KR20090077718A - 에칭액 - Google Patents

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KR20090077718A
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etching solution
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다이스께 카따야마
마사요 크리
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멕크 가부시키가이샤
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Abstract

<과제> 본 발명은 니켈 이외의 금속, 특히 구리의 침식을 억제할 수 있는 니켈 에칭액을 제공한다.
<해결수단> 본 발명은 질산 또는 황산, 과산화수소 및 물을 포함하는 니켈 에칭액에 있어서, 하기 화학식 I, 하기 화학식 II 및 하기 화학식 III으로부터 선택되는 1개 이상의 반복 단위를 갖는 중합체를 포함하는 에칭액에 관한 것이다.
<화학식 I>
Figure 112009001424611-PAT00001
<화학식 II>
Figure 112009001424611-PAT00002
<화학식 III>
Figure 112009001424611-PAT00003
상기식에서, R1 내지 R5는 수소, 아미노기, 이미노기, 시아노기, 아조기, 티 올기, 술포기, 히드록실기, 카르보닐기, 카르복실기, 니트로기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 벤질기이고, 동일할 수도 상이할 수도 있고, 또한 상기 반복 단위 내에 포함되는 아민은 제4급 암모늄염의 형태일 수도 있다.
니켈 에칭액, 니켈 피막, 전해 도금, 과산화수소, 구리 침식

Description

에칭액 {Etching Solution}
본 발명은 질산 또는 황산, 과산화수소 및 물을 포함하는 니켈 에칭액에 관한 것이다.
TAB(Tape Automated Bonding)용 연성 기판이나 BGA(Ball Grid Array) 패키지용 기판을 포함하는 인쇄 배선판의 전극이나 배선, 또는 반도체 제품의 전극 등의 제조에 있어서는, 전해 도금이나 무전해 도금에 의해서 니켈 피막을 형성하는 공정이 있다. 이 때, 불필요한 부분에 형성된 니켈 피막은 에칭액에 의해서 제거된다.
상기 전극이나 배선은 복수개의 금속으로 이루어지기 때문에, 니켈 피막을 제거할 때는, 니켈 이외의 금속을 침식시키지 않는 것이 요구된다. 예를 들면 세미애디티브법에 의한 인쇄 배선판의 제조에 있어서는, 유리 직물(class cloth) 에폭시 수지 함침판이나 폴리이미드 필름 등의 절연 기재 상에 무전해 니켈 도금이나 니켈 증착을 행한 후, 레지스트로 회로의 역(逆) 패턴을 형성하고, 전해 구리 도금에 의해서 레지스트로 덮여 있지 않은 니켈 상에 구리 회로를 형성하고, 이어서 레지스트를 제거하며, 그 후 노출된 니켈을 에칭한다. 이 경우에 사용되는 니켈 에칭액에는, 구리 회로를 침식시키지 않고 니켈을 에칭하는 것이 요구된다.
구리를 침식시키지 않고 니켈을 제거하는 에칭액으로서는, 종래, 질산 등의 산과 과산화수소를 포함하는 에칭액이 사용되어 왔다. 이들 질산-과산화수소계 니켈 에칭액에는, 통상 구리의 침식을 억제하기 위한 첨가제가 첨가되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 내지 8 참조).
[특허 문헌 1] 일본 특허 공고 (소)62-11070호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공고 (소)62-14034호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공고 (소)62-14035호 공보
[특허 문헌 4] 일본 특허 공표 (소)58-500765호 공보
[특허 문헌 5] 일본 특허 공개 (평)6-57454호 공보
[특허 문헌 6] 일본 특허 공개 (평)9-228075호 공보
[특허 문헌 7] 일본 특허 공개 제2001-140084호 공보
[특허 문헌 8] 일본 특허 공개 제2005-36256호 공보
그러나, 이들 에칭액으로도 구리 침식의 억제가 충분하지 않아, 시장에서는 구리 침식이 더욱 억제된 니켈 에칭액이 요망되고 있다.
본 발명은 종래 기술의 결점을 극복하여, 니켈 이외의 금속, 특히 구리의 침식을 억제할 수 있는 니켈 에칭액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 에칭액은 하기 화학식 I, 하기 화 학식 II 및 하기 화학식 III으로부터 선택되는 1개 이상의 반복 단위를 갖는 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는, 질산 또는 황산, 과산화수소 및 물을 포함하는 니켈 에칭액이다.
<화학식 I>
Figure 112009001424611-PAT00004
<화학식 II>
Figure 112009001424611-PAT00005
<화학식 III>
Figure 112009001424611-PAT00006
상기식에서, R1 내지 R5는 수소, 아미노기, 이미노기, 시아노기, 아조기, 티올기, 술포기, 히드록실기, 카르보닐기, 카르복실기, 니트로기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 벤질기이고, 동일할 수도 상이할 수도 있고, 또한 상기 반복 단위 내에 포함되는 아민은 제4급 암모늄염의 형태일 수도 있다.
또한, 상기 본 발명의 에칭액은 니켈 에칭액이지만, 이 「니켈」에는 순니켈 뿐만 아니라 니켈 합금도 포함된다. 또한, 후술하는 「구리」에 대해서도 동일하다. 여기서, 상기 「합금」이란, 예를 들면 주 금속이 50 중량％ 이상 포함되는 금속을 말한다.
본 발명의 에칭액에 따르면, 상기 화학식 I, 상기 화학식 II 및 상기 화학식 III으로부터 선택되는 1개 이상의 반복 단위를 갖는 중합체를 포함하기 때문에, 니켈 이외의 금속, 특히 구리 침식을 억제할 수 있다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명의 에칭액은 질산 또는 황산, 과산화수소 및 물을 포함하는 니켈 에칭액에 있어서, 상기 화학식 I, 상기 화학식 II 및 상기 화학식 III으로부터 선택되는 1개 이상의 반복 단위를 갖는 중합체를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 에칭액에서는, 상기 중합체가 니켈 이외의 금속 침식 억제제가 되기 때문에, 니켈과 다른 금속이 공존하는 피처리재로부터 니켈만을 선택적으로 에칭할 수 있다. 특히, 상기 다른 금속이 구리인 경우에는, 상기 중합체의 침식 억제제로서의 기능이 보다 효과적으로 발휘된다.
본 발명의 에칭액의 산 성분은 과산화수소로 산화된 니켈을 용해시키는 성분이고, 니켈 용해성이 높은 것으로서, 질산 또는 황산이 사용된다. 또한, 산 성분은 보조 산화제로서 니켈의 산화를 촉진시키는 작용도 갖는다. 이들 산 성분 중 황산은 질산에 비해 구리를 용해시키는 작용은 작지만, 니켈을 용해시키는 작용도 작다. 따라서, 작업 시간의 관점에서는, 본 발명의 산 성분으로서 질산을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 에칭액 중의 산 성분의 농도는 에칭 속도나, 에칭액의 니켈 용해 허용량에 따라서 조정되지만, 1.0 중량％ 내지 38.5 중량％인 것이 바람직하고, 3.0 중량％ 내지 27.0 중량％인 것이 보다 바람직하다. 1.0 중량％ 이상인 경우에는, 에칭 속도가 빨라지기 때문에 니켈을 빠르게 에칭할 수 있다. 또한, 38.5 중량％ 이하로 함으로써 니켈 이외의 금속(특히 구리)의 침식을 용이하게 억제할 수 있다.
상기 에칭액 중의 과산화수소의 농도는 에칭 속도나 니켈의 제거 능력에 따라서 조정되지만, 0.0175 중량％ 내지 17.5 중량％인 것이 바람직하고, 0.035 중량％ 내지 14.0 중량％인 것이 보다 바람직하고, 0.35 중량％ 내지 7.0 중량％인 것이 더욱 바람직하다. 0.0175 중량％ 이상인 경우에는, 에칭 속도가 빨라지기 때문에 니켈을 빠르게 제거할 수 있다. 한편, 17.5 중량％ 이하로 함으로써 니켈 이외의 금속(특히 구리)의 침식을 용이하게 억제할 수 있다.
본 발명의 에칭액에는, 침식 억제제로서 상기 화학식 I, 상기 화학식 II 및 상기 화학식 III으로부터 선택되는 1개 이상의 반복 단위를 갖는 중합체가 배합되어 있다. 또한, 이 중합체는 상기 화학식 I, 상기 화학식 II 및 상기 화학식 III으로부터 선택되는 1개 이상의 반복 단위 및 다른 반복 단위로 이루어지는 공중합체일 수도 있고, 상기 화학식 I, 상기 화학식 II 또는 상기 화학식 III으로 이루어지는 단독 중합체일 수도 있고, 상기 화학식 I, 상기 화학식 II 및 상기 화학식 III에서 선택되는 2개 이상의 반복 단위로 이루어지는 공중합체일 수도 있다.
상기 화학식 I로 표시되는 반복 단위를 갖는 중합체는, 예를 들면 에피클로로히드린을 단량체로서 이용한 축합중합체를 예시할 수 있고, 종류는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 시판되는 계면활성제 중에서 적절하게 선택 가능하다. 그 중에서도, 니켈과 구리가 공존하는 피처리재로부터 니켈만을 선택적으로 에칭하기 위해서는, 에피클로로히드린과 질소 화합물에 의해 형성되는 반복 단위를 갖는 중합체가 바람직하고, 특히 하기 화학식 IV로 표시되는 반복 단위를 갖는 중합체가 바람직하다.
<화학식 IV>
Figure 112009001424611-PAT00007
상기식에서, R6 및 R7은 수소, 아미노기, 이미노기, 시아노기, 아조기, 티올기, 술포기, 히드록실기, 카르보닐기, 카르복실기, 니트로기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 벤질기이고, 동일할 수도 상이할 수도 있고, 또한, X-는 염화물 이온, 브롬화물 이온, 요오드화물 이온, 아세트산 이온 또는 탄산 이온이다.
상기 화학식 IV로 표시되는 반복 단위를 갖는 중합체를 이용함으로써, 니켈에 대한 에칭 속도(이하, 「ER1」이라 함)와 구리에 대한 에칭 속도(이하, 「ER2」라 함)의 비(ER1/ER2)를 크게 할 수 있다. 이에 따라, 니켈과 구리가 공존하는 피처리재로부터 니켈만을 확실하게 에칭할 수 있다. 이러한 중합체로서는, 예를 들 면 디메틸아민/에피클로로히드린 축합중합체, 디메틸아민/암모니아/에피클로로히드린 축합중합체, 아디프산/디메틸아민/에피클로로히드린/디에틸렌트리아민 축합중합체 등을 들 수 있다. 또한, 암모니아를 단량체로서 이용한 경우, 상기 화학식 IV로 표시되는 반복 단위 중의 R6 및 R7은 모두 수소가 된다. 또한, 디메틸아민을 단량체로서 이용한 경우, 상기 화학식 IV로 표시되는 반복 단위 중의 R6 및 R7은 모두 메틸기가 된다.
상기 화학식 II로 표시되는 반복 단위를 갖는 중합체는, 예를 들면 디알릴아민을 단량체로서 이용한 축합중합체를 예시할 수 있고, 종류는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 시판되는 계면활성제 중에서 적절하게 선택 가능하다. 구체적인 예로서는, 디알릴아민염산염으로 이루어지는 축합중합체, 디알릴아민/아크릴산/아크릴아미드 축합중합체 등을 들 수 있다. 또한, 디알릴아민을 단량체로서 이용한 경우, 상기 화학식 II로 표시되는 반복 단위 중의 R1은 수소가 된다.
상기 화학식 III으로 표시되는 반복 단위를 갖는 중합체는, 예를 들면 디시안디아미드를 단량체로서 이용한 축합중합체를 예시할 수 있고, 종류는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 시판되는 계면활성제 중에서 적절하게 선택 가능하다. 구체적인 예로서는, 디시안디아미드/포름퍼알데히드 축합중합체, 디시안디아미드/디에틸렌트리아민 축합중합체 등을 들 수 있다. 또한, 디시안디아미드를 단량체로서 이용한 경우, 상기 화학식 III으로 표시되는 반복 단위 중의 R2 내지 R5는 모두 수소가 된다.
본 발명의 에칭액 중의 상기 중합체의 농도는 0.0001 중량％ 내지 3 중량％ 미만인 것이 바람직하고, 0.0005 중량％ 내지 1.5 중량％인 것이 보다 바람직하고, 0.001 중량％ 내지 1.0 중량％인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위 내이면, 니켈의 에칭을 저해하지 않는 정도로 니켈 이외의 금속의 침식을 억제할 수 있다.
상기 중합체는 전체 반복 단위 중에서 상기 화학식 I, 상기 화학식 II 및 상기 화학식 III으로부터 선택되는 1개 이상의 반복 단위가 차지하는 비율이 10 내지 100 몰％인 것이 바람직하다. 니켈 이외의 금속 침식을 보다 효과적으로 억제할 수 있기 때문이다. 또한, 상기 비율(몰분율)은, 예를 들면 적외선 분석법(IR), 원소 분석법, 액체 크로마토그래피 등에 의해, 상기 화학식 I, 상기 화학식 II, 상기 화학식 III에 포함되는 관능기나 특정 원소의 몰수를 구하고, 이들 값과 수 평균 분자량과의 관계로부터 산출할 수 있다. 또한, 단량체 조성이 결정된 경우에는, 단량체 비율이 몰분율이 된다. 또한, 상기 몰분율을 구할 때의 분모는 상기 중합체에 포함되는 최소 반복 단위의 총 몰수이다.
상기 중합체는 중량 평균 분자량이 100 내지 100만인 것이 바람직하고, 100 내지 50만인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위 내이면, 상기 중합체의 용해성을 방해하지 않고, 니켈 이외의 금속 침식을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명의 에칭액에는, 상술한 성분 이외에도 본 발명의 효과를 방해하지 않는 정도로 다른 성분을 첨가할 수도 있다. 예를 들면 과산화수소의 안정제로서, 크레졸술폰산 등의 벤젠술폰산류나, 살리실산 등의 페놀류를 첨가할 수도 있다. 이들 다른 성분의 농도는, 예를 들면 0.01 내지 5 중량％ 정도이다.
또한, 구리의 침식 억제 효과를 촉진시키기 위해서 염화물 이온원을 첨가할 수도 있다. 염화물 이온원으로서는, 예를 들면 염산이나, 염산아닐린, 염산구아니딘, 염산에틸아민 등의 염산염이나, 염화암모늄, 염화나트륨, 염화아연, 염화제2철, 염화제2구리, 염화니켈 등의 염화물 등을 예시할 수 있다. 이들 염화물 이온원의 농도는 염화물 이온으로서 통상 1 내지 60 ppm 정도이다.
상기 에칭액은 상기 각 성분을 물에 용해시킴으로써 용이하게 제조할 수 있다. 상기 물로서는, 이온성 물질이나 불순물을 제거한 물이 바람직하고, 예를 들면 이온 교환수, 순수(純水), 초순수 등이 바람직하다.
상기 에칭액은 각 성분을 사용시에 소정의 농도가 되도록 배합할 수도 있고, 농축액을 제조해두고 사용 직전에 희석하여 사용할 수도 있다. 상기 에칭액의 사용 방법은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 사용시 에칭액의 온도는 특별히 제한은 없지만, 니켈 이외의 금속 침식을 억제한 후에, 보다 빠르게 니켈을 에칭하기 위해서는 20 내지 50 ℃에서 사용하는 것이 바람직하다.
<실시예>
다음에, 본 발명에 따른 에칭액의 실시예에 대하여 비교예와 함께 설명한다. 또한, 본 발명이 하기 실시예로 한정하여 해석되는 것은 아니다.
표 1에 나타내는 종류(A 내지 J)의 중합체를 이용하여 표 2에 나타내는 조성의 각 에칭액을 제조하고, 하기에 나타내는 측정 방법에 의해 각 항목에 대하여 평가하였다. 각 에칭액은 우선 산 및 과산화수소를 이온 교환수에 용해시킨 후, 중합체를 첨가하여 제조하였다. 배합하는 산에 대해서는, 실시예 14만 황산을 사용 하고, 나머지는 모두 질산을 사용하였다. 또한, 표 1에 나타내는 중량 평균 분자량은 저분자량(중량 평균 분자량: 50 이상 5만 미만)인 경우에는, 고노텍(Gonotec)사 제조 증기압식 분자량 측정 장치를 이용하여 샘플 농도 5 중량％(용매: 톨루엔)의 조건에서 측정하였다. 또한, 고분자량(중량 평균 분자량: 5만 이상 30만 이하)인 경우에는, 동일 회사 제조 멤브레인식 분자량 측정 장치를 이용하여 상기와 동일한 조건에서 측정하였다.
<니켈에 대한 에칭 속도(ER1)>
두께 1 mm의 압연 니켈판(고준도 가가꾸 겡뀨쇼 제조)를 4 cm변(角)으로 잘라내고, 한쪽면에 보호 테이프를 붙인 시험 조각을 준비하였다. 또한, 표 2의 각 에칭액(액량: 100 mL)을 각각 비이커에 넣고, 핀셋을 이용하여 상기 시험 조각을 각 에칭액(25 ℃)에 침지시키고, 에칭액 중에서 시험 조각을 수평 방향으로 요동(주기: 2 초)시키면서 1 분간 에칭 처리하였다. 또한, 처리 전후의 각 시험 조각의 중량으로부터 하기 식에 의해 ER1(㎛/분)을 산출하였다.
ER1(㎛/분)=(처리 전의 중량(g)-처리 후의 중량(g))÷시험 조각 면적(m2)÷니켈의 밀도(g/cm3)÷침지 시간(분)
<구리에 대한 에칭 속도(ER2)>
두께 35 ㎛의 구리박(후루까와 서킷 호일 제조 GTMP)을 4 cm변으로 잘라내고, 한쪽면에 보호 테이프를 붙인 시험 조각을 준비하였다. 또한, 표 2의 각 에칭액(액량: 100 mL)을 각각 비이커에 넣고, 핀셋을 이용하여 상기 시험 조각을 각 에 칭액(25 ℃)에 침지시키고, 에칭액 중에서 시험 조각을 수평 방향으로 요동(주기: 2 초)시키면서 1 분간 에칭 처리하였다. 또한, 처리 전 후의 각 시험 조각의 중량으로부터 하기 식에 의해 ER2(㎛/분)를 산출하였다.
ER2(㎛/분)=(처리 전의 중량(g)-처리 후의 중량(g))÷시험 조각 면적(m2)÷구리의 밀도(g/cm3)÷침지 시간(분)
또한, 각 에칭액에 대하여 상기 ER1과 상기 ER2의 비(ER1/ER2)를 산출하였다. 각 에칭액의 ER1, ER2 및 이들의 비(ER1/ER2)를 표 2에 나타낸다.
Figure 112009001424611-PAT00008
*화학물질의 심사 및 제조 등의 규제에 관한 법률
Figure 112009001424611-PAT00009
표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 15에 따르면, 비교예 1 내지 5에 비해, 모두 에칭 속도비(ER1/ER2)를 크게 할 수 있었다. 이 결과로부터, 본 발명에 따르면, 니켈과 그 밖의 금속(구리 등)이 공존하는 피처리재로부터 니켈만을 선택적으로 에칭할 수 있음을 알았다.

Claims (6)

  1. 하기 화학식 I, 하기 화학식 II 및 하기 화학식 III으로부터 선택되는 1개 이상의 반복 단위를 갖는 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는, 질산 또는 황산, 과산화수소 및 물을 포함하는 니켈 에칭액.
    <화학식 I>
    Figure 112009001424611-PAT00010
    <화학식 II>
    Figure 112009001424611-PAT00011
    <화학식 III>
    Figure 112009001424611-PAT00012
    상기식에서, R1 내지 R5는 수소, 아미노기, 이미노기, 시아노기, 아조기, 티올기, 술포기, 히드록실기, 카르보닐기, 카르복실기, 니트로기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 벤질기이고, 동일할 수도 상이할 수도 있고, 또한 상기 반복 단 위 내에 포함되는 아민은 제4급 암모늄염의 형태일 수도 있다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 I의 반복 단위를 갖는 중합체로서, 하기 화학식 IV로 표시되는 반복 단위를 갖는 중합체를 포함하는 에칭액.
    <화학식 IV>
    Figure 112009001424611-PAT00013
    상기식에서, R6 및 R7은 수소, 아미노기, 이미노기, 시아노기, 아조기, 티올기, 술포기, 히드록실기, 카르보닐기, 카르복실기, 니트로기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 벤질기이고, 동일할 수도 상이할 수도 있고, 또한, X-는 염화물 이온, 브롬화물 이온, 요오드화물 이온, 아세트산 이온 또는 탄산 이온이다.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중합체가 0.0001 중량％ 이상 3 중량％ 미만 포함되어 있는 에칭액.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중합체의 전체 반복 단위 중에서 상기 화학식 I, 상기 화학식 II 및 상기 화학식 III으로부터 선택되는 1개 이상의 반복 단위가 차지하는 비율이 10 내지 100 몰％인 에칭액.
  5. 제1항에 있어서, 상기 중합체의 중량 평균 분자량이 100 내지 100만인 에칭액.
  6. 제1항에 있어서, 상기 질산 또는 황산의 농도가 1.0 중량％ 내지 38.5 중량％이고, 상기 과산화수소의 농도가 0.0175 중량％ 내지 17.5 중량％인 에칭액.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101298766B1 (ko) * 2011-05-20 2013-08-21 주식회사 익스톨 니켈, 크롬, 니켈-크롬 합금의 에칭 용액 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법
KR20160005237A (ko) * 2014-07-04 2016-01-14 오씨아이 주식회사 니켈을 포함하는 금속층의 식각용 조성물

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102230178B (zh) * 2011-04-29 2012-09-05 西安东旺精细化学有限公司 镍或镍/铜合金的蚀刻液组合物
CN103281863B (zh) * 2013-04-28 2016-04-20 胜宏科技（惠州）股份有限公司 一种线路板镀金手指的返工方法
CN105506628B (zh) * 2015-12-03 2018-01-12 苏州鑫德杰电子有限公司 一种大叶海藻浸提物蚀刻液及其制备方法
JP6471140B2 (ja) * 2016-11-30 2019-02-13 福田金属箔粉工業株式会社 複合金属箔及び該複合金属箔を用いた銅張積層板並びに該銅張積層板の製造方法
CN107740101A (zh) * 2017-09-19 2018-02-27 合肥惠科金扬科技有限公司 一种用于amoled阵列基板铜导线的蚀刻液
CN108754498A (zh) * 2018-06-15 2018-11-06 西安微电子技术研究所 一种低温化学镍槽体沉积镍层褪除溶液及褪镍层的方法
CN113957442A (zh) * 2021-02-01 2022-01-21 江苏悦锌达新材料有限公司 一种用于电镀镍抗蚀层的褪镍药水及制备方法、化学褪镍工艺
CN113773840B (zh) * 2021-08-13 2022-08-02 晶瑞电子材料股份有限公司 一种蚀刻液及其制备方法和应用

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3540887B2 (ja) * 1996-02-26 2004-07-07 荏原ユージライト株式会社 選択的ニッケル剥離液およびこれを用いる剥離方法
US6630074B1 (en) * 1997-04-04 2003-10-07 International Business Machines Corporation Etching composition and use thereof
JP4241018B2 (ja) * 2002-12-06 2009-03-18 メック株式会社 エッチング液
US7176041B2 (en) * 2003-07-01 2007-02-13 Samsung Electronics Co., Ltd. PAA-based etchant, methods of using same, and resultant structures
KR101230817B1 (ko) * 2004-12-13 2013-02-07 동우 화인켐 주식회사 알루미늄, 니켈, 첨가금속으로 구성된 단일금속 합금막식각액 조성물
JP2007180172A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Mec Kk 基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101298766B1 (ko) * 2011-05-20 2013-08-21 주식회사 익스톨 니켈, 크롬, 니켈-크롬 합금의 에칭 용액 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법
KR20160005237A (ko) * 2014-07-04 2016-01-14 오씨아이 주식회사 니켈을 포함하는 금속층의 식각용 조성물

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