KR20080098629A - 화상 결함 보정을 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (53)
- 반도체 리소그래피에 이용되는 것으로, 제1 광학 보정 요소 및 하나 이상의 추가 광학 보정 요소를 갖는 투사 노광 시스템이며,제1 광학 보정 요소는 투사 노광 시스템의 동공면 영역 내에 배열되고, 추가 광학 보정 요소는 동공면으로부터 제1 보정 요소보다 먼 거리에 배열되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제1항에 있어서,제1 보정 요소는 부-구경비(sub-aperture ratio)가 0.75보다 크며 특히 0.9보다 크도록 동공면으로부터 이격되어 배열되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,추가 광학 보정 요소는 부-구경비(sub-aperture ratio)가 0.75보다 작으며 특히 0.5보다 작도록 동공면으로부터 이격되어 배열되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학 보정 요소 중 적어도 하나는 평행 평면판(plane-parallel plate) 인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학 보정 요소 중 적어도 하나는 스크린이며, 특히 1차의 증착 스크린(vapor-deposited screen of the first order) 또는 가변 스크린인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학 요소 중 적어도 하나는 간섭 필터 또는 광강도 필터이며, 특히 중성 필터인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제4항에 있어서,다른 광학 보정 요소도 평행 평면판인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,하나 이상의 광학 보정 요소는 조작 가능하도록 장착되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,하나 이상의 광학 보정 요소는 교체가능한 부품인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제9항에 있어서,교체가능 부품 형태인 적어도 하나의 광학 보정 요소는 투사 노광 시스템에 느슨하게 장착되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제9항에 있어서,교체가능 부품 형태인 적어도 하나의 광학 보정 요소는 투사 노광 시스템에 영구적으로 장착되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제11항에 있어서,스프링 요소, 공압 요소, 자성 요소, 감압 요소, 또는 상호결합 요소가 광학 보정 요소를 고정시키기 위해 이용 가능한 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제9항에 있어서,광학 보정 요소를 교체하기 위해 교체 장치가 제공되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제13항에 있어서,교체 장치는 운반대(carriage) 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제13항에 있어서,교체 장치는 회전 디스크 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제13항에 있어서,교체 장치는 스윙 암(swinging arm) 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제13항에 있어서,교체 장치 자체가 광학 보정 요소들을 수용하는 복수의 수용 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,광학 보정 요소들을 저장하기 위해 매거진(magazine)이 구비되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제18항에 있어서,매거진은 적층 매거진 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제18항에 있어서,매거진은 회전 디스크 매거진 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,교체 장치는 광학 보정 요소의 위치를 결정하는 센서 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제13항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,투사 노광 시스템 내부의 오염을 방지하기 위한 부품이 구비되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 반도체 리소그래피에 이용되는 것으로, 제1 광학 보정 요소 및 하나 이상의 추가 광학 보정 요소를 갖는 투사 노광 시스템이며,제1 광학 보정 요소는 유지 프레임 내에서 투사 노광 시스템의 동공면에 인접하게 배열되고,추가 광학 보정 요소는 교체될 수 있도록 유지 프레임 내의 보조 프레임에 배열되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제23항에 있어서,하나 이상의 광학 보정 요소는 평행 평면판(plane-parallel plate)인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제23항 또는 제24항에 있어서,상기 광학 보정 요소 중 적어도 하나는 스크린이며, 특히 1차의 증착 스크린(vapor-deposited screen of the first order) 또는 가변 스크린인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학 요소 중 적어도 하나는간섭 필터 또는 광강도 필터이며, 특히 중성 필터인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제24항에 있어서,추가 광학 보정 요소도 평행 평면판인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제23항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 하나의 광학 보정 요소는 조작 가능하도록 장착되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제23항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,교체가능하게 배열된 적어도 하나의 광학 보정 요소는 투사 노광 시스템에 느슨하게 장착되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제23항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,교체가능하게 배치된 적어도 하나의 광학 보정 요소는 투사 노광 시스템에 영구적으로 장착되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제30항에 있어서,스프링 요소, 공압 요소, 자성 요소, 감압 요소, 또는 상호결합 요소가 광학 보정 요소를 고정시키기 위해 이용 가능한 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제23항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서,광학 보정 요소를 교체하기 위해 교체 장치가 제공되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제32항에 있어서,교체 장치는 운반대(carriage) 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제32항에 있어서,교체 장치는 회전 디스크 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제32항에 있어서,교체 장치는 스윙 암(swinging arm) 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제32항에 있어서,교체 장치 자체가 광학 보정 요소들을 수용하는 복수의 수용 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제32항 내지 제36항 중 어느 한 항에 있어서,광학 보정 요소들을 저장하기 위해 매거진(magazine)이 구비되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제37항에 있어서,매거진은 적층 매거진 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제37항에 있어서,매거진은 회전 디스크 매거진 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제32항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서,교체 장치는 광학 보정 요소의 위치를 결정하는 센서 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제32항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서,투사 노광 시스템 내부의 오염을 방지하기 위한 부품이이 구비되는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제23항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서,유지 프레임은 교체가능한 프레임 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 반도체 리소그래피에 이용되는 투사 노광 시스템의 화상 결함을 보정하는 방법이며,광학 보정 요소를 제공하는 단계,투사 노광 시스템의 이용 파라미터를 기록하는 단계,열화 현상을 예측하는 단계,하나 이상의 대응되는 보정 요소를 미리 제공하는 단계, 그리고정해진 시간에 보정 요소를 교체하는 단계를 포함하는 화상 결함 보정 방법.
- 제43항에 있어서,투사 노광 시스템의 이용 파라미터가 추가적으로 측정되는 것을 특징으로 하는 화상 결함 보정 방법.
- 제43항 또는 제44항에 있어서,열화 현상(degradation phenomena)은 드리프트 측정 및/또는 공지된 노광 설정에 기초하여 예측되는 화상 결함 보정 방법.
- 반도체 리소그래피에 이용되는 것으로, 교체가능한 부품 형태인 광학 보정 요소 및 광학 보정 요소를 교체하는 교체 장치를 갖는 투사 노광 시스템이며,투사 노광 시스템의 빔 경로로부터의 광학 보정 요소의 제거와 투사 노광 시스템의 빔 경로로의 광학 보정 요소의 삽입이 교체 장치의 이동 방향 전환 없이 동일한 이동으로 수행될 수 있도록 교체 장치가 설계된 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제46항에 있어서,교체 장치는 광학 보정 요소를 수용하는 두 개 이상의 수용 유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제47항에 있어서,교체 장치는 선형 운반대 형태이고 광학 보정 요소를 저장하는 두 개 이상의 매거진을 가지며,선형 운반대는 수용 유닛들을 가지며,광학 보정 유닛은 두 개 이상의 매거진으로부터 선형 운반대의 수용 장치 내에 삽입될 수 있는 투사 노광 시스템.
- 제46항 내지 제48항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학 보정 요소 중 적어도 하나는 평행 평면판인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제46항 내지 제48항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학 보정 요소 중 적어도 하나는 스크린이며, 특히 1차의 증발 스톱(evaporated stop of the first order) 또는 가변 스크린인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제46항 내지 제48항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학 요소 중 적어도 하나는 간섭 필터 또는 광강도 필터이며, 특히 중성 필터인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제48항 내지 제51항 중 어느 한 항에 있어서,두 개의 매거진 중 적어도 하나는 적층 매거진 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
- 제48항 내지 제51항 중 어느 한 항에 있어서,두 개의 매거진 중 적어도 하나는 회전 디스크 매거진 형태인 것을 특징으로 하는 투사 노광 시스템.
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| EP2048543B1 (en) * | 2007-10-09 | 2013-12-04 | ASML Netherlands B.V. | An optical focus sensor, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
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| DE102010040108A1 (de) * | 2010-09-01 | 2012-03-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Obskurationsblende |
| CN101976021B (zh) * | 2010-10-12 | 2012-11-14 | 上海微电子装备有限公司 | 对准系统参考板和探测光纤的安装、调整装置及装调方法 |
| US9083227B2 (en) * | 2011-09-09 | 2015-07-14 | Asml Holding N.V. | Linear motor and lithography arrangement including linear motor |
| EP2657747A1 (en) * | 2012-04-24 | 2013-10-30 | Deutsches Krebsforschungszentrum | 4Pi STED fluorescence light microscope with high three-dimensional spatial resolution |
| US9529269B2 (en) | 2012-05-24 | 2016-12-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9535334B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process to print low pattern density features |
| PT3138655T (pt) * | 2015-09-02 | 2018-11-15 | Asm Tech Singapore Pte Ltd | Estação ótica para troca de elementos óticos |
| DE102016208172A1 (de) * | 2016-05-12 | 2017-04-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches system, blende sowie lithographieanlage |
| DE102016218744A1 (de) * | 2016-09-28 | 2018-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit Flüssigkeitsschicht zur Wellenfrontkorrektur |
| DE102019208232A1 (de) | 2019-06-05 | 2020-12-10 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Optische Anordnung und Verfahren zur Korrektur von Zentrierfehlern und/oder Winkelfehlern |
| US11575865B2 (en) | 2019-07-26 | 2023-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Processing images captured by a camera behind a display |
| US11721001B2 (en) | 2021-02-16 | 2023-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multiple point spread function based image reconstruction for a camera behind a display |
| US11722796B2 (en) | 2021-02-26 | 2023-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Self-regularizing inverse filter for image deblurring |
| US12393765B2 (en) | 2021-08-06 | 2025-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Automating search for improved display structure for under-display camera systems |
| US12216277B2 (en) | 2021-10-14 | 2025-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical element for deconvolution |
| US12482075B2 (en) | 2022-06-08 | 2025-11-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Restoring images using deconvolution |
| DE102022205972B3 (de) | 2022-06-13 | 2023-12-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und austauschwerkzeug |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4667101A (en) * | 1985-02-04 | 1987-05-19 | The United States Of America As Respresented By The United States Department Of Energy | Predicting threshold and location of laser damage on optical surfaces |
| US5151186A (en) * | 1990-05-21 | 1992-09-29 | Skc Limited | Method for cleaning filter disks and system therefor |
| JPH05234850A (ja) | 1992-02-18 | 1993-09-10 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| JPH06177008A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-06-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 投影露光装置 |
| JPH06177007A (ja) | 1992-12-01 | 1994-06-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 投影露光装置 |
| US5392119A (en) | 1993-07-13 | 1995-02-21 | Litel Instruments | Plate correction of imaging systems |
| JPH088157A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-12 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JP3463335B2 (ja) * | 1994-02-17 | 2003-11-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JPH07273005A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US5677757A (en) * | 1994-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP3893626B2 (ja) * | 1995-01-25 | 2007-03-14 | 株式会社ニコン | 投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法 |
| JPH098103A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| DE69817663T2 (de) | 1997-04-23 | 2004-06-24 | Nikon Corp. | Optischer Belichtungsapparat und optisches Reinigungsverfahren |
| IL133422A0 (en) * | 1997-06-10 | 2001-04-30 | Nikon Corp | Optical device, method of cleaning the same, projection aligner, and method of producing the same |
| US6829041B2 (en) | 1997-07-29 | 2004-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system and projection exposure apparatus having the same |
| US6235438B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-05-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
| TW449672B (en) * | 1997-12-25 | 2001-08-11 | Nippon Kogaku Kk | Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same |
| JP3459773B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2003-10-27 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
| US6930754B1 (en) | 1998-06-30 | 2005-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure method |
| JP2000306807A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| WO2001073825A1 (en) | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Nikon Corporation | Aligner, apparatus and method for transferring wafer, microdevice and method for manufacturing the same |
| TW522460B (en) * | 2000-03-30 | 2003-03-01 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US6483071B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-11-19 | General Scanning Inc. | Method and system for precisely positioning a waist of a material-processing laser beam to process microstructures within a laser-processing site |
| DE10043315C1 (de) * | 2000-09-02 | 2002-06-20 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage |
| TW591694B (en) * | 2001-02-13 | 2004-06-11 | Nikon Corp | Specification determining method, making method and adjusting method of projection optical system, exposure apparatus and making method thereof, and computer system |
| JP2004259786A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Canon Inc | 露光装置 |
| AU2003290094A1 (en) | 2003-10-29 | 2005-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Optical assembly for photolithography |
| US7684125B2 (en) | 2003-10-29 | 2010-03-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Diaphragm changing device |
| US7265917B2 (en) * | 2003-12-23 | 2007-09-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Replacement apparatus for an optical element |
| WO2006069755A2 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Objektivmodul mit wenigstens einem austauschbaren optischen element |
| US7593100B2 (en) * | 2005-01-24 | 2009-09-22 | Nikon Corporation | Measuring method, measuring system, inspecting method, inspecting system, exposure method and exposure system, in which information as to the degree of the flatness of an object is pre-obtained |
| US7728975B1 (en) * | 2005-02-23 | 2010-06-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for describing, evaluating and improving optical polarization properties of a microlithographic projection exposure apparatus |
| EP1746463A2 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-24 | Carl Zeiss SMT AG | Verfahren zum Korrigieren eines lithographischen Projektionsobjektivs und derartiges Projektionsobjektiv |
| US7724351B2 (en) | 2006-01-30 | 2010-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and exchangeable optical element |
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