KR20090103419A - 기판 세정장치 및 방법 - Google Patents

기판 세정장치 및 방법

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KR20090103419A
KR20090103419A KR1020080029025A KR20080029025A KR20090103419A KR 20090103419 A KR20090103419 A KR 20090103419A KR 1020080029025 A KR1020080029025 A KR 1020080029025A KR 20080029025 A KR20080029025 A KR 20080029025A KR 20090103419 A KR20090103419 A KR 20090103419A
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Abstract

본 발명은 기판 세정장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마와 미세직경 버블을 이용한 기판 세정장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 기판 세정장치는 플라즈마를 발생시켜 기판을 세정하는 플라즈마 세정수단; 상기 기판에 미세직경의 버블을 도포하는 버블 세정수단; 및 상기 기판을 건조하는 적외선 히터 등의 히팅수단;을 포함한다.

Description

기판 세정장치 및 방법{Substrate Cleaning Apparatus And Method Using The Same}
본 발명은 기판 세정장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마와 미세직경 버블을 이용한 기판 세정장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 및 FPD제조공정에서 신뢰성에 큰 영향을 주는 요인 중 하나가 기판표면의 금속 오염과 유기물을 포함한 파티클이다.
특히 파티클의 부착은 디바이스의 수율에 미치는 영향이 크다. 파티클은 프로세스 중의 생성반응, 작업자, 제조 장치로부터 발생하여 기판 표면에 부착된다. 이런 파티클은 패널 표면이 불균일한 상태가 되는 원인이 될 수 있으며, 균일하지 않은  표면 상태는, 생산 공정과 제품이 불안정해지며, 또 다른 문제의 발생 원인이 될 수 있다.
따라서 공정 전,후 신뢰성 확보 및 수율 향상을 위해 파티클을 제거해 주어야 하는데, 이것이 세정 공정이며, 기술이 진보함에 따라서 패널의 대형화 및 패턴의 미세화가 이루어지면서 세정 공정 또한 기술적 발전을 요하고 있다.
도 1을 참조하여, 종래의 일반적인 세정장치(100) 및 공정을 살펴본다. 도시된 바와 같이, 기판을 이송하는 컨베이어와, 유기물을 제거하는 엑시머 자외선(EUV : Excimer Ultraviolet rays)조사수단(110)과, 파티클을 제거하는 롤브러쉬(120)와, 상기 기판에 물을 분사하는 린싱부(130)와, 상기 기판에 공기를 분사하는 에어나이프(140)와, 기판에 남아 있는 정전기를 제거하는 이오나이저(150)과, 기판을 히팅하는 히팅수단(160)을 포함하여 구성된다. 또한 진동에 의해 파티클을 제거하는 초음파 세정수단(미도시)이 구비되기도 한다.
종래 롤 브러쉬 장치는 기판의 표면에 롤 브러쉬를 접촉하여 세정하는 접촉방식의 세정장치이다. 이러한 롤 브러쉬 세정방법은 기판의 패턴 등을 손상시킬 수 있고, 파티클이 재부착되는 문제점이 있다.
또한 상기 초음파 세정수단 역시 진동에 의해 파티클을 제거하는 장치로서, 기판의 패턴을 손상시킬 수 있는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 플라즈마와 미세직경 버블을 이용한 기판 세정장치 및 방법을 제공함에 있다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 기판 세정장치는 플라즈마를 발생시켜 기판을 세정하는 플라즈마 세정수단; 상기 기판에 미세직경의 버블을 도포하는 버블 세정수단; 및 상기 기판을 건조하는 적외선 히터 등의 히팅수단;을 포함한다.
상기 버블의 직경은 20~40㎛인 것이 바람직하다.
또한 상기 플라즈마 세정수단은 대기압 분위기의 하우징; 다수개의 홀이 형성된 그라운드 전극; 및 상기 그라운드 전극의 상방에 형성된 고전압 전극;을 포함한다. 특히, 상기 고전압 전극의 상방에 다수개의 홀이 형성된 그라운드 전극이 더 설치되는 것이 바람직하다.
또한 상기 버블세정수단은, 초순수 등의 원수를 저장하는 원수 저장탱크; 상기 원수 저장탱크에서 공급된 원수와 공기를 혼합하여 미세버블을 형성하는 믹싱부; 상기 믹싱부에서 생성된 미세버블을 저장하는 버블 저장탱크; 및 상기 버블 저장탱크에서 공급된 미세버블을 상기 기판에 도포하는 노즐;을 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 원수 저장탱크에는 상기 원수를 가열하는 가열부가 더 구비되어 상기 원수를 25~99℃의 범위로 가열하는 것이 바람직하다.
또한 상기 플라즈마 세정수단, 버블 세정수단 및 히팅수단은 상기 기판의 상하방향에 대칭되게 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 기판에 초순수를 분사하여 세정하는 린싱부가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 기판에 공기를 분사하는 에어나이프가 더 구비되는데, 상기 에어나이프는 상기 기판의 이송방향과 직교인 가상선과의 사잇각이 10~20°의 범위로 경사지도록 설치되는 것이 바람직하다.
또한 상기 에어나이프는 상기 기판과의 갭을 표시하는 인디게이터가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 기판에 남아있는 정전기를 제거하는 이오나이저가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 기판을 향하여 청정공기의 다운플로우를 형성하는 에어커튼이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 기판은 마그네틱 컨베이어에 의해 이송되는 것이 바람직한데, 상기 마그네틱 컨베이어는, 구동원; 상기 구동원에 의해 회전되며, 부채꼴 형태의 자석편들을 조합하여 이루어지는 원형의 구동 디스크; 상기 구동 디스크와 마주보고 이격설치되며, 상기 구동 디스크의 회전으로 자력에 의해 회전되는 종동 디스크; 및 상기 종동 디스크에 연결되는 이송롤러;를 포함한다.
또한 상기 구동 디스크 또는 종동 디스크는 상기 자석편들을 내장하는 원통형의 케이싱이 더 구비되는 것이 바람직하다.
상기 케이싱은 스테인리스 스틸 등의 비자성체인 것이 바람직하다.
또한 상기 케이싱에는 N극과 S극의 상기 자석편이 교대로 배치되는 것이 바람직하다.
또한 상기 케이싱에는 상기 자석편들의 후측에 자성체 플레이트가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 이송롤러는 수평면으로부터 경사지게 설치되어, 상기 기판을 기울어진 상태로 이송하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 기판 세정방법은 1) 기판의 표면에 부착된 유기물을 제거하는 단계; 2) 상기 기판의 표면에 부착된 파티클을 제거하는 단계; 및 3) 상기 기판을 건조하는 단계;를 포함한다.
특히, 상기 1)단계는 대기압에서 플라즈마를 발생시키고, 상기 기판을 상기 플라즈마에 노출시켜 수행되고, 상기 2)단계는 상기 기판의 표면에 미세직경의 버블을 도포하고, 도포된 상기 버블이 파열되면서 수행되는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 2)단계는 25~99℃의 범위로 가열된 초순수를 공기와 혼합하여 상기 버블을 형성하는 것이 바람직하다.
또한 상기 기판에 물을 분사하여 세정하는 린싱단계와, 상기 기판에 공기를 분사하여 상기 기판을 건조하는 단계 또는 상기 기판에 남아있는 정전기를 제거하는 단계 중 어느 하나 이상의 단계가 더 부가되는 것이 바람직하다.
또한 상기 3)단계 전에, 상기 기판에 플라즈마를 발생시켜 기판의 표면에 부착된 유기물을 제거하는 단계가 더 부가되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 플라즈마와 미세직경 버블을 이용함으로써 패턴의 손상없이 기판의 세정효과를 극대화할 수 있다.
뿐만 아니라 장비 길이와 공정시간을 현저히 단축할 수 있다.
도 1은 종래 기판 세정장치를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명에 의한 일 실시예를 나타낸 것이다.
도 3은 도 2에 도시된 실시예의 플라즈마 세정수단을 나타낸 것이다.
도 4는 도 2에 도시된 실시예의 버블 세정수단을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 5a 및 도 5b는 도 2에 도시된 실시예의 에어나이프를 도시한 것이다.
도 6 및 도 7은 도 5a에 도시된 에어나이프의 사용상태를 나타낸 것이다.
도 8 내지 도 10은 도 2에 도시된 실시예의 마그네틱 컨베이어를 나타낸 것이다.
도 11a 및 도 11b는 각각 세정 전 TFT기판과, 본 발명에 의해 세정한 후 TFT기판을 나타낸 것이다.
도 12a 내지 도 12c는 각각 세정 전 TFT기판과, 고압공기 분사방식에 의한 세정 후 TFT기판과, 본 발명에 의해 세정한 후 TFT기판을 나타낸 것이다.
도 13a는 기판의 구조를 나타낸 것이고, 도 13b는 도 13a에 도시된 기판을 초음파 세정과, 본 발명에 의한 세정 후 손상 발생율을 나타낸 그래프이다.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
1: 세정장치 10: 플라즈마 세정수단
20: 버블세정수단 30: 린싱부
40: 에어나이프 50: 이오나이저
60: 히팅수단 71, 72: 에어커튼
80: 마그네틱 컨베이어
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시예의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 일 실시예(1)는 플라즈마 세정수단(10)과, 버블 세정수단(20)과, 린싱부(30)와, 에어나이프(40)와, 이오나이저(50)와, 적외선히터(60)로 구성된다. 상기 플라즈마 세정수단(10)과, 버블 세정수단(20)과, 린싱부(30)와, 에어나이프(40) 등은 상기 기판의 상하측에 대칭되게 구성되어 있음을 알 수 있다. 또한 기판을 이송하는 마그네틱 컨베이어와, 기판을 향하여 청정공기의 다운플로우를 형성하는 에어커튼(71,72)이 구비된다.
도 3을 참조하면, 상기 플라즈마 세정수단(10)은 대기압 분위기에서 플라즈마를 발생시켜, 기판의 유기물을 제거하는 것으로서, 대기압 분위기의 하우징(10)과, 상기 하우징(10)의 상측판에 공정가스가 유입되도록 개구된 홀(12)과, 상기 하우징(10)의 하측에 설치되는 하부 그라운드 전극(13)과, 상기 하부 그라운드 전극(13)의 상방에 설치되는 고전압 전극(14)과, 상기 고전압 전극(14)의 상방에 설치되는 상부 그라운드 전극(15)을 포함한다. 상기 하부 및 상부 그라운드 전극(13,15)에는 다수개의 홀이 형성되어 있음을 알 수 있다.
이와 같이 구성된 플라즈마 세정수단(10)은 3중 전극구조를 취함으로써 플라즈마 방전 및 라디칼 밀도가 향상된다. 또한 가스를 고전압 전극의 양끝으로 플로우시켜 플라즈마 밀도가 향상된다.
도 4를 참조하면, 상기 버블 세정수단(20)은 초순수를 저장, 공급하는 원수저장탱크(21)와, 상기 초순수가 공급되는 공급관(22)과, 상기 초순수와 공기를 혼합하여 미세버블을 형성하는 믹싱부(25)와, 펌프(24)와, 믹싱부(25)에서 생성된 버블을 이송하는 이송관(26)과, 상기 버블을 저장하는 제1 및 제2 버블 저장탱크(27,28)와, 상기 제2 버블 저장탱크(28)에 저장된 버블을 노즐(미도시)로 토출하는 토출관(29)과, 상기 토출관의 끝단에 연결되어 상기 버블을 기판의 표면에 도포하는 노즐을 포함하여 구성된다. 또한 상기 원수 저장탱크(21)는 상기 초순수를 25~99℃로 가열하는 가열부(미도시)가 구비된다.
도 5a를 참조하면, 상기 에어 나이프(40)는 기판의 상부 및 하부에 근접하게 설치되는 상부 에어나이프(41)와, 하부 에어나이프(42)로 구성된다.
또한 상기 상부 에어나이프(41)와 기판, 하부 에어나이프(42)와 기판 사이의 갭을 표시하는 인디게이터(43)가 구비된다. 상기 인디게이터(43)는 상기 상부 및 하부 에어나이프의 좌측 및 우측 단부에 각각 구비된다.
도 5b를 참조하면, 상기 인디게이터(43)는 상기 에어나이프(41,42)의 일측에 연결되는 브라켓(43a)을 관통하는 볼트(43b)로 연결되며, 상기 기판과 에어나이프 사이의 갭을 숫자로 표시하는 표시부(43c)가 구비된다. 따라서 상기 에어나이프(41,42)를 기판과 소정의 갭을 유지한 채 설치하게 되면, 상기 표시부(43c)에 특정 숫자가 표시될 것이고, 만약, 에어나이프(41,42)가 유동하여 기판과의 갭이 변경되는 경우에는 상기 표시부(43c)에 다른 숫자가 표시되는 것이다.
일반적으로 에어나이프(40)는 기판의 이송방향과 직교인 가상선과의 사잇각이 45°이상되도록 설치되었으나, 이 경우 장비 길이가 길어진다. 따라서 본 발명에서는 도 6과 같이, 상기 에어나이프(40)는 상기 기판(S)의 이송방향(화살표 참조)과 직교인 가상선과의 사잇각(α)이 10~20°의 범위로 경사지도록 설치된다.
한편, 도 7을 참조하면, 본 실시예는 기판은 수평면으로부터 소정각도(β) 기울어진 상태로 이송된다. 이를 위해 컨베이어(80)가 소정각도(β) 경사지게 설치된다.
도 8을 참조하면, 상기 마그네틱 컨베이어(80)는 투명 차폐부재(B)를 사이에 두고, 원형의 구동 디스크(82)와 종동디스크(83)가 구비된다.
상기 구동 디스크(82)는 일측에 구동원(미도시)의 동력이 전달되는 구동축(81)이 연결되고, 상기 종동 디스크(83)는 기판을 이송하는 이송롤러(84)가 연결된다.
도 9를 참조하면, 상기 구동 디스크(82)는 비자성체인 스테인리스 스틸 재질의 케이싱(82a)이 구비되며, 상기 케이싱의 수용공간(82b)에 내장되는 원형의 자석부(82c)가 구비된다. 특히, 상기 원형의 자석부는 각각 부채꼴 형태의 자석편(82d)들을 조합하여 이루어진다. 보다 구체적으로는 부채꼴 형태의 자석편(82d)들을 N극과 S극을 교대로 조합하는 것이다.
또한 상기 케이싱(82a)에는 자석부(82c)와 후측커버(82f) 사이에 자성체 플레이트(82e)가 더 구비되는데, 이로 인해 상기 자석부(82c)의 자력을 전측으로 집중시키기 위한 것이다.
상기 종동 디스크(83)도 상기 구동 디스크(82)와 동일한 구조로 구성된다.
도 10을 참조하면, 상기 구동원에 의해 구동축(81)과 구동 디스크(82)가 회전하면, 이와 마주보고 이격설치된 종동 디스크(83)는 토크에 의해 함께 회전하게 된다. 이러한 종동 디스크(83)의 회전으로 이송롤러(84)가 회전되어 기판을 일방향으로 이송할 수 있는 것이다.
이하에서는 본 발명에 의한 기판 세정장치의 작동상태 및 이에 의한 기판 세정방법을 설명한다.
로딩된 기판은 마그네틱 컨베이어(80)가 비접촉방식으로 일 방향으로 이송한다. 따라서 기어 구동 등의 접촉방식의 기판이송보다 파티클이 발생할 여지가 적다.
특히, 구동디스크(82) 또는 종동 디스크(83)를 원통형 자석편을 삽입하는 방식에 비해 부채꼴 형태의 자석편(82d)을 조합하여 구성함으로써 강력한 토크가 발생하고, 슬립이 방지되고, 구동효율이 증대된다.
이와 같이 이송된 기판은 먼저, 플라즈마 세정수단(10)에서 발생된 플라즈마에 의해 상하부 표면에 있는 유기물이 제거된다.
다음으로, 버블 세정수단(20)에 의해 기판의 표면에 버블을 도포한다. 도포된 버블은 수축하여 파열되면서 미세진동을 유발하는데, 이러한 미세진동으로 기판에 있는 파티클이 제거되는 것이다. 특히, 상기 버블은 기판의 패턴 사이의 미세한 갭에도 침투할 수 있기 때문에 세정효과가 탁월하다.
상기 버블은 또한 수축하여 파열하면서 버블 내부의 압력과 온도가 올라간다. 더욱이, 본 발명에서는 초순수를 예비가열하여 버블을 생성하기 때문에 파티클이나 유기물 세정효과가 더욱 상승된다.
한편, 미세직경의 버블은 (-)로 대전되기 때문에 (+)로 대전된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.
이러한 미세직경의 버블을 이용한 기판 세정효과에 대하여는 실험예를 통해 후술하도록 한다.
다음으로, 린싱부(30)에서 기판에 물을 분사하여 세정하고, 에어나이프(40)에서 분사된 고압공기로 기판을 건조한다.
또한 이오나이저(50)는 상기 기판에 남아 있는 정전기를 제거하고, 적외선히터(60)는 기판을 최종건조하고 언로딩한다.
도 11a 내지 도 13b를 참조하여 미세직경의 버블을 이용한 세정효과를 살펴본다.
도 11a는 세정 전 TFT기판(t=0.7mm)을 150배율로 촬영한 이미지이고, 도 11b는 도 11a에 도시된 기판을 버블을 이용하여 세정한 후의 이미지를 도시한 것이다. 도 11b에서는 컬릿(cullet)이 현저히 제거된 것을 알 수 있다.
도 12a는 세정 전 TFT기판(t=0.7mm)을 150배율로 촬영한 이미지이고, 도 12b는 도 12a에 도시된 기판을 에어나이프로 고압공기를 분사하여 건식세정한 후의 이미지이고, 도 12c는 본 발명에 의해 버블을 이용하여 세정한 후의 이미지를 도시한 것이다. 여기서 건식세정조건은 공기압 0.3MPa, 거리 4mm이다.
이를 통해 본 발명에 의한 세정방법이 고압공기 분사방식보다 세정효과가 탁월한 것을 알 수 있다.
도 13a는 처리대상인 기판의 구조를 나타낸 것이고, 도 13b는 도 13a에 도시된 구조의 기판을 버블을 이용한 세정과, 초음파에 의한 세정 후 각각의 패턴 손상발생율을 나타낸 것이다. 초음파에 의한 세정방식은 스프레이 중심으로부터의 거리가 5~10mm 사이에서 패턴 손상이 극심한 것을 알 수 있다. 이와 달리, 버블을 이용한 세정방법은 스프레이 중심으로부터의 거리와 관계없이 패턴의 손상이 거의 없는 것을 알 수 있다(1Map의 면적 = 0.62mm2).
한편, 하기의 표 1은 기존 롤 브러쉬방식으로 기판을 세정한 후, 파티클(P/T)의 크기에 따라 제거율을 나타낸 것이고, 표 2는 버블을 이용하여 기판을 세정한 후, 파티클의 크기에 따라 제거율을 나타낸 것이다.
즉, 롤 브러쉬방식보다 버블을 이용하는 방식이 파티클 제거율이 현저하게 높게 나타났다.

Claims (33)

  1. 플라즈마를 발생시켜 기판을 세정하는 플라즈마 세정수단;
    상기 기판에 미세직경의 버블을 도포하는 버블 세정수단; 및
    상기 기판을 건조하는 히팅수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 세정수단은,
    대기압 분위기의 하우징;
    다수개의 홀이 형성된 그라운드 전극; 및
    상기 그라운드 전극의 상방에 형성된 고전압 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 고전압 전극의 상방에 다수개의 홀이 형성된 그라운드 전극이 더 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 버블세정수단은,
    원수 저장탱크;
    상기 원수 저장탱크에서 공급된 원수와 공기를 혼합하여 미세버블을 형성하는 믹싱부;
    상기 믹싱부에서 생성된 미세버블을 저장하는 버블 저장탱크; 및
    상기 버블 저장탱크에서 공급된 미세버블을 상기 기판에 도포하는 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 원수는 초순수인 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 원수 저장탱크에는 상기 원수를 가열하는 가열부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 원수를 25~99℃의 범위로 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 히팅수단은 적외선히터인 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 세정수단, 버블 세정수단 및 히팅수단은 상기 기판의 상하방향에 대칭되게 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판에 물을 분사하여 세정하는 린싱부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기판에 공기를 분사하는 에어나이프가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 에어나이프는 상기 기판의 이송방향과 직교인 가상선과의 사잇각이 10~20°의 범위로 경사지도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 에어나이프는 상기 기판과의 갭을 표시하는 인디게이터가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기판에 남아있는 정전기를 제거하는 이오나이저가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 향하여 청정공기의 다운플로우를 형성하는 에어커튼이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 마그네틱 컨베이어에 의해 이송되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 마그네틱 컨베이어는,
    구동원;
    상기 구동원에 의해 회전되며, 부채꼴 형태의 자석편들을 조합하여 이루어지는 원형의 구동 디스크;
    상기 구동 디스크와 마주보고 이격설치되며, 상기 구동 디스크의 회전으로 자력에 의해 회전되는 종동 디스크; 및
    상기 종동 디스크에 연결되는 이송롤러;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 구동 디스크 또는 종동 디스크는 상기 자석편들을 내장하는 원통형의 케이싱이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 케이싱은 비자성체인 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 케이싱은 스테인리스스틸 재질인 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 케이싱에는 N극과 S극의 상기 자석편이 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 케이싱에는 상기 자석편들의 후측에 자성체 플레이트가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  23. 제17항에 있어서,
    상기 이송롤러는 수평면으로부터 경사지게 설치되어, 상기 기판을 기울어진 상태로 이송하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  24. 1) 기판의 표면에 부착된 유기물을 제거하는 단계;
    2) 상기 기판의 표면에 부착된 파티클을 제거하는 단계; 및
    3) 상기 기판을 건조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 1)단계는 대기압에서 플라즈마를 발생시키고, 상기 기판을 상기 플라즈마에 노출시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 2)단계는 상기 기판의 표면에 미세직경의 버블을 도포하고, 도포된 상기 버블이 파열되면서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 2)단계는 초순수를 공기와 혼합하여 상기 버블을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 초순수는 25~99℃의 범위로 가열된 상태에서 공기와 혼합되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  29. 제24항에 있어서,
    상기 1)단계 내지 3)단계는 상기 기판의 상하표면을 대상으로 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  30. 제24항에 있어서,
    상기 2)단계 후에,
    상기 기판에 물을 분사하여 세정하는 린싱단계가 더 부가되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  31. 제24항에 있어서,
    상기 3)단계 전에,
    상기 기판에 공기를 분사하여 상기 기판을 건조하는 단계가 더 부가되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  32. 제24항에 있어서,
    상기 3)단계 전에,
    상기 기판에 남아있는 정전기를 제거하는 단계가 더 부가되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  33. 제24항에 있어서,
    상기 3)단계 전에,
    상기 기판에 플라즈마를 발생시켜 기판의 표면에 부착된 유기물을 제거하는 단계가 더 부가되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101140730B1 (ko) * 2010-07-08 2012-05-03 한국철강 주식회사 태양전지용 플렉서블 기판의 처리방법
KR101271302B1 (ko) * 2010-06-17 2013-06-04 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 세정 방법 및 세정 장치
CN112439573A (zh) * 2019-09-02 2021-03-05 细美事有限公司 喷嘴,包括该喷嘴的基板处理装置以及基板处理方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101373417B1 (ko) * 2013-08-07 2014-03-14 손용진 코팅유리 세척장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100781346B1 (ko) * 2000-12-30 2007-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 글라스 습식 세정장치
KR100481156B1 (ko) * 2001-07-05 2005-04-07 (주)케이.씨.텍 건조장치
KR100780353B1 (ko) * 2006-11-27 2007-11-30 삼성전자주식회사 기판의 건식 세정공정

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101271302B1 (ko) * 2010-06-17 2013-06-04 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 세정 방법 및 세정 장치
CN104307780A (zh) * 2010-06-17 2015-01-28 芝浦机械电子装置股份有限公司 清洗方法和清洗装置
KR101140730B1 (ko) * 2010-07-08 2012-05-03 한국철강 주식회사 태양전지용 플렉서블 기판의 처리방법
CN112439573A (zh) * 2019-09-02 2021-03-05 细美事有限公司 喷嘴,包括该喷嘴的基板处理装置以及基板处理方法
US11529655B2 (en) 2019-09-02 2022-12-20 Semes Co., Ltd. Nozzle, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
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