KR20090125810A

KR20090125810A - 수지 조성물, 프리프레그, 적층판, 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치

Info

Publication number: KR20090125810A
Application number: KR1020097020849A
Authority: KR
Inventors: 다다스케 엔도
Original assignee: 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2007-04-10
Filing date: 2008-04-07
Publication date: 2009-12-07
Also published as: WO2008126825A1; MY148660A; CN101652425B; KR101173729B1; JPWO2008126825A1; US8294268B2; JP5293598B2; TW200914527A; TWI449744B; US20100044090A1; CN101652425A

Abstract

보존성이 저하되는 일이 없는 수지 조성물, 이 수지 조성물을 이용한 얼룩없이 착색된 프리프레그 및 적층판, 그리고 열충격 시험 등의 신뢰성 시험에서 우수한 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치가 제공된다. 그러한 수지 조성물은 (A) 노볼락형 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재, (D) 착색제를 포함하는 다층 프린트 배선판용 수지 조성물로서, 상기 수지 조성물의 DSC 측정에 의한 발열 피크 온도가 (A) 노볼락형 에폭시 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재로 이루어진 수지 조성물의 발열 피크 온도의 ± 5℃ 이내인 것을 특징으로 한다.

Description

수지 조성물, 프리프레그, 적층판, 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치{RESIN COMPOSITION, PREPREG, LAMINATED BOARD, MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 수지 조성물, 프리프레그, 적층판, 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치에 관한 것이다. 본원은 2007년 4월 10일에 일본에 출원된 특허출원 2007-103132호에 기초하여 우선권을 주장하고 그 내용을 여기에 원용한다.

최근 반도체 탑재용 패키지 등의 용도에 이용되는 다층 프린트 배선판은 흑색을 기조로 하는 것이 주류가 되고 있다. 다층 프린트 배선판을 흑색으로 하는 방법의 하나로, 다층 프린트 배선판을 구성하는 열경화성 수지 등의 수지 조성물에 카본 블랙, 스플릿 블랙 등의 카본계 안료, 아조계 금속 착염 흑색 염료, 또는 유기 흑색 염료 등의 착색제를 배합하는 방법이 알려져 있다.

그러나, 일반적으로 착색제를 함유한 수지 조성물은 보존성이 저하하여 프리프레그를 제조할 수 없는 경우나, 또는 프레프레그 제조시의 경화 반응을 저해하여 제작 후의 프리프레그를 이용하여 다층 프린트 배선판을 제조했을 경우, 절연성 신뢰성이나 내땜납 내열성이 저하한다고 하는 문제가 있었다.

또, 외관에 얼룩이 없는 흑색의 다층 프린트 배선판을 제조하기 위해서 수지 조성물 중에 포함되는 착색제의 함유량을 늘렸을 경우, 이온성 불순물의 증가로 인하여 절연 신뢰성 시험 등 신뢰성 시험에 있어서 불량이 발생하는 것이 염려된다.

또한 착색제의 종류에 따라서는 착색제의 분해 온도, 혹은 승화 온도가 낮아, 착색제를 포함하는 적층판은 땜납 내열성 시험에 있어서 팽창 등의 불량이 발생하는 경우가 있었다.

특허문헌 1: 일본 특개2001-123069호 공보

특허문헌 2: 일본 특개2001-36243호 공보

특허문헌 3: 일본 특개2000-72969호 공보

발명이 해결하고자 하는 과제

본 발명은 보존성이 저하되는 일이 없는 수지 조성물, 이 수지 조성물을 이용한 얼룩없이 착색된 프리프레그, 적층판, 열충격 시험 등의 신뢰성 시험에서 우수한 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

과제를 해결하기 위한 수단

이와 같은 목적은 하기 (1)~(12)에 기재된 본 발명에 의해 달성된다.

(1) (A) 노볼락형 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재, (D) 착색제를 포함하는 다층 프린트 배선판용 수지 조성물로서, 상기 수지 조성물의 DSC 측정에 의한 발열 피크 온도가 (A) 노볼락형 에폭시 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재로 이루어진 수지 조성물의 발열 피크 온도의 ±5℃ 이내인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.

(2) 상기 (D) 착색제는 그 성분에 안트라퀴논계 화합물을 적어도 1 종류 이상 포함하는 것인 (1) 항에 기재된 수지 조성물.

(3) 상기 (D) 착색제의 함유량은 수지 조성물 전체의 0.1~4 중량%인 청구항 (1) 또는 (2) 항에 기재된 수지 조성물.

(4) 상기 (D) 착색제는 260℃에서의 승화 또는 분해에 따른 중량 감소가 10% 이하인 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

(5) 상기 (C) 무기 충전재는 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 실리카, 탈크, 소성 탈크, 및 알루미나로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1 종류 이상을 포함하는 것인 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

(6) 상기 (C) 무기 충전재의 함유량은 수지 조성물 전체의 20~80 중량%인 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

(7) 상기 수지 조성물은 시아네이트 또는/및 그 프리폴리머를 포함하는 것인 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

(8) 상기 시아네이트 수지는 수지 조성물 전체의 5~42 중량%인 (7)에 기재된 수지 조성물.

(9) (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 기재에 함침시켜 이루어진 프리프레그.

(10) (9)에 기재된 프리프레그를 1매 이상 성형하여 이루어진 적층판.

(11) (10)에 기재된 프리프레그 및/또는 (9)에 기재된 적층판을 이용하여 이루어진 다층 프린트 배선판.

(12) (11)에 기재된 다층 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재하여 이루어진 반도체 장치.

발명의 효과

본 발명의 수지 조성물은 보존성이 저하하는 일이 없고, 이 수지 조성물을 이용한 프리프레그 및 적층판은 얼룩없이 착색되며, 또 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치는 열충격 시험 등의 신뢰성 시험에서 우수하다.

발명을 실시하기 위한 바람직한 형태

본 발명의 (A) 노볼락형 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재 및 (D) 착색제를 포함하는 다층 프린트 배선판용 수지 조성물로서, 상기 수지 조성물의 DSC 측정에 의한 발열 피크 온도가 (A) 노볼락형 에폭시 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재로 이루어진 수지 조성물의 발열 피크 온도의 ±5℃ 이내인 것을 특징으로 하는 수지 조성물이다.

본 발명의 수지 조성물을 이용함으로써 보존성이 저하하는 일이 없고 외관에 착색 얼룩이 없는 프리프레그 및 적층판, 그리고 열충격 시험 등의 신뢰성 시험에서 우수한 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치를 제조할 수 있다.

이하, 본 발명의 수지 조성물에 대해 설명한다.

본 발명에 이용하는 (A) 노볼락형 에폭시 수지는 특별히 한정되지 않지만 예를 들어 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐 아랄킬형 노볼락 에폭시 수지, 나프탈렌 아랄킬형 노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 노볼락 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 중 1 종류를 단독으로 이용할 수도 있으며, 다른 중량 평균 분자량을 가지는 2 종류 이상을 병용하거나 1 종류 또는 2 종류 이상과 그들의 프리폴리머를 병용하거나 할 수도 있다. 이들 중에서도 비페닐 아랄킬형 노볼락 에폭시 수지, 나프탈렌 아랄킬형 노볼락 에폭시 수지 등과 같은 메틸렌 결합을 가지는 노볼락형 에폭시가 내열성, 난연성, 흡수성의 점에서 뛰어나며, 그 중에서도 비페닐 아랄킬형 노볼락 에폭시 수지가 바람직하다. 이에 의해 흡습 땜납 내열성 및 난연성을 향상시킬 수 있다.

상기 비페닐 아랄킬형 노볼락 에폭시 수지란 반복 단위 중에 하나 이상의 비페닐 알킬렌기를 가지는 에폭시 수지를 말한다. 예를 들어 크실릴렌형 에폭시 수지, 비페닐 디메틸렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 비페닐 디메틸렌형 에폭시 수지가 바람직하다. 비페닐 디메틸렌형 에폭시 수지는 예를 들어 식 (1)로 나타낼 수 있다.

상기 식 (1)로 표시되는 비페닐 디메틸렌형 에폭시 수지의 평균 반복 단위 n은 특별히 한정되지 않지만 1~10이 바람직하고, 특히 2~5가 바람직하다. 평균 반복 단위 n이 상기 하한값 미만이면 비페닐 디메틸렌형 에폭시 수지는 결정화하기 쉬워져서 범용 용매에 대한 용해성이 비교적 저하하기 때문에 취급이 곤란해지는 경우가 있다. 또, 평균 반복 단위 n이 상기 상한값을 초과하면 수지의 유동성이 저하되어 성형 불량 등의 원인이 되는 경우가 있다.

상기 (A) 노볼락형 에폭시 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만 상기 제1 수지 조성물 전체의 1~65 중량%가 바람직하고, 특히 5~40 중량%가 바람직하다. 함유량이 상기 하한값 미만이면 얻어지는 제품의 내습성이 저하하거나 하는 경우가 있으며, 상기 상한값을 초과하면 내열성이 저하하는 경우가 있다.

상기 (A) 노볼락형 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만 중량 평균 분자량 5.0×10²~2.0×10⁴가 바람직하고, 특히 8.0×10²~1.5×10⁴가 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한값 미만이면 프리프레그에 점착성(tackiness)이 생기는 경우가 있으며, 상기 상한값을 초과하면 프리프레그 제작시 기재에 대한 함침성이 저하되어 균일한 제품을 얻을 수 없는 경우가 있다.

상기 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 예를 들어 GPC(겔 침투 크로마토그래피, 표준 물질:폴리스티렌 환산)로 측정할 수 있다.

또, 상기 수지 조성물은 무기 충전재를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해 적층판을 얇게(두께 0.4㎜ 이하) 하더라도 충분한 강도를 얻을 수 있다. 또한, 적층판의 저열팽창화를 향상할 수도 있다.

본 발명에 이용하는 (B) 경화제는 페놀 수지 등의 (A) 노볼락형 에폭시 수지의 에폭시기와 반응하는 화합물, 혹은 이미다졸 등의 에폭시기끼리의 반응을 촉진하는 경화촉진제를 이용할 수 있다.

상기 페놀 수지는 특별히 한정되지 않지만 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 아릴 알킬렌형 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 미변성 레졸 페놀 수지, 동유, 아마인유, 호두유 등으로 변성한 기름 변성 레졸 페놀 수지 등의 레졸형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들 중 1 종류를 단독으로 이용할 수도 있으며, 다른 중량 평균 분자량을 가지는 2 종류 이상을 병용하거나, 1 종류 또는 2 종류 이상과 그들의 프리폴리머를 병용하거나 할 수도 있다. 이들 중에서도 특히 아릴 알킬렌형 페놀 수지가 바람직하다. 이에 의해 흡습 땜납 내열성을 더욱 향상시킬 수 있다.

상기 경화제는 특별히 한정되지 않지만 예를 들어 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 옥틸산주석, 옥틸산코발트, 비스아세틸아세토네이트코발트(II), 트리스아세틸아세토네이트코발트(III) 등의 유기 금속염, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 디아자비시클로[2,2,2]옥탄 등의 3급 아민류, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-에틸-4-에틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피롤로(1,2-a)벤즈이미다졸 등의 이미다졸류, 페놀, 비스페놀 A, 노닐페놀 등의 페놀 화합물, 아세트산, 벤조산, 살리실산, 파라톨루엔술폰산 등의 유기산 등 또는 이 혼합물을 들 수 있다. 이들 중 유도체도 포함하여 1 종류를 단독으로 이용할 수도 있으며, 이들의 유도체도 포함하여 2 종류 이상을 병용하거나 할 수도 있다.

경화제의 양은 특별히 한정되지 않지만 유기 금속염, 이미다졸류의 경화제를 이용하는 경우에는 수지 조성물 전체의 0.05~4 중량%인 것이 바람직하고, 0.1~2 중량%인 것이 더욱 바람직하다. 또, 페놀 화합물, 유기산 등의 경화제를 이용하는 경우에는 수지 조성물 전체의 3~4 중량%인 것이 바람직하고, 5~25 중량%인 것이 더욱 바람직하다. 함유량이 상기 하한값보다 적으면 수지의 경화 반응이 충분히 완결하는 것이 곤란해지는 경우가 생긴다고 하는 문제가 발생하며, 함유량이 상기 상한값보다 많으면 프리프레그를 성형하여 적층판을 제조할 때에 성형 불량을 일으키거나 또 프리프레그의 보존성이 악화된다고 하는 문제가 생긴다.

본 발명에 이용하는 (C) 무기 충전재는 특별히 한정되지 않지만 예를 들어 탈크, 소성 탈크, 소성 클레이 미소성 클레이 마이카, 유리 등의 규산염, 산화티탄, 알루미나, 실리카, 용융 실리카 등의 산화물, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 하이드로탈사이트 등의 탄산염, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘 등의 수산화물, 황산바륨, 황산칼슘, 아황산칼슘 등의 황산염 또는 아황산염, 붕산아연, 메타붕산바륨, 붕산알루미늄, 붕산칼슘, 붕산나트륨 등의 붕산염, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화규소, 질화탄소 등의 질화물, 티탄산스트론튬, 티탄산바륨 등의 티탄산염 등을 들 수 있다. (C) 무기 충전재로서 이들 중 1 종류를 단독으로 이용할 수도 있으며, 2 종류 이상을 병용하거나 할 수도 있다. 이들 중에서도 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 실리카, 용융 실리카, 탈크, 소성 탈크, 알루미나가 바람직하고, 특히 용융 실리카가 저열팽창성이 뛰어난 점에서 바람직하다. 그 형상은 파쇄상, 구상이 있지만 섬유기재에 대한 함침성을 확보하기 위해서 수지 조성물의 용융 점도를 내리기 위해서는 구상 실리카를 사용하는 등 그 목적에 맞춘 사용 방법이 채용된다.

또 상기 (C) 무기 충전재는 특별히 한정되지 않지만 평균 입자 지름이 단분산인 무기 충전재를 이용할 수도 있으며, 평균 입자 지름이 다분산인 무기 충전재를 이용할 수 있다. 또한 평균 입자 지름이 단분산 및/또는 다분산인 무기 충전재를 1 종류 또는 2 종류 이상을 병용하거나 할 수도 있다.

상기 (C) 무기 충전재의 평균 입자 지름은 특별히 한정되지 않지만 0.005~10㎛가 바람직하고, 특히 0.01~2㎛가 바람직하다. 무기 충전재의 평균 입자 지름이 상기 하한값 미만이면 바니시의 점도가 높아지기 때문에 프리프레그 제작시의 작업성에 영향을 주는 경우가 있다. 또, 상기 상한값을 초과하면, 바니시 중에서 무기 충전제의 침강 등의 현상이 일어나는 경우가 있다.

또한 평균 입자 지름 5.0㎛ 이하의 구상 실리카가 바람직하고, 특히 평균 입자 지름 0.01~2㎛의 구상 용융 실리카가 바람직하다. 이에 의해 무기 충전재의 충전성을 향상시킬 수 있다. 또한, 평균 입자 지름은 예를 들어 입도 분포계(HORIBA제, LA-500)에 의해 측정할 수 있다.

상기 (C) 무기 충전재의 함유량은 특별히 한정되지 않지만 수지 조성물 전체의 20~80 중량%가 바람직하고, 특히 30~75 중량%가 바람직하다. 함유량이 상기 범위 내이면 특히 저열팽창성, 저흡수성으로 할 수 있다.

본 발명에 이용하는 (D) 착색제는 유기안료, 유기염료 등의 수지 조성물을 착색할 수 있는 것으로서, 수지 조성물의 경화에 기여하지 않는 것이다.

경화 작용을 가지는 착색제를 이용했을 경우 수지 조성물의 보존성이 저하하여 프리프레그를 제작할 수 없는 경우가 있다. 또 착색제가 경화 저해 요인이 되는 경우에는 프레프레그 제조시의 경화 반응을 저해하여 프리프레그 제작 후에 다층 프린트 배선판의 제조에 이용했을 경우 다층 프린트 배선판의 절연성 신뢰성이나 내땜납 내열성이 저하하는 경우가 있다.

여기서 착색제의 경화 촉진 작용, 혹은 경화 저해는 수지 조성물의 DSC 측정에 의한 발열 피크 온도로 판단할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물의 DSC 측정에 의한 발열 피크 온도와 (A) 노볼락형 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재로 이루어진 수지 조성물의 발열 피크 온도의 차가 5℃ 이내인 것이 바람직하다. 피크 온도의 차가 5℃보다 커지면 보존성이 저하하는 경우나 경화성이 저하하는 경우가 있다. 또한, DSC 측정에 의한 경화 발열 피크 온도는 JIS K7121의 방법에 준하여 산출할 수 있다.

본 발명에 이용하는 (D) 착색제는 안트라퀴논계 화합물을 적어도 1 종류 이상 포함하는 것이 바람직하고, 구체적인 예로는 Kayaset Black A-N(일본화약사제), Kayaset Black G(일본화약사제) 등을 들 수 있다.

상기 (D) 착색제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만 수지 조성물 전체의 0.1~4 중량% 함유하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.3~1.2 중량% 함유하는 것이다. 상기 중량부 미만이면 얻어지는 다층 프린트 배선판의 외관에 얼룩이 있고, 상기 중량부보다 많으면 경화성이 저하되는 경우가 있다.

상기 (D) 착색제는 260℃에서의 승화 혹은 분해에 따른 중량 감소가 10% 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해 적층판의 중량 감소를 적게 할 수 있어 내땜납 내열성이 뛰어난 것으로 된다. 또한, 260℃에서의 중량 감소는 TGA(열 중량 측정 장치)를 이용하여 시료를 10℃/분으로 온도를 상승시켰을 때의 260℃에서의 중량 감소를 측정함으로써 확인할 수 있다.

본 발명의 수지 조성물은 추가로 (A) 노볼락형 에폭시 수지 이외에 열경화 성 수지(실질적으로 할로겐을 포함하지 않음)를 병용하는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 수지는 예를 들어 우레아(요소) 수지, 멜라민 수지 등의 트리아진환을 가지는 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 비스말레이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 벤조옥사진환을 가지는 수지, 시아네이트 수지 등을 들 수 있다.

이들 중 1 종류를 단독으로 이용할 수도 있으며, 다른 중량 평균 분자량을 가지는 2 종류 이상을 병용하거나, 1 종류 또는 2 종류 이상과 그들의 프리폴리머를 병용하거나 할 수도 있다.

또, 이들 중에서도 특히 시아네이트 수지(시아네이트 수지의 프리폴리머를 포함함)가 바람직하다. 이에 의해 프리프레그의 열팽창 계수를 작게 할 수 있다. 또한, 프리프레그의 전기 특성(저유전율, 저유전정접), 기계강도 등도 뛰어나다.

상기 시아네이트 수지는 예를 들어 할로겐화 시안 화합물과 페놀류를 반응시켜 필요에 따라서 가열 등의 방법으로 프리폴리머화함으로써 얻을 수 있다. 구체적으로는 노볼락형 시아네이트 수지, 비스페놀 A형 시아네이트 수지, 비스페놀 E형 시아네이트 수지, 테트라메틸비스페놀 F형 시아네이트 수지 등의 비스페놀형 시아네이트 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 노볼락형 시아네이트 수지가 바람직하다. 이에 의해 가교 밀도 증가에 의한 내열성이 향상하고, 또 수지 조성물의 난연성이 향상된다. 특히 노볼락형 시아네이트 수지는 경화 반응 후에 트리아진환을 형성하는 것으로 인하여 벤젠환의 비율이 높고 탄화하기 쉽기 때문이라 생각된다. 또한, 프리프레그를 두께 0.5㎜ 이하로 했을 경우라도 프리프레그를 경화시켜 제작한 적층판은 뛰어난 강성을 갖는다. 특히 가열시에서의 강성이 뛰어나기 때문에 반도체 소자 실장시의 신뢰성도 특히 뛰어나다.

상기 노볼락형 시아네이트 수지는 예를 들어 식 (2)로 표시되는 것을 사용할 수 있다.

상기 식 (2)로 표시되는 노볼락형 시아네이트 수지의 평균 반복 단위 n은 특별히 한정되지 않지만 1~10이 바람직하고, 특히 2~7이 바람직하다. 평균 반복 단위 n이 상기 하한값 미만이면 노볼락형 시아네이트 수지는 내열성이 저하하여, 가열시에 저분자량 성분이 탈리, 휘발하는 경우가 있다. 또, 평균 반복 단위 n이 상기 상한값을 초과하면 용융 점도가 지나치게 높아져서 프리프레그의 성형성이 저하되는 경우가 있다.

상기 시아네이트 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만 중량 평균 분자량 5.0×10²~4.5×10³이 바람직하고, 특히 6.0×10²~3.0×10³이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한값 미만이면 프리프레그를 제작했을 경우에 점착성이 생겨 프리프레그끼리 접촉했을 때 서로 부착하거나 수지의 전사가 생기거나 하는 경우가 있다. 또, 중량 평균 분자량이 상기 상한값을 초과하면 반응이 지나치게 빨라져서 다층 프린트 배선판을 제조했을 경우에 성형 불량이 발생하여 절연층 사이의 박리 강도가 저하하는 경우가 있다. 상기 시아네이트 수지의 중량 평균 분자량은 예를 들어 GPC(겔 침투 크로마토그래피, 표준 물질:폴리스티렌 환산)로 측정할 수 있다.

또, 상기 시아네이트 수지는 특별히 한정되지 않지만 1 종류를 단독으로 이용할 수도 있으며, 다른 중량 평균 분자량을 가지는 2 종류 이상을 병용하거나, 1 종류 또는 2 종류 이상과 그들의 프리폴리머를 병용하거나 할 수도 있다.

상기 시아네이트 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만 상기 수지 조성물 전체의 5~42 중량%가 바람직하고, 특히 10~40 중량%가 바람직하다. 함유량이 상기 하한값 미만이면 열팽창율이 높아져 버리는 경우가 있고, 상기 상한값을 초과하면 내습성이 저하하는 경우가 있다.

상기 커플링제는 특별히 한정되지 않지만 구체적으로는 에폭시 실란 커플링제, 양이온 실란 커플링제, 아미노 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제 및 실리콘 오일형 커플링제 중에서 선택되는 1종 이상의 커플링제를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해 무기 충전재의 계면과의 습윤성을 높게 할 수 있으며, 그에 따라 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.

상기 커플링제의 첨가량은 특별히 한정되지 않지만 (C) 무기 충전재 100 중량부에 대해 0.05~3 중량부가 바람직하고, 특히 0.1~2 중량부가 바람직하다. 함유량이 상기 하한값 미만이면 무기 충전재를 충분히 피복할 수 없기 때문에 내열성을 향상하는 효과가 저하되는 경우가 있고, 상기 상한값을 초과하면 반응에 영향을 주어 굽힘 강도 등이 저하되는 경우가 있다.

본 발명의 수지 조성물은 도체층과의 밀착성을 향상시키는 것과 같은 성분을 첨가해도 된다. 예를 들어, 페녹시 수지, 폴리비닐 알코올계 수지, 도체 회로와의 밀착성을 향상시키는 커플링제 등을 들 수 있으며, 이들 중에서도 특히 밀착성이 뛰어나고 경화 반응 속도에 주는 영향이 적다고 하는 점에서 페녹시 수지가 바람직하다. 상기 페녹시 수지는 예를 들어 비스페놀 골격을 가지는 페녹시 수지, 노볼락 골격을 가지는 페녹시 수지, 나프탈렌 골격을 가지는 페녹시 수지, 비페닐 골격을 가지는 페녹시 수지 등을 들 수 있다. 또, 이러한 골격을 복수 종류 가진 구조의 페녹시 수지를 이용할 수도 있다.

또, 본 발명의 수지 조성물은 필요에 따라서 소포제, 레벨링제, 자외선 흡수제, 발포제, 산화 방지제, 난연제, 이온 포착제 등의 상기 성분 이외의 첨가물을 첨가해도 좋다.

다음에 프리프레그에 대해 설명한다.

본 발명의 프리프레그는 상기 수지 조성물을 기재에 함침시켜서 이루어진 것이다. 이에 의해 유전 특성, 고온다습하에서의 기계적, 전기적 접속 신뢰성 등의 각종 특성이 뛰어난 프린트 배선판을 제조하는데 바람직한 프리프레그를 얻을 수 있다.

상기 기재는 특별히 한정되지 않지만 유리 직포, 유리 부직포 등의 유리 섬유기재, 폴리아미드 수지 섬유, 방향족 폴리아미드 수지 섬유, 전방향족 폴리아미드 수지 섬유 등의 폴리아미드계 수지 섬유, 폴리에스테르 수지 섬유, 방향족 폴리에스테르 수지 섬유, 전방향족 폴리에스테르 수지 섬유 등의 폴리에스테르계 수지 섬유, 폴리이미드 수지 섬유, 불소 수지 섬유 등을 주성분으로 하는 직포 또는 부직포로 구성되는 합성 섬유기재, 크라프트지, 코튼 린터지, 린터와 크라프트 펄프의 혼초지 등을 주성분으로 하는 종이 기재 등의 유기 섬유기재 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 유리 섬유기재가 바람직하다. 이에 의해 프리프레그의 강도, 흡수율을 향상할 수 있다. 또, 프리프레그의 열팽창 계수를 작게 할 수 있다.

이와 같은 유리 섬유기재를 구성하는 유리는 예를 들어 E 유리, C 유리, A 유리, S 유리, D 유리, NE 유리, T 유리, H 유리 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 E 유리, 또는 T 유리가 바람직하다. 이에 의해 유리 섬유기재된 고탄성화를 달성할 수 있으며, 열팽창 계수도 작게 할 수 있다.

본 발명에서 얻어지는 수지 조성물을 기재에 함침시키는 방법은 예를 들어, 본 발명의 수지 조성물을 이용하여 수지 바니시를 조제하여, 기재를 수지 바니시에 침지하는 방법, 각종 코터에 의해 도포하는 방법, 스프레이에 의해 분사하는 방법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 기재를 수지 바니시에 침지하는 방법이 바람직하다. 이에 의해 섬유기재에 대한 수지 조성물의 함침성을 향상시킬 수 있다. 또한, 섬유기재를 수지 바니시에 침지하는 경우, 통상의 함침 도포 설비를 사용할 수 있다.

상기 수지 바니시에 이용되는 용매는 상기 수지 조성물 중의 수지 성분에 대해서 양호한 용해성을 나타내는 것이 바람직하지만 악영향을 미치지 않는 범위에서 빈용매를 사용해도 상관없다. 양호한 용해성을 나타내는 용매는 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 테트라히드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, 에틸렌글리콜, 셀로솔브계, 카비톨계 등을 들 수 있다.

상기 수지 바니시의 고형분은 특별히 한정되지 않지만 상기 수지 조성물의 고형분 50~80 중량%가 바람직하고, 특히 60~78 중량%가 바람직하다. 이에 의해 수지 바니시의 섬유기재에 대한 함침성을 더욱 향상시킬 수 있다. 상기 섬유기재에 상기 수지 조성물을 함침시키는 소정 온도, 특별히 한정되지 않지만 예를 들어 90~220℃ 등에서 건조시킴으로써 프리프레그를 얻을 수 있다.

다음으로 적층판에 대해 설명한다.

본 발명의 적층판은 상기 프리프레그를 적어도 1매 혹은 복수매 적층하였으나, 상하 양면에 금속박을 겹치고 가열, 가압함으로써 적층판을 얻을 수 있다. 상기 가열하는 온도는 특별히 한정되지 않지만 120~230℃가 바람직하고, 특히 150~210℃가 바람직하다. 또, 상기 가압하는 압력은 특별히 한정되지 않지만 1~5MPa가 바람직하고, 특히 2~4MPa가 바람직하다. 이에 의해 유전특성, 고온다습화에서의 기계적, 전기적 접속 신뢰성이 뛰어난 적층판을 얻을 수 있다.

상기 금속박은 예를 들어 구리 및 구리계 합금, 알루미늄 및 알루미늄계 합금, 은 및 은계 합금, 금 및 금계 합금, 아연 및 아연계 합금, 니켈 및 니켈계 합금, 주석 및 주석계 합금, 철 및 철계 합금 등의 금속박을 들 수 있다.

다음으로 다층 프린트 배선판에 대해 설명한다.

다층 프린트 배선판은 상기 적층판을 이용하여 제조할 수 있다. 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만 예를 들어 상기 양면에 구리박을 가지는 구리 부착 적층판을 이용하고, 드릴기로 소정의 곳을 구멍을 뚫고, 무전해 도금에 의해 내층 회로 기판의 양면의 도통을 도모한다. 그리고 상기 구리박을 에칭함으로써 내층 회로를 형성한다.

또한, 내층 회로 부분은 흑화 처리 등의 조화 처리한 것을 알맞게 이용할 수 있다. 또 개구부는 도체 페이스트, 또는 수지 페이스트로 적절히 메울 수 있다.

다음으로 상기 본 발명의 프리프레그, 또는 필름부착 절연 수지 시트를 이용하여 상기 내층 회로를 덮도록 적층하고, 절연층을 형성한다. 적층(라미네이트) 방법은 특별히 한정되지 않지만 진공 프레스, 상압(常壓) 라미네이터 및 진공하에서 가열 가압하는 라미네이터를 이용하여 적층하는 방법이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 진공하에서 가열 가압하는 라미네이터를 이용하는 방법이다.

그 후 상기 절연층을 가열함으로써 경화시킨다. 경화시키는 온도는 특별히 한정되지 않지만 예를 들어 100℃~250℃의 범위에서 경화시킬 수 있다. 바람직하게는 150℃~200℃에서 경화시키는 것이다.

다음으로 절연층에 탄산 레이저 장치를 이용하여 개구부를 마련하고, 전해 구리 도금에 의해 절연층 표면에 외층 회로 형성을 실시하여, 외층 회로와 내층 회로의 도통을 도모한다. 또한, 외층 회로는 반도체 소자를 실장하기 위한 접속용 전극부를 마련한다.

그 후 최외층에 솔더레지스트를 형성하고, 노광·현상에 의해 반도체 소자를 실장할 수 있도록 접속용 전극부를 노출시키고, 니켈금 도금 처리를 실시하며, 소정의 크기로 절단하여 다층 프린트 배선판을 얻을 수 있다.

이하, 본 발명의 내용을 실시예에 의해 상세하게 설명하겠으나, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한 이하의 예로 한정되지 않는다.

(실시예 1)

(1) 수지 바니시의 조제

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 14.0 중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본화약 주식회사제, GPH-103) 10.8 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 24.6 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 49.8 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.2 중량부, (D) 착색제로서 안트라퀴논계 화합물을 포함하는 염료(일본화약사제, Kayaset Black A-N) 0.6 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다.

(2) 프리프레그의 제조

상술한 수지 바니시를 유리 직포(두께 94㎛, 닛토방적제, WEA-2116)에 함침하고, 150℃의 가열로에서 2분간 건조하여 프리프레그 중의 바니시 고형분이 약 50 중량%인 프리프레그를 얻었다.

(3) 적층판의 제조

상술한 프리프레그를 양면에 18㎛의 구리박을 겹치고, 압력 4MPa, 온도 200℃에서 2시간 가열가압 성형함으로써 두께 0.1㎜의 양면이 구리 부착된 적층판을 얻었다.

(실시예 2)

수지 바니시를 이하와 같이 조제한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 프리프레그 및 적층판을 제작하였다.

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 11.2 중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본화약 주식회사제, GPH-103) 8.6 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 19.6 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 59.7 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.3 중량부, (D) 착색제로서 안트라퀴논계 화합물을 포함하는 염료(일본화약사제, Kayaset Black A-N) 0.6 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다.

(실시예 3)

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 14.0 중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본 화약 주식회사제, GPH-103) 10.8 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 24.6 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 49.8 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.2 중량부, (D) 착색제로서 안트라퀴논계 화합물을 포함하는 염료(일본화약사제, Kayaset Black G) 0.6 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다.

(실시예 4)

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 11.2 중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본 화약 주식회사제, GPH-103) 8.7 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 19.8 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 59.7 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.3 중량부, (D) 착색제로서 안트라퀴논계 화합물을 포함하는 염료(일본화약사제, Kayaset Black A-N) 0.3 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바 니시를 조제하였다.

(실시예 5)

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 11.0 중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본 화약 주식회사제, GPH-103) 8.4 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 19.4 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 59.7 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.3 중량부, (D) 착색제로서 안트라퀴논계 화합물을 포함하는 염료(일본화약사제, Kayaset Black A-N) 1.2 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다.

(실시예 6)

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 14.0중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본화약 주식회사제, GPH-103) 10.8 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 24.6 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 소성 탈크(후지 탈크사제, ST-100) 49.8 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.2 중량부, (D) 착색제로서 안트라퀴논계 화합물을 포함하는 염료(일본화약사제, Kayaset Black A-N) 0.6 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다.

(실시예 7)

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 15.5중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본화약 주식회사제, GPH-103) 11.9 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 42.0 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 29.8 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.2 중량부, (D) 착색제로서 안트라퀴논계 화합물을 포함하는 염료(일본화약사제, Kayaset Black A-N) 0.6 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다.

(실시예 8)

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC- 3000) 10.7 중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본 화약 주식회사제, GPH-103) 7.8 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 5.0 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 74.6 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.4 중량부, (D) 착색제로서 안트라퀴논계 화합물을 포함하는 염료(일본화약사제, Kayaset Black A-N) 1.5 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다.

(실시예 9)

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 27.9 중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본 화약 주식회사제, GPH-103) 21.6 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 49.8 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.2 중량부, (D) 착색제로서 안트라퀴논계 화합물을 포함하는 염료(일본화약사제, Kayaset Black A-N) 0.5 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다.

(비교예 1)

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 14.1 중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본 화약 주식회사제, GPH-103) 10.9 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 25.0 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 49.8 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.2 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다.

(비교예 2)

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 11.2 중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본 화약 주식회사제, GPH-103) 8.6 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 19.6 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 59.7 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.3 중량부, 착색제(츄오합성화학사제, Sudan Black 141) 0.6 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분 간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다.

(비교예 3)

(A) 에폭시 수지로서 비페닐아랄킬형 노볼락 에폭시 수지(일본화약사제, NC-3000) 11.2 중량부, (B) 경화제로서 비페닐디메틸렌형 페놀 수지(일본 화약 주식회사제, GPH-103) 8.6 중량부, 노볼락형 시아네이트 수지(론자 재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30) 19.6 중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, (C) 무기 충전재로서 구상 용융 실리카(아드마텍스사제·「SO-25R」, 평균 입경 0.5㎛) 59.7 중량부와 커플링제(일본 유니카사제, A187) 0.3 중량부, 착색제(츄오합성화학사제, Oil Black S) 0.6 중량부를 첨가하고, 고속 교반 장치를 이용하여 10분간 교반하여 고형분 50 중량%의 수지 바니시를 조제하였다. 그러나 비교예 3은 바니시 조정시에 겔화가 일어나, 그 후 프리프레그를 제작할 수 없었다.

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 조성물, 프리프레그 및 적층판에 대해 이하의 평가를 실시하였다. 평가 내용을 항목과 함께 나타낸다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.

[표 1]

1. 수지 조성물의 DSC 발열 피크 온도차

수지 바니시를 조제 후 PET(미츠비시 폴리에스테르사제, SFB-38)상에 도공하고, 170℃에서 건조하여 수지 필름을 제작하였다. 이 수지 필름을 시차주사 열량계 DSC(세이코 인스트루먼트(주)제)를 이용하여, 질소 기류하에서 온도상승 속도 10℃/min로 측정을 실시하였다. DSC 측정 데이터로부터 JIS K 7121의 방법에 준하여 경화 발열 피크 온도를 산출하였다.

표 1에는 비교예 1과 실시예1~9, 및 비교예 2와의 온도차를 절대값으로 나타낸다. 또한, 비교예 3은 바니시 조정시에 겔화했기 때문에 측정하지 않았다.

2. 바니시 보존성

바니시 조제 후 25℃의 환경에서 방치하고, 1주간마다 적층판을 제작하고, 얻어진 적층판으로부터 50㎜ 정사각형으로 샘플을 잘라내어, 3/4 에칭하고, D-2/100 처리 후 260℃의 땜납 중에 30초 침지시켜 팽창 유뮤를 관찰하여, 팽창하지 않을 때까지의 기간을 수명이 있는 상태라고 판단하였다.

3. 적층판의 외관 관찰

얻어진 구리 부착 적층판을 에칭하고, 장소에 따른 색의 농담 유무를 육안으로 확인하였다. 육안으로 확인하여, 색의 농담이 보이지 않으면 ○, 농담이 보이지 않으면 ×로 하였다.

또, 에칭한 적층판을 색차계를 이용하여 L값의 측정을 실시하였다. L값은 작을수록 착색되어 있음을 나타낸다.

4. 착색제의 260℃에서의 중량 감소율

사용한 착색제를 TG/DTA를 이용하여, 10℃/분의 속도로 450℃까지 올리고, 100℃부터 260℃에서의 중량 변화율을 측정하였다.

5. 적층판의 300℃에서의 중량 감소율

얻어진 적층판의 구리박을 에칭하고, TG/DTA를 이용하여 10℃/분의 속도로 450℃까지 승온시켜, 100℃부터 300℃에서의 중량 변화율을 측정하였다.

6. 땜납 내열성

얻어진 적층판으로부터 50㎜ 정사각형으로 샘플을 잘라내어, 3/4 에칭하고, D-2/100 처리 후 260℃의 땜납 중에 30초 침지시켜 팽창 유무를 관찰하였다.

실시예 1~9는 본 발명의 수지 조성물을 이용하여 제작한 프리프레그 및 적층판이며, 얼룩없이 착색된 것이었다. 또 실시예 1~9의 수지 조성물의 DSC에 의한 발열 피크 온도는 착색제를 함유하지 않는 비교예 1의 수지 조성물의 발열 피크 온도의 ±5℃ 이내이며, 보존성도 양호하였다. 한편, 비교예 1에 대해서는 착색제를 이용하지 않은 예로, 외관이 착색되지 않으며, 비교예 2는 발열 피크 온도가 5℃ 이상이며, 보존성이 저하되었다. 또 260℃에서의 중량 감소율이 10%를 넘는 착색제를 이용한 예이지만 적층판에 있어서 300℃에서의 중량 감소가 0.30%가 되어, 실시예의 수준보다도 중량 감소가 커지는 결과가 되었다. 땜납 내열성에서 불량은 발생하지 않았지만 착색제의 첨가량이 증가했을 경우에는 불량의 발생이 염려된다. 비교예 3은 착색제의 촉매 활성이 강하고, 바니시 제작중에 겔화되어 버려 프리프레그, 적층판을 제작할 수 없었다.

본 발명의 수지 조성물은 보존성이 뛰어나 다층 프린트 배선판을 구성하는 내층 회로 기판 및 절연층에 유용하게 이용할 수 있다.

Claims

(A) 노볼락형 에폭시 수지

(B) 경화제

(C) 무기 충전재

(D) 착색제

를 포함하는 다층 프린트 배선판용 수지 조성물로서,

상기 수지 조성물의 DSC 측정에 의한 발열 피크 온도가 (A) 노볼락형 에폭시 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재로 이루어진 수지 조성물의 발열 피크 온도의 ±50℃ 이내인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
청구항 1에 있어서,

상기 (D) 착색제는 그 성분에 안트라퀴논계 화합물을 적어도 1 종류 이상 포함하는 것인 수지 조성물.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

상기 (D) 착색제의 함유량은 수지 조성물 전체의 0.1~4 중량%인 수지 조성물.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

상기 (D) 착색제는 260℃에서의 승화 또는 분해에 의한 중량 감소가 10% 이하인 수지 조성물.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

상기 (C) 무기 충전재는 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 실리카, 탈크, 소성 탈크 및 알루미나로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1 종류 이상을 포함하는 것인 수지 조성물.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

상기 (C) 무기 충전재의 함유량은 수지 조성물 전체의 20~80 중량%인 수지 조성물.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

상기 수지 조성물은 시아네이트 또는/및 그 프리폴리머를 포함하는 것인 수지 조성물.
청구항 7에 있어서,

상기 시아네이트 수지는 수지 조성물 전체의 5~42 중량%인 수지 조성물.
청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 수지 조성물을 기재에 함침시켜서 이루어 지는 프리프레그.
청구항 9에 기재된 프리프레그를 1매 이상 성형하여 이루어지는 적층판.
청구항 10에 기재된 프리프레그 및/또는 청구항 9에 기재된 적층판을 이용하여 이루어지는 다층 프린트 배선판.
청구항 11에 기재된 다층 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재하여 이루어지는 반도체 장치.