KR20090063145A - 접착력 증진 - Google Patents

접착력 증진 Download PDF

Info

Publication number
KR20090063145A
KR20090063145A KR1020080126224A KR20080126224A KR20090063145A KR 20090063145 A KR20090063145 A KR 20090063145A KR 1020080126224 A KR1020080126224 A KR 1020080126224A KR 20080126224 A KR20080126224 A KR 20080126224A KR 20090063145 A KR20090063145 A KR 20090063145A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nickel
lead frame
nickel alloy
substituted
etching
Prior art date
Application number
KR1020080126224A
Other languages
English (en)
Inventor
안드레 에글리
레오 완
테드 웡
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. filed Critical 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.
Publication of KR20090063145A publication Critical patent/KR20090063145A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/50—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/383—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

니켈 및 니켈 합금 층을 에칭하는 방법이 개시된다. 에칭 조성물은 무기 산 및 헤테로사이클릭 질소 화합물을 포함한다. 또한, 에칭 방법은 니켈 또는 니켈 합금 층의 양극 에칭을 포함할 수 있다. 상기 방법은 반도체 패키징 제조에 사용될 수 있다.

Description

접착력 증진{ADHESION PROMOTION}
본 발명은 반도체 집적 회로 (IC) 장치의 니켈 도금 리드 프레임에 대한 몰드의 접착력 증진에 관한 것이다. 더욱 자세하게, 본 발명은 몰드 및 니켈 도금 리드 프레임 사이의 접착력을 향상시키기 위한 반도체 집적 장치의 니켈 도금된 리드 프레임에 대한 몰드의 접착력 증진에 관한 것이다.
리드 프레임은 통상 많은 개별의 단위체의 긴 스트립(strip)으로 제조된다. 긴 스트립은 1개 내지 5개 리드 프레임을 수용하기에 충분히 폭이 넓을 수 있다. 리드 프레임은 제조되는 동안 리드 프레임의 위치를 정하기 위한 가이드 홀(guide hole) 및 캐리어 레일(carrier rail)과 함께 장착될 수 있다. 리드 프레임은 리드 엔드(lead end) 및 리드 핑거(lead finger), 타이 바(tie bar) 및 다이 패드(die pad)를 갖는 다수의 리드로 구성될 수 있다. 다이 패드는 리드 프레임의 중심에 위치하며, 반도체 칩이 마운팅(mounted)될 수 있는 영역을 제공한다. 스트립이 복수개의 와이드 리드 프레임인 경우, 스트립은 매트릭스로 언급된다.
대부분의 IC 장치는 리드 프레임 주위에 어셈블된다. 통상적인 리드 프레임 도금 공정으로 은, 팔라듐, 니켈 또는 구리의 깨끗한, 비-반응성 마감(finish)을 지닌 리드 프레임이 생산된다. 상기 리드 프레임의 다이 패드는 패키징 동안 다운세팅(downset)되고, 실리콘 웨이퍼 또는 반도체 칩과 같은 칩은 다이 패드에 고정된다. 칩 상에서 연결 영역, 예를 들어 본드 패드는 와이어 결합에 의하여 리드 프레임의 리드 핑거에 연결된다. 그 다음, 여분의 리드 프레임 물질, 이를 테면 캐리어 레일이 손질될 수 있고, 다이 패드, 칩, 리드 및 관련 연결은 플라스틱 몰드 화합물로 캡슐화된다(encapsulated).
반도체 IC 패키지에서 실패의 원인은 리드 프레임으로부터 플라스틱 몰드 화합물이 박리화되는 것(delaminate)이다. 이는 "팝콘 실패(popcorn failure)" 및 플라스틱 몰드 화합물의 부적절한 경화를 포함하는 다양한 원인으로부터 유발될 수 있다. 팝콘 실패는 물과 같은 액체가 반도체 장치의 패키징 동안 캡슐 아래에 가두어지는 경우, 또는 플라스틱 몰드 하에서 액체가 스며나오거나 증기가 액화하는 경우 발생할 수 있다. 또한, 플라스틱 몰드 화합물은 일반적으로 포화되기 전까지 그의 주위 환경으로부터 액체를 흡수할 수 있다. 이러한 액체는 예를 들어 증기로 증발될 수 있고, 이는 캡슐 밑으로의 축적 압력을 유발할 수 있다. 이러한 축적 압력은 파국적으로 몰드 실패를 유발할 수 있다.
캡슐화 실패는 솔더 역류 온도, 예를 들어 215 내지 240℃의 온도에서 칩과 다이 패드 사이와 같이 비슷하지 않은 장치 물질 간의 열 미스매치로부터도 유발될 수 있다. 이러한 미스매치는 플라스틱 몰드 화합물에 의해 흡수되는 액체의 가열에 의해 생성된 압력에 의하여 악화될 수 있다. 이들 응력의 결합 효과로 부착성 이 되어, 특히 다이 패드의 밑면 및 플라스틱 몰드 화합물 사이의 박리를 유발할 수 있고, 캡슐화 크래킹(cracking) 또는 실패를 유발할 수 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 노력으로 다이 패드 및 플라스틱 몰드 화합물 사이에 접착력을 개선하기 위한 플라스틱 몰드 화합물을 선택하고 개발하는 것이 포함된다. 응력이 더 낮고, 더 강하며, 더 적은 습기를 흡수하고, 더 나은 접착 능력을 갖는 캡슐화가 제안되었다. 그럼에도 불구하고, 이들이 상기 문제점들을 없애지는 못했다. 또한, 특화된 캡슐화는 일반적으로 더욱 고가이기 때문에, 그의 사용으로 제조 비용이 증가되는 경향이 있다.
U.S. 5,459,103호는 강화된 캡슐화 접착력을 지닌 리드 프레임을 제조하는 방법을 개시하였다. 상기 방법은 구리 스트라이크(copper strike)로 리드 프레임을 도금하고, 구리 스트라이크를 산화제에 선택적으로 노출시켜, 산화구리(cupric oxide) 층을 형성하는 것을 포함한다. 이러한 리드 프레임이 칩에 끼워진 다음, 플라스틱 몰드 화합물로 캡슐화된다. 구리 리드 프레임으로 캡슐화 접착력을 강력하게 하는 방법이 있지만, 몰드 화합물에 대한 니켈 또는 니켈 팝금의 접착력을 개선시키고 "팝콘" 효과를 방지하기 위하여 수분 민감성 수준을 줄이는 것이 여전히 요구된다.
일면에서, 한가지 방법은 하나 이상의 무기 산 및 하나 이상의 헤테로사이클릭 질소 화합물을 포함하는 조성물을 제공하고; 상기 조성물을 니켈 또는 니켈 합금 층에 적용하여 상기 층을 에칭하는 것을 포함한다.
또다른 면에서, 한가지 방법은 하나 이상의 무기 산 및 하나 이상의 헤테로사이클릭 질소 화합물을 포함하는 조성물을 제공하고; 상기 조성물을 니켈 또는 니켈 합금 층에 적용하고; 양극(anodic) 전류를 니켈 또는 니켈 합금 층에 적용하여 니켈 또는 니켈 합금 층을 에칭하는 것을 포함한다.
추가의 면에서, 한가지 방법은 하나 이상의 무기 산 및 하나 이상의 헤테로사이클릭 질소 화합물(티아졸 및 머캅탄에서 선택)을 포함하는 조성물을 적용하고; 상기 조성물을 니켈 또는 니켈 합금에 적용하여 상기 니켈 또는 니켈 합금을 에칭하는 것을 포함한다.
부가적 면에서, 한가지 방법은 하나 이상의 무기 산 및 하나 이상의 헤테로사이클릭 질소 화합물(티아졸 및 머캅탄에서 선택)을 포함하는 조성물을 제공하고; 상기 조성물을 니켈 또는 니켈 합금에 적용하고; 양극 전류를 니켈 또는 니켈 합금에 적용하여 니켈 또는 니켈 합금을 에칭하는 것을 포함한다.
에칭 방법은 니켈 및 니켈 합금 층을 울퉁불퉁하게 하여, 이들이 거칠게 텍스쳐화(textured)되도록 한다. 이러한 텍스쳐화는 니켈 및 니켈 합금이 텍스쳐화 니켈 또는 니켈 합금 층에 침착될 수 있는 또다른 금속과 같은 또다른 물질과 결합을 형성하는 것을 가능하게 하거나, 또는 유기 폴리머 물질과 같은 유전체 물질과 결합을 형성하는 것을 가능하게 한다. 따라서, 에칭 방법은 반도체 패키징을 위한 리드 프레임과 같은 전자 장치를 위한 부품을 포함하는 다양한 종류의 제품의 제조에서 니켈 및 니켈 합금 층을 에칭하기 위하여 사용될 수 있다.
반도체 패키징은 패키징이 극한 온도 및 습도 및 고온 및 저온 사이의 많은 사이클을 견딜 수 있게 하기 위한 목적으로 제조된다. 반도체를 캡슐화하는 데 사용되는 유전체는 반도체 칩, 리드 프레임 및 다이-부착 물질의 열-팽창 계수와 상이한 열-팽창 계수를 갖는다. 이에 따라, 고온 및 저온 사이의 패키징 사이클에 따라서, 금속 및 유전체 사이의 인터페이스에서 응력이 발생된다. 시간이 지남에 따라 이는 와이어 결합의 파손을 유발할 수 있다. 또한, 금속-유전체 인터페이스에서의 응력은 수분이 패키지로 유입되도록 할 수 있다. 이러한 수분은 패키지 및 반도체 칩의 금속 성분을 부식시킬 수 있다. 패키지를 동결 온도에 두면, 수분은 팽창하고, 유전체 몰딩 화합물과 금속 간의 분리를 유발할 수 있다. 역으로, 패키지를 고온에 노출시키면, 수분은 증기로 바뀌어 분리를 유발하거나, 극한 경우, 패키지에 "팝콘" 효과 발생을 유발할 수 있다. 니켈 및 니켈 합금 에칭 방법은 니켈 또는 니켈 합금 및 유전체 물질 사이의 인터페이스에서 응력의 영향을 감소시키거나 방지하기 위한 유전체 물질과의 접착력을 제공한다.
본원에서 사용된 다음 약어는 문맥에서 달리 정확히 지시되지 않는 한 다음의 의미를 갖는다: ℃ = 섭씨 온도; g = 그램; L = 리터; mL = 밀리리터; mm = 밀리미터; A = 암페어; dm = 데시미터; mm = 마이크론 = 마이크로미터 및 ppm = 100만분율; 용어 "전기도금", "도금" 및 "침착"은 본원에서 상호호환적으로 사용되고; 용어 "필름" 및 "층"은 본원에서 상호호환적으로 사용된다. 모든 수 범위는 임의의 순서로 결합가능하며, 포괄적이나, 단 이러한 수 범위는 논리상 100%를 넘으면 안된다.
에칭 조성물은 하나 이상의 무기 산을 포함한다. 이러한 산은 황산, 염산, 질산 및 플루오르화 수소산을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 전형적으로, 무기 산은 50 g/L 내지 500 g/L, 또는 이를 테면 75 g/L 내지 250 g/L의 양으로 사용된다.
상기 하나 이상의 무기 산은 하나 이상의 헤테로사이클릭 질소 화합물과 혼합된다. 헤테로사이클릭 질소 화합물은 티아졸 및 머캅탄을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 이러한 헤테로사이클릭 질소 화합물은 에칭 조성물에 0.05 g/L 내지 20 g/L 또는 이를 테면 0.1 g/L 내지 15 g/L의 양으로 포함된다.
머캅탄은 머캅토트리아졸 및 머캅토테트라졸을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 이러한 머캅탄은 문헌으로부터 제조될 수 있거나 상업적으로 수득될 수 있다.
머캅토트리아졸은 하기 화학식 (I)을 갖는다:
Figure 112008085507658-PAT00001
상기 식에서,
M은 수소, NH4, 나트륨 또는 칼륨을 나타내고
R1 및 R2는 독립적으로 치환되거나 비-치환된 (C1 - C18)알킬, 또는 치환되거나 비-치환된 (C6 - C10)아릴을 나타낸다.
치환기는 알콕시, 페녹시, 할로겐, 니트로, 아미노, 설포, 설파밀, 치환된 설파밀, 설포닐페닐, 설포닐-알킬, 플루오로설포닐, 설폰아미도페닐, 설폰아미도-알킬, 카복시, 카복실레이트, 우레이도, 카바밀, 카바밀-페닐, 카바밀알킬, 카보닐알킬 및 카보닐페닐을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 이러한 머캅토트리아졸은 5-에틸-3-머캅토-4-페닐-1,2,4-트리아졸, 3-머캅토-5-펜틸-4-페닐-1,2,4-트리아졸, 4,5-디페닐-3-머캅토-1,2,4-트리아졸, 3-머캅토-4-페닐-5-운데실-1,2,4-트리아졸, 4,5-디에틸-3-머캅토-1,2,4-트리아졸, 4-에틸-3-머캅토-5-펜틸-1,2,4-트리아졸, 4-에틸-3-머캅토-5-페닐-1,2,4-트리아졸, 5-p-아미노페닐-4-에틸-3-머캅토-1,2,4-트리아졸, 5-p-아세토아미드페닐-4-에틸-3-머캅토-1,2,4-트리아졸, 5-p-카프론아미드페닐-4-에틸-3-머캅토-1,2,4-트리아졸 및 4-에틸-5-p-라우로아미드페닐-3-머캅토-1,2,4-트리아졸을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
머캅토테트라졸은 하기 화학식 (II)를 갖는다:
Figure 112008085507658-PAT00002
상기 식에서,
M은 수소, NH4, 나트륨 또는 칼륨을 나타내며,
R3는 치환되거나 비-치환된 (C1 - C20)알킬, 또는 치환되거나 비-치환된 (C6 - C10)아릴을 나타낸다.
치환체는 알콕시, 페녹시, 할로겐, 니트로, 아미노, 치환된 아미노, 설포, 설파밀, 치환된 설파밀, 설포닐페닐, 설포닐-알킬, 플루오로설포닐, 설포아미도페닐, 설폰아미드-알킬, 카복시, 카복실레이트, 우레이도 카바밀, 카바밀-페닐, 카바밀알킬, 카보닐알킬 및 카보닐페닐을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 이러한 머캅토테트라졸은 1-(2-디메틸아미노에틸)-5-머캅토-1,2,3,4-테트라졸, 1-(2-디에틸아미노에틸)-5-머캅토-1,2,3,4-테트라졸, 1-(3-메톡시페닐)-5-머캅토테트라졸, 1-(3-우레이도페닐)-5-머캅토테트라졸, 1-((3-N-카복시메틸)-우레이도페닐)-5-머캅토테트라졸, 1-((3-N-에틸 옥살아미도)페닐)-5-머캅토테트라졸, 1-(4-아세트아미도페닐)-5-머캅토-테트라졸 및 1-(4-카복시페닐)-5-머캅토테트라졸을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
티아졸은 하기 화학식 (III)을 갖는다:
Figure 112008085507658-PAT00003
상기 식에서, R4, R5 및 R6는 동일하거나 상이하며, 수소, 치환되거나 비-치 환된 (C1 - C20)알킬, 치환되거나 비-치환된 페닐, 할로겐, 아미노, 알킬아미노, 디알킬아미노, 하이드록시, 알콕시, 카복시, 카복시알킬, 알콕시카보닐, 아미노카보닐, R7-CONH-을 나타내며, 여기에서, R7은 수소, 치환되거나 비-치환된 (C1 - C20)알킬, 치환되거나 비-치환된 페닐을 나타내며, 여기에서 R4, R5 및 R6는 티아졸 환에 축합된 호모 또는 헤테로사이클릭 환의 일부일 수 있다. 치환기는 알콕시, 페녹시, 할로겐, 니트로, 아미노, 치환된 아미노, 설포, 설파밀, 치환된 설파밀, 설포닐페닐, 설포닐-알킬, 플루오로설포닐, 설포아미도페닐, 설폰아미드-알킬, 카복시, 카복실레이트, 우레이도 카바밀, 카바밀-페닐, 카바밀알킬, 카보닐알킬 및 카보닐페닐을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 이러한 티아졸은 치환된 및 비-치환된 아미노티아졸을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
전형적으로, 머캅토테트라졸이 에칭 조성물에 사용된다. 더욱 전형적으로, R3가 치환되거나 비-치환된 아미노 치환체를 포함하는 머캅토테트라졸이 에칭 조성물에 포함된다.
상기 니켈 또는 니켈 합금 함유 제품을 에칭 조성물에 담그거나, 조성물이 니켈 또는 니켈 합금 층에 분무될 수 있다. 전형적으로, 니켈 또는 니켈 합금 층은 적어도 1초, 또는 이를 테면 3초 내지 20초, 또는 이를 테면 5 내지 10초 동안 에칭 조성물로 처리되어, 니켈 또는 니켈 합금 층이 텍스쳐화된다. 에칭 방법에 의해 니켈 또는 니켈 합금 층에 형성된 울퉁불퉁함은 텍스쳐화 니켈 또는 니켈 합금 층과, 텍스쳐화 니켈 또는 니켈 합금 층에 침착된 유전체 물질 또는 또다른 금 속 사이의 접착력을 증진시킨다.
18℃ 내지 40℃의 온도에서 에칭이 수행된다. 전형적으로, 에칭은 20℃ 내지 30℃의 온도에서 수행된다.
임의로, 양극 에칭(anodic etching)은 에칭 조성물과 조합하여 수행될 수 있다. 양극 에칭이 수행되는 경우, 니켈 또는 니켈 합금 층을 함유하는 제품을 에칭 조성물에 담근다. 에칭 조성물의 무기 산은 도전제로 작용하여, 완전한 전기 회로를 제공한다. 또한, 에칭 조성물에 보조 또는 상대 전극, 이를 테면 백금/티타늄 또는 스테인리스 스틸 전극을 담근다. 또한, 기준 전극, 이를 테면 동적 수소 전극을 에칭 조성물에 담근다. 니켈 또는 니켈 합금 층, 보조 전극 및 기준 전극을 지닌 제품은 모두 독립적으로 전압 공급기, 예를 들어, 절연된 전도체 또는 와이어에 의한 포텐시오스태트(potentiostat)에 연결된다. 포텐시오스태트는 니켈 또는 니켈 합금 층에 양극 전압을 적용하고, 보조 전극에 음극 전압을 적용하기 위하여 사용된다. 에칭 시간은 니켈 또는 니켈 합금 층이 에칭 조성물로만 에칭되는 경우 상기 기술된 것과 같다.
양극 에칭은 0.01 A/dm2 내지 30 A/dm2 또는 이를 테면 1 A/dm2 내지 25 A/dm2의 음극 전류 밀도에서 수행된다. 전형적으로 양극 에칭은 10 A/dm2 내지 20 A/dm2의 음극 전류 밀도에서 수행된다.
니켈 및 니켈 합금을 에칭하는 방법은 반도체 장치를 위한 리드 프레임의 제조에서와 같이 접착력 증진이 요구되는 경우 임의의 산업상에서 니켈 또는 니켈 합 금 층을 텍스쳐화하는 데 사용하여, 니켈 및 니켈 합금 층과 또다른 금속 또는 유전체 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 상기 방법은 니켈 또는 니켈 금속 및 다른 금속 층 또는 유전체 사이의 인터페이스에서 발생하는 응력을 줄이거나 이를 방지하고, 니켈 또는 니켈 합금 사이의 접착력을 증진시킨다. 인터페이스에서 응력의 감소는 반도체 패키지에 유입되는 수분을 감소시키거나 이를 방지하여, 이에 따라, 이들의 인터페이스에서 구성 요소의 분리를 방지하고 "팝콘" 효과를 방지한다.
리드 프레임을 제조하는 방법에서, 먼저 리드 프레임을 세정한다. 이는 전해질 클리너(cleaner), 알칼리성 클리너 또는 초음파 클리너 또는 이들의 조합을 사용하여 수행될 수 있다. 리드 프레임이 스탬핑(stamped)된다면, 스탬프 장치에 의하여 리드 프레임에 오일이 침착될 수 있다. 리드 프레임이 에칭된다면, 에칭 후 과량의 포토레지스트가 리드 프레임에 남아있을 수 있다. 이러한 오일 또는 과량의 포토레지스트는 세정하는 동안 제거된다.
전해질 세정은 적어도 두가지 방법으로 수행될 수 있다. 먼저, 배쓰에 침지된(submersed) 양극 및 음극에 노출된 유체 배쓰에서 리드 프레임을 빼낼 수 있다. 리드 프레임에 밀착될 수 있는 먼지 및 제조 잔류물, 이를 테면 오일 및 포토레지스트는 음극으로 이동된다. 대안적으로, 다수의 음극은 배쓰에 침지될 수 있고, 양극이 리드 프레임에 적용될 수 있다. 다시, 리드 프레임에 밀착된 먼지 및 잔류물이 음극으로 이동된다. 배쓰는 예를 들어 알칼리성 클리너 및 금속을 세정하기 위한 7 초과의 pH를 갖는 화합물의 수용액, 이를 테면 Peptizoid™ 143SP/UDYPREP를 포함할 수 있다. 세정한 후, 리드 프레임의 표면은 화학적으로 활성화되어, 더 욱 완전하고 빠른 도금이 확실히 되게 한다. 이는 리드 프레임을 산성 배쓰에 노출하여 수행될 수 있다.
리드 프레임이 활성화된 후, 니켈 또는 니켈 합금 층이 리드 프레임 상에 침착된다. 통상의 전기화학 또는 무극성 니켈 또는 니켈 합금 도금 배쓰는 니켈 또는 니켈 합금 층을 침착시키기 위하여 사용될 수 있다. 니켈 합금은 니켈/금, 니켈/팔라듐 및 니켈/팔라듐/금을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 전형적으로, 리드 프레임은 구리, 니켈, 니켈 합금, 은, 금, 팔라듐 및 알루미늄과 같은 금속으로부터 제조된다. 리드 프레임이 니켈 또는 니켈 합금으로 구성된다면, 니켈 또는 니켈 합금 코팅이 필요하지 않기 때문에 활성화 단계가 필수적이지 않고, 에칭 단계는 활성화 없이 수행된다. 그러나 전형적으로 세정은 에칭 전에 수행된다. 리드 프레임이 니켈 또는 니켈 합금을 제외한 금속으로 제조되는 경우, 리드 프레임은 통상의 도금 방법을 사용하여 니켈 또는 니켈 합금으로 도금된다. 그 다음, 에칭 조성물로 에칭이 수행된다. 선택적으로, 에칭은 양극 에칭 및 에칭 조성물과 함께 동시에 수행될 수 있다.
니켈 또는 니켈 합금 층이 에칭된 후, 반도체 다이가 다이-부착 패드에 부착되고, 와이어 결합이 완료되며, 어셈블리(assembly)는 유전체 캡슐로 캡슐화된다. 캡슐화는 리드 프레임을 몰드의 공동(cavity)에 위치시키고, 가열한 용해된 유전체 또는 몰딩 화합물을 압력 하에 몰드 공동으로 주입하여 수행된다. 그 다음, 몰딩 화합물이 경화되도록 하고, 리드 프레임 및 다이를 적어도 부분적으로 둘러싸는 경화된 몰딩 화합물을 남기고 몰드를 제거한다. 분리는 몰딩 화합물이 리드 프레임 과 접촉되는 임의의 위치에서 발생한다. 몰딩 화합물은 폴리머 또는 다른 에폭시 물질, 이를 테면 Ortho Cresol Novolac Epoxy™(OCN), 비페닐 에폭시 및 디사이클로펜타디엔 에폭시 (DCPD)일 수 있다.
대안적으로, 하나 이상의 부가의 금속 층이 캡슐화 전에 니켈 또는 니켈 합금 층에 선택적으로 침착될 수 있다. 반도체 IC 장치의 패키징에서, 리드 프레임의 리드 엔드 및 리드 핑거는 은, 팔라듐 또는 금과 같은 귀금속으로 스폿(spot)-도금되거나 스트라이크-도금될 수 있다. 이에 따라, 귀금속 스트라이크는 선택적으로 리드 프레임의 니켈 또는 니켈 합금 층에 침지될 수 있다. 상기 스트라이크는 (1) 리드 프레임의 기계적 마스킹(masking), (2) 포토레지스트-타입 마스킹 또는 (3) 링 도금의 수단에 의하여 선택적으로 도금될 수 있다. 이러한 선택적인 도금 방법은 본 분야에 잘 알려져 있다.
팔라듐 또는 은과 같은 귀금속은 적어도 두 가지 방법에 의하여 니켈 또는 니켈 합금 리드 프레임에 도금될 수 있다. 먼저, 귀금속은 리드 프레임이 에칭되기 전에 리드 핑거의 니켈 또는 니켈 합금 리드 말단에 선택적으로 도금될 수 있다. 두번째로, 포토레지스트가 리드 프레임에 적용될 수 있다. 상기 포토레지스트는 이후 팔라듐 또는 은으로 도금될 패턴 정의 영역에 따라 리드 프레임에 적용된다. 그 다음, 포토레지스트를 화학선 발광에 노출시키고, 현상(developed)한다. 포토레지스트가 현상된 다음, 노출되지 않은 포토레지스트를 씻어내고, 그 다음 리드 프레임을 에칭할 수 있다. 그 다음, 선택적으로 에칭되고 팔라듐 또는 은으로 도금되는 리드 프레임을 남기고 노출된 포토레지스트를 용해한다. 그 다음, 리드 프레임을 몰딩 화합물로 캡슐화한다. 대안적으로, 또다른 금속 층은 팔라듐 또는 은, 이를 테면 금 상에 침착될 수 있다. 금은 통상의 무전해의 전기화학적 방법을 사용하여 팔라듐 또는 은 상에 침착될 수 있다. 그 다음, 리드 프레임은 몰딩 화합물로 캡슐화된다.
상기 에칭 방법은 캡슐화되는 동안 니켈 및 니켈 합금 층과 몰딩 화합물 사이의 접착력을 증진시킨 텍스쳐화 니켈 또는 니켈 합금 층을 제공한다. 따라서, 열 확장 및 반도체에 유입되는 수분 때문에 발생하는 분리가 감소된다.
상기 방법이 반도체 패키징에서 리드 프레임의 제조에 관하여 기술되지만, 니켈 및 니켈 합금을 에칭하는 방법은 니켈 및 니켈 합금 에칭이 바람직한 다른 제품의 제조에도 사용될 수 있다. 다른 제품은 커넥터, 광전자(optoelectronic) 구성 요소 및 인쇄 회로 기판을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
다음 실시예는 본 발명의 구체예를 더욱 설명하기 위한 의도이며, 본 발명의 범위를 한정하려는 의도가 아니다.
실시예 1
다섯개의 구리 리드 프레임을 Peptizoid™ 143P/UDYREP의 수용액 중에서 전기분해로 세정하였다. 수용액에 침지된 백금/티타늄 양극 및 음극에 리드 프레임이 노출되는 유체 배쓰에서 리드 프레임을 빼냈다. 수용액의 pH는 7이었다.
리드 프레임을 세정한 다음, 탈이온수로 헹구고, 묽은 황산 용액으로 활성화 하였다. 리드 프레임을 다시 탈이온수로 헹군 다음, 하기 표에 개시된 니켈 전기도금 제제를 사용하여 5㎛ 층의 니켈 금속으로 도금하였다.
성분 양
니켈 설페이트 헥사하이드레이트 100 g/l
에틸렌디아민 테트라아세트산의 소듐 염 40 g/L
소듐 시트레이트 60 g/L
암모늄 클로라이드 35 g/L
트리에탄올아민 35 g/L
pH 8
60℃에서, 2 A/dm2의 전류 밀도로 전기 화학적 도금을 수행하였다. 그 다음, 니켈 코팅된 리드 프레임을 탈이온수로 헹구고, 리드 프레임 각각을 10 중량% 황산, 10 중량% 염산 및 5 g/l의 1-(2-디메틸아미노에틸)-5-머캅토-1,2,3,4-테트라졸을 포함하는 에칭 조성물에 담그었다.
백금/티타늄의 상대 전극 및 수소 기준 전극을 니켈 코팅된 리드 프레임을 포함하는 에칭 조성물에 담그었다. 리드 프레임, 상대 전극 및 기준 전극을 포텐시오스태트에 연결하였다. 포텐시오스테트는 리드 프레임에 양극 전압을 적용하고, 백금/티타늄 보조 전극에 음극 전압을 적용하였다. 30℃에서 5초 동안 에칭을 수행하였다. 전류 밀도는 10 A/dm2이었다.
리드 프레임을 에칭한 후, 에칭 조성물로부터 이를 제거하고, 탈이온수로 헹구었다. 그 다음, 니켈 도금 리드 프레임을 묽은 황산 용액으로 활성화하였다. 팔라듐 층의 선택적 도금을 위하여 패턴화 마스크를 에칭된 니켈 층에 적용하였다. 전기화학적 팔라듐 조성물은 하기 표 2에 기술하였다.
성분 양
팔라듐 암모늄 설페이트 15 g/L
붕산 26 g/L
암모늄 설페이트 35 g/L
pH 7
2㎛의 팔라듐 층이 에칭된 니켈 층에 선택적으로 침착될 때까지 50℃에서 10 A/dm2의 전류 밀도로 전기도금을 수행하였다. 그 다음, 리드 프레임을 탈이온수로 헹구었다.
패턴화 마스크를 리드 프레임에 적용하고, 리드 프레임에 자기촉매 무전해 금 배쓰로 분무하여 팔라듐 층에 1㎛의 금 층을 침착시켰다. 자기 촉매 무전해 금 배쓰는 하기 표에 기술하였다.
성분 양
포타슘 골드 시아나이드 1 g/L
포타슘 시아나이드 0.17 mol/L
디소듐 에틸렌디아민테트라아세트산 0.013 mol/L
포타슘 하이드록시드 0.2 mol/L
에탄올아민 0.8 mol/L
테트라하이드로보릭산 0.2 mol/L
pH 10
그 다음, 금 도금 리드 프레임을 탈이온수로 헹구고, 공기 건조시켰다. 리드 프레임을 공기 건조시킨 후, 이들을 비페닐 에폭시로 캡슐화하였다. 리드 프레임을 통상의 몰드 공동에 위치시키고, 가열된 비페닐 에폭시를 압력 하에 몰드에 주입하였다. 비페닐 에폭시가 경화되도록 하고, 리딩 프레임 주위에 경화된 비페닐 에폭시를 남기고 몰드를 제거하였다. 리드 프레임으로부터 비페닐 에폭시의 분리나 크래킹의 증거가 예상되지 않았다. 또한, "팝콘" 효과가 예상되지 않는다.
실시예 2
다섯개의 구리 리드 프레임을 Peptizoid™ 143P/UDYREP의 수용액 중에서 전기분해로 세정하였다. 수용액에 침지된 백금/티타늄 양극 및 음극에 리드 프레임이 노출되는 유체 배쓰에서 리드 프레임을 빼냈다. 수용액의 pH는 7이었다.
그 다음, 리드 프레임을 탈이온수로 헹구고, 묽은 염산 용액으로 활성화하였다. 리드 프레임을 다시 탈이온수로 헹군 다음, 실시예 1의 표 1에 개시된 니켈 배쓰를 사용하여 5㎛ 층의 니켈로 도금하였다.
그 다음, 니켈 도금 리드 프레임 각각을 10 중량% 황산, 10 중량% 염산 및 10 g/L의 1-(2-디에틸아미노에틸)-5-머캅토-1,2,3,4-테트라졸의 에칭 조성물을 사용하여 5 초 동안 에칭하였다.
그 다음, 에칭된 리드 프레임을 탈이온수로 헹구고 공기 건조시켰다. 리드 프레임을 공기 건조시킨 다음, 이를 DCPD 에폭시로 캡슐화하였다. 리드 프레임을 통상의 몰드 공동에 위치시키고, 가열된 DCPD 에폭시를 압력 하에 몰드에 주입하였다. DCPD 에폭시가 경화되도록 하고, 리딩 프레임 주위에 경화된 에폭시를 남기고 몰드를 제거하였다. 리드 프레임으로부터 에폭시의 분리나 크래킹의 증거가 예상되지 않는다. 또한, "팝콘" 효과가 예상되지 않는다.
실시예 3
다섯개의 구리 리드 프레임을 Peptizoid™ 143P/UDYREP의 수용액 중에서 전기분해로 세정하였다. 수용액에 침지된 백금/티타늄 양극 및 음극에 리드 프레임이 노출되는 유체 배쓰에서 리드 프레임을 빼냈다. 수용액의 pH는 7이었다.
리드 프레임을 세정한 다음, 이들를 탈이온수로 헹구고, 묽은 황산 용액으로 활성화하였다. 리드 프레임을 다시 탈이온수로 헹군 다음, 하기 표에 개시된 니켈 합금 전기도금 제제를 사용하여 5㎛ 층의 니켈/인 합금 금속으로 도금하였다.
성분 양
니켈 디클로라이드 헥사하이드레이트 0.75 moles/L
니켈 카보네이트 0.25 moles/L
인산 1.25 moles/L
50℃에서 10 A/dm2의 전류 밀도로 전기도금을 수행하였다. 그 다음, 니켈/인 코팅 리드 프레임을 탈이온수로 헹구고, 리드 프레임 각각을 10 중량% 황산, 10 중량% 염산 및 1 g/L의 3-머캅토-5-메틸-4-페닐-1,2,4-테트라졸을 포함하는 에칭 조성물에 담그었다. 에칭을 10 초 동안 수행하였다.
리드 프레임을 에칭한 후, 이를 에칭 조성물로부터 제거하고, 탈이온수로 헹구었다. 그 다음, 니켈/인 도금 리드 프레임을 묽은 황산 용액으로 활성화하였다. 팔라듐 층의 선택적 도금을 위하여 패턴화 마스크를 에칭된 니켈 층에 적용하였다. 전기화학적 팔라듐 조성물을 실시예 1의 표 2에 개시하였다.
2㎛의 팔라듐 층이 에칭된 니켈/인 층에 선택적으로 침착될 때까지 50℃에서 10 A/dm2의 전류 밀도로 전기도금을 수행하였다. 그 다음, 리드 프레임을 탈이온수로 헹구었다.
패턴화 마스크를 리드 프레임에 적용하고, 리드 프레임에 자기촉매 무전해 금 배쓰로 분무하여 팔라듐 층에 1㎛의 금 층을 침착시켰다. 자기 촉매 무전해 금 배쓰는 실시예 1의 표 3에 기술하였다.
그 다음, 금 도금 리드 프레임을 탈이온수로 헹구고, 공기 건조시켰다. 리드 프레임을 공기 건조시킨 후, 이들을 OCN 에폭시로 캡슐화하였다. 리드 프레임을 통상의 몰드 공동에 위치시키고, 가열된 에폭시를 압력 하에 몰드에 주입하였다. OCN 에폭시가 경화되도록 하고, 리드 프레임 주위에 경화된 에폭시를 남기고 몰드를 제거하였다. 리드 프레임으로부터 OCN 에폭시의 분리나 크래킹의 증거가 예상되지 않는다. 또한, "팝콘" 효과가 예상되지 않는다.
실시예 4
리드 프레임이 구리이며, 에칭 조성물이 5 중량% 황산, 5 중량% 염산 및 10 g/L의 아미노티아졸을 포함하는 것을 제외하고, 실시예 1에 개시된 리드 프레임의 에칭, 금속화(metallization) 및 캡슐화를 반복하였다.
리드 프레임으로부터 비페닐 에폭시의 분리나 크래킹의 증거가 예상되지 않는다. 또한, "팝콘" 효과가 예상되지 않는다.

Claims (10)

  1. a) 하나 이상의 무기 산 및 하나 이상의 헤테로사이클릭 질소 화합물을 포함하는 조성물을 제공하고,
    b) 상기 조성물을 니켈 또는 니켈 합금 층에 적용하여 상기 층을 에칭하는 것을 포함하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 니켈 또는 니켈 합금을 양극 에칭(anodic etching)하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 헤테로사이클릭 질소 화합물이 티아졸 및 머캅탄에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 머캅탄이 머캅토트리아졸 및 머캅토테트라졸에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 머캅토트리아졸이 하기 화학식 (I)인 것을 특징으로 하는 방법:
    Figure 112008085507658-PAT00004
    상기 식에서,
    M은 수소, NH4, 나트륨, 또는 칼륨을 나타내고,
    R1 및 R2는 독립적으로 치환되거나 비-치환된 (C1 - C18)알킬, 또는 치환되거나 비-치환된 (C6 - C10)아릴을 나타낸다.
  6. 제 1항에 있어서, 머캅토테트라졸이 하기 화학식 (II)인 것을 특징으로 하는 방법:
    Figure 112008085507658-PAT00005
    상기 식에서,
    M은 수소, NH4, 나트륨 또는 칼륨을 나타내며,
    R3는 치환되거나 비-치환된 (C1 - C20)알킬, 또는 치환되거나 비-치환된 (C6 - C10)아릴을 나타낸다.
  7. 제 1항에 있어서, 티아졸이 하기 화학식 (III)인 것을 특징으로 하는 방법:
    Figure 112008085507658-PAT00006
    상기 식에서,
    R4, R5 및 R6는 동일하거나 상이하며, 수소, 치환되거나 비-치환된 (C1 - C20)알킬, 치환되거나 비-치환된 페닐, 할로겐, 아미노, 알킬아미노, 디알킬아미노, 하이드록시, 알콕시, 카복시, 카복시알킬, 알콕시카보닐, 아미노카보닐, R7-CONH-을 나타내며, 여기에서, R7은 수소, 치환되거나 비-치환된 (C1 - C20)알킬, 치환되거나 비-치환된 페닐을 나타내며, 여기에서 R4, R5 및 R6는 티아졸 환에 축합된 호모 또는 헤테로사이클릭 환의 일부일 수 있다.
  8. 제 1항에 있어서, 에칭된 니켈 또는 에칭된 니켈 합금 층 상에 하나 이상의 귀금속을 침착하는 것을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 하나 이상의 귀금속이 에칭된 니켈 또는 에칭된 니켈 합금 층 상에 선택적으로 침착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1항에 있어서, 에칭된 니켈 또는 에칭된 니켈 합금 층이 유전체로 캡슐화(encapsulated)되는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020080126224A 2007-12-12 2008-12-12 접착력 증진 KR20090063145A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US739307P 2007-12-12 2007-12-12
US61/007,393 2007-12-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090063145A true KR20090063145A (ko) 2009-06-17

Family

ID=40419040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080126224A KR20090063145A (ko) 2007-12-12 2008-12-12 접착력 증진

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090196999A1 (ko)
EP (1) EP2072639A1 (ko)
JP (1) JP2009147336A (ko)
KR (1) KR20090063145A (ko)
CN (1) CN101533787A (ko)
TW (1) TW200940748A (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101254524B1 (ko) * 2004-11-02 2013-04-19 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
US20110017853A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Smith Richard S Formed or domed cutting teeth formed by improved double etching processes
US8608931B2 (en) * 2009-09-25 2013-12-17 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Anti-displacement hard gold compositions
US9583125B1 (en) 2009-12-16 2017-02-28 Magnecomp Corporation Low resistance interface metal for disk drive suspension component grounding
US9025285B1 (en) 2009-12-16 2015-05-05 Magnecomp Corporation Low resistance interface metal for disk drive suspension component grounding
TWI446497B (zh) 2010-08-13 2014-07-21 Unimicron Technology Corp 嵌埋被動元件之封裝基板及其製法
EP2463410B1 (en) * 2010-12-13 2018-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Electrochemical etching of semiconductors
EP2862959A1 (en) * 2013-10-21 2015-04-22 ATOTECH Deutschland GmbH Method of selectively treating copper in the presence of further metal

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2107294A (en) * 1936-06-30 1938-02-08 Wade E Griswold Printing member and method of producing same
US3102808A (en) * 1959-01-29 1963-09-03 Eltex Res Corp Composition for selectively stripping electroplated metals from surfaces
US3362894A (en) * 1964-12-03 1968-01-09 Interior Usa Anodic method for cleaning nickel and other metal surfaces for electro-plating
BR6680464D0 (pt) * 1965-07-01 1973-08-28 Enthone Composicao para remover niquel seletivamente de um metal de base diverso do niquel
GB1249360A (en) * 1967-12-30 1971-10-13 Sony Corp Lead assembly and method of making the same
US3645772A (en) * 1970-06-30 1972-02-29 Du Pont Process for improving bonding of a photoresist to copper
US4055472A (en) * 1976-09-15 1977-10-25 United Aircraft Products, Inc. Method of preparing nickel alloy parts for plating
US4178253A (en) * 1977-04-05 1979-12-11 Ciba-Geigy Corporation Corrosion inhibited lubricant compositions
US4315889A (en) * 1979-12-26 1982-02-16 Ashland Oil, Inc. Method of reducing leaching of cobalt from metal working tools containing tungsten carbide particles bonded by cobalt
JPS57116776A (en) * 1981-01-14 1982-07-20 Toshiba Corp Etching solution for nickel
US4357396A (en) * 1981-01-26 1982-11-02 Ppg Industries, Inc. Silver and copper coated articles protected by treatment with mercapto and/or amino substituted thiadiazoles or mercapto substituted triazoles
JPS57134563A (en) * 1981-02-12 1982-08-19 Nippon Peroxide Co Ltd Etching agent for electroless plated thin nickel film
JPS6196088A (ja) * 1984-10-16 1986-05-14 Masami Kobayashi Ｎｉ−Ｆｅ合金ＩＣ用リ−ドフレ−ムの製造法
JPS63134699A (ja) * 1986-11-22 1988-06-07 Kobe Steel Ltd Ｆｅ−Ｎｉ合金のめつき前処理方法
DE4231535C2 (de) * 1991-09-20 1997-12-11 Hitachi Ltd Verfahren zur Erzeugung eines leitenden Schaltungsmusters
JP2884935B2 (ja) * 1992-08-17 1999-04-19 日立化成工業株式会社 ニッケル又はニッケル合金のエッチング液及びこのエッチング液を用いる方法並びにこのエッチング液を用いて配線板を製造する方法
US5403672A (en) * 1992-08-17 1995-04-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Metal foil for printed wiring board and production thereof
DE4335716C2 (de) * 1993-04-30 2001-07-26 Ami Doduco Gmbh Verwendung eines Additives aus einem Emulgator und einem oder mehreren Inhibitoren zu einem Bad zum Entfernen von Schichten aus Nickel, Zinn, Blei oder Zinn-Blei von Oberflächen aus Kupfer oder Kupferlegierungen
WO1995026047A1 (en) * 1994-03-18 1995-09-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor package manufacturing method and semiconductor package
JP4029910B2 (ja) * 1994-03-18 2008-01-09 日立化成工業株式会社 半導体パッケ−ジの製造法及び半導体パッケ−ジ
US5459103A (en) 1994-04-18 1995-10-17 Texas Instruments Incorporated Method of forming lead frame with strengthened encapsulation adhesion
US5382310A (en) * 1994-04-29 1995-01-17 Eastman Kodak Company Packaging medical image sensors
JPH11133617A (ja) * 1997-10-28 1999-05-21 Hitachi Chem Co Ltd ケミカルミーリング用感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性フィルム
US6117250A (en) * 1999-02-25 2000-09-12 Morton International Inc. Thiazole and thiocarbamide based chemicals for use with oxidative etchant solutions
US6444140B2 (en) * 1999-03-17 2002-09-03 Morton International Inc. Micro-etch solution for producing metal surface topography
US6838318B1 (en) * 1999-06-10 2005-01-04 Toyo Kohan Co., Ltd. Clad plate for forming interposer for semiconductor device, interposer for semiconductor device, and method of manufacturing them
JP2001140084A (ja) * 1999-08-27 2001-05-22 Mec Kk ニッケルまたはニッケル合金のエッチング液
JP2004031446A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液及び研磨方法
JP4264498B2 (ja) * 2002-09-19 2009-05-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 フォトレジスト用感光性樹脂組成物及び積層体
JP4241018B2 (ja) * 2002-12-06 2009-03-18 メック株式会社 エッチング液
JP4063119B2 (ja) * 2003-03-27 2008-03-19 日立化成工業株式会社 転写配線支持部材
US7285229B2 (en) * 2003-11-07 2007-10-23 Mec Company, Ltd. Etchant and replenishment solution therefor, and etching method and method for producing wiring board using the same
JP4429141B2 (ja) * 2003-11-07 2010-03-10 メック株式会社 エッチング液セット、これを用いるエッチング方法及び配線基板の製造方法
KR20060021744A (ko) * 2004-09-04 2006-03-08 삼성테크윈 주식회사 리드프레임 및 그 제조방법
JP4543943B2 (ja) * 2005-01-26 2010-09-15 パナソニック株式会社 半導体装置用リードフレームの製造方法
SG177201A1 (en) * 2006-12-21 2012-01-30 Advanced Tech Materials Compositions and methods for the selective removal of silicon nitride
US20100261632A1 (en) * 2007-08-02 2010-10-14 Advanced Technology Materials, Inc. Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device

Also Published As

Publication number Publication date
EP2072639A1 (en) 2009-06-24
TW200940748A (en) 2009-10-01
CN101533787A (zh) 2009-09-16
US20090196999A1 (en) 2009-08-06
JP2009147336A (ja) 2009-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090063145A (ko) 접착력 증진
US7049683B1 (en) Semiconductor package including organo-metallic coating formed on surface of leadframe roughened using chemical etchant to prevent separation between leadframe and molding compound
US5459103A (en) Method of forming lead frame with strengthened encapsulation adhesion
KR102333434B1 (ko) 리드 프레임 및 그 제조방법
US10867895B2 (en) Lead-frame structure, lead-frame, surface mount electronic device and methods of producing same
US20240162168A1 (en) Semiconductor device having cavities at an interface of an encapsulant and a die pad or leads
TWI359214B (en) Electroplating method
US4589962A (en) Solder plating process and semiconductor product
JP2004137530A (ja) 電気・電子回路部品の接続端子として用いられる複合合金金属球及びその製造方法
JP2018040030A (ja) 銅製部材の表面処理方法及び半導体実装用基板の製造方法
WO2003040432A1 (fr) Pellicules de traitement de surface a base de nickel presentant une excellente adherence thermoresistante a une resine
JPH10284667A (ja) 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法
US20030137032A1 (en) Pre-finished leadframe for semiconductor devices and method fo fabrication
US10914018B2 (en) Porous Cu on Cu surface for semiconductor packages
KR20060030356A (ko) 반도체 리이드 프레임과, 이를 포함하는 반도체 패키지와,이를 도금하는 방법
JP4552468B2 (ja) 錫めっき皮膜のウイスカ検査方法
JP2017210639A (ja) 銅製部材の表面処理方法及び半導体実装用基板の製造方法
KR100593890B1 (ko) 리드프레임을 갖는 ｌｅｄ 패키지 제조방법
JP2022122426A (ja) アルミニウム－セラミックス回路基板の製造方法
JPH09219469A (ja) セラミックパッケージ基体のめっき処理方法
KR19980060696A (ko) 반도체 리드 프레임

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid