KR20090085377A - 기판지지유닛 및 기판처리장치, 그리고 기판지지유닛을제조하는 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (19)
- 상부에 놓여진 기판을 가열하는 히터를 구비하며, 제1 온도영역 및 상기 제1 온도영역보다 고온인 제2 온도영역을 가지는 서셉터; 및상기 제2 온도영역과 열접촉(thermal contact)하는 접촉면을 가지는 방열부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 제1항에 있어서,상기 방열부재는 상기 제1 온도영역과 대응되는 개구를 더 가지는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 방열부재는 상기 개구가 상기 접촉면으로 둘러싸인 링 형상이며, 상기 접촉면이 상기 서셉터의 하부면과 열접촉하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 개구는 링 형상의 상기 접촉면에 의해 둘러싸이며,제1 반경을 가지는 부채꼴 형상의 제1 개구; 및상기 제1 반경과 다른 제2 반경을 가지는 부채꼴 형상의 제2 개구를 가지는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 제4항에 있어서,상기 개구는 상기 제1 개구와 상기 제2 개구 사이에 배치되어 상기 제1 및 제2 개구와 인접하는 중간개구를 더 가지는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 제1항에 있어서,상기 서셉터는 중심영역 및 가장자리영역, 그리고 상기 중심영역 및 가장자리영역의 사이에 배치되는 중간영역을 가지며,상기 개구는 상기 중심영역에 대응되도록 배치되고, 상기 접촉면은 상기 중간영역에 대응되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 제1항에 있어서,상기 히터는,상기 기판의 중심부를 가열하는 제1 히터; 및상기 제1 히터를 감싸도록 배치되며, 상기 기판의 가장자리부를 가열하는 제2 히터를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 제1항에 있어서,상기 방열부재는 세라믹, AIN, Ni, Inconel 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 제1항에 있어서,상기 기판지지유닛은 상기 서셉터의 일면과 대체로 나란하게 배치되어 상기 서셉터로부터 방출된 열을 상기 서셉터를 향하여 반사시키는 반사부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 제9항에 있어서,상기 서셉터는 상기 제2 온도영역보다 저온인 제3 온도영역 및 상기 제3 온도영역보다 고온인 제4 온도영역을 가지며,상기 반사부재는 상기 열반사에 의하여 상기 제3 온도영역을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 제10항에 있어서,상기 반사부재는 원판 형상이며,제1 반경을 가지는 부채꼴 형상의 제1 반사부재; 및상기 제1 반경과 다른 제2 반경을 가지는 부채꼴 형상의 제2 반사부재를 가지는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.
- 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버;상기 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 기판지지유닛;상기 기판지지유닛에 의해 지지된 상기 기판의 상부로 공정가스를 공급하는 샤워헤드를 포함하되,상기 기판지지유닛은,상부에 놓여진 상기 기판을 가열하는 히터를 구비하며, 제1 온도영역 및 상기 제1 온도영역보다 고온인 제2 온도영역을 가지는 서셉터;상기 제2 온도영역과 열접촉하는 접촉면 및 상기 제1 온도영역과 대응되는 개구를 가지는 방열부재; 및상기 서셉터의 일면과 대체로 나란하게 배치되어 상기 서셉터로부터 방출된 열을 상기 서셉터를 향하여 반사시키는 반사부재를 포함하며,상기 개구는 링 형상의 상기 접촉면에 의해 둘러싸이며,제1 반경을 가지는 부채꼴 형상의 제1 개구; 및제2 반경을 가지는 부채꼴 형상의 제2 개구를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제12항에 있어서,상기 서셉터는 상기 제2 온도영역보다 저온인 제3 온도영역 및 상기 제3 온도영역보다 고온인 제4 온도영역을 가지며,상기 반사부재는 상기 열반사에 의하여 상기 제3 온도영역을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 기판이 놓여지는 서셉터를 구비하는 기판지지유닛을 제조하는 방법에 있어서,상기 서셉터의 제1 온도영역보다 고온인 상기 서셉터의 제2 온도영역의 열을 방출시키기 위하여 상기 제2 온도영역에 열접촉되도록 상기 서셉터의 일측에 방열부재를 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛의 제조방법.
- 제14항에 있어서,상기 방법은 상기 제1 온도영역과 상기 방열부재의 열접촉을 방지하도록 상기 방열부재에 상기 제1 온도영역에 대응되는 개구를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛의 제조방법.
- 제14항에 있어서,상기 방열부재는 상기 제1 온도영역에 대응되는 개구가 상기 제2 온도영역과 열접촉하는 접촉면에 의해 둘러싸인 링 형상이며,상기 개구를 형성하는 단계는,제1 반경을 가지는 부채꼴 형상의 제1 개구를 형성하는 단계; 및상기 제1 반경과 다른 제2 반경을 가지는 부채꼴 형상의 제2 개구를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛의 제조방법.
- 제14항에 있어서,상기 서셉터는 중심영역 및 가장자리영역, 그리고 상기 중심영역 및 가장자리영역의 사이에 배치되는 중간영역을 가지며,상기 방열부재를 설치하는 방법은 상기 제1 온도영역에 대응되는 개구를 상기 중심영역에 대응되도록 배치하며, 상기 제2 온도영역과 열접촉하는 접촉면을 상기 중간영역에 대응되도록 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛의 제조방법.
- 제14항에 있어서,상기 방법은 상기 서셉터로부터 방출된 열을 상기 서셉터를 향하여 반사시키도록 상기 서셉터의 일면과 대체로 나란하게 반사부재를 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛의 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 서셉터는 상기 제2 온도영역보다 저온인 제3 온도영역 및 상기 제3 온도영역보다 고온인 제4 온도영역을 가지며,상기 반사부재를 배치하는 단계는,기설정된 반경을 가지는 원판 형상의 반사부재를 가공하여 상기 반경보다 작은 제1 반경을 가지는 부채꼴 형상의 제1 반사부재를 제공하는 단계; 및상기 반사부재를 가공하여 상기 반경보다 작고 상기 제1 반경과 다른 제2 반 경을 가지는 부채꼴 형상의 제2 반사부재를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛의 제조방법.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (13)
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---|---|---|---|---|
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CN102842636B (zh) * | 2011-06-20 | 2015-09-30 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 用于化学气相沉积系统的基板加热基座 |
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JP2015095409A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
KR101551199B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-09-10 | 주식회사 유진테크 | 사이클릭 박막 증착 방법 및 반도체 제조 방법, 그리고 반도체 소자 |
US20150292815A1 (en) * | 2014-04-10 | 2015-10-15 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with radiation source compensation |
US9905400B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with non-power-absorbing dielectric gas shower plate assembly |
US20170178758A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Applied Materials, Inc. | Uniform wafer temperature achievement in unsymmetric chamber environment |
US10910195B2 (en) * | 2017-01-05 | 2021-02-02 | Lam Research Corporation | Substrate support with improved process uniformity |
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DE102020110570A1 (de) * | 2020-04-17 | 2021-10-21 | Aixtron Se | CVD-Verfahren und CVD-Reaktor mit austauschbaren mit dem Substrat Wärme austauschenden Körpern |
KR20220059742A (ko) * | 2020-11-03 | 2022-05-10 | 삼성전자주식회사 | 온도 조절 부재를 포함하는 반도체 공정 설비 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0770491B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1995-07-31 | 日本碍子株式会社 | 半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター |
JPH088246B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1996-01-29 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
JP2617064B2 (ja) * | 1992-07-28 | 1997-06-04 | 日本碍子株式会社 | 半導体ウェハー加熱装置およびその製造方法 |
JPH0722342A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-24 | Sumitomo Sitix Corp | 気相成長装置 |
JPH08240897A (ja) * | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Canon Inc | 熱現像装置および記録装置 |
JPH09213781A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びそれを用いた処理装置 |
US6072236A (en) * | 1996-03-07 | 2000-06-06 | Micron Technology, Inc. | Micromachined chip scale package |
JPH09306979A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Ebara Corp | 恒温回転ステージ装置 |
US6108490A (en) * | 1996-07-11 | 2000-08-22 | Cvc, Inc. | Multizone illuminator for rapid thermal processing with improved spatial resolution |
JP3665826B2 (ja) * | 1997-05-29 | 2005-06-29 | Smc株式会社 | 基板熱処理装置 |
JPH11162620A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | セラミックヒーター及びその均熱化方法 |
JP2000068183A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-03-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板加熱処理装置ならびに基板加熱処理装置の熱エネルギー変換方法および熱エネルギー回収方法 |
JP2000180071A (ja) | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2001068538A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-03-16 | Tokyo Electron Ltd | 電極構造、載置台構造、プラズマ処理装置及び処理装置 |
US6242722B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-06-05 | Thermostone Usa, Llc | Temperature controlled thin film circular heater |
JP4203206B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2008-12-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
KR100351043B1 (ko) * | 2000-06-05 | 2002-08-30 | 주식회사 아펙스 | 코팅된 반사판을 구비한 히터 조립체 |
JP2002158178A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US6646233B2 (en) * | 2002-03-05 | 2003-11-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method |
US7347901B2 (en) * | 2002-11-29 | 2008-03-25 | Tokyo Electron Limited | Thermally zoned substrate holder assembly |
JP4238772B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2009-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び熱処理装置 |
US7846254B2 (en) * | 2003-05-16 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Heat transfer assembly |
JP2005229043A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ヒータユニット及び該ヒータを搭載した装置 |
JP4869610B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2012-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持部材及び基板処理装置 |
JP3767829B1 (ja) * | 2005-06-09 | 2006-04-19 | エスティケイテクノロジー株式会社 | 半導体デバイスの検査装置 |
US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
US7763831B2 (en) * | 2006-12-15 | 2010-07-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating device |
-
2008
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140144857A (ko) * | 2013-06-12 | 2014-12-22 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
Also Published As
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---|---|
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