TWI536490B - Wafer support glass substrate - Google Patents

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Description

晶圓支撐玻璃基板
本發明係關於一種將半導體晶圓黏著並支撐，同時可輕易地從半導體晶圓上剝離的晶圓支撐玻璃基板。又，關於一種周緣部具有不致因對周緣部所施加的力而發生缺損、龜裂等情形之耐衝擊性的晶圓支撐玻璃基板。
近年，伴隨行動電話、IC卡等電子機器的高功能化，就內部所安裝的半導體元件(LSI、IC等)已朝薄型化或小型化演進。此外，為可在不致將線寬變狹窄下增加記憶容量，便有將半導體晶圓數層重疊的三維安裝式半導體元件、例如SD記憶卡等，且有增加的趨勢。
特別就薄型化的觀點而言，三維安裝式半導體元件中將厚度50 μm至100 μm的半導體電路複數疊層，更將單片半導體電路的厚度形成50 μm以下的半導體元件持續開發進展。此種將半導體電路薄層化的技術之一，習知有將經圖案形成的半導體晶圓背面施行研削的背面研削處理。該背面研削處理係利用雙面黏貼帶，將半導體晶圓經圖案形成的表面，黏著固定於具剛性的晶圓支撐玻璃基板，並使用高速旋轉的研磨石等，將半導體晶圓背面施行研削。
此處，背面研削處理時所使用的晶圓支撐玻璃基板，係使用上下面經高精度研磨的玻璃板。經背面研削處理的半導體晶圓，從晶圓支撐玻璃基板上分離並被搬送至晶圓切 割等步驟。將該半導體晶圓與晶圓支撐玻璃基板分離的晶圓剝離裝置，係有如專利文獻1或專利文獻2所記載。該晶圓剝離裝置中，對半導體晶圓與晶圓支撐玻璃基板經雙面黏著帶黏著固定的處理對象物，施行紫外線照射後，再從已黏著的半導體晶圓與晶圓支撐玻璃基板的周邊部，朝相互拉離方向施加物理力以施行剝離。另外，因為厚度50 μm以下的半導體晶圓因自重而發生屈撓情形，因此從背面研削處理起至切割步驟，均必須利用晶圓支撐玻璃基板支撐半導體晶圓。
再者，晶圓支撐玻璃基板係重複數次使用於洗淨步驟。在該洗淨步驟中，亦必需將支撐半導體晶圓時所使用黏著劑或黏貼劑的牢固殘渣去除。因此，亦強力洗淨的淋灑所造成壓力，便對晶圓支撐玻璃基板的周緣部施加較大衝擊。因該等衝擊而在周緣部發生破損、龜裂情形，導致無法再使用晶圓支撐玻璃基板。
(專利文獻1)日本專利特開2005－057046號公報 (專利文獻2)日本專利特開2006－156633號公報
然而，上述專利文獻1或專利文獻2所揭示的晶圓剝離裝置中，因為屬於在將晶圓支撐玻璃基板固定於平面上的狀態下使半導體晶圓變形並分離的構造，因此對半導體晶圓上所形成的各半導體電路施加多餘應力，結果有導致最終成品的半導體元件性能降低之可能性。此外，專利文獻 1或專利文獻2所揭示步驟中，當將晶圓支撐玻璃基板收納於儲存機台之際、或將晶圓支撐玻璃基板定位之際，儲存機台的壁面或定位用銷會與晶圓支撐玻璃基板周緣部發生接觸或碰撞。因此，亦有導致晶圓支撐玻璃基板周緣部發生缺損、龜裂的可能性。
因此種缺損、龜裂所產生的玻璃微粒或粉塵，會飛散並附著於晶圓表面的圖案上，又在發生缺損、龜裂之同時，周緣部附近亦對半導體晶圓造成機械性損傷，有引發圖案缺陷的半導體元件不良等問題。
本發明係為解決上述問題而完成，提供一種黏著並支撐半導體晶圓，同時可從半導體晶圓上剝離之由具可撓性玻璃板構成的晶圓支撐玻璃基板。此外，提供一種周緣部具有不致因對周緣部所施加的衝擊力而發生缺損、龜裂之耐衝擊性的晶圓支撐玻璃基板。
本發明係在將半導體晶圓固定於平面上的狀態下，將晶圓支撐玻璃基板彎曲並剝離。習知因在與半導體晶圓黏著，並對半導體晶圓施行背面研削處理時所使用的晶圓支撐玻璃基板為屬脆性材料，因而終究並無法聯想到將晶圓支撐玻璃基板彎曲而剝離。
第1觀點的晶圓支撐玻璃基板係黏著於半導體晶圓，並將該半導體晶圓支撐的晶圓支撐玻璃基板。而且，為了將半導體晶圓上所黏著的晶圓支撐玻璃基板，從半導體晶圓上剝離，而將晶圓支撐玻璃基板彎曲既定角度以上。
因為晶圓支撐玻璃基板係屬脆性材料，因而終究無法考慮到在將半導體晶圓上所黏著的晶圓支撐玻璃基板施行分離之際，將晶圓支撐玻璃基板彎曲並從半導體晶圓上剝離。第1觀點中，藉由提供一種可彎曲既定角度以上的晶圓支撐玻璃基板，便可在未將半導體晶圓彎曲而固定之狀態下，將晶圓支撐玻璃基板剝離。
第2觀點中，既定角度的最大彎曲角度係30度。
根據第2觀點的晶圓支撐玻璃基板，係為了不致對半導體晶圓上所形成之半導體電路造成破損，而彎曲30度以上。另一方面，即使將晶圓支撐玻璃基板保持水平，仍不致因自重而彎曲。另外，因為最大彎曲角度愈大，則可易於以愈小力彎曲剝離，因而並無最大彎曲角度的上限。
根據第3觀點的晶圓支撐玻璃基板，係黏著於具有既定直徑之半導體晶圓，並支撐該半導體晶圓且具有較大於既定直徑之直徑的晶圓支撐玻璃基板；而晶圓支撐玻璃基板至少在周緣部具有耐衝擊性。
根據第3觀點的晶圓支撐玻璃基板，因為直徑大於半導體晶圓的直徑，因而可接替承受半導體晶圓所受的衝擊。此外，即使承受該衝擊，因為晶圓支撐玻璃基板的周緣部具有耐衝擊性，因而不會發生因缺損、龜裂等而產生玻璃微粒或粉塵之情況，不對半導體晶圓造成影響。另外，從晶圓支撐玻璃基板實際使用方式而言，儘管周緣部的耐衝擊性重要性，提升周緣部耐衝擊性的晶圓支撐玻璃基板仍未受注目，但是根據第3觀點的晶圓支撐玻璃基板將提升 周緣部的耐衝擊性。
根據第4觀點的晶圓支撐玻璃基板，係具有經化學強化處理的壓縮應力層。
第4觀點中，利用化學強化處理形成壓縮應力層。若將晶圓支撐玻璃基板彎曲，則外側表面便被施加拉伸應力但因為壓縮應力層形成於晶圓支撐玻璃基板的表面，因而可防止拉伸應力所造成晶圓支撐玻璃基板龜裂情形。此外，利用化學強化處理可將周緣部的耐衝擊性提升達約7倍以上。
根據第5觀點的晶圓支撐玻璃基板，就第4觀點中，晶圓支撐玻璃基板係含有Na2 O或Li2 O。
含有Na2 O的晶圓支撐玻璃基板係利用離子交換而化學強化的必要成分，含有Li2 O的晶圓支撐玻璃基板可輕易地獲得較厚的壓縮應力層。
根據第6觀點的晶圓支撐玻璃基板係具有經塗佈處理的塗佈層。
第6觀點中，藉由在晶圓支撐玻璃基板上設置塗佈層，便形成壓縮應力層。化學強化處理係在玻璃內側形成壓縮應力層，相對地，塗佈處理係在玻璃外側形成壓縮應力層。
根據第7觀點的晶圓支撐玻璃基板之壓縮應力層深度，係15 μm以上、且220 μm以內。
為使晶圓支撐玻璃基板具備有耐衝擊性，晶圓支撐玻璃基板的壓縮應力層深度便必須為15 μm。此外，晶圓支撐玻璃基板之壓縮應力層深度愈深愈好。另外，若壓縮應力 層在15 μm以下，便無法將晶圓支撐玻璃基板彎曲既定角度以上，反之，若達220 μm以上，則因晶圓支撐玻璃基板自身而容易發生翹曲、波紋起伏情形。
根據第8觀點的晶圓支撐玻璃基板，係具有第1面、第2面及周緣部，且周緣部將形成截角部、或將第1面與第2面相連結的曲面。
若未施行截角處理或曲面處理，當施行化學強化處理之際，有晶圓支撐玻璃基板遭受破損的可能性。此外，若周緣部未施行截角，則晶圓支撐玻璃基板搬送等時，周緣部便容易遭受損傷。該損傷便在將晶圓支撐玻璃基板彎曲時形成裂痕而大幅傳播，因而周緣部便施行截角部或曲面。另外，若周緣部未形成截角部或曲面，則在晶圓支撐玻璃基板之搬送等之時，周緣部便容易遭受損傷，若發生該損傷，當施加衝擊時便大幅傳播。若對周緣部形成截角部或曲面，便可減少損傷發生。
根據第9觀點的晶圓支撐玻璃基板周緣部之算術平均粗糙度在440nm以下。
若周緣部的算術平均粗糙度Ra大於440nm，則縮小最大彎曲角度的較大損傷等便存在於周緣部。若存在該損傷，當將晶圓支撐玻璃基板彎曲時便容易發生裂痕。因而，依算術平均粗糙度Ra在440nm以下的方式，施行研削加工或研磨加工。此外，若算術平均粗糙度Ra在440nm以下，當施加衝擊之際，便減少發生缺損、龜裂的情形。
第10觀點中，半導體晶圓係具有既定直徑的圓形，晶 圓支撐玻璃基板係具有較既定直徑大一圈之直徑的圓形。
若晶圓支撐玻璃基板係具有較半導體晶圓既定直徑大一圈之直徑的圓形，則在半導體晶圓搬送等時，不管半導體晶圓在與何物發生碰撞前，晶圓支撐玻璃基板便將先碰撞到該物。因而，即使發生半導體晶圓支撐玻璃基板遭受破損之情況，半導體晶圓仍不致遭受破損。
本發明的晶圓支撐玻璃基板係黏著並支撐半導體晶圓，同時具有可從半導體晶圓剝離的可撓性。此外，因對周緣部施加的衝擊力而發生缺損、龜裂的情況較少。因此，可減少因缺損或龜裂所產生的玻璃粉或玻璃片導致半導體晶圓成為不良品的情況。
以下，參照圖式針對本實施形態進行說明，以下圖式中所描繪之各構件的縮小比例，因幫助理解而不同於實際的縮小比例。
<玻璃板的黏著與剝離>
圖1所示係在經形成半導體電路的半導體晶圓SW上，黏貼作為晶圓支撐玻璃基板的玻璃板GP後，直到將玻璃板GP剝離為止的流程圖。圖2A至圖2C所示係流程圖的各步驟剖視圖。本實施形態半導體晶圓SW係可適用將矽(Si)、鍺(Ge)或砷化鎵(GaAs)等經結晶化的晶圓。
步驟S11中，在真空處理室內將雙面黏著薄膜AD的單面黏貼於半導體晶圓SW的表面上。然後，在雙面黏著薄 膜AD的另一面上黏著玻璃板GP的第1面。若半導體晶圓SW的直徑為200mm，則玻璃板GP的直徑便為201mm稍大於玻璃板GP。圖2A(a)所示係將半導體晶圓SW與玻璃板GP黏著、固定的狀態。因為在真空處理室內施行黏著處理，因而在雙面黏著薄膜AD、與半導體晶圓SW或玻璃板GP之間便不會有空氣進入。詳細係如WO2002/056352所揭示。另外，雙面黏著薄膜AD係形成在基層片其中一面上設有經紫外線照射便會降低黏貼性的黏貼劑，而在另一面則具有弱黏貼性之黏貼劑的三層構造。亦可取代雙面黏著薄膜AD，改為液狀樹脂塗佈。
其次，在步驟S12中，將玻璃板GP朝下，利用研削裝置(鑽石研磨盤)31將半導體晶圓SW的背面研削至既定厚度。圖2A(b)所示係研削的步驟。最初的半導體晶圓SW背面位置係以虛線表示，並表示從該狀態開始研削的狀態。若為IC卡用半導體晶圓SW，則一般研削至100 μm前後，若為三維安裝用半導體晶圓SW，則一般研削至50 μm前後。經背面研削而薄型化的半導體晶圓SW，要求高精度的均勻厚度分佈。針對此點，相較於塑膠製晶圓支撐構件，因為玻璃板GP本體可由研削、研磨加工為均勻厚度，因此可將半導體晶圓SW的厚度施行高精度研削。圖2B(c)所示係經研磨過的半導體晶圓SW剖視圖。
步驟S13中，為將玻璃板GP輕易地從雙面黏著薄膜AD上剝離，便隔著玻璃板GP對雙面黏著薄膜AD施行紫外線照射。然後，在玻璃板GP的第2面上黏著玻璃用剝離膠 帶DT。可撓性玻璃用剝離膠帶DT係在步驟S14中將玻璃板GP剝離時的保護用薄膜。圖2B(d)所示係經黏著玻璃用剝離膠帶DT的玻璃板GP圖。
步驟S14中，將半導體晶圓SW安裝於平板的真空吸盤35上，藉由抽真空，便將半導體晶圓SW固定於真空吸盤35上。又，在真空吸盤上安裝有將玻璃板GP剝離的剝離裝置(未圖示)。圖2B(e)所示係半導體晶圓SW安裝於真空吸盤35的狀態剖視圖。亦可取代真空吸盤35改為使用靜電吸盤。
步驟S15中，剝離裝置係藉由將玻璃用剝離膠帶DT從一端拉起而將玻璃板GP的一端拉起。經紫外線照射，雙面黏著薄膜AD的黏著力便降低而成容易剝離的狀態，為可以較小力將玻璃板GP剝離，便從一端翻起拉起。以較小力便可將玻璃板GP剝離，係指較小的力僅作用於半導體晶圓SW，對半導體晶圓SW表面上所形成的半導體電路幾乎不造成物理性變形。
圖2C(f)所示係從玻璃板GP一端施行剝離途中的狀態圖。經多數實驗中得知，為從半導體晶圓SW上將玻璃板GP剝離，若為玻璃板GP的彎曲最大角度(最大彎曲處的切線與水平面的角度)達30°以上的玻璃，便可以較小力將玻璃板GP剝離。在彎曲最大角度未滿30°的玻璃板GP，會發生無法剝離、或半導體晶圓SW的半導體電路遭受破損等障礙。
步驟S16中，將雙面黏著薄膜AD從半導體晶圓SW表面 剝離。圖2C(g)所示係將雙面黏著薄膜AD從半導體晶圓SW上剝離的狀態。
步驟S17中，將真空吸盤35的抽真空開放，再從真空吸盤35上將半導體晶圓SW拆卸。然後，半導體晶圓SW便被搬送至切割步驟等。
<實施形態1：經化學強化的玻璃板GP>
如上述，玻璃板GP係藉由施以300以上的彎曲，可在不致對半導體晶圓SW的半導體電路造成破損下，從具有雙面黏著薄膜AD的半導體晶圓SW上將玻璃板GP剝離。即，必須準備即使達30°以上的彎曲仍不會發生龜裂的玻璃板GP。然後，因為取代半導體晶圓接觸到儲存機台壁面或定位用銷，而改為由玻璃板GP的周緣部接觸或碰撞，因此周緣部便必須具有耐衝擊性。
<<玻璃基材>>
玻璃基材係準備3種。分別標記為玻璃No.1、玻璃No.2、玻璃No.3，各自的組成係如表1所示。所使用的原料係採用諸如：氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽及氫氧化物等。
玻璃熔解並漸冷後，並依上述玻璃組成的方式秤取各原料。然後，將所獲得原料混合物約3.6kg裝入1.5升的白 金坩堝中，在1500~1600℃下施行5~8小時加熱而形成玻璃熔液，經攪拌而施行脫泡與均質化、然後，將玻璃熔液流出於已加熱的鐵板上、使用同樣經加熱過的另一鐵板，從所流出的玻璃熔液上迅速施行壓合。藉由壓合，便可獲得成形外徑約210mm、且厚度約3mm的玻璃基材、
在玻璃No.1及玻璃No.2中所含的Li2 O，係在玻璃表層部中，藉由於離子交換處理浴中主要與Na離子進行離子交換，而將玻璃施以化學強化的成分、若未滿4%，則該離子交換性能降低，若超過10%，則耐失透明性與化學耐久性均發生惡化。因此，Li2 O的比例便限定於4~10%。最好為4~7%。另外，如圖1中的步驟S13所說明，因為必須對雙面黏著薄膜AD施行紫外線照射，因此玻璃板GP必須具有紫外線穿透性。
Na2 O係屬於在玻璃表層部中，藉由於離子交換處理浴中主要與K離子進行離子交換，而將玻璃施行化學強化的必要成分。若未滿6%，則耐失透明性發生惡化，同時化學強化層變淺，熔解時的黏性上升，因而熔解性降低。若超過15%，則化學耐久性發生劣化，同時努氏硬度亦變小。因此，Na2 O的比例限定於6~14%。最好為9~14%。
因為含Li2 O的玻璃基材可輕易獲得較厚壓縮應力層，因此化學強化處理時間亦在短時間內可完成。此外，因為具有較厚的壓縮應力層，因此即使經化學強化處理後仍可進入研磨步驟，且耐損傷性亦強。另一方面，未含有Li2 O的玻璃No.3之玻璃基材係素材單價較廉價。然而，為獲 得適量壓縮應力層，相較於玻璃No.1或玻璃No.2，必須延長化學強化處理時間。
<<玻璃板GP之周緣部(端面)>>
圖3(a)所示係玻璃板GP的立體圖，(b)與(c)係該玻璃板GP的周緣部放大圖。
經壓合的玻璃基材外徑約210mm，且厚度約3mm。對該玻璃基材施行加工，可獲得外徑L為201mm、且厚度DD為0.5mm或1.0mm的玻璃形狀加工物。加工係首先施行將外形L研削為204mm程度的外形加工。然後，施行玻璃形狀加工物周緣部PE的研削加工、與上下面GP1及GP2的研削加工。更進一步，包含上下面GP1與GP2的研磨加工。周緣部PE的研磨加工係視需要而實施。
如圖3(b)與(c)所示，周緣部施行截角處理或曲面處理中任一處理。若未施行載角處理或曲面處理，當施行前述化學強化處理時，玻璃板GP有遭受破損的可能性。
再者，若周緣部未被截角，則玻璃板GP之搬送時等，周緣部較容易遭受損傷。該損傷在每次玻璃板GP承受衝擊時，便成為裂痕且大幅傳播，因而周緣部最好形成截角部CF或曲面CC。
<<對玻璃基材施行的處理>>
利用離子交換法施行的玻璃強化，係有如在高溫下將玻璃中的鹼離子與溶融鹽的其他鹼離子進行交換，而在玻璃表面上形成壓縮應力層的方法。本實施形態中，玻璃板GP係如以下所說明，藉由對3種玻璃基材施行不同處理， 而製得11種玻璃板GP。
[實施例1之玻璃板GP] 實施例1的玻璃板GP係首先將玻璃No.1的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加工物在保持380℃的KNO3 (硝酸鉀)：NaNO3 (硝酸鈉)＝60%：40%混鹽處理浴中，浸漬3小時。藉此，玻璃形狀加工物的表面部便由Li離子及Na離子、與處理浴中的Na離子及K離子分別進行離子交換，便完成玻璃形狀加工物表面部經化學強化的實施例1之玻璃板GP。
[實施例2之玻璃板GP] 如同實施例1，實施例2的玻璃板GP係將玻璃No.1的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加工物在保持380℃的KNO3 ：NaNO3 ＝60%：40%混鹽處理浴中浸漬42小時。即，相較於實施例1，延長浸漬時間盡可能地多施以離子交換，而完成實施例2的玻璃板GP。
[實施例3之玻璃板GP] 實施例3的玻璃板GP係將玻璃No.1的玻璃基材施行漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板 厚度1.0mm的玻璃形狀加工物而製得。玻璃形狀加工物的離子交換係與實施例1相同之處理。即，實施例3的玻璃板GP係就板厚度為1.0mm處不同於實施例1的玻璃板GP。
[實施例4之玻璃板GP] 實施例4的玻璃板GP係首先將玻璃No.1的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(600號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。玻璃形狀加工物的離子交換係與實施例1相同的處理。即，實施例4的玻璃板GP就周緣部的端面處置不同於實施例1的玻璃板GP。
[實施例5之玻璃板GP] 實施例5的玻璃板GP係將玻璃No.1的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(600號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度1.0mm的玻璃形狀加工物而製得。玻璃形狀加工物的離子交換係與實施例1相同的處理。即，實施例5的玻璃板GP就周緣部的端面處置不同於實施例3的玻璃板GP。
[實施例6之玻璃板GP] 實施例6的玻璃板GP係將玻璃No.2的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(600號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加工物在保持380℃的KNO3 ：NaNO3 ＝60%：40%混鹽處理浴中浸漬3小時。藉此，玻璃形狀加工物表面部中便由Li離 子及Na離子、與處理浴中的Na離子及K離子分別進行離子交換，完成玻璃形狀加工物表面部經化學強化的實施例6之玻璃板GP、
[實施例7之玻璃板GP] 實施例7的玻璃板GP係將玻璃No.2的波璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(600號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加工物在保持360℃的KNO3 ：NaNO3 ＝60%：40%混鹽處理浴中浸漬3小時。相較於實施例6的玻璃形狀加工物，實施例7的玻璃形狀加工物係處理浴中的溫度較低，離子交換的反應較慢。因此，完成離子交換較少的實施例7之玻璃板GP。
[實施例8之玻璃板GP] 實施例8的玻璃板GP係將玻璃No.2的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(600號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加工物在保持400℃的KNO3 ：NaNO3 ＝60%：40%混鹽處理浴中浸漬15小時。相較於實施例6的玻璃形狀加工物，實施例8的玻璃形狀加工物係處理浴中的溫度較高，且浸漬時間亦長，離子交換的反應較多。所以，完成離子交換較多的實施例8之玻璃板GP。
[實施例9之玻璃板GP] 實施例9的玻璃板GP係首先將玻璃No.3的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(600號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加工物在保持430℃的KNO3 ＝100%處理浴中浸漬20小時。藉此，玻璃形狀加工物表面部的Na離子，便與處理浴中的K離子分別進行離子交換，完成玻璃形狀加工物表面部經化學強化的實施例9之玻璃板GP。
[實施例10之玻璃板GP] 實施例10的玻璃板GP，係首先將玻璃No.3的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(600號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加工物在保持430℃的KNO3 ＝100%處理浴中浸漬15小時。亦即，相較於實施例9，完成縮短浸漬時間且減少離子交換的實施例10之玻璃板GP。
[實施例11之玻璃板GP] 實施例11的玻璃板GP係首先將玻璃No.3的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。之後與實施例9離子交換相同、即，實施例11的玻璃板GP係就端面施以研磨加工、或在端面研削加工(600號精磨)結束之處，不同於實施例9的玻璃板GP。
再者，以下係與實施例1至實施例11進行比較的比較例，比較例係例示8種例子。
[比較例1之玻璃板GP] 比較例1的玻璃板GP係首先將玻璃No.1的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。但是，化學強化處理對玻璃形狀加工物則完全未實施。就此點不同於實施例1的玻璃板GP。
[比較例2之玻璃板GP] 比較例2的玻璃板GP係將玻璃No.1的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度1.0mm的玻璃形狀加工物而製得。化學強化處理對玻璃形狀加工物則完全未實施。此點不同於實施例3的玻璃板GP、
[比較例3之玻璃板GP] 比較例3的玻璃板GP係首先將玻璃No.1的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(600號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。但是化學強化處理對玻璃形狀加工物則完全未實施。此點不同於實施例4的玻璃板GP。
[比較例4之玻璃板GP] 比較例4的玻璃板GP係將玻璃No.1的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(400號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加工物在保持380℃的KNO3 ：NaNO3 ＝60%：40%混鹽處理浴中，浸漬3小時。實施例1的玻璃板GP中施行端面研磨加工，但比較例4的玻璃板GP則施行端面研削加工(400號精磨)，周緣部較粗糙。此點，比較例4的玻璃板GP不同於實施例1的玻璃板GP。
[比較例5之玻璃板GP] 比較例5的玻璃板GP係將玻璃No.3的玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(600號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加工物在保持390℃的KNO3 ＝100%處理浴中，浸漬3小時。比較例5的玻璃板GP相較於實施例9或實施例10的玻璃板GP，不同處在於其處理浴中的溫度較低、浸漬時間較短。
[比較例6之玻璃板GP] 比較例6的玻璃板GP係將玻璃No.3的波璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工(600號精磨)、上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。化學強化處理對玻璃形狀加工物則完全未實施。此點不同於實施例9或實施例 10的玻璃板GP。
[比較例7之玻璃板GP] 比較例7的玻璃板GP係對Pyrex(註冊商標)玻璃施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。化學強化處理對波璃形狀加工物則完全未實施。
[比較例8之玻璃板GP] 比較例8的玻璃板GP係對Pyrex(註冊商標)玻璃施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板厚度1.0mm的玻璃形狀加工物而製得。化學強化處理對波璃形狀加工物則完全未實施。比較例7及比較例8所使用的Pyrex(註冊商標)玻璃，習知為化學耐久性非常佳的玻璃，特別係比較例8的板厚1.0mm玻璃板，現行一般使用作為支撐半導體晶圓SW的玻璃板。根據文獻，Pyrex(註冊商標)玻璃的玻璃組成，係SiO2 ：81wt%、B2 O3 ：13wt%、Na2 O：4wt%、Al2 O3 ：2wt%。
將以上整理如表2所示。
<<玻璃板GP的壓縮應力層與最大彎曲角度>>
相關實施例1至實施例3、及實施例6至實施例11的玻璃板GP，以及比較例1、比較例2、及比較例4至比較例6的玻璃板GP，施行壓縮應力層厚度、與最大彎曲角度的測定。各實施例或各比較例均係對3片至4片的玻璃板GP施行測定，平均值係如下。另外，壓縮應力層厚度及最大彎曲角度的測定方法，於後述。
[實施例1之玻璃板GP] 實施例1的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約100 μm，最大彎曲角度為平均53°。另外，施行測定的4片玻璃板GP 中，最大彎曲角度中最大者為62°，並無在30°以下者。
[實施例2之玻璃板GP] 實施例2的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約120 μm，最大彎曲角度為平均55°。另外，施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度在30°以下者。
[實施例3之玻璃板GP] 實施例3的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約100 μm，最大彎曲角度為平均32°。另外，另外，施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度在30°以下者。
[實施例6之玻璃板GP] 實施例6的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約130 μm，最大彎曲角度為平均48°。另外，施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度在30°以下者。
[實施例7之玻璃板GP] 實施例7的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約100 μm，最大彎曲角度為平均54°。另外，施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度在30°以下者。
[實施例8之玻璃板GP] 實施例8的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約220 μm，最大彎曲角度為平均32°。另外，施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度在30°以下者。
[實施例9之玻璃板GP] 實施例9的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約25 μm，最大彎曲角度為平均50°。另外，施行測定的玻璃板GP中， 並無最大彎曲角度在30°以下者。
[實施例10之玻璃板GP] 實施例10的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約20 μm，最大彎曲角度為平均47°。另外，施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度在30°以下者。
[實施例11之玻璃板GP] 實施例11的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約24 μm，最大彎曲角度為平均52°。另外，施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度在30°以下者。
[比較例1之玻璃板GP] 比較例1的玻璃板GP並無壓縮應力層厚度，最大彎曲角度為平均18°。另外，施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度大於30°值者。
[比較例2之玻璃板GP] 比較例2的玻璃板GP並無壓縮應力層厚度，最大彎曲角度平均為13°。另外，施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度大於30°值者。
[比較例4之玻璃板GP] 比較例4的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約100 μm，最大彎曲角度平均為15°。另外，施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度大於30°值者。
[比較例5之玻璃板GP] 比較例5的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約10 μm，最大彎曲角度平均為25°。另外，4片玻璃板GP的最大彎曲 角度變動較大，在29°至18°範圍。
[比較例6之玻璃板GP] 比較例6的玻璃板GP並無壓縮應力層厚度，最大彎曲角度為平均20°。施行測定的玻璃板GP中，並無最大彎曲角度大於30°值者。
以上的結果如表3所示。
<實施例1至實施例3、及實施例6至實施例11的玻璃板GP、以及比較例1、比較例2、及比較例4至比較例6的玻璃板GP之考察>
<<玻璃板GP的最大彎曲角度>>
如圖1之步驟S15所說明，若最大彎曲角度達30°以上，當從半導體晶圓SW上將玻璃板GP剝離並分離時，不會施加較大的力，半導體電路不會遭受破損。
使用實施例3的玻璃板GP、及比較例1與比較例6的 玻璃板GP，施行從半導體晶圓SW上將玻璃板GP剝離的實驗。實施例3的玻璃板GP之最大彎曲角度係32°，比較例1及比較例6的玻璃板GP之最大彎曲角度分別係18°及20°。在從半導體晶圓SW上將玻璃板GP剝離的實驗中，實施例3的玻璃板GP以較小的力便可剝離，半導體電路亦無遭受破損。另一方面，比較例1及比較例6的玻璃板GP在剝離前，玻璃板GP已發生龜裂，或對半導體晶圓SW施加較大的力導致半導體晶圓SW上所形成的半導體電路遭受破損。由此可理解玻璃板GP的最大彎曲角度需達30°以上。玻璃板GP的最大彎曲角度若小於30°，則因可撓性偏低，因而玻璃板GP與半導體晶圓SW間便整面受吸附力作用，可理解到若非施加較大的力便無法分離。
再者，實施例2的玻璃板GP之最大彎曲角度係55°，該實施例2的玻璃板GP中亦可在半導體晶圓SW的半導體電路不致遭受破損之情況下，將玻璃板GP剝離。最大彎曲角度愈大，則以愈小的力便可輕易地彎曲並剝離。因此，即使是將離子交換時間延長達實施例所示以上，且具有更大彎曲角度的玻璃板GP，仍可適用作為支撐半導體晶圓SW的玻璃板GP。
<<玻璃板GP之離子交換>>
實施例1的玻璃板GP、與比較例1的玻璃板GP係相同的玻璃基材且相同的形狀，並施行相同的端面處理，不同之處在於實施例1的玻璃板GP利用離子交換施行化學強化處理，相對地，比較例1的玻璃板GP則未施行利用離 子交換進行的化學強化處理。關於最大彎曲角度，實施例1的玻璃板GP為53°，相對地，比較例1的玻璃板GP僅為18°而已。同樣的，實施例3的玻璃板GP、與比較例2的玻璃板GP中，最大彎曲角度分別係32°與13°。此外，同樣，實施例9的玻璃板GP、與比較例6的玻璃板GP中，最大彎曲角度分別為50°與20°。即，若施行離子交換之化學強化處理，可輕易地確保最大彎曲角度達30°以上。
<<玻璃板GP周緣部的面粗糙度>>
實施例1至實施例11、及比較例1至比較例8的玻璃板GP，係厚度0.5mm或1.0mm的較薄曲面，因而周緣部的面粗糙度無法輕易地測定。在此分別對玻璃No.1、玻璃No.2及玻璃No.3，製作外徑20mm、厚度1.0mm且上下面經處理過的研削處理物或研磨處理物，並測定其平面部上下面之算術平均粗糙度Ra，獲得周緣部的面粗糙度代用結果。並未發現因玻璃No.1、玻璃No.2及玻璃No.3的種類不同差異。
400號精磨研削處理物：Ra＝470~630nm 600號精磨研削處理物：Ra＝350~440nm研磨處理物(光學研磨程度)：Ra＝1.0~1.6nm
另外，上述測定中，測定裝置係使用Veeco公司製的接觸式粗度計(型式：Dektak 6M)。使用算術平均粗糙度Ra(nm)來評估。
實施例1的玻璃板GP、與比較例4的玻璃板GP，係相同的玻璃基材且相同的形狀，並施行相同的化學強化處 理，不同之處在於實施例1的玻璃板GP周緣部施行研磨處理，相對地比較例4的玻璃板GP周緣部係施行400號精磨的研削處理。最大彎曲角度在實施例1的玻璃板GP亦有53°，相對地，比較例4的玻璃板GP則僅為15°而已。若從比較例4的龜裂方式判斷，可謂從周緣部所殘存的較小損傷等開始，因施行彎曲而裂痕大幅傳播引起玻璃板GP出現龜裂。即，藉由使周緣部不致發生損傷情形，便可製作能彎曲達30度以上的玻璃板GP。
如上述，不致因玻璃No.1、玻璃No.2及玻璃No.3的種類不同而出現算術平均粗糙度Ra差異。因而，實施例4至實施例10中，將周緣部依600號精磨施行研削處理的玻璃板GP彎曲達30度以上，因而可理解只要施行600號精磨的研削處理便可。即，若算術平均粗糙度Ra在440nm以下，玻璃板GP彎曲便達30度以上。
<<玻璃板GP之壓縮應力層厚度>>
實施例9及實施例10、與比較例5係形狀及玻璃板GP厚度均相同，且在周緣部施行600號精磨的研削處理之處相同。但是，比較例5係在利用離子交換施行化學強化處理的條件中，熔液溫度較低且熔液浸漬時間亦較短處，不同於實施例9及實施例10。比較例5的玻璃板GP之壓縮應力層厚度係10 μm，此時最大彎曲角度係平均25°。比較例5的玻璃板GP複數片實驗結果之變動亦非常大，最低亦有18°。無法確保將半導體晶圓SW上所黏貼的玻璃板GP剝離時半導體電路不致遭受破損等問題的最大彎曲角 度30°。此現象可認為係因壓縮應力層厚度僅為10 μm所引起。此外，比較例5的最大彎曲角度變動較大之理由，可認為是當壓縮應力層厚度小至10 μm時，少許壓縮應力層厚度的數μm變動比率，便出現最大彎曲角度的較大變動。
再者，未施行化學強化處理的比較例1、比較例2及比較例6中，最大彎曲角度在20°以下。所以，支撐半導體晶圓SW的玻璃板GP，可謂需要最低15 μm以上的壓縮應力層厚度。最好可謂如實施例10的玻璃板GP，壓縮應力層厚度達20 μm以上。
其次，實施例8相較於實施例6及實施例7之下，除離子交換處理之外，其餘均為相同條件，離子交換之化學強化處理條件係熔液溫度高達400℃，且熔液浸漬時間長達15小時。因而，實施例8的壓縮應力層厚度實測值將為220 μm的非常厚值。但是，若最大彎曲角度為32°，當辛苦地將半導體晶圓SW上所黏貼的玻璃板GP剝離之際，可確保不致發生半導體電路等遭受破損等問題的最大彎曲角度30°。當壓縮應力層厚度的實測值具有大於220 μm的壓縮應力層厚度時，形狀本身便容易發生翹曲、波紋起伏情形。若出現翹曲、波紋起伏，便無法發揮晶圓支撐玻璃基板的功能，而無法使用。所以，可謂壓縮應力層厚度必須設定在220 μm以下。可謂最好將壓縮應力層厚度設定在160 μm以下。
<<玻璃板GP之厚度>>
實施例1與實施例3中玻璃基材、形狀、端面處理及離子交換處理均相同，不同處在於實施例1的玻璃板GP板厚為0.5mm，而實施例3的玻璃板GP板厚為1.0mm。最大彎曲角度分別為53°、32°。玻璃板厚愈薄則最大彎曲角度愈大，可推定將玻璃板厚設為愈厚則最大彎曲角度愈小。如上述，因為欲確保最大彎曲角度30°，從外插計算可預測玻璃板GP的板厚最大為1.1mm。
再者，玻璃板GP係盡可能愈薄愈好。理由係由玻璃板GP所支撐的半導體晶圓SW(厚度30 μm至50 μm)、與不需要玻璃板GP的半導體晶圓SW(厚度50 μm以上)，在半導體製造裝置上均依相同條件施行處理。若將玻璃板GP設為盡可能的薄，便可緩和半導體晶圓SW側的厚度限制，而增加自由度。此亦意味厚度上限大致相當於1.1mm。
可預測玻璃板GP愈薄則最大彎曲角度愈大。但，若在0.3mm以下，便無法保有晶圓支撐玻璃基板的剛性，而無法安定地支撐半導體晶圓。所以，最好將玻璃板厚度設定在0.3mm以上、且1.1mm以下，尤以0.5mm以上、且1.0mm以下為佳。
即使厚0.3mm的玻璃板GP朝水平方向支撐時，該玻璃板GP仍不會因自重而彎曲。厚50 μm的半導體晶圓SW雖發生屈撓，但在將該半導體晶圓SW黏著於厚0.3mm玻璃板GP時，厚0.3mm的玻璃板GP亦可將厚50 μm的半導體晶圓SW水平支撐。
<<對玻璃板GP周緣部的耐衝擊性>>
就實施例1、實施例4、實施例5、實施例7及實施例9的玻璃板GP，以及比較例3、比較例7及比較例8的玻璃板GP，施行對周緣部的耐衝擊性測定。各實施例或各比較例均係對3片至10片的玻璃板GP施行測定。另外，本實施形態對周緣部的耐衝擊性，係指對從玻璃板GP徑向所施加衝擊的耐性，測定方法將使用圖6A至圖6C於後述。另外，若玻璃板GP遭受損傷，則耐衝擊性的測定值便發生誤差，因而賦予衝擊的樣品之玻璃板GP，便只就1片賦予1次衝擊，即使該玻璃板GP無出現龜裂，亦不使用於第2次的衝擊測定用。
[實施例1之玻璃板GP] 實施例1的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約100 μm，在耐衝擊度測定中，落下距離14cm時，玻璃板GP無龜裂，而落下距離24cm時，玻璃板GP將遭破壞。
[實施例4之玻璃板GP] 實施例4的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約100 μm，在耐衝擊度測定，落下距離14cm時，玻璃板GP無龜裂，而落下距離24cm時，玻璃板GP遭破壞。
[實施例5之玻璃板GP] 實施例5的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約100 μm，在耐衝擊度測定中，落下距離14cm、落下距離24cm、及落下距離34cm時，玻璃板GP均無出現龜裂。
[實施例7之玻璃板GP] 實施例7的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約100 μm，在 耐衝擊度測定中，落下距離14cm時，玻璃板GP無龜裂，而落下距離24cm時，玻璃板GP遭破壞。
[實施例9之玻璃板GP] 實施例9的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約25 μm，在耐衝擊度測定中，落下距離14cm時，玻璃板GP無龜裂，而落下距離24cm時，玻璃板GP遭破壞。
[比較例3之玻璃板GP] 比較例3的玻璃板GP無壓縮應力層厚度，在耐衝擊度測定中，落下距離2cm時玻璃板GP遭破壞。
[比較例7之玻璃板GP] 比較例7的玻璃板GP並無壓縮應力層厚度，在耐衝擊度測定中，落下距離2cm時玻璃板GP遭破壞。
[比較例8之玻璃板GP] 比較例8的玻璃板GP並無壓縮應力層厚度，在耐衝擊度測定中，落下距離14cm時，玻璃板GP係3片中將有2片無龜裂，而3片中有1片遭受破壞。落下距離24cm時玻璃板GP遭破壞。
以上結果如表4所示。
<實施例1、實施例4、實施例5、實施例7及實施例9的玻璃板GP，以及比較例3、比較例7及比較例8的玻璃板GP考察>
<<玻璃板GP的化學強化處理>>
實施例4的玻璃板GP、與比較例3的玻璃板GP，係屬相同的玻璃基材且為相同的形狀，並施行相同的端面處理，不同處在於實施例4的玻璃板GP被施以離子交換之化學強化處理，相對地，比較例3的玻璃板GP並未施行離子交換之化學強化處理。比較例3的玻璃板GP係在落下距離2cm時遭破壞，相對地，實施例4的玻璃板GP則即使落下距離14cm仍無出現龜裂。即，若施行離子交換之化學強化處理，可將對周緣部的耐衝擊性測定中之高度提高達約7倍以上，因而可知在提升對周緣部的耐衝擊性下，離子交換之化學強化處理屬重要事項。
化學強化處理屬於重要事項的理由，經由下述便可理解。
比較例3的玻璃板GP、與比較例7的玻璃板GP，係相同形狀且相同厚度，並均未施行離子交換之化學強化處理。二者不同處在於比較例3的玻璃板GP之玻璃基材係玻璃No.1，相對地，比較例7的玻璃板GP則為Pyrex(註冊商標)玻璃，且比較例3的玻璃板GP係以600號精磨施行研削處理，相對地，比較例7的玻璃板GP則施行研磨處理。比較例7的Pyrex(註冊商標)玻璃，相較於比較例3未施行化學強化的玻璃No.1，玻璃本身的強度(例如彈性係數)較高，因而認為較具有對周緣部的耐衝擊性。而且，因為比較例7的玻璃板GP之周緣部亦有施行研磨精磨，因而殘留損傷較小且較少於比較例3的600號精磨研削處理，因而應該較不易發生龜裂。
但是，比較例3的玻璃板GP、與比較例7的玻璃板GP均係在落下距離2cm時便遭破壞。由此現象得知，與玻璃基材的種類不具有太大的關聯，未施行化學強化的玻璃周緣部之耐衝擊性非常低。即，為提升對周緣部的耐衝擊性，離子交換之化學強化處理屬重要事項。
在提升對周緣部的耐衝擊性時，利用離子交換施行化學強化處理屬重要事項，由下述亦可理解。
實施例4、實施例7及實施例9係相同形狀、相同厚度，並施行相同的端面處理。另一方面，該等的玻璃基材分別採用玻璃No.1、玻璃No.2及玻璃No.3，配合不同的玻璃 基材，利用最佳的離子交換進行化學強化處理，藉由後述的壓縮應力層測定，實施例4及實施例7的壓縮應力層深度係約100 μm，實施例9的壓縮應力層深度係約25 μm。
耐衝擊度的結果，雖在落下距離14cm無出現龜裂，但在落下距離24cm時便遭破壞。即，對周緣部的耐衝擊性係若為經施行化學強化處理過的玻璃板GP，則與玻璃基材的種類不太具有關聯。此外，若壓縮應力層深度達約25 μm以上，可謂亦未依存於壓縮應力層深度。
另外，本實施形態對周緣部的耐衝擊性測定，係依照對玻璃板GP賦予衝擊僅為1次的條件施行測定。理由係若在玻璃板GP的上下面或周緣部遭受損傷的狀態下，施行對周緣部的耐衝擊性測定，便有判定壓縮應力層深度較淺的實施例9對周緣部的耐衝擊性為較低的可能性。
更進一步，在對周緣部的耐衝擊性提升方面，利用離子交換進行化學強化處理屬重要事項，由下述便可理解。
實施例5與比較例8均係依外徑201mm、厚度1.omm將上下面施行研磨。另一方面，實施例5係玻璃基材為玻璃No.1，且最終端面處理係施行600號精磨的研削處理，而比較例8則係玻璃基材為Pyrex(註冊商標)玻璃，且最終端面處理為研磨精磨。實施例5係即使落下距離34cm，玻璃板仍不致遭受破壞，相對地，比較例8在落下距離24cm時發生龜裂。意味相較於現行通常使用之半導體晶圓支撐玻璃基板的Pyrex(註冊商標)玻璃，經施行離子交換之化學強化處理的玻璃板GP，較具有對周緣部的耐 衝擊性。
由以上的結果判斷，就壓縮應力層重要，且在與定位銷等進行抵接或洗淨步驟等中，可承受所施加衝擊的玻璃板GP之壓縮應力層深度將必須設為15 μm。因為玻璃板GP數次重複使用，因而壓縮應力層的深度愈深愈不易遭受損傷。但是，當具有壓縮應力層厚度大於220 μm的壓縮應力層厚度時，形狀本身便容易發生翹曲、波紋起伏情形。即，厚度可謂在為了不致使玻璃板GP的形狀本身發生翹曲，壓縮應力層厚度最好設定在220 μm以下。尤以壓縮應力層深度在25 μm至100 μm為佳。
<<玻璃板GP周緣部的面粗糙度>>
實施例4的玻璃板GP、與實施例1的玻璃板GP，係相同的玻璃基材、且相同的形狀，並施行相同的化學強化處理，不同處在於實施例4的玻璃板GP周緣部係施行600號精磨的研削處理，相對地，實施例1的玻璃板GP周緣部係施行研磨處理。二者均在落下距離14cm時並無發生龜裂，但在落下距離24cm時遭破壞。若確保落下距離14cm時對周緣部的耐衝擊性，便不需要至研磨處理，僅需進行600號精磨研削處理之最終端面處理便已足夠。換句話說，周緣部的面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計在440nm以下便可。
<<玻璃板GP之厚度>>
實施例4與實施例5中玻璃基材、形狀、端面處理及離子交換處理均相同，但不同處在於實施例4的玻璃板GP 板厚為0.5mm，實施例5的玻璃板GP板厚為1.0mm。就對周緣部的耐衝擊性測定結果，實施例4係在落下距離14cm時並無發生龜裂，但在落下距離24cm時將遭破壞。另一方面，實施例5係即使落下距離34cm仍無龜裂情形。
如上述，比較例8現行一般使用作為支撐半導體晶圓SW的玻璃板。
實施例4及比較例8的玻璃板GP均係直徑201mm，且上下面被施行研磨。另一方面，實施例4玻璃基材厚度0.5mm的玻璃No.1，其最終端面處理係600號精磨的研削處理，而比較例8厚度1.0mm的Pyrex(註冊商標)玻璃，其最終端面處理係研磨精磨。實施例4與比較例8均在落下距離24cm時玻璃板GP遭破壞。實施例4在落下距離14cm時並無出現龜裂。比較例8在落下距離14cm時所施行測定的3片中有2片無龜裂，而3片中有1片遭受破壞。此表示當與比較例8的玻璃板比較，實施例4的玻璃板具有同等或同等級以上的對周緣部耐衝擊性。即，藉由施行離子交換之化學強化處理，便可以一半的板厚0.5mm實現與現行一般所使用比較例8同等級以上的對周緣部耐衝擊性。
另外，日本專利特開2005－057046號公報、或特開2006－156633號公報等所使用的玻璃板GP厚度，係有0.625mm、0.725mm、0.825mm、1.000mm等4種。所以，若使用如本實施例1等厚度0.5mm玻璃板GP，除具可撓性或對周緣部的耐衝擊性之外，尚可達輕量化及耐久性的 提升。
<玻璃板GP之壓縮應力層測定方法>
圖4所示係玻璃板GP的壓縮應力層厚度測定方法圖。
壓縮應力層厚度之測定(其1)
若化學強化所產生的壓縮應力存在於玻璃板GP內，便因光彈效應導致壓縮應力部分呈現複折射性。在呈正交的偏光板間載置玻璃板GP，若調整該玻璃板GP方向，在暗視野中便觀看到輪廓清晰明亮區域。藉由測量該明亮區域的寬度，便可測得壓縮應力層厚度。關於壓縮應力層較深入的實施例1至實施例8、及比較例4(玻璃No.1或玻璃No.2)，依照本方法施行壓縮應力層厚度的測定。壓縮應力層較淺的實施例9至實施例11、及比較例5(玻璃No.3)，明亮區域過薄而無法正確地測得厚度。
圖4(a)所示外徑201mm的玻璃板GP，首先沿寬2mm的線42A及線42B，利用鑽石切割機切斷。然後，將經切斷的帶狀玻璃片中央部附近，以寬20mm沿線43A及線43B，同樣地利用鑽石切割機切斷。所切取的玻璃片沿線42A及線42B切斷，並將此切斷面施行研削研磨。玻璃片在經研磨後，便精磨成厚度約0.3mm，且上下面轉變為研磨面的研磨玻璃片44。
使圖4(b)所示透明載玻璃47上，接觸研磨玻璃片44其一研磨面，並利用熱熔膠黏著劑施行固定。經去除多餘熱熔膠黏著劑之後，確認到玻璃片44整體研磨面穿透過載玻璃47而透明光穿透。玻璃片44的面45B係沿圖4(a) 中的線43B切斷的切斷面，面45A係沿線43A切斷的切斷面。面49係相當於圖4(a)所示玻璃板GP的上面，面48係相當於玻璃板GP的下面。
在圖4(c)所示分別使偏光面正交的偏光板51A與偏光板51B之間，插入經黏著研磨玻璃片44的載玻璃47。然後，在偏光板51B下方所配置的光源53照射白色光。經黏著研磨玻璃片44的載玻璃47，從偏光板51A上方方向進行觀察。所觀察到的研磨玻璃片44之結果概略，如圖4(d)所示。若通過正交的偏光板51A與51B從上方方向進行觀察，則在未存在壓縮應力層的玻璃片並無發現任何暗處。但是，可明顯地觀察到施行離子交換之化學強化處理而存在壓縮應力層。研磨玻璃片44可觀察到沿面48及面49明亮穿透的區域44T1及區域44T2，因而該等區域44T1與區域44T2係壓縮應力層。此外，中心區域44T3亦可少許明亮觀察到。該區域中心區域44T3係發生拉伸應力的區域。此外，不透光區域44B1及區域44B2依暗線形式存在。該區域正好將壓縮應力與拉伸應力相抵消，而經抑制應力發生的地方，在正交偏光板間將可觀察到暗區域。
使用附設測長功能的顯微鏡55，以微米單位測量明亮部分的厚度，可測得壓縮應力層的深度。面48與面49係相當於玻璃板GP的上下面，亦是利用硝酸鹽溶液施行離子交換的最前面。依微米單位測量從面48與面49起至不透光區域44B1與區域44B2的厚度DE。但，因為實施例8的壓縮應力層厚度較厚，因而壓縮應力與拉伸應力相抵消 的不透光區域44B1及區域44B2的對比較低，而無法正確地測定。因而，依以下的測定方法施行測定。
壓縮應力層厚度的測定(其2)
實施例8係測定經離子交換的厚度。本方法係使用依壓縮應力層厚度測定(其1)所製得的研磨玻璃片44，利用EPMA(Electron Probe Micro－Analysis：電子微探分析儀)，施行鈉(Na)的線性分析(線上元素分析)。所謂「EPMA」係指對試料表面照射經調整為約1 μm的電子束，利用試料與電子束的相互作用，檢測所產生之特性X線的分析。所謂「使用EPMA的鈉(Na)線性分析」，係從指研磨玻璃片44的面48或面49，朝玻璃內側施行線上的元素分佈分析。從朝玻璃內側的線上距離、與所檢測到的鈉濃度分佈，便可將未引發離子交換的區域、與鋰及發生離子交換的鈉濃度有增加區域的轉折點特定。將從面48及面49起至該轉折點位置間之距離視為壓縮應力層。依照本方法的實施例8之壓縮應力層厚度係220 μm。
壓縮應力層厚度的測定(其3)
當使直線偏振光通過如玻璃的透明物體時，因該物體中所產生的力(本實施例中為壓縮應力)而對光造成影響。藉由測定該項影響，便可對物體內部產生作用的力進行解析。本方法通稱「光彈性解析法」，已依JIS規格(R－3222)一般化，有市售的表面應力計。壓縮應力層進入較淺的實施例9至實施例11、及比較例5(玻璃No.3)，係使用光彈性解析法施行壓縮應力層的厚度測定。直接使用圖4(a) 所示玻璃板GP。另外，使用本方法，嘗試測量壓縮應力層進入較深的實施例1至實施例8、及比較例4(玻璃No.1或玻璃No.2)，但並無法檢測到解析所需要的影像，而無法測量。
<玻璃板GP的彎曲角度測定方法>
圖5所示係玻璃板GP的彎曲角度測定方法圖。圖5(a)中，在厚25×寬200×深250mm的木板或鐵板等硬質板61A上，黏貼厚3mm×寬200×深250的橡膠片或塑料片等軟質片62A。準備經黏貼相同大小軟質片62B的相同大小硬質板61B，並將28mm×250mm的側面一致，以可以A地點為基點進行彎折動作的方式，在A地點附近安裝鉸鏈。附有軟質片62A的硬質板61A固定呈不動狀態，附有軟質片62B的硬質板61B則可在A地點進行彎折。
然後，厚25×寬150×深250mm的半圓柱硬質板65，精磨成深250mm且半徑12.5mm的半圓柱。在該半圓柱硬質板65上，將厚3mm×寬290×深250的第2軟質片66黏貼成如圖5所示。
當玻璃板GP的彎曲角度測定時，各實施例及各比較例的玻璃板GP被配置成A地點與玻璃板GP的圓中心線達一致狀態。然後，為使玻璃板GP不動，上述附有第2軟質片66的半圓柱硬質板65便押抵於玻璃板GP上。半圓柱硬質板65押抵於玻璃板GP的位置，係位於第2軟質片66的半圓柱最外部、與玻璃板GP的圓中心線成一致之位置處。
接著，如圖5(b)所示，附有軟質片62B的硬質板61B朝箭頭67方向，以A地點為支點緩慢旋轉。玻璃板GP係沿附有第2軟質片66之半圓柱硬質板65的下方半圓柱圓弧彎曲。朝箭頭67方向旋轉的角度係依彎曲角度約1°/秒進行。所謂「彎曲角度」係指軟質片62A上面、與軟質片62B上面的角度69。而且，所謂「最大彎曲角度」係指玻璃板GP朝箭頭67方向儘量上舉，玻璃板GP出現龜裂時的角度。軟質片62A上面與軟質片62B上面的角度69，係使用分度器以1°單位進行測量。另外，可知玻璃板GP裝入塑膠袋中才施行本測定則較為便利。理由係塑膠袋在玻璃出現彎曲龜裂時有防止飛散發生的功用。更進一步，因為玻璃板GP出現龜裂狀態保存於塑膠袋內，因此將可詳細觀察龜裂狀態。
<對玻璃板GP周緣部的耐衝擊性測定方法>
支撐半導體晶圓SW的玻璃板GP直徑，係直徑稍為大於所支撐半導體晶圓SW的直徑。理由係半導體晶圓SW本身所承受的衝擊取而代之由玻璃板GP承受的緣故。該衝擊係在定位時與未圖示定位銷的碰撞、或與未圖示搬送機械臂的碰撞、或玻璃板GP之洗淨、或與未圖示儲存機台壁面的碰撞。依此，因對玻璃板GP的搬送等所造成的主要衝擊，成為施加於玻璃板GP端部的衝擊，因而與由將玻璃板GP放置水平並朝玻璃板GP中心落下硬球的硬球落體強度試驗中所產生之衝擊，在力的施加方向會有所不同。此外，該硬球落體強度試驗中就搬送等所產生對玻璃板 GP周緣部的衝擊，較難施行耐性評估。
本次所採用的耐衝擊度測定中，對端部的衝擊取代上述硬球落體強度試驗，改為對玻璃板GP端部施加搬送時等的相同衝擊，並評估該耐衝擊性。
圖6A所示係對玻璃板GP周緣部的耐衝擊性測定時所使用的耐衝擊性測定器70，(a)係側視圖，(b)係前視圖。此外，圖6B所示係耐衝擊性測定器70的玻璃板GP附近放大圖。圖6C所示係耐衝擊性測定時耐衝擊性測定器70的使用方法圖。
如圖6A所示，耐衝擊性測定器70係具有：由910(Z方向)×450(X方向)×18(Y方向)mm的紅櫟材所構成之基座73、與在該基座73上所安裝的玻璃承接底盤74。玻璃承接底盤74係將玻璃板GP垂直立起的底盤，將玻璃板GP垂直輕輕支撐的橡膠圓板78被設置於基座73上。本實施形態中，因為使用直徑201mm的玻璃板GP，因而使用直徑100mm的橡膠圓板78。
基座73係安裝有4個固定導件支撐夾具77，利用該固定導件支撐夾具77安裝有平行於基座73的2個固定導件構件76。2個固定導件構件76係嵌入於具有溝的2個移動導件構件75中。落錘板71係由紅櫟材構成的600(Z方向)×140(X方向)×18(Y方向)mm大小，重約1.5kg。落錘板71係在二側面分別安裝有移動導件構件75。所以，落錘板71便可經由移動導件構件75與固定導件構件76，平行於基座73滑動。然後，調整橡膠圓板78的厚度，達 到玻璃板GP正好碰撞到落錘板71厚度中央附近處。
如圖6B所示，使落錘板71從上方落下，設定最初碰撞到玻璃板GP的AP地點(在圖5所示範圍內)。在落錘板71的AP地點，在每次耐衝擊度試驗落下，玻璃板GP與落錘板71相碰撞。該落錘板71在AP地點處，為不致沿玻璃板GP周緣部形狀發生沉陷，而配置有0.2(Z方向)×60(X方向)×15(Y方向)mm的落錘板用不銹鋼板82。若玻璃板GP的AP地點直接碰觸到落錘板用不銹鋼板82，在因衝擊發生龜裂前，便先遭受損傷，並以該損傷為起點，有因落錘板71的重量或壓縮力而導致發生龜裂的可能性。所以，在落錘板用不銹鋼板82上，黏貼有5(Z方向)×20(X方向)×10(Y方向)mm的發泡胺基甲酸酯83。發泡胺基甲酸酯83的功用係具有緩衝材的功能。另外，落錘板71、落錘板用不銹鋼板82及發泡胺基甲酸酯83合計為1.5kg。
在玻璃承接底盤74與玻璃板GP相接觸的BP地點，亦為不致沿玻璃板GP周緣部形狀發生沉陷的方式，配置有0.2(Z方向)×60(X方向)×15(Y方向)mm的玻璃承接用不銹鋼板84。又，在玻璃承接板用不銹鋼板84上黏貼有黏著用氯乙烯製黏貼帶85。氯乙烯製黏貼帶85的功用係除緩衝材的功能之外，亦具有玻璃板GP的防滑功用。
再者，如圖6A與圖6B所示，依落錘板71停止於距AP地點的高度處朝下方10mm的方式，在基座73上配置擋止81。理由係為僅由衝擊力確認玻璃板GP耐衝擊性。即， 因為將落錘板71、落錘板用不銹鋼板82及發泡胺基甲酸酯83設為合計1.5kg，因而不僅衝擊力，僅由對玻璃板GP的壓縮力便有導致玻璃板GP發生龜裂的可能性。實際上，0.1mm厚度的玻璃板GP只要稍微放置落錘板71，便會導致0.1mm厚度的玻璃板GP發生龜裂。因此，配置擋止81，構成僅落錘板71的衝擊力施加於玻璃板GP。
如圖6C所示，在將耐衝擊性測定器70依傾斜角θ傾斜狀態下，施行玻璃板GP的耐衝擊性測定。為將玻璃板GP安定地保持於橡膠圓板78上，便將傾斜角θ設定為約6~70角度。使玻璃板GP靜止於既定位置處，再將落錘板71拉起至既定落下距離FL處並施行自然落體。落下距離依1cm單位進行測量。如上述，當施行耐衝擊度測定時，亦考慮測定變動，便使用依相同條件所製得玻璃板GP最少3片以上，測定相同落下距離的耐衝擊性。此外，賦予衝擊的樣品之玻璃板GP係1片僅賦予1次的衝擊。但是，最好將玻璃板GP裝入透明聚乙烯袋中再施行測定。理由係即使因衝擊導致玻璃板GP粉碎龜裂，但若裝入於透明聚乙烯袋中便不致發生飛散情形。此外，因為發泡胺基甲酸酯83在每次碰撞後便發生龜裂，因而每次碰撞後便馬上更換重貼。因為氯乙烯製黏貼帶85並不會如發泡胺基甲酸酯83頻繁發生龜裂情形，因而視需要再施行更換便可。
<實施形態2：經塗佈強化的玻璃板GP>
實施形態1中，已就經化學強化過的玻璃板GP進行說明。除經化學強化過的玻璃板GP以外，即使經塗佈強化 的玻璃板GP，亦可提供最大300以上彎曲的玻璃板GP。又，可提供周緣部具有耐衝擊性的玻璃板GP。以下便針對滿足該條件的經塗佈強化之玻璃板GP進行說明。
<玻璃基材>
經塗佈強化玻璃板GP所使用的玻璃基材，係與上述實施形態1相同使用玻璃No.1、玻璃No.2、玻璃No.3。因為無必要施行化學強化，因而可為0.5mm厚或1.0mm厚的低鹼玻璃或無鹼玻璃。與實施形態1相同，最好為將0.3mm厚至1.1mm厚的玻璃基材黏著於晶圓上並支撐的玻璃基材。此外，玻璃基材的端面處理加工至算術平均粗糙度Ra在400nm以下。
<塗佈劑>
用以提升玻璃基材的可撓性或周緣部耐衝擊性之塗佈劑，係包括有聚醚碸，該塗佈劑的溶劑係包括有：芳香族烴、鹵化烴、酯類、酮類、腈類、亞碸類中任一者。溶劑係為了使聚醚碸在塗佈劑中呈現安定，而從屬於芳香族烴、鹵化烴、酯類、酮類、腈類、亞碸類中之任一者之化學種類中選擇2種以上。
塗佈劑對玻璃基材的塗佈方法，係可利用諸如浸塗、流動式塗佈、旋塗、輥式塗佈、噴塗、網版印刷、橡膠版輪轉印刷等方法來實施。將塗佈劑塗佈於玻璃基材之後，經乾燥步驟、250℃~400℃的燒成步驟，便可獲得塗佈強化過之玻璃板GP。
塗佈膜的膜厚係2 μm至10 μm，最好4 μm至8 μm。理 由係若塗佈膜的膜厚未滿2 μm，則玻璃基材的可撓性提升或周緣部的耐衝擊性提升效果較小，若塗佈膜的膜厚超過10 μm，則可撓性提升或周緣部的耐衝擊性提升效果較小。塗佈膜的形成可為基材的單面或雙面，最好在玻璃基材的周緣部形成塗佈膜。理由係經塗佈，可避免因彎曲而在玻璃基材周緣部所發生存在的微小龜裂擴大，並可增加可撓性。此外，理由係與化學強化處理同等級的壓縮應力層之形成，會增加耐衝擊性。
(產業上之可利用性)
本實施例中，係以200mm半導體晶圓SW為前提進行說明，但即使是300mm半導體晶圓SW或新一代的450mm半導體晶圓SW，亦可適用本發明的晶圓支撐玻璃基板。
再者，本實施形態中，係舉具有經紫外線照射而降低黏貼性之黏貼劑的雙面黏著薄膜AD為例。雙面黏著薄膜AD亦可為具有經100℃至250℃的加熱而降低黏著層黏貼性的黏貼劑。晶圓支撐玻璃基板係不同於塑膠素材，耐熱性亦優異。就此點，因為塑膠製晶圓支撐構件的耐熱溫度較低，因而依材質有無法在約100℃以上使用的情形。所以，即使在使用經加熱而降低黏著層黏貼性之雙面黏著薄膜的半導體晶圓SW之研削等時，仍可適用本發明晶圓支撐玻璃基板。
再者，晶圓支撐玻璃基板係不同於塑膠製晶圓支撐構件，因為玻璃與矽晶圓的膨脹係數通常係屬於相同範圍，因而即使在溫度發生變化的情況，仍不易受膨脹差影響， 幾乎不會有如塑膠製晶圓支撐構件般隨溫度變化而發生翹曲的可能性。
31‧‧‧研削裝置(鑽石研磨盤)
35‧‧‧真空吸盤
42A、42B、43A、43B‧‧‧線
44‧‧‧研磨玻璃片
44B1、44B2‧‧‧不透光區域
44T1、44T2、44T3‧‧‧區域
45A、45B、49、48‧‧‧面
47‧‧‧載玻璃
51A、51B‧‧‧偏光板
53‧‧‧光源
61A、61B‧‧‧硬質板
62A、62B‧‧‧軟質片
65‧‧‧半圓柱硬質板
66‧‧‧第2軟質片
70‧‧‧耐衝擊性測定器
71‧‧‧落錘板
73‧‧‧基座
74‧‧‧玻璃承接底盤
75‧‧‧移動導件構件
76‧‧‧固定導件構件
78‧‧‧橡膠圓板
81‧‧‧擋止
82‧‧‧落錘板用不銹鋼板
83‧‧‧發泡胺基甲酸酯
84‧‧‧玻璃承接板用不銹鋼板
85‧‧‧氯乙烯製黏貼帶
AD‧‧‧雙面黏著薄膜
DD‧‧‧厚度
DE‧‧‧厚度
DT‧‧‧玻璃用剝離膠帶
GP‧‧‧玻璃板(GP1、GP2…上下面)
L‧‧‧外徑
PE‧‧‧周緣部(端面)
SW‧‧‧半導體晶圓
圖1為在形成有半導體電路的半導體晶圓SW上黏貼著玻璃板GP後至將玻璃板GP剝離的流程圖。
圖2A中，(a)為將半導體晶圓SW與玻璃板GP黏著、固定的狀態；(b)為研削的步驟。
圖2B中，(c)為經研削過的半導體晶圓SW剖視圖；(d)為黏著有玻璃用剝離膠帶DT的玻璃板GP圖；(e)為半導體晶圓SW安裝於真空吸盤上的狀態剖視圖。
圖2C中，(f)為從玻璃板GP一端進行剝離的中途狀態圖。
(g)為將雙面黏著薄膜AD從半導體晶圓SW上剝離的狀態。
圖3中，(a)為玻璃板GP的立體示意圖。
(b)與(c)係該玻璃板GP的周緣部放大圖。
圖4(a)至(d)為玻璃板GP的壓縮應力層厚度測定方法圖。
圖5(a)及(b)為玻璃板GP的彎曲角度測定方法圖。
圖6A(a)及(b)為耐衝擊性測定器70圖。
圖6B為耐衝擊性測定器70之玻璃板GP附近的放大圖。
圖6C為耐衝擊性測定時之耐衝擊性測定器70的使用方式圖。
35‧‧‧真空吸盤
AD‧‧‧雙面黏著薄膜
DT‧‧‧玻璃用剝離膠帶
GP‧‧‧玻璃板(GP1、GP2…上下面)
SW‧‧‧半導體晶圓

Claims (6)

  1. 一種晶圓支撐玻璃基板，係黏著於半導體晶圓而支撐該半導體晶圓支撐的晶圓支撐玻璃基板；其特徵在於，上述晶圓支撐玻璃基板，其板厚為0.3mm~1.1mm，並至少藉由與K離子所進行的離子交換來施行化學強化處理，而經過該化學強化處理之壓縮應力層的深度為15μm以上且220μm以內，為了將上述晶圓支撐玻璃基板從上述半導體晶圓剝離，而以最大彎曲角度彎曲30度以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓支撐玻璃基板，其中，上述晶圓支撐玻璃基板含有Na2O或Li2O。
  3. 如申請專利範圍第1項之晶圓支撐玻璃基板，其中，上述晶圓支撐玻璃基板具有經塗佈處理的塗佈層。
  4. 如申請專利範圍第1項之晶圓支撐玻璃基板，其中，上述晶圓支撐玻璃基板具有第1面、第2面及周緣部，上述周緣部係形成有截角部或連結上述第1面與第2面之曲面。
  5. 如申請專利範圍第4項之晶圓支撐玻璃基板，其中，上述晶圓支撐玻璃基板之周緣部，其算術平均粗糙度在440nm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之晶圓支撐玻璃基板，其中，上述半導體晶圓係具有既定直徑的圓形，上述晶圓支撐玻璃基板係具有較上述既定直徑大一圈之直徑的圓形。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101178914B1 (ko) 2010-10-29 2012-09-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
JP5911750B2 (ja) * 2012-05-14 2016-04-27 アルバック成膜株式会社 ウェハ支持体およびその製造方法
TWI474004B (zh) * 2012-07-13 2015-02-21 Nat Univ Tsing Hua 多頭探針及其製造與掃瞄方法
JP2014093420A (ja) 2012-11-02 2014-05-19 Toyota Motor Corp ウェハを支持ディスクに接着する治具、および、それを用いた半導体装置の製造方法
CN103365466A (zh) * 2013-06-27 2013-10-23 南昌欧菲光学技术有限公司 立体结构玻璃及制造方法
JP6206832B2 (ja) 2013-08-09 2017-10-04 日本電気硝子株式会社 ビスマス系ガラス組成物、粉末材料及び粉末材料ペースト
JP6593669B2 (ja) * 2013-09-12 2019-10-23 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体
KR102436788B1 (ko) * 2014-12-04 2022-08-26 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 유리판
JP6631888B2 (ja) * 2015-02-07 2020-01-15 株式会社クリエイティブテクノロジー 被加工物保持装置及びレーザカット加工方法
KR102340110B1 (ko) 2019-10-29 2021-12-17 주식회사 쎄닉 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3254157B2 (ja) * 1996-12-29 2002-02-04 ホーヤ株式会社 記録媒体用ガラス基板、及び該基板を用いた記録媒体
JP2000349047A (ja) * 1999-06-01 2000-12-15 Lintec Corp 粘着材の貼付装置及び貼付方法
US6452091B1 (en) * 1999-07-14 2002-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing thin-film single-crystal device, solar cell module and method of producing the same
JP2006032488A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Shin Etsu Polymer Co Ltd 電子部品保持具及びその使用方法
JP4784604B2 (ja) * 2005-05-30 2011-10-05 Ｊｓｒ株式会社 固定剤付きウエハの製造方法

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