KR20090064420A - 실리콘 웨이퍼의 유지 방법 및 유지 지그 - Google Patents

실리콘 웨이퍼의 유지 방법 및 유지 지그 Download PDF

Info

Publication number
KR20090064420A
KR20090064420A KR1020097006776A KR20097006776A KR20090064420A KR 20090064420 A KR20090064420 A KR 20090064420A KR 1020097006776 A KR1020097006776 A KR 1020097006776A KR 20097006776 A KR20097006776 A KR 20097006776A KR 20090064420 A KR20090064420 A KR 20090064420A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
silicon wafer
holding
edge region
silicon
Prior art date
Application number
KR1020097006776A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101033100B1 (ko
Inventor
도시아키 오노
유미 호시노
Original Assignee
가부시키가이샤 섬코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 섬코 filed Critical 가부시키가이샤 섬코
Publication of KR20090064420A publication Critical patent/KR20090064420A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101033100B1 publication Critical patent/KR101033100B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02433—Crystal orientation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/02—Heat treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Abstract

{110}면 또는 {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조에 적용되어, 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <110>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 웨이퍼 에지부에서의 유지 위치를 적절히 규정하여 웨이퍼를 유지하는 방법 및 실리콘 웨이퍼의 유지 지그이며, 웨이퍼를 핸들링할 때에 있어서의 접촉상처의 발생을 최대한 적게 하고, 또한, 실리콘 웨이퍼, 특히, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼에 있어서 생기기 쉬운 접촉상처를 기점으로 한 크랙의 신전에 기인하는 깨짐을 방지할 수 있다.

Description

실리콘 웨이퍼의 유지 방법 및 유지 지그{METHOD AND JIG FOR HOLDING SILICON WAFER}
본 발명은, 실리콘 웨이퍼의 반송 공정이나 세로형 보트를 사용한 열처리 공정 등에 있어서 웨이퍼를 핸들링할 때의 실리콘 웨이퍼의 유지 방법과, 그 때에 이용하는 유지 지그에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼의 제조 공정에 있어서는, 웨이퍼의 이면을 지지 부재 또는 흡착 부재로 접촉 유지하여 수평 상태로 유지하면서 처리를 행하는 공정이 많이 존재한다. 예를 들면, 실리콘 웨이퍼의 반송 공정이나, 세로형 보트를 사용한 열처리 공정, RTA(Rapid Thermal Annealing) 공정, 매엽식 에피택셜 성장 공정, SOI 열처리 공정 등이고, 이들 공정에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 이면을 지지 부재나 흡착 부재로 접촉 유지하여 웨이퍼를 수평으로 유지한 상태로 각종 프로세스가 행해지고 있다.
최근, 웨이퍼의 대구경화에 따라, 더욱 미세화된 세대에서의 고집적화 디바이스가 제조되므로, 웨이퍼와 지지 부재 등과의 접촉에 기인하는 접촉상처를 가능한 한 적게 하는 것이 필요하다. 그 때문에, 웨이퍼를 핸들링할 때에, 실리콘 웨이퍼의 이면을 흡착 부재 등으로 유지하지 않고, 웨이퍼의 에지부만을 유지하는 에 지 핸들링의 채용을 피할 수 없는 상황이 되어져 오고 있다.
그 때문에, 예를 들면, 일본국 특허공개 2002-33378호 공보에서는, 상하 이동 가능한 핸드 부재와, 이 핸드 부재에 부착되고 또한 하단부를 플랜지부로 한 적어도 3개의 척 클로우 부재를 갖는 핸들링 장치가 제안되어 있다. 척 클로우 부재의 플랜지부의 상면 부분이 테이퍼면을 형성하고 있으며, 웨이퍼의 위쪽에서부터 핸드 부재를 웨이퍼 옆쪽까지 하강시키고, 각 척 클로우 부재를 닫아, 상기 테이퍼면 상에서 웨이퍼를 유지할 수 있도록 구성되어 있다. 웨이퍼에는 척 클로우 부재로부터의 힘은 조금도 가해지지 않으므로, 특히, 종래의 이면 흡착 방법이나 클램핑 방법 등에서는 유지가 곤란한 얇은 웨이퍼를 변형이나 깨짐을 발생시키지 않고 안정된 상태로 핸들링할 수 있다고 되어 있다.
한편, 반도체 소자의 제작에는, 종래, 결정 방위가 <100>이나 <111>인 실리콘 웨이퍼가 주로 이용되어져 왔었다. 그러나, 최근, 반도체 소자의 캐리어 이동도가 웨이퍼의 결정 방위에 크게 의존하므로, 반도체 소자의 동작 속도의 고속화의 요구에 대해, 결정 방위 <110>의 실리콘 웨이퍼의 사용이 주목받고 있으며, 그 수요가 높아지고 있다. 결정 방위 <110>의 실리콘 웨이퍼를 이용하면 캐리어 이동도를 크게 하는 것이 가능하고, 예를 들면 스위칭 속도 등의 반도체의 동작 속도의 고속화를 기대할 수 있기 때문이다.
그러나, 주면이 {110}면의 실리콘 웨이퍼는, 현재 많이 이용되고 있는 주류의 {100}면의 실리콘 웨이퍼에 비해, 외주부에 접촉상처가 생기기 쉽고, 이것을 기점으로 한 크랙 신전(伸展)에 의한 웨이퍼 깨짐을 발생하기 쉽다는 문제가 있다. 또한, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼에 한정되지 않고, {100}면의 실리콘 웨이퍼에 있어서도, 다른 방향에 비해 약간 깨지기 쉬운 방향이 있다.
이러한 접촉상처에 기인하는 깨짐에 대해서는, 앞에 게재한 일본국 특허공개 2002-33378호 공보에 기재된 바와 같은 에지 핸들링만으로는, 유효한 대책이 되지는 않는다.
본 발명은 이러한 상황을 감안하여 이루어진 것이고, 그 목적은, 실리콘 웨이퍼의 반송 공정이나, 세로형 보트를 사용한 열처리, RTA, 매엽식 에피택셜 성장, SOI 열처리 등의 공정에 있어서, 웨이퍼를 핸들링할 때에, 웨이퍼와 핸드 부재 또는 지지 부재 등과의 접촉상처의 발생을 최대한 적게 함과 더불어, 실리콘 웨이퍼, 특히, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼에 있어서 생기기 쉬운 접촉상처를 기점으로 한 크랙 신전에 의한 웨이퍼 깨짐을 방지할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법 및 이 방법의 실시에 이용하는 유지 지그를 제공하는 것에 있다.
상술한 문제, 특히, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼에 있어서 생기기 쉬운 깨짐의 발생은, 이 실리콘 웨이퍼가, <110>축에 평행한 벽개면인 {111}면을 갖는 것에 기인한다. 즉, 웨이퍼 에지부에서의 유지 위치가 이 {111}에 평행한 <112> 방향 또는 그것에 가까운 방향인 경우, 유지 지그와의 접촉에 의해, 간단히 웨이퍼 외주부에 접촉상처가 도입되고, 극히 약간의 외력이 작용하는 것만으로도, 접촉상처를 기점으로 웨이퍼 내부를 향해 크랙이 신전되어 버리므로, 웨이퍼가 깨지는 것이라고 생각된다.
본 발명자들은, 실리콘 웨이퍼, 특히, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼에 있어서 생기기 쉬운 깨짐을 방지하고, 상기의 목적을 달성하기 위해 검토를 거듭한 결과, 에지 핸들링을 행함과 동시에, 깨짐이 생기기 쉬운 방향을 피하여 웨이퍼를 유지한다는 착상을 얻었다.
그래서, 이 착상의 실시 가능성과 실시에 의한 효과에 대해 조사하였다. 그 결과, 실리콘 단결정의 결정면과 결정 방위를 벽개면과 관련지어 고려해서, 웨이퍼 에지부에서의 유지 위치를 적절히 규정하여 웨이퍼를 유지하는 것이 가능하고, 또한, 이 규정 위치에서 웨이퍼를 유지함으로써 접촉상처에 기인하는 깨짐을 방지한다는 초기의 목적을 달성할 수 있는 것을 확인하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
본 발명의 요지는, 하기 (1) 또는 (2)의 실리콘 웨이퍼의 유지 방법 및 이 방법의 실시에 이용하는 하기 (3) 또는 (4)의 유지 지그에 있다.
(1) {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법으로서, 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 20°∼40°, 140°∼160°, 200°∼220° 및 320°∼340°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법이다.
여기에서, 「{110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼」란, 웨이퍼 표면을 {110}면으로 한, 즉, 그 웨이퍼를 이용하여 디바이스를 구성했을 때에, 디바이스가 형성되는 이른바 디바이스 활성 영역을 {110}면으로 할 수 있는 실리콘 웨이퍼를 말한다.
상기 (1)의 실리콘 웨이퍼의 유지 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 55°∼80°, 100°∼125°, 235°∼260° 및 280°∼305°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역 중 2 이상의 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것으로 하면, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼에 있어서의 깨짐 발생 방지 효과는 한층 크다.
(2) {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법으로서, 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <110>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 0°∼10°, 80°∼100°, 170°∼190°, 260°∼280° 및 350°∼360°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법이다.
상기의 「{100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼」란, 웨이퍼 표면을 {100}면으로 한, 즉, 그 웨이퍼를 이용하여 디바이스를 구성했을 때에, 이른바 디바이스 활성 영역을 {100}면으로 할 수 있는 실리콘 웨이퍼를 말한다.
(3) {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 20°∼40°, 140°∼160°, 200°∼220° 및 320°∼340°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 지그이다.
상기 (3)의 실리콘 웨이퍼의 유지 지그에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 55°∼80°, 100°∼125°, 235°∼260° 및 280°∼305°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역 중 2 이상의 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하도록 구성되어 있는 유지 지그를 이용하면, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼에 있어서의 깨짐 발생 방지 효과는 한층 크다.
(4) {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <110>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 0°∼10°, 80°∼100°, 170°∼190°, 260°∼280° 및 350°∼360°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 지그이다.
본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 방법에 의하면, 웨이퍼를 핸들링할 때에 있어서의 핸드 부재 등과의 접촉상처의 발생을 최대한 적게 하고, 또한, 실리콘 웨이퍼, 특히, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼에 있어서 생기기 쉬운 접촉상처에 기인하는 깨짐을 방지할 수 있다. 이 실리콘 웨이퍼의 유지 방법은, 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 지그를 이용하여 용이하게 실시할 수 있다.
도 1은, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 영역을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 2는, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 더욱 바람직한 유지 영역을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 3은, {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 영역을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 4는, 4점 지지의 유지 지그를 이용하여 웨이퍼를 유지한 상태를 모식적으로 도시한 도면이다.
이하에, 상기 (1) 및 (2)에 기재된 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 방법, 및 이 방법의 실시에 이용하는 상기 (3) 및 (4)에 기재된 본 발명의 유지 지그에 대해, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
상기 (1)에 기재된 실리콘 웨이퍼의 유지 방법은, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법으로서, 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 20°∼40°, 140°∼160°, 200°∼220° 및 320°∼340°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 방법이다.
이 유지 방법은, 실리콘 웨이퍼의 반송 공정이나, 세로형 보트를 사용한 열처리, RTA, 매엽식 에피택셜 성장, SOI 열처리 등의 공정에 있어서, 웨이퍼를 수평 상태로 유지하면서 핸들링할 때에 사용할 수 있는 방법이다. 이것은, 후술하는 상기 (2)에 기재된 실리콘 웨이퍼의 유지 방법에 있어서도 동일하다.
본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 방법에 있어서, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼를 대상으로 하는 것은, 이 웨이퍼가, <110>축에 평행한 벽개면인 {111}면을 갖고 있고, 웨이퍼 에지부에서의 유지 위치가 이 {111}에 평행한 <112> 방향 혹은 그것에 가까운 방향인 경우, 용이하게 접촉상처가 도입되어 버려, 극히 약간의 외력이 작용하는 것만으로도, 접촉상처로부터 웨이퍼 내부를 향해 크랙이 신전되어, 웨이퍼가 깨지기 쉽기 때문이다.
본 발명의 유지 방법에서는, 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향, 예를 들면 [001]을 향하는 방향을 기준으로 하여, 상기 웨이퍼 에지 영역을 제외한 특정한 에지 영역에서 유지한다. 또한, 여기에서 말하는 「웨이퍼 에지 영역」이란, 웨이퍼 외주의 에지부(웨이퍼 단면), 및 이들 에지부의 근방을 말한다.
도 1은, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 영역을 모식적으로 도시한 도면이다. 도 1에 있어서, 웨이퍼(1)의 중심점(C)으로부터 도면 중에 화살표로 나타낸 <100>을 향하는 방향을 기준(0°)으로 하여, 시계 방향으로 20°∼40°의 범위, 140°∼160°의 범위, 200°∼220°의 범위 및 320°∼340°의 범위에 형성되는 부채꼴의 웨이퍼면에 사선으로 표시하고 있다. 이들 사선부가 접촉상처에 기인하는 깨짐이 생기기 쉬운 범위이고, 이 범위에 대응하는 에지 영역은, 웨이퍼의 유지(핸들링)를 피해야 하는 에지 영역이다.
본 발명의 유지 방법에서는, 이들 웨이퍼 유지(핸들링)를 피해야 하는 에지 영역을 제외한 웨이퍼 에지 영역, 즉, 사선으로 표시되어 있지 않은 웨이퍼면의 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한다.
이와 같이, 사선으로 표시되어 있지 않은 웨이퍼면의 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것은, 사선으로 표시한 웨이퍼면에서는, 웨이퍼(에지 영역을 포함한 다)에 작용하는 약간의 외력으로도 접촉상처를 기점으로 크랙이 웨이퍼 내부로 신전되어, 웨이퍼가 깨지기 쉽기 때문이다. 또, 웨이퍼를 에지 영역에서 유지하는 것은, 실리콘 웨이퍼의 이면을 지지 부재나 흡착 부재로 유지하여 웨이퍼를 핸들링하는 경우에 생기기 쉬운 접촉상처를 최대한 적게 하기 위해서이다.
웨이퍼를 유지하는 상기 에지 영역 내에서의 유지 위치는, 도 1에 있어서 사선으로 표시되어 있지 않은 웨이퍼면의 에지 영역 내이면 어디라도 되고, 웨이퍼의 반송 상황이나 웨이퍼에 실시되는 처리의 상황에 따라 적절히 정하면 된다. 당해 에지 영역 전체에서 유지해도 된다. 예를 들면, 세로형 보트를 사용한 열처리 시에 있어서의 웨이퍼 유지의 경우이면, 웨이퍼를 수평으로 유지한 상태에서의 안정성 등을 고려하여, 상기 에지 영역 내에 있어서의 3점 또는 4점에서 웨이퍼를 유지하는 것이 일반적이다.
에지 영역에서의 웨이퍼의 유지 방법에는 특별히 한정은 없다. 예를 들면, 앞에 게재한 일본국 특허공개 2002-33378호 공보에 기재된 바와 같은, 웨이퍼의 에지부를 지지 부재의 상측에 설치한 테이퍼면에서 유지하는 방법 등을 이용하면 된다. 웨이퍼의 에지부 근방을 클램핑하는 방법도, 웨이퍼의 반송 상황이나 처리의 상황에 따라서는 적합하다.
상기 (1)의 {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 55°∼80°, 100°∼125°, 235°∼260° 및 280°∼305°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역 중 2 이상의 에지 영역에서 웨이퍼를 유 지하는 것으로 하면, 실리콘 웨이퍼에 있어서의 깨짐 발생 방지 효과는 한층 커서 바람직하다.
「2 이상의 에지 영역에서 유지한다」고 한 것은, 1의 에지 영역에서는 웨이퍼를 예를 들면 수평 방향으로 안정하게 유지할 수 없기 때문이다.
도 2는, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 더욱 바람직한 유지 영역을 모식적으로 도시한 도면이다. 도 2에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 55°∼80°, 100°∼125°, 235°∼260° 및 280°∼305°의 범위에 형성되는 부채꼴의 웨이퍼면에 격자 모양으로 표시하고 있다.
이들 격자 모양으로 표시한 부분은, 상기 도 1에 사선으로 표시하여 나타낸 약간의 외력의 작용에 의해서도 깨지기 쉬운 부채꼴의 웨이퍼면으로부터 충분히 떨어진, 깨짐이 생기기 어려운 웨이퍼면에서, 웨이퍼를 유지(핸들링)할 때에, 더욱 바람직한 에지 영역에 대응하는 웨이퍼면이다.
이들 웨이퍼면에 대응하는 에지 영역 내에서 웨이퍼를 유지하면, 접촉상처에 기인하는 웨이퍼 깨짐을 확실하게 방지할 수 있다.
웨이퍼를 유지하는 위치는, 도 2의 격자 모양으로 표시한 웨이퍼면의 에지 영역이면 어디라도 된다. 또, 에지 영역에서의 웨이퍼의 유지 방법에 대해서도 특별히 한정은 없고, 웨이퍼의 에지부를 테이퍼면에서 유지하는 방법, 에지부 근방을 클램핑하는 방법 등을 채용할 수 있다.
상기 (2)에 기재된 실리콘 웨이퍼의 유지 방법은, {100}면을 주표면으로 하 는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법으로서, 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <110>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 0°∼10°, 80°∼100°, 170°∼190°, 260°∼280° 및 350°∼360°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 방법이다.
이 유지 방법에 있어서, {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼를 대상으로 하는 것은, 이 웨이퍼에 있어서도, 핸들링 시에, 다른 방향에 비해 약간 깨지기 쉬운 방향이 있기 때문이다.
도 3은, {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 영역을 모식적으로 도시한 도면이다. 도 3에 있어서, 웨이퍼(1)의 중심점(C)으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <110>을 향하는 방향을 기준(0°)으로 하여, 시계 방향으로 0°∼10°, 80°∼100°, 170°∼190°, 260°∼280° 및 350°∼360°의 범위에 형성되는 부채꼴의 웨이퍼면에 사선으로 표시하고 있다. 이들 사선부가 깨짐이 생기기 쉬운 범위이고, 이 범위에 대응하는 에지 영역은, 웨이퍼의 유지(핸들링)를 피해야 하는 에지 영역이다.
본 발명의 유지 방법에서는, 이들 웨이퍼 유지(핸들링)를 피해야 하는 에지 영역을 제외한 특정한 웨이퍼 에지 영역, 즉, 사선으로 표시되어 있지 않은 웨이퍼면의 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한다.
이와 같이, 사선으로 표시되어 있지 않은 웨이퍼면의 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것은, 사선으로 표시한 웨이퍼면에서는, 그 이외의 웨이퍼면에 비해 약간 웨이퍼가 깨지기 쉽기 때문이다. 또, 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것 은, 실리콘 웨이퍼의 이면을 지지 부재나 흡착 부재로 유지하여 웨이퍼를 핸들링하는 경우에 생기기 쉬운 접촉상처를 최대한 적게 하기 위해서이다.
웨이퍼를 유지하는 위치는, 도 3에 있어서 사선으로 표시되어 있지 않은 웨이퍼면의 에지 영역이면 어디라도 된다. 또, 에지 영역에서의 웨이퍼의 유지 방법에 대해서도 한정은 없고, 웨이퍼의 에지부를 테이퍼면에서 유지하는 방법, 에지부 근방을 클램핑하는 방법 등을 이용하면 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 방법에서 규정하는, 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100> 혹은 <110>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 전술한 특정한 웨이퍼 에지 영역에서 {110} 또는 {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼를 유지하는 것으로 하면, 웨이퍼의 핸들링 시에 있어서의 핸드 부재, 혹은 지지 부재 등과의 접촉상처의 발생을 근소하게 억제하고, 또한, 실리콘 웨이퍼, 특히, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼에 있어서 접촉상처로부터 발생하는 크랙의 신전에 기인하는 웨이퍼 깨짐을 방지할 수 있다.
다음에, 상기 (3) 및 (4)에 기재된 본 발명의 유지 지그에 대해 설명한다.
상기 (3)에 기재된 실리콘 웨이퍼의 유지 지그는, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 20°∼40°, 140°∼160°, 200°∼220° 및 320°∼340°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지할 수 있도록 구성되어 있는 유지 지그이다.
또, 상기 (4)에 기재된 실리콘 웨이퍼의 유지 지그는, {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <110>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 0°∼10°, 80°∼100°, 170°∼190°, 260°∼280° 및 350°∼360°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지할 수 있도록 구성되어 있는 유지 지그이다.
이들 유지 지그는, 실리콘 웨이퍼의 반송 공정이나, 세로형 보트를 사용한 열처리, RTA, 매엽식 에피택셜 성장, SOI 열처리 등의 공정에 있어서, 웨이퍼를 수평 상태로 유지하면서 핸들링할 때에 사용할 수 있다.
상기 (3)에 기재된 유지 지그에 있어서, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼를 대상으로 하는 것은, 전술한 바와 같이, 이 웨이퍼가, 유지하는 위치에 따라서는, 핸들링 시에 웨이퍼에 작용하는 약간의 외력으로도 웨이퍼 에지부에 간단히 접촉상처가 도입되고, 접촉상처를 기점으로 하여 크랙이 신전되어 웨이퍼가 깨지기 쉽기 때문이다. 특히, 웨이퍼에 대해 고온 열처리가 가해지는 경우에는, 웨이퍼에 대해 열응력도 가해지므로, 더욱 접촉상처를 기점으로 웨이퍼가 깨지기 쉬워진다.
또, 상기 (4)에 기재된 유지 지그에 있어서, {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼를 대상으로 하는 것은, 이 웨이퍼에 있어서도, 핸들링할 때에, 다른 방향에 비해 약간 깨지기 쉬운 방향이 있기 때문이다.
상기 (3)에 기재된 유지 지그에 있어서, 상기의 웨이퍼 에지 영역(상기 도 1의 사선으로 표시한 웨이퍼면의 에지 영역)을 제외한 특정한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것은, 사선으로 표시한 웨이퍼면(도 1 참조)에서는, 접촉상처를 기점 으로 하여 웨이퍼가 깨지기 쉽고, 또, 에지 영역에서 웨이퍼를 유지함으로써, 실리콘 웨이퍼의 이면을 지지 부재 등으로 유지하여 웨이퍼를 핸들링하는 경우에 생기기 쉬운 접촉상처를 근소하게 할 수 있기 때문이다.
동일하게, 상기 (4)에 기재된 유지 지그에 있어서, 상기의 웨이퍼 에지 영역(상기 도 3의 사선으로 표시한 웨이퍼면의 에지 영역)을 제외한 특정한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것은, 사선으로 표시한 웨이퍼면(도 3 참조)에서는, 그 이외의 웨이퍼면에 비해 웨이퍼가 약간 깨지기 쉽고, 또, 에지 영역에서 웨이퍼를 유지함으로써, 웨이퍼를 핸들링하는 경우에 생기기 쉬운 접촉상처를 근소하게 할 수 있기 때문이다.
이들 본 발명의 유지 지그에 있어서, 웨이퍼를 유지하는 위치는, 사선으로 표시되어 있지 않은 웨이퍼면의 에지 영역 내이면, 임의의 위치여도 되고, 웨이퍼를 수평으로 유지한 상태에서의 안정성 등을 고려하여 적절히 정하면 된다. 상기 특정한 에지 영역 전체에서 웨이퍼를 유지해도 된다. 또, 에지 영역에서의 웨이퍼의 유지 방법에 대해서도 한정은 없고, 웨이퍼의 에지부를 테이퍼면에서 유지하는 방법, 에지부 근방을 클램핑하는 방법 등을 이용하면 된다.
상기 (3)의 {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 지그에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 55°∼80°, 100°∼125°, 235°∼260° 및 280°∼305°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역 중 2 이상의 에지 영역에서 웨이퍼를 유지할 수 있도록 구성되어 있는 유지 지그를 이용하면, 실리콘 웨이퍼에 있어서의 깨짐 발생 방지 효과는 한층 커지므로 바람직하다.
「2 이상의 에지 영역에서 유지할 수 있도록」 구성되어 있는 것으로 하는 것은, 1의 에지 영역에서는 웨이퍼를 예를 들면 수평 방향으로 안정하게 유지할 수 없기 때문이다.
이들 에지 영역은, 먼저 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 상기 도 1의 사선으로 표시한 깨지기 쉬운 웨이퍼면으로부터 충분히 떨어진, 접촉상처에 기인한 깨짐이 생기기 어려운 부채꼴 웨이퍼면의 에지 영역이다. 이 영역에서 웨이퍼를 유지하면, 웨이퍼와 지지 부재, 핸드 부재 등과의 접촉상처도 근소하게 할 수 있다.
도 4는, 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 지그의 한 실시 형태로, 4점 지지의 유지 지그를 이용하여, {110}면을 주표면으로 하는 웨이퍼를 유지한 상태를 모식적으로 도시한 도면이다.
이 예에서는, 유지 지그가 4개의 지지 부재(2)를 구비하고 있다. 지지 부재(2)는, 상기의 핸들링을 피해야 하는 에지 영역을 제외한 웨이퍼 에지 영역, 즉, 상기 도 1 또는 도 3에서 사선으로 표시되어 있지 않은 웨이퍼면의 에지 영역에서 웨이퍼를 유지할 수 있도록 부착되고, 웨이퍼(1)는 이 지지 부재(2)로 수평으로 유지된다.
지지 부재는, 도시한 예에서는, 상면이 테이퍼상을 이루는 부재이지만, 에지부 근방을 클램핑할 수 있도록 구성된 부재 등이어도 된다.
이상 설명한 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 지그를 이용하면, 전술한 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 방법을 용이하게 실시할 수 있다.
실시예
직경 300mm의 {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼 및 {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼(이하, 각각 (110)웨이퍼, (100)웨이퍼라고 기재한다)에 대해, 웨이퍼를 잡는 위치를 바꾸어 핸들링을 행한 후, 웨이퍼 강도를 측정하여, 웨이퍼를 잡는 위치의 차이에 따른 깨짐의 발생 정도를 평가하였다.
웨이퍼의 핸들링에 대해서는, 300mm 웨이퍼의 단면(웨이퍼 외주면)을 2점에서 핸들링하는 기구(장치)를 이용하여, 웨이퍼의 중심점에 대해 대칭 위치에 해당하는 단면 2점에서 웨이퍼를 잡았다 떼었다 하는 조작을, 1장의 웨이퍼에 대해 10회 반복하였다. 그 후에 3점 굽힘 시험을 실시하여, 웨이퍼 파괴 하중을 측정하였다.
표 1에, (110)웨이퍼에 대한 측정 결과를, 표 2에, (100)웨이퍼에 대한 측정 결과를 나타낸다. 수치는 모두 웨이퍼 10장에 대한 평균치이다.
표 1에 있어서, No.3∼No.6 및 No.19∼No.22는, 핸들링을 피해야 하는 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우이다. 그 이외는, 본 발명에서 규정하는 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우이고, 그 중 No.9∼No.12 및 No.14∼No.16은, 상기 도 2에 나타낸 더욱 바람직한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우이다.
또, 표 2에 있어서, No.1∼No.3, No.7∼No.11, No.14 및 No.15는, 핸들링을 피해야 하는 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우이고, 그 이외는, 본 발명에서 규정하는 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우이다.
또한, 「적요(摘要)」 란의 ○표는, 본 발명에서 규정하는 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우, ◎표는, 그 중 더욱 바람직한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우, ×표는, 핸들링을 피해야 하는 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우를 나타낸다.
[표 1]
Figure 112009019897726-PCT00001
[표 2]
Figure 112009019897726-PCT00002
표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에서 규정하는 에지 영역에서 (110)웨이퍼를 유지한 경우(○표)는, 파괴 하중이 322.373N 이상이고, 특히, 더욱 바람직한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우(◎표)는, 419.563N 이상이었다. 이에 반해, 핸들링을 피해야 하는 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우(×표)는, 파괴 하중이 291.739N 이하(252.768∼291.739N)로, 본 발명에서 규정하는 에지 영역에서 유지하는 경우에 비해 웨이퍼 파괴 강도가 저하하는 것을 알 수 있었다.
또, 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에서 규정하는 에지 영역에서 (100)웨이퍼를 유지한 경우(○표)는, 파괴 하중이 425.835N 이상인 것에 반해, 핸들링을 피해야 하는 에지 영역에서 웨이퍼를 유지한 경우(×표)는, 371.589N 이하(314.352∼371.589N)로, 역시, 웨이퍼 파괴 강도가 저하하였다.
이것은, 웨이퍼 단면에서의 핸들링을 반복함으로써 웨이퍼 단면에 상처가 도입되고, 그 후의 3점 굽힘 시험으로 하중이 가해지면, 특정한 면방위에서 상처를 기점으로 하여 크랙이 웨이퍼 내부로 진전되기 쉬워, 낮은 하중으로 웨이퍼가 파괴된 것이라고 생각된다.
이와 같이, 실리콘 단결정의 취성 파괴는 특정한 방위에서 우선적으로 일어난다. 따라서, (110)웨이퍼 및 (100)웨이퍼를 핸들링할 때에는, 이 우선적으로 벽개가 일어나는 면방위를 피해 핸들링함으로써, 웨이퍼의 벽개를 방지할 수 있다.
본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 방법은, 웨이퍼 에지부에서의 유지 위치를 적절히 규정하여 웨이퍼를 유지하는 방법이며, 웨이퍼를 핸들링할 때에 있어서의 접촉상처의 발생을 최대한 적게 하고, 또한, 실리콘 웨이퍼, 특히, {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼에 있어서 생기기 쉬운 접촉상처를 기점으로 한 크랙의 신전에 기인하는 깨짐을 방지할 수 있다.
이 실리콘 웨이퍼의 유지 방법은, 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 지그를 이용하여 용이하게 실시할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 유지 방법 및 유지 지그는, {110}면 또는 {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조에 널리 이용할 수 있다.

Claims (6)

  1. {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법으로서,
    실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 20°∼40°, 140°∼160°, 200°∼220° 및 320°∼340°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 55°∼80°, 100°∼125°, 235°∼260° 및 280°∼305°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역 중 2 이상의 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법.
  3. {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법으로서,
    실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <110>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 0°∼10°, 80°∼100°, 170°∼190°, 260°∼280° 및 350°∼360°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 방법.
  4. {110}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 20°∼40°, 140°∼160°, 200°∼220°및 320°∼340°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 지그.
  5. 청구항 4에 있어서,
    실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <100>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 55°∼80°, 100°∼125°, 235°∼260° 및 280°∼305°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역 중 2 이상의 에지 영역에서 웨이퍼를 유지할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 지그.
  6. {100}면을 주표면으로 하는 실리콘 웨이퍼의 중심점으로부터 웨이퍼 표면에 평행한 <110>을 향하는 방향을 기준으로 하여, 시계 방향으로 0°∼10°, 80°∼100°, 170°∼190°, 260°∼280° 및 350°∼360°의 범위에 있는 웨이퍼 에지 영역을 제외한 에지 영역에서 웨이퍼를 유지할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 유지 지그.
KR1020097006776A 2006-10-13 2007-10-12 실리콘 웨이퍼의 유지 방법 및 유지 지그 KR101033100B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006280510A JP5205737B2 (ja) 2006-10-13 2006-10-13 シリコンウェーハの保持方法および保持治具
JPJP-P-2006-280510 2006-10-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090064420A true KR20090064420A (ko) 2009-06-18
KR101033100B1 KR101033100B1 (ko) 2011-05-06

Family

ID=39313928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097006776A KR101033100B1 (ko) 2006-10-13 2007-10-12 실리콘 웨이퍼의 유지 방법 및 유지 지그

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8419001B2 (ko)
JP (1) JP5205737B2 (ko)
KR (1) KR101033100B1 (ko)
DE (1) DE112007002287B4 (ko)
TW (1) TW200830455A (ko)
WO (1) WO2008047697A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5949171B2 (ja) * 2012-05-31 2016-07-06 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6091108B2 (ja) * 2012-08-03 2017-03-08 アズビル株式会社 シリコンチューブの製造方法
JP6769707B2 (ja) * 2015-12-03 2020-10-14 ローム株式会社 半導体モジュール
CN112670162A (zh) * 2020-12-23 2021-04-16 华虹半导体(无锡)有限公司 硅片背封的制作方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4190683A (en) * 1978-08-28 1980-02-26 International Business Machines Corporation Method for forming a liquid phase epitaxial film on a wafer
US4350116A (en) * 1979-09-28 1982-09-21 International Business Machines Corporation Holder for liquid phase epitaxial growth
JP3292428B2 (ja) * 1994-12-20 2002-06-17 東芝セラミックス株式会社 ウエハの支持方法
JPH09139352A (ja) * 1995-11-15 1997-05-27 Nec Corp 縦型炉用ウェーハボート
JPH10193260A (ja) * 1996-12-27 1998-07-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハ保持治具
JPH1154598A (ja) * 1997-08-06 1999-02-26 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハサセプタ
WO2000019502A1 (fr) * 1998-09-28 2000-04-06 Hitachi, Ltd. Fourneau vertical et nacelle porte-tranches
JP2002033378A (ja) 2000-07-19 2002-01-31 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd ウェーハハンドリング装置
US6811040B2 (en) 2001-07-16 2004-11-02 Rohm And Haas Company Wafer holding apparatus
JP3554297B2 (ja) * 2001-07-26 2004-08-18 株式会社エフティーエル 半導体基板熱処理装置及び半導体素子の製造方法
JP2003173971A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Elpida Memory Inc シリコンウエーファの熱処理用器具
JP4270537B2 (ja) * 2002-01-21 2009-06-03 コバレントマテリアル株式会社 ウエハボート
US6695921B2 (en) * 2002-06-13 2004-02-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Hoop support for semiconductor wafer
JP2004079751A (ja) * 2002-08-16 2004-03-11 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体熱処理用シリコンボート
JP3781014B2 (ja) * 2003-03-31 2006-05-31 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハ熱処理治具およびシリコンウェーハ熱処理方法
US20060027171A1 (en) * 2004-08-06 2006-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer boat for reducing wafer warpage

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008047697A1 (fr) 2008-04-24
DE112007002287B4 (de) 2015-11-19
TWI351073B (ko) 2011-10-21
DE112007002287T5 (de) 2009-09-10
US20100025909A1 (en) 2010-02-04
US8419001B2 (en) 2013-04-16
KR101033100B1 (ko) 2011-05-06
JP2008098518A (ja) 2008-04-24
JP5205737B2 (ja) 2013-06-05
TW200830455A (en) 2008-07-16
US20130140752A1 (en) 2013-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5205738B2 (ja) シリコンウェーハの支持方法、熱処理治具および熱処理ウェーハ
TWI242248B (en) Holder and method for thermal treating semiconductor substrate
KR101033100B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 유지 방법 및 유지 지그
JPH06224146A (ja) 熱処理用ボート
JP6136731B2 (ja) 炭化珪素半導体基板およびその製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置の製造方法
EP1610374B1 (en) Silicon wafer heat treatment jig, and silicon wafer heat treatment method
EP1396879A1 (en) Method of fabricating semiconductor wafer and susceptor used therefor
TWI518837B (zh) 支撐方法、使用該支撐方法之高溫處理方法及支撐治具
WO2005124848A1 (ja) 熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法
KR101767703B1 (ko) 웨이퍼 지지 링
JP2001168175A (ja) 熱処理用基板保持具、基板熱処理装置および基板の熱処理方法
JP5517354B2 (ja) シリコンウェーハの熱処理方法
JP4029611B2 (ja) ウェーハ支持具
JP2007281030A (ja) シリコンウェーハの保持方法
JP2017183729A (ja) 炭化珪素半導体基板およびその製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2008085206A (ja) 半導体ウェーハ熱処理用ボートおよび半導体ウェーハの熱処理方法
JP2004241545A (ja) 縦型熱処理用ボート及び半導体ウエーハの熱処理方法
JP2003100648A (ja) 半導体ウエハ熱処理用治具
KR20050089719A (ko) 기판 지지 장치
JP6298403B2 (ja) シリコンウェーハ熱処理用支持治具
JP2023531074A (ja) 炉内で半導体ウエハを支持するためのウエハボート
JP2005019748A (ja) ウエーハの熱処理用治具及び熱処理方法
JP2005012058A (ja) 半導体基板の熱処理ボートおよび熱処理方法
JP2002124519A (ja) ウェーハ保持具、ウェーハ保持装置及び熱処理炉
JP2002134595A (ja) 熱処理用ウェーハ支持具

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140418

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150422

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180420

Year of fee payment: 8