일본잉크화학공업사제, 에피크론 N-865) 24.9 중량%, 실리콘 에폭시 수지(토오레·다우코닝·실리콘사제, BY16-115) 4.5 중량%와, 경화제(감광제)(치바·스페셜티·케미컬즈사제, 이르가큐어 651) 1.5 중량%를 이용하였다. 이 수지 스페이서용 필름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 하기 표 1에 나타내는 대로 500 Pa 이상이었다.

(실시예 8)

알칼리 가용성 수지(광 및 열의 양쪽으로 경화 가능한 경화성 수지)로 상기 합성한 메타크릴 변성 페놀노볼락 수지(MPN) 42.3 중량%와, 광중합성 수지로 실온에서 액상인 아크릴 수지 모노머(신나카무라화학사제, NK 에스테르 3G) 13.2 중량%와, 입자상 충전재로 실리카(토쿠야마사제, NSS-3N, 평균 입자 지름: 0.125 ㎛, 최대 입경: 0.35 ㎛) 11.7 중량%와, 열경화성 수지로 비스 A 노볼락형 에폭시 수지(대일본잉크화학공업사제, 에피크론 N-865) 26.4 중량%, 실리콘 에폭시 수지(토오레·다우닝·실리콘사제, BY16-115) 4.8 중량%와, 경화제(감광제)(치바·스페셜티·케미컬즈사제, 이르가큐어 651) 1.6중량%를 이용하였다. 이 수지 스페이서용 필 름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 하기 표 1에 나타내는 대로 500 Pa 이상이었다.

(실시예 9)

알칼리 가용성 수지(광 및 열의 양쪽으로 경화 가능한 경화성 수지)로 상기 합성한 메타크릴 변성 페놀노볼락 수지(MPN) 45.0 중량%와, 광중합성 수지로 실온에서 액상인 아크릴 수지 모노머(신나카무라화학사제, NK 에스테르 3G) 14.0 중량%와, 입자상 충전재로 실리카(토쿠야마사제, NSS-3N, 평균 입자 지름: 0.125 ㎛, 최대 입경: 0.35 ㎛) 6.2 중량%와, 열경화성 수지로 비스 A 노볼락형 에폭시 수지(대일본잉크화학공업사제, 에피크론 N-865) 28.0 중량%, 실리콘 에폭시 수지(토오레·다우코닝·실리콘사제, BY16-115) 5.1 중량%와, 경화제(감광제)(치바·스페셜티·케미컬즈사제, 이르가큐어 651) 1.7 중량%를 이용하였다. 이 수지 스페이서용 필름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 하기 표 1에 나타내는 대로 500 Pa 이상이었다.

(비교예 1)

실리카로 실리카(아드마텍스사제, SO-E2, 평균 입자 지름: 0.5 ㎛, 최대 입 경: 2 ㎛)를 이용하였다. 이 수지 스페이서용 필름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 500 Pa 이상이었다.

(비교예 2)

충전재를 이용하지 않고 전체의 배합을 이하와 같이 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하였다.

알칼리 가용성 수지(광 및 열의 양쪽으로 경화 가능한 경화성 수지)로 상기 합성한 메타크릴 변성 비스페놀 A 노볼락 수지(MPN) 59.90 중량%와, 광중합성 수지로 실온에서 액상인 아크릴 수지 모노머(신나카무라화학사제, NK 에스테르 3G) 11.40 중량%와, 열경화성 수지로 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지(대일본잉크화학공업사제, 에피크론 N-865) 23.00 중량%, 실리콘 에폭시 수지(토오레·다우코닝·실리콘사제, BY16-115) 4.20 중량%와, 경화제(감광제)(치바·스페셜티·케미컬즈 사제, 이르가큐어 651) 1.50 중량%를 이용하였다. 이 수지 스페이서용 필름의 노광 후(노광량 700 mJ/㎠)의 130℃ 탄성률은 500 Pa 미만이었다.

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 스페이서용 필름 및 반도체 장치에 대해 이하의 평가를 수행하였다. 평가 항목을 내용과 함께 나타낸다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.

1. 얼라이먼트성

반도체 웨이퍼 상에 수지 스페이서용 필름을 라미네이트(온도 60℃, 속도 0.3 m/분)하고, 노광기 PLA-600FA(캐논사제)를 이용하여, 반도체 웨이퍼 표면의 패턴이 라미네이트한 수지 스페이서용 필름 상으로부터도 육안으로 확인할 수 있는지 평가하였다. 각 부호는 이하와 같다.

◎: 패턴 형상이 경계 부분까지 선명히 보였다.

○: 패턴 형상은 알 수 있지만, 경계 부분이 다소 불선명하게 보였다.

△: 패턴은 희미하게 보이지만, 형상은 알 수 없었다.

×: 패턴이 전혀 안보였다.

2. 현상성

반도체 웨이퍼 상에 수지 스페이서용 필름을 라미네이트(온도 60℃, 속도 0.3 m/분)하고, 패턴 마스크를 이용하여 격자 모양으로 수지 스페이서가 남도록 노광(노광량: 700 mJ/㎠)하고, 3% TMAH를 이용하여 현상(현상액 압력: 0.2 MPa, 현상 시간: 150초간)하였다. 얻어진 격자 패턴 부분을 전자현미경(×5,000배)로 관찰하여 잔사의 유무를 평가하였다. 각 부호는 이하와 같다.

○: 잔사 없음

×: 잔사 있음

또한, 패턴 마스크는 수지 폭 1.2 ㎜, 간격 5 ㎜의 격자 모양으로 하였다.

3. 패터닝성

반도체 웨이퍼 상에 수지 스페이서용 필름을 라미네이트(온도 60℃, 속도 0.3 m/분)하고, 패턴 마스크를 이용하여 격자 모양으로 수지 스페이서가 남도록 노광(노광량 700 mJ/㎠)하고, 3% TMAH를 이용하여 현상(현상액 압력: 0.2 MPa, 현상 시간: 150초간)하고, 패터닝하여, 패터닝부의 상태를 육안으로 관찰하였다. 각 부호는 이하와 같다.

○: 패턴 박리가 없었다.

△: 패턴이 부분적으로 박리하고 있었지만, 극히 일부 남지 않은 부분이 있었다.

×: 패턴이 전면 박리하고 있었다.

4. 형상 유지성

상기 현상성을 평가한 반도체 웨이퍼의 격자 모양으로 형성된 수지 스페이서의 중앙부를 다이싱함으로써 프레임 모양의 수지 스페이서를 갖는 반도체소자를 제작하였다. 형상 유지성은 120℃에서 이 수지 스페이서 상에 유리 기판을 열압착했을 때의 수지 스페이서의 플로우(부서짐 정도)를 육안으로 평가하였다. 각 부호는 이하와 같다.

◎: 열압착 전후의 수지 스페이서의 치수에 변화가 없었다.

○: 열압착 후의 수지 스페이서가 다소 플로우하고, 그 치수가 다소 변화하고 있지만, 형상에 큰 변화는 없었다.

△: 열압착 후의 수지 스페이서가 플로우하고, 치수 변화가 발생하였다.

×: 열압착 후의 수지 스페이서가 매우 크게 플로우하고, 치수, 형상도 크게 변화하고 있었다.

표 1로부터 명확한 바와 같이, 실시예 1∼9는 현상성(잔사가 적음) 및 수지 스페이서의 형상 유지성도 뛰어났다.

또, 실시예 1∼9는 패터닝성도 뛰어났다.

또, 실시예 2, 5, 6, 7, 8 및 9는 얼라이먼트성도 특히 뛰어났다.

본 발명에 의하면, 수지 스페이서로서의 형상 유지 기능이 뛰어나고, 또한 현상성도 뛰어난 수지 조성물 및 그것을 이용한 수지 스페이서용 필름을 얻을 수 있다.

또, 본 발명에 의하면, 반도체소자와 기판이 상기 수지 조성물의 경화물로 구성되는 수지 스페이서를 통해 접합되어 신뢰성이 뛰어난 반도체 장치를 얻을 수 있다. 따라서, 산업상 이용 가능성을 갖는다.

Claims

기판과 반도체소자 사이에 공극부를 형성하기 위한 수지 스페이서로 이용하기 위한 수지 조성물로서,

상기 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지와, 광중합성 수지와, 입자상 충전재를 포함하고,

상기 충전재의 평균 입경이 0.05∼0.35 ㎛이며,

상기 충전재의 함유량이 1∼40 중량%인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
청구항 1에 있어서,

상기 충전재는 실리카를 포함하는 것인 수지 조성물.
청구항 1에 있어서,

상기 수지 조성물이 추가로 상기 알칼리 가용성 수지와는 상이한 열경화성 수지를 포함하는 것인 수지 조성물.
청구항 1에 기재된 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 스페이서용 필름.
청구항 4에 있어서,

하기 조건 (1)∼(3)으로 측정했을 때의 상기 수지 스페이서용 필름의 탄성률이 500 Pa 이상인 수지 스페이서용 필름.

(1) 수지 스페이서용 필름의 두께: 100 ㎛

(2) 700(mJ/㎠)으로 자외선을 조사한 후의 수지 스페이서용 필름

(3) 측정 온도: 130℃
기판과 반도체소자가 청구항 1에 기재된 수지 조성물의 경화물로 구성되는 수지 스페이서를 통해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.