CN107740101A - 一种用于amoled阵列基板铜导线的蚀刻液 - Google Patents

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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract

本发明公开了一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液，其是由以下成份按照重量百分比组成：磷酸17‑21％、硫酸9‑14％、硝酸10‑13％、过氧化氢6‑15％、羧酸类化合物15‑19％、螯合剂7‑9％、抑制剂4‑8％和表面活性剂10‑15％。本发明通过使用螯合剂及表面活性剂，显著改善铜导线蚀刻液工艺窗口较短的特点，降低了工程控制难度，增加工程生产的稳定性及提高产出良率；提高蚀刻过程稳定性，蚀刻储存后期时也能保持蚀刻性能的稳定性；提高使用寿命，且在制程后期工艺窗口未出现明显变窄，且性能等仍较为稳定。

Description

一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液
技术领域
本发明涉及AMOLED技术领域，具体涉及一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液。
背景技术
液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有液晶显示装置包括液晶显示面板及背光模组。通常液晶显示面板包括CF(Color Filter)基板、AMOLED阵列基板、及设于CF基板与AMOLED阵列基板之间的液晶。通过给AMOLED阵列基板供电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线投射到CF基板产生画面。AMOLED阵列基板的性能特征和运行特性部分很大程度上取决于形成AMOLED阵列基板各元件的材料。在AMOLED阵列基板上布有金属导线，AMOLED阵列基板中的金属导线是将溅射在AMOLED阵列基板上的金属层通过蚀刻工艺制成，该蚀刻工艺可分为干式蚀刻和湿式蚀刻。常规应用于AMOLED阵列基板中的金属导线为铝导线。随着电视等液晶显示终端的大尺寸化、高解析度以及驱动频率高速化的发展趋势及要求，液晶显示领域技术人员不得不面对AMOLED阵列基板中电阻及所造成的电阻/电容时间延迟问题。而铝导线具有较高的电阻率(约4μΩcm)使得AMOLED阵列基板的像素电极不能够充分充电，随着高频寻址(≥120Hz)液晶显示的广泛应用，这一现象更加明显。
铜导线相对于铝导线具有较低的电阻率及良好的抗电迁移能力，因而被应用到TFT阵列基板上来解决上述铝导线产生的问题。然而，在铜导线蚀刻制程中，经过离子蚀刻时，铜金属会生成氟化铜(CuFx)和氯化铜，该生成物在200℃以下为固体，不会气化。因此铜金属无法像铝金属那样以干式蚀刻的方式制作出导线图案。因此，发展应用于铜金属湿式蚀刻的蚀刻剂变得尤为重要。
此外，铜与玻璃具有差的粘附性，需要用下层金属层进行过渡。且铜在200℃以下通过互扩散易与硅反应生成具有硅化铜化合物，产生很高的接触电阻，因此也需要采用其它下层金属层进行过渡。目前较为常用的是采用难熔金属作为过渡的粘结层和阻挡层，例如钼，钛等。相应地，需要开发出适用于AMOLED阵列基板铜导线的金属结构及与其相对应的铜导线蚀刻液。
发明内容
本发明旨在提供了一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液。
本发明提供如下技术方案：
一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液，其特征在于，其是由以下成份按照重量百分比组成：磷酸17-21％、硫酸9-14％、硝酸10-13％、过氧化氢6-15％、羧酸类化合物15-19％、螯合剂7-9％、抑制剂4-8％和表面活性剂10-15％。
所述羧酸类化合物为乙二胺四乙酸或环已二胺四乙酸。
所述螯合剂为亚氨基二乙酸或三乙烯四胺。
所述抑制剂为氨基四唑化合物。
所述表面活性剂为聚氧乙烯烷基苯基醚。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过使用螯合剂及表面活性剂，显著改善铜导线蚀刻液工艺窗口较短的特点，降低了工程控制难度，增加工程生产的稳定性及提高产出良率；提高蚀刻过程稳定性，蚀刻储存后期时也能保持蚀刻性能的稳定性；提高使用寿命，且在制程后期工艺窗口未出现明显变窄，且性能等仍较为稳定。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液，其特征在于，其是由以下成份按照重量百分比组成：磷酸17％、硫酸9％、硝酸10％、过氧化氢6％、羧酸类化合物15％、螯合剂7％、抑制剂4％和表面活性剂10％。
所述羧酸类化合物为乙二胺四乙酸或环已二胺四乙酸。
所述螯合剂为亚氨基二乙酸或三乙烯四胺。
所述抑制剂为氨基四唑化合物。
所述表面活性剂为聚氧乙烯烷基苯基醚。
实施例2一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液，其特征在于，其是由以下成份按照重量百分比组成：磷酸19％、硫酸12％、硝酸11％、过氧化氢10％、羧酸类化合物16％、螯合剂8％、抑制剂6％和表面活性剂13％。
所述羧酸类化合物为乙二胺四乙酸或环已二胺四乙酸。
所述螯合剂为亚氨基二乙酸或三乙烯四胺。
所述抑制剂为氨基四唑化合物。
所述表面活性剂为聚氧乙烯烷基苯基醚。
实施例3一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液，其特征在于，其是由以下成份按照重量百分比组成：磷酸21％、硫酸14％、硝酸13％、过氧化氢15％、羧酸类化合物19％、螯合剂9％、抑制剂8％和表面活性剂15％。
所述羧酸类化合物为乙二胺四乙酸或环已二胺四乙酸。
所述螯合剂为亚氨基二乙酸或三乙烯四胺。
所述抑制剂为氨基四唑化合物。
所述表面活性剂为聚氧乙烯烷基苯基醚。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (5)

1.一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液，其特征在于，其是由以下成份按照重量百分比组成：磷酸17-21％、硫酸9-14％、硝酸10-13％、过氧化氢6-15％、羧酸类化合物15-19％、螯合剂7-9％、抑制剂4-8％和表面活性剂10-15％。
2.根据权利要求1所述的一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液，其特征在于：所述羧酸类化合物为乙二胺四乙酸或环已二胺四乙酸。
3.根据权利要求1所述的一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液，其特征在于：所述螯合剂为亚氨基二乙酸或三乙烯四胺。
4.根据权利要求1所述的一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液，其特征在于：所述抑制剂为氨基四唑化合物。
5.根据权利要求1所述的一种用于AMOLED阵列基板铜导线的蚀刻液，其特征在于：所述表面活性剂为聚氧乙烯烷基苯基醚。
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