KR20100017341A - 플루오르화 염료 및 전기영동 디스플레이 장치에서의 그 용도 - Google Patents

플루오르화 염료 및 전기영동 디스플레이 장치에서의 그 용도 Download PDF

Info

Publication number
KR20100017341A
KR20100017341A KR1020097024515A KR20097024515A KR20100017341A KR 20100017341 A KR20100017341 A KR 20100017341A KR 1020097024515 A KR1020097024515 A KR 1020097024515A KR 20097024515 A KR20097024515 A KR 20097024515A KR 20100017341 A KR20100017341 A KR 20100017341A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radical
aryl
heteroaryl
radicals
alkyl
Prior art date
Application number
KR1020097024515A
Other languages
English (en)
Inventor
니콜 랑거
슈테판 헤스
지안키앙 쿠
마르쿠스 호프만
잉-시 리
진 양
게르하르트 바겐블라슈트
알프레드 레닌
토마스 게스너
헬무트 라이헬트
패트릭 암하인
Original Assignee
바스프 에스이
사이픽스 이미징, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=39722489&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20100017341(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 바스프 에스이, 사이픽스 이미징, 인코포레이티드 filed Critical 바스프 에스이
Publication of KR20100017341A publication Critical patent/KR20100017341A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B5/00—Dyes with an anthracene nucleus condensed with one or more heterocyclic rings with or without carbocyclic rings
    • C09B5/62—Cyclic imides or amidines of peri-dicarboxylic acids of the anthracene, benzanthrene, or perylene series
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
    • G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Pyridine Compounds (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

본 발명은 하기 일반 화학식 I의 화합물, 하기 일반 화학식 III의 화합물, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 플루오르화 염료의 제조 방법으로서, R12 또는 R30을 치환기로서 갖지 않은 상응하는 화합물을 A가 I 및 Br로 이루어진 군으로부터 선택된 일반 화학식 R12A 또는 R30A의 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는 제조 방법; 상기 방법에 의해 얻어지는 화합물; 및 전기영동 디스플레이에서 이러한 플루오르화 염료의 용도에 관한 것이다.
Figure 112009072293905-PCT00044

Description

플루오르화 염료 및 전기영동 디스플레이 장치에서의 그 용도{FLUORINATED DYES AND THEIR USE IN ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICES}
본 발명은 나프틸- 및 퍼릴렌-유도체로 이루어지는 군으로부터 선택된 플루오르화 염료에 관한 것이고, 그 플루오르화 염료의 제조 방법에 관한 것이며, 그리고 전기영동 디스플레이에서 그 플루오르화 염료의 용도에 관한 것이다.
전기영동 디스플레이(EPD: electrophoretic display)는 비자가 발광 디스플레이이고, 이것은 또한 반사 디스플레이라고 칭하기도 한다. 그 기능성 원리는 전기장이 인가될 때 용매 중의 하전된 입자의 이동에 기초한다. 전형적으로, EPD는 상면 및 하면 상에 판상 전극이 위치해 있는, 균일하게 정렬된 다수의 정사각형 체임버(디스플레이 세그먼트)를 포함한다. 이러한 전극 중 적어도 하나의 전극, 바람직하게는 모니터링 면 상의 전극은 투명하다.
전기영동 분산물은 내부에 분산되어 있는 하나 이상 염료 및 입자의 용액 또는 분산액을 포함한다. 이 용액 또는 분산액이 2개 전극 사이에 동봉된다. 전압이 이러한 2개 전극에 인가될 때, 그 입자는, 인력에 기인하여, 안료 입자에 대하여 반대 극성을 갖는 극판으로 이동한다. 대개, 투명 전극을 통해 관찰가능한 색상은 용매 또는 입자의 색상이다.
디스플레이 셀 내에 존재하는 분산액은 셀의 품질에 가장 강력한 영향을 미치는 요소임이 의심할 여지 없이 확실하다. 일반적으로, 분산액은 착색된 유전성 용매 또는 그러한 용매 혼합물 중에 분산되어 있는 입자를 포함한다. 이러한 분산의 조성은 컴포넌트의 명암비, 전환 속도, 임계 특성 및 안정성을 결정한다. 이상적인 분산액에서, 입자는 모든 조건 하에 분산 상태를 유지하며, 응집하지 않고, 침전하지 않으며, 그리고 거품 발생하지 않는다.
분산 매질은 유전성 용매 또는 그 용매 혼합물 중에 염료를 용해 또는 분산시킴으로써 착색될 수 있다.
선행 기술은 전기영동 디스플레이에 사용하기에 적합한 염료를 이미 개시하고 있다.
WO 2005/017046 A2에는 플루오르화 염료 또는 착색제 및 그 용도가 개시되어 있다. 이 언급된 문헌은 25 중량% 이상의 불소 함량을 갖는 플루오르화 염료가 언급되어 있고, EPD에 사용하기에 적합하다는 점을 개시하고 있다. 플루오르화 프탈로시아닌 및 나프탈로시아닌이 염료로서 개시되어 있다. 게다가, 안트라퀴논, 플루오로알킬-치환된 퍼릴렌, 플루오로알킬-치환된 퀴나크리돈, 플루오로알킬-치환된 디케토피롤, 플루오로알킬-치환된 포르피린 및 플루오로알킬-치환된 나프탈이미드로 구성되는 군으로부터 선택된 염료가 개시되어 있다. 더구나, 언급된 염료를 제조하는 다양한 방법, 예를 들면 구리 프탈로시아닌에 알킬 요오다이드의 첨가, 퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물에 아민의 첨가에 의한 디이미드의 형성, 또는 -CH2- 기를 통해 방향족 리다칼에 플루오르화 라디칼을 결합시키는 상응하는 보론 화합물의 스즈키 커플링이 개시되어 있다. 따라서, 방향족 상에 직접 -CF2- 기를 갖는 화합물은 그러한 방식으로 얻을 수 있다.
US 2,281,426에는 퍼플루오로알킬화 프탈산 무수물, 구리 프탈로시아닌 및 이들의 제조 방법이 개시되어 있다. 이 방법은 비-퍼플루오르화된 방향족 기재를 적당한 퍼플루오로알킬 요오다이드로 200℃ 내지 350℃의 온도에서 반응을 수행하는 것으로 구성된다.
적합한 용매 중의 용해도, 광학 명암비(OCR: optical contrast ratio) 및 전환 속도에 관한 플루오르화 염료의 특정한 특징들에 대한 개선의 필요성이 여전히 존재한다. 또한, 선행 기술에 따라 제조된 화합물에 관하여 광학 디스플레이에 단일 염료로서 사용되는 플루오르화 염료의 OCR에 대한 개선의 필요성이 존재한다. 공정 비용을 절감하기 위해서, 보다 낮은 온도에서 수행될 수 있는, 광학 디스플레이에 사용될 수 있는 플루오르화 염료의 제조 방법에 대한 추가 필요성이 존재한다.
그러므로, 본 발명의 목적은 플루오르화 염료를 제조하는 방법을 제공하는 것이며, 이는 실질적으로 동일한 정도의 치환 및/또는 치환 패턴을 지닌 화합물의 좁은 분포로 원하는 화합물을 제공한다. 상기 방법에 의해 제조된 염료의 측쇄는 최대 플루오르화를 지녀야 하는데, 즉 -CF2-는 또한 방향족 부분 상에 직접 존재해야 한다. 게다가, 본 발명에 따른 방법은 다수의 상이한 염료 군에 적용가능하고, 단순하게 수행되어야 하며, 가능하다면, 단일의 공정 단계로 단순하게 수행되어야 한다. 본 발명의 추가 목적은 개선된 특성에 의해 전기영동 디스플레이에서 사용하기에 적합한 플루오르화 염료를 제공하는 것이다.
이러한 목적은 하기 일반 화학식 I의 화합물, 하기 일반 화학식 III의 화합물 및 하기 일반 화학식 I의 화합물과 하기 일반 화학식 III의 화합물의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 플루오르화 염료의 제조 방법으로서, R12 또는 R30을 갖지 않은 상응하는 화합물을 A가 I 및 Br로 이루어진 군으로부터 선택되고 R12 및 R30가 각각 하기 정의된 바와 같은 일반 화학식 R12A 또는 R30A의 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는 제조 방법에 의해 달성된다:
Figure 112009072293905-PCT00001
상기 식 중,
R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, CN, R13-O-, R13-S-, R13R14N-로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 여기서 R13 및 R14는 각각 독립적으로 C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며,
M 및 Q는 각각 O이거나, 또는 M과 Q 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R15이고,
R9, R10은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴, CN, R16-O-, R16-S-, R16R17N-이며, 여기서 R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있고, 또는
함께 하기 일반 화학식 II의 고리를 형성하며,
Figure 112009072293905-PCT00002
여기서, S 및 T는 각각 O이거나, 또는 S와 T 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R19이며,
R12는 전부 또는 일부 플루오르화된 C4-C12-알킬 라디칼이고,
n은 1 내지 12이고,
R9와 R10이 각각 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, CN, R16-O-, R17-S-, R16R17N-이고, 여기서 R16 및 R17이 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 및 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼이 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼이 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있는 경우, M 및 Q는 각각 O이고, R11은 수소, 할로겐, C1-C20-알킬 라디칼, C1-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 및 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 브릿지를 통해 질소에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며, 알킬 또는 헤테로알킬 라디칼은 작용기를 가질 수 있고, 또는
R9와 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T가 각각 O인 경우, R11 및 R18은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C1-C20-알킬 라디칼, C1-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 및 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 질소에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있고, 알킬 또는 헤테로알킬 라디칼은 작용기를 가질 수 있으며, 또는
R9와 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T가 각각 O인 경우, R11 및 R18 각각은, 나머지 R11 및/또는 R18에 관계 없이, 일반 화학식 I의 화합물의 2개 분자 사이에 1개 내지 18개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화, 분지형 또는 비분지형 탄소 브릿지를 함께 형성하고, 또는
R9와 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T 중 하나 이상이 N-R15 또는 N-R19인 경우, R11, R15, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C1-C20-알킬 라디칼, C1-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 및 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 질소에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며, 또는
R9와 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T 중 하나 이상이 N-R15 또는 N-R19인 경우, R11과 R15 및/또는 R18과 R19는, 각각의 경우 -N-C=N- 부분과 함께, 각각 독립적으로 각각의 경우에 총 4개 내지 20개 고리 원자를 갖는 포화 또는 불포화 고리를 형성하고, 하나 이상의 추가 고리 원자는 N, O, P 또는 S로부터 선택된 헤테로원자일 수 있고;
Figure 112009072293905-PCT00003
상기 식 중,
R24 내지 R27은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, CN, R31-O-, R31-S-, R31R32N-로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 R31 및 R32는 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 방향족에 임의로 결합되며, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있고,
E, F는 각각 O이거나, 또는 E와 F 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R33이며,
G, H는 각각 O이거나, 또는 G와 H 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R34이이고,
R28, R29, R33 및 R34는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C1-C20-알킬 라디칼, C1-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 및 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 질소에 임의로 결합되며, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있고, 또는
R28과 R33 및/또는 R29와 R34는, 각각의 경우 -N-C=N- 부분과 함께, 각각 독립적으로 각각의 경우에 총 4개 내지 20개 고리 원자를 갖는 포화 또는 불포화 고리를 형성하며, 하나 이상의 추가 고리 원자는 N, O, P 또는 S로부터 선택된 헤테로원자일 수 있으며, 또는
R30은 전부 또는 일부 플루오르화된 C4-C12-알킬 라디칼이고,
m은 2 내지 16이다.
본 발명의 문맥에서, 용어 "알킬 라디칼"은 언급된 탄소 원자 수와 상응하는 수소 원자 수를 지닌 탄소 및 수소 원자로 이루어지는 포화 또는 불포화, 분지형 또는 비분지형 사슬을 포함한다.
본 발명의 문맥에서, 용어 "헤테로알킬 라디칼"은 언급된 탄소 원자 수 및 상응하는 수소 원자 수를 지닌 탄소, 수소 및 헤테로 원자로 이루어지는 포화 또는 블포화, 분지형 또는 비분지형 사슬을 포함한다.
본 발명의 문맥에서, 용어 "아릴 라디칼"은 언급된 탄소 원자 수 및 상응하는 수소 원자 수를 지닌 탄소 및 수소 원자로 이루어진 방향족 골격 구조를 갖는 고리형 라디칼을 포함한다.
본 발명의 문맥에서, 용어 "헤테로아릴 라디칼"은 언급된 탄소 원자 수 및 상응하는 수소 원자 수를 지닌 탄소, 수소 및 헤테로 원자로 이루어진 방향족 골격 구조를 갖는 고리형 라디칼을 포함한다.
본 발명에 따른 알킬-, 사이클로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 추가의 알킬-, 사이클로알킬-, 아릴- 및/또는 헤테로아릴-라디칼에 의해, 또는 예를 들면 케토-, 알데히드-, 에테르-, 티오에테르-, 아민-, 아미드-, 이민-, 이미드-, 할로겐-, 히드록시-, 카르복실산-, 언하이드라이드-, 사아나이드- 또는 이소시아네이트-기와 같은 작용기에 의해 임의로 치환될 수 있다.
본 발명의 문맥에서, 용어 "헤테로원자"는 N, O, P 및 S를 포함한다.
바람직한 실시양태에서, 일반 화학식 I의 화합물에서, R1 내지 R8은 각각 수소, 할로겐, CN, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, R13-O-, R13-S- 및 R13R14N-로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 R13및 R14는 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고; 보다 바람직하게는, 일반 화학식 I의 화합물에서, R1 내지 R4는 수소, 할로겐, CN, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, R13-O-, R13-S- 및 R13R14N-로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 R13및 R14는 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고, R5 내지 R8은 각각 수소이며; 휠씬 더 바람직하게는, 일반 화학식 I의 화합물에서, R1 내지 R4는 수소, 불소, 염소, 브롬, 요오드, R13-O- 또는 R13-S-로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 R13 및 R14는 각각 독립적으로 C1-C20-알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, 예를 들면 페닐 또는 나프틸, 또는 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고, R5 내지 R8은 각각 수소이며; 특히 바람직하게는, R1 내지 R4는 각각 O-페닐 또는 염소이고, R5 내지 R8은 각각 수소이다.
일반 화학식 I의 화합물에서, R13, R14, R16 및 R17 라디칼은 하나 이상의 C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, 및/또는 히드록실, 아미노 또는 할로겐 기로부터 선택된 작용기에 의해 치환될 수 있다.
R9, R10이 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, CN, R16-O-, R16-S-, R16R17N-이고, 여기서 R16 및 R17이 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼이 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼이 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있는 경우, 일반 화학식 I의 화합물은 R9 및 R10에 대하여 언급된 치환기 이외에도 이미드 또는 -N=C-N- 부분을 갖는 것들이다.
바람직한 실시양태에서, R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 보다 바람직하게는 브롬 또는 요오도, 일부 또는 전부 플루오르화된 C1-C20-알킬 라디칼 또는 C6-C22-아릴 라디칼, R16-O-, R16-S-이고, 여기서 R16은 일부 또는 전부 플루오르화된 C1-C20-알킬 라디칼 또는 C6-C22-아릴 라디칼, 보다 바람지하게는 페닐이다.
특히 바람직한 실시양태에서, R9는 수소이고, R10은 상기 언급된 치환기들 중 하나이다. 보다 특히 바람직한 실시양태에서, R9 및 R10은 각각 수소이다.
보다 바람직한 실시양태에서, R9 및 R10은 함께 하기 일반 화학식 II의 고리를 형성한다:
Figure 112009072293905-PCT00004
상기 식 중, S와 T는 각각 0이거나, 또는 S와 T 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R19이다.
R9 및 R10이 함께 일반 화학식 II의 고리를 형성하는 경우, 본 발명에 따라 제조가능한 화합물은 2개의 이미드, 2개의 -N=C-N- 부분 또는 1개의 아미드와 1개의 -N-C=N- 부분을 갖는 것들이다.
일반 화학식 I의 화합물에서 R9 및 R10이 함께 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T가 각각 O인 경우, 본 발명의 화합물은 2개의 이미드 기를 갖는 것들이다.
2개의 이미드 기를 포함하는 화합물에서, 바람직한 실시양태에서 R11 및 R18은 각각 독립적으로 C1-C20-알킬 라디칼, C1-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼 및 화학식 (CH2)oCpF(2p+1)의 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 o는 0, 1, 2, 3, 4이고, p는 1 내지 12이며, 바람직하게는 o는 1 또는 2이고, p는 8이다. 아릴 라디칼은 1개 내지 3개, 보다 바람직하게는 2개의 탄소 원자를 갖는 탄소 브릿지를 통해 질소에 결합될 수 있는 것이 바람직하다.
R9 및 R10이 화학식 (II)의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T가 각각 O이고, 각각의 R11 및 R18이, 나머지 R11 및/또는 R18에 상관 없이, 일반 화학식 I의 화합물의 2개 분자 사이에 탄소 브릿지를 함께 형성하는 경우, 본 발명의 화합물은 일반 화학식 I의 화합물의 이량체이다. 이러한 이량체는 1개의 R11 라디칼과 1개의 R18 라디칼을 통해, 2개의 R11 라디칼을 통해 또는 2개의 R18 라디칼을 통해 서로 결합될 수 있다. 그러한 브릿지를 얻기 위해서, 1개 내지 18개의 탄소 원자, 바람직하게는 2개 내지 12개의 탄소 원자, 보다 더 바람직하게는 2개 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 적당한 디아민, 예를 들면 에틸렌-, 펜틸렌-, 페닐렌- 및 헥사메틸렌-디아민은 그 언하이드라이드로부터 이미드의 형성에서 사용되어야 한다. 이어서, 이미드 형성 후 분자 내에 잔류하는 제2 아민 작용성은 일반 화학식 I의 화합물의, 디아민을 통해 브릿지 형성된 이량체를 얻기 위해서 제2 언히드라이드 분자와 반응될 수 있다.
R9 및 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T 중 하나 이상이 각각 O, N-R15 또는 N-R19인 경우, 본 발명의 화합물은 2개의 -N=C-N- 기 또는 1개의 -N-C=C-N-기와 1개의 이미드 기를 갖는 것들이다.
보다 바람직한 실시양태에서, 2개의 -N=C-N- 기 또는 1개의 -N-C=C-N-기와 1개의 아미드 기를 갖는 일반 화학식 I의 화합물에서, R11와 R15 및/또는 R18과 R19은, 각각의 경우 -N-C=N- 부분과 함께, 각각 독립적으로 각각의 경우에 총 4개 내지 8개의 고리 원자, 바람직하게는 5개 또는 6개의 고리 원자를 갖는 포화, 불포화 또는 방향족 고리를 형성하고, 여기서 4개 내지 8개의 고리 원자를 갖는 하나 이상의 추가 고리는 상기 고리에 결합될 수 있고, 이어서 C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 메틸, C6-C22-아릴 라디칼, 바람직하게는 페닐, R20-O- 또는 R20-S-로부터 독립적으로 선택된 하나 이상의 치환기에 의해 임의로 치환될 수 있으며, R20은 C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 C1-C6-알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, 예를 들면 페닐 또는 나프틸 또는 C6-C22 헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택된다.
특히 바람직한 실시양태에서, R9 및 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고 M, Q, S 및 T 중 하나 이상이 N-R15 또는 N-R19인 일반 화학식 I의 화합물에서, 각각의 경우에 총 5개 내지 8개, 바람직하게는 5개 또는 6개의 고리 원자(이들 중 하나 이상의 추가 원자는 N, O, P 및 S로 이루어진 군으루부터 선택된 헤테로원자일 수 있음)를 갖는 1개 내지 4개, 바람직하게는 1개 또는 2개의 추가 지방족 또는 방향족 고리는 -N-C=N- 부분을 보유하고 총 5개 또는 6개 고리 원자를 갖는 고리에 2개의 공통 고리 원자를 통해 결합된다.
R9 및 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M과 Q 중 하나가 N-R15이고 S와 T 중 하나가 N-R19이며, R11과 R15 및 R18와 R19가, 각각의 경우 -N-C=N- 부분과 함께, 상기 언급된 고리를 형성하는 일반 화학식 I의 화합물에서, 이 화합물은 시스 배열로, 또는 트랜스 배열로, 또는 시스 이성질체와 트랜스 이성질체의 혼합물로 존재할 수 있다.
M이 N-R15이고 S가 N-R19인 경우, 화합물은 시스 배열로 존재한다. M이 N-R15이고 T가 N-R19인 경우, 화합물은 트랜스 배열로 존재한다. Q가 N-R15이고 S가 N-R19인 경우, 화합물은 트랜스 배열로 존재한다. Q가 N-R15이고 T가 N-R19인 경우, 화합물은 시스 배열로 존재한다.
보다 바람직한 실시양태에서, 일반 화학식 I의 화합물에서, R12는 전부 또는 일부 플루오르화된 C6-C10 알킬 라디칼, 바람직하게는 -C8F17 라디칼이다. 이 라디칼은 분지형 또는 선형, 바람직하게는 선형일 수 있다.
보다 바람직한 실시양태에서, 일반 화학식 II의 화합물에서 n은 2 내지 10, 보다 바람직하게는 3 내지 8, 특히 바람직하게는 4 내지 6이다. 상이한 치환도 n를 지닌 화합물의 분포가 본 발명에 따른 방법에 의해 좁다고 해도, 그럼에도 불구하고 작은 비산도가 존재하므로, n에 대한 특정 값은 존재하는 모든 분자에 걸친 평균 값이 된다.
일반 화학식 I의 화합물의 제조를 위하여 R12를 함유하지 않은 특히 바람직한 화합물은 하기 화학식 IV 내지 XIV의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
Figure 112009072293905-PCT00005
Figure 112009072293905-PCT00006
Figure 112009072293905-PCT00007
Figure 112009072293905-PCT00008
Figure 112009072293905-PCT00009
기본 구조 XIV은 문헌(Quante, H., Geerts, Y., Muellen, K., Synthesis of souble Perylenebisamidine Derivatives, Novel Long-Wavelength Absorbing and fluorescent Dyes, Chemistry of Materials(1997), 9(2), 495-500)에 개시되어 있다. 화합물 X 및 XI의 제법은 WO 97/22607 및 WO 97/22608에 기술되어 있다.
상기 언급된 화합물에서 R12 기의 특히 바람직한 갯수는 표 1로부터 유도할 수 있다.
보다 바람직한 실시양태에서, 일반 화학식 III의 화합물에서, R24 내지 R27은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, R31-O-, R32-S- 및 R31R32N-로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 R31 및 R32는 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며; 보다 바람직하게는, 일반 화학식 III의 화합물에서, R24 내지 R27은 각각 수소, 불소, 염소, 브롬 또는 요오드, R31-O- 또는 R31-S-이고, 여기서 R31은 C1-C20-알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, 예를 들면 페닐 또는 나프틸로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일반 화학식 III의 화합물에서, R31 및 R32 라디칼은 하나 이상의 C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼 및/또는 작용기, 즉 히드록시, 아미노 또는 할로겐 기로부터 선택된 작용기에 의해 치환될 수 있다.
보다 바람직한 실시양태에서, 일반 화학식 III의 화합물에서, R28과 R33 및/또는 R29와 R34는, 각각의 경우 -N-C=N- 부분과 함께, 각각 독립적으로 각각의 경우에 총 4개 내지 8개 고리 원자를 갖는 포화 또는 불포화 고리를 형성하고, 여기서 4개 내지 8개 고리 원자를 갖는 하나 이상의 추가 고리는 상기 고리에 결합될 수 있으며, 이어서 C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 메틸, C6-C22-아릴 라디칼, 바람직하게는 페닐, R22-0- 또는 R22-S-로부터 독립적으로 선택된 1개 이상의 치환기에 의해 임의로 치환될 수 있고, 여기서 R22는 C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 C1-C6-알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, 예를 들면 페닐 또는 나프틸, 또는 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택된다.
보다 바람직한 실시양태에서, 일반 화학식 III의 화합물에서, R30은 전부 또는 일부 플루오르화된 C6-C10-알킬 라디칼이고, 여기서 -CF2- 기는 방향족 상에 직접 존재하고; 보다 바람직하게는 R30은 -C8F17 라디칼이다.
보다 바람직한 실시양태에서, 일반 화학식 III의 화합물에서 m은 4 내지 10, 보다 바람직하게는 6 내지 8이다. 상이한 치환도 m를 지닌 화합물의 분포가 본 발명에 따른 방법에 의해 좁다고 해도, 그럼에도 불구하고 작은 비산도가 존재하므로, m에 대한 특정 값은 존재하는 모든 분자에 걸친 평균 값이 된다.
매우 특히 바람직한 일반 화학식 III의 화합물은 하기 6개 R12-기를 갖는 화학식 XX의 화합물 및 7개 R12-기를 갖는 화학식 XXI의 화합물이다.
Figure 112009072293905-PCT00010
Figure 112009072293905-PCT00011
본 발명에 따른 방법은 일반 화학식 I 또는 III의 화합물과 화학식 R12A 또는 R30A의 친전자성 화합물, 바람직하게는 상응하는 요오드화물(즉, A는 요오드임)과의 반응을 포함한다.
바람직한 실시양태에서, 본 발명에 따른 방법은 적당한 반응기, 예를 들면 고압 반응기에서 R12A 또는 R30A 및 화합물 I 또는 III의 분산액을 제공하는 단계를 포함하는 제법에 의해 수행한다.
일반적으로, 일반 화학식 I 또는 III의 화합물 대 친전자성 화합물 R12A 또는 R30A의 물비는 30:1 내지 1:1, 바람직하게는 20:1 내지 5:1, 보다 바람직하게는 15:1 내지 10:1이다. 적합한 친전자성 화합물 R12A 및 R30A는 해당 기술 분야의 당업자에게 공지된 방법에 의해 얻을 수 있고/있거나, 상업적으로 이용가능하다.
본 발명에 따른 방법은 용매의 존재 하에 또는 부재 하에 수행할 수 있다. 적합한 용매는 반응물에 대하여 불활성으로 거동하는 것들, 예를 들면 탄화수소, 예컨대 펜탄, 헥산, 헵탄, 사이클로헥산, 퍼플루오로헥산, 헥사플루오로벤젠, 퍼플루오로데칼린, 퍼플루오로톨루엔 또는 퍼플루오로크실렌이다. 다른 바람직한 용매는 DMSO이다. 특히 바람직한 실시양태에서, 본 발명에 따른 방법은 용매의 부재 하에 수행한다.
본 발명에 따른 방법은 일반적으로 대기압 이상인 개시 압력에서, 바람직하게는 5 내지 15 bar의 압력에서 수행한다. 기체 반응 생성물이 반응 동안 발생되고, 압력이 반응 동안 증가하기 때문이다. 반응의 종료에서 압력은 바람직하게는 5 내지 40 bar, 특히 바람직하게는 10 내지 30 bar이다. 바람직한 실시양태에서, 반응기에서 개시 압력은 일반적으로 불활성 기체, 예를 들면 희귀 기체, 예컨대 헬륨 또는 아르곤, 질소 또는 이들의 혼합물에 의해 발생되며 그리고 적당한 온도에서 반응 혼합물의 성분의 자연발생 압력에 의해 발생된다. 반응 온도는 일반적으로 50 내지 350℃, 바람직하게는 150 내지 320℃, 보다 바람직하게는 200 내지 280℃이다.
방법은 금속 화합물, 예를 들면 Cu2O 또는 Cu의 존재 하에 수행할 수 있다. 바람직한 실시양태에서, 본 발명에 따른 방법은 용매, 바람직하게는 DMS0 중의 Cu2O의 존재 하에 그리고 대기압에서 수행한다.
특히 바람직한 실시양태에서, 본 발명에 따른 방법은 용매의 부재 하에, 금속 화합물의 부재 하에 그리고 증가된 압력 하에, 바람직하게는 상기 언급된 바와 같은 압력 하에 수행한다.
바람직한 실시양태에서, 반응기는 반응 개시 전에 불활성 기체, 예를 들면 희귀 기체, 예컨대 헬륨 또는 아르곤, 질소 또는 이들의 혼합물을 사용하여, 상승된 압력, 예를 들면 1.5 내지 25 bar, 바람직하게는 2 내지 10 bar 하에 플러싱 처리한 후, 진공 처리한다. 이는 반응기로부터 반응성 기체를 제거하기 위해서, 예를 들면 주위 공기로부터 산소를 제거하기 위해서, 연속적으로 수회 실시할 수 있다.
일반 화학식 I 및 III의 화합물과 R12A 또는 R30A의 반응은 일반적으로 1 내지 12 시간, 바람직하게는 2 시간 내지 8 시간, 보다 바람직하게는 3 시간 내지 6 시간, 예를 들면 4 시간 동안 수행한다.
반응을 종료한 후, 반응 혼합물은 해당 기술 분야의 당업자에게 공지된 방법에 의해 후처리한다. 예를 들면, 그 혼합물은 적당한 용매, 예를 들면 아세톤, 메틸 t-부틸 에테르, 플루오르화된 용매, 예컨대 Galden HT60(등록상표) 또는 이들의 혼합물을 사용한 추출에 의해 부산물 및/또는 미전환된 물질을 제거할 수 있다. 이와 같이 얻어진 미정제 생성물은 해당 기술 분야의 당업자에게 공지된 방법, 예컨대 증류법 또는 적합한 이동상과 고정상을 사용한 컬럼 크로마토그래피법으로 정제할 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 기재(substrate)는 해당 기술 분야의 당업자에게 공지된 방법에 의해 얻을 수 있다.
임의의 치환기 R12를 갖지 않고 본 발명에 따른 방법에 사용되는 화학식 I의 화합물은 해당 기술 분야의 당업자에게 공지된 방법에 의해 얻을 수 있다. 이를 위해서, 예를 들면, 제1 단계에서는 DE 25 19 790 A1에 따른, 상업적으로 이용가능한 퍼릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실산의 디언하이드라이드를 염화제, 예를 들면 염소 또는 설퍼릴 클로라이드를 사용하여, 클로로황산, 농축 황산 또는 발연 황산(oleum) 중에서 반응으로 상응하는 염소-치환된 디언하이드라이드로 전환시킨다. 제 2 단계에서는 예를 들면 EP 0 869 959 B1 및 EP 0 873 342 B1에 따른 이러한 염소-치환된 디언하이드라이드를 해당 아민을 사용한 반응에 의해 상응하는 디이미드로 전환시킨다. 이어서 제2 단계는, 필요한 경우, 본 발명에 따른 방법에 사용될 수 있는 치환기를 지니지 않은 일반 화학식 I의 화합물을 얻기 위해서, 치환기 R12를 지니지 않은 일반 화학식 I의 화합물에서 염소를 제외한 치환기에 의한 전부 또는 단지 일부 염소 치환기의 치환을 수행할 수 있다.
치환기 R30을 지니지 않은 일반 화학식 II의 화합물은 통상적으로 이용가능하거나, 해당 기술 분야의 당업자에게 공지된 방법에 의해 이용가능하다.
또한, 본 발명은 하기 일반 화학식 I의 플루오르화 염료 및 이의 혼합물에 관한 것이다:
Figure 112009072293905-PCT00012
상기 식 중,
R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 할로겐 또는 R13-O-이고, 여기서 R13은 페닐, 나프틸 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 하나 이상의 C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 또는 C6-C22-헤테로아릴 라디칼에 임의로 치환될 수 있고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며,
R9, R10은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴, CN, R16-O-, R16-S-, R16R17N-이며, 여기서 R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있고,
R11은 C1-C20-알킬 라디칼, (CH2)oCpF(2p+1)(여기서, o는 0 내지 4이고, p는 1 내지 12임), 또는 페닐, 나프틸 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 아릴이고, C1-C3 탄소 사슬을 통해 결합될 수 있으며, 또는 각각의 경우 일반 화학식 I의 화합물의 2개의 상이한 분자로부터 유래된 2개 R11은, 1개 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화, 분지형 또는 비분지형 탄소 사슬을 함께 형성하고,
R12는 전부 또는 일부 플루오르화된 C4-C12-알킬 라디칼이며,
n은 2 내지 7이다.
바람직한 실시양태의 경우에는 상기 언급된 내용을 참조한다.
또한, 본 발명은 하기 일반 화학식 I의 플루오르화 염료 및 이의 혼합물에 관한 것이다:
Figure 112009072293905-PCT00013
상기 식 중,
R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 또는 할로겐이고, R1 내지 R8 중 하나 이상은 R13-O-이며, 여기서 R13은 하나 이상의 C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 또는 C6-C22-헤테로아릴 라디칼에 의해 임의로 치환ㅇ될 수 있고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며,
R9, R10은 함께 하기 일반 화학식 II의 고리를 형성하고,
Figure 112009072293905-PCT00014
R11, R18은 각각 독립적으로 C1-C20-알킬 라디칼, (CH2)0CpF(2p+1)(여기서, o는 0 내지 4이고, p는 1 내지 12임), 또는 페닐, 나프틸 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 아릴이고, C1-C3 탄소 사슬을 통해 결합될 수 있으며, 또는 각각의 경우 일반 화학식 I의 화합물의 2개의 상이한 분자로부터 유래된 2개 R11 및 R16은, 나머지 R11 및/또는 R18에 상관 없이, 1개 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화, 분지형 또는 비분지형 탄소 사슬을 함께 형성하고,
R12는 전부 또는 일부 플루오르화된 C4-C12-알킬 라디칼이며, 여기서 -CF2- 기는 방향족 상에 직접 존재하고,
n은 2 내지 7이다.
2개의 이미드 작용성을 갖는 일반 화학식 I의 화합물의 바람직한 실시양태에서, R1 및 R4는 각각 할로겐, 예를 들면 염소, 브롬 또는 요오드, 또는 R13-O-이고, 여기서 R13은 페닐 또는 나프틸이며, R5 내지 R8은 바람직하게는 각각 수소이고, R11 및 R18은 바람직하게는 각각 (CH)oCpP(p+1)(여기서, o는 0 또는 1이고, p는 6 내지 9, 보다 바람직하게는 8임) 또는 -(CH2)o-페닐 또는 -(CH2)o-나프틸(여기서, o는 1 또는 2임)이고, R12는 바람직하게는 방향족 상에 직접 존재하는 -CF2- 기를 갖는 전부 또는 일부 플루오르화된 C6-C10-알킬 라디칼, 보다 바람직하게는 -C8F17 라디칼이다. 라디칼은 분지형 또는 선형, 특히 선형일 수 있으며, n은 각각의 경우 존재하는 모든 분자에 걸쳐 평균으로 하여 2 내지 7, 보다 바람직하게는 2 내지 5이다.
또한, 본 발명은 하기 일반 화학식 I의 화합물, 하기 일반 화학식 III의 화합물, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 플루오르화 염료에 관한 것이다:
Figure 112009072293905-PCT00015
상기 식 중,
M, Q는 각각 O 또는 N-R15이고, M과 Q 중 하나는 O이며 나머지 다른 하나는 N-R15이고,
R9, R10은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, CN이고, 여기서 R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며, 또는
함께 하기 일반 화학식 II의 고리를 형성하고,
Figure 112009072293905-PCT00016
여기서, S 및 T는 각각 O 또는 N-R19이고, S와 T 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R19이며;
Figure 112009072293905-PCT00017
상기 식 중,
R12, R30은 각각 독립적으로 전부 또는 일부 플루오르화된 C4-C12-알킬 라디칼이고, 여기서 -CF2- 기는 방향족 상에 직접 존재하며, E, F, G, H, R1 내지 R8, R11, R13 내지 R29, n 및 m은 각각 상기 정의된 바와 같다.
M, Q가 각각 O 또는 N-R16이고, M과 Q 중 하나가 O이고 나머지 다른 하나가 N-R15이며, 필요한 경우, S, T가 각각 O 또는 N-R19이고, S와 T 중 하나가 O이고 나머지 다른 하나가 N-R19인 일반 화학식 I의 화합물은 1개의 -N-C=N- 기 또는 2개의 -N-C=N- 기를 갖는 화합물이다.
바람직한 실시양태에서, 본 발명은 1개의 -N-C=N- 기 또는 2개의 -N-C=N- 기를 갖고, R1 내지 R8이 각각 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, R13-O-, R13-S- 및 R13R14N-로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 R13 및 R14가 C1-C20-알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 또는 C6-C22-헤테로아릴-라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있는 것인 일반 화학식 I의 화합물에 관한 것이다.
이러한 화합물에서, 보다 바람직하게는, R1 내지 R4는 각각 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, R13-O-, R13-S-, 및 R13R14N-로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, R5 내지 R8은 각각 수소이고; 이러한 화합물에서, 보다 바람직하게는, R1 내지 R4는 각각 수소, 불소, 염소, 브롬 또는 요오드, R13-O-, R13-S-이고, 여기서 R13은 C1-C20-알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, 예를 들면 페닐 또는 나프틸 또는 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, R5 내지 R8은 각각 수소이다.
보다 바람직한 실시양태에서, 1개의 -N-C=N- 기 또는 2개의 -N=C-N- 기를 갖는 일반 화학식 I의 화합물에서, R11과 R15 및/또는 R18와 R19는, 각각의 경우 -N-C=N- 부분과 함께, 각각 독립적으로 각각의 경우에 총 4개 내지 8개 고리 원자, 바람직하게는 5개 또는 6개 고리 원자를 갖는 포화 또는 불포화, 지방족 또는 방향족 고리를 형성하고, 4개 내지 8개의 고리 원자를 갖는 하나 이상의 추가 고리는 상기 고리에 결합될 수 있으며, 필요한 경우, C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 메틸, C6-C22-아릴 라디칼, 바람직하게는 페닐, R22-O- 또는 R22-S-로부터 독립적으로 선택된 하나 이상의 치환기에 의해 치환될 수 있고, 여기서 R22는 C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 C1-C6-알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, 예를 들면 페닐 또는 나프틸, 또는 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택된다.
특히 바람직한 실시양태에서, 이러한 화합물에서, 각각의 경우, 5개 내지 8개, 바람직하게는 5개 또는 6개의 고리 원자(이들 중 하나 이상은 N, O, P 및 S로 이루어진 군으로부터 선택된 추가 헤테로원자일 수 있음)를 갖는 1개 내지 4개, 바람직하게는 1개 또는 2개의 추가 지방족 또는 방향족 고리는 각각의 경우에 -N=C-N- 부분을 보유하고 총 5개 또는 6개 원자를 갖는 고리에 결합된다.
R9 및 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M과 Q 중 하나가 N-R15이고 S와 T 중 하나가 N-R19이며, R11와 R15 및 R18과 R19가, 각각의 경우 -N-C=N- 부분과 함께, 상기 언급된 고리를 형성하는 일반 화학식 I의 화합물에서, 이러한 화합물은 시스 배열로 존재하거나 트랜스 배열로 존재한다.
M이 N-R15이고 S가 N-R19인 경우, 화합물은 시스 배열로 존재한다. M이 N-R15이고 T가 N-R19인 경우, 화합물은 트랜스 배열로 존재한다. Q가 N-R15이고 S가 N-R19인 경우, 화합물은 트랜스 배열로 존재한다. Q가 N-R15이고 T가 N-R19인 경우, 화합물은 시스 배열로 존재한다.
매우 특히 바람직한 일반 화학식 I의 화합물은 R9 및 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M과 Q 중 하나가 N-R15이고 S 및 T 중 하나가 N-R19이며, R11와 R15 및 R18과 R19가, 각각의 경우 -N-C=N- 부분과 함께, 상기 언급된 고리를 형성하는 것들이다.
보다 바람직한 실시양태에서, 1개의 -N-C=N- 기 또는 2개의 -N-C=N- 기를 갖는 일반 화학식 I의 화합물에서, R12는 전부 또는 일부 플루오르화된 C6-C10-알킬 라디칼, 보다 바람직하게는 -C8F17 라디칼이다. 라디칼은 분지형 또는 선형일 수 있으며, 바람직하게는 선형일 수 있다. 이들 화합물에서, -CF2- 기는 방향족 상에 직접 존재한다.
다른 바람직한 실시양태에서, 본 발명은 하기 일반 화학식 Ib의 플루오르화 염료 및 이의 혼합물에 관한 것이다:
Figure 112009072293905-PCT00018
상기 식 중,
R1 내지 R8은 수소, R13-S- 또는 R13-O-이고, 여기서 R1 내지 R8 중 4개는 수소이고, R1 내지 R8 중 나머지 4개는 R13-O-이고, 여기서 R13은 페닐, 나프틸 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 하나 이상의 C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 또는 C6-C22-헤테로아릴 라디칼에 의해 임의로 치환될 수 있고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며,
R9, R10은 하기 일반 화학식 II의 고리를 형성하고,
Figure 112009072293905-PCT00019
R11, R18은 각각 독립적으로 C1-C20-알킬 라디칼, (CH2)oCF(2p+1)(여기서, o은 0 내지 4이고, p는 1 내지 12임), 또는 페닐, 나프틸 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 아릴이고, C1-C3 탄소 사슬을 통해 결합될 수 있으며, 또는 각각의 경우 일반 화학식 I의 화합물의 2개의 상이한 분자로부터 유래된 2개의 R11 및 R18은, 나머지 R11 및/또는 R18에 상관 없이, 1개 내지 18개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화, 분지형 또는 비분지형 탄소 사슬을 함께 형성하고,
R12는 분지형 또는 비분지형 -CH2CH2C4F9 내지 -CH2CH2C10F21 또는 -S-CH2CH2C4F9 내지 -S-CH2CH2C10F21 라디칼이며,
n은 3 내지 9이다.
일반 화학식 Ib의 화합물은 일반 화학식 Ib에서 R12가 CH2CH2- 또는 -S-CH2CH2-사슬을 통해 방향족에 결합되어 있고, 반면에 2개의 이미드 작용기를 갖거나 1개의 -N=C-N- 기 또는 2개의 -N=C-N- 기를 갖는 일반 화학식 I의 상응하는 화합물에서 R12가 -CF2- 기를 통해 방향족에 결합되어 있다는 점에서 2개의 이미드 작용기를 갖거나 1개의 -N=C-N- 기 또는 2개의 -N=C-N- 기를 갖는 일반 화학식 I의 상응하는 화합물과는 상이하다.
일반 화학식 Ib의 화합물의 바람직한 실시양태에서, 관련 R1 내지 R8, R11, R18 및 n은 2개의 이미드 작용기를 갖는 화학식의 화합물에 대하여 설명된 바와 같이 동일하다. 매우 바람직한 R12는 -CH2CH2C4F9, -CH2CH2C6F13, -CH2CH2C8F17, -S-CH2CH2C4F9, -S-CH2CH2C6F13 및 -S-CH2CH2C8F17이다.
일반 화학식 Ib의 매우 바람직한 화합물은 하기 화학식 XV, XVI, XVII, XVIII 및 XIX의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure 112009072293905-PCT00020
Figure 112009072293905-PCT00021
Figure 112009072293905-PCT00022
일반 화학식 III의 화합물 및 바람직한 실시양태에 관해서는 그 제조 방법에 관하여 설명된 바와 같이 동일하게 적용된다.
또한, 본 발명은, 바람직하게는 본 발명의 방법에 따라 제조가능한, M, Q, E, F, G, H, R1 내지 R34, m 및 n의 상기 전술한 정의를 갖는 일반 화학식 I의 화합물, 일반 화학식 III의 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 플루오르화 염료에 관한 것이다.
본 발명의 방법에 의해 제조된 일반 화학식 I의 화합물 및 일반 화학식 II의 화합물은, 전기영동 디스플레이에서 사용하는 경우, 종래 기술의 방법에 제조된 화합물과 비교할 때 매우 크게 개선된 성능에 주목할 만하다. 예를 들면, 본 발명에 따라 제조된 모든 화합물은 보다 높은 ME 값을 나타내고, 여기서 ME는 질량 소광을 나타낸다. 이것은 종래 기술의 방법에 의해 제조된 상응하는 화합물에서보다 더 많은 수의 퍼플루오르화 치환기(일반 화학식 I 및 일반 화학식 III에서 R12 및 R30)를 지닌 화합물의 경우에 더 낮다. 본 발명의 방법에 따라 제조된 화합물은 일반적으로 종래 기술의 방법에 의해 제조된 화합물보다 더 적은 퍼플루오르화된 치환기를 갖는다. 이는 본 발명의 방법에 따라 제조된 화합물의 보다 높은 ME 값의 결과를 갖는다. 또한, 40 V에서, 본 발명의 방법에 따라 제조된 화합물의 OCR 값은 종래 기술의 화합물의 OCR 값보다 유의적으로 높다. 이러한 결과는 화합물의 제조 방법이 분자 구조 및 이에 따른 화합물의 특성에 결정적인 영향을 미친다는 것을 보여준다.
또한, 본 발명은 M, Q, E, F, G, H, R1 내지 R34, m 및 n의 상기 언급된 정의를 갖는 일반 화학식 I의 화합물, 일반 화학식 III의 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 플루오르화 염료의, 전기영동 디스플레이에서의 용도에 관한 것이다.
본 발명의 화합물은 예를 들면 플루오르화 용매, 예컨대 퍼플루오로알칸 또는 퍼플루오로사이클로알칸, 예를 들면 퍼플루오로데칼린, 퍼플루오로아릴알칸, 예를 들면 퍼플루오로톨루엔 또는 퍼플루오로크실렌, 퍼플루오로-tert-아민, 퍼플루오로폴리에테르, 예를 들면 Solvay Solexis으로부터 구입된 것들 및 퍼플루오로폴리에테르(HT Series(등록상표)) 및 하이드로플루오로폴리에테르(ZT Series(등록상표))(Solvay Solexis 제품), FC-43(등록상표)(헵타코사플루오로트리부틸아민), FC-70(등록상표)(퍼플루오로트리-n-펜틸아민), PF-5060(등록상표) 또는 PF5060DL(등록상표)(퍼플루오로헥산)(3M(등록상표) 제품), HFE Novec(등록상표) 용매(3M(등록상표)(플루오르화 알킬에테르), 예를 들면 HFE 7100 및 HFE 7200, 저분자량, 바람직하게는 50,000 이하, 보다 바람직하게는 20,000 이하의 중합체 또는 올리고머, 예를 들면 폴리(퍼플루오로프로필렌 옥사이드)(TCI America 제품), 폴리(클로로트리플우로로에틸렌), 예컨대 할로카본 오일(Halocarbon Product Corp. 제품), 및 Demnum 윤활유(Daikin Industries 제품) 중에 매우 용이하게 용해 가능하다. 퍼플루오로폴리에테르, 예컨대 하이드로플루오로폴리에테르, 예컨대 HT-170(등록상표), HT-200(등록상표), HT-230(등록상표), ZT-180(등록상표)(Solvay Solex) 및 트리플루오로(트리플루오로메틸)옥시란 단독중합체,예컨대 K6(등록상표) 및 K7 리퀴드(Dupont 제품)이 특히 바람직하다.
1. 테트라클로로퍼릴렌디이미드(Cl4-PDI)의 제조
Figure 112009072293905-PCT00023
기계적 교반기 및 250 mL 적하 깔대기를 구비한 4-L 3목 둥근 바닥 플라스크 에, 테트라클로로퍼릴렌 디언하이드라이드 80 g을 크실렌 1 L 중에 용해시켰다. 이 혼합물을 탈기시키고, 질소로 3회 퍼지화하였다. 1H, 1H, 2H, 2H-퍼플루오로데실아민 145.5 g과 크실렌 50 mL의 혼합물을 110℃에서 상기 크실렌 용액에 15 분 이내로 250 mL 적하 깔대기를 통해 첨가하였다. 이 반응 혼합물을 110℃에서 14 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 40℃로 냉각시킨 후, 여과지를 통해 여과시켰다. 형성된 고체를 크실렌 1 L와 에탄올 2 L로 세척하였다. 잔류물을 75℃로 진공 오븐에서 건조시키고, 미량의 크실렌을 함유한 Cl4-PDY 210 g을 얻었다.
Maldi-MS (m/z): 1417.8
1H-NMR(C2D2Cl2): 8.87(4H, s), 4.58(4H, m), 2.62(4H, m)
2. 테트라페녹시퍼릴렌디아미드(TP-PDI)의 제조
Figure 112009072293905-PCT00024
기계적 교반기 및 250 mL 적하 깔대기를 구비한 3L 3목 둥근 바닥 플라스크 에, Cl4-PDI 120 g, 페놀 63 g 및 탄산칼륨 69 g을 NMP 2.4 L 중에 용해시켰다. 이 혼합물을 탈기시키고, 질소로 3회 퍼지화하였다. 반응 혼합물을 105℃에서 14 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 50℃로 냉각시켰다. 이 반응 혼합물을 10 L 용기 중의 농축 황산 54 g과 물 5 L의 혼합물 중에 부어 넣었고, 이 형성된 현탁액을 실온에서 30 분 동안 교반하였다. 침전물을 여과하고, 온수 1.5 L로 4회 세척하였다. 고체를 에탄올 1L로 세척하고, 이 고체를 에탄올 1 L에 첨가하고, 40℃에서 1 시간 동안 교반하였다. 혼합물을 여과하였다. 이 단계는 2회 반복하였다. 잔류물을 75℃로 진공 오븐에서 건조시키고, 적색 고체 115 g을 얻었다. 건조된 고체를 메틸렌 클로라이드 15 L에 용해시키고, 이 용액을 초음파 베스에서 30 분 동안 처리하였다. 용액을 실리카 겔 3 L를 포함하는 컬럼 상에 부어 넣고, 그 컬럼을 메틸렌 클로라이드로 세척하여 화합물 TP-PDI를 얻었다. 용매를 감압 하에 제거하고, 잔류물을 75℃로 진공 오븐에서 건조시켜 순수 생성물 84 g을 얻었다.
Maldi-MS (m/z): 1650.1
1H-NMR(C2D2Cl2): 8.18(4H, s), 7.35(8H, m), 7.19(4H, m), 6.98(8H, m), 4.42(4H, m), 2.56(4H, m)
3. 퍼플루오로알킬화 테트라페녹시퍼필렌디이미드(PF-TP-PDE, 본 발명)의 제조
Figure 112009072293905-PCT00025
이 공정 단계에서는 BASF 표준 300 mL HC4 고압 반응기를 사용하였다. 이것은 아래로 아르곤 및 질소에 대하여 금속 접속부를 가지며, 가열 박스 내에 위치하고 자석 교반기를 구비하였다.
이 고압 반응기에 TP-PDI 30 g과 퍼플루오로옥틸 요오다이드 102 g(약 50 mL)을 충전하였다. 반응기를 진공 처리하고, 아르곤으로 5회 퍼지화하였다. 반응기를 아르곤으로 6 bar의 압력에 도달하게 하였다. 반응 혼합물을 45 내지 60 분 이내에 250℃로 가열하고, 250℃에서 4 시간 동안 자석 교반기로 교반하였다. 반응기를 실온으로 냉각시키고, 진공 처리하며, 질소 20 bar로 5회 퍼지화하였다. 반응기를 개방하고, 고점도를 지닌 액체를 얻었다. 이 고점도 액체를 1 L 플라스크에 도입하고, 반응기를 아세톤 30 mL과 HT 60으로 각각 5회 세척하였다. 상들을 2 L 분별 깔대기에서 서로 분리시키고, HT 60 상을 분별 깔대기에서 아세톤 100 mL로 2회 세척하였다. 수집된 HT 60 상을 500 mL 플라스크 내로 도입하였다. 용매를 감압 하에 제거하고, 적색 고체를 59 g을 얻었다. 이 고체를 MTB 에테르 3.5 L 중에 용해시키고, 형성된 용액을 동등한 부피의 3 부분으로 분할하였다. 1 부분을 실리카 겔 1.2 L 상에 도입하고, 화합물은 MTB 에테르를 사용하여 컬럼으로부터 세척하였다. 또한, 2개의 다른 부분에 대해서도 컬럼 크로마토그래피를 수행하였다. 이들 3개 부분의 여과물을 수집하여 조합하였다. MTB 에테르를 감압 하에 제거하고, 잔류물을 75℃로 감압 하에 건조시켰다. PF-TP-PDI 생성물 38 g을 얻었다.
Maldi-MS (m/z): 2094, 3322, 3740
하기 표 1에는 증가된 압력 하에 제조한 화합물의 특징, 및 DMSO 중의 Cu2O을 사용하여 제조한 상응하는 화합물의 특징이 제시되어 있다. 표 1에서, n은 음이온성 MALD-MS-스펙트럼으로부터 얻어지는, 실시예에서 C8F17-기인, 화합물 내에 존재하는 R12 기의 갯수이다. ME는 g/(kg*cm)의 질량 소광(mass extinction)을 나타내고, OCR은 광학 명암비의 절대값인 "광학 명암비"이며, T는 화합물의 제조 동안 반응 온도이다.
[표 1]
Figure 112009072293905-PCT00026
Figure 112009072293905-PCT00027
Figure 112009072293905-PCT00028
상기 12번의 경우에는 MS 스펙트럼을 얻을 수 없었고, n을 원소 분석으로부터 계산하였다.
4. 화합물 XV 내지 XIX의 합성
화합물 XV:
NNP(10 mL) 중의 Cl4-PDI(0.31 g, 0.22 mmol) 및 4-(1H, 1H, 2H, 2H-퍼플루오로데실-1-티오)페놀(1.0 g, 1.7 mmol)의 용액에 K2CO3(0.18 g, 1.3 mmol)을 첨가하였다. 이 혼합물을 110℃로 5 시간 동안 가열하였다. 실온으로 냉각한 후, 혼합물을 H2O 중의 AcOH의 용액(10%, 20 mL)에 첨가하였다. 여과하고, 고온 H2O 및 소량 EtOH로 세척하여 미정제 생성물을 얻었다. 건조된 미정제 생성물을 Soxhlet-추출기에서 PFS-2로 추출하여 순수 화합물 XV(0.63 g, 81%)을 산출하였다.
Maldi-MS (m/z): 3562
일반 절차 A:
이 절차는 불활성 대기 하에 그리고 건조 유리 장치에서 수행하였다. 무수 디옥산(0.3 M) 중의 9-BBN 이량체(9-보라바이사이클로[3.3.1]노난 이량체, 1.5 당량)의 혼합물에 1-(에톡시)노나플루오르부탄(HFE-7200, 0.5 M) 중의 Rf-CH=CH2(1 당량)의 용액에 실온에서 첨가하였다. 80℃에서 6 시간 동안 교반한 후, 혼합물을 실온으로 냉각하고, NaOH 용액(3M, 1.4 당량)을 첨가하였다. 혼합물을 30 분 동안 교반하고, 이후 상응하는 요오도페놀(0.45 당량, 9-BBN 단위 당 1) 및 Pd(dppf)CH2Cl2(4몰%)를 첨가하였다. 48 시간 후, 반응을 중지하였다. 컬럼 크로마토그래피로 처리하여 상응하는 생성물 A-D를 생성하였다:
Figure 112009072293905-PCT00029
수율: 78%
1H-NMR(CD2Cl2): δ(ppm) = 2.4(m, 2H), 2.8(m, 2H), 4.8(br, 1H), 6.7(quasi s, 2H), 6.8(d, 1H), 7.2(t, 1H).
Figure 112009072293905-PCT00030
수율: 25%
1H-NMR(CD2Cl2): δ(ppm) = 2.4(m, 2H), 2.8(m, 2H), 5.0(br, 1H), 6.8(d, 2H), 7.1(d, 2H).
Figure 112009072293905-PCT00031
수율: 62%
1H-NMR(CD2Cl2): δ(ppm) = 2.4(m, 4H), 2.8(m, 4H), 5.1(br, 1H), 7.0(s, 1H), 7.1(s, 1H).
EI-MS(m/z): 786
Figure 112009072293905-PCT00032
수율: 15%
1H-NMR(CD2Cl2): δ(ppm) = 2.4(m, 4H), 2.8(m, 4H), 5.0(br, 1H), 7.0(s, 2H), 7.1(s, 1H).
EI-MS(m/z): 587
일반 절차 B:
NMP(0.012M) 중의 Cl4-PDI(1 당량)과 상응하는 화합물 A-D(8 당량)의 용액에 K2CO3(6 당량)을 첨가하였다. 이 혼합물을 110℃로 18-24 시간 동안 가열하였다. 여과하고, 고온 H2O와 소량 EtOH로 세척하여 미정제 생성물을 생성하였다. 컬럼 크로마토그래피(SiO2, HFE7200/톨루엔 7:3)로 처리하여 상응하는 순수 화합물 XVI-XIX를 생성하였다.
화합물 XVI:
수율: 10%
Maldi-MS(m/z): 3434
화합물 XV:
수율: 10%
Maldi-MS(m/z): 3434
화합물 XVIII:
수율: 10%
Maldi-MS(m/z): 4418
화합물 XIX:
수율: 20%
Maldi-MS(m/z): 3618

Claims (10)

  1. 하기 일반 화학식 I의 화합물, 하기 일반 화학식 III의 화합물 및 하기 일반 화학식 I의 화합물과 하기 일반 화학식 III의 화합물의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 플루오르화 염료의 제조 방법으로서,
    R12 또는 R30을 갖지 않은 상응하는 화합물을 A가 I 및 Br로 이루어진 군으로부터 선택되고 R12 및 R30가 각각 하기 정의된 바와 같은 일반 화학식 R12A 또는 R30A의 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는 제조 방법:
    Figure 112009072293905-PCT00033
    상기 식 중,
    R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, CN, R13-O-, R13-S-, R13R14N-로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 여기서 R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라 디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며,
    M 및 Q는 각각 O이거나, 또는 M과 Q 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R15이고,
    R9, R10은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, CN이며, 여기서 R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있고, 또는
    함께 하기 일반 화학식 II의 고리를 형성하며,
    Figure 112009072293905-PCT00034
    여기서, S 및 T는 각각 O이거나, 또는 S와 T 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R19이며,
    R12는 전부 또는 일부 플루오르화된 C4-C12-알킬 라디칼이고,
    n은 1 내지 12이고,
    R9와 R10이 각각 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, CN, R16-O-, R16-S-, R16R17N-이고, 여기서 R16 및 R17이 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 및 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼이 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼이 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있는 경우, M 및 Q는 각각 O이고, R11은 수소, 할로겐, 임의로 일부 또는 전부 플루오르화된 C1-C20-알킬 라디칼, C1-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 및 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 브릿지를 통해 질소에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며, 알킬 또는 헤테로알킬 라디칼은 작용기를 가질 수 있고, 또는
    R9와 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T가 각각 O인 경우, R11 및 R18은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 임의로 일부 또는 전부 플루오르화된 C1-C20-알킬 라디칼, C1-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 및 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 질소에 임의로 결합되고, 알킬 및 헤테로알킬 라디칼은 작용기를 가질 수 있으며, 또는
    R9와 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T가 각각 O인 경우, R11 및 R18 각각은, 나머지 R11 및/또는 R18에 관계 없이, 일반 화학식 I의 화합물의 2개 분자 사이에 1개 내지 18개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화, 분지형 또는 비분지형 탄소 브릿지를 함께 형성하고, 또는
    R9와 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T 중 하나 이상이 N-R15 또는 N-R19인 경우, R11, R15, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C1-C20-알킬 라디칼, C1-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 및 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 질소에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루 오르화될 수 있으며, 또는
    R9와 R10이 일반 화학식 II의 고리를 형성하고, M, Q, S 및 T 중 하나 이상이 N-R15 또는 N-R19인 경우, R11과 R15 및/또는 R18과 R19는, 각각의 경우 -N-C=N- 부분과 함께, 각각 독립적으로 각각의 경우에 총 4개 내지 20개 고리 원자를 갖는 포화 또는 불포화 고리를 형성하고, 하나 이상의 추가 고리 원자는 N, O, P 또는 S로부터 선택된 헤테로원자일 수 있고;
    Figure 112009072293905-PCT00035
    상기 식 중,
    R24 내지 R27은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, R31-O-, R31-S-, R31R32N-로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 R31 및 R32는 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 방향족에 임의로 결합되며, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아 릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있고,
    E, F는 각각 O이거나, 또는 E와 F 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R33이며,
    G, H는 각각 O이거나, 또는 G와 H 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R34이고,
    R28, R29, R33 및 R34는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C1-C20-알킬 라디칼, C1-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 및 C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 질소에 임의로 결합되며, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있고, 또는
    R28과 R33 및/또는 R29와 R34는, 각각의 경우 -N-C=N- 부분과 함께, 각각 독립적으로 각각의 경우에 총 4개 내지 20개 고리 원자를 갖는 포화 또는 불포화 고리를 형성하며, 하나 이상의 추가 고리 원자는 N, O, P 또는 S로부터 선택된 헤테로원자일 수 있으며, 또는
    R30은 전부 또는 일부 플루오르화된 C4-C12-알킬 라디칼이고,
    m은 2 내지 16이다.
  2. 제1항에 있어서, 용매 중의 Cu2O의 존재 하에 그리고 대기압 하에 수행하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 용매의 부재 하에, 금속 화합물의 부재 하에 그리고 증가된 압력 하에 수행하는 방법.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 150℃ 내지 320℃의 온도에서 수행하는 방법.
  5. 제1항의 방법에 의해 제조가능한, 제1항에 정의된 E, F, G, H, M, Q, S, T, R1 내지 R34, m, 및 n의 정의를 지닌 일반 화학식 I의 화합물, 일반 화학식 III의 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 플루오르화 염료.
  6. 하기 일반 화학식 I의 플루오르화 염료 및 이의 혼합물:
    Figure 112009072293905-PCT00036
    상기 식 중,
    R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 할로겐 또는 R13-O-이고, 여기서 R13은 페닐, 나프틸 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 하나 이상의 C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 또는 C6-C22-헤테로아릴 라디칼에 의해 임의로 치환될 수 있고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며,
    R9, R10은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴, CN, R16-O-, R16-S-, R16R17N-이며, 여기서 R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있고,
    R11은 C1-C20-알킬 라디칼, (CH2)oCpF(2p+1)(여기서, o는 0 내지 4이고, p는 1 내지 12임), 또는 페닐, 나프틸 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 아릴이고, C1-C3 탄소 사슬을 통해 결합될 수 있으며, 또는 각각의 경우 일반 화학식 I의 화합물의 2개의 상이한 분자로부터 유래된 2개 R11은 1개 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화, 분지형 또는 비분지형 탄소 사슬을 함께 형성하고,
    R12는 전부 또는 일부 플루오르화된 C4-C12-알킬 라디칼이며,
    n은 2 내지 7이다.
  7. 하기 일반 화학식 I의 플루오르화 염료 및 이의 혼합물:
    Figure 112009072293905-PCT00037
    상기 식 중,
    R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 또는 할로겐이고, R1 내지 R8 중 하나 이상은 R13-O-이고, 여기서 R13은 페닐, 나프틸 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 하나 이상의 C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아 릴 라디칼 또는 C6-C22-헤테로아릴 라디칼에 의해 임의로 치환될 수 있고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되며, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있고,
    R9, R10은 함께 하기 일반 화학식 II의 고리를 형성하며,
    Figure 112009072293905-PCT00038
    R11, R18은 각각 독립적으로 C1-C20-알킬 라디칼, (CH2)oCpF(2p+1)(여기서, o는 0 내지 4이고, p는 1 내지 12임), 또는 페닐, 나프틸 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 아릴이고, C1-C3 탄소 사슬을 통해 결합될 수 있으며, 또는 각각의 경우 일반 화학식 I의 화합물의 2개의 상이한 분자로부터 유래된 2개 R11 및 R18은, 나머지 R11 및/또는 R18에 상관 없이, 1개 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화, 분지형 또는 비분지형 탄소 사슬을 함께 형성하고,
    R12는 전부 또는 일부 플루오르화된 C4-C12-알킬 라디칼이며, 여기서 -CF2- 기는 방향족 상에 직접 존재하고,
    n은 2 내지 7이다.
  8. 하기 일반 화학식 I의 화합물, 하기 일반 화학식 III의 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 플루오르화 염료:
    Figure 112009072293905-PCT00039
    상기 식 중,
    M, Q는 각각 O 또는 N-R15이고, M과 Q 중 하나는 O이며 나머지 다른 하나는 N-R15이고,
    R9, R10은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼, CN이고, 여기서 R16 및 R17은 각각 독립적으로 수소, C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼, C6-C22-헤테로아릴 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 도는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며, 또는
    함께 하기 일반 화학식 II의 고리를 형성하고,
    Figure 112009072293905-PCT00040
    여기서, S 및 T는 각각 O 또는 N-R19이고, S와 T 중 하나는 O이고 나머지 다른 하나는 N-R19이며;
    Figure 112009072293905-PCT00041
    상기 식 중,
    R12, R30은 각각 독립적으로 전부 또는 일부 플루오르화된 C4-C12-알킬 라디칼이고, 여기서 -CF2- 기는 방향족 상에 직접 존재하며, E, F, G, H, R1 내지 R8, R11, R13 내지 R29, n 및 m은 각각 제1항에 정의된 바와 같다.
  9. 하기 일반 화학식 Ib의 플루오르화 염료 및 이의 혼합물:
    Figure 112009072293905-PCT00042
    상기 식 중,
    R1 내지 R8은 수소, R13-S- 또는 R13-O-이고, R1 내지 R8 중 4개는 수소이며, R1 내지 R8 중 나머지 4개는 R13-O-이고, 여기서 R13은 페닐, 나프틸 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 하나 이상의 C1-C20-알킬 라디칼, C2-C20-헤테로알킬 라디칼, C6-C22-아릴 라디칼 또는 C6-C22-헤테로아릴 라디칼에 의해 임의로 치환될 수 있고, 아릴 및 헤테로아릴 라디칼은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 탄소 브릿지를 통해 기본 구조에 임의로 결합되고, 알킬-, 헤테로알킬-, 아릴- 및 헤테로아릴-라디칼은 일부 또는 전부 플루오르화될 수 있으며,
    R9, R10은 하기 일반 화학식 II의 고리를 형성하고,
    Figure 112009072293905-PCT00043
    R11, R18은 각각 독립적으로 C1-C20-알킬 라디칼, (CH2)oCF(2p+1)(여기서, o은 0 내지 4이고, p는 1 내지 12임), 또는 페닐, 나프틸 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 아릴이고, C1-C3 탄소 사슬을 통해 결합될 수 있으며, 또는 각각의 경우에 일반 화학식 I의 화합물의 2개의 상이한 분자로부터 유래된 2개 R11 및 R18은, 나머지 R11 및/또는 R18에 상관 없이, 1개 내지 18개 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화, 분지형 또는 비분지형 탄소 사슬을 함께 형성하고,
    R12는 분지형 또는 비분지형 -CH2CH2C4F9 내지 -CH2CH2C10F21 또는 -S-CH2CH2C4F9 내지 -S-CH2CH2C10F21 라디칼이며,
    n은 3 내지 9이다.
  10. 전기영동 디스플레이에서 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 플루오르화 염료의 용도.
KR1020097024515A 2007-04-24 2008-04-16 플루오르화 염료 및 전기영동 디스플레이 장치에서의 그 용도 KR20100017341A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07106784.7 2007-04-24
EP07106784 2007-04-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100017341A true KR20100017341A (ko) 2010-02-16

Family

ID=39722489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097024515A KR20100017341A (ko) 2007-04-24 2008-04-16 플루오르화 염료 및 전기영동 디스플레이 장치에서의 그 용도

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8119802B2 (ko)
EP (1) EP2150585A2 (ko)
JP (1) JP2010525122A (ko)
KR (1) KR20100017341A (ko)
CN (1) CN101730723A (ko)
WO (1) WO2008128934A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200030239A (ko) * 2018-09-12 2020-03-20 동우 화인켐 주식회사 자발광 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 색변환층을 포함하는 컬러필터 및 화상표시장치

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101688114B (zh) 2007-07-05 2014-07-16 巴斯夫欧洲公司 包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩s-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩s，s-二氧化物的二甲硅烷基化合物的有机发光二极管
EP2246350A1 (de) 2009-04-15 2010-11-03 LANXESS Deutschland GmbH Fluor-substituierte Perylene für Farbfilter in LCD
EP2704683B1 (en) 2011-05-06 2017-10-18 Basf Se Chromophores with perfluoroalkyl substituents
JP5468056B2 (ja) 2011-12-15 2014-04-09 富士フイルム株式会社 電気泳動組成物、マイクロカプセル、及び、電気泳動表示素子
US8993713B1 (en) * 2012-05-16 2015-03-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Solution processable n-type ladder polymer for hetero-junction devices
US9343686B2 (en) * 2012-07-09 2016-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Compound, solar cell module, and solar power generation device
US8816081B2 (en) 2012-08-06 2014-08-26 Basf Se Boron containing perylene monoimides, a process for their production, their use as building blocks for the production of perylene monoimide derivatives, monoimide derivatives and their use in dye-sensitized solar cells
AU2013301239A1 (en) * 2012-08-06 2015-02-05 Basf Se Boron containing perylene monoimides, process for their production, their use as building blocks for production of perylene monoimide derivatives, monoimide derivatives and their use in dye-sensitized solar cells
WO2014132929A1 (ja) * 2013-02-27 2014-09-04 シャープ株式会社 化合物、太陽電池モジュール及び太陽光発電装置
CN105143153A (zh) * 2013-03-18 2015-12-09 巴斯夫欧洲公司 苝单酰亚胺和萘单酰亚胺衍生物及其在染料敏化太阳能电池中的用途
US10324353B2 (en) 2013-10-22 2019-06-18 Vlyte Innovations Limited Wide operating temperature range electrophoretic device
JP6399601B2 (ja) * 2015-03-20 2018-10-03 国立大学法人山口大学 パーフルオロアルキル基を有するホスファゼン化合物
US10254622B2 (en) 2017-02-15 2019-04-09 E Ink California, Llc Polymer additives used in color electrophoretic display medium
US9995987B1 (en) 2017-03-20 2018-06-12 E Ink Corporation Composite particles and method for making the same
US10809590B2 (en) 2017-06-16 2020-10-20 E Ink Corporation Variable transmission electrophoretic devices
JP6959361B2 (ja) 2017-06-16 2021-11-02 イー インク コーポレイション ゼラチン結合剤中にカプセルに包まれた顔料を含む電気光学媒体
JP7001217B2 (ja) 2017-12-22 2022-01-19 イー インク コーポレイション 電気泳動表示装置、および電子機器
KR20240015750A (ko) 2019-02-25 2024-02-05 이 잉크 코포레이션 복합 전기영동 입자들 및 복합 전기영동 입자들을 함유하는 가변 투과 필름들
GB201914105D0 (en) 2019-09-30 2019-11-13 Vlyte Innovations Ltd A see-through electrophoretic device having a visible grid
CN115260197B (zh) * 2022-07-14 2024-03-12 深圳市国华光电研究院 一种稠环化合物及其制备方法和应用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3281426A (en) 1961-05-01 1966-10-25 Minnesota Mining & Mfg Perfluoroalkylated phthalic anhydride, copper phthalocyanine and their preparation
DE19547210A1 (de) 1995-12-18 1997-06-19 Basf Ag 1,7-Disubstituierte Perylen-3,4,9-10-tetracarbonsäuren, deren Dianhydride und Diimide
DE19547209A1 (de) 1995-12-18 1997-06-19 Basf Ag 1,7-Diaroxy-oder -arylthiosubstituierte Perylen-3,4,9,10-tetracarbonsäuren, deren Dianhydride und Diimide
US7390901B2 (en) * 2003-08-08 2008-06-24 Sipix Imaging, Inc. Fluorinated dyes or colorants and their uses
JP4498123B2 (ja) * 2003-12-26 2010-07-07 キヤノン株式会社 電子写真装置
JP4583821B2 (ja) * 2004-06-28 2010-11-17 新日鐵化学株式会社 液状エポキシ樹脂組成物
US7973320B2 (en) * 2004-08-30 2011-07-05 Kyoto University Organic semiconductor light-emitting device and display using same
JP2007192903A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
JP2007199400A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Kyocera Mita Corp 電子写真感光体
US8350035B2 (en) * 2006-02-17 2013-01-08 Basf Aktiengesellschaft Fluorinated rylenetetracarboxylic acid derivatives and use thereof
CN101139351A (zh) * 2007-09-03 2008-03-12 大连理工大学 全氟烷基取代的苝双二亚胺及其衍生物和制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200030239A (ko) * 2018-09-12 2020-03-20 동우 화인켐 주식회사 자발광 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 색변환층을 포함하는 컬러필터 및 화상표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN101730723A (zh) 2010-06-09
JP2010525122A (ja) 2010-07-22
EP2150585A2 (en) 2010-02-10
WO2008128934A3 (en) 2008-12-18
WO2008128934A2 (en) 2008-10-30
US20080269485A1 (en) 2008-10-30
US8119802B2 (en) 2012-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20100017341A (ko) 플루오르화 염료 및 전기영동 디스플레이 장치에서의 그 용도
US7473782B2 (en) Fluorinated dyes or colorants and their uses
US4667036A (en) Concentration of light over a particular area, and novel perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid diimides
KR101867399B1 (ko) 페릴렌계 화합물, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 형광 염료
EP2527324A1 (en) Cyanate ester compound and cured product thereof
Ozser et al. Novel derivatives of regioisomerically pure 1, 7-disubstituted perylene diimide dyes bearing phenoxy and pyrrolidinyl substituents: Synthesis, photophysical, thermal, and structural properties
EP1741756A1 (en) Tetraazaporphyrin compound
CA2159910A1 (en) Perfluorocyclobutane ring-containing polyimides
Hsiao et al. Synthesis and characterization of novel electrochromic poly (amide-imide) s with N, N′-di (4-methoxyphenyl)-N, N′-diphenyl-p-phenylenediamine units
CN108137933B (zh) 夹氧杂蒽化合物、及包含该夹氧杂蒽化合物的着色剂
US20070255075A1 (en) Aromatic Diamine And Method For Manufacturing Same
JPH0761969A (ja) 高純度ポリマレイミドの製造方法
EP0302195B1 (en) Process for the preparation of naphthacenes
KR20050103970A (ko) 단관능화된 페릴렌테트라카르복실산 비스이미드
CN1856547A (zh) 氟化染料或着色剂以及它们的应用
JP2015155385A (ja) フルオレン骨格を有するテトラカルボン酸二無水物、ポリアミック酸、及びポリイミド。
JP2015040176A (ja) ビス−ボロンジピロメテン系色素
US3720678A (en) Process for the manufacture of flavanthrones
KR102605281B1 (ko) 아미드 오량체 및 이의 제조 방법
JP3760845B2 (ja) スルホアルコキシ基を持つポリアリーレンエーテルスルホン及びその製造方法
JP3575704B2 (ja) ジオキサジン化合物の製造法
JP7023921B2 (ja) キサンテン系染料を含有する着色組成物、カラーフィルター用着色剤およびカラーフィルター
Dobeneck Perylene-Dye-Puzzle–Synthesis and Characterization of Perylene Chromophores with Longitudinally Extended π-System
CN118146263A (zh) 二腈基乙烯和三苯基膦封端的醌式化合物及其制备方法和应用
EP0372935A2 (en) Diimidodicarboxylic acids and process for the productionn thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application