KR20090099060A - 경화성 실리콘 조성물 및 전자 부품 - Google Patents

경화성 실리콘 조성물 및 전자 부품 Download PDF

Info

Publication number
KR20090099060A
KR20090099060A KR1020097013185A KR20097013185A KR20090099060A KR 20090099060 A KR20090099060 A KR 20090099060A KR 1020097013185 A KR1020097013185 A KR 1020097013185A KR 20097013185 A KR20097013185 A KR 20097013185A KR 20090099060 A KR20090099060 A KR 20090099060A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
component
formula
curable silicone
silicone composition
group
Prior art date
Application number
KR1020097013185A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101410337B1 (ko
Inventor
요시쓰구 모리타
도모코 가토
Original Assignee
다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 filed Critical 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드
Publication of KR20090099060A publication Critical patent/KR20090099060A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101410337B1 publication Critical patent/KR101410337B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/15—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring
    • C08K5/151—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring having one oxygen atom in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)

Abstract

본 발명은 우수한 취급작업성 및 감소된 오일-블리딩을 특징으로 하고, 경화시 우수한 가요성 및 접착성을 갖는 경화물을 형성하는, 에폭시-함유 오가노폴리실록산(A), 에폭시 수지용 경화제(B) 및 특정 화학식의 에폭시 화합물(C)을 적어도 포함하는 경화성 실리콘 조성물에 관한 것이다.
취급작업성, 감소된 오일-블리딩, 가요성, 접착성, 경화성 실리콘 조성물.

Description

경화성 실리콘 조성물 및 전자 부품{Curable silicone composition and electronic component}
본 발명은 경화성 실리콘 조성물 및 전자 부품에 관한 것이다. 보다 특히, 본 발명은 우수한 취급작업성 및 감소된 오일-블리딩(oil-bleeding)을 특징으로 하고, 경화시 우수한 가요성 및 접착성의 경화물을 형성하는 경화성 실리콘 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 언급한 조성물의 경화물에 의해 봉지되거나 접착되고 우수한 신뢰성을 특징으로 하는 전자 부품에 관한 것이다.
종래, 전기 및 전자 부품의 봉지제 및 접착제에 사용되고 있던 경화성 수지 조성물, 예를 들면, 경화성 에폭시 수지 조성물 등을 경화시켜 수득한 경화물은 높은 탄성률 및 이에 따른 높은 강성을 특징으로 한다. 따라서, 이러한 경화물을 전기 또는 전자 부품과 함께 사용하는 것은, 예를 들면, 열팽창 조건하에 발생되는 높은 응력의 발생과 같은 문제점과 관련된다. 상기 언급한 조성물의 경화물의 사용과 관련된 또 다른 문제점은, 전기 또는 전자 부품 또는 기판의 좌굴(buckling) 및, 수지 경화물의 균열 또는 경화된 수지와 전기 또는 전자 부품 사이의 계면에서 의 틈 형성이고, 이는 일부 경우에 각각의 부품의 파괴를 야기할 수 있다.
상기 언급한 경화물에서 발생할 수 있는 응력을 감소시키기 위하여, 에폭시-함유 오가노폴리실록산 및 오가노폴리실록산 수지용 경화제로부터 경화성 실리콘 조성물을 제조하는 것이 제안되었다[참조: 일본 미심사 공개특허공보(이후, "공개 공보"라고 함) 제2005-154766호, 제2006-306953호 및 제2006-306954호]. 그러나, 이러한 경화성 실리콘 조성물이 전기 또는 전자 부품의 접착제에 사용되는 경우, 경화물의 외부 표면으로의 조성물의 일부 성분의 오일-블리딩 문제가 발생하고, 이는 부품을 오염시킨다.
본 발명의 목적은, 우수한 취급작업성 및, 감소된 오일-블리딩 및 우수한 가요성 및 접착성을 특징으로 하는 경화물의 형성 가능성을 특징으로 하는 경화성 실리콘 조성물을 제공하는 것이다. 또 다른 목적은 신뢰성이 우수한 전자 부품을 제공하는 것이다.
발명에 대한 설명
보다 특히 본 발명은 하기 성분들을 적어도 포함하는 경화성 실리콘 조성물을 제공한다:
(A) 1개 분자 내에 2개 이상의 에폭시-함유 1가 유기 그룹을 함유하고, 화학식 1의 평균 단위식으로 나타내는 오가노폴리실록산(A1) 및/또는 화학식 2의 디오가노폴리실록산(A2),
(B) 에폭시 수지용 경화제 및
(C) 화학식 4의 에폭시 화합물.
(R1 3SiO1 /2)a(R2 2SiO2 /2)b(R3SiO3 /2)c
위의 화학식 1에서,
R1, R2 및 R3은 동일하거나 상이할 수 있고, 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹 또는 에폭시-함유 1가 탄화수소 그룹을 나타내지만, R3으로 나타낸 그룹의 20mole% 이상은 아릴 그룹이고,
a, b 및 c는 0≤a≤0.8, 0≤b≤0.8, 0.2≤c≤0.9 및 a+b+c=1의 조건을 만족시키는 수이다.
A-R5-(R4 2SiO)mR4 2Si-R5-A
위의 화학식 2에서,
R4는 불포화된 지방족 결합을 갖지 않는, 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹이고,
R5는 2가 유기 그룹이고,
A는 화학식 3의 평균 단위식으로 나타내는 실록산 잔기 라디칼이고,
m은 1 이상의 정수이다.
(XR4 2SiO1/2)d(SiO4/2)e
위의 화학식 3에서,
R4는 상기 정의한 바와 동일하고,
X는 단일 결합, 수소 원자, R4로 나타낸 그룹, 에폭시-함유 1가 유기 그룹 또는 알콕시실릴알킬 그룹이지만, 1개 분자 내에서 X로 나타낸 1개 이상의 그룹은 단일 결합이고, X로 나타낸 2개 이상의 그룹은 에폭시-함유 1가 유기 그룹이고,
d는 양수이고,
e는 양수이고,
d/e는 0.2 내지 4 범위의 수이다.
Figure 112009038449449-PCT00001
위의 화학식 4에서,
R8은 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 그룹이고,
f는 0 내지 4의 정수이다.
또한, 본 발명에 따른 전자 부품은 상기 언급한 경화성 실리콘 조성물을 사용하여 봉지하거나 접착시킨 것이다.
발명의 효과
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은, 우수한 취급작업성을 특징으로 하고, 오일-블리딩이 감소됨으로 인해 경화물의 표면의 오염이 적기 때문에 효과적이다. 또한, 조성물의 경화물은 다양한 기판에 접착될 수 있고, 우수한 가요성 및 접착성을 가지며, 열팽창 효과하에 감소된 내부 응력이 발생한다. 또한, 본 발명에 따라 제조된 전자 부품이 상기 기재한 경화성 실리콘 조성물의 경화물을 사용하여 봉지되거나 접착되기 때문에 이들 부품은 우수한 신뢰성을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 전자 부품의 일례로서의 LSI의 단면도이다.
참조 번호:
1 반도체 소자
2 기판
3 볼 그리드(ball grid)
4 히트 스프레더(heat spreader)
5 접착재
6 방열재
7 방열판
8 방열재
먼저, 본 발명의 경화성 실리콘 조성물을 보다 상세히 설명한다.
조성물의 성분(A)는 조성물의 주 성분이다. 당해 성분은 화학식 1의 평균 단위식으로 나타내는 오가노폴리실록산(A1) 및/또는 화학식 2의 디오가노실록산(A2)이다.
화학식 1
(R1 3SiO1 /2)a(R2 2SiO2 /2)b(R3SiO3 /2)c
화학식 2
A-R5-(R4 2SiO)mR4 2Si-R5-A
성분(A1)에서, R1, R2 및 R3은 동일하거나 상이하며, 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹 또는 에폭시-함유 1가 유기 그룹으로 구성된다. 상기 언급한 1가 탄화수소 그룹은 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, 2급-부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실 또는 유사한 알킬 그룹; 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸 또는 유사한 사이클로알킬; 비닐, 알릴, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐 또는 유사한 알케닐 그룹; 페닐, 톨릴, 크실릴 또는 유사한 아릴 그룹; 벤질, 펜에틸, 페닐프로필 또는 유사한 아르알킬 그룹; 및 클로로메틸, 3-클로로프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필 또는 유사한 할로겐화 알킬 그룹일 수 있다. 알킬 및 아릴 그룹, 특히 메틸 및 페닐 그룹이 가장 바람직하다. 에폭시-함유 1가 유기 그룹은 2-글리시독시에틸, 3-글리시독시프로필, 4-글리시독시부틸 또는 유사한 글리시독시알킬 그룹; 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸, 3-(3,4-에폭시사이클로헥실)프로필, 2-(3,4-에폭시-3-메틸사이클로헥실)-2-메틸에틸 또는 유사한 에폭시사이클로알킬알킬 그룹; 및 4-옥시라닐부틸, 8-옥시라닐옥틸 또는 유사한 옥시라닐알킬 그룹일 수 있다. 이들 그룹 중에서, 글리시독시알킬 및 에폭시사이클로알킬알킬 그룹, 특히 3-글리시독시프로필 및 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸 그룹이 가장 바람직하다. 화학식 1에서, R1, R2 및 R3으로 나타낸 2개 이상의 그룹은 상기 언급한 에폭시-함유 1가 유기 그룹이다.
화학식 1에서, R3의 전체 그룹 중의 20mol% 이상, 바람직하게는 50mol% 이상, 가장 바람직하게는 80mol%이상은 아릴 그룹이다. 1개 분자 내의 R3으로 나타낸 전체 그룹에 대한 아릴 그룹의 함유량이 권고된 하한치보다 낮은 경우, 이는 조성물로부터 수득한 경화물의 접착성을 저하시키거나 경화물의 기계적 강도를 감소시킬 것이다. 이러한 아릴 그룹은 페닐 그룹을 포함하는 것이 권고된다.
화학식 1에서, a, b 및 c는 0≤a≤0.8, 0≤b≤0.8, 0.2≤c≤0.9 및 a+b+c=1의 조건을 만족시키는 수이다. 화학식 1에서, a는 화학식 R1 3SiO1/2의 실록산 단위의 비를 나타내는 수이다. 당해 성분이 화학식 R3SiO3/2의 실록산 단위로만 구성되는 경우, 당해 성분은 지나치게 점성이 되고, 이는 수득된 조성물의 취급작업성을 저하시키기 때문에, a는 0<a≤0.8, 바람직하게는 0.3≤a≤0.8의 조건을 만족시키는 것이 권고된다. 화학식 1에서, b는 화학식 R2 2SiO2/2의 실록산 단위의 비를 나타내는 수이다. 당해 성분이 최적의 분자량을 갖도록 하고, 수득된 경화물로부터 당해 성분이 블리딩되는 것을 방지하고, 기계적 강도가 우수한 경화물을 제공하기 위해, b는 0≤b≤0.6의 조건을 만족시키는 수이어야 한다. 화학식 1에서, c는 화학식 R3SiO3/2의 실록산 단위의 비를 나타낸다. 조성물의 우수한 취급작업성을 제공하고 우수한 접착성, 우수한 기계적 강도 및 가요성을 갖는 경화물을 제공하기 위하여, c는 0.4≤c≤0.9의 조건을 만족시키는 수이어야 한다.
성분(A1) 중의 에폭시-함유 1가 유기 그룹의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 상기 그룹을 당해 성분의 에폭시 당량(이는 당해 성분의 질량 평균 분자량을 1개 분자 내의 에폭시 그룹의 수로 나누어 얻은 수이다)이 100 내지 2,000, 바람직하게는 100 내지 1,000, 가장 바람직하게는 100 내지 700의 범위로 되도록 사용할 것이 권고된다. 에폭시 당량이 권고된 하한치 미만인 경우, 조성물로부터 수득된 경화물의 가요성이 저하될 것이다. 반면, 에폭시 당량이 권고된 상한치를 초과하는 경우, 조성물의 경화능이 저하되고, 조성물의 경화에 의해 수득된 경화물의 접착성 및 기계적 강도가 감소될 것이다. 또한, 성분(A1)은 하나의 유형의 오가노폴리실록산 또는 2가지 이상의 유형의 오가노폴리실록산의 혼합물을 포함할 수 있다. 25℃에서의 성분(A1)의 형태는 특별히 한정되지 않으며, 액체 또는 고체 형태일 수 있다. 성분(A1)이 고체 형태인 경우, 다른 성분과 균일하게 혼합하기 위하여 성분(A1)을 유기 용매에 용해시키거나 가열할 수 있다. 우수한 배합성 및 취급작업성의 관점에서 25℃에서 액체 형태인 당해 성분을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 성분(A1)의 질량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 당해 특성이 500 내지 10,000, 바람직하게는 750 내지 3,000의 범위인 것이 권고될 수 있다.
상기 언급한 성분(A1)은 하기 화학식들의 오가노폴리실록산으로 예시될 수 있고, 하기 화학식들에서, a, b 및 c는 위에서 정의한 바와 같지만, a 및 b는 둘 다 0일 수 없고, c' 및 c"는 0.1<c'<0.8, 0<c"<0.2, 0.2≤(c'+c")≤0.9 및 0.2≤c'/(c'+c")의 조건을 만족시켜야 하는 수이고, G는 3-글리시독시프로필 그룹이고, E는 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸 그룹이다.
Figure 112009038449449-PCT00002
성분(A1)의 제조방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 하기 방법들이 가능하다:
(1) 에폭시-함유 1가 유기 그룹을 갖는 알콕시실란, 예를 들면, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 또는 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란을 페닐트리알콕시실란과 공가수분해 및 축합시키는 방법;
(2) 상기 언급한 에폭시-함유 1가 유기 그룹을 갖는 알콕시실란과, 페닐트리클로로실란 또는 페닐트리알콕시실란을 가수분해 및 축합시켜 수득한 실란올 함유 오가노폴리실록산을, 탈알코올화 반응시키는 방법;
(3) 페닐트리클로로실란 또는 페닐트리알콕시실란을 디메틸클로로실란 함유 실란의 존재하에 또는 규소 결합된 수소 원자를 갖는 유사한 실란의 존재하에 공가수분해 및 축합시켜 제조한 규소 결합된 수소 원자를 갖는 오가노폴리실록산과 에폭시-함유 1가 유기 그룹을 갖는 올레핀과의 하이드로실릴화 반응을 수행하는 방법;
(4) 페닐트리클로로실란 또는 페닐트리알콕시실란을 가수분해 및 축합시켜 제조한 오가노폴리실록산과, 양쪽 분자 말단이 트리메틸실록시 그룹으로 캡핑된 디메틸실록산과 메틸{2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸}실록산과의 공중합체 또는 양쪽 분자 말단이 트리메틸실록시 그룹으로 캡핑된 디메틸실록산과 메틸(3-글리시독시프로필)실록산의 공중합체를 염기성 촉매의 존재하에 평형 반응시키는 방법;
(5) 화학식 C6H5SiO3 /2의 실록산 단위로 구성된 오가노폴리실록산과, 사이클릭 메틸{2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸}실록산 또는 사이클릭 메틸(3-글리시독시프로필)실록산을 염기성 촉매의 존재하에 평형 반응시키는 방법 또는
(6) 화학식 C6H5SiO3 /2의 실록산 단위로 구성된 오가노폴리실록산과, 사이클릭 메틸{2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸} 실록산 또는 사이클릭 메틸(3-글리시독시프로필)실록산 및 사이클릭 디메틸실록산을 산성 또는 염기성 촉매의 존재하에 평형 반응시키는 방법.
성분(A2)에서, R4는 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹일 수 있다. R4 그룹의 특정 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, 2급-부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실 또는 유사한 알킬 그룹; 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸 또는 유사한 사이클로알킬 그룹; 페닐, 톨릴, 크실릴 또는 유사한 아릴 그룹; 벤질, 펜에틸, 페닐프로필 또는 유사한 아르알킬 그룹; 3-클로로프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필 또는 유사한 할로겐화 알킬 그룹이 있다. 알킬 그룹, 특히 메틸 그룹이 가장 바람직하다. 화학식 2에서, R5는 2가 유기 그룹, 예를 들면, 에틸렌, 메틸에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌 또는 유사한 알킬렌 그룹; 에틸렌옥시에틸렌, 에틸렌옥시프로필렌, 에틸렌옥시부틸렌, 프로필렌옥시프로필렌 또는 유사한 알킬렌옥시알킬렌 그룹이다. 알킬렌 그룹, 특히 에틸렌 그룹이 바람직하다. 화학식 2에서, m은 1 이상의 정수이고, 분자의 주쇄에 함유된 디오가노폴리실록산의 중합도를 나타낸다. 조성물의 경화물의 개선된 가요성의 관점에서, m은 10 이상 이어야 한다. m 값의 상한은 특별히 한정되지 않지만, m이 500을 초과하지 않는 값인 것이 바람직하다.
추가로 화학식 2에서, A는 화학식 3의 평균 단위식으로 나타내는 실록산-잔기 라디칼이다.
화학식 3
(XR4 2SiO1/2)d(SiO4/2)e
위의 화학식 3에서,
R4는 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹이다.
당해 그룹은 상기 예시된 바와 동일할 수 있고, 이들 중 알킬 그룹, 특히 메틸 그룹이 바람직하다. 화학식 3에서, X는 단일 결합, 수소 원자, R4로 나타낸 그룹, 에폭시-함유 1가 유기 그룹 또는 알콕시실릴알킬 그룹이다. R4로 나타낸 그룹들은 위에 기재한 바와 동일한 그룹으로 예시될 수 있다. 상기한 에폭시-함유 1가 유기 그룹은 R1, R2 및 R3로 나타낸 것들과 동일할 수 있다. 알콕시실릴알킬 그룹은 트리메톡시실릴에틸, 트리메톡시실릴프로필, 디메톡시메틸실릴프로필, 메톡시디메틸실릴프로필, 트리에톡시실릴에틸 또는 트리프로폭시실릴프로필 그룹으로 예시될 수 있다. 그러나, 1개 분자 내에서 1개 이상의 X 그룹은 단일 결합이고, 당해 결합은 상기 언급한 디오가노폴리실록산 중의 R5 그룹에 결합하기 위해 사용된다. 또한, 1개 분자 내의 1개 이상의 X 그룹은 에폭시-함유 1가 유기 그룹, 바람직하게는 글리시독시알킬 그룹, 가장 바람직하게는 3-글리시독시프로필 그룹을 포함해야 한다. 화학식 3에서, d는 양수이고, e는 양수이고, d/e는 0.2 내지 4의 수이다.
성분(A2)의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 질량 평균 분자량이 500 내지 1,000,000의 범위인 것이 권고된다. 또한, 25℃에서의 성분(A2)의 형태는 특별히 한정되지 않지만, 액체 형태가 바람직하다. 25℃에서의 성분(A2)의 점도는 50 내지 1,000,000mPaㆍs이다. 성분(A2)의 제조방법은, 예를 들면, 일본 공개특허공보 제H06-56999호에 기재되어 있다.
본 발명의 조성물에서, 성분(A)는 상기 언급한 성분(A1) 또는 성분(A2) 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 성분(A)가 성분(A1)과 성분(A2)의 혼합물인 경우, 성분(A2)가 사용될 수 있는 양은 특별히 한정되지 않지만, 성분(A2)를 성분(A1) 100질량부당 0.1 내지 800질량부, 바람직하게는 1 내지 500질량부, 가장 바람직하게는 10 내지 200질량부의 양으로 함유되는 것이 권고된다. 성분(A2)가 권고된 하한치보다 적은 양으로 사용되는 경우, 조성물의 경화에 의한 경화물의 가요성이 저하될 것이고, 다른 한편으로, 성분(A2)의 함유량이 권고된 상한치를 초과하는 경우, 수득된 조성물은 증가된 점도를 가지게 될 것이다.
에폭시 수지용 경화제인 성분(B)는 성분(A)의 에폭시 그룹과 반응하고 조성물의 경화를 위한 제제로서 사용된다. 당해 제제는 에폭시 그룹과 반응하는 관능성 그룹을 1개 분자 내에 2개 이상 함유하는 성분인 것이 권고된다. 상기 언급한 관능성 그룹으로는 1급 아민 그룹, 2급 아민 그룹, 하이드록실 그룹, 페놀성 하이드록실 그룹, 카복실산 그룹, 산 무수물 그룹, 머캅토 그룹 또는 실란올 그룹이 예시된다. 보다 양호한 반응성 및 가사 시간(pot life)의 관점에서, 페놀성 하이드록실 그룹이 바람직하다. 특히, 성분(B)는 페놀성 하이드록실 그룹, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A형 화합물 또는 유사한 페놀계 수지; 및 페놀성 하이드록실 그룹을 갖는 오가노폴리실록산을 함유하는 화합물을 포함하는 것이 권고된다. 페놀성 하이드록실 그룹을 1개 분자 내에 2개 이상 함유하는 오가노실록산을 사용하는 것이 바람직하다. 페놀성 하이드록실 그룹의 당량(이는 당해 성분의 질량 평균 분자량을 1개 분자 중에 함유된 페놀성 하이드록실 그룹의 수로 나누어 수득된 값이다)은, 1,000을 초과하지 않으며, 더욱 우수한 반응성을 위해서는 500을 초과하지 않을 것이 권고된다.
성분(B)의 페놀성 하이드록실 그룹을 갖는 오가노실록산의 제공이 조성물의 경화에 의해 수득된 경화물의 가요성을 개선시키기 때문에, 화학식 5의 오가노실록산이 권고된다.
R6 3Si0(R6 2SiO)nSiR6 3
위의 화학식 5에서,
R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹 또는 페놀성 하이드록실 그룹을 함유하는 1가 유기 그룹이다.
상기 언급한 1가 탄화수소 그룹은 상기 예시된 바와 같고, 이들 중 알킬 그룹 및 아릴 그룹이 바람직하고, 특히 메틸 그룹 및 페닐 그룹이 바람직하다. 페놀성 그룹을 함유하는 유기 그룹들은 하기 화학식들로 나타내는 그룹들로 예시될 수있다. 이러한 하기 화학식들에서, R7은 2가 유기 그룹, 예를 들면, 에틸렌, 메틸에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌 또는 유사한 알킬렌 그룹; 에틸렌옥시에틸렌, 에틸렌옥시프로필렌, 에틸렌옥시부틸렌, 프로필렌옥시프로필렌 또는 유사한 알킬렌옥시알킬렌 그룹이다. 알킬렌 그룹, 특히 프로필렌 그룹이 바람직하다.
Figure 112009038449449-PCT00003
Figure 112009038449449-PCT00004
화학식 5에서, n은 0 내지 1,000, 바람직하게는 0 내지 100, 가장 바람직하게는 0 내지 20의 범위의 정수이다. n이 권고된 상한치를 초과하는 경우, 이는 성분(A)와의 배합성 및 산업적 취급작업성을 저하시킬 것이다.
상기 언급한 성분(B)는 아래에 제시된 화학식들의 오가노실록산(여기서, x는 1 내지 20의 정수이고, y는 2 내지 10의 정수이다)들로 예시된다.
Figure 112009038449449-PCT00005
Figure 112009038449449-PCT00006
Figure 112009038449449-PCT00007
Figure 112009038449449-PCT00008
성분(B)의 제조에 사용될 수 있는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 성분(B)는 규소 결합된 수소 원자를 갖는 오가노폴리실록산과 알케닐 함유 페놀 화합물을 하이드로실릴화 반응시켜 수득할 수 있다.
25℃에서의 성분(B)의 형태는 특별히 한정되지 않으며, 이는 액체 또는 고체 형태일 수 있다. 다른 성분들과의 더욱 용이한 취급작업성의 관점에서 액체 형태가 바람직하다. 25℃에서의 성분(B)의 점도는 1 내지 1,000,000mPaㆍs, 바람직하게는 10 내지 5,000mPaㆍs의 범위인 것이 권고된다. 25℃에서의 점도가 권고된 하한치보다 낮은 경우, 수득한 경화물은 기계적 강도가 저하될 것이다. 반면, 점도가 권고된 상한치를 초과하는 경우, 이는 조성물의 산업적 취급작업성을 저하시킬 것이다.
성분(B)가 조성물에 사용될 수 있는 양은 특별히 한정되지 않지만, 성분(B)를 성분(A) 100질량부당 일반적으로 0.1 내지 500질량부, 바람직하게는 0.1 내지 200질량부의 양으로 사용하는 것이 권고된다. 성분(B)가 페놀성 하이드록실 그룹을 함유하는 경우, 조성물에 함유된 전체 에폭시 그룹에 대한 성분(B)에 함유된 페놀성 하이드록실 그룹의 몰 비는 0.2 내지 5, 바람직하게는 0.3 내지 2.5, 가장 바람직하게는 0.8 내지 1.5인 것이 권고된다. 조성물에 함유된 전체 에폭시 그룹에 대한 성분(B)에 함유된 페놀성 하이드록실 그룹의 몰 비가 권고된 하한치보다 낮은 경우, 수득된 조성물의 완전한 경화를 보장하기 어려울 것이다. 반면, 상기 언급한 비가 권고된 상한치를 초과하는 경우, 이는 조성물로부터 수득한 경화물의 기계적 성질을 저하시킬 것이다.
에폭시 화합물인 성분(C)는 접착을 개선하고 경화물의 표면으로의 오일-블리딩을 제한하기 위해 조성물에 사용된다. 성분(C)는 화학식 4의 화합물이다.
화학식 4
Figure 112009038449449-PCT00009
위의 화학식 4에서,
R8은 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 그룹이다.
상기 언급한 1가 탄화수소 그룹은 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, 2급-부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실, 옥틸, 데실 또는 유사한 알킬 그룹; 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸 또는 유사한 사이클로알킬 그룹; 메톡시에틸, 에톡시에틸 또는 유사한 에톡시-치환된 알킬 그룹; 비닐, 알릴, 부테닐 또는 유사한 알케닐 그룹; 사이클로펜테닐, 사이클로헥세닐 또는 유사한 사이클로알케닐 그룹; 페닐, 톨릴, 크실릴, 에틸페닐, 부틸페닐, t-부틸페닐, 디메틸나프틸 또는 유사한 아릴 그룹; 벤질, 펜에틸, 페닐프로필 또는 유사한 아르알킬 그룹; 3-클로로프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필 또는 유사한 할로겐화된 알킬 그룹; 메톡시페닐, 에톡시페닐, 부톡시페닐, t-부톡시페닐, 메톡시나프틸 또는 유사한 알콕시-치환된 아릴 그룹으로 예시될 수 있다. 또한, 화학식 4에서, f는 0 내지 4의 정수이다.
상기 언급한 성분(C)는 재팬 에폭시 레진 컴퍼니(Japan Epoxy Resin Company)에 의해 제조된 상표명 에피코트(Epicoat) 630으로 알려진 시판 제품으로서 구입할 수 있다 .
조성물에 사용될 수 있는 성분(C)의 양에 관하여 특정한 제한은 없지만, 당해 성분은 0.01 내지 50질량%, 바람직하게는 0.01 내지 20질량%, 가장 바람직하게는 0.01 내지 10질량%의 양으로 가하는 것이 권고될 수 있다. 성분(C)의 함유량이 권고된 하한치 보다 낮은 경우, 표면으로의 오일-블리딩을 제한하는 것이 어려워질 것이다. 다른 한편으로는, 성분(C)의 함유량이 권고된 상한치를 초과하는 경우, 이는 조성물로부터 수득된 경화물의 탄성률을 증가시킬 것이다.
본 발명의 조성물은 임의 성분으로서 경화 촉진제(D)를 함유할 수 있다. 이러한 성분(D)는 3급 아민 화합물; 알루미나, 지르코니아 또는 유사한 유기금속 화합물; 포스핀 또는 유사한 유기인 화합물; 뿐만 아니라 헤테로사이클릭 아민 화합물, 붕소 착화합물, 유기 암모늄염, 유기 설포늄염, 유기 과산화물, 및 상기 화합물들의 반응 생성물로 예시될 수 있다. 이러한 화합물의 특정 예로는 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 트리페닐포스핀-트리페닐보레이트, 테트라페닐포스핀-테트라페닐보레이트 또는 유사한 인 화합물; 트리에틸아민, 벤질디메틸아민, α-메틸벤질디메틸아민, 1,8-디아조비사이클로[5,4,0]운데센-7 또는 유사한 3급 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 또는 유사한 이미다졸 화합물이 있다. 본 발명의 조성물의 가사 시간을 연장시키기 위해, 경화 촉진제는 캡슐화된 형태일 수 있다. 이러한 캡슐화된 경화 촉진제는 아민계 경화 촉진 물질을 함유하는 비스페놀-A 에폭시 수지로부터 제조한 캡슐화된 아민계 경화 촉진제를 포함할 수 있다. 캡슐화된 경화 촉진제는 아사히 가세이 캄파니 리미티드(Asahi Kasei Co., Ltd.)로부터 상표명 HX-3088로 구입할 수 있다.
성분(D)가 조성물에 첨가될 수 있는 양은 특별히 한정되지 않지만, 성분(A) 100질량부 당 일반적으로 50질량부를 초과하지 않는 양, 특히 0.01 내지 50질량부, 가장 바람직하게는 0.1 내지 5질량부의 양으로 함유되는 것이 권고될 수 있다.
경화물의 기계적 강도를 개선시키기 위해, 조성물은 충전제(E)를 함유할 수 있다. 이러한 성분(E)는 유리 섬유, 알루미나 섬유, 알루미나와 실리카를 성분으로 하는 세라믹 섬유, 붕소 섬유, 지르코니아 섬유, 탄화규소 섬유, 금속 섬유 또는 유사한 섬유상 충전제; 용융 실리카, 결정성 실리카, 침강 실리카, 퓸드 실리카, 소성 실리카, 산화아연, 소성 클레이, 카본 블랙, 유리 비드, 알루미나, 탈크, 탄산칼슘, 클레이, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 황산바륨, 질화알루미늄, 질화붕소, 탄화규소, 마그네시아, 티타니아, 산화베릴륨, 카올린, 운모, 지르코니아, 황산바륨 또는 유사한 무기 충전제; 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 팔라듐 및 이들 금속의 합금, 브라스(brass), 솔더(solder), 형상 기억 합금의 분말 또는 기타 금속 미분말: 최종적으로 분쇄될 세라믹, 유리, 석영 또는 유기 수지 등의 표면에 증착되거나 도금을 통해 침착된 금, 은, 니켈 또는 구리 또는 기타 금속 분말이 예시될 수 있다. 상기 충전제는 개별적으로 사용되거나 이들의 2개 이상의 배합물로서 사용될 수 있다. 수득된 경화물의 우수한 열전도성 관점에서, 하기 충전제가 바람직하다: 전도성 분말, 예를 들면, 알루미나, 결정성 실리카, 질화알루미나, 질화붕소 또는 유사한 열전도성 분말; 뿐만 아니라 용융 실리카, 침강 실리카, 퓸드 실리카, 콜로이드 실리카 등으로부터 제조된 보강성 분말. 경화물에 우수한 열 전 도성 및 전기 전도성을 부여하기 위하여, 은 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 조성물의 경화물에 열 전도성을 부여하기 위하여, 알루미나 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 분말 입자는 파쇄된 입자 형태를 가질 수 있거나, 구형, 섬유상, 막대기형, 플레이크형, 비늘형, 플레이트형, 코일형 등일 수 있다. 입자 크기에 관한 특정한 제한은 없지만, 이의 최대 직경은 일반적으로 200㎛를 초과하지 않아야 하고, 평균 입자 크기는 0.001 내지 50㎛ 범위이어야 한다.
또한, 성분(E)의 함유량에 대한 특정한 제한은 없지만, 당해 성분을 성분(A) 100질량부 당 5,000질량부를 초과하지 않는 양, 바람직하게는 10 내지 4,000질량부의 범위, 보다 바람직하게는 50 내지 4,000질량부의 양으로 가하는 것이 권고된다. 성분(E)가 상기 언급한 금속 미분말 또는 열 전도성 분말 물질 이외의 충전제를 함유하는 경우, 성분(E)는 성분(E)는 성분(A) 100질량부 당 2,000질량부를 초과하지 않는 양, 바람직하게는 10 내지 2,000질량부 범위, 보다 바람직하게는 50 내지 1,000질량부 범위의 양으로 사용되어야 한다. 분말 입자가 플레이트형 또는 비늘형인 경우, 수득된 경화물에서 입자들의 특정한 방향성을 사용함으로 인한 경화시의 수축을 감소시킬 수 있다.
조성물의 경화성 및 작업성을 개선시키고 조성물의 경화물의 접착성을 개선시키거나 탄성률을 조절하기 위하여, 조성물은 유기 에폭시 화합물(F)과 추가로 배합될 수 있다. 25℃에서 성분(F)의 형태에 관한 특정한 제한은 없고, 이는 액체 또는 고체일 수 있지만, 액체 형태가 바람직하다. 당해 성분은 에폭시 수지의 비스페놀 A형, 에폭시 수지의 비스페놀 F형 또는 지환족 에폭시 수지로 예시될 수 있 다. 성분(F)가 조성물에 첨가되는 양에는 특정한 제한은 없지만, 일반적으로 당해 조성물의 함유량은 성분(A) 100질량부 당 500질량부를 초과하지 않아야 하며, 바람직하게는 0.1 내지 500질량부 범위이어야 한다.
성분(A) 중의 성분(E)의 분산성을 개선시키거나 반도체 칩, 기판 등에 대한 수득된 경화물의 접착성을 개선시키기 위해, 조성물은 커플링제와 배합될 수 있다. 당해 커플링제는 티타네이트 커플링제, 실란 커플링제 또는 유사한 커플링제로 예시될 수 있다. 티타네이트 커플링제는 i-프로폭시티탄 트리(이소스테아레이트)를 포함할 수 있다. 실란 커플링제는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필 메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 또는 유사한 에폭시-함유 알콕시실란; N-(2~아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필 트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란 또는 유사한 아민-함유 알콕시실란; 3-머캅토프로필트리메톡시실란 또는 유사한 머캅토-함유 알콕시실란; 옥타데실트리메톡시실란 또는 유사한 장쇄 알킬-함유 실란을 포함할 수 있다. 상기 언급한 실란 커플링제의 사용량에는 특정한 제한은 없지만, 일반적으로 성분(A) 100질량부 당 10질량부를 초과하지 않는 양, 바람직하게는 0.01 내지 10질량부 범위의 양으로 당해 제제를 첨가하는 것이 권고된다.
조성물의 기타 임의 성분은 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸페닐디메톡시실란, 메틸페닐디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 알릴트리메톡시 실란, 알릴트리에톡시실란 또는 유사한 알콕시실란으로 예시될 수 있다.
본 발명의 조성물은 성분(A), 성분(B) 및 성분(C)를, 필요한 경우, 기타 성분을 첨가하여 혼합해서 제조한다. 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 성분(A), 성분(B) 및 성분(C) 및, 필요한 경우, 임의 성분을 동시에 혼합하거나, 성분(A), 성분(B) 및 성분(C)를 미리 혼합한 다음 상기 기재된 임의 성분을 가할 수 있다. 또한, 혼합에 사용될 수 있는 장치에 대한 특정한 제한은 없다. 예를 들면, 이는 1축형 또는 2축형 연속 믹서, 2롤 밀, 3롤 밀, 로스(Ross®) 믹서, 호바트(Hobart) 믹서, 치과용 믹서, 플레네터리 믹서, 혼련기 믹서 또는 분쇄 믹서일 수 있다.
반도체 칩 또는 전기 배선을 위한 보호제로서 사용되는 것 이외에, 본 발명의 조성물의 경화물은 반도체 칩 또는 인쇄된 회로 기판 상의 절연층 또는 완충층에 사용될 수 있다. 조성물로부터 수득된 경화물의 형태에 관한 특정한 제한은 없고, 경화물은 고무, 경질 고무 또는 수지의 형태로 제조될 수 있지만, 가장 바람직하게는 복소 탄성률이 2GPa를 초과하지 않는다.
본 발명의 조성물은 이송 성형, 사출 성형, 폿팅(potting), 캐스팅(casting), 분말 피복, 침적 피복, 적하 도포 등에 적합하다. 사용 방법은 폿팅, 디스펜싱, 스크린 인쇄, 피복 등으로부터 선택될 수 있지만, 물질의 사용을 용이하게 하고 소비를 감소시키는 관점에서, 조성물은 액체 또는 페이스트 형태가 바람직하다. 본 발명의 조성물은 우수한 가요성 및 접착성을 특징으로 하는 경화물을 형성하는데 적합하기 때문에, 조성물은 전기 장치 또는 전자 소자와 함께 사용하기 위한 봉지제, 주형제, 피복제, 접착제 등으로서 사용되기에 가장 적합하다.
다음은 본 발명의 전자 부품에 대한 상세한 설명이다. 본 발명의 전자 부품은 본 발명의 조성물의 경화물을 사용하여 봉지되고 접착된다는 사실을 특징으로 한다. 이러한 부품은 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터, 모놀리틱 IC, 하이브리드 IC, LSI 또는 VLSI를 포함할 수 있다.
본 발명의 전자 부품의 예는 LSI의 단면도로서 도 1에 도시한다. 당해 도면은 방열재 또는 접착재가 본 발명의 경화성 실리콘 조성물을 사용하여 형성되는 전자 부품을 설명한다. 도 1에 도시한 전자 부품은, 회로를 갖는 기판(2) 위에 설치되고 반도체 소자(1) 위에 제공된 볼 그리드(3)와 같은 솔더 범프를 통하여 기판 회로에 전기전으로 접속된 반도체 소자(1)를 갖는다. 기판의 재질은 유리 강화된 에폭시 수지, 바켈라이트(Bakelite) 수지, 페놀 수지 또는 유사한 유기 수지; 알루미나 또는 유사한 세라믹; 구리, 알루미늄 또는 유사한 금속을 포함할 수 있다. 반도체 소자(1) 이외에, 전자 부품은 레지스터, 캐패시터, 코일 또는 기타 전자 부품을 함유할 수 있다. 도 1에는 반도체 소자(1)와 기판(2) 사이의 스페이스가 언더필러(underfiller) 물질로 충전된 것이 도시되어 있지만, 이러한 언더필러 물질의 사용은 임의적이다.
반도체 장치(1)는 방열재(6)를 통해 히트 스프레더(4)에 연결된다. 히트 스프레더(4)는 접착재(5)를 통해 기판(2)에 접착된다. 또한, 히트 스프레더(4)는 방열재(8)를 통해 방열판(7)에 연결된다. 히트 스프레더(4) 및 방열판(7)은 알루미늄, 구리, 니켈 또는 유사한 금속으로 제조될 수 있다. 도 1에 도시한 전자 장치에서, 접착재(5)는 본 발명의 경화성 실리콘 조성물의 경화물로 제조된다. 또한, 도 1의 전자 부품에서, 방열재(6) 및/또는 방열재(8)는 또한 본 발명의 경화성 실리콘 조성물의 경화물로 제조될 수 있다. 본 발명의 경화성 실리콘 조성물의 경화물은 반도체 소자(1)를 히트 스프레더(4)에 접착시키거나 히트 스프레더(4)를 기판(2)에 접착시키는데 사용할 수 있다. 유지의 편의를 위하여, 방열재(8)는 열 전도성 그리스로 교체할 수 있다.
본 발명의 전자 부품을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 1에 도시한 구조는 하기에 따라 제조할 수 있다. 먼저, 반도체 소자(1)를 기판(2) 위에 배치하고, 반도체 장치(1)를 볼 그리드(3)를 사용하여 기판(2)에 전기적으로 접속시킨다. 그 다음, 필요한 경우, 언더필러 물질을 사용한다. 다음 단계에서, 반도체 소자(1)의 표면을 열 전도성을 갖는 경화성 실리콘 조성물로 피복하고, 히트 스프레더(4)를 부착하고, 경화성 실리콘 조성물을 경화시킨다. 이로써, 히트 스프레더(4)가 히트 스프레더에 피복된 경화된 실리콘 조성물을 통해 기판(2)에 접착된다. 다음 단계에서, 열 전도 특성 또는 열 전도성 그리스를 갖는 경화성 실리콘 조성물을 히트 스프레더(4) 상에 도포하고, 방열판(7)을 부착시킨다. 히트 스프레더를 경화성 실리콘 조성물로 피복하는 경우, 후자를 경화시킨다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물 및 전자 부품을 실시예 및 비교 실시예를 참조로 하여 보다 상세히 설명한다. 실시예에 사용된 모든 점도 값은 25℃에서의 점도 값에 상응한다. 질량 평균 분자량은 용매로서 톨루엔을 사용하여 겔 투과 크 로마토그래피로 측정하고 폴리스티렌을 표준으로 하여 계산한 값이다.
[점도]
당해 특성은 25℃에서 회전속도 2.5rpm으로 E형 점도계(Digital Viscometer DV-U-E II-Type, 도키멕 캄파니 리미티드(Tokimec Company, Ltd.) 제품)를 사용하여 측정하였다.
[접착성]
알루미나 패널 상의 50㎛ 두께 층의 경화성 실리콘 조성물을 정사각형 횡단면이 10mm x 10mm인 규소 칩에 접착시킨 다음, 1시간 동안 150℃에서 가열하여 상기 기재된 경화성 실리콘 조성물을 경화시킴으로써 시편을 제조하였다. 수득된 시편을 본드 테스터(Model SS-100KP, 세이신 트레이딩 캄파니 리미티드(Seishin Trading Company, Ltd.) 제품)에서 25℃ 및 50mm/분에서의 박리 강도(kgf/cm2)에 대해 시험하였다.
[복소 탄성률]
공기 제거 후, 경화성 실리콘 조성물을 폭 10mm×길이 50mm×깊이 2mm의 금형 공동에 충전하고, 60분 동안 15O℃에서 2.5MPa의 압력하에 프레스 경화시킨 다음, 2시간 동안 180℃의 오븐에서 2차 가열하여 조성물의 경화물의 시편을 수득하였다. 당해 시편의 복소 탄성률을 레오메트릭 사이언티픽 인코포레이티 드(Rheometric Scientific, Inc.)의 ARES 점탄성 분석기를 사용하여 측정하였다. 25℃에서 0.05%의 변형률 및 1Hz의 진동수를 사용하여 측정을 수행하였다.
[오일-블리딩성]
경화성 실리콘 조성물 0.2g을 그라운드-글래스 플레이트의 표면에 적하한 다음, 48시간 동안 25℃에서 방치하고, 오일-블리딩성을 하기 수학식으로 평가하였다.
10O x (L1 - L0) / L0
위의 수학식에서,
L0은 경화성 실리콘 고무의 직경이고,
L1은 오일-블리딩으로 인해 형성된 직경이다.
[실시예 1]
하기 평균 단위 화학식의 오가노폴리실록산 4.38질량부
Figure 112009038449449-PCT00010
(질량 평균 분자량 = 1,000; 점도 = 1,290mPa·s; 에폭시 당량 = 267);
하기 화학식의 오가노트리실록산 8.46질량부
Figure 112009038449449-PCT00011
(점도 = 2,600mPa·s; 페놀성 하이드록실 그룹 당량 = 330);
하기 화학식의 에폭시 화합물 0.99질량부;
Figure 112009038449449-PCT00012
옥타데실트리메톡시실란 0.43질량부; 평균 입자 크기가 8.6㎛인 구형 알루미나 입자 68.64질량부; 평균 입자 크기가 3㎛인 불규칙한 형태의 알루미나 입자 15.92질량부; 및 캡슐화된 아민계 촉매(HX-3941HP, 아사히 가세이 캄파니 리미티드 제품) 35질량%를 함유하는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합물 1.19질량부를 혼합하여 경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성을 표 1에 기재한다.
[비교 실시예 1]
하기 평균 단위 화학식의 오가노폴리실록산 6.43질량부
Figure 112009038449449-PCT00013
(질량 평균 분자량 = 1,000; 점도 = 1,290mPa·s; 에폭시 당량 = 267);
하기 화학식의 오가노트리실록산 7.57질량부
Figure 112009038449449-PCT00014
(점도 = 2,600mPa·s; 페놀성 하이드록실 그룹 당량 = 330); 옥타데실트리메톡시실란 0.43질량부; 평균 입자 크기가 8.6㎛인 구형 알루미나 입자 68.54질량부; 평균 입자 크기가 3㎛인 불규칙한 형태의 알루미나 입자 15.89질량부; 및 캡슐화된 아민계 촉매(HX-3941HP, 아사히 가세이 캄파니 리미티드 제품) 35질량%를 함유하는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합물 1.14질량부를 혼합하여 경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성을 표 1에 기재한다.
[실시예 2]
하기 평균 단위 화학식의 오가노폴리실록산 8.0질량부
Figure 112009038449449-PCT00015
(질량 평균 분자량 = 1,000; 점도 = 1,290mPa·s; 에폭시 당량 = 267);
하기 화학식의 오가노트리실록산 10.7질량부
Figure 112009038449449-PCT00016
(점도 = 2,600mPa·s; 페놀성 하이드록실 그룹 당량 = 330);
하기 화학식의 에폭시 화합물 0.5질량부
Figure 112009038449449-PCT00017
평균 입자 크기가 8.6㎛인 구형 알루미나 입자 62.9질량부; 평균 입자 크기가 3㎛인 불규칙한 형태의 알루미나 입자 17.1질량부; 및 캡슐화된 아민계 촉매(HX-3941HP, 아사히 가세이 캄파니 리미티드 제품) 35질량%를 함유하는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합물 0.8질량부를 혼합하여 경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성 을 표 1에 기재한다.
[비교 실시예 2]
하기 평균 단위 화학식의 오가노폴리실록산 7.7질량부
Figure 112009038449449-PCT00018
(질량 평균 분자량 = 1,000; 점도 = 1,290mPa·s; 에폭시 당량 = 267);
하기 화학식의 오가노트리실록산 10.7질량부
Figure 112009038449449-PCT00019
(점도 = 2,600mPa·s; 페놀성 하이드록실 그룹 당량 = 330);
하기 화학식의 오가노트리실록산 1.5질량부
(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]25Si(CH3)2-Z
(여기서, Z는 화학식
Figure 112009038449449-PCT00020
의 디메틸폴리실록산이다)(질량 평균 분자량 = 2,500; 점도 = 75mPa·s); 평균 입자 크기가 8.6㎛인 구형 알루미나 입자 62.9질량부; 평균 입자 크기가 3㎛인 불규칙한 형태의 알루미나 입자 17.1질량부; 및 캡슐화된 아민계 촉매(HX-3941HP, 아사히 가세이 캄파니 리미티드 제품) 35질량%를 함유하는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합물 0.8질량부를 혼합하여 경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성을 표 1에 기재한다.
[비교 실시예 3]
하기 평균 단위 화학식의 오가노폴리실록산 6.2질량부
Figure 112009038449449-PCT00021
(질량 평균 분자량 = 1,000; 점도 = 1,290mPa·s; 에폭시 당량 = 267);
하기 화학식의 오가노트리실록산 10.5질량부
Figure 112009038449449-PCT00022
(점도 = 2,600mPa·s; 페놀성 하이드록실 그룹 당량 = 330);
하기 화학식의 에폭시 화합물 2.0질량부
(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]25Si(CH3)2-Z
(여기서, Z는 화학식
Figure 112009038449449-PCT00023
의 디메틸폴리실록산이다)(질량 평균 분자량 = 2,500; 점도 = 75mPa·s);
화학식
Figure 112009038449449-PCT00024
의 에폭시 화합물 0.5 질량부;
평균 입자 크기가 8.6㎛인 구형 알루미나 입자 62.9질량부; 평균 입자 크기가 3㎛인 불규칙한 형태의 알루미나 입자 17.1질량부; 및 캡슐화된 아민계 촉매(HX-3941HP, 아사히 가세이 캄파니 리미티드 제품) 35질량%를 함유하는 비스페놀A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합물 0.8질량부를 혼합하여 경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성을 표 1에 기재한다.
[실시예 4]
하기 평균 단위 화학식의 디메틸폴리실록산 3.3질량부
X-CH2CH2(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]162Si(CH3)2CH2CH2-X
{여기서, X는 하기 평균 단위 화학식의 오가노폴리실록산 잔기 라디칼이다:
[Y(CH3)2SiO1 /2]1.6(SiO4 /2)1.0
(여기서, Y는 단일 결합, 트리메톡시실릴프로필 그룹 및 3-글리시독시프로필 그룹으로 이루어지고, 1개 분자 중의 1개 이상의 Y는 단일 결합이고 나머지 Y는 몰 비율이 1:4로 사용된 트리메톡시실릴프로필 및 3-글리시독시프로필 그룹으로 이루어진다)}(질량 평균 분자량 = 51,000; 점도 = 12,000mPa·s);
하기 평균 단위 화학식의 오가노폴리실록산 6.0질량부
Figure 112009038449449-PCT00025
(질량 평균 분자량 = 1,000; 점도 = 1,290mPa·s; 에폭시 당량 = 267);
하기 화학식 오가노트리실록산 9.4질량부
Figure 112009038449449-PCT00026
(점도 = 2,600mPa·s; 페놀성 하이드록실 그룹 당량 = 330);
하기 화학식의 에폭시 화합물 0.5질량부
Figure 112009038449449-PCT00027
(점도 = 2,600mPa·s; 페놀성 하이드록실 그룹 당량 = 330);
평균 입자 크기가 8.6㎛인 구형 알루미나 입자 62.9질량부; 평균 입자 크기가 3㎛인 불규칙한 형태의 알루미나 입자 17.1질량부; 및 캡슐화된 아민계 촉매(HX-3941HP, 아사히 가세이 캄파니 리미티드 제품) 35질량%를 함유하는 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합물 0.8질량부를 혼합하여 경 화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성을 표 1에 기재한다.
실시예 특성 실시예 비교 실시예
1 2 3 4 1 2
점도 (Paㆍs) 226 42 73 100 159 120
접착성 (kgf/cm2) 80 ＞100 95 87 53 68
오일-블리딩성 0.5 0.5 12 8 18 20
복소 탄성률 (MPa) 510 1800 250 400 330 111
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은 우수한 취급작업성을 특징으로 하기 때문에, 이송 성형, 사출 성형, 폿팅, 캐스팅, 분체 도장, 침적 도포, 적하 도포 등에 적합하다. 또한, 경화 후, 당해 조성물은 우수한 가요성 및 접착성을 특징으로 하는 경화물을 형성하므로, 당해 조성물은 전기 및 전자 장치의 부품의 봉지제, 주형제, 피복제, 접착제 등으로 사용되기에 적합하다. 특히, 당해 조성물이 열전도성 충전제를 함유하는 경우, 당해 조성물은 방열 부재 및 방열 인터페이스 재료(TIM)로서 사용될 수 있다.

Claims (15)

  1. (A) 1개 분자 내에 2개 이상의 에폭시-함유 1가 유기 그룹을 함유하는, 화학식 1의 평균 단위식으로 나타내는 오가노폴리실록산(A1) 및/또는 화학식 2의 디오가노폴리실록산(A2),
    (B) 에폭시 수지용 경화제 및
    (C) 화학식 4의 에폭시 화합물을 적어도 포함하는 경화성 실리콘 조성물.
    화학식 1
    (R1 3SiO1/2)a(R2 2SiO2/2)b(R3SiO3/2)c
    위의 화학식 1에서,
    R1, R2 및 R3은 동일하거나 상이할 수 있고, 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹 또는 에폭시-함유 1가 탄화수소 그룹을 나타내지만, R3으로 나타낸 그룹의 20mole% 이상은 아릴 그룹이고,
    a, b 및 c는 0≤a≤0.8, 0≤b≤0.8, 0.2≤c≤0.9 및 a+b+c=1의 조건을 만족시키는 수이다.
    화학식 2
    A-R5-(R4 2SiO)mR4 2Si-R5-A
    위의 화학식 2에서,
    R4는 불포화된 지방족 결합을 갖지 않는, 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹이고,
    R5는 2가 유기 그룹이고,
    A는 화학식 3의 평균 단위식으로 나타내는 실록산 잔기 라디칼이고,
    m은 1 이상의 정수이다.
    화학식 3
    (XR4 2SiO1/2)d(SiO4/2)e
    위의 화학식 3에서,
    R4는 상기 정의한 바와 동일하고,
    X는 단일 결합, 수소 원자, R4로 나타낸 그룹, 에폭시-함유 1가 유기 그룹 또는 알콕시실릴알킬 그룹이지만, 1개 분자 내에 X로 나타낸 1개 이상의 그룹은 단일 결합이고, X로 나타낸 2개 이상의 그룹은 에폭시-함유 1가 유기 그룹이고,
    d는 양수이고,
    e는 양수이고,
    d/e는 0.2 내지 4 범위의 수이다.
    화학식 4
    Figure 112009038449449-PCT00028
    위의 화학식 4에서,
    R8은 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 그룹이고,
    f는 0 내지 4의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 성분(B)가 페놀성 하이드록실 그룹을 갖는 화합물인, 경화성 실리콘 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 성분(B)가 1개 분자 내에 2개 이상의 페놀성 하이드록실 그룹을 함유하는 오가노실록산인, 경화성 실리콘 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 성분(B)가 화학식 5의 오가노실록산인, 경화성 실리콘 조성물.
    화학식 5
    R6 3Si0(R6 2SiO)nSiR6 3
    위의 화학식 5에서,
    R6은 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹 또는 페놀성 하이드록실 그룹을 함유하는 1가 유기 그룹이지만, 1개 분자 내에 2개 이상의 R6 그룹이 페놀성 하이드록실 그룹을 함유하는 1가 유기 그룹이고,
    n은 0 내지 1000의 범위의 수이다.
  5. 제1항에 있어서, 상기 성분(B)가 성분(A) 100질량부 당 0.1 내지 500질량부의 양으로 함유되는, 경화성 실리콘 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 성분(C)가 경화성 실리콘 조성물의 0.01 내지 50질량%의 양으로 함유되는, 경화성 실리콘 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 경화 촉진제(D)를 추가로 함유하는, 경화성 실리콘 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 상기 성분(D)가 캡슐화된 아민계 경화 촉진제인, 경화성 실리콘 조성물.
  9. 제7항에 있어서, 상기 성분(D)가 성분(A) 100질량부 당 50질량부를 초과하지 않는 양으로 함유되는, 경화성 실리콘 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 충전제(E)를 추가로 함유하는, 경화성 실리콘 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 상기 성분(E)가 성분(A) 100질량부 당 5,000질량부를 초과하지 않는 양으로 함유되는, 경화성 실리콘 조성물.
  12. 제10항에 있어서, 상기 성분(E)가 열 전도성 충전제인, 경화성 실리콘 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 유기 에폭시 수지(F)를 추가로 함유하는, 경화성 실리콘 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 상기 성분(F)가 성분(A) 100질량부 당 500질량부를 초과하지 않는 양으로 함유되는, 경화성 실리콘 조성물.
  15. 제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 따른 경화성 실리콘 조성물의 경화물에 의해 봉지되거나 접착된 전자 부품.
KR1020097013185A 2006-12-25 2007-12-14 경화성 실리콘 조성물 및 전자 부품 KR101410337B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-346865 2006-12-25
JP2006346865A JP5238157B2 (ja) 2006-12-25 2006-12-25 硬化性シリコーン組成物および電子部品
PCT/JP2007/074607 WO2008078663A1 (en) 2006-12-25 2007-12-14 Curable silicone composition and electronic component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090099060A true KR20090099060A (ko) 2009-09-21
KR101410337B1 KR101410337B1 (ko) 2014-06-23

Family

ID=39135290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097013185A KR101410337B1 (ko) 2006-12-25 2007-12-14 경화성 실리콘 조성물 및 전자 부품

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7994246B2 (ko)
EP (1) EP2099867B1 (ko)
JP (1) JP5238157B2 (ko)
KR (1) KR101410337B1 (ko)
CN (1) CN101563425B (ko)
AT (1) ATE466903T1 (ko)
DE (1) DE602007006345D1 (ko)
MY (1) MY148111A (ko)
TW (1) TWI426106B (ko)
WO (1) WO2008078663A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9172011B2 (en) 2012-12-28 2015-10-27 Cheil Industries, Inc. Composition for encapsulant, encapsulant, and electronic device
US9902855B2 (en) 2012-12-07 2018-02-27 Cheil Industries, Inc. Curable polysiloxane composition for optical device, encapsulating material and optical device

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4931366B2 (ja) * 2005-04-27 2012-05-16 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP5207591B2 (ja) * 2006-02-23 2013-06-12 東レ・ダウコーニング株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP5285846B2 (ja) * 2006-09-11 2013-09-11 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP5547369B2 (ja) * 2007-09-28 2014-07-09 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性液状エポキシ樹脂組成物およびその硬化物
KR101195674B1 (ko) * 2009-01-29 2012-10-30 야마하 가부시키가이샤 열교환 유닛
EP2660263B1 (en) * 2010-12-27 2018-04-11 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable epoxy resin composition
EP2722366B1 (en) 2011-06-17 2023-01-04 LG Chem, Ltd. Curable composition
US20180016475A1 (en) * 2015-01-21 2018-01-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Room temperature-curable organopolysiloxane composition
US9659844B2 (en) * 2015-08-31 2017-05-23 Texas Instruments Incorporated Semiconductor die substrate with integral heat sink
TW202132467A (zh) * 2019-12-18 2021-09-01 美商陶氏有機矽公司 可固化聚矽氧組成物及其固化產物
JP7321081B2 (ja) * 2019-12-26 2023-08-04 株式会社藤商事 遊技機

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3251655B2 (ja) 1992-08-05 2002-01-28 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 ジオルガノポリシロキサンおよびその製造方法
US6410127B1 (en) * 1999-03-11 2002-06-25 Toray Industries, Inc. Epoxy resin compositions, epoxy resin compositions for fiber-reinforced composite materials, and fiber-reinforced composite materials comprising the same
JP3796648B2 (ja) 1999-04-15 2006-07-12 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物並びにこのエポキシ樹脂組成物を用いた積層フィルム及び半導体装置
US6512031B1 (en) * 1999-04-15 2003-01-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device
TWI345576B (en) * 2003-11-07 2011-07-21 Dow Corning Toray Silicone Curable silicone composition and cured product thereof
JP2005146104A (ja) * 2003-11-14 2005-06-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5166677B2 (ja) * 2005-03-15 2013-03-21 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP2006316250A (ja) * 2005-04-12 2006-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4931366B2 (ja) * 2005-04-27 2012-05-16 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP5004433B2 (ja) 2005-04-27 2012-08-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
JP4017645B2 (ja) * 2005-12-22 2007-12-05 横浜ゴム株式会社 湿気硬化性樹脂組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9902855B2 (en) 2012-12-07 2018-02-27 Cheil Industries, Inc. Curable polysiloxane composition for optical device, encapsulating material and optical device
US9172011B2 (en) 2012-12-28 2015-10-27 Cheil Industries, Inc. Composition for encapsulant, encapsulant, and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
EP2099867A1 (en) 2009-09-16
US20100063185A1 (en) 2010-03-11
TW200835749A (en) 2008-09-01
TWI426106B (zh) 2014-02-11
CN101563425A (zh) 2009-10-21
JP5238157B2 (ja) 2013-07-17
EP2099867B1 (en) 2010-05-05
WO2008078663A1 (en) 2008-07-03
CN101563425B (zh) 2012-07-04
DE602007006345D1 (de) 2010-06-17
KR101410337B1 (ko) 2014-06-23
ATE466903T1 (de) 2010-05-15
US7994246B2 (en) 2011-08-09
MY148111A (en) 2013-02-28
JP2008156474A (ja) 2008-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101410337B1 (ko) 경화성 실리콘 조성물 및 전자 부품
EP1858983B1 (en) Curable silicone composition and electronic device produced therefrom
EP2061839B1 (en) Curable silicone composition and electronic component
JP4931366B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物および電子部品
EP2097483B1 (en) Curable silicone composition
KR101244203B1 (ko) 경화성 실리콘 조성물 및 이로부터 제조한 경화품
EP2201068B1 (en) Curable silicone composition and cured product thereof
KR20070004594A (ko) 경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180516

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190515

Year of fee payment: 6