KR20080111468A - 유리 기판의 제조 방법 및 고평탄하고 고평활한 유리 기판 - Google Patents
유리 기판의 제조 방법 및 고평탄하고 고평활한 유리 기판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080111468A KR20080111468A KR1020087024824A KR20087024824A KR20080111468A KR 20080111468 A KR20080111468 A KR 20080111468A KR 1020087024824 A KR1020087024824 A KR 1020087024824A KR 20087024824 A KR20087024824 A KR 20087024824A KR 20080111468 A KR20080111468 A KR 20080111468A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- processing
- glass substrate
- flatness
- substrate surface
- distribution
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 218
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 191
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 105
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 100
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 75
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 39
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 31
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 28
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 63
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 18
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 14
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
- C03C15/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching for making a smooth surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/24—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass
- B24B7/242—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass for plate glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/006—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by plasma or corona discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
- C03C2201/40—Doped silica-based glasses containing metals containing transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn
- C03C2201/42—Doped silica-based glasses containing metals containing transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn containing titanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
- C03C2204/08—Glass having a rough surface
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 고평탄하고 고평활한 유리 기판을 양호한 생산성으로 제조하는 가공 방법을 제공한다. 고평탄하고 고평활한 유리 기판은 가공 전의 유리 기판면의 형상을 측정하는 공정, 각 장소에 대해 가공 조건을 바꾸면서 기판면 내를 가공하는 공정(제1 가공 공정), 제1 가공 공정이 실시된 유리 기판면을 마무리 연마하는 공정(제2 가공 공정)을 포함하는 유리 기판의 가공에 의해 양호한 생산성으로 얻는다. 이 때, 제1 가공 공정에서의 기판면 내의 각 장소에 대한 가공 조건은 가공 전의 유리 기판면의 요철 형상과 유사한 기판을 이용하여 별도로 측정된 제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포로부터 결정된 가공량으로부터 결정된다.
고평탄하고 고평활한 유리 기판, 요철 형상, 가스 클러스터 이온 빔 에칭
Description
본 발명은 고평탄하고 고평활한 유리 기판의 가공 방법에 관한 것이고, 특히 반도체 제조 공정의 EUV 리소그래피에 이용되는 반사형 마스크 기판과 같이, 고도의 평탄성 및 평활성이 요구되는 유리 기판면을 가공하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 방법은 ArF 리소그래피에 이용되는 투과형 마스크 기판에 적용할 수 있다.
파장이 0.2 내지 100 nm 정도인 연 X선 영역 또는 진공 자외 영역의 광(EUV광)을 사용한 리소그래피(이하 EUVL이라 함) 기술에 이용하는 반사형 마스크의 기판(이하 EUVL용 기판이라 함)에 있어서는 EUV광을 조사하여도 전사상에 왜곡이 생기지 않도록 기판면의 평탄도가 높으면서 고반사율이 얻어지도록 표면 거칠기가 작은, 즉 고평탄하고 고평활한 것이 요구된다. 또한 온도 변화에 의한 영향을 억제하기 위해서 열 팽창율이 낮은 것이 요구된다. 그 때문에 EUVL용 기판으로서는 SiO2를 주성분으로 함유하는 석영 유리 기판, 특히 TiO2를 도펀트로서 함유시켜 저열팽창이 된 저열팽창 석영 유리를 고평탄이면서 고평활하게 가공한 기판이 바람직하게 이용된다. EUVL용 기판의 형상, 크기, 두께 등은 한정되지 않지만, 통상적으 로는 평면 형상이 직사각형 또는 정방형인 판형체로서, 기판 크기는 전형적으로 152 mm 각의 정방형이고, 고평탄하면서 고평활한 기판의 유효 부분은 142 mm 각이다.
기계 연마에서는 상기 기판의 표면을 고평탄이면서 고평활하게 가공하려고 하여도, 기판면 내에 볼록부와 오목부가 주기적으로 연속해 있는 요철 형상을 발생시킨다는 평탄성의 문제가 있다. 이러한 요철 형상은 하나의 볼록부로부터 인접하는 볼록부까지의 거리인 주기가 전형적으로는 75 내지 150 mm이다. 그 때문에 기계 연마만으로는 EUVL용 반사형 마스크의 기판에 요구되는, PV(피크 투 밸리)로 0.15 ㎛ 이하의 평탄도를 얻는 것은 어려웠다. 이러한 요철 형상을 없애고 원하는 고평탄의 표면을 얻기 위한 방법으로서는 가스 클러스터 이온 빔 에칭, 플라즈마 에칭 또는 자기 점성 유체 연마 등의 가공 방법을 이용하여, 국소적인 가공량을 최적으로 가공함으로써, 평탄한 표면 형상을 얻는 방법이 하기 특허 문헌 1, 2, 3에 기재되어 있다.
그러나, 유리 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하면 드라이 에칭 고유의 결점이 생기고, 또한 자기 점성 유체 연마를 행하면 자기 점성 유체 연마 고유의 결점이 생겨, 표면 거칠기가 커지는 문제가 있다. EEM 등의 비접촉 연마를 이용하여, 이러한 표면 거칠기나 결점을 개선하는 방법이 특허 문헌 3에 기재되어 있다.
<특허 문헌 1> 일본 특허 공개 (평)8-293483호 공보
<특허 문헌 2> 일본 특허 공개 제2002-316835호 공보
<특허 문헌 3> 일본 특허 공개 제2004-291209호 공보
<발명의 개시>
<발명이 해결하고자 하는 과제>
유리 기판면을 가스 클러스터 이온 빔 에칭 또는 플라즈마 에칭의 드라이 에칭 또는 자기 점성 유체 연마에 의해 가공하면 표면 거칠기가 커지는 문제가 있고, 표면 거칠기를 제거 또는 개선하기 위해서, O2 가스 클러스터에 의한 연화 공정이나, EEM 등의 비접촉 연마를 이용할 필요가 있다. 그러나 이들 가공은 가공율이 낮기 때문에 장시간을 요하여 생산성이 저하된다는 과제가 있다.
<발명이 해결하고자 하는 수단>
본 발명은 종래 기술이 갖는 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 생산성이 양호한 유리 기판면을 고평탄이면서 고평활하게 가공하는 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 이와 같은 가공 방법에 의해 가공된 고평탄이면서 고평활한 유리 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적 및 효과는 하기 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
구체적으로는, 본 발명은
가공 전의 유리 기판의 기판면 내의 각 장소에서 평탄도를 측정하는 공정(평탄도 분포 측정 공정);
평탄도 분포가 측정된 상기 유리 기판면을, 기판면 내의 각 장소에 대해 가공 조건을 바꾸면서 유리 기판면을 가공하는 공정(제1 가공 공정); 및
제1 가공 공정이 실시된 상기 유리 기판면을 마무리 연마하는 공정(제2 가공 공정)을 포함하며,
제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포가, 유사한 유리 기판을 이용하여 별도로 측정되고,
제1 가공 공정에서 기판면 내의 각 장소에 대한 가공량이, 가공 전의 평탄도 분포 측정 공정에서 측정된 기판면 내의 평탄도 분포와, 제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포로부터 결정되는 유리 기판면의 가공에 의한 유리 기판의 가공 방법을 제공한다.
또한 본 발명은
기판면 내의 각 장소에서 가공 전의 유리 기판의 평탄도를 측정하는 공정(평탄도 분포 측정 공정);
평탄도 분포가 측정된 상기 유리 기판면을, 기판면 내의 각 장소에 대해 가공 조건을 바꾸면서 유리 기판면을 가공하는 공정(제1 가공 공정); 및
제1 가공 공정이 실시된 상기 유리 기판면을 마무리 연마하는 공정(제2 가공 공정)을 포함하며,
제1 가공 공정이 이온 빔 에칭, 가스 클러스터 이온 빔 에칭, 플라즈마 에칭 또는 자기 점성 유체 연마에 의해 행해지고,
제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포가, 유사한 유리 기판을 이용하여 별도로 측정되고,
제1 가공 공정에서의 기판면 내의 각 장소에 대한 가공 조건이, 평탄도 분포 측정 공정에서 측정된 가공 전의 기판면 내의 평탄도 분포와, 제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포로부터 구해진 가공량으로부터 결정되는 유리 기판면의 가공에 의한 유리 기판의 가공 방법을 제공한다.
상기 가공 방법에서, 유리 기판은 SiO2를 주성분으로 함유하는 석영 유리로 이루어지는 유리 기판인 것이 바람직하고, TiO2가 도핑된 저열팽창의 합성 석영 유리인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 유리 기판의 가공 방법에 있어서, 유리 기판면 내의 도펀트 농도 분포와 유리 기판의 도펀트 농도에 대한 제1 가공 공정의 가공률의 관계가 제1 가공 공정을 행하기 전에 별도로 구해져 있고, 제1 가공 공정에 있어서의 기판면 내의 각 장소에 대한 가공 조건이, 제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포와 평탄도 분포 측정 공정에서 측정된 가공전의 유리 기판면의 평탄도 분포로부터 구해진 가공량, 도펀트 농도의 분포, 및 제1 가공 공정의 가공율과 도펀트 농도의 관계로부터 결정되는 것이 보다 바람직하다. 본 실시양태에 의해, 가공이 행해지는 유리 기판이 도펀트를 함유하는 유리로 이루어지는 경우에, 보다 고평탄한 유리 표면이 얻어지는 효과를 얻는다.
본 발명은 기판면의 평탄도가 PV로 0.05 ㎛ 이하이고, 원자간력 현미경으로 측정한 표면 거칠기가 RMS로 0.25 nm 이하인 표면을 갖는 고평탄하고 고평활한 유리 기판을 제공한다. 또한, 본 발명은 평탄도가 PV로 0.05 ㎛ 이하이고, 원자간력 현미경으로 측정한 표면 거칠기가 RMS로 0.25 nm 이하인 표면을 갖는, 상기 유리 기판의 가공 방법으로 가공된 고평탄하고 고평활한 유리 기판을 제공한다.
본 발명의 유리 기판의 가공 방법을 이용하여, 양호한 생산성으로 고평탄하면서 고평활한 유리 기판을 제조하는 것이 가능해진다.
도 1은 예비 연마 후의 유리 기판 샘플의 평탄도 측정 결과의 그래프이다.
도 2는 도 1의 유리 기판 샘플을 가스 클러스터 이온 빔(제1 가공 공정)으로 가공한 후의 평탄도 측정 결과의 그래프이다.
도 3은 도 2의 유리 기판 샘플을 마무리 연마(제2 가공 공정)에 의해 가공한 후의 평탄도 측정 결과의 그래프이다.
도 4는 마무리 연마(제2 가공 공정)에 의한 가공량의 면내 분포의 그래프이다.
도 5는 본 발명의 가공을 행하기 전의 유리 기판 샘플의 평탄도 측정 결과의 그래프이다.
도 6은 가스 클러스터 이온 빔 에칭에 의해 행하는 제1 가공 공정의 가공량 E1(x, y)의 면내 분포의 그래프이다.
도 7은 도 6의 가공량 E1(x, y)의 면내 분포로 제1 가공 공정을 행한 후의 유리 기판 샘플의 평탄도 측정 결과의 그래프이다.
도 8은 도 7의 유리 기판 샘플을 마무리 연마(제2 가공 공정)에 의해 가공한 후의 평탄도 측정 결과의 그래프이다.
도 9는 실시예 2의 TiO2 도핑 석영 유리가 함유된 TiO2 농도 분포를, 기판 중심으로부터의 거리를 횡축에 취하여 플롯한 그래프를 나타낸다.
도 10은 가스 클러스터 이온 빔 에칭에 의한 TiO2 도핑 석영 유리의 가공율의 TiO2 농도에 의한 변화를 플롯한 그래프이다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명의 유리 기판의 가공 방법에서는 가공 전의 유리 기판면의 평탄도 분포를 측정하는 공정, 평탄도 분포가 측정된 유리 기판면을 기판면 내의 각 장소에 대해 가공 조건을 바꾸면서 유리 기판면을 가공하는 공정(제1 가공 공정), 및 제1 가공 공정이 실시된 유리 기판면을 마무리 연마하는 공정(제2 가공 공정)을 포함하는 가공 방법에 의해 유리 기판면을 가공한다.
유리 기판의 평탄도는, 예를 들면 152 mm 각의 기판인 경우에는 142 mm 각의 유효 부분에 대하여 평탄도 측정기를 이용하여 표면 형상을 측정하여 구해진다. 구체적으로는, 본원에서 지칭하는 평탄도는 기준면으로부터의 기판 표면의 변위를 나타낸다. 기준면은 유리 기판상의 유효 부분의 표면 형상을 평탄도 측정기를 이용하여 측정하고, 측정된 표면 형상으로부터 최소 제곱 평면을 구하여, 최소 제곱 평면을 기준면으로 취하여 구한다. 평탄도 측정기의 예는 G310S 피조(Fizeau)형 레이저 간섭식 평탄도 측정기(후지논사(Fujinon Corporation) 제조)로 예시되는 레이저 간섭식 평탄도 측정기, 레이저 변위계, 초음파 변위계 및 접촉식 변위계를 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서 「고평탄하다」란 표현은, 기판의 유효 부분의 표면내에서의 평탄도가 PV로 0.15 ㎛ 이하인 것을 의미한다.
유리 기판 표면 거칠기는 원자간력 현미경을 이용하여 측정된다. 본 명세서에 있어서는 세이코 인스트루먼츠사(Seiko Instruments Inc.) 제조 SPA460을 이용하여, 대표적인 선단 곡율이 10 nm인 프로브에 의해 라인수 512로 스캔하여 측정한 표면 거칠기의 RMS(제곱 평균 제곱근 표면 거칠기) 값을 말한다. 본 명세서에 있어서 「고평활하다」란 표현은, 기판의 유효 부분의 표면 거칠기가 RMS로 0.15 nm 이하인 것을 의미한다.
본 발명의 가공 방법으로 가공되는 유리 기판은 특별히 한정되지 않지만, SiO2를 주성분으로 함유하는 석영 유리 기판이 바람직하게 이용된다. 본 발명의 유리 기판의 가공 방법은 특히 도펀트를 혼입시켜 저열팽창 계수로 한 저열팽창 석영 유리로 이루어지는 유리 기판을 고평탄하면서 고평활하게 가공하여 EUVL용 반사형 마스크의 기판을 제조하는 가공 방법으로서 바람직하게 이용할 수 있다. 상기 저열팽창 유리의 예로서는 열팽창 계수를 감소시킬 수 있는 도펀트, 예를 들면 TiO2를 함유하는 합성 석영 유리를 들 수 있다. 유리 기판의 형상, 크기, 두께 등은 한정되지 않지만, 통상적으로 직사각형 또는 정방형의 판상체이다.
제1 가공 공정의 가공 방법으로서는 국소 영역의 가공을 행하는 것이 가능하고, 유리 기판면에 존재하는 볼록부와 오목부가 주기적으로 연속하는 요철 형상의 주기에 대하여 충분히 작은 국소 영역을 가공할 수 있는 가공 방법이 이용된다. 즉, 가공하는 국소 영역의 직경의 FWHM(full width of half maximum) 값을 상기 요철 형상 주기의 1/2 이하로 하는 것이 가능한 가공 방법이 이용된다. 구체적으로는 각종 이온 빔을 이용한 이온 빔 에칭, 플라즈마 에칭 또는 자기 점성 유체 연마가 이용되지만, 이들에 한정되지 않는다. 그 중에서도 가스 클러스터 이온 빔 에칭이 바람직하게 이용된다. 가공하는 국소 영역의 직경의 FWHM 값은 상기 요철 형상 주기의 1/4 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 다른 주기의 요철 형상이 복수 존재하는 경우에는 가공하는 국소 영역의 직경의 FWHM 값은 가장 주기가 작은 요철 형상의 주기에 대하여 상술한 범위내로 하는 것이 바람직하다.
가공 영역이 작은 가공 방법에 의해 전체 기판면에 가공을 실시하기 위해서는 기판 전체 면을 주사하여 가공을 행하는 것이 바람직하다. 주사 방법으로서는 이른바 래스터(raster) 스캔을 행하는 것이 바람직하지만, 다른 주사 방법을 이용할 수도 있다. 이 때, 가공되는 국소 영역에서의 가공량 프로파일을 고려하여 스캔 피치를 결정하는 것이 바람직하다.
"가스 클러스터 이온 빔 에칭"이란, 상온 상압에서 기체의 반응성 물질(소스 가스)을 진공 장치 내에 단열 팽창시키면서 분출시켜 가스 클러스터를 생성시키고; 가스 클러스터를 전자 조사하여 이온화시킴으로써 가스 클러스터 이온을 생성시키고; 가스 클러스터 이온을 고전계에서 가속하여 가스 클러스터 이온 빔을 생성시키고; 빔을 피가공물에 조사하여 에칭 가공하는 것을 포함하는 방법이다. 피가공물인 유리 기판면에 가스 클러스터 이온 빔이 조사되면, 가스 클러스터 이온과 유리 기판면의 원자 사이의 다체 충돌 효과에 의해 유리 기판면이 가공된다. 가스 클러스터 이온 빔의 빔 직경을 줄임으로써, 국소 영역을 가공할 수 있다.
가스 클러스터 이온 빔 에칭에 이용하는 소스 가스로서는 SF6, Ar, O2, N2, NF3, N2O, CHF3, C4F6, CF4, C2F6, C3F8, SiF4, COF2 등의 가스를 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도 SF6 및 NF3은 유리와의 반응성의 점에서 유리 기판의 가공에 이용하는 소스 가스로서 우수하다. 보다 구체적으로는, 소스 가스는 SF6 또는 NF3을 함유하는 혼합 가스, 즉 SF6 및 O2의 혼합 가스, SF6, Ar 및 O2의 혼합 가스, NF3 및 O2의 혼합 가스, 또는 NF3, Ar 및 O2의 혼합 가스, NF3 및 N2의 혼합 가스, 또는 NF3, Ar 및 N2의 혼합 가스가 바람직하다. 이들의 혼합 가스에 있어서, 각 성분의 바람직한 혼합 비율은 조사 조건 등의 조건에 따라서 다르지만, 각각 하기의 범위인 것이 바람직하다.
SF6/O2=0.1 내지 5 부피％/95 내지 99.9 부피％(SF6 및 O2의 혼합 가스)
SF6/Ar/O2=0.1 내지 5 부피％/9.9 내지 49.9 부피％/50 내지 90 부피％(SF6, Ar 및 O2의 혼합 가스)
NF3/O2=0.1 내지 5 부피％/95 내지 99.9 부피％(NF3 및 O2의 혼합 가스)
NF3/Ar/O2=0.1 내지 5 부피％/9.9 내지 49.9 부피％/50 내지 90 부피％(NF3, Ar 및 O2의 혼합 가스)
NF3/N2=0.1 내지 5 부피％/95 내지 99.9 부피％(NF3 및 N2의 혼합 가스)
NF3/Ar/N2=0.1 내지 5 부피％/9.9 내지 49.9 부피％/50 내지 90 부피％(NF3, Ar 및 N2의 혼합 가스).
한편, 가스 클러스터 크기, 가스 클러스터를 이온화시키기 위해서 가스 클러스터 이온 빔 에칭 장치의 이온화 전극에 인가하는 이온화 전류, 가스 클러스터 이온 빔 에칭 장치의 가속 전극에 인가하는 가속 전압, 및 가스 클러스터 이온 빔의 도스량(가공되는 각각의 장소에 있어서 가스 클러스터 이온 빔의 정산 조사량)과 같은 조사 조건은, 소스 가스의 종류나 제1 가공 공정을 행하기 전의 유리 기판면 특성에 따라서 적절하게 선택된다. 예를 들면, 유리 기판 표면 거칠기를 과도하게 악화시키지 않고, 유리 기판면으로부터 상기 주기적인 요철 형상을 제거하여 평탄성을 개선하기 위해서는, 가속 전압은 15 내지 30 kV로 하는 것이 바람직하다.
제1 가공 공정을 행하면 원하는 표면 형상이 얻어진다. 한편, 제1 가공 공정에 의해 결점이 생기기 때문에, 표면 거칠기가 다소 커져 평활성이 저하된다. 그 때문에 제1 가공 공정에 이어서 제2 가공 공정, 즉 저하중의 기계 연마에 의해 미소량만 연마하는 마무리 연마를 행하는 공정이 행해진다. 제2 가공 공정을 실시함으로써, 제1 가공 공정에 의해 생긴 결점이 제거되고, 표면 거칠기가 감소된 고평활한 기판 표면이 단시간의 가공에 의해 얻어진다. 또한 제1 가공 공정에 의해 표면에 변질층이 생긴 경우에는 제2 가공 공정에 의해 상기 변질층을 상술한 결점 과 동시에 제거할 수 있다.
마무리 연마는 연마 슬러리를 이용하여 행하는 것이 바람직하다. 마무리 연마에서는 유리 기판을 부직포 또는 연마천 등의 연마 패드를 부착한 연마판 사이에 끼워 세팅하고, 소정의 특성을 갖도록 조정된 연마 슬러리를 공급하면서, 유리 기판에 대하여 연마판을 상대 회전시킴으로써 연마하는 것이 바람직하다.
연마 패드는 예를 들면 가네보사(Kanebo, Ltd.) 제조 벨라트릭스(BELATRIX) K7512가 이용된다. 연마 슬러리로서는 콜로이달 실리카를 함유하는 연마 슬러리를 이용하여 행하는 것이 바람직하고; 평균 일차 입경이 50 nm 이하인 콜로이달 실리카와 물을 함유하고, pH를 0.5 내지 4의 범위가 되도록 조정된 연마 슬러리를 이용하는 것이 보다 바람직하다. 평균 일차 입경이 25 nm 이하인 콜로이달 실리카와 물을 함유하고, pH를 1 내지 3의 범위가 되도록 조정된 연마 슬러리를 이용하는 것이 특히 바람직하다.
연마의 면압은 20 내지 100 gf/㎠로 하는 것이 바람직하다. 면압이 100 gf/㎠를 초과하면 스크래치가 발생하거나, 연마판의 회전 부하가 커질 우려가 있다. 면압이 20 gf/㎠ 미만이면 가공에 장시간을 요할 우려가 있다. 가공 후에 양호한 표면 특성을 얻기 위해서는, 면압은 60 gf/㎠ 이하로 하는 것이 바람직하고, 양호한 생산성을 얻기 위해서는 30 gf/㎠ 이상으로 하는 것이 바람직하며, 면압은 40 gf/㎠ 이상 55 gf/㎠ 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.
유리 기판의 마무리 연마의 가공량은 10 내지 200 nm로 하면, 표면 거칠기가 RMS로 0.15 nm 이하인 고평활한 표면이 얻어져서 바람직하다. 표면 거칠기가 RMS로 0.15 nm 이하인 고평활한 표면의 유리 기판은 고집적화와 고정밀화가 한층 강하게 요구되는 45 nm 이후의 세대의 반도체 소자 제조용 노광 장치의 광학계 부품, 예를 들면 EUVL용의 반사형 마스크나 미러 등의 유리 기판으로서 바람직하게 이용된다. 마무리 연마에 의한 가공량이 1O nm 미만이면, 결점이 충분히 제거되지 않고, 표면 거칠기의 향상이 불충분해질 우려가 있다. 가공량이 200 nm를 초과하면, 평탄도가 저하될 우려가 있다.
연마 슬러리의 공급량, 연마 하중 및 연마판의 회전 속도, 연마 시간 등은 연마 속도나 필요한 연마량 등을 고려하여 적절하게 결정된다.
콜로이달 실리카의 평균 일차 입경은 더욱 바람직하게는 20 nm 미만, 특히 바람직하게는 15 nm 미만이다. 콜로이달 실리카의 평균 일차 입경의 하한은 한정되지 않지만, 연마 효율을 향상시키는 관점에서 2 nm 이상이 바람직하고, 5 nm 이상이 보다 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 nm 이상이다. 콜로이달 실리카의 평균 일차 입경이 50 nm를 초과하면, 유리 기판을 원하는 표면 거칠기로 연마하는 것이 곤란해지고, 45 nm 이후의 세대의 반도체 소자 제조용 노광 장치의 광학계 부품 등에 적합한 유리 기판이 얻어지지 않게 될 우려가 있다. 또한, 미세하게 관리하는 관점에서, 콜로이달 실리카로서는 입경이 일차 입자가 응집하여 생기는 이차 입자를 가능한 한 함유하지 않은 것이 바람직하다. 이차 입자를 포함하는 경우라도, 그의 평균 입경은 70 nm 이하인 것이 바람직하다. 한편, 본 발명에 있어서의 콜로 이달 실리카의 입경은 SEM(주사 전자 현미경)을 이용하여 15×103 내지 105×103배의 화상을 계측함으로써 얻어진 것이다.
연마 슬러리 중의 콜로이달 실리카의 함유량이 10 질량％ 미만이면, 연마 효율이 나빠져 경제적인 연마가 얻어지지 않게 될 우려가 있다. 한편, 콜로이달 실리카의 함유량이 30 질량％를 초과하면, 콜로이달 실리카의 사용량이 증가하기 때문에 비용이나 세정성의 관점에서 지장이 생길 우려가 있다. 즉, 연마 슬러리 중의 콜로이달 실리카의 함유량은 10 내지 30 질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 18 내지 25 질량％이고, 특히 바람직하게는 18 내지 22 질량％이다.
연마 슬러리의 pH를 상술한 산성의 범위내로 하면, 유리 기판면을 화학적 및 기계적으로 연마하여, 유리 기판을 평활성 좋게 효율적으로 연마하는 것이 가능해진다. 즉, 유리 표면의 볼록부가 연마 슬러리에 함유된 산에 의해서 연화되기 때문에, 볼록부를 기계적 연마로 용이하게 제거할 수 있게 된다. 이에 따라 연마 효율이 향상됨과 함께, 연마로 제거된 유리 부스러기가 연화되어 있기 때문에, 상기 유리 부스러기 등에 의한 새로운 스크래치의 발생이 방지된다. 연마 슬러리의 pH가 0.5 미만이면, 마무리 연마에 이용되는 연마 장치에 부식이 발생할 우려가 있다. 연마 슬러리의 취급성의 관점에서 pH는 1 이상이 바람직하다. 화학적 연마 효과를 충분히 얻기 위해서는 pH는 4 이하가 바람직하고, 특히 바람직하게는 pH는 1.8 내지 2.5의 범위이다.
연마 슬러리의 pH는 무기산 또는 유기산을 단독 또는 조합하여 첨가하여 조 정할 수 있다. 사용할 수 있는 무기산의 예로서, 질산, 황산, 염산, 과염소산, 인산이 포함되고, 취급이 용이함의 점에서 질산이 바람직하다. 또한, 유기산의 예로서는 옥살산, 시트르산이 포함된다.
연마 슬러리에 이용되는 물은 이물질을 제거한 순수 또는 초순수가 바람직하게 이용된다. 즉, 레이저광 등을 이용한 광 산란 방식으로 계측한, 최대 직경이 0.1 ㎛ 이상인 미립자의 수가 실질적으로 1개/밀리리터 이하인 순수 또는 초순수가 바람직하다. 재질이나 형상에 관계없이 이물질이 1개/밀리리터보다 많이 이물질을 혼입하고 있으면, 연마면에 스크래치나 피트 등의 표면 결점이 생길 우려가 있다. 순수 또는 초순수 중의 이물질은, 예를 들면 멤브레인 필터에 의한 여과나 한외 여과에 의해 제거될 수 있지만, 이물질의 제거 방법은 이것에 한정되지 않는다.
본 발명의 유리 기판의 가공 방법에서는, 제1 가공 공정에 있어서의 기판면 내의 각 장소에 대한 가공량은 제1 가공 공정을 행하기 전의 유리 기판면의 평탄도와, 미리 구해진 제2 가공 공정(마무리 연마)에 의한 가공량의 면내 분포로부터 결정된다.
제1 가공 공정을 행하기 전의 유리 기판면의 평탄도는 가공 전의 유리 기판상의 상기 유효 부분의 표면 형상을 평탄도 측정기를 이용하여 측정하고, 얻어진 표면 형상의 기준면으로부터의 변위로서 구해진다. 또한, 기준면과 평행하면서 요철 형상의 가장 낮은 오목부와 접하는 평면을 목표 가공면으로 한다. 제2 가공 공정(마무리 연마)에 의한 가공량의 면내 분포는 동일한 특성을 갖고 공지된 표면 형상을 갖는 유리 기판에 대하여 동일한 가공 조건으로 제2 가공 공정(마무리 연마) 을 행하고, 상술과 동일한 방식으로 표면 형상의 측정을 행함으로써 구해진다.
유리 기판면 상에 이차원 좌표계를 생각하여, 좌표(x, y)의 점에 있어서의 본 발명의 가공 전의 기판면의 목표 가공면으로부터의 변위를 S(x, y)로 하면, 제1 가공 공정에 의한 가공량 E1(x, y)과, 제2 가공 공정에 의한 가공량 E2(x, y)의 관계는 하기 수학식 1과 같이 나타내진다.
즉, 가공 전의 기판면의 목표 가공면으로부터의 변위 S(x, y)와, 제2 가공 공정에 의한 가공량 E2(x, y)를 미리 구하여 두면, 수학식 1로부터 구해지는 가공량 E1(x, y)에서 제1 가공 공정을 행함으로써, 고평탄한 기판 표면이 얻어진다.
기판면 내의 각각의 점(x, y)에 있어서 원하는 가공량 E1(x, y)의 가공을 행하기 위해서는 가스 클러스터 이온 빔을 기판면 내를 래스터 스캔시킬 때에, 기판 상의 장소마다 상술한 소스 가스의 혼합비, 이온화 전극에 인가하는 이온화 전류 및 가속 전압 등의 조건을 조정하여 가스 클러스터 이온 빔의 조사 강도를 변화시킴으로써 가공율을 변화시킬 수 있다. 그러나, 가공율을 일정하게 유지하면서 유리 기판과 가스 클러스터 이온 빔의 상대적인 이동 속도를 조정하여 기판상의 각각의 점에 대한 가스 클러스터 이온 빔의 도스량을 변화시키면, 용이하면서 안정적으로 가공량을 제어할 수 있어 바람직하다.
가공을 행하는 유리 기판이 TiO2가 도핑된 저열팽창의 석영 유리 등의 도펀트를 함유하는 유리인 경우에는, 기판면 내에서 도펀트 농도가 분포를 갖는 것으로 생각된다. 일반적으로 가스 클러스터 이온 빔 에칭 또는 플라즈마 에칭에 의한 가공율은 도펀트의 농도 분포에 따라 다르기 때문에, 제1 가공 공정에 의해 원하는 표면 형상을 얻기 위해서는, 기판면 내의 각각의 장소에 있어서의 도펀트 농도와 도펀트 농도에 대한 제1 가공 공정의 가공율의 관계로부터 가공 조건을 결정하여 제1 가공 공정을 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 제1 가공 공정을 행함으로써, 보다 고평탄한 기판 표면이 얻어진다. 그 때문에, 제1 가공 공정을 행하기 전에 기판면 내의 도펀트 농도 분포를 측정하여 두는 동시에, 도펀트 농도가 공지된 유리를 이용하여, 유리 기판 중의 도펀트 농도와 제1 가공 공정에 의한 가공율과의 관계를 구해 두는 것이 바람직하다.
기판면 내의 도펀트 농도 분포는 가공을 행하는 기판마다 측정할 수 있지만, 동일한 특성을 갖는 일련의 기판 중, 대표적인 샘플에 대해서만 측정을 행하여 얻어진 도펀트 농도 분포를 대표로서 이용할 수도 있다.
또한, 마무리 연마에 대해서도, 기판면 내의 도펀트 농도 분포에 의한 마무리 연마의 가공량에의 영향이 있는 경우에는, 기판면 내의 각각의 장소에 있어서의 제1 가공 공정에 의한 가공량을, 기판면 내의 도펀트 농도 분포에 의한 마무리 연마의 가공량의 변화분을 고려하여 결정하는 것이 바람직하다.
마무리 연마로 가공된 유리 기판은 추가로 세정된다. 이 세정에 의해, 연 마된 유리 기판면에 부착되어 있는 연마제, 연마 유리 부스러기나 그 밖의 이물질 등이 제거되어 청정하게 되어 더욱 유리 기판면을 중성화할 수 있다. 세정이 불충분하면, 나중의 검사 공정에 문제점이 생길 뿐만 아니라, 유리 기판으로서 필요한 품질이 얻어지지 않게 된다. 바람직한 세정 방법의 예는 먼저 황산과 과산화수소수의 열 용액으로 세정한 후, 순수로 씻어 세정하고, 이어서 중성 계면활성제 용액으로 세정하는 방법을 포함한다. 그러나, 세정 방법은 이것에 한정되지 않고 그 밖의 방법을 이용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 유리 기판의 가공 방법에 의해 가공되는 유리 기판은 본 발명의 가공을 실시하기 전에 예비 연마를 행하여 평탄도를 향상시켜 두는 것이 바람직하다. 그에 따라 본 발명의 가공 방법에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 또한,본 발명의 가공 후에, 보다 우수한 평탄도나 표면 거칠기가 얻어진다. 예비 연마의 방법은 특별히 한정되지 않지만, 유리 표면의 연마에 사용되는 공지된 기계 연마 방법으로부터 선택할 수 있다. 구체적으로는 랩 연마 및 폴리시 연마가 예시되지만 이것에 한정되지 않는다. 또한, 연마 패드 및 연마제도 공지된 것으로부터 적절하게 선택할 수 있다. 또한, 지립에 의한 연마 작용에만 의해서 연마하는 방법 이외에, 지립에 의한 연마 작용과 약품에 의한 화학적 연마 작용을 병용하는 화학 기계 연마 방법일 수도 있다.
예비 연마는 유리 기판면의 평탄도가 PV로 500 nm 이하가 되게 행하는 것이 바람직하고, 400 nm 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 평탄도가 500 nm를 초과하면, 본 발명의 연마 방법에서 평상도를 개선하는 데 시간을 요하여 비용 증가의 요인이 된다. 또한, 예비 연마는 유리 기판 표면 거칠기가 RMS로 5 nm 이하가 되도록 행하는 것이 바람직하고, 1 nm 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 예비 연마된 유리 기판 표면 거칠기가 5 nm를 초과하면, 본 발명의 연마 방법을 이용하여 원하는 표면 거칠기까지 연마하는 데 시간을 요하여 비용 증가의 요인이 된다.
또한, 본 발명의 가공 방법을 행하는 유리 기판은 본 발명의 가공을 실시하기 전에, 모서리 부분의 파손으로 인한 스크래치를 억제하기 위해서 모따기 폭이 0.2 내지 0.4 mm가 되도록 모따기 가공을 하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 하기 실시예 1 및 실시예 2의 실시예에 기초하여 설명하지만, 본 발명은 이하에 한정되지 않는다.
<실시예 1>
공지된 방법으로 제조된 TiO2 도핑 석영 유리(TiO2 도핑량은 7 질량％)의 잉곳을 내주도(ID-saw) 슬라이서를 이용하여 153 mm 각×두께 6.75 mm의 판형으로 절단하고, NC 모따기기(chamfering machine)를 이용하여 #120의 다이아몬드 지석에 의해 모따기 폭이 0.2 내지 0.4 mm가 되도록 모따기 가공하여, 외경 치수가 152 mm 각, 두께 6.75 mm의 TiO2 도핑 석영 유리제의 유리 기판을 제조하였다. 이 유리 기판에 대하여, 기계 연마에 의해 예비 연마를 행하였다. 예비 연마 후의 유리 기판면을 G310S 피조형 레이저 간섭식 평탄도 측정기(후지논사 제조)를 이용하여 142 mm 각의 영역을 측정하였다. 결과를 도 1에 나타내었다. 도 1은 이차원 형상의 유리 기판상의 점(x, y)에 대하여, 평탄도 S(x, y)를 등고선 간격 10 nm로 플롯한 그래프이고, PV는 287 nm였다.
이 예비 연마 유리 기판을 가스 클러스터 이온 빔 에칭에 의해 가공하였다. 가스 클러스터 이온 빔 에칭은 장치 에피온사(Epion Corporation) 제조 US50XP를 이용하여 행하고, 가스 클러스터 이온 빔을 래스터 스캔시킴으로써 기판 전체 면을 가공하였다(제1 가공 공정).
가공 조건은 하기와 같이 설정하였다.
소스 가스: NF3 5 부피％와 O2 95 부피％의 혼합 가스,
가속 전압: 30 keV,
이온화 전류: 70 μA,
가스 클러스터 이온 빔의 빔 직경(FWHM 값): 6 mm
로 하였다.
가스 클러스터 이온 빔으로 가공한 후의 유리 기판의 평탄도를 측정하였다. 등고선 간격 10 nm로 플롯한 그래프를 도 2에 나타내었다. 평탄도는 PV로 107 nm였다. 또한, 표면 거칠기를 원자간력 현미경(세이코 인스트루먼츠사 제조 SPA460)으로 측정하자, RMS로 1.5 nm였다.
이어서 이 유리 기판에 대하여, 콜로이달 실리카를 연마 슬러리로서 이용한 경하중에서의 마무리 연마(제2 가공 공정)를 행하였다. 이 때의 마무리 연마의 가공 조건은 하기와 같이 설정하였다.
연마 시험기: 하마이산교사(Hamai Co., Ltd.) 제조 양면 24B 연마기
연마 패드: 가네보사 제조 벨라트릭스 K7512
연마 표면판 회전수: 35 rpm
연마 시간: 20분
연마 하중: 51 gf/㎠
희석수: 순수(0.1 ㎛ 이상 이물질 여과)
슬러리 유량: 10 리터/분
연마 슬러리: 평균 일차 입경 20 nm 미만의 콜로이달 실리카를 20 질량％ 함유
마무리 연마를 행한 후의 기판 표면의 평탄도를 측정하였다. 결과를 동일하게 플롯한 그래프를 도 3에 나타내었다. 평탄도는 PV로 186 nm였다. 또한, 마무리 연마 후의 기판 표면의 표면 거칠기는 RMS로 0.07 nm였다. 제2 가공 공정의 전후의 유리 기판면의 평탄도(즉, 표면 형상)의 차로부터, 제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포 E2(x, y)가 구해진다. 마무리 가공(제2 가공 공정)의 가공량의 면내 분포 E2(x, y)를 플롯한 그래프를 도 4에 나타내었다. 가공량의 면내 분포는 PV로 170 nm였다.
이상에 의해 유사한 유리 기판에 대하여 구한 제2 가공 공정의 가공량의 면내 분포를 이용하여, TiO2 도핑 석영 유리 기판에 대하여, 본 발명의 가공 방법에 의한 가공을 행하였다. 우선 기계 연마에 의해 예비 연마를 행하여, 도 5에 평탄 도의 그래프를 도시한 바와 같은 PV가 239 nm인 기판 표면을 얻었다. 이어서 이 예비 연마 유리 기판에 대하여, 도 5에 나타내는 표면 형상과 도 4에 나타내는 마무리 연마에 의한 가공량의 면내 분포로부터 면내의 각각의 점(x, y)에 있어서의 제1 가공 공정의 가공량 E1(x, y)를 수학식 1에 의해 결정하였다. 가공량 E1(x, y)의 면내 분포를 도 6의 그래프를 나타내었다.
이어서, 도 6의 가공량의 면내 분포에 기초하여, 기판 전체 면을 래스터 스캔하여 가스 클러스터 이온 빔 에칭에 의해 제1 가공 공정을 행하였다. 면 내의 각각의 점(x, y)에 있어서의 가공량 E1(x, y)은 가스 클러스터 이온 빔을 스캔하는 이동 속도를 변화시켜 가스 클러스터 이온 빔의 도스량을 변화시킴으로써 설정하였다. 이와 같이 하여 가스 클러스터 이온 빔 에칭을 행한 후의 기판 표면의 평탄도를 동일하게 측정한 바, 도 7에 나타내는 그래프와 같이 평탄도는 PV로 186 nm였다. 또한, 동일하게 측정한 표면 거칠기는 RMS로 1.5 nm였다.
이어서, 상기와 동일한 조건으로 마무리 연마(제2 가공 공정)를 행하여, 도 8에 나타낸 평탄도의 기판 표면을 얻었다.
마무리 연마 후의 유리 기판의 평탄도는 PV로 0.097 ㎛이고, 표면 거칠기는 RMS로 0.07 nm였다. 또한, 레이저테크사(Lasertec Corporation) 제조 M1350에 의해 기판 표면의 유효 부분인 142 mm×142 mm의 범위 내의 결점을 조사한 바, 드라이 에칭 고유의 결점은 보이지 않았고, 폭이 60 nm 이상인 오목형 결점이 3개 이하였고, 폭 60 nm 이상의 볼록형 결점은 검출되지 않았다.
<실시예 2>
실시예 1과 다른 로트의 TiO2 도핑 석영 유리(TiO2 도핑량은 7 질량％) 잉곳으로부터 동일하게 152.0 mm 각, 두께 6.75 mm이고 모따기 폭 0.2 내지 0.4 mm로 모따기된 정방형의 TiO2 도핑 석영 유리 기판을 준비하여, 기계 연마에 의해 예비 연마를 행하였다. 이와 동일한 로트의 기판 샘플을 이용하여, 형광 X선 분석에 의해 기판 중의 TiO2 농도 분포를 측정하였다. 도 9에 기판 중의 TiO2 농도 분포를, 기판 중심으로부터의 거리를 횡축에 취하여 플롯한 그래프를 나타낸다.
다음으로, 도펀트로서 TiO2를 함유하는 도핑 석영 유리에 대해서, 도펀트 농도와 클러스터 이온 빔 에칭에 의한 가공율의 관계의 측정을 행하였다. 우선, SiO2에 대한 질량％로, 각각 0％, 3.1％, 5.1％, 6.9％, 8.7％의 TiO2를 함유하는 도핑 석영 유리 샘플(20×20×1 mm)을 준비하였다. 이들 TiO2 농도가 다른 시험 샘플을 동일한 조건으로 클러스터 이온 빔 에칭을 행하여 가공율을 구하였다. 가공율의 측정에는 가공 전후에 있어서의 시험 샘플의 중량 변화로부터 구하는 중량법을 이용하였다. 가스 클러스터 이온 빔 에칭의 조건은 하기와 같이 설정하였다.
소스 가스: SF6 1.25 부피％, O2 24 부피％, Ar 74.75 부피％
가속 전압: 30 keV
이온화 전류: 50 μA
빔 직경(FWHM 값): 6 mm
도스량: 6.2×1015개 이온/㎠
측정된 가공율을, TiO2 농도가 0 질량％일 때의 가공율을 1로서 규격화하여 플롯한 결과를 도 10에 나타내었다. 도펀트(TiO2) 농도 X(질량％)와 규격화 가공율 Y의 상관은 하기 수학식 2로 표시된다.
다음으로, 유리 기판이 함유하는 도펀트 농도와 유리 기판면의 가공율과의 상관(이하, 「도펀트 농도와 가공율의 상관」이라고도 함)과 유리 기판면 내에서의 도펀트 농도 분포를 이용하여, 가공 조건을 설정한다. 즉, 유리 기판면을 가공량 W(㎛)만큼 가공할 때의 가공 시간 T(분)를 하기와 같이 정의한다.
(여기서 Y0은 유리 중의 TiO2 농도가 0 질량％일 때 가공율임)
유리 기판의 각 장소에 대한 가스 클러스터 이온 빔의 스캔 속도를 변화시켜 도스량을 바꿈으로써, 기판 표면의 각각의 장소에서의 가공량을 설정한다.
유리 기판면 상에 이차원 좌표계를 생각하여, 도 9에 대응하는 TiO2 농도 분포를 나타내는 함수를 C(x, y)(질량 ％)로 하면, 유리 기판의 좌표(x, y)의 점에서의 가공량을 E1(x, y)(㎛)에 대응하는 가공 시간 T(x, y)(분)은 하기와 같이 정의된 다.
여기서 E1(x, y)은 상술한 수학식 1에 의해 구해진다.
즉, 수학식 4에 의해 구해진 가공 시간이 되도록 기판면 내를 래스터 스캔하여 가공을 행하여 기판상의 각 점에서의 도스량을 제어함으로써, 도펀트를 함유하는 유리 기판면 내를 원하는 가공량 분포로부터의 변동을 억제하여 가공을 행할 수 있다.
본 발명의 유리 기판의 가공 방법을 이용하면, 고평탄하고 고평활한 유리 기판을 양호한 생산성으로 제조하는 것이 가능하게 된다. 또한, 유리 기판면의 흠집(오목 결점)이나 돌기물(볼록 결점)등의 결점의 제거도 가능하여, 저결점을 실현할 수 있다.
본 발명은 이들의 특정 실시양태를 참조로 상세하게 기술하고 있지만, 발명의 취지 및 이의 범위를 벗어나지 않는 다양한 변경 및 변형이 당업자에게는 명백할 것이다.
본 출원은 2006년 4월 12일에 출원된 일본 특허 공개 제2006-109937호를 기초로 하며, 이의 내용은 본원에 참조로 포함된다.
Claims (7)
- 가공 전의 유리 기판의 기판면 내의 각 장소에서 유리 기판의 평탄도를 측정하는 평탄도 분포 측정 공정;평탄도 분포가 측정된 상기 유리 기판면을, 기판면 내의 각 장소에 대해 가공 조건을 바꾸면서 유리 기판면을 가공하는 제1 가공 공정; 및제1 가공 공정이 실시된 상기 유리 기판면을 마무리 연마하는 제2 가공 공정을 포함하며,제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포가, 유사한 유리 기판을 이용하여 별도로 측정되고,제1 가공 공정에서 기판면 내의 각 장소에 대한 가공량이, 가공 전의 평탄도 분포 측정 공정에서 측정된 기판면 내의 평탄도 분포와, 제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포로부터 결정되는 것을 특징으로 하는 유리 기판면의 가공에 의한 유리 기판의 가공 방법.
- 기판면 내의 각 장소에서 가공 전의 유리 기판의 평탄도를 측정하는 평탄도 분포 측정 공정;평탄도 분포가 측정된 상기 유리 기판면을, 기판면 내의 각 장소에 대해 가공 조건을 바꾸면서 유리 기판면을 가공하는 제1 가공 공정; 및제1 가공 공정이 실시된 상기 유리 기판면을 마무리 연마하는 제2 가공 공정 을 포함하며,제1 가공 공정이 이온 빔 에칭, 가스 클러스터 이온 빔 에칭, 플라즈마 에칭 또는 자기 점성 유체 연마에 의해 행해지고,제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포가, 유사한 유리 기판을 이용하여 별도로 측정되고,제1 가공 공정에서의 기판면 내의 각 장소에 대한 가공 조건이, 평탄도 분포 측정 공정에서 측정된 가공 전의 기판면 내의 평탄도 분포와, 제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포로부터 구해진 가공량으로부터 결정되는 것을 특징으로 하는 유리 기판면의 가공에 의한 유리 기판의 가공 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 유리 기판이 SiO2를 주성분으로 함유하는 석영 유리로 이루어지는 것인 유리 기판의 가공 방법.
- 제3항에 있어서, 석영 유리가, TiO2가 도핑된 저열팽창의 합성 석영 유리인 유리 기판의 가공 방법.
- 제4항에 있어서,유리 기판면 내의 도펀트 농도 분포와, 유리 기판의 도펀트 농도에 대한 제1 가공 공정의 가공 비율의 관계가 제1 가공 공정을 수행하기 전에 별도로 구해지고,제1 가공 공정에서의 기판면 내의 각 장소에 대한 가공 조건이제2 가공 공정에 의한 가공량의 면내 분포와, 평탄도 분포 측정 공정에서 측정된 가공전의 유리 기판면의 평탄도 분포로부터 구해진 가공량;도펀트 농도의 분포; 및제1 가공 공정의 가공율과 도펀트 농도의 관계로부터 결정되는 유리 기판의 가공 방법.
- 평탄도가 PV로 0.05 ㎛ 이하, 원자간력 현미경으로 측정한 표표면 거칠기가 RMS로 0.25 nm 이하인 표면을 갖는 유리 기판.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판의 가공 방법에 의해 가공된, 평탄도가 PV로 0.05 ㎛ 이하, 원자간력 현미경으로 측정한 표표면 거칠기가 RMS로 0.25 nm 이하인 표면을 갖는 유리 기판.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2006-00109937 | 2006-04-12 | ||
| JP2006109937A JP4997815B2 (ja) | 2006-04-12 | 2006-04-12 | 高平坦かつ高平滑なガラス基板の作製方法 |
| PCT/JP2007/058382 WO2007119860A1 (en) | 2006-04-12 | 2007-04-11 | Processing method of glass substrate, and highly flat and highly smooth glass substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080111468A true KR20080111468A (ko) | 2008-12-23 |
| KR101366422B1 KR101366422B1 (ko) | 2014-02-24 |
Family
ID=38280315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020087024824A KR101366422B1 (ko) | 2006-04-12 | 2007-04-11 | 유리 기판의 제조 방법 및 고평탄하고 고평활한 유리 기판 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8137574B2 (ko) |
| EP (1) | EP2007691B1 (ko) |
| JP (1) | JP4997815B2 (ko) |
| KR (1) | KR101366422B1 (ko) |
| TW (1) | TWI406832B (ko) |
| WO (1) | WO2007119860A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180123437A (ko) * | 2017-05-08 | 2018-11-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 대형 합성 석영 유리 기판, 그리고 그의 평가 방법 및 제조 방법 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080125014A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-05-29 | William Rogers Rosch | Sub-aperture deterministric finishing of high aspect ratio glass products |
| JP2009013046A (ja) * | 2007-06-05 | 2009-01-22 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板表面を加工する方法 |
| KR20100032865A (ko) * | 2007-06-29 | 2010-03-26 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유리 기판 표면으로부터 이물질을 제거하는 방법 및 유리 기판 표면을 가공하는 방법 |
| JP5470703B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2014-04-16 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖｌ用光学部材およびその表面処理方法 |
| JP5073835B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2012-11-14 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板 |
| JP5526895B2 (ja) | 2009-04-01 | 2014-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 大型合成石英ガラス基板の製造方法 |
| JP5099111B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2012-12-12 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置 |
| JP5637062B2 (ja) | 2010-05-24 | 2014-12-10 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板及びその製造方法 |
| JP2012031052A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-02-16 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス体を製造する方法及びｅｕｖリソグラフィ用の光学部材を製造する方法 |
| CN102101755A (zh) * | 2011-01-07 | 2011-06-22 | 福州华映视讯有限公司 | 玻璃基板的薄化方法 |
| JP5858623B2 (ja) * | 2011-02-10 | 2016-02-10 | 信越化学工業株式会社 | 金型用基板 |
| JP2013159531A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JP6518038B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2019-05-22 | 日本放送協会 | 光電変換素子の製造方法 |
| JP6308039B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2018-04-11 | 旭硝子株式会社 | マスクブランク用ガラス基板の製造方法 |
| US20160266482A1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Asahi Glass Company, Limited | Glass substrate for mask blank |
| JP6069609B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2017-02-01 | 株式会社リガク | 二重湾曲ｘ線集光素子およびその構成体、二重湾曲ｘ線分光素子およびその構成体の製造方法 |
| US10948814B2 (en) * | 2016-03-23 | 2021-03-16 | AGC Inc. | Substrate for use as mask blank, and mask blank |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449314A (en) * | 1994-04-25 | 1995-09-12 | Micron Technology, Inc. | Method of chimical mechanical polishing for dielectric layers |
| JP3731917B2 (ja) | 1994-09-06 | 2006-01-05 | 三洋電機株式会社 | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 |
| US6396988B1 (en) * | 1999-08-13 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Optical waveguide device and method of forming the same |
| JP3487584B2 (ja) | 2000-05-02 | 2004-01-19 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録装置、および該装置における記録ヘッドの吐出状態を回復させる方法 |
| JP3627805B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2005-03-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法 |
| JP3975321B2 (ja) | 2001-04-20 | 2007-09-12 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用シリカガラス系基板及びフォトマスク用シリカガラス系基板の平坦化方法 |
| JP3932836B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 |
| DE10314212B4 (de) * | 2002-03-29 | 2010-06-02 | Hoya Corp. | Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings, Verfahren zur Herstellung einer Transfermaske |
| KR100556141B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2006-03-03 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 유리 기판 제조 방법 및 마스크 블랭크제조 방법 |
| JP4219718B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2009-02-04 | Ｈｏｙａ株式会社 | Ｅｕｖマスクブランクス用ガラス基板の製造方法及びｅｕｖマスクブランクスの製造方法 |
| JP5367204B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2013-12-11 | 旭硝子株式会社 | ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびＥＵＶリソグラフィ用光学部材 |
| US7250114B2 (en) * | 2003-05-30 | 2007-07-31 | Lam Research Corporation | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods |
| WO2005123857A1 (en) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing method for glass substrate, and glass substrate |
| JP4665443B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2011-04-06 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の研磨方法 |
| WO2006082751A2 (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Asahi Glass Company, Limited | Process for polishing glass substrate |
| WO2006135098A1 (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-21 | Asahi Glass Co., Ltd. | Method of finishing pre-polished glass substrate surface |
| US7432205B2 (en) * | 2005-12-15 | 2008-10-07 | United Microelectronics Corp. | Method for controlling polishing process |
| JP5169163B2 (ja) * | 2006-12-01 | 2013-03-27 | 旭硝子株式会社 | 予備研磨されたガラス基板表面を仕上げ加工する方法 |
| JP5402391B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2014-01-29 | 信越化学工業株式会社 | 半導体用合成石英ガラス基板の加工方法 |
-
2006
- 2006-04-12 JP JP2006109937A patent/JP4997815B2/ja active Active
-
2007
- 2007-04-11 WO PCT/JP2007/058382 patent/WO2007119860A1/en active Application Filing
- 2007-04-11 TW TW096112721A patent/TWI406832B/zh active
- 2007-04-11 EP EP07741818.4A patent/EP2007691B1/en not_active Not-in-force
- 2007-04-11 KR KR1020087024824A patent/KR101366422B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-09-19 US US12/233,884 patent/US8137574B2/en active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180123437A (ko) * | 2017-05-08 | 2018-11-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 대형 합성 석영 유리 기판, 그리고 그의 평가 방법 및 제조 방법 |
| KR20220066028A (ko) * | 2017-05-08 | 2022-05-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 대형 합성 석영 유리 기판, 그리고 그의 평가 방법 및 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8137574B2 (en) | 2012-03-20 |
| TWI406832B (zh) | 2013-09-01 |
| JP2007287737A (ja) | 2007-11-01 |
| TW200744968A (en) | 2007-12-16 |
| WO2007119860A1 (en) | 2007-10-25 |
| EP2007691A1 (en) | 2008-12-31 |
| KR101366422B1 (ko) | 2014-02-24 |
| US20090017257A1 (en) | 2009-01-15 |
| EP2007691B1 (en) | 2014-05-07 |
| JP4997815B2 (ja) | 2012-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101366422B1 (ko) | 유리 기판의 제조 방법 및 고평탄하고 고평활한 유리 기판 | |
| KR101409682B1 (ko) | 예비 연마된 유리 기판 표면을 마무리 가공하는 방법 | |
| US10295900B2 (en) | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method | |
| JP4506689B2 (ja) | 予備研磨されたガラス基板表面を仕上げ加工する方法 | |
| KR101257133B1 (ko) | 마스크 블랭크용 글라스 기판 및 이것을 제조하기 위한연마 방법 | |
| US7771603B2 (en) | Process for polishing glass substrate | |
| JP2009029691A (ja) | ガラス基板表面から異物を除去する方法、ガラス基板表面を加工する方法 | |
| US8182708B2 (en) | Method of finishing pre-polished glass substrate surface | |
| JP6308039B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法 | |
| JP4548319B2 (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
| US20160168020A1 (en) | Method of finishing pre-polished glass substrate surface |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180209 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190212 Year of fee payment: 6 |