KR20090011210A - 플래시 메모리 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 배드 블록의 어드레스를 저장하기 위한 배드 블록 정보부; 및메모리 블록 어드레스 정보를 포함하는 입력 어드레스와 상기 배드 블록 정보부의 배드 블록의 어드레스를 비교하여 그 결과에 따라 상기 배드블록의 어드레스에 대응하는 메모리 블록을 디스에이블 시키도록 상기 입력 어드레스에 따라 블록 어드레스를 생성하는 어드레스 카운터를 제어하기 위한 비교부를 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 배드 블록 정보부는,상기 플래시 메모리 소자의 배드 메모리 블록 어드레스를 저장하는 퓨즈 회로들을 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 배드 블록 정보부는,상기 배드 메모리 블록의 정보를 저장하는 저장수단을 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 플래시 메모리 소자에 있어서,복수의 비트 라인 쌍들과 복수의 워드라인들에 각각 연결되는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 블록을 복수개 포함하는 메모리 셀 어레이;상기 비트라인 쌍에 각각 연결된 메모리 셀을 프로그램하여 상기 비트라인에 연결된 메모리 셀의 문턱전압을 양의 전압 방향으로 이동시켜 독출 하는 페이지 버퍼 회로를 복수개 포함하는 페이지 버퍼부;상기 입력되는 어드레스에 따라 상기 메모리 셀 어레이의 워드라인을 선택하는 X 디코더;상기 복수의 페이지 버퍼 회로들 각각에 하나씩 대응하게 연결되고, 데이터 입출력 라인에 더 연결되어 프로그램할 데이터를 상기 페이지 버퍼 회로에 전송하거나, 상기 페이지 버퍼 회로로부터 전송되는 독출 데이터를 데이터 입출력라인으로 출력하는 Y 디코더; 및상기 페이지 버퍼와 X 디코더 및 Y 디코더의 제어 신호를 출력하고, 상기 입력 어드레스에 포함된 메모리 블록 어드레스가 배드 블록의 어드레스인지 여부에 따른 어드레스 제어신호를 출력하는 제어부를 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 제 4항에 있어서,상기 제어부는,상기 입력 어드레스에 포함된 메모리 블록 어드레스를 미리 저장된 배드 블록 메모리 정보와 비교하고, 그 결과에 따른 어드레스 제어 신호를 출력하는 어드 레스 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자.
- 제 5항에 있어서,상기 어드레스 제어부는,상기 입력 어드레스를 시작 어드레스로 하여 상기 플래시 메모리 소자의 동작 진행에 따른 어드레스 카운트 신호를 출력하는 어드레스 카운터;상기 플래시 메모리 소자에 포함된 배드 메모리 블록의 어드레스 정보를 저장하는 배드 블록 정보부; 및상기 입력 어드레스에 포함된 메모리 블록의 어드레스와 상기 배드 블록 정보부에 저장된 메모리 블록의 어드레스를 비교하여 그 결과에 따른 블록 디스에이블 신호를 출력하는 비교부를 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 제 6항에 있어서,상기 배드 블록 정보부는,상기 플래시 메모리 소자의 배드 메모리 블록 어드레스를 저장하는 퓨즈 회로들을 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 제 6항에 있어서,상기 배드 블록 정보부는,상기 배드 메모리 블록의 정보를 저장하는 저장수단을 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 제 6항에 있어서,상기 X 디코더는,상기 블록 디스에이블 신호에 따라 해당 메모리 블록의 동작을 디스에이블 하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자.
- 플래시 메모리 소자에 있어서,복수의 비트 라인 쌍들과 복수의 워드라인들에 각각 연결되는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 블록을 복수개 포함하는 메모리 셀 어레이;상기 비트라인 쌍에 각각 연결된 메모리 셀을 프로그램하여 상기 비트라인에 연결된 메모리 셀의 문턱전압을 양의 전압 방향으로 이동시켜 독출 하는 페이지 버퍼 회로를 복수개 포함하는 페이지 버퍼부;상기 입력되는 어드레스에 따라 상기 메모리 셀 어레이의 워드라인을 선택하는 X 디코더;상기 복수의 페이지 버퍼 회로들 각각에 하나씩 대응하게 연결되고, 데이터 입출력 라인에 더 연결되어 프로그램할 데이터를 상기 페이지 버퍼 회로에 전송하거나, 상기 페이지 버퍼 회로로부터 전송되는 독출 데이터를 데이터 입출력라인으로 출력하는 Y 디코더;상기 입력 어드레스에 포함된 메모리 블록 어드레스가 배드 블록의 어드레스인지 여부에 따른 어드레스 제어신호를 출력하는 어드레스 제어부; 및상기 페이지 버퍼부와 X 디코더 및 Y 디코더의 동작을 제어하는 제어신호를 출력하는 제어부를 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 제 10항에 있어서,상기 어드레스 제어부는,상기 입력 어드레스를 시작 어드레스로 하여 상기 플래시 메모리 소자의 동작 진행에 따른 어드레스 카운트 신호를 출력하는 어드레스 카운터;상기 플래시 메모리 소자에 포함된 배드 메모리 블록의 어드레스 정보를 저장하는 배드 블록 정보부; 및상기 입력 어드레스에 포함된 메모리 블록의 어드레스와 상기 배드 블록 정보부에 저장된 메모리 블록의 어드레스를 비교하여 그 결과에 따른 블록 디스에이블 신호를 출력하는 비교부를 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 제 11항에 있어서,상기 배드 블록 정보부는,상기 플래시 메모리 소자의 배드 메모리 블록 어드레스를 저장하는 퓨즈 회 로들을 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 제 11항에 있어서,상기 배드 블록 정보부는,상기 배드 메모리 블록의 정보를 저장하는 저장수단을 포함하는 플래시 메모리 소자.
- 제 11항에 있어서,상기 X 디코더는,상기 블록 디스에이블 신호에 따라 해당 메모리 블록의 동작을 디스에이블 하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070074574A KR100938024B1 (ko) | 2007-07-25 | 2007-07-25 | 플래시 메모리 소자 |
US12/119,405 US7778096B2 (en) | 2007-07-25 | 2008-05-12 | Flash memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070074574A KR100938024B1 (ko) | 2007-07-25 | 2007-07-25 | 플래시 메모리 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090011210A true KR20090011210A (ko) | 2009-02-02 |
KR100938024B1 KR100938024B1 (ko) | 2010-01-21 |
Family
ID=40295206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070074574A KR100938024B1 (ko) | 2007-07-25 | 2007-07-25 | 플래시 메모리 소자 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7778096B2 (ko) |
KR (1) | KR100938024B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101038471B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2011-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법 |
US8369146B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-02-05 | SK Hynix Inc. | Block decoder of semiconductor memory device |
CN105009215A (zh) * | 2013-02-28 | 2015-10-28 | 美光科技公司 | 三维存储器中的子块停用 |
US10025760B2 (en) | 2013-01-25 | 2018-07-17 | Ebay Inc. | Mapping page states to URLs |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001052495A (ja) * | 1999-06-03 | 2001-02-23 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
JP3916862B2 (ja) * | 2000-10-03 | 2007-05-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
KR100399365B1 (ko) * | 2000-12-04 | 2003-09-26 | 삼성전자주식회사 | 페일 비트 검출 스킴을 구비한 불휘발성 반도체 메모리장치 및 그것의 페일 비트 카운트 방법 |
KR100572328B1 (ko) * | 2004-07-16 | 2006-04-18 | 삼성전자주식회사 | 배드 블록 관리부를 포함하는 플래시 메모리 시스템 |
-
2007
- 2007-07-25 KR KR1020070074574A patent/KR100938024B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-05-12 US US12/119,405 patent/US7778096B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100938024B1 (ko) | 2010-01-21 |
US20090027966A1 (en) | 2009-01-29 |
US7778096B2 (en) | 2010-08-17 |
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AMND | Amendment | ||
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J201 | Request for trial against refusal decision | ||
E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
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