JPS6196088A - Ｎｉ−Ｆｅ合金ＩＣ用リ−ドフレ−ムの製造法 - Google Patents
Ｎｉ−Ｆｅ合金ＩＣ用リ−ドフレ−ムの製造法Info
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- JPS6196088A JPS6196088A JP21689884A JP21689884A JPS6196088A JP S6196088 A JPS6196088 A JP S6196088A JP 21689884 A JP21689884 A JP 21689884A JP 21689884 A JP21689884 A JP 21689884A JP S6196088 A JPS6196088 A JP S6196088A
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- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は安価に半田性とゼンデイング性を付与するニッ
ケル−鉄基合金ＩＣ用リードフレームの製造法に関する
。
ケル−鉄基合金ＩＣ用リードフレームの製造法に関する
。
（従来技術）
従来工５ＩＣ用リードフＶ−ムにはＣｕ基合金とともに
、４２％ＮＩ −Ｆｅ合金（以下４２７０イという）が
多く使用されている。ＩＣ用リすＩ′フレームの場合ピ
ン部分の半田性やワイヤーのメンディング性？必要とす
るが、４２７０イの場合これらの特注全従来金や銀ｔめ
つきすることにより付与していた。この金や銀のめつき
は４２７０イの場合以前はＩＣ用リードフＶ−ム全面に
１〜３μｍ施していたが、金の全面めつ８はコストがか
かるため中止され、銀の全面めっきのみに変っていた。
、４２％ＮＩ −Ｆｅ合金（以下４２７０イという）が
多く使用されている。ＩＣ用リすＩ′フレームの場合ピ
ン部分の半田性やワイヤーのメンディング性？必要とす
るが、４２７０イの場合これらの特注全従来金や銀ｔめ
つきすることにより付与していた。この金や銀のめつき
は４２７０イの場合以前はＩＣ用リードフＶ−ム全面に
１〜３μｍ施していたが、金の全面めつ８はコストがか
かるため中止され、銀の全面めっきのみに変っていた。
しかしこれでもまだコストがかかるためさらに銀の縞状
めつきに変ジ、現在では大部分がチップ全接着した力、
ワイヤー７／ンデイングしたりする必要部分のみにスポ
ットめっき（２〜３μｍ）’を施丁工うになっている。
めつきに変ジ、現在では大部分がチップ全接着した力、
ワイヤー７／ンデイングしたりする必要部分のみにスポ
ットめっき（２〜３μｍ）’を施丁工うになっている。
しかしてこの必要部分のみに金または銀のスポットめつ
１！を施工方法としては従来（ａｌ帝帯材３０ｃｍ程度
に切断して短冊形にし、その短冊形のものにスポットめ
っキ七する方法、（ｂｌ帯材の一部を打抜加工して連続
したリードフレームの形状にし、そのリードフレームの
形状のものにスポットめっき全施工方法、（Ｃ１幅３０
譚、長さ５０３程度の板材ｔケミカルエツチングでリー
ド７ノームの形状に加工した後必要部分に全音たは銀の
スポットめつｌｔ−施工方法などに工り行われていた。
１！を施工方法としては従来（ａｌ帝帯材３０ｃｍ程度
に切断して短冊形にし、その短冊形のものにスポットめ
っキ七する方法、（ｂｌ帯材の一部を打抜加工して連続
したリードフレームの形状にし、そのリードフレームの
形状のものにスポットめっき全施工方法、（Ｃ１幅３０
譚、長さ５０３程度の板材ｔケミカルエツチングでリー
ド７ノームの形状に加工した後必要部分に全音たは銀の
スポットめつｌｔ−施工方法などに工り行われていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら（ａｌ ｓよび（Ｃ）の方法はパッチ式の
めつきによらねばならないため、めっき作業が極めて非
能率的でめった。一方（ｂｌの方法は連続めっきではあ
るが、仮めっき材の移送を間必欠迭りしてめっきしなけ
ればならないため、生産性はめつき時間にかかつていた
。このため、生産性を高めるのにはどのずから限界がめ
った。
めつきによらねばならないため、めっき作業が極めて非
能率的でめった。一方（ｂｌの方法は連続めっきではあ
るが、仮めっき材の移送を間必欠迭りしてめっきしなけ
ればならないため、生産性はめつき時間にかかつていた
。このため、生産性を高めるのにはどのずから限界がめ
った。
また（ａｌ ｊｄ工び（Ｃ１の方法でスポットめつきｔ
施したものはＩＣ用リードフレームにするのに打抜加工
されるため、ピン部分は金属素地そのものでおり、（ｂ
）の方法でスーットめつ！！？施したものもピン部分に
は銀めつき會施でないため、ピン部分は金属素地そのも
のであった。このため従来方法のもののピン部分には４
２７０イの性質上半田性がなく、ピン部分には御粘に半
田めつ１！を施さねばならなかった。
施したものはＩＣ用リードフレームにするのに打抜加工
されるため、ピン部分は金属素地そのものでおり、（ｂ
）の方法でスーットめつ！！？施したものもピン部分に
は銀めつき會施でないため、ピン部分は金属素地そのも
のであった。このため従来方法のもののピン部分には４
２７０イの性質上半田性がなく、ピン部分には御粘に半
田めつ１！を施さねばならなかった。
（問題点を解決するための手段）
そこで本発明者は一般にニッケル−鉄基合金のＩＣ用リ
ードフレーム？能率的に生産でキ、シかもピン部分にも
半田性を付与できる方法について研究した結果、前記合
金の帯材を予めＩＣ用リードフレームの形状に打抜いて
、それにニッケルの薄づけめつきと金、銀、パラジクム
の５′Ｐ）の１種またはその合金の極薄めつきとｔＪ＠
次施丁方法によればよいことｔ見出した。ここでＩＣ用
リードフＶ−ムの形状とはＩＣ用リードフレーム単独で
もよ（、連続したものでもよい。しかし上記めっきは前
処理會従米ステンレス鋼などに行われている方法？適用
したのでに＠層性が劣り、半田ＪＰメンディングの接合
強度が得られないことが判明した。そこで前処理につい
てさらに＠究を進めた結果、無磯酸とＭ磯酸を主成分と
する浴で浸漬処理および陰極′ｗＬ解処理〒丁れば工い
ことｔ見出したのである。丁なわち本発明は高価な貴金
属？用いるが極薄めつきであるため、使用量はわずかで
るり、加ニスピードの高能率の点も併せて全面にめつき
會施してもコストは高（ならず、また４２アロイの蕾材
會リードフレーム形に打抜いてめつきするのでピン部分
にも半田性全付与できる。
ードフレーム？能率的に生産でキ、シかもピン部分にも
半田性を付与できる方法について研究した結果、前記合
金の帯材を予めＩＣ用リードフレームの形状に打抜いて
、それにニッケルの薄づけめつきと金、銀、パラジクム
の５′Ｐ）の１種またはその合金の極薄めつきとｔＪ＠
次施丁方法によればよいことｔ見出した。ここでＩＣ用
リードフＶ−ムの形状とはＩＣ用リードフレーム単独で
もよ（、連続したものでもよい。しかし上記めっきは前
処理會従米ステンレス鋼などに行われている方法？適用
したのでに＠層性が劣り、半田ＪＰメンディングの接合
強度が得られないことが判明した。そこで前処理につい
てさらに＠究を進めた結果、無磯酸とＭ磯酸を主成分と
する浴で浸漬処理および陰極′ｗＬ解処理〒丁れば工い
ことｔ見出したのである。丁なわち本発明は高価な貴金
属？用いるが極薄めつきであるため、使用量はわずかで
るり、加ニスピードの高能率の点も併せて全面にめつき
會施してもコストは高（ならず、また４２アロイの蕾材
會リードフレーム形に打抜いてめつきするのでピン部分
にも半田性全付与できる。
本発明において半田性が付与されるのは前処理にエフ鋼
素地のニッケルが従来の前処理エフ活性化されるので、
前処理後ニッケルの薄づけめつきを旋すと活性化された
鋼素地のニッケルの部分にめっきニッケルが選択的にめ
っきされ、さらに七の後に貴金属の極薄めつき全施丁と
めつき貴金属がめつきニッケルの活性なうちにめつ＠さ
れるため、めっきしたニッケルと貴金属はあたかも合金
の如（なり、これが半田との合金層を容易かつ急速に形
成すること、どよび鋼素地の鉄の部分はめっきが倣量、
めっきでるるため、鉄が露出し、酸化皮膜が形成される
が、この酸化皮膜に半田フラックスにより瞬間的に溶解
され、半田は鉄と容易に合金層を形成することによるも
のでるる。
素地のニッケルが従来の前処理エフ活性化されるので、
前処理後ニッケルの薄づけめつきを旋すと活性化された
鋼素地のニッケルの部分にめっきニッケルが選択的にめ
っきされ、さらに七の後に貴金属の極薄めつき全施丁と
めつき貴金属がめつきニッケルの活性なうちにめつ＠さ
れるため、めっきしたニッケルと貴金属はあたかも合金
の如（なり、これが半田との合金層を容易かつ急速に形
成すること、どよび鋼素地の鉄の部分はめっきが倣量、
めっきでるるため、鉄が露出し、酸化皮膜が形成される
が、この酸化皮膜に半田フラックスにより瞬間的に溶解
され、半田は鉄と容易に合金層を形成することによるも
のでるる。
またワイヤーのゼンデイング性が付与されるのはワイヤ
ーの材質である金との相客性の優れた金。
ーの材質である金との相客性の優れた金。
銀、ノ々ラジウムがめつきされているためである。
本発明は具体的には、まず（イ１無機酸として塩酸（３
５％溶液）１５〜３０容量％、硫酸（８５％溶液）５〜
１５容量％、硝酸（６８％溶液）４〜６容量％ｔ％また
有機酸としてクエン酸粉末５〜１５重量％、酢酸（９０
％溶液）０．５〜Ｌ５容量％ｔ、さらにこれらに非イオ
ンまたは両性界面活性剤０．１〜０．３重１％と腐食抑
制Ｔｌ４１０．０５〜０．１５重量％を配合した酸性活
性化浴にニッケル−鉄基合金のＩＣ用リードフレーム業
浸漬して化学研摩する化学研摩工程と、回無機酸として
燐酸（８５％溶液）５〜１５容量％、＠酸（８５％溶液
）５〜１５容量％、有機酸としてクエン酸粉末５〜１５
重量％、酢酸（９０％溶液）０．５〜Ｌ５容量％、さら
にこれに非イオンまたは両性界面活性剤０．１〜０．３
重量％、ピロリドン銹導体２〜２０容量％、アセチレン
グリコール０．５〜７重量％、腐食抑制４ｊ ０．０５
〜０．１５重量％を配合した電解浴に化学研摩後のニッ
ケル−鉄基合金のＩＣ用リードフレームを浸漬して陰極
電解し、表面活性化を行う電解活性化工程とにエクーｇ
ｆＩＣ用す−ドフノーム表面の酸化＠？工び不純物金除
去し活性化全行う。
５％溶液）１５〜３０容量％、硫酸（８５％溶液）５〜
１５容量％、硝酸（６８％溶液）４〜６容量％ｔ％また
有機酸としてクエン酸粉末５〜１５重量％、酢酸（９０
％溶液）０．５〜Ｌ５容量％ｔ、さらにこれらに非イオ
ンまたは両性界面活性剤０．１〜０．３重１％と腐食抑
制Ｔｌ４１０．０５〜０．１５重量％を配合した酸性活
性化浴にニッケル−鉄基合金のＩＣ用リードフレーム業
浸漬して化学研摩する化学研摩工程と、回無機酸として
燐酸（８５％溶液）５〜１５容量％、＠酸（８５％溶液
）５〜１５容量％、有機酸としてクエン酸粉末５〜１５
重量％、酢酸（９０％溶液）０．５〜Ｌ５容量％、さら
にこれに非イオンまたは両性界面活性剤０．１〜０．３
重量％、ピロリドン銹導体２〜２０容量％、アセチレン
グリコール０．５〜７重量％、腐食抑制４ｊ ０．０５
〜０．１５重量％を配合した電解浴に化学研摩後のニッ
ケル−鉄基合金のＩＣ用リードフレームを浸漬して陰極
電解し、表面活性化を行う電解活性化工程とにエクーｇ
ｆＩＣ用す−ドフノーム表面の酸化＠？工び不純物金除
去し活性化全行う。
ここで上記各浴に非イオンまたは両性界面活性剤を配合
するのは各工程後水洗した場合にＩＣ用リードフレーム
表面が水はね現象？起さず、表面が水分によ＃）扱覆さ
れて、次工程まで活性状因？維持するためであフ、七の
好ましいものとしてはポリエチレンクリコールアルキル
エーテル、ボリエｆＶングリコール脂肪酸エステルなど
かメる。また腐食抑制剤ケ配合するのに無機酸による酸
洗過多ｒ防止し、酸化物や不純物のみ金除去するためで
、それは吸着型（ＮＨ，基、ＳＨ基、ＯＨ基？Ｍするも
の）、皮膜型（重炭酸系、燐酸系など）または不動態型
のいずれのものでもよい。さらに電解浴にピロリドン誘
導体とアセチレングリコール？ □配合するのはピロ
リドン誘導体の場合無機酸と有機酸とにより溶屏された
酸化物と不純物と？罹災に取除くためでるり、アセチレ
ングリコールの場合は肌荒ｎと水切れｔ防止するためで
ある。
するのは各工程後水洗した場合にＩＣ用リードフレーム
表面が水はね現象？起さず、表面が水分によ＃）扱覆さ
れて、次工程まで活性状因？維持するためであフ、七の
好ましいものとしてはポリエチレンクリコールアルキル
エーテル、ボリエｆＶングリコール脂肪酸エステルなど
かメる。また腐食抑制剤ケ配合するのに無機酸による酸
洗過多ｒ防止し、酸化物や不純物のみ金除去するためで
、それは吸着型（ＮＨ，基、ＳＨ基、ＯＨ基？Ｍするも
の）、皮膜型（重炭酸系、燐酸系など）または不動態型
のいずれのものでもよい。さらに電解浴にピロリドン誘
導体とアセチレングリコール？ □配合するのはピロ
リドン誘導体の場合無機酸と有機酸とにより溶屏された
酸化物と不純物と？罹災に取除くためでるり、アセチレ
ングリコールの場合は肌荒ｎと水切れｔ防止するためで
ある。
上記各浴にどいて無機酸が上限Ｊ−り高いと腐食抑制剤
の配合にもかかわらす酸洗過多になり、また下限より低
いと活性化か不十分となり、好ましくない。また有機酸
は上限エフ高くし工も高（した割には活性化せず、下限
より低いと活性化が不十分となる。さらに界面活性剤、
腐食抑制剤、ピロリドン誘導体どよびアセチレングリコ
ールはいずれも上腿エク高くしてもそれほど効果が得ら
れず、不経済であり、下限工）低（すると効果が不十分
である。
の配合にもかかわらす酸洗過多になり、また下限より低
いと活性化か不十分となり、好ましくない。また有機酸
は上限エフ高くし工も高（した割には活性化せず、下限
より低いと活性化が不十分となる。さらに界面活性剤、
腐食抑制剤、ピロリドン誘導体どよびアセチレングリコ
ールはいずれも上腿エク高くしてもそれほど効果が得ら
れず、不経済であり、下限工）低（すると効果が不十分
である。
次に←Ｊ酸洗ニッケルめっき浴にて表面活性化後のニッ
ケル−鉄基合金のＩＣ用リードフレームにニッケルの薄
づけめつきｔ施丁ニッケルめっき工程と、←）金、銀、
パラジウムのうちの１ 種’Ｅ タｌｄその合金の極薄
めつ！！？ニッケルの博づけめつ３後のニッケル−鉄基
合金のｌＣ用リードフレームに施す貴金属めっき工程と
によりニッケルめっきと貴金属めっき２施し、ボンディ
ング性３工び午田性七付与する。
ケル−鉄基合金のＩＣ用リードフレームにニッケルの薄
づけめつきｔ施丁ニッケルめっき工程と、←）金、銀、
パラジウムのうちの１ 種’Ｅ タｌｄその合金の極薄
めつ！！？ニッケルの博づけめつ３後のニッケル−鉄基
合金のｌＣ用リードフレームに施す貴金属めっき工程と
によりニッケルめっきと貴金属めっき２施し、ボンディ
ング性３工び午田性七付与する。
これらの各工程にｊ６けるめっきは電気めっきによるが
、浴組成、めつき条件は公知の組成、条件でよい。めっ
き厚みは単位面積当りのめつき付着量？比重で除して算
出しためつき厚みでニッケルの場合は０．０１〜０．２
μｍ１貴金属の場合は合金の場合も含めＣ０，００３〜
０．１μｍにてるりが好ましい。めっき厚みでこのよう
な厚みにした場合のＩＣ用リードフレーム外観はニッケ
ル−鉄基合金単体の色調と貴金属めっき工程でめつきす
る金属または合金単体の色ｎとの中間の色調を呈するの
で、めっき厚みは色調で判断することもできる。
、浴組成、めつき条件は公知の組成、条件でよい。めっ
き厚みは単位面積当りのめつき付着量？比重で除して算
出しためつき厚みでニッケルの場合は０．０１〜０．２
μｍ１貴金属の場合は合金の場合も含めＣ０，００３〜
０．１μｍにてるりが好ましい。めっき厚みでこのよう
な厚みにした場合のＩＣ用リードフレーム外観はニッケ
ル−鉄基合金単体の色調と貴金属めっき工程でめつきす
る金属または合金単体の色ｎとの中間の色調を呈するの
で、めっき厚みは色調で判断することもできる。
貴金属めっき工程にどいては貴金属単体ばか９でなく、
（−の合金をめつきし又も均等の効果が得られる。ここ
で合金とはＡｕ基合金、Ａｇ基合金ど工びＰｄ基合金で
あって、好ましいもの？挙げれば、Ａｕ基合金としては
Ａｕ −Ｎｉ、 Ａｕ −Ｃｕ 、 Ａｕ −Ｃｏ、Ａ
ｕ −Ｐｄが、またＡｇ基合金としてはＡｇ−Ｃｕ。
（−の合金をめつきし又も均等の効果が得られる。ここ
で合金とはＡｕ基合金、Ａｇ基合金ど工びＰｄ基合金で
あって、好ましいもの？挙げれば、Ａｕ基合金としては
Ａｕ −Ｎｉ、 Ａｕ −Ｃｕ 、 Ａｕ −Ｃｏ、Ａ
ｕ −Ｐｄが、またＡｇ基合金としてはＡｇ−Ｃｕ。
Ａｇ −Ｎｉが％さらにＰｄ基合金としては）’ｄ −
Ｎｌなどがある。
Ｎｌなどがある。
（実施例）
ニッケル−鉄基合金の帯材を打抜いて連続したＩＣ用リ
ードフレームにして、それｔ次の（ａｌ〜（Ｃ１の工程
で前処理し、次に（ｄ）８工び（ｅｌの工程でそれぞれ
ニッケルの薄づけめつきに工び貴金属またはその合金の
極薄めつき？施し、半田性、ゼンデイング性を付与した
。
ードフレームにして、それｔ次の（ａｌ〜（Ｃ１の工程
で前処理し、次に（ｄ）８工び（ｅｌの工程でそれぞれ
ニッケルの薄づけめつきに工び貴金属またはその合金の
極薄めつき？施し、半田性、ゼンデイング性を付与した
。
（ａｌアルカリ脱脂工程
市販きれているアルカリ脱脂液ｔステンレス槽中で７０
〜８０℃に加温し、ＩＣＣソリ−１゛〕Ｖムを遂次この
槽中を通過させて一次脱脂？行なｔ、Ｓ１次に４０〜６
０℃のアルカリ浴中でステンＶス鋼板ｋｌｉ！他とし、
ＩＣ用リードフレーム？陰極として６ゼルトの電圧を印
加して直流電解脱＠７行なった。
〜８０℃に加温し、ＩＣＣソリ−１゛〕Ｖムを遂次この
槽中を通過させて一次脱脂？行なｔ、Ｓ１次に４０〜６
０℃のアルカリ浴中でステンＶス鋼板ｋｌｉ！他とし、
ＩＣ用リードフレーム？陰極として６ゼルトの電圧を印
加して直流電解脱＠７行なった。
（ｂｌ化学研摩工程
続いて、ＩＣ用’） −１’７Ｌ／−ムｉ ｊｆＥ酸（
３５％溶液）２０容量％、硫酸（８５％溶ｇ）ｉｏ容量
％、クエン酸粉宋ｌＯ重量％、酢酸（９０％溶液）ｌ容
量％Ｓよび硝＠（６８％溶液）５容量％エクなる混酸に
、＋ｔｅリエチＶングリコールアルキルエーテル％ポリ
エチレンクリコール脂肪！！ステルなどの非イオンまた
にアミノＷＲ類の両性界面活性剤０．２重量％およびア
ミン系腐食抑制剤０．１重量％を加えた浴中を通過させ
、ＩＣ用リードフレーム表面の酸化物Ｓ工び不純ｇＪ業
除去した。
３５％溶液）２０容量％、硫酸（８５％溶ｇ）ｉｏ容量
％、クエン酸粉宋ｌＯ重量％、酢酸（９０％溶液）ｌ容
量％Ｓよび硝＠（６８％溶液）５容量％エクなる混酸に
、＋ｔｅリエチＶングリコールアルキルエーテル％ポリ
エチレンクリコール脂肪！！ステルなどの非イオンまた
にアミノＷＲ類の両性界面活性剤０．２重量％およびア
ミン系腐食抑制剤０．１重量％を加えた浴中を通過させ
、ＩＣ用リードフレーム表面の酸化物Ｓ工び不純ｇＪ業
除去した。
（Ｃ３電解活性化工程
燐酸（８５％溶液）１０容量％、硫酸（８５％溶液）ｌ
ｏ′Ｇ量％、クエンＭ（粉末）５重量％、酢酸（９０％
溶液）ｌ寥量％、Ｎ−メチル−２−ピロリドン５容量％
、２−ブテン−Ｌ４−ジオール２′ｘ量％に、上記と同
様の非イオンまたは両性界面活性剤０．２重量％ど工び
腐食抑制剤０．１ Ｘ量％を加えた浴’１ｉ−６０℃に
加温し、ＩＣ用リードフレームに（−）電流ｔ、チタン
白金めつき板に（＋）ｔｖｔｔ−ａじ４Ｉルトにセット
して浴中を通過させＩＣ用リードフレームの表面の活性
化上行なった。
ｏ′Ｇ量％、クエンＭ（粉末）５重量％、酢酸（９０％
溶液）ｌ寥量％、Ｎ−メチル−２−ピロリドン５容量％
、２−ブテン−Ｌ４−ジオール２′ｘ量％に、上記と同
様の非イオンまたは両性界面活性剤０．２重量％ど工び
腐食抑制剤０．１ Ｘ量％を加えた浴’１ｉ−６０℃に
加温し、ＩＣ用リードフレームに（−）電流ｔ、チタン
白金めつき板に（＋）ｔｖｔｔ−ａじ４Ｉルトにセット
して浴中を通過させＩＣ用リードフレームの表面の活性
化上行なった。
（ｄｌニッケルめっき工程
スルファミン酸ニッケル５０１／）、硫酸ニッケル４０
９／ｉ 、硼酸３０１／−６のめつき浴で、浴温５０℃
にセットし、ＩＣ用リードフＶ−ムに（−）電流ｔ、ニ
ッケル板に（＋）を流を通じ、６Ａ／Ｄｍ２の電流密度
で１５秒間ニッケルめつ！を施した。
９／ｉ 、硼酸３０１／−６のめつき浴で、浴温５０℃
にセットし、ＩＣ用リードフＶ−ムに（−）電流ｔ、ニ
ッケル板に（＋）を流を通じ、６Ａ／Ｄｍ２の電流密度
で１５秒間ニッケルめつ！を施した。
（ｃｌ貴金属めっき工程
（イＪＡｕ −Ｎｉ合金めつき 。
クエン酸１２０１／−１３、クエン酸ソーダｌ ２０１
７／〕、スルファミン酸ニッケル３０１／１３ 、シア
ン化金カリ８１／４３のめつき浴中でＩＣ用リードフＶ
−ムＫ（−）電流？、チタン白金めつき板に（十）を流
を通じて両面めっきと片面めっき？施した。両面めっき
の場合は浴温３５℃、電流密度３〜ＩＱＡ／Ｄｍ２で２
秒間行い、片面めっきの場合は浴温３５℃、５〜ＩＯＡ
／Ｄｍ２で３秒間行った。な８片面めっきはめつき槽の
ＩＣ用リードフＶ−ム通過下側にシリコンゴム板金、ま
たこのシリコンゴム板の上方にチタン白金めつき板上そ
れぞれ固定して、 ＩＣ用リードフレームが両者の間
の通過する際その下面がシリコンゴム板と接触し、マス
キングされる工う圧して行った。
７／〕、スルファミン酸ニッケル３０１／１３ 、シア
ン化金カリ８１／４３のめつき浴中でＩＣ用リードフＶ
−ムＫ（−）電流？、チタン白金めつき板に（十）を流
を通じて両面めっきと片面めっき？施した。両面めっき
の場合は浴温３５℃、電流密度３〜ＩＱＡ／Ｄｍ２で２
秒間行い、片面めっきの場合は浴温３５℃、５〜ＩＯＡ
／Ｄｍ２で３秒間行った。な８片面めっきはめつき槽の
ＩＣ用リードフＶ−ム通過下側にシリコンゴム板金、ま
たこのシリコンゴム板の上方にチタン白金めつき板上そ
れぞれ固定して、 ＩＣ用リードフレームが両者の間
の通過する際その下面がシリコンゴム板と接触し、マス
キングされる工う圧して行った。
仲）純Ａｕめつき
メタル分１０９／４３の純金めつき浴で液温６５℃、電
流密度ｌＡＺＤｍＫセットし、１秒間約８０オングスト
ロームの電着量を基準とし実施例６のめつき厚に適合す
るめつき時間で純金めつきした。
流密度ｌＡＺＤｍＫセットし、１秒間約８０オングスト
ロームの電着量を基準とし実施例６のめつき厚に適合す
るめつき時間で純金めつきした。
（ハ）銀めっき
シアン化銀カリウム３重ｆｆｉ％、シアン化カリ９ムロ
０重Ｊｋ％のめつき浴中で浴温３０℃にセットし、ＩＣ
用リードフレームに（−）電流ｔ−ｌＡｇ板に（＋）電
流を通じ、１０Ａ／Ｄｍ２の電流密度で５秒間Ａｇめつ
きｔ施した。
０重Ｊｋ％のめつき浴中で浴温３０℃にセットし、ＩＣ
用リードフレームに（−）電流ｔ−ｌＡｇ板に（＋）電
流を通じ、１０Ａ／Ｄｍ２の電流密度で５秒間Ａｇめつ
きｔ施した。
（に）ノぐクジ９ムめりき
Ｐｄのメタル分として１５１／ノの中性めっき液で、浴
温ｔ４５℃にセットし、チタン白金板に（十）を流＝７
．ＩＣ用リードフレームに（−） １Ｅ流七通じ、５
Ａ／ Ｄｍ２の電流密度で３秒間Ｐｄめつ′＠を施した
。
温ｔ４５℃にセットし、チタン白金板に（十）を流＝７
．ＩＣ用リードフレームに（−） １Ｅ流七通じ、５
Ａ／ Ｄｍ２の電流密度で３秒間Ｐｄめつ′＠を施した
。
（ホ）Ｐｄ −Ｎｉめつき
スルファミン酸８％、メタル分２０．９々、Ｎｉメタル
分１０９／ノの中性浴中で、電流密度８ Ａ／ ０ｍ２
〜５Ａ／Ｄａ２の範囲で、浴温４０℃でＩＣ用リードフ
レームに（−）電流ｔ、チタン白金めつき４１（＋）を
流七通じ２秒間、Ｐｄ −Ｎｉ合金めつ＠ｒ施した。
分１０９／ノの中性浴中で、電流密度８ Ａ／ ０ｍ２
〜５Ａ／Ｄａ２の範囲で、浴温４０℃でＩＣ用リードフ
レームに（−）電流ｔ、チタン白金めつき４１（＋）を
流七通じ２秒間、Ｐｄ −Ｎｉ合金めつ＠ｒ施した。
第１表に以上のようにして半田性に工びｉンデイング性
？付与したＩＣ用リードフンーム？一括して示す＠ 次にめっき密着性、牛田性８工びゲンデイング性確認の
ために実施例１〜６のＩＣ用リードフレームに次の工う
なテスト７行った。
？付与したＩＣ用リードフンーム？一括して示す＠ 次にめっき密着性、牛田性８工びゲンデイング性確認の
ために実施例１〜６のＩＣ用リードフレームに次の工う
なテスト７行った。
（１）めつ＠＠着注
（イ）ゴパン目テスト
カッターで基材合金素地に達する経緯幅ｌ■のゴパン目
を入れ、１６０°Ｃ″Ｖ″ｌＯ分間加熱後粘着テープン
貼付けて剥離したが、めっき層の剥離は認められなかっ
た。
を入れ、１６０°Ｃ″Ｖ″ｌＯ分間加熱後粘着テープン
貼付けて剥離したが、めっき層の剥離は認められなかっ
た。
（ロ）折曲げテスト
１８０度折曲げ全繰返し、破断させたが、破断面のめつ
き層は剥離しなかった。
き層は剥離しなかった。
（２）牛 １）性
ビ）ソルダーテスト機による方法
ＩＣ用リードフレーム？ンルダーテスト機にセットし１
牛田の儒れ曳象ｈ！気的に測定したが。
牛田の儒れ曳象ｈ！気的に測定したが。
千日の表面彊力による浸漬初期の反発力は少く、濡れ性
は極めて良好で、従来よりＩＣＩＣ用リードフレーム用
δれているリン青銅より優れていた。
は極めて良好で、従来よりＩＣＩＣ用リードフレーム用
δれているリン青銅より優れていた。
（ロ）午田槽［よるテスト
配合比が錫６．鉛４の千日を溶した温度２３０℃の半田
槽にＩＣ用リードフレームｔ３秒および５秒浸漬して千
日したが、ビン部分も良好に千日され、「半日のり」、
はいずれも９５％以上でめった。
槽にＩＣ用リードフレームｔ３秒および５秒浸漬して千
日したが、ビン部分も良好に千日され、「半日のり」、
はいずれも９５％以上でめった。
（ハ）電気半田ゴテによるテスト
市販の電気千日ゴテとヤニ入り半田線（錫６、ｆｆ１４
）ト’ｌｋ用いてニッケルの薄づけめつきと金の極薄め
つき？施した０、２ａＯの３８％Ｎｉ−６１％Ｆｅ線材
ｔＩＣ用リードフレームに千日し℃みたが半田強度は良
好であった。
）ト’ｌｋ用いてニッケルの薄づけめつきと金の極薄め
つき？施した０、２ａＯの３８％Ｎｉ−６１％Ｆｅ線材
ｔＩＣ用リードフレームに千日し℃みたが半田強度は良
好であった。
（３）メンディング注
高速ゼンデイング機にエフ３０μｍ■の金線？ゼンデイ
ングし、その接合強度？測定したところ、その接合強度
は各ＩＣ用リードフレームとも７時前後で、良好であっ
た。
ングし、その接合強度？測定したところ、その接合強度
は各ＩＣ用リードフレームとも７時前後で、良好であっ
た。
（効 果）
以上説明したように、本発明はニッケル−鉄基合金のＩ
Ｃ用リードフレームにニッケルの薄づけめつきと金、銀
、パラジウムのうちの１種またに七の合金の極薄めつき
ｔ施して牛田性とメンディング注を付与するのでめるが
、ＩＣ用リードフレームに加工したもの全全面めっきす
るので、連続めっきができ、生産性は高く、ビン部分に
も牛田性が付与される。
Ｃ用リードフレームにニッケルの薄づけめつきと金、銀
、パラジウムのうちの１種またに七の合金の極薄めつき
ｔ施して牛田性とメンディング注を付与するのでめるが
、ＩＣ用リードフレームに加工したもの全全面めっきす
るので、連続めっきができ、生産性は高く、ビン部分に
も牛田性が付与される。
また前処理は著しく衣ｒＪ？活性化させるので、めっき
層が強固１ｃ密着したＩＣ用リードフＶ−ムとなる。さ
らＫめつき層は高価な貴金属でるるか、極薄でめるので
、コストの影響は小さく、生産性やビン部分に手出性會
付与したことに伴うＩＣＪＰＬＳＩ組立工程合理化の効
果の方がはるかに太き−１゜
層が強固１ｃ密着したＩＣ用リードフＶ−ムとなる。さ
らＫめつき層は高価な貴金属でるるか、極薄でめるので
、コストの影響は小さく、生産性やビン部分に手出性會
付与したことに伴うＩＣＪＰＬＳＩ組立工程合理化の効
果の方がはるかに太き−１゜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （イ）塩酸（３５％溶液）１５〜３０容量％、硫酸（８
５％溶液）５〜１５容量％、硝酸（６８％溶液）４〜６
容量％、クエン酸粉末５〜１５重量％、酢酸（９０％溶
液）０．５〜１．５容量％、非イオンまたは両性界面活
性剤０．１〜０．３重量％、腐食抑制剤０．０５〜０．
１５重量％を配合した酸性活性化浴にニッケル−鉄基合
金のＩＣ用リードフレームを浸漬して化学研摩を行う化
学研摩工程と、 （ロ）燐酸（８５％溶液）５〜１５容量％、硫酸（８５
％溶液）５〜１５容量％、クエン酸粉末５〜１５重量％
、酢酸（９０％溶液）０．５〜１．５容量％、非イオン
または両性界面活性剤０．１〜０．３重量％、ピロリド
ン誘導体２〜２０容量％、アセチレングリコール０．５
〜７重量％、腐食抑制剤０．０５〜０．１５重量％を配
合した電解浴に化学研摩後のニッケル−鉄基合金のＩＣ
用リードフレームを浸漬して陰極電解し、表面活性化を
行う電解活性化工程と、 （ハ）酸性ニッケルめつき浴にて表面活性化後のニッケ
ル−鉄基合金のＩＣ用リードフレームにニッケルの薄づ
けめつきを施すニッケルめつき工程と、 （ニ）金、銀、パラジウムのうちの１種またはその合金
の極薄めつきをニッケルの薄づけめつき後のニッケル−
鉄基合金のＩＣ用リードフレームに施す貴金属めつき工
程と、 を包含することを特徴とするニッケル−鉄基合金のＩＣ
用リードフレームの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21689884A JPS6196088A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | Ｎｉ−Ｆｅ合金ＩＣ用リ−ドフレ−ムの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21689884A JPS6196088A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | Ｎｉ−Ｆｅ合金ＩＣ用リ−ドフレ−ムの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196088A true JPS6196088A (ja) | 1986-05-14 |
| JPS6340866B2 JPS6340866B2 (ja) | 1988-08-12 |
Family
ID=16695639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21689884A Granted JPS6196088A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | Ｎｉ−Ｆｅ合金ＩＣ用リ−ドフレ−ムの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196088A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195991A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-08-30 | Hitachi Ltd | 電子部品の製造方法 |
| US6245448B1 (en) | 1988-03-28 | 2001-06-12 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame with reduced corrosion |
| EP2072639A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-24 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Method for adhesion promotion between the nickel and nickel alloy layer and another metal or a dielectric, such as in the manufacture of lead frames for semiconductor devices |
| CN103088358A (zh) * | 2012-12-13 | 2013-05-08 | 苏州新区化工节能设备厂 | 水电解极板镀覆前的表面处理方法 |
| CN104357843A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-02-18 | 南昌航空大学 | 一种NCu-30-4-2-1镍铜合金的金相电解腐蚀液及腐蚀方法 |
| CN107740104A (zh) * | 2017-09-01 | 2018-02-27 | 北京曙光航空电气有限责任公司 | 3j1扎线的制件表面氧化皮去除方法 |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP21689884A patent/JPS6196088A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195991A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-08-30 | Hitachi Ltd | 電子部品の製造方法 |
| US6245448B1 (en) | 1988-03-28 | 2001-06-12 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame with reduced corrosion |
| EP2072639A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-24 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Method for adhesion promotion between the nickel and nickel alloy layer and another metal or a dielectric, such as in the manufacture of lead frames for semiconductor devices |
| CN103088358A (zh) * | 2012-12-13 | 2013-05-08 | 苏州新区化工节能设备厂 | 水电解极板镀覆前的表面处理方法 |
| CN103088358B (zh) * | 2012-12-13 | 2015-09-30 | 苏州赛斯德工程设备有限公司 | 水电解极板镀覆前的表面处理方法 |
| CN104357843A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-02-18 | 南昌航空大学 | 一种NCu-30-4-2-1镍铜合金的金相电解腐蚀液及腐蚀方法 |
| CN107740104A (zh) * | 2017-09-01 | 2018-02-27 | 北京曙光航空电气有限责任公司 | 3j1扎线的制件表面氧化皮去除方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6340866B2 (ja) | 1988-08-12 |
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