KR20080082454A - 발광 장치 및 그 제조 방법 그리고 전자기기 - Google Patents

발광 장치 및 그 제조 방법 그리고 전자기기 Download PDF

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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 발광 장치에 있어서, 충분히 간소한 제조 공정으로 제조 가능하며, 그리고, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있도록 한다.
(해결 수단) 발광 장치(10)를 제공한다. 발광 장치(10)는, 복수의 화소(P)를 갖는다. 각 화소(P)는, 4개의 서브 화소(1)를 갖는다. 각 화소(P)의 서브 화소(1)의 각각은, 적 서브 화소(1R), 분홍 서브 화소(1P), 청 서브 화소(1B) 및 녹 서브 화소(1G)이다. 각 서브 화소는, 그 발광층(16)과, 그 발광층(16)에 겹쳐져 있는 컬러 필터(192)를 갖는다. 적 서브 화소(1R), 분홍 서브 화소(1P) 및 청 서브 화소(1B)의 발광층은, 적색광의 파장 영역에 존재하는 적 피크와 청색광의 파장 영역에 존재하는 청 피크와의 사이가 골짜기가 되어 있는 발광 스펙트럼의 2피크 백색광을 발하는 백 발광 재료로 형성되어 있다.
서브 화소, 발광층, 피크

Description

발광 장치 및 그 제조 방법 그리고 전자기기 {LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은, 발광 장치 및 그 제조 방법 그리고 전자 기기에 관한 것이다.
발광 장치(풀 컬러 표시 장치)로서, 화면을 구성하는 복수의 화소를 갖고, 각 화소는 복수의 서브 화소를 갖고, 각 서브 화소는 유기 EL(Electro Luminescent) 소자나 무기 EL 소자 등의 EL 소자를 갖고, 화면에 컬러 화상을 표시하는 것이 개발되어 있다. 이런 종류의 발광 장치로서는, 각 화소가 적(赤) 서브 화소, 녹(綠) 서브 화소 및 청(靑) 서브 화소를 갖는 RGB 발광 장치와, 각 화소가 적 서브 화소, 녹 서브 화소, 청 서브 화소 및 백(白) 서브 화소를 갖는 RGBW 발광 장치를 예시할 수 있다.
RGB 발광 장치로서는, 각 서브 화소의 발광층이 당해 서브 화소의 색의 빛을 발하는 EL 재료로 형성되는 제1 장치, 각 서브 화소의 발광층이 백색의 빛을 발하는 EL 재료로 형성되고, 각 서브 화소가 그 색에 따른 특성의 컬러 필터를 갖는 제2 장치(특허 문헌 1 참조), 및, 각 서브 화소의 발광층이 청색의 빛을 발하는 EL 재료로 형성되어, 각 화소의 적 서브 화소 및 녹 서브 화소가 그 색에 따른 특성의 색 변환층을 갖는 제3 장치를 들 수 있다.
RGBW 발광 장치로서는, 각 서브 화소의 발광층이 백색의 빛을 발하는 EL 재료로 형성되고, 각 화소에 있어서, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각은, 그 색에 따른 특성의 컬러 필터를 갖는 제4 장치를 들 수 있다. 제4 장치는, 제2 장치에 백색 화소를 추가하여 얻어지는 것이며, 그 각 화소에서는, 당해 화소가 백색을 나타내는 경우, 그 백 서브 화소의 발광층의 발광이 이용된다.
[특허 문헌 1] 일본공개특허공보 2001-57290호
제1 장치에서는, 외광 반사를 막기 위해 편광판이 필수가 되기 때문에, 발광의 이용 효율이 낮게 억제되어 버린다. 제2 장치에서는, 발광의 컬러 필터에 의한 손실이 크기 때문에, 발광의 이용 효율이 낮게 억제되어 버린다. 제3 장치에서는, 불필요한 빛의 차단을 위해 컬러 필터를 이용할 필요가 있고, 색변환층 및 컬러 필터에 있어서 발광의 손실이 생기기 때문에, 발광의 이용 효율이 낮게 억제되어 버린다. 이와 같이, 제1∼제3 장치에는, 발광의 이용 효율이 낮게 억제되어 버린다. 이 때문에, 제1∼제3 장치에는, 충분히 높은 표시 품질을 얻기 위해 소비 전력을 높게 하지 않을 수 없다는 문제가 있다.
제4 장치에서는, 화소가 백색을 나타내는 경우, 그 백 서브 화소에 있어서 발광을 그대로 사출하면 좋기 때문에, 발광의 이용 효율이 충분히 높아진다. 그러나, 화소가 적색, 녹색 또는 청색을 나타내는 경우, 제4 장치에 있어서의 발광의 이용 효율은, 30%나 10%라는 식으로, 제2 장치와 동일해진다. 즉, 제4 장치에서는, 백 서브 화소에 있어서의 발광의 이용 효율은 충분히 높아지지만, 다른 서브 화소에 있어서의 발광의 이용 효율은 낮게 억제되어 버린다. 따라서, 제4 장치에도, 충분히 높은 표시 품질을 얻기 위해 소비 전력을 높게 하지 않을 수 없다는 문제가 있다.
여기서, 제4 장치를 변형하여 얻어지는 제5 장치를 상정한다. 제5 장치는, RGBW 발광 장치이며, 각 서브 화소의 발광층이 당해 서브 화소의 색의 빛을 발하는 EL 재료로 형성된다. 제5 장치에 의하면, 각 서브 화소에 있어서의 발광의 이용 효율이 충분히 높아진다. 그러나, 제5 장치에서는, 그 제조 공정에 있어서, 4종류의 EL 재료를 구분해 칠할 필요가 있다. 즉, 제5 장치에는, 그 제조 공정은 너무 복잡하다는 문제가 있다.
그래서, 제5 장치로부터 백 서브 화소를 제거하여 RGB 발광 장치로 한 제6 장치를 상정한다. 제6 장치에서도, 각 서브 화소에 있어서의 발광의 이용 효율이 충분히 높아진다. 또한, 제6 장치의 제조 공정에서 구분해 칠해야 할 EL 재료는 3종류이기 때문에, 그 제조 공정은, 제5 장치의 제조 공정에 비교하여 간소해진다. 그러나, 충분히 간소하다고는 말하기 어렵다.
그래서, 본 발명은, 충분히 간소한 제조 공정으로 제조 가능하며, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있는 발광 장치 및 그 제조 방법 그리고 전자기기를 제공하는 것을 해결 과제로 한다.
본 발명은, 화면을 구성하는 복수의 화소를 갖는 발광 장치에 있어서, 상기 복수의 화소의 각각은, 상기 화면을 구성하는 4개의 서브 화소를 갖고, 상기 복수의 화소의 각각의 상기 4개의 서브 화소는, 적 서브 화소, 녹 서브 화소, 청 서브 화소 및 나머지 서브 화소이며, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 적 서브 화소는, 적색광의 파장 영역에 존재하는 적 피크와 청색광의 파장 영역에 존재하는 청 피크와의 사이가 골짜기(valley)가 되어 있는 발광 스펙트럼의 2 피크 백생광을 발하는 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 적색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 청 서브 화소는, 상기 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 청색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 나머지 서브 화소는, 상기 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층을 갖고, 녹 서브 화소는, 녹색광을 발하는 녹 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐 녹색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치를 제공한다. 각 서브 화소는, 하나의 발광 소자(예를 들면 유기 EL 소자 등의 EL 소자)를 포함한다.
이 발광 장치에 의하면, 나머지 서브 화소가 나타내는 색을 적절히 정함으로써, 각 서브 화소에 있어서의 발광의 이용 효율이 충분히 높아지고, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있다. 또한, 이 발광 장치에서는, 적 서브 화소의 발광층과 청 서브 화소의 발광층과 나머지 서브 화소의 발광층이 동종의 재료로 형성되어 있고, 그 제조를 위해 발광층에 대하여 구분해 칠해야 할 재료는 2종류로 족하다. 따라서, 이 발광 장치에 의하면, 제조 공정이 충분히 간소해진다. 따라서, 이 발광 장치는, 충분히 간소한 제조 공정으로 제조 가능하며, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있다.
상기의 발광 장치에 있어서, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 나머지 서브 화소는, 그 발광층에 겹쳐져 분홍색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖는 분홍 서브 화소이도록 해도 좋다(제1 형태). 분홍색은, 적색광의 파장 영역의 빛과 청색광의 파장 영역의 빛으로 표현 가능하기 때문에, 이 형태에 의하면, 분홍색광을 투 과시키는 컬러 필터로서 적색광의 파장 영역의 빛(예를 들면 오렌지색광) 및 청색광의 파장 영역의 빛(예를 들면 스카이 블루색광)을 투과시키는 컬러 필터를 채용함으로써, 분홍 서브 화소에 있어서의 발광의 이용 효율을 충분히 높게 할 수 있다. 따라서, 이 형태에 의하면, 분홍 서브 화소 및 녹 서브 화소로 백색을 나타낼 때에도, 발광의 이용 효율을 충분히 높게 할 수 있다. 또한, 1개의 화소에 백색을 표시시키는 경우, 전술한 제6 장치에서는, 3개의 서브 화소(적, 녹 및 청 서브 화소)를 발광시키지 않으면 안되지만, 이 형태에서는, 2개의 화소(분홍 및 녹 서브 화소)를 발광시키면 좋다. 즉, 이 형태에는, 제6 장치에 비교하여, 백색을 표시할 때의 발광의 이용 효율이 높다는 이점이 있다.
상기의 발광 장치에 있어서, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 나머지 서브 화소는, 백색을 나타내는 백 서브 화소이도록 해도 좋다(제2 형태). 백 서브 화소의 발광층의 발광은 백색광이기 때문에, 이 형태에 의하면, 발광층의 발광이 그대로 출사하도록 백 서브 화소를 구성할 수 있다. 즉, 이 형태에 의하면, 백 서브 화소에 있어서의 발광의 이용 효율을 더욱 올릴 수 있다.
상기의 발광 장치, 제1 형태 또는 제2 형태에 있어서, 평판 형상의 소자 기판을 갖고, 상기 복수의 화소의 각각에 대하여, 상기 4개의 서브 화소의 각각의 발광층은 상기 소자 기판 상에 형성되고, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각의 발광층은 그 컬러 필터와 상기 소자 기판과의 사이에 끼워지고, 상기 소자 기판 하(下)에 형성되어 빛을 흡수하는 광흡수층을 갖도록 해도 좋다. 이 형태는, 발광층의 발광이 소자 기판의 반대측으로부터 출사하는 톱(top) 에미션형이 다. 이 형태에는, 광흡수층이 존재하기 때문에, 광투과성의 소자 기판을 이용해도 콘트라스트가 저하하지 않는다는 이점이 있다.
상기의 발광 장치, 제1 형태 또는 제2 형태에 있어서, 평판 형상의 소자 기판을 갖고, 상기 복수의 화소의 각각에 대하여, 상기 4개의 서브 화소의 각각의 발광층은 상기 소자 기판 상에 형성되고, 또한 이들 발광층은 그 컬러 필터와 상기 소자 기판과의 사이에 끼워지고, 상기 4개의 서브 화소의 각각은 그 발광층과 상기 소자 기판과의 사이에 광투과성의 투과층을 갖고, 그 투과층과 상기 소자 기판과의 사이에 광반사성의 반사층을 갖고, 적 서브 화소, 청 서브 화소 및 나머지 서브 화소에서의 상기 투과층은, 상기 적 피크와 상기 청 피크의 파장의 빛이 동시에 간섭에 의해 강해지는 공통의 두께를 갖고, 녹 서브 화소에서의 상기 투과층은, 녹 서브 화소내의 발광층의 피크의 파장의 빛이 간섭에 의해 강해지는 두께를 갖도록 해도 좋다(제3 형태).
이 형태는, 톱 에미션형이다. 이 형태에서는, 각 서브 화소의 발광층과 소자 기판과의 사이에 반사층이 존재한다. 덧붙여, 이 형태에서는, 적 서브 화소, 청 서브 화소 및 나머지 서브 화소에 있어서, 빛의 간섭을 고려하여, 발광층과 소자 기판과의 사이의 투과층의 두께가 정해져 있다. 따라서, 이 형태에 의하면, 적 서브 화소, 청 서브 화소 및 나머지 서브 화소의 휘도를 올릴 수 있다. 나머지 서브 화소에 있어서, 그 발광층의 발광 스펙트럼은 광대역으로 퍼지기 때문에, 그 발광층의 발광 중 하나의 파장의 빛만이 간섭에 의해 강해지면, 나머지 서브 화소가 소기의 색(분홍색 또는 백색)이외의 색을 나타내 버리는 우려가 있지만, 이 형태에 의하면, 적 서브 화소, 청 서브 화소 및 나머지 서브 화소에 있어서, 투과층의 두께가, 적 피크와 청 피크의 파장의 빛이 동시에 간섭에 의해 강해지는 공통의 두께이기 때문에, 발광층으로부터의 발광 중, 적 피크의 파장의 빛(예를 들면 오렌지 색광) 및 청 피크의 파장의 빛(예를 들면 청색광)이 간섭에 의해 강해진다. 이들 2개의 빛은 2 피크 백색광의 주요 성분이기 때문에, 이 형태에 의하면, 나머지 서브 화소의 색 순도의 저하를 억제하면서, 적 서브 화소, 청 서브 화소 및 나머지 서브 화소의 휘도를 올릴 수 있다.
상기의 발광 장치, 제1 형태, 제2 형태 또는 제3 형태에 있어서, 평판 형상의 소자 기판을 갖고, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 상기 4개의 서브 화소의 각각의 발광층은 상기 소자 기판 상에 형성되고, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각의 발광층은 그 컬러 필터와 상기 소자 기판과의 사이에 끼워지고, 상기 4개의 서브 화소의 각각은 그 발광층과 상기 소자 기판과의 사이에 광투과성의 투과층을 갖고, 상기 복수의 화소의 각각의 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각은, 그 투과층과 상기 소자 기판과의 사이에 광반사성의 반사층을 갖도록 해도 좋다.
이 형태는, 톱 에미션형이다. 이 형태에 의하면, 빛의 간섭을 고려하여 투과층의 두께를 적절히 설계함으로써, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소 중 적어도 하나에 있어서, 그 휘도를 올릴 수 있다. 또한, 이 형태에 의하면, 투과층의 두께를, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소에서 서로 상위하도록, 빛의 간섭을 고려하여 적절히 설계함으로써, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각에 있어서, 그 휘도를 올릴 수 있다. 즉, 이 형태에 의하면, 빛의 간섭을 고려하여 투과층의 두께를 적절히 설계함으로써, 소비 전력의 추가적인 저감 및 표시 품질의 추가적인 향상을 달성할 수 있다.
상기의 발광 장치, 제1 형태 또는 제2 형태에 있어서, 평판 형상의 소자 기판을 갖고, 상기 복수의 화소의 각각에 대하여, 상기 4개의 서브 화소의 각각의 발광층은 상기 소자 기판 상에 형성되고, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각의 컬러 필터는 그 발광층과 상기 소자 기판과의 사이에 끼워지고, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각은 그 발광층과 그 컬러 필터와의 사이에 광투과성 그리고 광반사성의 반(半)반사층을 갖도록 해도 좋다. 이 형태는, 발광층의 발광이 소자 기판을 투과하여 출사하는 보텀(bottom) 에미션형이다. 이 형태에 의하면, 충분히 간소한 제조 공정으로 제조 가능하며, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있다. 이 형태에 있어서, 복수의 화소의 각각의 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각에 있어서, 그 반반사층은, 그 전극으로서 기능하도록 해도 좋다.
상기의 발광 장치 또는 각 형태에 있어서, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 나머지 서브 화소, 적 서브 화소 및 청 서브 화소는, 다른 서브 화소를 사이에 끼우지 않고 배치되고, 나머지 서브 화소, 적 서브 화소 및 청 서브 화소는, 공통의 발광층을 갖도록 해도 좋다. 이 형태에 의하면, 그 제조 공정에 있어서, 각 화소에 대하여, 그 나머지 서브 화소, 적 서브 화소 및 청 서브 화소의 발광층을 용이하게 일괄 형성할 수 있다. 또한, 나머지 서브 화소, 적 서브 화소 및 청 서브 화소에 있어서, 발광층 이외의 유기 기능층을 공통으로 해도 좋고, 투과층을 공통으로 해도 좋다.
본 발명은, 상기의 발광 장치 또는 각 형태에 따른 발광 장치를 갖는 전자기기를 제공한다. 이 전자기기에 의하면, 이 전자기기가 갖는 발광 장치에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은, 화면을 구성하는 복수의 화소를 갖는 발광 장치에 있어서, 상기 복수의 화소의 각각은, 상기 화면을 구성하는 4개의 서브 화소를 갖고, 상기 복수의 화소의 각각의 상기 4개의 서브 화소는, 적 서브 화소, 녹 서브 화소, 청 서브 화소 및 나머지 서브 화소이며, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 적 서브 화소는, 적색광의 파장 영역에 존재하는 적 피크와 청색광의 파장 영역에 존재하는 청 피크와의 사이가 골짜기가 되어 있는 발광 스펙트럼의 2 피크 백생광을 발하는 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 적색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 청 서브 화소는, 상기 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 청색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 나머지 서브 화소는, 상기 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층을 갖고, 녹 서브 화소는, 녹색광을 발하는 녹 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 녹색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 나머지 서브 화소, 적 서브 화소 및 청 서브 화소는, 다른 서브 화소를 사이에 끼우지 않고 배치되는 발광 장치의 제조 방법으로서, 상기 화면을 따라 연재(extend)하는 소자 기판 상에, 상기 복수의 화소의 각 각에 대하여, 적 서브 화소의 발광층과 청 서브 화소의 발광층과 나머지 서브 화소의 발광층을 상기 백 발광 재료로 일괄하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
이 제조 방법에 의해 제조되는 발광 장치에 의하면, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있다. 또한, 이 제조 방법에서는, 각 화소에 대하여, 그 적 서브 화소의 발광층과 청 서브 화소의 발광층과 그 백 서브 화소의 발광층이 일괄하여 형성된다. 따라서, 이 제조 방법에 의하면, 충분히 간소한 제조 공정으로, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있는 발광 장치를 제조할 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
이하, 첨부한 도면을 참조하면서, 본 발명에 따른 실시 형태를 설명한다. 이들의 도면에 있어서는, 각층이나 각 부재의 치수의 비율은, 실제의 것과는 적절히 다르게 되어 있다.
<제1 실시 형태>
도1 은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치(10)의 평면도이다. 발광 장치(10)는, 장방형의 화면(S)을 구성하는 복수의 화소(P)를 갖는 풀 컬러 표시 장치이다. 복수의 화소(P)는, 화면(S)을 따라 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 화소(P)는, 화면(S)을 구성하는 4개의 서브 화소(1)를 갖는다. 이들 4개의 서브 화소(1)는, 적색광을 사출하여 적색을 나타내는 적 서브 화소(1R), 녹색광을 사출 하여 녹색을 나타내는 녹 서브 화소(1G), 청색광을 사출하여 청색을 나타내는 청 서브 화소(1B) 및 분홍색광을 사출하여 분홍색을 나타내는 분홍 서브 화소(1P)이며, 화면(S)을 따라 스트라이프(stripe) 형상으로 배열되어 있다. 각 화소(P)에서는, 분홍 서브 화소(1P) 및 녹 서브 화소(1G)에서 백색이 나타난다. 또한, 화소(P)에 있어서, 분홍 서브 화소(1P), 적 서브 화소(1R) 및 청 서브 화소(1B)는, 다른 서브 화소(1)를 사이에 끼우지 않고 배치되어 있다. 즉, 적 서브 화소(1R) 및 청 서브 화소(1B)는, 각각, 분홍 서브 화소(1P)의 옆에 배치되어 있다.
도2 는, 발광 장치(10)를 구성하는 화소(P)의 평면도이며, 도3 은, 화소(P)의 단면도이다. 이들의 도면에 있어서, 공통되는 요부에는 동일한 해칭을 시행하고 있다. 도3 에 나타내는 바와 같이, 발광 장치(10)는, 소자 기판(11)을 갖는다. 소자 기판(11)은, 복수의 발광 소자(E)가 형성되는 평판 형상의 기판이다. 발광 소자(E)는, 구체적으로는 유기 EL 소자이다. 발광 소자(E)는 서브 화소(1)와 1대 1로 대응하고 있고, 각 발광 소자(E)는 대응하는 서브 화소(1)에 포함되어 있다. 구체적으로는, 적 서브 화소(1R)에는 백 발광 소자(EW1)가, 녹 서브 화소(1G)에는 녹 발광 소자(EG)가, 분홍 서브 화소(1P)에는 백 발광 소자(EW2)가, 청 서브 화소(1B)에는, 백 발광 소자(EW3)가 포함되어 있다.
소자 기판(11)은, 그 위에 TFT(Thin Film Transistor) 등의 능동 소자를 형성 가능하며, 예를 들면 유리, 세라믹 또는 금속으로 형성되어 있다. 소자 기판(11) 상에는, 빛을 전(全) 반사하는 반사층(12)이, 서브 화소(1)마다 형성되어 있다. 반사층(12)의 형성 재료는, 예를 들면 은이어도 좋고, 알루미늄이어도 좋 고, 은 또는 알루미늄의 한쪽 또는 양쪽을 포함하는 합금이어도 좋다. 도시를 생략하지만, 소자 기판(11) 및 반사층(12) 상에는, 도시하지 않은 패시베이션(passivation)층이 형성되어 있다. 이 패시베이션층은, 그 두께가 예를 들면 200nm이며, 예를 들면 질화규소로 형성되어 있다. 또한, 소자 기판(11) 및 반사층(12) 상(즉 패시베이션층 상)에는, 발광 소자(E)가, 서브 화소(1)마다 형성되어 있다. 이하, 구체적으로 서술한다.
소자 기판(11) 및 반사층(12) 상(즉 패시베이션층 상)에는, ITO(Indium Tin Oxide) 등의 광투과성의 투명 전극(투과층)(13)이, 서브 화소(1)마다, 반사층(12)을 덮어 형성되어 있다. 화소(P)는 4개의 투명 전극(13)을 갖는다. 이들 4개의 투명 전극(13)은, 적 투명 전극(13R), 녹 투명 전극(13G), 청 투명 전극(13B) 및 분홍 투명 전극(13P)이다. 적 투명 전극(13R), 청 투명 전극(13B) 및 분홍 투명 전극(13P)의 두께는 공통이다. 녹 투명 전극(13G)의 두께는 예를 들면 110nm이다. 투명 전극(13)은 발광 소자(E)의 양극으로서 기능한다.
소자 기판(11) 및 투명 전극(13) 상(즉 패시베이션층 및 투명 전극(13) 상)에는, 투명 전극(13)과 협동하여, 모든 발광 소자(E)에 대하여 유기층 영역을 획정(define)하는 격벽(14)이 형성되어 있다. 화소(P)에 있어서의 유기층 영역의 수는 2개이며, 이들 2개의 유기층 영역 중, 백 발광 소자(EW1∼EW3)의 유기층 영역에는, 백 정공 주입층(15W)이 형성되고, 그 위에 백 발광층(16W)이 형성되고, 그 위에 백 전자 주입층(도시 생략)이 형성되어 있다. 한편, 녹 발광 소자(EG)의 유기층 영역에는, 녹 정공 주입층(15G)이 형성되고, 그 위에 녹 발광층(16G)이 형성되 고, 그 위에 녹 전자 주입층(도시 생략)이 형성되어 있다.
화소(P)에 있어서, 백 발광층(16W)은, 분홍 서브 화소(1P), 적 서브 화소(1R) 및 청 서브 화소(1B)에 공통의 공통층이다. 따라서, 화소(P)에 있어서, 공통층인 백 발광층(16W)의 일부가 분홍 서브 화소(1P)의 발광층(분홍 발광층), 백 발광층(16W)의 다른 일부가 적 서브 화소(1R)의 발광층(적 발광층), 백 발광층(16W)의 또 다른 일부가 청 서브 화소(1B)의 발광층(청 발광층)으로 되어 있다. 발광층(16)은, 화면(S)(소자 기판(11))을 따라 퍼져 있고, 그 두께는 예를 들면 30nm이다. 또한, 정공 주입층(15)의 두께는 예를 들면 80nm이며, 전자 주입층의 두께는 예를 들면 20nm이다. 정공 주입층 및 정공 수송층 등, 직접 발광하지 않는 유기 기능층에 대해서는 전(全) 화소 공통으로 형성해도 좋다.
이상의 설명에서 밝혀진 바와 같이, 화소(P)의 4개의 서브 화소(1)의 각각은, 그 발광층과 소자 기판(11)과의 사이에 광투과성의 투과층(투명 전극(13))을 갖고, 화소(P)의 각 서브 화소(1)는, 그 투과층(투명 전극(13))과 소자 기판(11)과의 사이에 반사층(12)을 갖는다. 또한, 백 발광층(16W)은 백색광을 발하는 유기 EL 재료(이후, 「백 발광 재료」), 녹 발광층(16G)은 녹색광을 발하는 유기 EL 재료(이하, 「녹 발광 재료」)로 형성되어 있다. 백 발광 재료의 발광 스펙트럼의 피크는 2개이며, 이들 2개의 피크 중, 제1 피크의 파장의 빛은 적색광(예를 들면 오렌지색광)이며, 제2 피크의 파장의 빛은 청색광(예를 들면 스카이 블루색광)이다.
전자 주입층 상에는, 모든 발광 소자(E)에 공통하고, 모든 발광 소자(E)의 음극으로서 기능하는 공통 전극(17)이 형성되어 있다. 공통 전극(17)은, 광투과성 그리고 광반사성의 반반사층이며, 그 두께가 예를 들면 10nm이며, 예를 들면 마그네슘 은(magnesium silver alloy)으로 형성되어 있다. 이상 설명한 점에서 밝혀진 바와 같이, 소자 기판(11) 상에는, 서브 화소(1)마다, 반사층(12) 및 발광 소자(E)가 형성되어 있다.
투명 전극(13)의 두께는, 각 발광 소자(E)에 있어서, 바로 아래의 반사층(12)과 공통 전극(17)과의 광학적 거리가, 그 발광층의 발광 중, 그 서브 화소(1)가 나타내는 색의 빛이, 빛의 간섭에 의해 강해지는 거리로 되도록 정해져 있다. 구체적으로는, 적 투명 전극(13R), 청 투명 전극(13B) 및 분홍 투명 전극(13P)의 두께는, 공통이며, 상기의 광학적 거리가, 파장이 적색광 영역(590nm 이상 640nm 이하)에 있는 빛(매우 적합하게는 파장이 620nm 부근의 빛)과 파장이 청색광 영역(450nm 이상 500nm 이하)에 있는 빛(매우 적합하게는 파장이 480nm 부근의 빛)이 각각 간섭에 의해 강해지는 거리가 되도록 정해져 있다. 또한, 녹 투명 전극(13G)의 두께는, 상기의 광학적 거리가, 파장이 녹색광 영역(500nm 이상 570nm 이하)에 있는 빛(매우 적합하게는 파장이 530nm 부근의 빛)이 간섭에 의해 강해지는 거리가 되도록 정해져 있다.
소자 기판(11) 및 공통 전극(17) 상에는, 모든 발광 소자(E)를 덮도록 봉지층(sealing layer;18)이 형성되어 있다. 봉지층(18)은, 발광 소자(E)를 봉지하여 보호하기 위한 층이며, 광투과성의 재료(예를 들면 질산화규소 또는 산화규소)로 형성되어 있다. 봉지층(18) 상에는, 컬러 필터 기판(19)이 접합되어 있다. 컬러 필터 기판(19)은, 평판 형상 그리고 광투과성의 투명 기판(191)과, 서브 화소(1)와 1대 1로 대응하는 컬러 필터(192)와, 차광성의 블랙 매트릭스(193)를 갖는다.
컬러 필터(192)는, 투명 기판(191) 상에 형성된 층이며, 기본적으로는, 특정의 색의 빛만을 투과시킨다. 예를 들면, 적 컬러 필터(192R)는 적색광만, 청 컬러 필터(192B)는 청색광만, 분홍 컬러 필터(192P)는 분홍색광(적색광 및 청색광)만, 녹 컬러 필터(192G)는 녹색광만을 투과시킨다. 블랙 매트릭스(193)는, 투명 기판(191) 상에 형성된 층이며, 컬러 필터(192)간의 극간(gap)을 매우도록 배치되어 있다.
봉지층(18)에는, 컬러 필터 기판(19)의 컬러 필터(192)측의 면이 접촉하고 있다. 화소(P)에 있어서, 적 컬러 필터(192R)는 적 발광층에, 분홍 컬러 필터(192P)는 분홍 발광층에, 청 컬러 필터(192B)는 청 발광층에, 녹 컬러 필터(192G)는 녹 발광층(16G)에 겹쳐져 있다. 즉, 화소(P)에 있어서, 각 서브 화소(1)의 발광층은, 소자 기판(11) 상에 형성되고, 대응하는 컬러 필터(192)와 소자 기판(11)과의 사이에 끼워져 있다.
즉, 화소(P)에 있어서, 적 서브 화소(1R)는, 적 발광층과 적 발광층에 겹쳐져 있는 적 컬러 필터(192R)를 갖고, 분홍 서브 화소(1P)는, 분홍 발광층과 분홍 발광층에 겹쳐져 있는 분홍 컬러 필터(192P)를 갖고, 청 서브 화소(1B)는, 청 발광층과 청 발광층에 겹쳐져 있는 청 컬러 필터(192B)를 갖고, 녹 서브 화소(1G)는, 녹 발광층(16G)과 녹 발광층(16G)에 겹쳐 있는 녹 컬러 필터(192G)를 갖는다.
이상의 설명에서 밝혀진 바와 같이, 발광 장치(10)는, 톱 에미션형의 유기 EL 장치이다. 따라서, 발광층의 발광은, 소자 기판(11)의 반대측, 즉 컬러 필터 기판(19)으로부터 출사한다. 출사광의 광로 상에는 컬러 필터(192)가 존재하기 때문에, 적 서브 화소(1R)의 출사광(R광)의 색은 빨강이 되고, 분홍 서브 화소(1P)의 출사광(P광)의 색은 분홍이 되고, 청 서브 화소(1B)의 출사광(B광)의 색은 파랑이 되고, 녹 서브 화소(1G)의 출사광(G광)의 색은 초록이 된다.
이상 설명한 바와 같이, 발광 장치(10)는, 복수의 화소(P)를 갖고, 각 화소(P)는, 4개의 서브 화소(1)를 갖고, 각 화소(P)의 서브 화소(1)의 각각은, 적 서브 화소(1R), 분홍 서브 화소(1P), 청 서브 화소(1B) 및 녹 서브 화소(1G)이며, 각 화소에 있어서, 적 서브 화소(1R)는, 백 발광 재료로 형성된 적 발광층과, 적 발광층에 겹쳐져 있는 적 컬러 필터(192R)를 갖고, 분홍 서브 화소(1P)는, 백 발광 재료로 형성된 분홍 발광층과, 분홍 발광층에 겹쳐져 있는 분홍 컬러 필터(192P)를 갖고, 청 서브 화소(1B)는, 백 발광 재료로 형성된 청 발광층과, 청 발광층에 겹쳐져 있는 청 컬러 필터(192B)를 갖고, 녹 서브 화소(1G)는, 녹 발광 재료로 형성된 녹 발광층(16G)과, 녹 발광층(16G)에 겹쳐져 있는 녹 컬러 필터(192G)를 갖는다.
따라서, 발광 장치(10)에 의하면, 각 서브 화소에 있어서, 발광층의 발광의 이용 효율이 충분히 높아지기 때문에, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있다. 또한, 발광 장치(10)에서는, 적 서브 화소(1R)의 발광층과 분홍 서브 화소(1P)의 발광층과 청 서브 화소(1B)의 발광층이 동종의 재료(백 발광 재료)로 형성되어 있고, 그 제조를 위해 발광층에 대하여 이용하는 재료는 2종류(백 발광 재료 및 녹 발광 재료)로 족하다. 따라서, 발광 장치(10)에 의하면, 제조 공정 이 간소해진다. 따라서, 발광 재료(10)에 의하면, 충분히 간소한 제조 공정으로 제조 가능하며, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있다.
전술한 바와 같이, 발광 장치(10)는, 톱 에미션형의 유기 EL 장치이며, 소자 기판(11)을 갖고, 각 화소(P)에 있어서, 각 서브 화소(1)의 발광층은, 소자 기판(11) 상에 형성되고, 그 컬러 필터(192)와 소자 기판(11)과의 사이에 끼워지고, 각 서브 화소(1)는 그 발광층과 소자 기판(11)과의 사이에 광투과성의 투과층(투명 전극(13))을 갖고, 각 서브 화소(1)는, 그 투과층과 소자 기판(11)과의 사이에 반사층(12)을 갖는다. 또한, 전술한 바와 같이, 발광 장치(10)에서는, 각 발광 소자(E)에 있어서, 바로 아래의 반사층(12)과 공통 전극(17)과의 광학적 거리가, 그 발광층의 발광 중, 그 서브 화소(1)가 나타내는 색의 빛이, 빛의 간섭에 의해 강해지는 거리로 되어 있다. 따라서, 발광 장치(10)에 의하면, 각 서브 화소(1)에 있어서, 그 휘도를 올릴 수 있다.
도4 는, 발광 장치(10)의 적 서브 화소(1R), 청 서브 화소(1B) 및 분홍 서브 화소(1P)에 있어서의 발광의 이용 효율을 나타내는 그래프이다. 이 그래프에는, 적 서브 화소(1R), 청 서브 화소(1B) 및 분홍 서브 화소(1P)의 각각에 대하여, 그 발광층의 발광 스펙트럼과, 그 컬러 필터(192)의 투과 특성과, 그 출사광(R광, B광 또는 P광)의 스펙트럼이 나타나 있다. 이 그래프에서, 적 서브 화소(1R) 및 청 서브 화소(1B)에 있어서, 발광의 이용 효율이 60∼80% 정도가 되는 것, 즉 충분히 높은 이용 효율로 되는 것을 알 수 있다. 적색 및 청색은, 녹색에 비교하여, 인간에게 인식되기 어려운 색이기 때문에, 적색 및 청색에 대하여 발광의 이용 효율이 충 분히 높은 것은, 소비 전력의 저감에 직결된다. 또한, 이 그래프에서, 분홍 서브 화소(1P)에 있어서, 발광의 이용 효율이 충분히 높아지는 것을 알 수 있다. 또한 이 그래프에서, 발광 장치(10)에 의하면, 분홍 서브 화소(1P)에 있어서, 인간에게 인식되기 쉬운 녹색광이 분홍 컬러 필터(192P)에 의해 차단되고, 이에 따라 외광 반사가 충분히 억제된다는 것을 알 수 있다.
도5 는, 발광 장치(10)의 녹 서브 화소(1G)에 있어서의 발광의 이용 효율을 나타내는 그래프이다. 이 그래프에는, 녹 서브 화소(1G)에 대하여, 그 발광층의 발광 스펙트럼과, 그 녹 컬러 필터(192G)의 투과 특성과, 그 출사광(G광)의 스펙트럼이 나타나 있다. 이 그래프에서, 녹 서브 화소(1G)에 있어서, 발광의 이용 효율이 70% 정도로 되는 것, 즉 충분히 높은 이용 효율로 되는 것을 알 수 있다.
다음으로, 발광 장치(10)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 도6 에 나타내는 바와 같이, 소자 기판(11) 상에, 반사층(12)을, 서브 화소(1)마다 형성하고, 소자 기판(11) 및 반사층(12) 상에 패시베이션층(도시 생략)을 형성하고, 그 위에, 투명 전극(13)을, 서브 화소(1)마다, 반사층(12)을 덮도록 형성하고, 패시베이션층(도시 생략) 및 투명 전극(13) 상에 격벽(14)을 형성하여 모든 발광 소자(E)에 대하여 유기층 영역을 형성하고, 각 유기층 영역 내에 정공 주입층(15)을 제막에 의해 형성한다. 정공 주입층(15) 등의 유기 기능층의 제막 방법으로서는, 증착법이나, 도포법, 스퍼터법, CVD법 등을 채용 가능하다.
투명 전극(13)을 형성하는 공정에서는, 형성하는 투명 전극(13)의 두께를, 서브 화소(1)의 종류(적 서브 화소(1R), 청 서브 화소(1B), 분홍 서브 화소(1P)/녹 서브 화소(1G))에 따른 두께로 할 필요가 있다. 이와 같은 두께의 제어는, 예를 들면 제막을 반복함으로써 실현 가능하다. 또한, 정공 주입층(15)을 형성하는 공정에서는, 2종류의 재료가 나누어 사용되고, 백 발광 소자(EW1∼EW3)의 유기층 영역에는 백 정공 주입층(15W), 녹 발광 소자(EG)의 유기층 영역에는 녹 정공 주입층(15G)이 형성된다. 통상의 경우, 정공 주입층은 공통으로 좋은 경우가 많기 때문에, 전 발광 화소 공통으로 제막해도 좋다.
다음으로, 도7 에 나타내는 바와 같이, 각 화소(P)에 대하여, 백 발광 소자(EW1∼EW3)의 유기층 영역 내에 백 발광 재료로 제막하여 백 발광층(16W)을 형성한다. 다음으로, 도8 에 나타내는 바와 같이, 각 화소(P)에 대하여, 녹 발광 소자(EG)의 유기층 영역 내에 녹 발광 재료로 제막하여 녹 발광층(16G)을 형성한다. 즉, 발광층(16)을 형성하는 공정에서는, 2종류의 재료가 나누어 사용되고, 백 발광층(16W)을 형성하는 공정에서는, 각 화소(P)에 대하여, 백 발광 소자(EW1∼EW3)의 발광층이, 백 발광 재료로, 일괄하여 형성된다.
다음으로, 도9 에 나타내는 바와 같이, 각 유기층 영역 내에 전자 주입층(도시 생략)을 제막(deposition)에 의해 형성하고, 형성한 전자 주입층 및 격벽(14) 상에 공통 전극(17)을 형성하고, 공통 전극(17) 및 소자 기판(11) 상에 봉지층(18)을 형성하고, 그 위에 컬러 필터 기판(19)을 접합시킨다. 이렇게 하여, 도3 에 나타내는 발광 장치(10)가 형성된다. 이상의 설명에서도, 제조 공정이 복잡화하지 않는 것을 알 수 있다.
<제2 실시 형태>
도10 은, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 화소(P2)의 단면도이다. 화소(P2)는 발광 장치(10)에 있어서의 화소(P)에 상당한다. 이 도면에 나타내는 발광 장치가 발광 장치(10)와 다른 점은, 분홍 서브 화소(1P)를 대신하여 분홍 서브 화소(2P)를 갖는 점과, 소자 기판(11)의 아래에 빛을 흡수하는 광흡수층(24)이 형성되어 있는 점과, 소자 기판(11)의 형성 재료가 광투과성의 재료(예를 들면, 유리)에 한정되는 점이다. 분홍 서브 화소(2P)가 분홍 서브 화소(1P)와 다른 점은, 반사층(12)을 구비하고 있지 않은 점과, 분홍 투명 전극(13P)을 대신하여 분홍 투명 전극(23P)을 구비하고 있는 점이다. 분홍 투명 전극(23P)이 분홍 투명 전극(13P)과 다른 점은, 반사층(12)의 부재에 기인하는 형상의 상위뿐이다. 또한, 분홍 투명 전극(23P)은, 차광성의 재료로 형성되어도 좋다.
이 발광 장치에서는, 분홍 서브 화소(2P)가 반사층(12)을 구비하고 있지 않기 때문에, 제1 실시 형태에 비교하여, 분홍 서브 화소(1P)에 있어서의 발광의 이용 효율이 낮아지지만, 분홍 서브 화소(2P)의 발광층의 발광 중 특정의 하나의 파장의 빛이 간섭에 의해 강해져 P광의 색미(perceived color)가 변해 버리는 사태가 생기기 어렵다. 따라서, 이 발광 장치에 의하면, 분홍 서브 화소(2P)가 나타내는 색의 순도를 저하시키지 않고 해결된다. 또한, 이 발광 장치에 의하면, 불필요한 빛이 광흡수층(24)에서 흡수되기 때문에, 광투과성의 소자 기판(11)을 이용하고 있음에도 불구하고, 분홍 서브 화소(2P)의 콘트라스트를 저하시키지 않고 해결된다.
이 발광 장치와 같이, 제1 실시 형태에 비교하여, 분홍 서브 화소에 있어서의 발광의 이용 효율이 낮아져도 좋다면, 다른 형태도 고려할 수 있다. 예를 들 면, 제1 실시 형태를 변형하여, 분홍 투명 전극(13P)의 두께를, 70nm 이상 130nm 이하의 범위 내의 임의의 길이로 해도 좋다. 또한, 이 예에 있어서, 분홍 투명 전극(13P)의 두께를, 바로 아래의 반사층(12)과 공통 전극(17)과의 광학적 거리가, 파장이 청색광 영역(450nm 이상 500nm 이하)에 있는 빛(매우 적합하게는 파장이 480nm 부근의 빛), 또는 파장이 적색광 영역(590nm 이상 640nm 이하)에 있는 빛(매우 적합하게는 파장이 620nm 부근의 빛)이 간섭에 의해 강해지는 거리로 되도록 정해도 좋다. 단, 이 경우, 분홍 서브 화소에 있어서, 특정의 파장의 빛(청색광 또는 적색광)이 간섭에 의해 강해져 P광의 색미가 변해 버리는 사태가 생길 수 있다. 이 사태를 회피 가능하며, 그리고, 제1 실시 형태와는 다른 형태에 대하여, 다음에 설명한다.
<제3 실시 형태>
도11 은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 발광 장치의 화소(P3)의 단면도이며, 도12 는, 화소(P3)의 평면도이다. 화소(P3)는 발광 장치(10)에 있어서의 화소(P)에 상당한다. 이 도면에 나타내는 발광 장치가 발광 장치(10)와 다른 점은, 적 서브 화소(1R), 분홍 서브 화소(1P), 청 서브 화소(1B) 및 녹 서브 화소(1G)를 대신하여, 적 서브 화소(3R), 분홍 서브 화소(3P), 청 서브 화소(3B) 및 녹 서브 화소(3G)를 갖는 점이다.
적 서브 화소(3R), 분홍 서브 화소(3P) 및 청 서브 화소(3B)가, 적 서브 화소(1R), 분홍 서브 화소(1P) 및 청 서브 화소(1B)와 크게 다른 점은, 두께가 공통의 적 투명 전극(13R), 분홍 투명 전극(13P) 및 청 투명 전극(13B)을 대신하여, 두 께가 서로 다른 적 투명 전극(33R)(투과층), 분홍 투명 전극(33P)(투과층) 및 청 투명 전극(33B)(투과층)을 갖는 점이다. 적 투명 전극(33R)의 두께는 예를 들면 130nm, 청 투명 전극(33B)의 두께는 예를 들면 85nm이다.
분홍 투명 전극(33P)은, 두께가 서로 다른 부분(331P) 및 부분(332P)을 갖는다. 부분(331P) 및 부분(332P)의 두께는, 각각, 백 발광 재료의 발광 스펙트럼의 2개의 피크 중 어느 하나의 파장의 빛이 간섭에 의해 강해지는 두께이다. 구체적으로는, 부분(331P)의 두께는 파장이 적색광 영역(590nm 이상 640nm 이하)에 있는 빛(매우 적합하게는 파장이 620nm 부근의 빛)이 간섭에 의해 강해지도록, 부분(332P)의 두께는 파장이 청색광 영역(450nm 이상 500nm 이하)에 있는 빛(매우 적합하게는 파장이 480nm 부근의 빛)이 간섭에 의해 강해지도록 정해져 있다.
적 투명 전극(33R)의 두께는, 파장이 적색광 영역(590nm 이상 640nm 이하)에 있는 빛(매우 적합하게는 파장이 620nm 부근의 빛)이 간섭에 의해 강해지도록 정해져 있다. 청 투명 전극(33B)의 두께는, 파장이 청색광 영역(450nm 이상 500nm 이하)에 있는 빛(매우 적합하게는 파장이 480nm 부근의 빛)이 간섭에 의해 강해지도록 정해져 있다. 적 투명 전극(33R), 분홍 투명 전극(33P) 및 청 투명 전극(33B)의 형상이, 적 투명 전극(13R), 분홍 투명 전극(13P) 및 청 투명 전극(13B)의 형상과 다른 것에 기인하여, 본 실시 형태에서는, 백 정공 주입층, 백 발광층, 전자 주입층(도시 생략), 공통 전극 및 봉지층의 형상이, 제1 실시 형태에 있어서의 형상과 다르다. 이것이, 녹 서브 화소(3G)가 녹 서브 화소(1G)와 크게 다른 점이다.
이 발광 장치에서는, 적 서브 화소(3R), 분홍 서브 화소(3P) 및 청 서브 화 소(3B)에 있어서, 그 발광층의 발광 중 특정의 파장의 빛이 간섭에 의해 강해진다. 따라서, 이 발광 장치에 의하면, 적 서브 화소(3R), 분홍 서브 화소(3P) 및 청 서브 화소(3B)의 휘도를 올릴 수 있다. 또한, 분홍 서브 화소(3P)에서는, 그 발광층의 발광 스펙트럼의 2개의 피크 파장 중 전부의 피크 파장의 빛(적색광 및 청색광)이 빛의 간섭에 의해 강해지기 때문에, 특정의 파장이 빛이 간섭에 의해 강해져 P광의 색미가 변해 버리는 사태가 생기기 어렵다. 따라서, 이 발광 장치에 의하면, 분홍 서브 화소가 나타내는 색의 순도를 저하시키지 않고 해결된다.
다음으로, 이 발광 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 도13 에 나타내는 바와 같이, 소자 기판(11) 상에, 반사층(12)을, 서브 화소(3)마다 형성하고, 소자 기판(11) 및 반사층(12) 상에 패시베이션층(도시 생략)을 형성한다. 다음으로, 도14∼도16 에 나타내는 바와 같이, 패시베이션층(도시 생략) 상에, 투명 전극(33)을, 서브 화소(3)마다, 반사층(12)을 덮도록 형성한다.
투명 전극(33)의 형성 공정은 다음과 같다.
먼저, 도14 에 나타내는 바와 같이, 투명 전극(33)의 형성 재료(투명 재료)로, 패시베이션층(도시 생략) 상에, 서브 투과층(A1) 및 서브 투과층(A2)을 일괄하여 형성한다. 구체적으로는, 먼저, 모든 반사층(12)을 덮도록 두께가 A의 서브 투과층을 형성하고(형성 스텝), 다음으로, 이 서브 투과층의 불필요한 부분을 에칭에 의해 제거한다(제거 스텝). 남은 부분이, 서브 투과층(A1) 및 서브 투과층(A2)이 된다. 서브 투과층(A1)은 적 서브 화소(3R)의 반사층(12)을, 서브 투과층(A2)은 분홍 서브 화소(3P)의 반사층(12)의 일부(분홍 서브 화소(3P)의 소자 기판(11)에 평행한 단면)를 덮고 있다.
또한, 도15 에 나타내는 바와 같이, 투명 전극(33)의 형성 재료로, 서브 투과층(B1∼B3)을 일괄하여 형성한다. 구체적으로는, 먼저, 모든 반사층(12)을 덮도록 두께가 B의 서브 투과층을 형성하고, 다음으로, 이 서브 투과층의 불필요한 부분을 에칭에 의해 제거한다. 남은 부분이, 서브 투과층(B1∼B3)이 된다. 서브 투과층(B1)은 적 서브 화소(3R)의 반사층(12)을, 서브 투과층(B2)은 분홍 서브 화소(3P)의 반사층(12)의 일부(분홍 서브 화소(3P)의 소자 기판(11)에 평행한 단면)을, 서브 투과층(B3)은 녹 서브 화소(3G)의 반사층(12)을 덮고 있다.
또한, 도16 에 나타내는 바와 같이, 투명 전극(33)의 형성 재료로, 서브 투과층(C1∼C4)을 일괄하여 형성한다. 구체적으로는, 먼저, 모든 반사층(12)을 덮도폭 두께가 C의 서브 투과층을 형성하고, 다음으로, 이 서브 투과층의 불필요한 부분을 에칭에 의해 제거한다. 남은 부분이, 서브 투과층(C1∼C4)이 된다. 서브 투과층(C1)은 적 서브 화소(3R)의 반사층(12)을, 서브 투과층(C2)은 분홍 서브 화소(3P)의 반사층(12)(분홍 서브 화소(3P)의 소자 기판(11)에 평행한 단면)을, 서브 투과층(C3)은 청 서브 화소(3B)의 반사층(12)을, 서브 투과층(C4)은 녹 서브 화소(3G)의 반사층(12)을 덮고 있다.
이렇게 하여, 모든 투명 전극(33)이 형성된다.
이상의 설명에서 밝혀진 바와 같이, 적 투명 전극(33R)의 두께는 A+B+C, 녹 투명 전극(33G)의 두께는 B+C, 청 투명 전극(33B)의 두께는 C가 된다. 또한, 분홍 투명 전극(33P)에 있어서, 부분(331P)의 두께는 A+B+C, 부분(332G)의 두께는 C가 된다. 따라서, 서브 투과층의 형성 공정에 있어서, A, B 및 C는, 적 투명 전극(33R)의 이상적인 두께를 X, 녹 투명 전극(33G)의 이상적인 두께를 Y, 청 투명 전극(33B)의 이상적인 두께를 Z로 했을 때, A=X-Y, B=Y-Z, C=Z-0=Z가 되도록 정해진다. 즉, n번째에 형성되는 서브 투과층의 두께는, n번째로 두꺼운 투명 전극(33)의 두께와 n+1번째로 두꺼운 투명 전극(33)의 두께와의 차분에 일치한다. 단, 존재하지 않는 서브 투과층의 두께는 0으로서 취급한다.
본 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법에서는, 분홍 서브 화소(3P)의 소자 기판(11)에 평행한 단면을 덮는 서브 투과층을 광투과성의 재료로 형성하는 형성 스텝과, 이 형성 스텝에서 형성된 서브 투과층의 일부를 제거하는 제거 스텝이 반복하여 행해진다. 따라서, 이 발광 장치에 의하면, 증착 마스크로는 형성 곤란한 미세한 구조, 구체적으로는 분홍 서브 화소(3P)의 분홍 투명 전극(33P)에 있어서의 두께가 서로 다른 복수의 부분(331P 및 332P)을 형성할 수 있다.
<제4 실시 형태>
도17 은, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 발광 장치의 화소(P4)의 단면도이다. 화소(P4)는, 도11 의 화소(P3)에 상당한다. 화소(P4)가 화소(P3)와 다른 점은, 적 서브 화소(3R), 분홍 서브 화소(3P), 청 서브 화소(3B) 및 녹 서브 화소(3G)를 대신하여, 적 서브 화소(4R), 분홍 서브 화소(4P), 청 서브 화소(4B) 및 녹 서브 화소(4G)를 갖는 점이다.
분홍 서브 화소(4P)가 분홍 서브 화소(3P)와 크게 다른 점은, 분홍 투명 전 극(33P)을 대신하여 분홍 투명 전극(투명층)(43P)을 갖는 점이다. 분홍 투명 전극(43P)은, 부분(332P)과 같은 두께의 부분(431P)과, 부분(331P)과 같은 두께의 부분(432P)을 갖는다. 분홍 투명 전극(33P)에서는, 가장 두꺼운 부분(331P)이 적 서브 화소(3R)측에 존재하는 것에 대하여, 분홍 투명 전극(43P)에서는, 가장 얇은 부분(432P)이 적 서브 화소(4R)측에 존재한다.
분홍 투명 전극(43P)의 형상이 분홍 투명 전극(33P)의 형상과 다른 것에 기인하여, 본 실시 형태에서는, 백 정공 주입층, 백 발광층, 전자 주입층(도시 생략), 공통 전극 및 봉지층의 형상이, 제3 실시 형태에 있어서의 형상과 다르다. 이것이, 적 서브 화소(4R), 청 서브 화소(4B) 및 녹 서브 화소(4G)가, 적 서브 화소(3R), 청 서브 화소(3B) 및 녹 서브 화소(3G)와 크게 다른 점이다.
이 발광 장치에서도, 제3 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다. 이 점에서 밝혀지는 바와 같이, 본 발명에서는, 분홍 투명 전극의 단면 형상은 도시의 형상에 한정되지 않는다. 예를 들면, 2개의 부분이 도17 의 지면(紙面) 수직 방향으로 나열된 형상이어도 좋다.
<제5 실시 형태>
도18 은, 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 발광 장치의 화소(P5)의 단면도이다. 이 발광 장치는 보텀 에미션형의 발광 장치이다. 따라서, 소자 기판(11)의 형성 재료는, 광투과성의 재료(예를 들면, 유리)에 한정되어 있다. 또한, 이 발광 장치는, 보텀 에미션형이기 때문에, 반사층(12) 및 컬러 필터 기판(19)을 가지지 않는 대신에, 소자 기판(11)과 투명 전극(13)과의 사이에 컬러 필터(192) 및 블랙 매트릭스(193)를 갖는다.
즉, 각 화소(P5)에 대하여, 각 서브 화소(5)의 발광층은 소자 기판(11) 상에 형성되고, 적 서브 화소(5R), 분홍 서브 화소(5P), 청 서브 화소(5B) 및 녹 서브 화소(5G)의 각각의 컬러 필터(192)는, 그 발광층과 소자 기판(11)과의 사이에 끼워져 있다. 또한, 소자 기판(11) 상에 TFT(Thin Film Transistor) 등의 능동 소자를 갖는 형태를 취하는 경우, 이들의 능동 소자는, 그 모습이 감춰지도록, 블랙 매트릭스(193) 상에 형성되어야 할 것이 된다.
화소(P5)는, 도10 의 화소(P2)에 상당하고, 적 서브 화소(5R), 분홍 서브 화소(5P), 청 서브 화소(5B) 및 녹 서브 화소(5G)는, 도10 의 적 서브 화소(1R), 분홍 서브 화소(2P), 청 서브 화소(1B) 및 녹 서브 화소(1G)에 상당한다. 공통 전극(57) 및 봉지층(58)은, 도10 의 공통 전극(17) 및 봉지층(18)에 상당하고, 공통 전극(17) 및 봉지층(18)과 동일하게 투명한 재료로 형성되어 있다. 본 실시 형태를 변형하여, 공통 전극(57) 및 봉지층(58)이 차광성의 재료로 형성된 형태로 해도 좋다.
이와 같이, 본 발명은, 보텀 에미션형의 발광 장치에도 적용 가능하다. 또한, 이 발광 장치를 변형하여, 제1∼제4 의 각 실시 형태에서 얻어지는 효과와 동일한 효과를 얻을 수 있도록 해도 좋다. 예를 들면, 공통 전극(77)을 광반사성의 재료로 형성하고, 빛의 간섭에 의해 출사광을 강해지도록 해도 좋고, 또한, 컬러 필터(192) 및 블랙 매트릭스(193) 상에 예를 들면 질화규소로 패시베이션층을 형성하고, 이 패시베이션층 상에, 은 또는 알루미늄 등의 반사율이 높은 재료로 5∼ 15nm 정도의 박막층을 형성하여 광투과성 그리고 광반사성의 반반사층(하프 미러)으로 하고, 그 위에 투명 전극을 형성하도록 해도 좋다. 이 경우, 반반사층과 반사층(공통 전극)과의 사이의 광학적 거리는, 투명 전극의 두께, 또는 투명 전극의 두께 및 유기 기능층의 두께를 적절히 정함으로써 조절 가능하다. 또한 예를 들면, 투명 전극을 금이나 은의 박막으로 형성하여 반반사층으로서 기능시키도록 해도 좋다. 이 경우, 반반사층과 반사층과의 사이의 광학적 거리는, 투명 전극의 두께, 또는 투명 전극의 두께 및 유기 기능층의 두께를 적절히 정함으로써 조절 가능하다. 즉, 적 서브 화소, 청 서브 화소 및 녹 서브 화소의 각각이 그 발광층과 그 컬러 필터와의 사이에 반반사층을 갖도록 해도 좋다. 또한, 이 경우, 보조 양극으로서 ITO를 이용해도 좋다. 또한 예를 들면, 반반사층을 분홍 서브 화소에 마련하여, 분홍 투명 전극이, 서로 두께가 다른 두개의 부분을 갖도록 해도 좋다.
<다른 변형>
이하에 열기하는 바와 같이, 전술한 각 실시 형태를 변형해도 좋다. 이들의 변형예도 또한, 본 발명의 범위에 포함된다.
예를 들면, 반사층과 반반사층과의 사이에 투명 전극과 질화규소나 질산화규소 등의 투명 재료로 형성된 패시베이션층이 존재하는 경우에는, 반사층과 반반사층과의 사이의 광학적 거리를, 투명 전극의 두께 및 패시베이션층의 두께로 조절하도록 해도 좋다.
또한 예를 들면, 컬러 필터(192P)를 대신하여, 도19 에 나타내는 바와 같이, 백색광을 투과시키는 컬러 필터(투광층)(192W)를 마련해도 좋고, 도20 에 나타내는 바와 같이, 통과창(TW)을 마련해도 좋다. 이들의 예의 발광 장치는, 분홍 서브 화소를 대신하여, 백색을 나타내는 백 서브 화소를 가짐으로써, 백 서브 화소만을 이용하여 백색을 나타낸다. 백 서브 화소는, 분홍 서브 화소와 동일하게, 적 서브 화소도 녹 서브 화소도 청 서브 화소도 아닌 「나머지 서브 화소」이다. 또한, 컬러 필터(192W)는 모든 파장의 가시광을 투과시키는 광투과성의 재료로 형성된다. 한편, 통과창(TW)은, 그 실체가 투명한 기체(예를 들면 공기)의 층이며, 백색광을 투과시키는 컬러 필터로서 기능한다.
또한, 본 발명은, 화면을 구성하는 복수의 화소를 갖고, 상기 복수의 화소의 각각은 상기 화면을 구성하는 4개의 서브 화소를 갖고, 상기 복수의 화소의 각각의 상기 4개의 서브 화소는 적 서브 화소, 녹 서브 화소, 청 서브 화소 및 나머지 서브 화소이며, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 적 서브 화소는, 적색광의 파장 영역에 존재하는 적 피크와 청색광의 파장 영역에 존재하는 청 피크와의 사이가 골짜기가 되어 있는 발광 스펙트럼의 2 피크 백색광을 발하는 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 적색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 청 서브 화소는, 상기 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 청색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 나머지 서브 화소는, 상기 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층을 갖고, 녹 서브 화소는, 녹색광을 발하는 녹 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 녹색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 평판 형상의 소자 기판을 갖고, 상기 복수의 화소의 각각에 대 하여, 상기 4개의 서브 화소의 각각의 발광층은 상기 소자 기판 상에 형성되고, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각의 발광층은 그 컬러 필터와 상기 소자 기판과의 사이에 끼워지고, 상기 4개의 서브 화소의 각각은 그 발광층과 상기 소자 기판과의 사이에 광투과성의 투과층을 갖고, 상기 복수의 화소의 각각의 나머지 서브 화소는, 그 투과층과 상기 소자 기판과의 사이에 광반사성의 반사층을 갖고, 상기 복수의 화소의 각각의 나머지 서브 화소의 투과층은, 두께가 서로 다른 2개의 부분을 갖고, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 남은 화소의 투과층의 상기 2개의 부분 중, 한쪽은, 상기 적 피크의 파장의 빛이 간섭에 의해 강해지는 두께를 갖고, 다른 한쪽의 두께는, 상기 청 피크의 파장의 빛이 간섭에 의해 강해지는 두께를 갖는 발광 장치의 제조 방법으로서, 상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 나머지 서브 화소의 상기 소자 기판에 평행한 단면을 덮는 서브 투과층을 광투과성의 재료로 형성하는 스텝과, 상기 형성 스텝에서 형성된 서브 투과층의 일부를 제거하는 제거 스텝을 반복하여 행하는 것을 특징으로 하는 제조 방법으로서 파악 가능하다.
이 제조 방법에 의해 제조되는 발광 장치에 의하면, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있다. 또한, 이 제조 방법에 의하면, 에칭을 채용 가능하며, 증착 마스크에서는 형성 곤란한 미세한 구조, 구체적으로는 나머지 서브 화소의 투과층에 있어서의 두께가 서로 다른 2개의 부분을 형성할 수 있다. 즉, 이 제조 방법에 의해 제조되는 발광 장치에서는, 나머지 서브 화소의 색순도의 저하가 억제되고, 그리고, 나머지 서브 화소의 휘도가 올라간다. 이상에서, 이 제조 방법 에 의하면, 충분히 간소한 제조 공정으로, 저소비 전력으로 충분히 높은 표시 품질을 얻을 수 있는 발광 장치를 제조할 수 있다.
또한 예를 들면, 도21(A) 에 예시하는 바와 같이, 모든 서브 화소를 스트라이프 형상으로 배열하고, 그리고, 나머지 서브 화소(분홍 서브 화소), 적 서브 화소 및 청 서브 화소의 사이에, 다른 서브 화소(녹 서브 화소)가 존재하도록 해도 좋다. 도21(A) 의 예에서는, 적 서브 화소의 발광층과 청 서브 화소의 발광층은 서로 별체가 되지만, 양 발광층은 동일한 재료(백 발광 재료)로 형성되기 때문에, 발광 장치의 제조 공정은, 복잡화하지 않는다. 또한 예를 들면, 도21(B) 에 예시하는 바와 같이, 모든 서브 화소를 매트릭스 형상으로 배열해도 좋고, 도23(C)에 예시하는 바와 같이, 도23(B) 의 배열 패턴을 무너뜨린 배열 패턴으로 모든 서브 화소를 배열해도 좋다. 후자의 배열 패턴에서는, 홀수행의 서브 화소의 위치와 짝수행의 서브 화소의 위치가 열방향에 있어서 갖춰져 있지 않다. 또한, 도21(A)∼도21(C) 에 있어서, R은 적 서브 화소를, G는 녹 서브 화소를, B는 청 서브 화소를, P는 분홍 서브 화소를 나타낸다.
또한 예를 들면, 유기 EL 소자의 한 쌍의 전극 중, 소자 기판에 가까운 전극을 음극, 소자 기판에서 먼 전극을 양극으로 해도 좋다.
또한, 예를 들면, 발광 소자로서 유기 EL 소자 이외의 EL 소자(즉 무기 EL 소자)를 채용해도 좋다.
<응용>
전술한 각종의 발광 장치는, 여러가지의 전자기기에 응용 가능하다. 발광 장치(10)를 표시 장치로서 구비하는 전자기기를, 도22∼도24 에 예시한다.
도22 는, 발광 장치(10)를 표시 장치로서 채용한 모바일형의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 도면이다. 퍼스널 컴퓨터(2000)는, 표시 장치(2003)(발광 장치(10))와 본체부(2010)를 구비한다. 본체부(2010)에는, 전원 스위치(2001) 및 키보드(2002)가 마련되어 있다.
도23 은, 발광 장치(10)를 표시 장치로서 채용한 휴대 전화기의 구성을 나타내는 도면이다. 휴대 전화기(3000)는, 복수의 조작 버튼(3001) 및 스크롤 버튼(2002), 그리고 표시 장치(3003)(발광 장치(10))를 구비한다. 스크롤 버튼(3002)을 조작함으로써, 발광 장치(10)에 표시되는 화면이 스크롤된다.
도24 는, 발광 장치(10)를 표시 장치로서 채용한 휴대 정보 단말(PDA: Personal Digital Assistant)의 구성을 나타내는 도면이다. 정보 휴대 단말(4000)은, 복수의 조작 버튼(4001) 및 전원 스위치(4002), 그리고 표시 장치(4003)(발광 장치(10))를 구비한다. 전원 스위치(4002)를 조작하면, 주소록이나 스케줄북과 같은 각종의 정보가 발광 장치(10)에 표시된다.
또한, 전술한 각종의 발광 장치가 응용되는 전자기기로서는, 도22∼도24 에 나타낸 것 외에, 디지털 스틸 카메라, TV, 비디오 카메라, 카네비게이션 장치, 페이저(pager), 전자수첩, 전자 페이퍼, 워드 프로세서, 워크 스테이션, TV 전화, POS 단말, 프린터, 복사기, 비디오 플레이어, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다.
도1 은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치(10)의 평면도이다.
도2 는 발광 장치(10)를 구성하는 화소(P)의 평면도이다.
도3 은 화소(P)의 단면도이다.
도4 는 발광 장치(10)의 적 서브 화소(1R), 청 서브 화소(1B) 및 분홍 서브 화소(1P)에 있어서의 발광의 이용 효율을 나타내는 그래프이다.
도5 는 발광 장치(10)의 녹 서브 화소(1G)에 있어서의 발광의 이용 효율을 나타내는 그래프이다.
도6 은 발광 장치(10)의 최초 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도7 은 도6 의 다음의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도8 은 도7 의 다음의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도9 는 도8 의 다음의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도10 은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 화소(P2)의 단면도이다.
도11 은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 발광 장치의 화소(P3)의 단면도이다.
도12 는 화소(P3)의 평면도이다.
도13 은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 발광 장치의 최초의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도14 는 도13 의 다음의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도15 는 도14 의 다음의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도16 은 도15 의 다음의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도17 은 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 발광 장치의 화소(P4)의 단면도이다.
도18 은 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 발광 장치의 화소(P5)의 단면도이다.
도19 는 본 발명의 각 실시 형태의 변형예의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도20 은 본 발명의 각 실시 형태의 변형예의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
도21 은 본 발명의 각 실시 형태의 변형예의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
도22 는 발광 장치(10)를 표시 장치로서 채용한 모바일형의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 도면이다.
도23 은 발광 장치(10)를 표시 장치로서 채용한 휴대 전화기의 구성을 나타내는 도면이다.
도24 는 발광 장치(10)를 표시 장치로서 채용한 휴대 정보 단말의 구성을 나타내는 도면이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1∼5 : 서브 화소
1R∼5R : 적 서브 화소
1G∼5G : 녹 서브 화소
1B∼5B : 청 서브 화소
1P∼5P : 분홍 서브 화소(나머지 서브 화소)
10 : 발광 장치
11 : 소자 기판
12 : 반사층
13, 23, 33, 43, 53 : 투명 전극
13R, 33R, 53R : 적 투명 전극
13G, 53G : 녹 투명 전극
13B, 33B, 53B : 청 투명 전극
13P, 23P, 33P, 43P : 분홍 투명 전극
16 : 발광층
16W, 36W, 46W : 백 발광층
16G : 녹 발광층
192 : 컬러 필터
192R : 적 컬러 필터
192G : 녹 컬러 필터
192B : 청 컬러 필터
192P : 분홍 컬러 필터
192W : 백 컬러 필터
24 : 광흡수층
331P, 332P, 431P, 432P : 부분
E : 발광 소자
EG : 녹 발광 소자
EW1∼EW3 : 백 발광 소자
P, P2∼P5 : 화소
TW : 통과창

Claims (10)

  1. 화면을 구성하는 복수의 화소를 갖는 발광 장치에 있어서,
    상기 복수의 화소의 각각은, 상기 화면을 구성하는 4개의 서브 화소를 갖고,
    상기 복수의 화소의 각각의 상기 4개의 서브 화소는, 적(赤) 서브 화소, 녹(綠) 서브 화소, 청(靑) 서브 화소 및 나머지 서브 화소이며,
    상기 복수의 화소의 각각에 있어서,
    적 서브 화소는, 적색광의 파장 영역에 존재하는 적 피크와 청색광의 파장 영역에 존재하는 청 피크와의 사이가 골짜기(valley)가 되어 있는 발광 스펙트럼의 2 피크 백생광을 발하는 백(白) 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 적색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고,
    청 서브 화소는, 상기 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 청색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고,
    나머지 서브 화소는, 상기 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층을 갖고,
    녹 서브 화소는, 녹색광을 발하는 녹 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 녹색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 나머지 서브 화소는, 그 발광층에 겹쳐져 분홍색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖는 분홍 서브 화소인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 나머지 서브 화소는, 백색을 나타내는 백 서브 화소인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    평판 형상의 소자 기판을 갖고,
    상기 복수의 화소의 각각에 대하여, 상기 4개의 서브 화소의 각각의 발광층은 상기 소자 기판 상에 형성되고, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각의 발광층은 그 컬러 필터와 상기 소자 기판과의 사이에 끼워지고,
    상기 소자 기판 하에 형성되어 빛을 흡수하는 광흡수층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    평판 형상의 소자 기판을 갖고,
    상기 복수의 화소의 각각에 대하여, 상기 4개의 서브 화소의 각각의 발광층은 상기 소자 기판 상에 형성되고, 또한 이들 발광층은 그 컬러 필터와 상기 소자 기판과의 사이에 끼워지고, 상기 4개의 서브 화소의 각각은 그 발광층과 상기 소자 기판과의 사이에 광투과성의 투과층을 갖고, 그 투과층과 상기 소자 기판과의 사이에 광반사성의 반사층을 갖고,
    적 서브 화소, 청 서브 화소 및 나머지 서브 화소에서의 상기 투과층은, 상기 적 피크와 상기 청 피크의 파장의 빛이 동시에 간섭에 의해 강해지는 공통의 두께를 갖고, 녹 서브 화소에서의 상기 투과층은, 녹 서브 화소 내의 발광층의 피크의 파장의 빛이 간섭에 의해 강해지는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    평판 형상의 소자 기판을 갖고,
    상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 상기 4개의 서브 화소의 각각의 발광층은 상기 소자 기판 상에 형성되고, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각의 발광층은 그 컬러 필터와 상기 소자 기판과의 사이에 끼워지고, 상기 4개의 서브 화소의 각각은 그 발광층과 상기 소자 기판과의 사이에 광투과성의 투과층을 갖고,
    상기 복수의 화소의 각각의 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각은, 그 투과층과 상기 소자 기판과의 사이에 광반사성의 반사층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    평판 형상의 소자 기판을 갖고,
    상기 복수의 화소의 각각에 대하여, 상기 4개의 서브 화소의 각각의 발광층은 상기 소자 기판 상에 형성되고, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각의 컬러 필터는 그 발광층과 상기 소자 기판과의 사이에 끼워지고, 적 서브 화소, 녹 서브 화소 및 청 서브 화소의 각각은 그 발광층과 그 컬러 필터와의 사이에 광투과성 그리고 광반사성의 반(半)반사층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 나머지 서브 화소, 적 서브 화소 및 청 서브 화소는, 다른 서브 화소를 사이에 끼우지 않고 배치되고, 나머지 서브 화소, 적 서브 화소 및 청 서브 화소는, 공통의 발광층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 발광 장치를 갖는 전자기기.
  10. 화면을 구성하는 복수의 화소를 갖는 발광 장치에 있어서,
    상기 복수의 화소의 각각은, 상기 화면을 구성하는 4개의 서브 화소를 갖고,
    상기 복수의 화소의 각각의 상기 4개의 서브 화소는, 적 서브 화소, 녹 서브 화소, 청 서브 화소 및 나머지 서브 화소이며,
    상기 복수의 화소의 각각에 있어서, 적 서브 화소는, 적색광의 파장 영역에 존재하는 적 피크와 청색광의 파장 영역에 존재하는 청 피크와의 사이가 골짜기가 되어 있는 발광 스펙트럼의 2 피크 백생광을 발하는 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 적색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 청 서브 화소는, 상기 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 청색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 나머지 서브 화소는, 상기 백 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층을 갖고, 녹 서브 화소는, 녹색광을 발하는 녹 발광 재료로 형성되어 상기 화면을 따라 퍼져 있는 발광층과, 이 발광층에 겹쳐져 녹색광을 투과시키는 컬러 필터를 갖고, 나머지 서브 화소, 적 서브 화소 및 청 서브 화소는, 다른 서브 화소를 사이에 끼우지 않고 배치되는 발광 장치의 제조 방법으로서,
    상기 화면을 따라 연재(extend)하는 소자 기판 상에, 상기 복수의 화소의 각각에 대하여, 적 서브 화소의 발광층과 청 서브 화소의 발광층과 나머지 서브 화소의 발광층을 상기 백 발광 재료로 일괄하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
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