KR20080105956A - 웨이퍼 본딩방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 제1 공정챔버에 제1웨이퍼의 접합면이 상부를 향하도록 상기 제1웨이퍼를 장입하는 제1웨이퍼 장입단계;상기 제1웨이퍼의 접합면에 상압 플라즈마와 세정액을 공급하여 제1웨이퍼의 접합면을 세정 및 표면처리하는 제1웨이퍼 세정 및 표면처리단계;상기 제1웨이퍼를 상기 제1 공정챔버에서 인출하여 제2 공정챔버에 장입하는 제1웨이퍼 인출장입단계;상기 제3 공정챔버에 제2웨이퍼의 접합면이 상부를 향하도록 상기 제2웨이퍼를 장입하는 제2웨이퍼 장입단계;상기 제2웨이퍼의 접합면에 상압 플라즈마와 세정액을 공급하여 제2웨이퍼의 접합면을 세정 및 표면처리하는 제2웨이퍼 세정 및 표면처리단계;상기 제2웨이퍼를 상기 제3 공정챔버에서 인출하여 제2 공정챔버에 상기 제2웨이퍼의 접합면이 상기 제1웨이퍼의 접합면과 서로 대향하도록 장입하는 제2웨이퍼 인출장입단계; 및상기 제1웨이퍼의 접합면과 제2웨이퍼의 접합면을 본딩하는 웨이퍼 본딩단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 공정챔버와 제3 공정챔버는 상압 플라즈마와 세정액을 함께 공급할 수 있도록 형성되며, 상기 제2 공정챔버는 진공 챔버인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 공정챔버와 제3 공정챔버는 동일한 공정챔버인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 1항에 있어서,상기 상압 플라즈마를 형성하기 위한 활성 가스는 질소, 산소, 아르곤(Ar) 및 헬륨(He)으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 가스 또는 이들의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 1항에 있어서,상기 세정액은 탈이온수 또는 H2O2-NH4OH-H2O(SC-1)용액인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 1항에 있어서,상기 상압 플라즈마와 세정액은 동시에 또는 순차적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 1항에 있어서,상기 세정액은 가열, 초음파에 의하여 증기 형태의 입자상으로 공급되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 1항에 있어서,상기 세정액은 노즐 분사에 의하여 입자상으로 공급되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1웨이퍼 세정 및 표면처리 단계 또는 상기 제2웨이퍼 세정 및 표면처리 단계는 상기 제1웨이퍼 또는 제2웨이퍼를 회전시키면서 상기 상압 플라즈마와 세정액이 상기 제1웨이퍼 또는 제2웨이퍼에 공급되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1웨이퍼 세정 및 표면처리 단계 또는 상기 제2웨이퍼 세정 및 표면처리 단계는 상기 상압 플라즈마와 세정액이 상기 제1웨이퍼 또는 제2웨이퍼의 일측에서 타측으로 순차적으로 공급되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1웨이퍼 세정 및 표면처리 단계 또는 상기 제2웨이퍼 세정 및 표면처리 단계 후에는 상기 제1웨이퍼 또는 제2웨이퍼를 건조하는 건조 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 11항에 있어서,상기 건조 단계는 상기 제1웨이퍼 또는 제2웨이퍼를 회전시켜 건조하는 스핀 건조 방법 또는 상기 제1웨이퍼 또는 제2웨이퍼의 접합면에 불활성 가스를 블로잉하여 건조하는 블로잉 건조방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제1웨이퍼의 접합면에 SOG 용액을 공급하여 SOG층을 코팅하는 SOG층 코팅단계;상기 SOG층을 평판 패널로 압착하여 상기 SOG층을 평탄화하고 상기 SOG층을 경화시켜 상기 제1웨이퍼의 접합면에 SOG막을 형성하는 SOG막 형성단계;제1 공정챔버에 상기 SOG막이 형성된 상기 제1웨이퍼의 접합면이 상부를 향하도록 상기 제1웨이퍼를 장입하는 제1웨이퍼 장입 단계;상기 제1웨이퍼의 접합면에 상압 플라즈마와 세정액을 공급하여 제1웨이퍼의 접합면을 세정 및 표면처리하는 제1웨이퍼 세정 및 표면처리 단계;상기 제1웨이퍼를 상기 제1 공정챔버에서 인출하여 제2 공정챔버에 장입하는 제1웨이퍼 인출장입단계;상기 제1 공정챔버에 제2웨이퍼의 접합면이 상부를 향하도록 상기 제2웨이퍼를 장입하는 제2웨이퍼 장입단계;상기 제2웨이퍼의 접합면에 상압 플라즈마와 세정액을 공급하여 제2웨이퍼의 접합면을 세정 및 표면처리하는 제2웨이퍼 세정 및 표면처리 단계;상기 제2웨이퍼를 상기 제1 공정챔버에서 인출하여 제2 공정챔버에 상기 제2웨이퍼의 접합면이 상기 제1웨이퍼의 접합면과 서로 대향하도록 장입하는 제2웨이퍼 인출장입단계; 및상기 제1웨이퍼의 접합면과 제2웨이퍼의 접합면을 본딩하는 웨이퍼 본딩단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 13항에 있어서,상기 SOG 용액은 실리케이트 계열 또는 실록산 계열인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 13항에 있어서,상기 평판 패널은 폴리에테르 에테르 케톤(POLYETHER ETHER KETONE; PEEK) 재질, 폴리에테르 이미드(POLYETHER IMIDE: PEI) 재질, 폴리카보네이트(POLY CARBONATE; PC) 재질, 폴리브틸렌 테레프탈레이트(POLYBUTILENE TEREPHTHALATE; PBT) 재질 및 모노캐스트나일론(Mono Cast Nylon) 재질로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 13항에 있어서,상기 평판 패널은 투명 패널로 이루어지며상기 SOG막 형성단계는 상기 투명 패널이 상기 SOG층을 압착한 상태에서 자외선이 주사되어 SOG층이 경화되어 SOG막이 형성되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
- 제 13항에 있어서,상기 SOG층 코팅단계부터 상기 웨이퍼 본딩단계는 인시츄(in-situ)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩방법.
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