KR20080073736A - 반도체 패키지의 실장 장치 - Google Patents
반도체 패키지의 실장 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080073736A KR20080073736A KR1020087013651A KR20087013651A KR20080073736A KR 20080073736 A KR20080073736 A KR 20080073736A KR 1020087013651 A KR1020087013651 A KR 1020087013651A KR 20087013651 A KR20087013651 A KR 20087013651A KR 20080073736 A KR20080073736 A KR 20080073736A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- case
- semiconductor package
- package
- semiconductor
- high frequency
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
- H05K1/0219—Printed shielding conductors for shielding around or between signal conductors, e.g. coplanar or coaxial printed shielding conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10166—Transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10409—Screws
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
본 발명은, 고주파 그라운드와 방열면이 같은 케이스(11)에 형성된 오목부(12)에, 방열 베이스면이 고주파 그라운드가 되도록 전력 증폭용 반도체 소자가 실장된 패키지(13)를 상하 반전시킨 상태로 플립 실장을 행한다. 패키지(13)의 방열 베이스면이 위쪽 방향이 되기 때문에, 여기에 케이스(11)와는 열적으로 독립된 냉각 기구(14)가 설치된다. 냉각 기구(14)는 방열핀(15)과 히트 파이프(16)로 구성되어 있다. 전력 증폭용 반도체 소자의 냉각 기구가 독립적으로 되기 때문에, 다른 전자 부품 장치와의 열적 영향을 방지하고 냉각 시스템의 설계 자유도가 대폭 향상될 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 패키지의 실장 장치에 관한 것으로, 특히 마이크로파대의 고주파용 증폭 장치에 전력 증폭용 반도체 소자용 패키지를 실장한 장치에 관한 것이다.
위성 통신 분야 등 최근 통신의 대용량화에 따라, 전력 증폭용 반도체 소자의 고출력화 요구가 높아지고 있다. 현재 Ku대(12∼15 ㎓) 애플리케이션에 있어서는 그 출력은 100 W, C대(4∼8 ㎓)에 있어서는 그 출력은 500 W를 넘고 있다. 그러나, 이 이상의 고출력화에는 전력 증폭용 반도체 소자에서 발생하는 열을 얼마나 효율적으로 방열하느냐가 중요하다. 이 고출력화는 이후 더욱 증대하는 경향이 있으며, 그 때문에 반도체 장치의 방열이 과제가 되고 있다.
종래의 실장 장치에는, 도 1에서 도시하는 바와 같이 전력 증폭용 반도체 소자패키지(41)가 수냉 또는 공냉 장치가 삽입된 시스템 케이스(42)의 베이스 기판 상에 다른 전자 부품(43)과 함께 실장되어 일체로 방열되고 있다. 전술한 바와 같이 전력 증폭용 반도체 소자로부터의 발열이 커지고 있기 때문에 주변 전자 부품도 고온에 노출되어, 주변에 실장된 전자 부품의 특성에 악영향을 미치게 된다. 현재의 실장 방법에서는 전력 증폭용 반도체 소자 패키지의 방열면이 시스템 케이스와 일체로 되어 있기 때문에 방열에 대한 설계의 자유도가 없는 것이 문제가 된다. 따라서 시스템 케이스와는 독립적으로 전력용 반도체를 냉각시킬 수 있는 실장 장치를 채용할 필요가 있게 된다.
반도체칩을 개별로 또한 케이스면에서 냉각시키지 않는 구조로서, 예컨대 냉각핀과 반도체칩 또는 반도체칩이 다이본드된 금속 베이스를 열전도 엘라스토머(elastomer) 또는 열전도 그리스를 통해 직접 스프링의 힘으로 기계 접촉시켜 방열시키는 실장 장치가 있다. 이것은 CPU칩의 방열 구조나 특허문헌에서 볼 수 있다(일본 공개 특허 공보 평성 제7-94912호 참조).
그러나, 이들 실장 기술이 적용되는 대상 반도체 장치는 그리드 어레이면에서 냉각을 할 수 없는 FC-PGA(Flip Chip Pin Grid Array)나 BGA(Ball Grid Array)타입의 패키지로서, 고출력의 고주파 전력 증폭용 반도체 소자에 대한 실장에 대해서는 해결하지 못한다.
따라서 본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것으로 그 목적은, 시스템 케이스에 삽입된 냉각 시스템과는 독립된 방열 구조에 의해, 다른 전자 부품 장치로의 열적 영향을 방지하여 냉각 시스템의 설계 자유도가 대폭 향상될 수 있는 반도체 패키지의 실장 장치를 제공하는 것을 목적이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본원 발명의 일 형태에 따르면, 고주파 그라운드 기능과 방열 기능을 구비한 케이스에 형성된 오목부와, 이 오목부 내에 수납된 반도체 패키지와, 상기 반도체 패키지 상에 설치된 냉각 기구를 구비하고, 상기 반도체 패키지에는 고주파 그라운드 기능을 구비한 방열 베이스면과, 이 방열 베이스면 상에 실장된 반도체 소자와, 이 반도체 소자의 주위를 둘러싸는 프레임과, 이 프레임에 둘러싸인 공간을 기밀(氣密)하게 덮는 덮개가 설치되며, 상기 방열 베이스면은 상기 덮개에 대하여 위쪽에 배치되도록 상기 케이스에 형성된 오목부 내에 수납되고, 상기 냉각 기구는 상기 오목부의 외측에 배치된 방열 베이스면 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 실장 장치를 얻을 수 있다.
본 발명의 반도체 패키지의 실장 장치에 따르면, 전력용 반도체의 발열면을 시스템 케이스와 독립적으로 함으로써, 자유도가 있는 독립된 방열 시스템을 설계할 수 있다. 이에 의해 고주파에서의 전기적 특성을 손상시키지 않고, 방열 특성이 우수한 실장 장치를 갖는 시스템을 용이하게 설계할 수 있다. 또한 발열면이 시스템 케이스와 독립적으로 됨으로써, 주변 전자 부품에 열이 전해지는 것을 억제할 수 있고, 또 냉각 기구로서 히트 파이프(heat pipe)를 이용한 경우, 발열면이 케이스 상면이 됨으로써 히트 파이프의 방열면을 위, 수열면을 아래로 배치할 수 있기 때문에, 유효하게 그 효과를 기능시킬 수 있다.
이하 본 발명의 실시형태에 대해 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 패키지의 실장 장치의 단면도를 나타낸 것이다.
시스템 케이스(11)는 고주파 그라운드를 형성하는 도체와 방열면을 형성하는 방열체를 겸한 블록체로 이루어지는 시스템 케이스이며, 열전도율이 좋은 Cu, Al 등의 저렴한 재료가 이용된다. 이 시스템 케이스(11)에는 그 일부에 오목부(12)가 형성되어, 이 내부에 전력 증폭용 반도체 소자를 수납한 패키지(13)를 상하 반전시켜 플립 실장되어 있다. 즉 패키지(13)에는 고주파 그라운드 도체를 겸하는 방열용 금속 베이스면 상에 전력 증폭용 반도체 소자가 실장되지만, 시스템 케이스(11)의 오목부(12)에는 패키지(13)의 방열용 금속 베이스(20)의 저면이 위가 되어, 본체가 오목부(12) 내에 위치하도록 실장된다. 패키지(13)의 방열용 금속 베이스(20)의 저면 상에는 시스템 케이스(11)와는 열적으로 독립된 냉각 기구(14)를 설치한다. 냉각 기구(14)는 방열핀(15), 히트 파이프(16) 및 이 히트 파이프(16)가 매립된 동(銅) 블록(16')으로 구성되어 있다. 또, 이 시스템 케이스(11) 상에는 동시에 다른 전자 부품(17)이 실장되어 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 사용되는 반도체 소자 실장용 패키지(13)의 구성을 도시하는 일부 절결 사시도이다. 이 패키지(13)에 있어서는, 금 도금된 Cu(동) 등의 방열용 금속 베이스(20) 상에, 전력 증폭용 반도체칩(21), 출력측 정합 회로(22), 혹은, 도시하지 않지만, 입력측 정합 회로 등이 실장되며, 입력측 정합 회로 혹은 출력측 정합 회로(22)는 각각 피드스루 타입의 입출력 단자(23, 24)에 접속된다. 전력 증폭용 반도체칩(21)은 그 신뢰성 확보를 위해 프레임(25)과 덮개(26)에 의해 밀봉되어 있다. 이 패키지(13)를 시스템 케이스(11)에 고정하기 위해서 고정 플랜지(27)가 방열용 금속 베이스(20)와 일체로 형성되어 있다. 이 고정 플랜지(27)에는 나사 고정용의 반원형 절결부(28)가 형성되어 있다. 이 부분에서 고정 플랜지(27)를 나사(18)로 고정함으로써 시스템 케이스(11)의 고주파 그라운드와 방열을 확보할 수 있다.
이와 같이 전력 증폭용 반도체칩(21), 출력측 정합 회로(22) 등이 실장된 패키지(13)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 시스템 케이스(11)에 형성된 오목부(12)에, 패키지(13)의 입출력 방향은 그대로 하고 상하를 반전시켜 플립 실장된다. 이때, 패키지(13)는 고정용 플랜지(27)에 형성된 반원형의 절결부(28)에 나사(18)를 통해서 시스템 케이스(11)에 고정된다.
이때 패키지(13) 하면에 있는 덮개(26)는 오목부(12)의 저면(19)에 접촉하지 않도록 간극을 두고 설치한다. 패키지 하면에 있는 덮개(26)가 오목부(12)의 저면(19)에 접촉하고 있으면 패키지(13)의 방열용 금속 베이스(20)를 오목부(12)의 상단에서 나사 고정할 때, 나사(18)가 완전히 조여지지 않게 될 우려가 있다. 나사(18)가 완전히 조여지지 않을 경우 양자의 전기적 도통이 불완전해져, 오목부(12)를 포함하는 시스템 케이스(11)는 패키지(13)의 방열용 금속 베이스(20)를 기준으로 하는 고주파 그라운드 전위를 유지할 수 없게 되어, 전체의 특성에 악영향을 미치게 된다. 이 때문에 오목부(12)의 깊이는 패키지(13)의 방열용 금속 베이스(20)의 하면으로부터의 높이보다 조금 크게 할 필요가 있다. 이 간극에는 방열 효과가 있는 그리스나 겔형 엘라스토머 등을 삽입해도 된다. 패키지(13)의 방열면인 방열용 금속 베이스(20)가 위를 향함으로써, 여기에 시스템 케이스(11)와는 열적으로 독립된 냉각 기구(14)를 설치할 수 있게 된다.
이 냉각 기구(14)는 전술한 바와 같이, 시스템 케이스(11)와는 열적으로 독립된 냉각 기구이다. 즉, 이 냉각 기구(14)는 시스템 케이스(11)로부터 열적으로 분리할 수 있을 뿐만 아니라, 냉각 기구(14)를 상부에 설치할 수 있음으로써 방열 효과가 향상된다. 방열핀(15)의 열은 공기의 열로 변환되어 상승하는 것이 가능하고, 열대류를 원리로 하는 히트 파이프(16)에 있어서는 방열 효과의 향상을 더욱 기대할 수 있다.
전술한 바와 같이, 이 시스템 케이스(11) 상에는 또, 분파기, 합파기, 입출력 정합 회로, 제어 회로 등 다른 전자 부품(17)이 실장되어 있다. 이와 같이 고출력 반도체 소자를 독립적으로 냉각시킬 수 있는 기구를 채용함으로써, 다른 전자 부품과 열적으로 분리할 수 있고, 발열이 특성에 악영향을 미치게 하는 것을 방지할 수 있다.
도 4a는 도 2에 도시하는 실시형태에 있어서의, 패키지(13)의 방열용 금속 베이스(20)와 시스템 케이스(11)의 그라운드면과의 접속 상태를 도시하는 측면도이고, 또 도 4b는 그 평면도이다.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 반전 실장된 패키지(13)의 입출력 단자(23, 24)가 시스템 케이스(11) 상에 형성된 마이크로파 전송 선로(34)에 접속되어 있다. 패키지(13)의 방열용 금속 베이스(20)와 시스템 케이스(11)의 그라운드면과는, 입력 단자(23)의 양측에서, 접속 도체(35)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 마이크로파 전송 선로(34)의 단부 양측에서는, 마이크로파 전송 선로(34) 하측의 절연체층(36)이 일부 제거되어, 하지의 시스템 케이스(11) 표면이 노출된다. 접속 도체(35)의 일단은 이 노출부에서 시스템 케이스(11)에 전기적으로 접속된다. 이에 의해 고주파 특성의 악화를 방지한다. 또한, 이러한 패키지(13)의 방열용 금속 베이스(20)와 시스템 케이스(11)의 그라운드면과의 접속은, 패키지(13)의 출력 단자(24)측에서도 상기 입력 단자(23)측과 동일하게 행하는 것이 바람직하다. 따라서 도면에서는, 상기 입력 단자(23)측의 구성 부분과 대응하는 부분에 대해서는 대시 「'」를 붙인 동일 도면 부호로 도시하며, 상세한 설명은 생략한다.
이와 같이 구성된 본 발명의 일 실시형태에 있어서의 반도체 패키지의 실장 장치에 따르면, 전력용 반도체의 발열면을 시스템 케이스와 독립적으로 형성함으로써, 자유도가 있는 독립된 방열 시스템을 설계할 수 있다. 이에 의해 고주파에서의 전기적 특성을 손상시키지 않고, 방열 특성이 우수한 실장 장치를 갖는 시스템을 용이하게 설계할 수 있다. 또한, 발열면이 시스템 케이스와 독립적으로 됨으로써, 주변 전자 부품에 열이 전해지는 것을 억제할 수 있고, 또한, 냉각 기구로서 히트 파이프를 이용한 경우, 발열면이 케이스 상면이 되기 때문에 유효하게 그 효과를 기능시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 그대로 한정되는 것이 아니며, 실시 단계에서 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구체화할 수 있다. 예컨대, 반도체 패키지의 시스템 케이스로의 고정 방법으로서는, 나사 고정 대신에 다른 적당한 고정 방법, 예컨대 납땜에 의해 고정해도 된다.
도 1은 종래의 반도체 장치의 실장 장치를 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 있어서의 반도체 패키지의 실장 장치를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 사용하는 반도체 패키지의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 4a는 도 2에 도시하는 반도체 장치의 실장 장치에서의, 패키지의 고주파 그라운드와 케이스 그라운드의 접속 상태를 도시하는 측면도이다.
도 4b는 도 2에 도시하는 반도체 장치의 실장 장치에서의, 패키지의 고주파 그라운드와 케이스 그라운드의 접속 상태를 도시하는 평면도이다.
Claims (7)
- 오목부를 갖는 케이스와,베이스 및 이 베이스의 한쪽면에 반도체 소자를 가지며 이 반도체 소자를 상기 오목부측으로 향하게 상기 케이스에 실장되는 반도체 패키지와,상기 베이스의 다른쪽면으로서 상기 케이스 외측에 설치되는 냉각 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 실장 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 패키지는 상기 베이스의 단부에서 상기 케이스에 나사 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 실장 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 패키지는 상기 오목부 내에서 상기 케이스와의 사이에 간극이 생기도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 실장 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 냉각 기구는 방열핀과 히트 파이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 실장 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스는 고주파 그라운드 기능을 구비하고,상기 반도체 패키지는 상기 반도체 소자를 둘러싸는 프레임과, 이 프레임에 둘러싸인 공간을 덮는 덮개를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지의 실장 장 치.
- 제5항에 있어서, 상기 반도체 패키지의 상기 베이스와 상기 케이스는 그라운드 접속 도체에 의해 접속되고, 이에 의해 상기 반도체 패키지의 고주파 그라운드와 상기 케이스의 고주파 그라운드는 서로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 실장 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 반도체 패키지는 상기 반도체 소자에 접속되는 입력측 정합 회로, 출력측 정합 회로, 상기 입력측 정합 회로에 접속되는 입력 단자 및 상기 출력측 정합 회로에 접속되는 출력 단자를 더 포함하고,상기 케이스는 상기 오목부 주위에 절연층을 통해 형성된 마이크로파 전송 선로를 더 포함하며,상기 그라운드 접속 도체의 일단은 상기 절연층을 제거함으로써 노출된 상기 케이스의 표면에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 실장 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006065767A JP4828969B2 (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 半導体装置の実装構造 |
JPJP-P-2006-00065767 | 2006-03-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080073736A true KR20080073736A (ko) | 2008-08-11 |
KR101017338B1 KR101017338B1 (ko) | 2011-02-28 |
Family
ID=38509209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020087013651A KR101017338B1 (ko) | 2006-03-10 | 2007-03-08 | 반도체 패키지의 실장 장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8344462B2 (ko) |
EP (1) | EP1995776A4 (ko) |
JP (1) | JP4828969B2 (ko) |
KR (1) | KR101017338B1 (ko) |
CN (1) | CN101361185B (ko) |
TW (1) | TW200742162A (ko) |
WO (1) | WO2007105368A1 (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100091477A1 (en) * | 2008-10-14 | 2010-04-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Package, and fabrication method for the package |
JP5631607B2 (ja) * | 2009-08-21 | 2014-11-26 | 株式会社東芝 | マルチチップモジュール構造を有する高周波回路 |
JP5588956B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2014-09-10 | 株式会社 日立パワーデバイス | パワー半導体装置 |
CN104979309A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-10-14 | 镇江佳鑫精工设备有限公司 | 一种热管散热装置 |
CN205030031U (zh) * | 2015-10-12 | 2016-02-10 | 中磊电子(苏州)有限公司 | 导热塑料散热器与通信装置 |
IT201700035017A1 (it) | 2017-03-30 | 2018-09-30 | M A E S P A | Metodo per l'apertura di un fascio di fibre tessili, preferibilmente fibre chimiche o inorganiche |
CN108737796A (zh) * | 2017-04-17 | 2018-11-02 | 东莞百电子有限公司 | 一种新型结合s频段与ku频段高频头结构 |
CN111697296A (zh) * | 2020-07-20 | 2020-09-22 | 成都锐明合升科技有限责任公司 | 一种强迫液冷非互易性微波器件 |
KR102367391B1 (ko) | 2021-11-02 | 2022-02-24 | 퓨어만 주식회사 | 반도체 부품의 냉각 방법 및 반도체 부품용 방열 필름 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5321577A (en) * | 1976-08-12 | 1978-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | Mounting method of transistors |
US4246697A (en) * | 1978-04-06 | 1981-01-27 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing RF power semiconductor package |
JPS6132592A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | 株式会社日立製作所 | 混成集積回路 |
US4951014A (en) * | 1989-05-26 | 1990-08-21 | Raytheon Company | High power microwave circuit packages |
JPH043498A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 直実装電力増幅器 |
JPH0440536A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-10 | Fujitsu Ltd | データの分散管理方法 |
JPH04373197A (ja) * | 1991-06-21 | 1992-12-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の基板への表面実装構造 |
US5598034A (en) * | 1992-07-22 | 1997-01-28 | Vlsi Packaging Corporation | Plastic packaging of microelectronic circuit devices |
JP2927184B2 (ja) | 1993-07-12 | 1999-07-28 | 日本電気株式会社 | マイクロ波回路の実装構造 |
US5637921A (en) * | 1995-04-21 | 1997-06-10 | Sun Microsystems, Inc. | Sub-ambient temperature electronic package |
US6292374B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-09-18 | Lucent Technologies, Inc. | Assembly having a back plate with inserts |
JP3178452B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2001-06-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置用パッケージとその実装構造 |
US6261868B1 (en) * | 1999-04-02 | 2001-07-17 | Motorola, Inc. | Semiconductor component and method for manufacturing the semiconductor component |
US6072238A (en) * | 1999-04-07 | 2000-06-06 | Motorola, Inc. | Semiconductor component |
US6462413B1 (en) * | 1999-07-22 | 2002-10-08 | Polese Company, Inc. | LDMOS transistor heatsink package assembly and manufacturing method |
JP2001053508A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波回路部品の実装構造 |
SE517455C2 (sv) * | 1999-12-15 | 2002-06-11 | Ericsson Telefon Ab L M | Effekttransistormodul, effektförstärkare samt förfarande för framställning därav |
JP2003110154A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hitachi Ltd | ペルチェモジュール付き電子装置、光モジュール及びそれらの製造方法 |
EP1986244B1 (en) * | 2002-11-12 | 2017-01-11 | Fujitsu Limited | Mounting structure |
US6734728B1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-05-11 | Infineon Technologies North America Corp. | RF power transistor with internal bias feed |
US20040218363A1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-11-04 | Wong Marvin Glenn | Application specific heat-dissipating apparatus that provides electrical isolation for components |
-
2006
- 2006-03-10 JP JP2006065767A patent/JP4828969B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-08 EP EP07713567A patent/EP1995776A4/en not_active Withdrawn
- 2007-03-08 CN CN2007800014676A patent/CN101361185B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-08 WO PCT/JP2007/000185 patent/WO2007105368A1/ja active Application Filing
- 2007-03-08 TW TW096108040A patent/TW200742162A/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-03-08 KR KR1020087013651A patent/KR101017338B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-09-06 US US11/850,996 patent/US8344462B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101361185A (zh) | 2009-02-04 |
WO2007105368A1 (ja) | 2007-09-20 |
TWI336935B (ko) | 2011-02-01 |
KR101017338B1 (ko) | 2011-02-28 |
EP1995776A4 (en) | 2011-01-19 |
EP1995776A1 (en) | 2008-11-26 |
US20080023826A1 (en) | 2008-01-31 |
CN101361185B (zh) | 2011-04-20 |
JP2007243016A (ja) | 2007-09-20 |
TW200742162A (en) | 2007-11-01 |
US8344462B2 (en) | 2013-01-01 |
JP4828969B2 (ja) | 2011-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101017338B1 (ko) | 반도체 패키지의 실장 장치 | |
US7324341B2 (en) | Electronics assembly and heat pipe device | |
US6081037A (en) | Semiconductor component having a semiconductor chip mounted to a chip mount | |
US8309399B2 (en) | Power semiconductor module and method of manufacturing the same | |
US20100295172A1 (en) | Power semiconductor module | |
US6404048B2 (en) | Heat dissipating microelectronic package | |
EP1632998A1 (en) | High power electronic package with enhanced cooling characteristics | |
CN111261598B (zh) | 封装结构及其适用的电源模块 | |
CN104303289A (zh) | 电子模块及其制造方法 | |
KR100230894B1 (ko) | 전력증폭모듈 | |
EP2398302B1 (en) | Semiconductor device | |
US7983046B1 (en) | Electronic control module and enclosed power module | |
KR100419428B1 (ko) | 고전력마이크로파하이브리드집적회로 | |
JP4695484B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH09213851A (ja) | Icデバイスの放熱方法及び放熱手段 | |
CN111373527B (zh) | 半导体装置 | |
US7310224B2 (en) | Electronic apparatus with thermal module | |
JP2000058741A (ja) | ハイブリッドモジュール | |
JPH09213847A (ja) | 半導体集積回路装置及びこの製造方法並びにそれを用いた電子装置 | |
JP2000059003A (ja) | ハイブリッドモジュール | |
JP4360577B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN219778877U (zh) | Mos器件在印制电路板上的连接结构 | |
JP2004103724A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の実装構造 | |
JP2020191316A (ja) | 回路モジュール | |
CN117480602A (zh) | 半导体模块 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140120 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |