KR20100018489A - 웨이퍼 지지 유리 - Google Patents

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KR20100018489A
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호야 칸데오 옵트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 반도체 웨이퍼(SW)를 접착하여 지지함과 아울러 반도체 웨이퍼로부터 박리할 수 있도록 가요성을 구비한 유리 플레이트(GP)로 이루어지는 웨이퍼 지지 유리를 제공한다.
(해결수단) 유리 플레이트(GP)는 반도체 웨이퍼(SW)에 접착하여 이 반도체 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 유리이다. 그리고, 반도체 웨이퍼(SW)에 접착된 웨이퍼 지지 유리를 박리하기 위하여, 웨이퍼 지지 유리는 소정 각도 이상 구부러진다. 웨이퍼 지지 유리는 30도 이상 구부러지면 반도체 웨이퍼에 큰 힘을 주지 않고 박리할 수 있다.
반도체 웨이퍼, 웨이퍼 지지 유리, 주연부, 내충격성

Description

웨이퍼 지지 유리{WAFER SUPPORTING GLASS}
본 발명은 반도체 웨이퍼를 접착하여 지지함과 아울러, 반도체 웨이퍼로부터 박리하기 쉬운 웨이퍼 지지 유리에 관한 것이다. 또, 주연부에 가해진 힘에 의해 이빠짐이나 깨짐이 발생하지 않는 주연부의 내충격성을 갖는 웨이퍼 지지 유리에 관한 것이다.
최근, 휴대전화나 IC 카드 등의 전자기기의 고기능화에 따라, 그 내부에 실장되는 반도체 소자(LSI, IC 등)의 박형화 또는 소형화가 진행되고 있다. 또, 선폭을 좁게 하지 않고 기억용량을 늘리기 위해서 반도체 웨이퍼를 여러 층 겹친 3차원 실장 타입의 반도체 소자, 예를 들면, SD 카드 등이 증가하고 있다.
특히 박형화라고 하는 면에서는, 3차원 실장 타입의 반도체 소자에서는 두께 50㎛부터 100㎛의 반도체 회로를 복수 적층하고 있고, 또한 1장의 반도체 회로의 두께를 50㎛ 이하로 한 반도체 소자의 개발이 진행되고 있다. 이러한, 반도체 회로를 박층화하는 기술의 하나로서, 패턴 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 이면 연삭 처리가 알려져 있다. 이 이면 연삭 처리는, 양면 점착테이프를 통하여 반도체 웨이퍼의 패턴 형성된 표면을 강성을 갖는 웨이퍼 지지 유리에 접착 고정하고, 고속회전하는 숫돌 등을 사용하여 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 것이다.
여기에서, 이면 연삭 처리에 사용되는 웨이퍼 지지 유리로서는, 상하면을 고정밀도로 연마한 유리 플레이트가 사용된다. 이면 연삭 처리가 된 반도체 웨이퍼는 웨이퍼 지지 유리로부터 분리되어 웨이퍼 다이싱 등의 공정에 반송된다. 이 반도체 웨이퍼와 웨이퍼 지지 유리를 분리하는 웨이퍼 박리 장치로서는, 예를 들면, 특허문헌 1 또는 특허문헌 2에 기재되어 있다. 이 웨이퍼 박리 장치에서는, 반도체 웨이퍼와 웨이퍼 지지 유리를 양면 접착테이프에 의해 접착 고정한 처리대상물에 자외선을 조사한 후, 접착된 반도체 웨이퍼와 웨이퍼 지지 유리의 주변부로부터 서로 떼어놓는 방향으로 물리적인 힘을 가함으로써 박리가 행해지고 있다. 또한, 두께 50㎛ 이하의 반도체 웨이퍼는 자중으로 휘어버리기 때문에, 이면 연삭 처리부터 다이싱 공정까지 웨이퍼 지지 유리로 반도체 웨이퍼를 지지하는 것이 필수로 되어 있다.
또, 웨이퍼 지지 유리는 몇 번이고 세정공정을 반복하여 사용된다. 이 세정공정에서는, 반도체 웨이퍼를 지지할 때에 사용한 접착제나 점착제의 강고한 잔류물도 제거하지 않으면 안 된다. 그 때문에, 세정도 강력한 샤워에 의한 압력으로 웨이퍼 지지 유리의 주연부에 상당히 큰 충격이 가해지는 경우가 있다. 이들 충격에 의해 주연부에 파손나 깨짐이 발생하여, 웨이퍼 지지 유리로서 사용할 수 없게 되어버리는 경우가 생긴다.
특허문헌 1: 일본 특개 2005-057046호 공보
특허문헌 2: 일본 특개 2006-156633호 공보
(발명의 개시)
(발명이 해결하고자 하는 과제)
그렇지만, 상기 특허문헌 1 또는 특허문헌 2에 개시되는 웨이퍼 박리 장치에서는, 웨이퍼 지지 유리를 평면 위에 고정한 상태에서, 반도체 웨이퍼를 변형시켜 분리하는 구조이기 때문에, 반도체 웨이퍼 위에 형성된 각 반도체 회로에 여분의 스트레스가 가해지고, 그 결과, 최종제품인 반도체 소자의 성능을 저하시킬 우려가 있었다. 또, 특허문헌 1 또는 특허문헌 2에 나타내는 공정에서는, 웨이퍼 지지 유리를 스토커에 수납할 때나, 웨이퍼 지지 유리를 위치결정 할 때에, 스토커의 벽면이나 위치결정용 핀과 웨이퍼 지지 유리의 주연부가 접촉 또는 충돌한다. 이 때문에, 웨이퍼 지지 유리의 주연부에 이빠짐이나 깨짐을 일으킬 우려도 있었다.
이러한 이빠짐이나 깨짐에 의해 생긴 유리의 입자 또는 분진은, 비산하여 웨이퍼 표면의 패턴 위에 부착되는 경우가 있고, 또, 이빠짐이나 깨짐의 발생과 동시에 주연부 근방의 반도체 웨이퍼에 기계적 데미지가 가해지는 경우도 있어, 패턴 결함의 반도체 소자의 불량 원인이 되는 등의 문제가 있었다.
본 발명은, 상기의 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 반도체 웨이퍼를 접착하여 지지함과 아울러, 반도체 웨이퍼로부터 박리할 수 있도록 가요성을 구비한 유리 플레이트로 이루어지는 웨이퍼 지지 유리를 제공하는 것에 있다. 또한 주연부에 가해진 충격력에 의해 이빠짐이나 깨짐이 발생하지 않는, 주연부에 내충격성을 갖는, 웨이퍼 지지 유리를 제공하는 것에 있다.
(과제를 해결하기 위한 수단)
본 발명은, 반도체 웨이퍼를 평면 위에 고정한 상태에서, 웨이퍼 지지 유리를 구부려서 박리한다. 종래, 반도체 웨이퍼와 접착하여 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 처리에 사용되고 있는 웨이퍼 지지 유리는 취성 재료이기 때문에, 원래부터 웨이퍼 지지 유리를 구부려서 박리하는 발상조차 없었다.
제 1 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리는 반도체 웨이퍼에 접착하여 이 반도체 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 유리이다. 그리고, 반도체 웨이퍼에 접착된 웨이퍼 지지 유리를 반도체 웨이퍼로부터 박리하기 위하여, 웨이퍼 지지 유리는 소정 각도 이상 구부러진다.
웨이퍼 지지 유리가 취성 재료이기 때문에, 원래부터 반도체 웨이퍼에 접착된 웨이퍼 지지 유리를 분리할 때에, 웨이퍼 지지 유리를 구부려서 반도체 웨이퍼로부터 박리한다고 하는 생각은 없었다. 제 1 관점에서는, 소정 각도 이상으로 구부러지는 웨이퍼 지지 유리를 제공함으로써 반도체 웨이퍼를 구부리지 않고 고정한 채 웨이퍼 지지 유리를 박리할 수 있다.
제 2 관점에서는, 소정 각도는 최대 구부림 각도에서 30도이다.
제 2 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리는 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 회로를 파손하지 않도록 30도 이상 구부러진다. 한편 웨이퍼 지지 유리를 수평으로 유지해도, 자중으로 구부러지지 않는다. 또한, 최대 구부림 각도가 보다 커지면 커질수록 보다 작은 힘으로 구부러져 박리하기 쉬우므로 최대 구부림 각도의 상한은 없다.
제 3 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리는, 소정 직경을 갖는 반도체 웨이퍼에 접착하여 이 반도체 웨이퍼를 지지하는 소정 직경보다도 큰 직경을 갖는 웨이퍼 지지 유리로서, 웨이퍼 지지 유리의 적어도 주연부에 내충격성을 구비했다.
제 3 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리는 그 직경이 반도체 웨이퍼의 직경보다도 크기 때문에 반도체 웨이퍼가 받는 충격을 대신해서 받을 수 있다. 또, 그 충격을 받아도 웨이퍼 지지 유리의 주연부는 내충격성을 구비하고 있기 때문에, 이빠짐이나 깨짐에 의해 유리의 입자 또는 분진을 발생시키지 않아, 반도체 웨이퍼에 영향을 주지 않는다. 또한, 웨이퍼 지지 유리의 실제의 사용 방법에서 주연부의 내충격성이 중요했음에도 불구하고 주연부의 내충격성을 향상시킨 웨이퍼 지지 유리가 주목받지 못하고 있었는데, 제 3 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리는 주연부의 내충격성을 향상시켰다.
제 4 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리는 화학강화 처리에 의한 압축응력층을 갖는다.
제 4 관점에서는 화학강화 처리에 의해 압축응력층을 형성한다. 웨이퍼 지지 유리를 구부리면 그 외측의 표면은 인장응력이 가해지지만, 압축응력층이 웨이퍼 지지 유리의 표면에 형성되어 있기 때문에 인장응력에 의한 웨이퍼 지지 유리의 깨짐을 막을 수 있다. 또 화학강화 처리에 의해 주연부에 대한 내충격성이 약 7배 이상으로 높아진다.
제 5 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리는, 제 4 관점에 있어서, 웨이퍼 지지 유리가 Na2O 또는 Li2O를 포함한다.
Na2O를 포함하는 웨이퍼 지지 유리는 이온교환됨으로써 화학강화하기 위한 필수성분으로, Li2O를 포함하는 웨이퍼 지지 유리는 용이하게 두꺼운 압축응력층을 얻을 수 있다.
제 6 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리는 코팅 처리에 의한 코팅층을 갖는다.
제 6 관점에서는 웨이퍼 지지 유리에 코팅층을 설치함으로써 압축응력층을 형성하고 있다. 화학강화 처리가 유리 내측에 압축응력층을 형성하는 것에 반해, 코팅 처리는 유리 외측에 압축응력층을 형성하고 있다.
제 7 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리의 압축응력층의 깊이는 15㎛ 이상 220㎛ 이내이다.
웨이퍼 지지 유리에 내충격성을 구비하기 위하여, 웨이퍼 지지 유리의 압축응력층의 깊이는 15㎛ 필요하다. 또 웨이퍼 지지 유리는 압축응력층의 깊이는 깊은 편이 바람직하다. 또, 압축응력층이 15㎛ 이하이면 소정 각도 이상으로 웨이퍼 지지 유리를 휠 수 없고, 반대로 220㎛ 이상이면 웨이퍼 지지 유리 자체에 휨이나 굴곡이 발생하기 쉬워진다.
제 8 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리는, 제1면, 제2면 및 주연부를 갖고, 주연부는 모따기부 또는 제1면과 제2면을 연결하는 곡면이 형성되어 있다.
모따기 처리 또는 곡면 처리를 시행해 두지 않으면, 화학강화 처리를 행할 때에 웨이퍼 지지 유리가 파손될 우려가 있다. 또, 주연부에 모따기가 되어 있지 않으면 웨이퍼 지지 유리의 반송시 등에서 주연부에 상처가 생기기 쉬워진다. 이 상처는 웨이퍼 지지 유리를 구부렸을 때에 크랙으로서 크게 전파해 가므로 주연부는 모따기부 또는 곡면을 형성하고 있다. 또, 주연부에 모따기부 또는 곡면이 형성되어 있지 않으면 웨이퍼 지지 유리의 반송시 등에서 주연부에 상처가 생기기 쉬워지고, 이 상처가 생기면 충격이 가해졌을 때 크게 전파해 간다. 주연부에 모따기부 또는 곡면이 형성되어 있으면 상처가 생기는 일이 적어진다.
제 9 관점에 의한 웨이퍼 지지 유리의 주연부는 산술평균 조도가 440nm 이하이다.
주연부의 산술평균 조도(Ra)가 440nm보다 크면, 최대 구부림 각도를 작게 만들어 버리는 것과 같은 큰 상처 등이 주연부에 존재하는 경우가 있다. 이 상처가 존재하면 웨이퍼 지지 유리를 구부렸을 때에 크랙이 발생하기 쉬워진다. 이 때문에, 산술평균 조도(Ra)가 440nm 이하가 되도록 연삭가공 또는 연마가공을 한다. 또, 산술평균 조도(Ra)에서 440nm 이하이면, 충격이 가해졌을 때 이빠짐이나 깨짐이 발생하는 일이 적어진다.
제 10 관점에서, 반도체 웨이퍼는 소정 직경을 갖는 원형이며, 웨이퍼 지지 유리는 소정 직경보다도 한층 큰 직경을 갖고 있는 원형이다.
웨이퍼 지지 유리가 반도체 웨이퍼의 소정 직경보다도 한층 큰 직경을 갖고 있는 원형이면, 반도체 웨이퍼 반송시 등에 반도체 웨이퍼가 무엇인가와 충돌하기 전에 웨이퍼 지지 유리가 그것에 충돌한다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼 지지 유리가 파손되는 일은 있어도 반도체 웨이퍼가 파손되는 일은 없다.
(발명의 효과)
본 발명의 웨이퍼 지지 유리는 반도체 웨이퍼를 접착하여 지지함과 아울러 반도체 웨이퍼로부터 박리할 수 있도록 가요성을 구비하고 있다. 또, 주연부에 가해진 충격력에 의해 이빠짐이나 깨짐이 발생하지 않는다. 이 때문에, 이빠짐이나 깨짐에 의한 유리 가루 또는 유리 조각에 의해 반도체 웨이퍼가 불량품으로 되는 일이 적어지게 할 수 있다.
도 1은 반도체 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(SW)에 유리 플레이트(GP)를 붙이고나서 유리 플레이트(GP)를 박리할 때까지의 플로우차트이다.
도 2A(a)는 반도체 웨이퍼(SW)와 유리 플레이트(GP)를 접착·고정한 상태이고, (b)는 연삭의 공정을 도시하고 있다.
도 2B(c)는 연삭된 반도체 웨이퍼(SW)의 단면도이고, (d)는 유리용 박리 테이프(DT)가 접착된 유리 플레이트(GP)를 도시하는 도면이고, (e)는 반도체 웨이퍼(SW)가 진공 척에 장착된 상태를 도시하는 단면도이다.
도 2C(f)는 유리 플레이트(GP)의 일단으로부터 박리되어 가는 도중의 상태를 도시하는 도면이고, (g)는 양면 접착 필름(AD)을 반도체 웨이퍼(SW)로부터 박리하는 상태이다.
도 3(a)는 유리 플레이트(GP)를 도시하는 사시도이고, (b) 및 (c)는 그 유리 플레이트(GP)의 주연부의 확대도이다.
도 4는 유리 플레이트(GP)의 압축응력층 두께의 측정방법을 도시한 도면이다.
도 5는 유리 플레이트(GP)의 구부림 각도의 측정방법을 도시한 도면이다.
도 6A는 내충격성 측정기(70)를 도시한 도면이다.
도 6B는 내충격성 측정기(70)의 유리 플레이트(GP) 부근의 확대도이다.
도 6C는 내충격성 측정시의 내충격성 측정기(70)의 사용 방법을 도시한 도면이다.
(부호의 설명)
AD 양면 접착 필름 DE 두께
DD 두께 DT 유리용 박리 테이프
GP 유리 플레이트(GP1, GP2…상하면) L 외경
PE 주연부(단면) SW 반도체 웨이퍼
31 연삭장치(다이아몬드 그라인더) 35 진공 척
42A, 42B, 43A, 43B 라인 44 연마 유리편
44T1, 44T2, 44T3 영역 44B1, 44B2 불투과 영역
47 슬라이드 글래스 45A, 45B, 49, 48 면
51A, 51B 편광판 53 광원
61A, 61B 경질판 62A, 62B 연질 시트
65 반원기둥 경질판 66 제 2 연질 시트
70 내충격성 측정기 71 무게판
73 베이스 74 유리받이 토대
75 이동 가이드 부재 76 고정 가이드 부재
78 고무 원판 81 스토퍼
82 무게판용 스테인리스판 83 발포 우레탄
84 유리 받이판용 스테인리스판 85 염화비닐제 점착테이프
(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)
이하, 도면을 참조하면서 본 실시형태를 설명하는데, 이하의 도면에 도시되어 있는 각 부재의 축척은 이해를 돕기 위해 실제의 축척과는 상이하다.
<유리 플레이트의 접착과 박리>
도 1은, 반도체 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(SW)에 웨이퍼 지지 유리로서의 유리 플레이트(GP)를 붙이고나서 유리 플레이트(GP)를 박리할 때까지의 플로우차트이다. 도 2A부터 도 2C는 플로우차트의 각 공정을 도시한 단면도이다. 본 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼(SW)에는, 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 또는 갈륨비소(GaAs) 등을 결정화한 웨이퍼에 대하여 적용할 수 있다.
스텝 S11에서는, 진공챔버 내에서 양면 접착 필름(AD)의 편면을 반도체 웨이퍼(SW)의 표면에 붙인다. 그리고, 양면 접착 필름(AD)의 다른 면에 유리 플레이트(GP)의 제1면을 접착한다. 반도체 웨이퍼(SW)의 직경이 200mm이면 유리 플레이트(GP)의 직경은 201mm로 되어 유리 플레이트(GP)가 약간 크게 되어 있다. 도 2A(a)는 반도체 웨이퍼(SW)와 유리 플레이트(GP)를 접착·고정한 상태이다. 진공챔버 내에서 접착 처리하기 때문에, 양면 접착 필름(AD)과 반도체 웨이퍼(SW) 또는 유리 플레이트(GP) 사이에 공기가 들어가지 않는다. 상세한 것은 예를 들면 WO2002/056352에 개시되어 있다. 또한, 양면 접착 필름(AD)은, 베이스 시트의 일방의 면에 자외선조사에 의해 점착성이 저하되는 점착제를 갖고 타방의 면에 약점착성의 점착제를 갖는 3층 구조로 되어 있다. 양면 접착 필름(AD) 대신 액상 수지를 도포해도 된다.
다음에, 스텝 S12에서는, 유리 플레이트(GP)를 아래로 하여 연삭장치(다이아몬드 그라인더)(31)에 의해 반도체 웨이퍼(SW)의 이면을 소정 두께까지 연삭한다. 도 2A(b)는 연삭의 공정을 도시하고 있다. 최초의 반도체 웨이퍼(SW)의 이면 위치를 점선으로 나타내고 있고, 그 상태로부터 연삭된 상태를 도시하고 있다. IC 카드용의 반도체 웨이퍼(SW)이면 일반적으로 100㎛ 전후까지 연삭되지만, 3차원 실장용의 반도체 웨이퍼(SW)이면 일반적으로 50㎛ 전후까지 연삭된다. 이면 연삭에 의해 박형화되는 반도체 웨이퍼(SW)는 고정밀도로 균일한 두께 분포가 요구된다. 이 점에서, 플라스틱제의 웨이퍼 지지 부재와 비교하여, 유리 플레이트(GP) 자체는 연삭이나 연마에 의해 균일한 두께로 가공할 수 있기 때문에, 반도체 웨이퍼(SW)의 두께를 고정밀도로 연마하는 것이 가능하게 된다. 도 2B(c)는 연마된 반도체 웨이퍼(SW)의 단면도이다.
스텝 S13에서는, 유리 플레이트(GP)를 양면 접착 필름(AD)으로부터 박리하기 쉽도록, 유리 플레이트(GP)를 통하여 자외선을 양면 접착 필름(AD)에 조사한다. 그 후, 유리 플레이트(GP)의 제2면에 유리용 박리 테이프(DT)를 접착한다. 가요성의 유리용 박리 테이프(DT)는 스텝 S14에서 유리 플레이트(GP)를 박리할 때의 보호용의 필름이다. 도 2B(d)는 유리용 박리 테이프(DT)가 접착된 유리 플레이트(GP) 를 도시한다.
스텝 S14에서는, 반도체 웨이퍼(SW)를 평판의 진공 척(35)에 부착하고, 진공을 뽑음으로써 반도체 웨이퍼(SW)가 진공 척(35)에 고정된다. 또 진공 척에는 유리 플레이트(GP)를 박리하는 박리 장치(도시하지 않음)가 부착되어 있다. 도 2B(e)는 반도체 웨이퍼(SW)가 진공 척(35)에 장착된 상태를 도시하는 단면도이다. 진공 척(35) 대신 정전(靜電) 척을 사용해도 된다.
스텝 S15에서는, 박리 장치는, 유리용 박리 테이프(DT)를 일단으로부터 들어올림으로써 유리 플레이트(GP)의 일단을 들어올린다. 자외선을 조사하여 양면 접착 필름(AD)의 접착력은 저하되어 박리하기 쉬운 상태로 되어 있는데, 작은 힘으로 유리 플레이트(GP)를 박리하기 위해서 일단으로부터 벗기도록 들어올린다. 작은 힘으로 유리 플레이트(GP)를 박리할 수 있다고 하는 것은, 반도체 웨이퍼(SW)에도 작은 힘밖에 미치지 않아, 반도체 웨이퍼(SW)의 표면에 형성된 반도체 회로에 물리적 변형을 거의 발생시키지 않는다.
도 2C(f)는 유리 플레이트(GP)의 일단으로부터 박리되어 가는 도중의 상태를 도시한 도면이다. 다수의 실험에서, 반도체 웨이퍼(SW)로부터 유리 플레이트(GP)를 박리하기 위해서는, 유리 플레이트(GP)가 구부림의 최대 각도(가장 크게 구부러져 있는 부분의 접선과 수평면과의 각도)가 30°이상이 되는 유리이면 작은 힘으로 유리 플레이트(GP)를 박리할 수 있는 것을 알 수 있었다. 굽힘의 최대각도가 30°에 미치지 않는 유리 플레이트(GP)에서는, 박리할 수 없는 또는 반도체 웨이퍼(SW)의 반도체 회로가 파손되는 등의 지장이 생긴다.
스텝 S16에서는, 양면 접착 필름(AD)을 반도체 웨이퍼(SW)의 표면으로부터 박리한다. 도 2C(g)는 양면 접착 필름(AD)을 반도체 웨이퍼(SW)로부터 박리하는 상태이다.
스텝 S17에서, 진공 척(35)의 진공뽑기를 해방하여 진공 척(35)으로부터 반도체 웨이퍼(SW)를 떼어낸다. 그 후 반도체 웨이퍼(SW)는 다이싱 공정 등으로 반송된다.
<실시형태 1: 화학강화된 유리 플레이트(GP)>
상기한 바와 같이, 유리 플레이트(GP)는 30°이상 구부러짐으로써 반도체 웨이퍼(SW)의 반도체 회로를 파손하지 않고, 양면 접착 필름(AD)을 갖는 반도체 웨이퍼(SW)로부터 유리 플레이트(GP)를 박리할 수 있다. 즉, 30°이상 구부러져도 깨지지 않는 유리 플레이트(GP)를 준비하지 않으면 안 된다. 그리고, 반도체 웨이퍼가 스토커의 벽면이나 위치결정용 핀과 접촉하는 대신 유리 플레이트(GP)의 주연부가 접촉 또는 충돌하기 때문에, 주연부가 내충격성을 가질 필요가 있다.
<<유리 기재>>
유리 기재는 3종류 준비했다. 각각을 유리 No.1, 유리 No.2, 유리 No.3이라고 명명하고, 각각의 조성은 표 1에 나타냈다. 사용한 원료는 산화물, 탄산염, 질산염 및 수산화물 등을 사용했다.
Figure 112009062545319-PCT00001
유리 용해하고 서냉한 후에 있어서 상기 유리 조성이 되도록, 각 원료를 칭량한다. 그리고, 얻어진 원료 혼합물의 약 3.6kg을 1.5리터의 백금도가니에 넣고 1500∼1600℃에서 5∼8시간 가열하여 유리 용융액으로 만들고, 교반하여 탈포(脫泡) 및 균질화를 행한다.
그 후 가열한 철판 위에 유리 용융액을 흘려냈다. 동일하게 가열한 또 1개의 철판을 사용하여, 흘러 나온 유리 용융액 위로부터 바로 프레스 했다. 프레스됨으로써, 외경 약 210mm이고 두께 약 3mm로 성형된 유리 기재를 얻을 수 있다.
유리 No.1 및 유리 No.2에 포함되는 Li2O는 유리 표층부에서 이온교환 처리욕 중의 주로 Na 이온과 이온교환됨으로써, 유리를 화학강화 하기 위한 성분이다. 4% 미만에서는 이 이온교환 성능이 저하되고, 10%를 초과하면 내실투성(耐失透性)과 화학적 내구성이 함께 악화된다. 이 때문에 Li2O의 비율은 4∼10%로 한정된다. 특히 바람직하게는 4∼7%이다. 또한, 도 1의 스텝 S13에서 설명한 바와 같이, 양면 접착 필름(AD)에 자외선을 조사할 필요가 있기 때문에 유리 플레이트(GP)는 자외선 투과성이 필요하다.
Na2O는 유리 표층부에서 이온교환 처리욕 중의 주로 K 이온과 이온교환됨으로써, 유리를 화학강화 하기 위한 필수성분이다. 6% 미만에서는 내실투성이 악화됨과 아울러 화학강화층이 얕아지고, 용해시의 점성이 상승하므로 용해성이 저하된다. 15%를 초과하면 화학적 내구성이 열화됨과 아울러 누프 경도가 작아진다. 이 때문에 Na2O의 비율은 6∼14%로 한정된다. 특히 바람직하게는 9∼14%이다.
Li2O를 포함하는 유리 기재는 용이하게 두꺼운 압축응력층을 얻을 수 있기 때문에, 화학강화 처리 시간도 짧아도 된다. 또, 두꺼운 압축응력층을 가지고 있으므로, 화학강화 처리 후에도 연마공정에 넣을 수 있고 상처에도 강하다. 한편, Li2O를 포함하지 않는 유리 No.3의 유리 기재는 소재 단가가 저렴하다. 그러나, 적당량의 압축응력층을 얻기 위해서는 유리 No.1 또는 유리 No.2와 비교하여 화학강화 처리 시간을 길게 잡지 않으면 안 된다.
<<유리 플레이트(GP)의 주연부(단면)>>
도 3(a)는 유리 플레이트(GP)를 도시한 사시도이며, (b) 및 (c)는 그 유리 플레이트(GP)의 주연부의 확대도이다.
프레스된 유리 기재는 외경 약 210mm이고 두께 약 3mm이다. 이 유리 기재를 가공하여, 외경(L)이 201mm이고 두께(DD)가 0.5mm 또는 1.0mm의 유리 형상 가공물을 얻는다. 가공은, 우선, 외경(L)을 204mm 정도로 깎는 외형 가공을 행한다. 그리고, 유리 형상 가공물의 주연부(PE)의 연삭가공과 상하면(GP1 및 GP2)의 연삭가공을 행한다. 또한, 상하면(GP1 및 GP2)의 연마가공이 포함된다. 주연부(PE)의 연마가공은 필요에 따라 행한다.
도 3(b) 및 (c)에 도시하는 바와 같이, 주연부는 모따기 처리 또는 곡면 처리 중 어느 하나의 처리를 한다. 모따기 처리 또는 곡면 처리를 해두지 않으면, 전술한 화학강화 처리를 행할 때에 유리 플레이트(GP)가 파손될 우려가 있다.
또, 주연부에 모따기가 되어 있지 않으면 유리 플레이트(GP)의 반송시 등에서 주연부에 상처가 생기기 쉬워진다. 이 상처는 유리 플레이트(GP)가 충격을 받을 때마다 크랙으로서 크게 전파해 가므로 주연부는 모따기부(CF) 또는 곡면(CC)을 형성하고 있다.
<<유리 기재에 대하여 시행한 처리>>
이온교환법에 의한 유리의 강화는 고온에서 유리 중의 알칼리 이온을 용해염의 다른 알칼리 이온과 교환하여 유리 표면에 압축응력층을 형성시키는 방법이다. 본 실시형태에서 유리 플레이트(GP)는 이하에 설명한 바와 같이, 3종류의 유리 기재에 대하여 상이한 처리를 함으로써 11종류의 유리 플레이트(GP)을 제작했다.
[실시예 1의 유리 플레이트(GP)]
실시예 1의 유리 플레이트(GP)는, 우선 유리 No.1의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공, 상하면 연삭가공, 단면 연마가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그리고, 유리 형상 가공물은 380℃로 유지한 KNO3(질산칼륨):NaNO3(질산나트륨)=60%:40%의 혼합염의 처리욕 중에 3시간 침지된다. 이것에 의해, 유리 형상 가공물의 표면부는, Li 이온 및 Na 이온과 처리욕 중의 Na 이온 및 K 이온이 각각 이온교환되어, 유리 형상 가공물의 표면부가 화학강화된 실시예 1의 유리 플레이트(GP)가 완성된다.
[실시예 2의 유리 플레이트(GP)]
실시예 1과 동일하게, 실시예 2의 유리 플레이트(GP)는, 유리 No.1의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공, 상하면 연삭가공, 단면 연마가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그리고, 유리 형상 가공물은 380℃에 유지한 KNO3:NaNO3=60%:40%의 혼합염의 처리욕 중에 42시간 침지된다. 즉, 실시예 1과 비교하여 침지 시간을 길게 해서 이온교환을 가능한 한 많이 설비한 실시예 2의 유리 플레이트(GP)가 완성된다.
[실시예 3의 유리 플레이트(GP)]
실시예 3의 유리 플레이트(GP)는, 유리 No.1의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공, 상하면 연삭가공, 단면 연마가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 1.0mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 유리 형상 가공물의 이온교환은 실시예 1과 동일한 처리가 시행된다. 즉, 실시예 3의 유리 플레이트(GP)는 판 두께 1.0mm인 점에서 실시예 1의 유리 플레이트(GP)와 상이하다.
[실시예 4의 유리 플레이트(GP)]
실시예 4의 유리 플레이트(GP)는, 우선 유리 No.1의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(600번 다듬질), 상하면 연삭가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 유리 형상 가공물의 이온교환은 실시예 1과 동일한 처리가 시행된다. 즉, 실시예 4의 유리 플레이트(GP)는 주연부의 단면 처치가 실시예 1의 유리 플레이트(GP)와 상이하다.
[실시예 5의 유리 플레이트(GP)]
실시예 5의 유리 플레이트(GP)는, 유리 No.1의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(600번 다듬질), 상하면 연삭가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 1.0mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 유리 형상 가공물의 이온교환은 실시예 1과 동일한 처리가 시행된다. 즉, 실시예 5의 유리 플레이트(GP)는 주연부의 단면 처치가 실시예 3의 유리 플레이트(GP)와 상이하다.
[실시예 6의 유리 플레이트(GP)]
실시예 6의 유리 플레이트(GP)는, 유리 No.2의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(600번 다듬질), 상하면 연삭가공, 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그리고, 유리 형상 가공물은 380℃에 유지한 KNO3:NaNO3=60%:40%의 혼합염의 처리욕 중에 3시간 침지된다. 이것에 의해, 유리 형상 가공물의 표면부는, Li 이온 및 Na 이온과 처리욕 중의 Na 이온 및 K 이온이 각각 이온교환되어, 유리 형상 가공물의 표면부가 화학강화된 실시예 6의 유리 플레이트(GP)가 완성된다.
[실시예 7의 유리 플레이트(GP)]
실시예 7의 유리 플레이트(GP)는, 유리 No.2의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(600번 다듬질), 상하면 연삭가공, 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그리고, 유리 형상 가공물은 360℃에 유지한 KNO3:NaNO3=60%:40%의 혼합염의 처리욕 중에 3시간 침지된다. 실시예 6의 유리 형상 가공물과 비교하여, 실시예 7의 유리 형상 가공물은 처리욕 중의 온도가 낮아 이온교환의 반응이 늦어지게 하고 있다. 따라서, 이온교환이 적은 실시예 7의 유리 플레이트(GP)가 완성된다.
[실시예 8의 유리 플레이트(GP)]
실시예 8의 유리 플레이트(GP)는, 유리 No.2의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(600번 다듬질), 상하면 연삭가공, 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그리고, 유리 형상 가공물은 400℃에 유지한 KNO3:NaNO3=60%:40%의 혼합염의 처리욕 중에 15시간 침지된다. 실시예 6의 유리 형상 가공물과 비교하여, 실시예 8의 유리 형상 가공물은 처리욕 중의 온도가 높고 침지 시간도 길게 하고 있어 이온교환의 반응이 많아지도록 하고 있다. 따라서, 이온교환이 많은 실시예 8의 유리 플레이트(GP)가 완성된다.
[실시예 9의 유리 플레이트(GP)]
실시예 9의 유리 플레이트(GP)는, 우선 유리 No.3의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(600번 다듬질), 상하면 연삭가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그리고, 유리 형상 가공물은 430℃에 유지한 KNO3=100%의 처리욕 중에 20시간 침지된다. 이것에 의해, 유리 형상 가공물의 표면부는, Na 이온과 처리욕 중의 K 이온이 각각 이온교환되어, 유리 형상 가공물의 표면부가 화학강화된 실시예 9의 유리 플레이트(GP)가 완성된다.
[실시예 10의 유리 플레이트(GP)]
실시예 10의 유리 플레이트(GP)는, 우선 유리 No.3의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(600번 다듬질), 상하면 연삭가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그리고, 유리 형상 가공물은 430℃에 유지한 KNO3=100%의 처리욕 중에 15시간 침지된다. 즉, 실시예 9와 비교하여 침지 시간을 짧게 하여 이온교환을 적게 한 실시예 10의 유리 플레이트(GP)가 완성된다.
[실시예 11의 유리 플레이트(GP)]
실시예 11의 유리 플레이트(GP)는, 우선 유리 No.3의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공, 상하면 연삭가공, 단면 연마가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그 후는, 실시예 9의 이온교환과 동일하다. 즉, 실시예 11의 유리 플레이트(GP)는 단면이 연마가공되어 있는지, 단면 연삭가공(600번 다듬질)으로 끝나 있는지의 점에서 실시예 9의 유리 플레이트(GP)와 상이하다.
한편, 하기는 실시예 1부터 실시예 11과 비교한 비교예이며, 비교예로서 8종류의 예를 제시한다.
[비교예 1의 유리 플레이트(GP)]
비교예 1의 유리 플레이트(GP)는, 우선 유리 No.1의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공, 상하면 연삭가공, 단면 연마가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그러나 화학강화 처리는 유리 형상 가공물에 대하여 전혀 행하지 않았다. 이 점에서 실시예 1의 유리 플레이트(GP)와 상이하다.
[비교예 2의 유리 플레이트(GP)]
비교예 2의 유리 플레이트(GP)는, 유리 No.1의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공, 상하면 연삭가공, 단면 연마가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 1.0mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 화학강화 처리는 유리 형상 가공물에 대하여 전혀 행하지 않았다. 이 점에서 실시예 3의 유리 플레이트(GP)와 상이하다.
[비교예 3의 유리 플레이트(GP)]
비교예 3의 유리 플레이트(GP)는, 우선 유리 No.1의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(600번 다듬질), 상하면 연삭가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성하여 제조된다. 그러나 화학강화 처리는 유리 형상 가공물에 대하여 전혀 행하지 않았다. 이 점에서 실시예 4의 유리 플레이트(GP)와 상이하다.
[비교예 4의 유리 플레이트(GP)]
비교예 4의 유리 플레이트(GP)는, 유리 No.1의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(400번 다듬질), 상하면 연삭가공, 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그리고, 유리 형상 가공물은 380℃에 유지한 KNO3:NaNO3=60%:40%의 혼합염의 처리욕 중에 3시간 침지된다. 실시예 1의 유리 플레이트(GP)에서는 단면 연마가공이 행해졌지만, 비교예 4의 유리 플레이트(GP)는 단면 연삭가공(400번 다듬질)으로, 주연부가 거칠어져 있다. 이 점에서 비교예 4의 유리 플레이트(GP)는 실시예 1의 유리 플레이트(GP)와 상이하다.
[비교예 5의 유리 플레이트(GP)]
비교예 5의 유리 플레이트(GP)는, 유리 No.3의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(600번 다듬질), 상하면 연삭가공 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 그리고, 유리 형상 가공물은 390℃에 유지한 KNO3=100%의 처리욕 중에 3시간 침지된다. 비교예 5의 유리 플레이트(GP)는, 실시예 9 또는 실시예 10의 유리 플레이트(GP)와 비교하여 처리욕 중의 온도가 낮고 침지 시간이 짧은 점에서 상이하다.
[비교예 6의 유리 플레이트(GP)]
비교예 6의 유리 플레이트(GP)는, 유리 No.3의 유리 기재를 서냉한 후, 외형 가공, 단면 연삭가공(600번 다듬질), 상하면 연삭가공 및 상하면 연마가공을 시행하여, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성하여 제조된다. 화학강화 처리는 유리 형상 가공물에 대하여 전혀 행하지 않았다. 이 점에서 실시예 9 또는 실시예 10의 유리 플레이트(GP)와 상이하다.
[비교예 7의 유리 플레이트(GP)]
비교예 7의 유리 플레이트(GP)는, 파이렉스(등록상표) 유리에 외형 가공, 단면 연삭가공, 상하면 연삭가공, 단면 연마가공, 및 상하면 연마가공을 주고, 외경 201mm, 판 두께 0.5mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 화학강화 처리는 유리 형상 가공물에 대하여 전혀 행하지 않았다.
[비교예 8의 유리 플레이트(GP)]
비교예 8의 유리 플레이트(GP)는, 파이렉스(등록상표) 유리에 외형 가공, 단면 연삭가공, 상하면 연삭가공, 단면 연마가공, 및 상하면 연마가공을 하여, 외경 201mm, 판 두께 1.0mm의 유리 형상 가공물을 형성해서 제조된다. 화학강화 처리는 유리 형상 가공물에 대하여 전혀 행하지 않았다. 비교예 7 및 비교예 8로 사용한 파이렉스(등록상표) 유리는, 화학적 내구성이 대단히 좋은 유리로서 알려져 있고, 특히 비교예 8의 판 두께 1.0mm의 유리 플레이트는 반도체 웨이퍼(SW)를 지지하는 유리 플레이트로서 현재 일반적으로 사용되고 있다. 문헌에 의하면 파이렉스(등록상표) 유리의 유리 조성은, SiO2가 81wt%, B2O3가 13wt%, Na2O가 4wt%, Al2O3가 2wt%이다. 이상을 정리한 표 2를 이하에 나타낸다.
Figure 112009062545319-PCT00002
<<유리 플레이트(GP)의 압축응력층과 최대 구부림 각도>
실시예 1부터 실시예 3 및 실시예 6부터 실시예 11의 유리 플레이트(GP) 및 비교예 1, 비교예 2 및 비교예 4부터 비교예 6의 유리 플레이트(GP)에 대하여 압축응력층의 두께와 최대 구부림 각도를 측정했다. 각 실시예 또는 각 비교예 모두 3장에서 4장의 유리 플레이트(GP)에 대하여 측정을 행하고, 그 평균값은 이하와 같다. 또한, 압축응력층의 두께 및 최대 구부림 각도의 측정방법은 후술한다.
[실시예 1의 유리 플레이트(GP)]
실시예 1의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 100㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 53°이었다. 또한, 측정한 4장의 유리 플레이트(GP) 중, 최대의 최대 구부림 각도는 62°이고, 30° 이하로 되는 것은 없었다.
[실시예 2의 유리 플레이트(GP)]
실시예 2의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 120㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 55°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30° 이하로 되는 것은 없었다.
[실시예 3의 유리 플레이트(GP)]
실시예 3의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 100㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 32°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30° 이하로 되는 것은 없었다.
[실시예 6의 유리 플레이트(GP)]
실시예 6의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 130㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 48°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30° 이하로 되는 것은 없었다.
[실시예 7의 유리 플레이트(GP)]
실시예 7의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 100㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 54°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30° 이하로 되는 것은 없었다.
[실시예 8의 유리 플레이트(GP)]
실시예 8의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 220㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 32°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30°이하로 되는 것은 없었다.
[실시예 9의 유리 플레이트(GP)]
실시예 9의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 25㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 50°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30°이하로 되는 것은 없었다.
[실시예 10의 유리 플레이트(GP)]
실시예 10의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 20㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 47°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30°이하로 되는 것은 없었다.
[실시예 11의 유리 플레이트(GP)]
실시예 11의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 24㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 52°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30°이하로 되는 것은 없었다.
[비교예 1의 유리 플레이트(GP)]
비교예 1의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 없고, 최대 구부림 각도는 평균 18°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30°보다 큰 값이 되는 것은 없었다.
[비교예 2의 유리 플레이트(GP)]
비교예 2의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 없고, 최대 구부림 각도는 평균 13°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30°보다 큰 값이 되는 것은 없었다.
[비교예 4의 유리 플레이트(GP)]
비교예 4의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 100㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 15°이었다. 또한, 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30°보다 큰 값이 되는 것은 없었다.
[비교예 5의 유리 플레이트(GP)]
비교예 5의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 10㎛이고, 최대 구부림 각도는 평균 25°이었다. 또한, 4장의 유리 플레이트(GP)의 최대 구부림 각도의 편차가 커, 29 °부터 18°까지의 범위였다.
[비교예 6의 유리 플레이트(GP)]
비교예 6의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 없고, 최대 구부림 각도는 평균 20°이었다. 측정한 유리 플레이트(GP) 중, 최대 구부림 각도가 30°보다 큰 값이 되는 것은 없었다.
이상의 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure 112009062545319-PCT00003
<실시예 1부터 실시예 3 및 실시예 6부터 실시예 11의 유리 플레이트(GP)와 비교예 1, 비교예 2 및 비교예 4부터 비교예 6의 유리 플레이트(GP)의 고찰>
<<유리 플레이트(GP)의 최대 구부림 각도>>
도 1의 스텝 S15에서 설명한 바와 같이, 최대 구부림 각도가 30° 이상이면, 반도체 웨이퍼(SW)로부터 유리 플레이트(GP)를 박리하여 분리시킬 때, 큰 힘이 걸리지 않아 반도체 회로를 파손해버리는 일이 없었다.
실시예 3의 유리 플레이트(GP)와 비교예 1 및 비교예 6의 유리 플레이트(GP)를 사용하여, 반도체 웨이퍼(SW)로부터 유리 플레이트(GP)를 박리하는 실험을 행했다. 실시예 3의 유리 플레이트(GP)는 최대 구부림 각도 32°이며, 비교예 1 및 비교예 6의 유리 플레이트(GP)는 각각 최대 구부림 각도 18° 및 20°이다. 반도체 웨이퍼(SW)로부터 유리 플레이트(GP)를 박리하는 실험에서, 실시예 3의 유리 플레이트(GP)는 작은 힘으로 박리할 수 있어 반도체 회로도 파손하지 않았다. 한편, 비교예 1 및 비교예 6의 유리 플레이트(GP)는, 박리하기 전에 유리 플레이트(GP)가 깨져버리거나, 반도체 웨이퍼(SW)에 큰 힘이 가해져 반도체 웨이퍼(SW)에 형성된 반도체 회로에 파손이 생기거나 했다. 이것으로부터도, 유리 플레이트(GP)에는 최대 구부림 각도가 30° 이상 필요한 것이 이해된다. 유리 플레이트(GP)의 최대 구부림 각도가 30°보다 작으면, 가요성이 낮기 때문에 유리 플레이트(GP)와 반도체 웨이퍼(SW) 사이의 면 전체에 흡착력이 작용하여, 큰 힘이 걸려버려 분리할 수 없거나 하는 것이라고 이해할 수 있다.
또, 실시예 2의 유리 플레이트(GP)는 최대 구부림 각도 55°이며, 이 실시예 2의 유리 플레이트(GP)에서도 반도체 웨이퍼(SW)의 반도체 회로를 파손하지 않고, 유리 플레이트(GP)를 박리할 수 있었다. 최대 구부림 각도가 보다 커지면 커질수록, 보다 작은 힘으로 구부러져 박리하기 쉽다. 이 때문에, 실시예로 나타낸 것 이상으로 이온교환 시간을 길게 하여 보다 큰 구부림 각도를 갖는 유리 플레이트(GP)이더라도, 반도체 웨이퍼(SW)를 지지하는 유리 플레이트(GP)로서 적합하다.
<<유리 플레이트(GP)의 이온교환>>
실시예 1의 유리 플레이트(GP)와 비교예 1의 유리 플레이트(GP)는, 동일한 유리 기재이고 또한 동일한 형상이며 동일한 단면처리를 시행했고, 상이한 점은 실시예 1의 유리 플레이트(GP)가 이온교환에 의한 화학강화 처리가 시행되어 있는 것에 반해, 비교예 1의 유리 플레이트(GP)가 이온교환에 의한 화학강화 처리가 시행되지 않은 점이다. 최대 구부림 각도는 실시예 1의 유리 플레이트(GP)가 53°도 있는 것에 반해, 비교예 1의 유리 플레이트(GP)는 18°밖에 없다. 마찬가지로, 실시예 3의 유리 플레이트(GP)와 비교예 2의 유리 플레이트(GP)에서는, 각각의 최대 구부림 각도가 32°와 13°이었다. 또 마찬가지로, 실시예 9의 유리 플레이트(GP)와 비교예 6의 유리 플레이트(GP)에서는, 각각의 최대 구부림 각도가 50°와 20°이었다. 즉, 이온교환에 의한 화학강화 처리를 행하면, 최대 구부림 각도 30° 이상을 용이하게 확보할 수 있다.
<<유리 플레이트(GP)의 주연부의 면 조도>>
실시예 1 내지 실시예 11 및 비교예 1 내지 비교예 8의 유리 플레이트(GP)는 두께가 0.5mm 또는 1.0mm로 얇고, 곡면이기 때문에, 주연부의 면 조도를 용이하게 측정할 수 없다. 그래서, 유리 No.1, 유리 No.2 및 유리 No.3, 각각에 대하여, 외경 20mm이고, 두께가 1.0mm의 상하면을 연삭처리품 또는 연마처리품을 제작하고, 그 평면부인 상하면의 산술평균 조도(Ra)를 측정하고, 주연부의 면 조도의 대용 결과를 얻었다. 유리 No.1, 유리 No.2 및 유리 No.3의 종류의 차이에 의한 차이는 볼 수 없었다.
400 번 다듬질 연삭처리품 : Ra=470∼630nm
600 번 다듬질 연삭처리품 : Ra=350∼440nm
연마처리품(광학연마 레벨) : Ra=1.0∼1.6nm
또한, 상기 측정에서 측정장치는 Veeco사제의 접촉식 조도계(형식: Dektak 6M)를 사용했다. 산술평균 조도(Ra)(nm)를 사용하여 평가했다.
실시예 1의 유리 플레이트(GP)와 비교예 4의 유리 플레이트(GP)는, 동일한 유리 기재이고 또한 동일한 형상이며 동일한 화학강화 처리를 시행했으며, 상이한 점은 실시예 1의 유리 플레이트(GP)의 주연부가 연마처리인 것에 반해 비교예 4의 유리 플레이트(GP)의 주연부가 400번 다듬질의 연삭처리인 점이다. 최대 구부림 각도는 실시예 1의 유리 플레이트(GP)가 53°나 있는 것에 반해 비교예 4의 유리 플레이트(GP)는 15°밖에 없다. 비교예 4의 깨지는 방식으로부터 판단하면, 주연부에 잔존하는 작은 상처 등으로부터, 구부림으로써 크랙이 크게 전파해 가 유리 플레이트(GP)가 깨졌다고 할 수 있다. 즉, 주연부에 상처가 없도록 함으로써 30도 이상으로 구부릴 수 있는 유리 플레이트(GP)를 제작할 수 있다.
상기한 바와 같이, 유리 No.1, 유리 No.2 및 유리 No.3의 종류의 차이에 의한 산술평균 조도(Ra)는 볼 수 없었다. 이 때문에, 실시예 4 내지 실시예 10에서 주연부를 600번 다듬질로 연삭처리한 유리 플레이트(GP)가 30도 이상 구부러지는 점에서, 600번 다듬질의 연삭처리를 행하면 되는 것으로 이해된다. 즉, 산술평균 조도(Ra)가 440nm 이하이면 유리 플레이트(GP)가 30도 이상 구부러지게 된다.
<<유리 플레이트(GP)의 압축응력층 두께>>
실시예 9 및 실시예 10과 비교예 5는 형상 및 유리 플레이트(GP) 두께가 동일하고, 주연부가 600번 다듬질의 연삭처리인 점에서 동일하다. 그러나, 비교예 5는 이온교환에 의한 화학강화 처리 조건의 용융액 온도가 낮고 용융액 침지 시간도 짧은 점에서 실시예 9 및 실시예 10과 상이하다. 비교예 5의 유리 플레이트(GP)의 압축응력층 두께는 10㎛이고, 그때의 최대 구부림 각도는 평균 25°이었다. 비교예 5의 유리 플레이트(GP)의 복수매의 실험결과의 편차도 대단히 크고 최저는 18°인 것도 있었다. 반도체 웨이퍼(SW)에 점착한 유리 플레이트(GP)를 박리시킬 때, 반도체 회로가 파손되는 등의 문제가 일어나지 않는다고 하는 최대 구부림 각도 30°를 확보할 수 없었다. 이것은, 압축응력층 두께가 10㎛밖에 없었기 때문에 일어났다고 생각된다. 또, 비교예 5의 최대 구부림 각도 편차가 큰 이유로서, 압축응력층 두께가 10㎛로 작을 때에는, 약간의 압축응력층 두께의 수 ㎛의 편차의 비율이 최대 구부림 각도의 큰 편차로서 나타났다고 생각된다.
또 화학강화 처리를 행하지 않은 비교예 1, 비교예 2 및 비교예 6은 최대 구부림 각도가 20° 이하이다. 따라서, 반도체 웨이퍼(SW)를 지지하는 유리 플레이트(GP)는 최저 15㎛ 이상의 압축응력층 두께가 필요하다고 할 수 있다. 바람직하게는, 실시예 10의 유리 플레이트(GP)와 같이 압축응력층 두께가 20㎛ 이상 있으면 된다고 할 수 있다.
다음에 실시예 8은, 실시예 6 및 실시예 7에 비해, 이온교환 처리를 제외하고 동일 조건이며, 이온교환에 의한 화학강화 처리의 조건은 용융액 온도가 400℃로 높고 용융액 침지 시간이 15시간으로 길다. 그 때문에 실시예 8의 압축응력층 두께의 실측값은 220㎛로 대단히 두꺼운 값이 되었다. 그러나, 최대 구부림 각도는 32°로, 반도체 웨이퍼(SW)에 점착한 유리 플레이트(GP)를 박리시킬 때에, 반도체 회로 등이 파손되는 등의 문제가 일어나지 않는다고 하는 최대 구부림 각도 30°를 겨우 확보할 수 있었다. 압축응력층 두께의 실측값이 220㎛보다 큰 압축응력층의 두께를 가졌을 때에는, 형상 자체에 휨이나 굴곡이 발생하기 쉬워진다. 휨이나 굴곡이 있으면 웨이퍼 지지 유리로서의 기능은 발휘할 수 없어 사용할 수 없다. 따라서, 압축응력층 두께가 220㎛ 이하가 아니면 안 된다고 할 수 있다. 바람직하게는 압축응력층 두께가 160㎛ 이하 있으면 된다고 할 수 있다.
<<유리 플레이트(GP)의 두께>>
실시예 1과 실시예 3은 유리 기재, 형상, 단면처리 및 이온교환 처리가 모두 동일하고, 실시예 1의 유리 플레이트(GP)의 판 두께가 0.5mm이며, 실시예 3의 유리 플레이트(GP)의 판 두께가 1.0mm인 점에서 상이하다. 각각의 최대 구부림 각도는 53°, 32°이었다. 유리판 두께를 얇게 하면 할수록 최대 구부림 각도는 커지고, 유리판 두께를 두텁게 하면 할수록 최대 구부림 각도는 작아질 것으로 추정할 수 있다. 상기한 바와 같이 최대 구부림 각도는 30°를 확보하기 쉽기 때문에, 외삽 계산으로부터 유리 플레이트(GP)의 판 두께는 최대 1.1mm인 것으로 예측할 수 있다.
또, 유리 플레이트(GP)는 가능한 한 얇은 편이 좋다. 왜냐하면, 유리 플레이트(GP)로 지지된 반도체 웨이퍼(SW)(두께 30㎛부터 50㎛)도, 유리 플레이트(GP)가 필요하지 않은 반도체 웨이퍼(SW)(두께 50㎛ 이상)도, 반도체 제조장치상에서는 동일한 조건으로 처리되게 된다. 유리 플레이트(GP)가 가능한 한 얇으면 반도체 웨이퍼(SW)측의 두께 제한이 완화되어 자유도가 증가하기 때문이다. 그 의미에서의 두께 상한도 거의 1.1mm에 상당한다.
유리 플레이트(GP)는 얇아지면 얇아질수록 최대 구부림 각도가 커진다고 예측할 수 있다. 단, 0.3mm 이하에서는, 웨이퍼 지지 유리로서 강성을 유지할 수 없어 반도체 웨이퍼를 안정적으로 지지할 수 없었다. 따라서 유리판의 두께는 0.3mm 이상 1.1mm 이하인 것이 바람직하고, 0.5mm 이상 1.0mm 이하이면 더욱 바람직하다.
0.3mm 두께의 유리 플레이트(GP)가 수평방향으로 지지되었을 때에도 이 유리 플레이트(GP)가 자중으로 구부러지지는 않는다. 50㎛ 두께의 반도체 웨이퍼(SW)는 휘어버리지만, 이 반도체 웨이퍼(SW)를 0.3mm 두께의 유리 플레이트(GP)에 접착한 경우이더라도, 0.3mm 두께의 유리 플레이트(GP)는 50㎛ 두께의 반도체 웨이퍼(SW)를 수평으로 지지할 수 있다.
<<유리 플레이트(GP)의 주연부에 대한 내충격성>
실시예 1, 실시예 4, 실시예 5, 실시예 7 및 실시예 9의 유리 플레이트(GP) 및 비교예 3, 비교예 7 및 비교예 8의 유리 플레이트(GP)에 대하여 주연부에 대한 내충격성을 측정했다. 각 실시예 또는 각 비교예 모두 3장부터 10장의 유리 플레이트(GP)에 대하여 측정을 행했다. 또한, 본 실시형태의 주연부에 대한 내충격성은 유리 플레이트(GP)의 직경방향으로부터 가해지는 충격에 대한 내성으로, 그 측정방법은 도 6A 내지 도 6C를 사용하여 후술한다. 또한, 유리 플레이트(GP)에 상처가 생겼으면 내충격성을 측정한 값에 오차가 발생해 버리기 때문에, 충격을 주는 샘플인 유리 플레이트(GP)는 1장에 대하여 1회의 충격만을 주고, 그 유리 플레이트(GP)가 깨지지 않았다고 해도 2회째의 충격측정용으로 사용하지 않았다.
[실시예 1의 유리 플레이트(GP)]
실시예 1의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 100㎛로, 내충격도 측정에서, 낙하거리 14cm에서는 유리 플레이트(GP)는 깨지지 않고, 낙하거리 24cm에서는 유리 플레이트(GP)는 파괴되었다.
[실시예 4의 유리 플레이트(GP)]
실시예 4의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 100㎛로, 내충격도 측정에서, 낙하거리 14cm에서는 유리 플레이트(GP)는 깨지지 않고, 낙하거리 24cm에서는 유리 플레이트(GP)는 파괴되었다.
[실시예 5의 유리 플레이트(GP)]
실시예 5의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 100㎛로, 내충격도 측정에서, 낙하거리 14cm에서도, 낙하거리 24cm에서도, 또 낙하거리 34cm에서도 유리 플레이트(GP)는 깨지지 않았다.
[실시예 7의 유리 플레이트(GP)]
실시예 7의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 100㎛로, 내충격도 측정에서, 낙하거리 14cm에서는 유리 플레이트(GP)는 깨지지 않고, 낙하거리 24cm에서는 유리 플레이트(GP)는 파괴되었다.
[실시예 9의 유리 플레이트(GP)]
실시예 9의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 약 25㎛로, 내충격도 측정에서, 낙하거리 14cm에서는 유리 플레이트(GP)는 깨지지 않고, 낙하거리 24cm에서는 유리 플레이트(GP)는 파괴되었다.
[비교예 3의 유리 플레이트(GP)]
비교예 3의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 없으며, 내충격도 측정에서, 낙하거리 2cm에서 유리 플레이트(GP)는 파괴되었다.
[비교예 7의 유리 플레이트(GP)]
비교예 7의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 없으며, 내충격도 측정에서, 낙하거리 2cm에서 유리 플레이트(GP)는 파괴되었다.
[비교예 8의 유리 플레이트(GP)]
비교예 8의 유리 플레이트(GP)는 압축응력층의 두께가 없으며, 내충격도 측정에서, 낙하거리 14cm에서는 유리 플레이트(GP)는 3장 중 2장이 깨지지 않고, 3장 중 1장이 파괴되었다. 낙하거리 24cm에서는 유리 플레이트(GP)는 파괴되었다.
이상의 결과를 표 4에 나타낸다.
Figure 112009062545319-PCT00004
<실시예 1, 실시예 4, 실시예 5, 실시예 7 및 실시예 9의 유리 플레이트(GP)와 비교예 3, 비교예 7 및 비교예 8의 유리 플레이트(GP)의 고찰>
<<유리 플레이트(GP)의 화학강화 처리>>
실시예 4의 유리 플레이트(GP)와 비교예 3의 유리 플레이트(GP)는, 동일한 유리 기재이고 또한 동일한 형상으로 동일한 단면처리를 시행했고, 상이한 점은 실시예 4의 유리 플레이트(GP)가 이온교환에 의한 화학강화 처리가 시행되어 있는 것에 반해, 비교예 3의 유리 플레이트(GP)가 이온교환에 의한 화학강화 처리가 시행되지 않은 점이다. 비교예 3의 유리 플레이트(GP)는 낙하거리 2cm에서 파괴되어 버리는 것에 반해, 실시예 4의 유리 플레이트(GP)는 낙하거리가 14cm에서도 깨지지 않았다. 즉, 이온교환에 의한 화학강화 처리를 행하면, 주연부에 대한 내충격성의 측정에서의 높이가 약 7배 이상으로 높아지므로 주연부에 대한 내충격성의 향상에는 이온교환에 의한 화학강화 처리가 중요하다는 것을 알 수 있다.
화학강화 처리가 중요한 것을 다음과 같은 점에서도 이해할 수 있다.
비교예 3의 유리 플레이트(GP)와 비교예 7의 유리 플레이트(GP)는, 동일한 형상이고 동일한 두께，모두 이온교환에 의한 화학강화 처리가 시행되지 않았다. 양자의 상이한 점은 비교예 3의 유리 플레이트(GP)의 유리 기재가 유리 No.1인 것에 반해, 비교예 7의 유리 플레이트(GP)가 파이렉스(등록상표) 유리인 점, 또한 비교예 3의 유리 플레이트(GP)가 600번 다듬질로 연삭처리 되어 있는 것에 반해, 비교예 7의 유리 플레이트(GP)가 연마처리인 점이다. 비교예 7의 파이렉스(등록상표) 유리쪽이 비교예 3의 화학강화하지 않은 유리 No.1보다 유리 자신의 강도(예를 들면, 영률)는 높으므로 주연부에 대한 내충격성이 있다고 생각된다. 그리고, 비교예 7의 유리 플레이트(GP)의 주연부도 연마 마무리이기 때문에 비교예 3의 600번 다듬질 연삭처리보다 잔류 상처가 적으므로 깨지기 어려울 것이다.
그러나, 비교예 3의 유리 플레이트(GP)도 비교예 7의 유리 플레이트(GP)도 낙하거리 2cm에서 파괴되어 버렸다. 이 점에서 유리 기재의 종별에는 그다지 관계없이, 화학강화 하지 않은 유리의 주연부는 내충격성에 관하여 대단히 낮은 것을 살펴볼 수 있다. 즉, 주연부에 대한 내충격성의 향상에는 이온교환에 의한 화학강화 처리가 중요하다.
주연부에 대한 내충격성의 향상에는 이온교환에 의한 화학강화 처리가 중요한 것을, 다음과 같은 점에서도 이해할 수 있다.
실시예 4, 실시예 7 및 실시예 9는, 동일한 형상이며 동일한 두께, 동일한 단면처리를 시행했다. 한편, 이것들은 각각의 유리 기재가 유리 No.1, 유리 No.2 및 유리 No.3을 채용하고 있고, 상이한 유리 기재에 따라 최적의 이온교환에 의한 화학강화 처리가 행해져 있고, 후술하는 압축응력층의 측정에 의해, 실시예 4 및 실시예 7의 압축응력층의 깊이는 약 100㎛이고, 실시예 9의 압축응력층의 깊이는 약 25㎛이다.
내충격도의 결과는 어느 것도 모두 낙하거리 14cm에서 깨지지 않았지만 낙하거리 24cm에서 파괴되었다. 즉, 주연부에 대한 내충격성은 화학강화 처리를 시행한 유리 플레이트(GP)이면 유리 기재의 종별에는 그다지 관계없다는 것이다. 또, 압축응력층의 깊이가 약 25㎛ 이상이면 압축응력층의 깊이에도 의존하지 않았다고 할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 주연부에 대한 내충격성의 측정은 유리 플레이트(GP)에 주는 충격은 1회뿐이라고 하는 조건으로 측정했다. 왜냐하면, 유리 플레이트(GP)의 상하면이나 주연부에 상처가 난 상태에서 주연부에 대한 내충격성의 측정을 행하면, 압축응력층의 깊이가 얕은 실시예 9의 주연부에 대한 내충격성은 낮다고 판정될 가능성이 있기 때문이다.
또한, 주연부에 대한 내충격성의 향상에는 이온교환에 의한 화학강화 처리가 중요한 것을, 다음과 같은 점에서도 이해할 수 있다.
실시예 5 및 비교예 8은，모두 외경 201mm, 두께 1.0mm이고 상하면이 연마되어 있다. 한편 실시예 5은 유리 기재가 유리 No.1이고 최종 단면처리를 600번 다듬질 연삭처리로 하고, 비교예 8은 유리 기재가 파이렉스(등록상표) 유리이고 최종 단면처리를 연마 마무리로 했다. 실시예 5는 낙하거리 34cm에서도 유리 플레이트가 파괴하지 않은 것에 반해, 비교예 8은 낙하거리가 24cm에서 깨졌다. 현재 통상 사용되고 있는 반도체 웨이퍼 지지 유리인 파이렉스(등록상표) 유리보다, 이온교환에 의한 화학강화 처리를 시행한 유리 플레이트(GP)쪽이 주연부에 대한 내충격성을 가지고 있는 것을 의미한다.
이상의 결과로부터, 압축응력층은 중요하며 위치결정 핀 등과의 맞닿음 또는 세정공정 등에서, 가해지는 충격에 견딜 수 있도록 유리 플레이트(GP)에는 압축응력층 깊이 15㎛는 필요한 것으로 생각된다. 유리 플레이트(GP)는 몇 번이고 반복하여 사용되기 때문에 압축응력층의 깊이는 깊은 쪽이 상처가 나기 어렵다. 그러나, 압축응력층 두께가 220㎛보다 큰 압축응력층의 두께를 가진 때에는, 형상 자체에 휨이나 굴곡이 발생하기 쉬워진다. 즉 두께는 유리 플레이트(GP)의 형상 자체에 휨 등이 생기지 않도록 압축응력층 두께 220㎛ 이하가 바람직하다고 할 수 있다. 더욱 바람직하게는 압축응력층 깊이 25㎛에서 100㎛인 것이 좋다.
<<유리 플레이트(GP)의 주연부의 면 조도>>
실시예 4의 유리 플레이트(GP)와 실시예 1의 유리 플레이트(GP)는, 동일한 유리 기재이고 또한 동일한 형상이며 동일한 화학강화 처리를 시행했으며, 상이한 점은 실시예 4의 유리 플레이트(GP)의 주연부가 600번 다듬질의 연삭처리인 것에 반해 실시예 1의 유리 플레이트(GP)의 주연부가 연마처리인 점이다. 양자 모두 낙하거리 14cm에서 깨지지 않았지만 낙하거리 24cm에서 파괴되었다. 낙하거리 14cm의 주연부에 대한 내충격성을 확보하는 것이라면, 연마처리까지 행할 필요가 없이 600번 다듬질의 연삭처리에 의한 최종 단면처리를 행하면 충분하다. 달리 말하면 주연부의 면 조도가 산술평균 조도(Ra)에서 440nm 이하이면 된다고 할 수 있다.
<<유리 플레이트(GP)의 두께>>
실시예 4와 실시예 5는 유리 기재, 형상, 단면처리 및 이온교환 처리가 모두 동일하고, 실시예 4의 유리 플레이트(GP)의 판 두께가 0.5mm이고, 실시예 5의 유리 플레이트(GP)의 판 두께가 1.0mm인 점에서 상이하다. 주연부에 대한 내충격성의 측정 결과에 있어서, 실시예 4는 낙하거리 14cm에서 깨지지 않았지만 낙하거리 24cm에서 파괴되었다. 한편, 실시예 5는 낙하거리 34cm에서도 깨지지 않았다.
상기한 바와 같이, 비교예 8은 반도체 웨이퍼(SW)를 지지하는 유리 플레이트로서 현재 일반적으로 사용되고 있다.
실시예 4 및 비교예 8의 유리 플레이트(GP)는，모두 직경 201mm, 상하면이 연마되어 있다. 한편 실시예 4는 유리 기재가 두께 0.5mm의 유리 No.1이며, 최종 단면처리를 600번 다듬질 연삭처리로 하고, 비교예 8은 두께가 1.0mm의 파이렉스(등록상표) 유리이며 최종 단면처리를 연마 마무리로 했다. 실시예 4와 비교예 8은 모두 낙하거리 24cm에서 유리 플레이트(GP)가 파괴되었다. 실시예 4는 낙하거리가 14cm에서 깨지지 않았다. 비교예 8은 낙하거리 14cm에서 측정한 3장중 2장이 깨지지 않고, 3장중 1장이 파괴되었다. 이것은, 비교예 8의 유리 플레이트와 비교하면, 실시예 4의 유리 플레이트는 동등 또는 그 이상의 주연부에 대한 내충격성을 가지고 있는 것을 나타내고 있다. 즉, 이온교환에 의한 화학강화 처리를 행함으로써, 현재 일반적으로 사용되고 있는 비교예 8과 동등 이상의 주연부에 대한 내충격성을, 절반의 판 두께 0.5mm에서 실현할 수 있었다.
또한, 일본 특개 2005-057046호 공보 또는 일본 특개 2006-156633호 공보 등에서 사용되는 유리 플레이트(GP)의 두께는 0.625mm, 0.725mm, 0.825mm, 1.000mm의 4종이다. 그 때문에, 본 실시형태 1 등의 두께 0.5mm의 유리 플레이트(GP)를 사용하면, 가요성 또는 주연부에 대한 내충격성 이외에, 경량화, 내구성의 향상도 도모할 수 있다.
<유리 플레이트(GP)의 압축응력층의 측정방법>
도 4는 유리 플레이트(GP)의 압축응력층 두께의 측정방법을 도시하는 도면이다.
압축응력층 두께의 측정(그 1)
화학강화에 의한 압축응력이 유리 플레이트(GP) 내에 존재하면, 광탄성 효과에 의해 압축응력 부분은 복굴절성을 나타낸다. 직교시킨 편광판 사이에 유리 플레이트(GP)를 재치시키고, 그 유리 플레이트(GP)의 방향을 조정하면, 암시야 중에 뚜렷하게 밝은 영역이 눈에 보인다. 이 밝은 영역의 폭을 계측함으로써 압축응력층 두께를 측정할 수 있다. 압축응력층이 비교적 깊게 들어간 실시예 1 내지 실시예 8 및 비교예 4(유리 No.1 또는 유리 No.2)에 대해서는, 본 방법으로 압축응력층 두께를 측정했다. 압축응력층이 비교적 얕게 들어간 실시예 9 내지 실시예 11 및 비교예 5(유리 No.3)는 밝은 영역이 지나치게 얇아 두께를 정확하게 계측할 수 없었다.
도 4(a)에 도시한 외경 201mm의 유리 플레이트(GP)는, 우선, 폭 2mm의 라인(42A) 및 라인(42B)을 따라 다이아몬드 커터로 절단했다. 그 후, 절단한 띠 형상 유리편의 중앙부 부근을 폭 20mm로 라인(43A) 및 라인(43B)을 따라, 마찬가지로 다이아몬드 커터로 절단했다. 잘라낸 유리편은 라인(42A) 및 라인(42B)을 따라 절단한 절단면을 연삭 연마했다. 유리편은 그 연마 후 두께 약 0.3mm로 다듬질하여 상하면이 연마면인 연마 유리편(44)으로 변신시켰다.
도 4(b)에 도시한 투명한 슬라이드 글래스(47) 위에, 연마 유리편(44)의 일방의 연마면을 접촉시키고, 핫멜트 접착제로 고정했다. 여분의 핫멜트 접착제를 제거한 후는, 유리편(44)의 연마면 전체가 슬라이드 글래스(47)를 통하여 투명하게 광투과하는 것을 확인했다. 유리편(44)의 면(45B)은 도 4(a)에서의 라인(43B)을 따라 절단한 절단면이며, 면(45A)은 라인(43A)을 따라 절단한 절단면이다. 면(49)은 도 4(a)에 도시한 유리 플레이트(GP)의 상면에 상당하고, 면(48)은 유리 플레이트(GP)의 하면에 상당한다.
도 4(c)에 도시한 각각 편광면을 직교시킨 편광판(51A)과 편광판(51B) 사이에, 연마 유리편(44)을 접착한 슬라이드 유리(47)가 삽입된다. 그리고 편광판(51B)의 하부에 배치된 광원(53)이 백색광을 조사한다. 연마 유리편(44)을 접착한 슬라이드 유리(47)는 편광판(51A)의 상부의 방향에서 관찰된다. 관찰된 연마 유리편(44)의 결과 개략을 도 4(d)에 도시한다. 직교시킨 편광판(51A 및 51B)을 통하여 상부의 방향에서 관찰하면, 압축응력층이 존재하지 않는 유리편에서는 아주 컴컴해서 아무것도 보이지 않는다. 그러나, 이온교환에 의한 화학강화 처리를 시행하여 압축응력층이 존재하면 밝게 관찰할 수 있다. 연마 유리편(44)은 면(48) 및 면(49)을 따라 밝게 투과한 영역(44T1) 및 영역(44T2)을 관찰할 수 있으므로, 이들 영역(44T1) 및 영역(44T2)은 압축응력층이다. 또 중심영역(44T3)도 조금 밝게 관찰할 수 있었다. 이 영역중심영역(44T3)은 인장응력이 발생해 있는 영역이다. 또, 불투과 영역(44B1) 및 영역(44B2)은 아주 컴컴한 선으로서 존재했다. 이 영역은 정확히 압축응력과 인장응력이 서로 상쇄되어, 응력의 발생이 억제된 장소로, 직교 편광판 사이에서는 아주 컴컴한 영역으로서 관찰할 수 있다.
측장 기능을 부속시킨 현미경(55)을 사용하여, 밝은 부분의 두께를 미크론 단위로 계측함으로써 압축응력층의 깊이를 측정할 수 있다. 면(48)및 면(49)은 유리 플레이트(GP)의 상하면에 상당하며, 질산염 용융액에 의한 이온교환의 최전면이기도 하다. 면(48) 및 면(49)으로부터, 불투과영역(44B1) 및 영역(44B2)까지의 두께(DE)를 미크론 단위로 계측했다. 단, 실시예 8은, 압축응력층의 두께가 두껍기 때문에 압축응력과 인장응력이 서로 상쇄되는 불투과영역(44B1) 및 영역(44B2)의 콘트라스트가 낮아 정확하게 측정할 수 없었다. 그 때문에 이하의 측정방법으로 측정했다.
압축응력층 두께의 측정(그 2)
실시예 8은 이온교환이 일어난 두께를 측정했다. 본 방법은 압축응력층 두께의 측정(그 1)에서 제작한 연마 유리편(44)을 사용하여, EPMA(Electron Probe Micro-Analysis: 전자선 마이크로 어낼리시스)에 의한 나트륨(Na)의 선분석(선 상의 원소분석)을 행했다. EPMA는 시료 표면에 약 1㎛로 좁힌 전자선을 조사하여, 시료와 전자선의 상호작용에 의해 발생하는 특성 X선을 검출하는 분석이다. EPMA를 사용한 나트륨(Na)의 선분석은 연마 유리편(44)의 면(48) 또는 면(49)으로부터, 유리 내측을 향하여 선 상의 원소분포 분석을 하는 것이다. 유리 내측을 향한 선 상의 거리와, 검출한 나트륨의 농도분포로부터, 이온교환이 일어나지 않은 영역과 리튬과 이온교환이 일어나 나트륨의 농도가 증가한 영역과의 변곡점을 특정할 수 있다. 면(48) 및 면(49)으로부터 그 변곡점의 위치까지 거리를 압축응력층으로 했다. 본 방법에 의한 실시예 8의 압축응력층의 두께는 220㎛이었다.
압축응력층 두께의 측정(그 3)
유리와 같은 투명 물체를 직선 편광광이 통과할 때, 그 물체에 발생한 힘(본실시예에서는 압축응력)에 의해 광이 영향을 받는다. 이 영향을 측정함으로써 물체의 내부에 작용하는 힘을 해석할 수 있다. 본 방법은 광탄성 해석법이라고 불리고 있고 JIS 규격(R-3222)으로서 일반화되어 있으며 표면응력계로서 시판되고 있다. 압축응력층이 비교적 얕게 들어간 실시예 9 내지 실시예 11 및 비교예 5(유리 No.3)는 광탄성 해석법을 사용하여 압축응력층의 두께를 측정했다. 도 4(a)에 도시하는 유리 플레이트(GP)를 그대로 사용했다. 또한, 본 방법을 사용하여, 압축응력층이 비교적 깊게 들어간 실시예 1 내지 실시예 8 및 비교예 4(유리 No.1 또는 유리 No.2)의 계측을 시도했지만, 해석에 필요한 이미지를 검출할 수 없어, 계측 자체를 할 수 없었다.
<유리 플레이트(GP)의 구부림 각도의 측정방법>
도 5는 유리 플레이트(GP)의 구부림 각도의 측정방법을 도시한 도면이다. 도 5(a)에서, 두께 25×폭 200×깊이 250mm의 목판이나 철판 등의 경질판(61A) 위에, 두께 3mm×폭 200×깊이 250의 고무 시트나 비닐 시트 등의 연질 시트(62A)를 첩부했다. 동일한 크기의 연질 시트(62B)를 첩부한 동일 크기의 경질판(61B)을 준비하고, 28mm*250mm의 측면을 맞추어 A 지점을 기점으로 꺾어 구부리는 동작을 할 수 있게 A 지점 부근에 경첩을 부착하고 있다. 연질 시트(62A) 부착 경질판(61A)은 움직이지 않도록 고정하고, 연질 시트(62B) 부착 경질판(61B)은 A 지점에서 꺾어 구부릴 수 있다.
그리고, 두께 25×폭 150×안길이 250mm의 반원기둥 경질판(65)은 안길이 250mm의 반경 12.5mm의 반원기둥으로 마무리되어 있다. 이 반원기둥 경질판(65)에, 두께 3mm×폭 290×안길이 250의 제 2 연질 시트(66)를 도 5에 도시하는 바와 같이 첩부하고 있다.
유리 플레이트(GP)의 구부림 각도의 측정 시에는, 각 실시예 및 각 비교예의 유리 플레이트(GP)가, A 지점이 유리 플레이트(GP)의 원 중심선과 일치하도록 배치된다. 그리고, 유리 플레이트(GP)가 움직이지 않도록 상기의 제 2 연질 시트(66) 부착 반원기둥 경질판(65)이 유리 플레이트(GP) 위에 눌려진다. 반원기둥 경질판(65)이 유리 플레이트(GP)를 누르는 위치는, 제 2 연질 시트(66)의 반원기둥 최외부와 유리 플레이트(GP)의 원 중심선이 일치하는 위치이다.
다음에, 도 5(b)에 도시하는 바와 같이 연질 시트(62B) 부착 경질판(61B)이 화살표(67)의 방향으로, A 지점을 지지점으로 하여 천천히 회전한다. 유리 플레이트(GP)는 제 2 연질 시트(66) 부착 반원기둥 경질판(65)의 하부 반원기둥의 원호를 따라 구부러진다. 화살표(67)의 방향으로 회전하는 각도는 구부림 각도로 약 1°/초로 행한다. 구부림 각도는 연질 시트(62A)의 상면과 연질 시트(62B)의 상면과의 각도(69)로 나타냈다. 그리고, 최대 구부림 각도는 유리 플레이트(GP)가 화살표(67)의 방향으로 점점 밀어 올려져, 유리 플레이트(GP)가 깨져버렸을 때의 각도로 했다. 연질 시트(62A)의 상면과 연질 시트(62B)의 상면과의 각도(69)는 분도기를 사용하여 1° 단위로 계측했다. 또한, 유리 플레이트(GP)는 비닐 봉지에 넣어 본 측정을 행하는 편이 편리한 것을 알 수 있었다. 왜냐하면, 비닐 봉지가, 유리가 휘어 구부러져서 깨졌을 때의 비산 방지의 역할을 해주기 때문이다. 또한, 유리 플레이트(GP)가 깨진 상태가 비닐 봉지에 보존되므로, 깨진 상태를 자세하게 관찰할 수 있기 때문이다.
<유리 플레이트(GP)의 주연부에 대한 내충격성의 측정방법>
반도체 웨이퍼(SW)를 지지하는 유리 플레이트(GP)의 직경은 지지되는 반도체 웨이퍼(SW)의 직경보다도 직경이 조금 크다. 그 이유는, 반도체 웨이퍼(SW) 자신이 받는 충격을 유리 플레이트(GP)가 대신해서 받기 때문이다. 그 충격은 위치결정 시의 도시하지 않은 위치결정 핀의 충돌이거나 도시하지 않은 반송 핸드와의 충돌이거나, 유리 플레이트(GP)의 세정이거나 또는 도시하지 않은 스토커의 벽면과의 충돌이다. 이와 같이 유리 플레이트(GP)로의 반송 등에 의한 주요 충격은 유리 플레이트(GP)의 단부에 가해지는 충격이 되기 때문에, 유리 플레이트(GP)를 수평으로 놓고 유리 플레이트(GP)의 중심을 향하여 경구(硬球)를 낙하시키는 경구낙하 강도시험에 의한 충격과는 힘이 가해지는 방향이 상이하다. 또, 이 경구낙하 강도시험에서는, 반송 등에 발생하는 유리 플레이트(GP)의 주연부에 대한 충격에 대한 내성을 평가하는 것이 곤란했다.
이번에 채용한 내충격도 측정에서의 단부에 대한 충격은, 상기 경구낙하 강도시험을 대신하여, 유리 플레이트(GP)의 단부에 반송시 등과 동일한 충격을 가하고 그 내충격성을 평가하는 것이다.
도 6A는, 유리 플레이트(GP)의 주연부에 대한 내충격성의 측정에 사용하는 내충격성 측정기(70)를 사용한 도면이며, (a)는 그 측면도이고 (b)는 그 정면도이다. 또 도 6B는 내충격성 측정기(70)의 유리 플레이트(GP) 부근의 확대도이다. 도 6C는 내충격성 측정시의 내충격성 측정기(70)의 사용 방법을 도시한 도면이다.
도 6A에 도시하는 바와 같이, 내충격성 측정기(70)는 910(Z방향)×450(X방향)×18(Y방향)mm의 레드오크재로 이루어지는 베이스(73)와 그 베이스(73)에 부착된 유리받이 토대(74)를 갖는다. 유리받이 토대(74)는 유리 플레이트(GP)를 수직으로 세우는 토대로, 유리 플레이트(GP)를 수직으로 가볍게 지탱하는 고무 원판(78)을 베이스(73) 위에 설치하고 있다. 본 실시형태에서는 직경 201mm의 유리 플레이트(GP)를 사용했으므로, 직경 100mm의 고무 원판(78)을 사용했다.
베이스(73)는 4개의 고정 가이드 지지금구(77)가 부착되어 있고, 그 고정 가이드 지지금구(77)에 의해 베이스(73)에 평행하게 2개의 고정 가이드 부재(76)가 부착되어 있다. 2개의 고정 가이드 부재(76)는 홈을 갖는 2개의 이동 가이드 부재(75)에 끼어 들어가게 되어 있다. 무게판(71)은 레드오크재로 이루어지는 600(Z방향)×140(X방향)×18(Y방향)mm의 크기이며 약 1.5kg의 무게이다. 무게판(71)은 그 양측면에 각각 이동 가이드 부재(75)를 부착하고 있다. 이 때문에, 무게판(71)은 이동 가이드 부재(75) 및 고정 가이드 부재(76)를 통하여 베이스(73)에 평행하게 미끄러지게 할 수 있다. 그리고 고무 원판(78)의 두께를 조정하여 정확히 무게판(71)의 두께 중앙부근에 유리 플레이트(GP)가 충돌하도록 하고 있다.
도 6B에 도시하는 바와 같이, 무게판(71)을 상부로부터 낙하시켜 유리 플레이트(GP)에 최초에 충돌하는 AP 지점(도 5 내에 도시한다.)으로 한다. 무게판(71)의 AP 지점에서는, 내충격도 시험의 낙하마다 유리 플레이트(GP)와 무게판(71)이 충돌한다. 이 무게판(71)이 AP 지점에서 유리 플레이트(GP)의 주연부의 형상을 따른 함몰이 발생하지 않도록, 0.2(Z방향)×60(X방향)×15(Y방향)mm의 무게판용 스테인리스판(82)을 배치했다. 유리 플레이트(GP)의 AP 지점이 무게판용 스테인리스판(82)에 직접 부딪히면, 충격으로 깨지기 보다도 우선 상처가 생기고, 그 상처를 기점으로 하여 그 무게판(71)의 무게 또는 압축력으로 깨질 우려가 있다. 그래서 무게판용 스테인리스판(82) 위에 5(Z방향)×20(X방향)×10(Y방향)mm의 발포 우레탄(83)을 첩부했다. 발포 우레탄(83)의 역할은 완충재로서 기능한다. 또한 무게판(71), 무게판용 스테인리스판(82) 및 발포 우레탄(83)을 합계하여 1.5kg으로 했다.
유리받이 토대(74)와 유리 플레이트(GP)가 접하는 BP 지점에서도 유리 플레이트(GP)의 주연부의 형상에 따른 함몰이 발생하지 않도록, 0.2(Z방향)×60(X방향)×15(Y방향)mm의 유리받이용 스테인리스판(84)을 배치했다. 또, 유리받이판용 스테인리스판(84) 위에 접착용의 염화비닐제 점착테이프(85)를 첩부했다. 염화비닐제 점착테이프(85)의 역할은 완충재로서의 기능의 타유리 플레이트(GP)의 미끄럼 방지의 역할도 담당했다.
또, 도 6A 및 도 6B에 도시하는 바와 같이, 무게판(71)이 AP 지점의 높이로부터 하방 10mm에서 멈추도록 베이스(73) 위에 스토퍼(81)를 배치했다. 이것은 충격력만으로 유리 플레이트(GP)의 내충격성을 확인하기 위해서이다. 즉, 무게판(71), 무게판용 스테인리스판(82) 및 발포 우레탄(83)을 합계하여 1.5kg이기 때문에, 충격력뿐만 아니라 유리 플레이트(GP)에 대한 압축력만으로 유리 플레이트(GP)가 깨져버릴 우려가 있다. 실제로, 0.1mm 두께의 유리 플레이트(GP)에서는 무게판(71)을 살짝 놓은 것만으로 0.1mm 두께의 유리 플레이트(GP)는 깨져버렸다. 그래서 스토퍼(81)를 배치하여 무게판(71)에 의한 충격력만이 유리 플레이트(GP)에 가해지도록 하였다.
도 6C에 도시하는 바와 같이, 내충격성 측정기(70)가 경사각(θ)으로 기운 상태에서 유리 플레이트(GP)의 내충격성의 측정을 행했다. 유리 플레이트(GP)를 안정하게 고무 원판(78)에 유지하기 위해서, 경사각(θ)은 약 6∼7°의 각도로 했다. 유리 플레이트(GP)를 소정의 위치에 정지시키고, 무게판(71)을 소정의 낙하거리(FL)에까지 들어올려 자연낙하시켰다. 낙하거리는 1cm 단위로 계측했다. 상기한 바와 같이 내충격도의 측정시에, 측정 편차도 고려하여 동일 조건으로 제작한 유리 플레이트(GP)는 최저 3장 이상을 사용하여 동일한 낙하거리의 내충격성을 측정했다. 또, 충격을 주는 샘플인 유리 플레이트(GP)는 1장에 대하여 1도의 충격만을 주었다. 그런데, 유리 플레이트(GP)를 투명 폴리에틸렌 봉지에 넣어 측정하면 좋다. 충격에 의해 유리 플레이트(GP)가 산산조각으로 깨져도 투명 폴리에틸렌 봉지에 들어 있으면 비산하지 않기 때문이다. 또 발포 우레탄(83)은 충돌마다 균열이 생겨버렸으므로 충돌마다 교환하여 다시 붙였다. 염화비닐제 점착테이프(85)는 발포 우레탄(83) 정도로 빈번히 균열이 생기지 않았으므로 필요에 따라 교환했다.
<실시형태 2: 코팅 강화된 유리 플레이트(GP)>
실시형태 1에서는, 화학강화된 유리 플레이트(GP)를 설명했다. 화학강화된 유리 플레이트(GP) 이외에, 코팅 강화된 유리 플레이트(GP)이어도 최대 30° 이상 구부러지는 유리 플레이트(GP)를 제공할 수 있다. 또, 주연부가 내충격성을 갖는 유리 플레이트(GP)를 제공할 수 있다. 이하에 이 조건을 충족시키는 코팅 강화된 유리 플레이트(GP)에 대하여 설명한다.
<유리 기재>
코팅 강화된 유리 플레이트(GP)에 사용하는 유리 기재는 상기 실시형태 1과 동일한 유리 No.1, 유리 No.2, 유리 No.3을 사용했다. 화학강화를 할 필요가 없기 때문에, 0.5mm 두께 또는 1.0mm 두께의 저알칼리 유리 혹은 무알칼리 유리이어도 된다. 실시형태 1과 동일하게, 0.3mm 두께부터 1.1mm 두께의 유리 기재가 웨이퍼에 접착하여 지지하는 유리 기재로서 바람직하다. 또, 유리 기재의 단면처리는 산술평균 조도(Ra)가 400nm 이하로 가공한다.
<코팅제>
유리 기재의 가요성 또는 주연부의 내충격성을 향상시키기 위한 코팅제는 폴리에테르술폰을 가지며, 이 코팅제의 용매가 방향족 탄화수소, 할로겐화 탄화수소, 에스테르류, 케톤류, 니트릴류, 술폭시드류 중 어느 하나를 포함한다. 용매는 폴리에테르술폰을 코팅제 중에서 안정한 것으로 하기 위하여, 방향족 탄화수소, 할로겐화 탄화수소, 에스테르류, 케톤류, 니트릴류, 술폭시드류 중 어느 하나에 속하는 화학종으로부터 2종 이상 선택한다.
유리 기재에 코팅제를 도포하는 방법은 딥 코팅, 플로우 코팅, 스핀 코팅, 롤 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 인쇄, 플렉소 인쇄 등의 방법에 의해 행할 수 있다. 코팅제를 유리 기재에 도포한 후, 건조공정, 250℃∼400℃의 소성공정을 거쳐 코팅 강화된 유리 플레이트(GP)를 얻을 수 있다.
코팅막의 막 두께는 2㎛ 내지 10㎛, 보다 바람직하게는 4㎛ 내지 8㎛가 바람직하다. 코팅막의 막 두께가 2㎛ 미만에서는, 유리 기재의 가요성 향상 또는 주연부의 내충격성 향상의 효과가 작아지고, 코팅막의 막 두께 10㎛ 초과에서는, 가요성 향상 또는 주연부의 내충격성 향상의 효과는 작기 때문이다. 코팅막의 형성은 기재의 편면 또는 양면이어도 되지만 유리 기재의 주연부에는 코팅막이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 코팅에 의해, 구부림으로써 생기는 유리 기재의 주연부에 존재할 수 있는 미소한 균열의 확대가 회피되어, 가요성이 증가하기 때문이다. 또 화학강화 처리와 동등한 압축응력층이 형성되어 내충격성이 증가하기 때문이다.
본 실시예에서는, 200mm 반도체 웨이퍼(SW)를 전제로 설명해 왔지만, 300mm 반도체 웨이퍼(SW) 또는 차세대의 450mm 반도체 웨이퍼(SW)에 대해서도 본 발명의 웨이퍼 지지 유리를 적용할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는 자외선 조사에 의해 점착성이 저하되는 점착제를 갖는 양면 접착 필름(AD)을 사용한 예를 들었다. 양면 접착 필름(AD)에는, 100℃에서 250℃의 가열에 의해 접착층의 점착성이 저하되는 점착제를 갖는 것도 있다. 웨이퍼 지지 유리는 플라스틱 소재와 달리 내열성도 우수하다. 이 점에서, 플라스틱제의 웨이퍼 지지 부재는 내열온도가 낮기 때문에, 재질에 따라 약 100℃ 이상에서는 사용할 수 없는 것도 있다. 이 때문에, 가열에 의해 접착층의 점착성을 저하시키는 양면 접착 필름을 사용한 반도체 웨이퍼(SW)의 연삭 등에서도, 본 발명의 웨이퍼 지지 유리를 적용할 수 있다.
또, 웨이퍼 지지 유리는, 플라스틱제의 웨이퍼 지지부재와는 달리, 유리와 실리콘 웨이퍼의 팽창계수는 통상 동일한 범위이기 때문에, 온도가 변화된 경우에 도, 팽창차에 의한 영향을 받기 어려워, 플라스틱제의 웨이퍼 지지 부재와 같이 온도의 변화에 대하여 휨이 발생할 우려가 거의 없다.

Claims (10)

  1. 반도체 웨이퍼에 접착하여 이 반도체 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 유리로서,
    상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 웨이퍼 지지 유리를 박리하기 위하여, 소정 각도 이상 구부러지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유리.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 소정 각도는 최대 구부림 각도에서 30도인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유리.
  3. 소정 직경을 갖는 반도체 웨이퍼에 접착하여 이 반도체 웨이퍼를 지지하는 상기 소정 직경보다도 큰 직경을 갖는 웨이퍼 지지 유리로서, 상기 웨이퍼 지지 유리의 적어도 주연부에 내충격성을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유리.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지 유리는 화학강화 처리에 의한 압축응력층을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유리.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지 유리는 Na2O 또는 Li2O를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유리.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지 유리는 코팅 처리에 의한 코팅층을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유리.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지 유리의 판 두께는 0.3mm∼1.1mm이며, 상기 압축응력층의 깊이는 15㎛ 이상 220㎛ 이내인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유리.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지 유리는 제1면, 제2면 및 주연부를 갖고,
    상기 주연부는 모따기부 또는 상기 제1면과 제2면을 연결하는 곡면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유리.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지 유리의 주연부는 산술평균 조도가 440nm 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유리.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼는 소정 직경을 갖는 원형이며, 상기 웨이퍼 지지 유리는 상기 소정 직경보다도 한층 큰 직경을 갖고 있는 원형인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 유리.
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