JP2020191316A - 回路モジュール - Google Patents

回路モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2020191316A
JP2020191316A JP2019094221A JP2019094221A JP2020191316A JP 2020191316 A JP2020191316 A JP 2020191316A JP 2019094221 A JP2019094221 A JP 2019094221A JP 2019094221 A JP2019094221 A JP 2019094221A JP 2020191316 A JP2020191316 A JP 2020191316A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
circuit board
heat radiating
radiating sheet
printed circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019094221A
Other languages
English (en)
Inventor
智也 手塚
Tomoya Tezuka
智也 手塚
由佳理 齋藤
Yukari Saito
由佳理 齋藤
一馬 塩田
Kazuma Shioda
一馬 塩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2019094221A priority Critical patent/JP2020191316A/ja
Publication of JP2020191316A publication Critical patent/JP2020191316A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】発熱源から発せられる熱を、低コストで、効率良く外部へ放熱する回路モジュールを得る。【解決手段】高周波モジュール10は、一主面である実装面に高周波デバイス1を搭載したプリント基板2と、プリント基板2が固定された底面部4aと垂直に立設された放熱部4bとを有する金属筐体4と、プリント基板2と金属筐体4の間に配置され、高周波デバイス1が発する熱を金属筐体4に伝える熱伝導グリス層12と、を有する。プリント基板2の他主面に、面内方向に熱を拡散する放熱シート3が配置される。【選択図】図1

Description

本発明は、回路モジュールに関する。
通信装置、レーダー装置などに用いられる高周波モジュールは、小型化、高出力化が進められている。従来、高周波モジュールにはシリコン(Si)、ガリウム砒素(GaAs)などを用いた半導体が搭載されていたが、シリコン、ガリウム砒素と比較して電子の飽和速度が大きい窒化ガリウム(GaN)を用いた半導体の実用化により、小型で高出力の高周波モジュールの製造が可能となった。
しかし、高周波デバイスの高出力化による高周波デバイスの発熱量の増加、高周波デバイスの小型化による高周波デバイスの発熱密度の上昇により、高周波デバイスからの放熱の困難性が大きくなった。
この問題に対処するため、特許文献1に開示されている高周波モジュールは、開口が設けられた高周波回路基板と、高周波回路基板の開口内に配置された高周波デバイスと、高周波回路基板の下面に配置され、高周波デバイスの下面に接触する金属コアと、高周波デバイスの下方に開口が形成され、金属コアに積層された制御回路基板と、制御回路基板の開口内に突出し、金属コアと接触する突出部を備え、ヒートシンクとして機能する金属筐体と、を有する。
また、特許文献2には、発熱部品が実装され、放熱用厚銅箔層を内層に有し、放熱用の熱伝導性樹脂で充填されたスルーホールが設けられた多層プリント配線基板が開示されている。スルーホールに熱伝導性樹脂を充填することにより、プリント基板の厚み方向の熱伝導率が高くなる。
また、特許文献3には、送受信モジュールと冷却部との間にL字形状の高熱伝導部材を配置することにより、送受信モジュールから発せられた熱を低熱抵抗で冷却部に熱輸送するフェーズド・アレイ・アンテナが開示されている。
特開2016−163304号公報 特開2012−235036号公報 特開2018−186542号公報
高周波デバイスを高密度に実装するため、高周波デバイスのパッケージとしては、底面に球形のはんだをアレイ状に並べて端子とするBGAが主流となっている。しかし、下面に端子が形成されているBGAパッケージを、特許文献1に記載の金属コア上に配置することはできない。また、仮に配置したとしても、金属コアとして使用される銅、アルミニウムは、基板面内方向の線膨張係数が半導体素子にくらべて大きいことから、高周波回路基板と半導体素子の線膨張差による熱膨張と収縮の繰り返しによって、はんだにクラックが入り、断線故障が発生する可能性が高くなる。したがって、特許文献1に開示された高周波モジュールにBGAパッケージのデバイスを搭載することが困難である。
また、特許文献2に開示された構成では、発熱部品で発生した熱は、スルーホールを介して、基板反対側方向に伝達されるものの、放熱用厚銅箔層を介して基板面内方向に伝播して、ヒートシンクに到達する必要がある。このため、低熱抵抗での放熱が困難である。
また、特許文献3では、高熱伝導部材は、熱の伝導方向が異なる高熱伝導性材料層を多層化した構造を有する。このため、高価な高熱伝導材料層が多く必要となり、高熱伝導部材の加工も必要となることから、製造が複雑で製造コストが高額になる。
このように、高周波デバイスの高密度実装を実現しつつ、高周波デバイスからの熱を低コストで効率良く放熱することは困難であった。同様の問題は、高周波デバイスに限らず、発熱源が配置された回路に共通に存在する。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、発熱源から発せられる熱を、低コストで、効率良く外部へ放熱させる回路モジュールを得ることを目的とする。
本発明に係る回路モジュールは、一主面に発熱体を搭載した回路基板と、回路基板を支持する筐体と、回路基板の他主面に配置され、面内方向に熱を拡散する放熱シートを備え、発熱体が発する熱を筐体に伝える熱伝導部と、を有する。
面内方向に高い熱伝導性能を有する放熱シートによって、発熱体で発生した熱は、放熱シートで面内方向に拡散してから筐体に伝熱される。これにより、熱抵抗を低下させることができ、熱を、効率良く放熱することができる。
本発明の実施の形態1に係る高周波モジュールの断面図であり、図2のI−I断面図 本発明の実施の形態1に係る高周波モジュールの平面図 図1及び図2に示す高周波デバイスの底面図 図1及び図2に示すプリント基板の表主面の構成図 図1及び図2に示す放熱シートの断面図 本発明の実施の形態2に係る高周波モジュールの断面図
以下、本発明の実施の形態に係る回路モジュールを、アンテナ装置用の高周波モジュールを例に、図面を参照して説明する。
(実施の形態1)
実施の形態1に係る高周波モジュール10を、図2に示す平面図と図2のI−I線断面図に相当する図1とを参照して説明する。
図示するように、高周波モジュール10は、高周波デバイス1と、高周波デバイス1が配置されたプリント基板2と、プリント基板2の下面に配置された放熱シート3と、金属筐体4と、ヒートシンクとして機能する冷却構造部6と、金属筐体4の熱を冷却構造部6に伝達する熱伝導材5とを備える。
高周波デバイス1は高周波信号を処理する機能を有した半導体部品であり、動作することにより発熱する発熱体の一例である。本実施の形態においては、高周波モジュール10は、例えば、アンテナの送信信号又は受信信号を増幅する高周波増幅器を備える。高周波デバイス1は、図3に底面図を示すように、底面中央部に円形の放熱パッド1a、その周囲に接続パッドがマトリクス状に配置された構造を有する。各接続パッドは、はんだボール1bによりプリント基板2上の対応する接続パッドに接続される。放熱パッド1aは、例えば、窒化ガリウム(GaN)を用いた半導体チップがマウントされたリードフレームと一体に形成され、はんだにより後述する銅インレイ11に接続される。なお、放熱パッド1aは、接地され、基準電圧が印加されることが望ましい。
図1及び図2に示すプリント基板2は、回路基板の一例であり、実装面である一主面に高周波デバイス1が配置されている。図4に示すように、高周波デバイス1の表面の配置予定領域に放熱パッド1aと同一径の開口2aが形成され、その周囲に、高周波デバイス1の接続パッドに対向する接続パッド2bが形成されている。また、プリント基板2の表面、裏面、内部等には、高周波回路を形成するプリント配線が形成され、さらに、信号処理に必要な、抵抗、コンデンサ等の電子部品7が配置されている。
プリント基板2の開口2aには、銅インレイ11が配置されている。銅インレイ11は、熱伝導性の高い銅から、プリント基板2と同一の厚さに形成され、プリント基板2の開口2aに圧入されている。
銅インレイ11と高周波デバイス1の放熱パッド1aとは、図1に示すように、はんだ層1cにより接続されている。
放熱シート3は、厚み方向に比べて面内方向に高い熱伝導率をもつ高熱伝導材で形成されている。放熱シート3の面内方向の熱伝導率は、厚さ方向の熱伝導率よりも80倍以上、望ましくは150倍以上、さらに望ましくは300倍である。放熱シート3の表面は銅めっきされ、放熱シート3の表面と銅インレイ11は、はんだ層1cで接続されている。なお、プリント基板2の他主面である裏面の放熱シート3と対向する部分にははんだ付け用の銅薄膜がプリントされており、放熱シート3がはんだ付けされている。
放熱シート3の裏面は、熱伝導部材である熱伝導グリス層12により金属筐体4の底面部4aに接続されている。放熱シート3の面積は、銅インレイ11の面積より大きく、望ましくは、2倍以上、さらに望ましくは5倍以上である。熱伝導グリス層12の面積は、放熱シート3の面積と同等以上である。
図5に、放熱シート3の構成例を示す。図5に断面で示すように、放熱シート3は、面内方向に高い熱伝導率をもつグラファイトシート31の積層体と、これらを包含する銅めっき層32とを備える。この構成より、厚み方向に比べ、面内方向に高い熱伝導性が得られる。具体的には、グラファイトシート31は、面内方向に1500〜1700W/m・K程度の高い熱伝導率を有しており、厚み方向は積層数によるが、5〜10W/m・K程度の熱伝導率を有する。
プリント基板2の裏面に形成されたはんだ層、放熱シート3、熱伝導グリス層12は、発熱体である高周波デバイス1で発生した熱を金属筐体4に伝える伝導部を構成する。
金属筐体4は、アルミニウム、銅などの高伝熱性の金属を含む材料から形成された筐体である。金属筐体4は、プリント基板2に平行な底面部4aと、底面部4aに対し垂直方向に立設された放熱部4bを備える。
底面部4aは、プリント基板2を支持するための部材である。プリント基板2は、ねじ13により、底面部4aに形成された支持部4cに固定される。底面部4aは、熱伝導グリス層12を介して高周波デバイス1から伝達された熱を放熱部4bに伝達する機能も備える。
放熱部4bは、底面部4aから伝達された熱を冷却構造部6に伝達するための部材である。放熱部4bを立設することにより、金属筐体4の占有面積を抑えつつ冷却構造部6との接触面積を大きく確保することが可能となる。
冷却構造部6は、金属材料から形成され、内部には冷媒の流路を備え、熱を冷媒に伝達し、放熱する。冷却構造部6と金属筐体4の放熱部4bの間には、熱伝導材5が配置され、放熱部4bに伝達された熱を冷却構造部6に伝達する。
冷却構造部6の高周波モジュール10と反対面側にはアンテナ部22が形成されている。アンテナ部22は多数の素子アンテナを備える。1つのアンテナに高周波モジュール10が複数台並んで接続されている。冷却構造部6には、高周波デバイス1とアンテナ部22とを電気的に接続するための貫通穴が存在し、この貫通穴を介して、素子アンテナと高周波モジュール10とは接続されている。
高周波モジュール10の動作を説明する。
高周波モジュール10は、例えば、送信信号を変調及び増幅して、アンテナ部22に供給し、アンテナ部22に配置されたアンテナより放射する。
また、高周波モジュール10は、例えば、アンテナ部22のアンテナで受信した信号を周波数変換、復調、増幅して、外部回路に出力する。
このような信号処理動作の過程で、高周波デバイス1は、発熱する。以下、高周波モジュール10の熱的性能について説明する。
高周波デバイス1で発生した熱は、高周波デバイス1の放熱パッド1aにはんだで接続された銅インレイ11を介して、プリント基板2裏面に伝熱される。高周波デバイス1と熱伝導率の高い銅インレイ11が接続されることで、高周波デバイス1で発生した熱は、低い熱抵抗でプリント基板の裏面まで伝熱される。
プリント基板2裏面に伝熱された熱は、プリント基板裏面と接続する放熱シート3に伝熱される。放熱シート3は、その厚さ方向と比較して面内方向の熱伝導率が格段に高いため、放熱シート3に伝熱された熱は、放熱シート3の面内方向に拡散される。これにより、プリント基板2の裏面の局所的な温度上昇を抑制でき、プリント基板2と金属筐体4との間の熱抵抗を下げることができる。放熱シート3によって拡散された熱は、熱伝導グリス層12を介して金属筐体4に伝熱される。
ここで、放熱シート3を備えない場合と放熱シート3を備える場合における、プリント基板2と金属筐体4との間の熱抵抗の違いについて説明する。熱抵抗Rは以下の数式で計算できる。
R(K/W)=L/(λ*S)
ここで、R:熱抵抗(K/W)、L:熱経路の距離(m)、λ:熱伝導率(W/m・K)、S:熱経路の断面積(m)。
放熱シート3を備えない場合、高周波デバイス1は、はんだ及びプリント基板2に充填された銅インレイ11を介して、熱伝導グリス層12に熱接続される。例えば、銅インレイ11の直径が5mm、プリント基板2と金属筐体4の間隔を100μmとすると、熱経路として有効な熱伝導グリス層12は直径5mmで、高さ100μmの円柱形状となる。熱伝導グリス層12の熱伝導率が3W/m・Kとすると、この場合の熱抵抗Rは1.7(K/W)となる。
高周波デバイス1の発熱が10Wとすると、放熱シート3を取り付けない実施の形態の場合の温度上昇は17Kとなる。
放熱シート3を備える場合、高周波デバイス1で発生した熱は、はんだ及び銅インレイ11を介して放熱シート3に運ばれ、放熱シート3の面内方向の熱伝導性により、拡散される。放熱シート3の外形は、1辺が10mmの正方形とし、熱経路の距離は放熱シート3を取り付けない実施の形態の場合と同様に100μmとして、熱抵抗を概算すると、実施の形態1における熱抵抗は0.33(K/W)となる。
高周波デバイス1の発熱が10Wとすると、熱経路での温度上昇は3.3Kとなり、放熱シート3を取り付けない場合の温度上昇と比較して、13.7K低下する効果を得ることができる。
放熱シート3の厚みによって熱の拡散性能に差が出るが、面内方向に1500〜1700W/m・Kといった高い熱伝導率のグラファイト系材料等を用いれば、厚みは20〜30μmで十分な熱拡散能力を有する。
なお、熱伝導グリス層12の熱経路の距離Lを小さくすることでも熱抵抗を小さくし、温度上昇を抑えることが可能である。しかしながら、この距離を小さくしすぎると、温度変化の繰り返しにより、金属筐体4、プリント基板2が膨張収縮を繰り返し、熱伝導グリス層12が抜けてしまうポンプアウト現象が起きやすくなる。そこで、熱伝導グリス層12のポンプアウト現象の発生を抑制するためには一定の厚みを有することが必要となる。実験によれば、ポンプアウト現象を避ける観点からは、熱経路の距離Lは、50μm以上が望ましく、80μm以上がより望ましい。したがって、上記の効果試算では熱伝導グリス層12の熱経路の距離Lを100μmとしている。
このように、プリント基板2の裏面に面内方向に高い熱伝導率を持つ放熱シート3を設置することにより、高周波デバイス1で発生した熱は、放熱シート3にて熱拡散されてから、熱伝導グリス層12を介して金属筐体4の底面部4aに伝熱される。これにより、プリント基板2の裏面の局所的な温度上昇を抑制でき、プリント基板2と金属筐体4との間の熱抵抗を下げ、高周波デバイス1の温度上昇を防ぐことができる。
金属筐体4に伝熱された熱は、金属筐体4の放熱部4bから熱伝導材5を介して、冷却構造部6に伝熱される。冷却構造部6に伝熱された熱は、冷却構造部6内部の冷媒によって熱輸送されて冷却される。
(実施の形態2)
上記実施の形態においては、放熱シート3をプリント基板2と金属筐体4の底面部4aとの間に配置したが、その配置位置は任意である。以下、放熱シート3の変形例を備える実施の形態2に係る高周波モジュール10Aを説明する。
図6に示すように、本実施の形態の放熱シート3Aは、熱伝導材5を介して冷却構造部6と接続する熱接続部23を備える。放熱シート3の熱接続部23と冷却構造部6を熱接続することで、放熱シート3から冷却構造部6に直接熱を伝熱させることができる。これにより、高周波モジュール10Aは、実施の形態1で説明した熱経路に加えて、放熱シート3Aから直接冷却構造部6までの熱経路を持つことになるため、高周波デバイス1から冷却構造部6までの熱抵抗を実施の形態1よりも下げることができる。従って、さらなる高発熱なデバイスを搭載するような高出力な高周波モジュールに対して有効である。
放熱シート3Aの構成は、図3に例示した構成と同一でよい。この場合、放熱シート3Aのめっきを含めた厚みは30〜40μmであり、放熱シート3Aを自在に変形し、折り曲げることができ、放熱シート3Aを必要な形状に加工することができる。
また、放熱シート3Aの熱接続部23は、金属筐体4の放熱部4bの放熱面と熱接続部23をエポキシ接着剤で点接着することで仮止めした後、金属筐体4の放熱部4bを冷却構造部6に押し付ける力で取り付けることができる。これにより、放熱シート3Aの熱接続部23は、金属筐体4の放熱部4bと熱伝導材5に挟まれて、固定される。
(実施の形態3)
実施の形態1および実施の形態2におけるプリント基板2と放熱シート3、3Aは、はんだではなく、高熱伝導接着剤を用いて接続しても良い。プリント基板2の実装面と反対の面に部品がなく、プリント基板2の実装面にのみデバイス、その他の部品を実装する場合は、プリント基板2と放熱シート3の接続に高熱伝導接着剤が用いられることによって、リフロー工程を削減することができる。
この発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。
例えば、上記実施の形態においては、発熱素子として、高周波デバイス1を示したが、例えば、所謂パワー半導体などの大電力デバイス等でもよい。
薄い円柱状の銅インレイ11を例示したが、材質は銅、アルミニウムなどの高熱電性の材料であればなんでもよい。また、平面形状は、円形に限定されず、楕円でも、方形でもよい。
高周波デバイス1として、放熱パッド1aを有する例を示したが、放熱パッドを備える必要はない。高周波デバイス1のパッケージとして、BGA(Ball Grid Array)タイプのものを例示したが、LGA(Land Grid Array)タイプ、DIP(Dual Inline Package)タイプ等への適用も可能である。
回路基板として、プリント基板2を例示したが、電気・電子回路を形成可能ならばその構造は任意である。
1 高周波デバイス、1a 放熱パッド、1b はんだボール、1c はんだ層、2 プリント基板、2a 開口、2b 接続パッド、3、3A 放熱シート、4 金属筐体、5 熱伝導材、6 冷却構造部、7 電子部品、10、10A 高周波モジュール、11 銅インレイ、12 熱伝導グリス層、13 ねじ、22 アンテナ部、23 熱接続部、31 グラファイトシート、32 銅めっき層、4a 底面部、4b 放熱部、4c 支持部。

Claims (8)

  1. 一主面に発熱体を搭載した回路基板と、
    前記回路基板を支持する筐体と、
    前記回路基板の他主面に配置され、面内方向に熱を拡散する放熱シートを備え、前記発熱体が発する熱を前記筐体に伝える熱伝導部と、
    を有する回路モジュール。
  2. 前記放熱シートは、厚み方向に比べて面内方向に80倍以上の熱伝導率を有する、
    請求項1に記載の回路モジュール。
  3. 前記放熱シートは、グラファイトシートの積層体と表面を覆う銅めっき層とを備える、
    請求項1又は2に記載の回路モジュール。
  4. 前記回路基板は、前記発熱体直下に開口を有し、
    前記開口内に熱伝導性のインレイが配置されている、
    請求項1から3のいずれか1項に記載の回路モジュール。
  5. 前記放熱シートの面方向の面積は、前記インレイの面方向の面積の2倍以上である、
    請求項4に記載の回路モジュール。
  6. 前記筐体は、金属から形成され、前記回路基板を支持する底面部と、前記底面部に立設された放熱部とを有し、
    前記放熱シートが、前記放熱部の放熱面に接続された熱接続部を備える、
    請求項1から5のいずれか1項に記載の回路モジュール。
  7. 前記回路基板の他主面と、前記放熱シートとが、はんだ又は熱伝導接着剤により接着される、
    請求項1から6のいずれか1項に記載の回路モジュール。
  8. 前記放熱シートと前記筐体とは、熱伝導グリス層により接続され、前記熱伝導グリス層は、50μm以上の厚さを有する、
    請求項1から7のいずれか1項に記載の回路モジュール。
JP2019094221A 2019-05-20 2019-05-20 回路モジュール Pending JP2020191316A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019094221A JP2020191316A (ja) 2019-05-20 2019-05-20 回路モジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019094221A JP2020191316A (ja) 2019-05-20 2019-05-20 回路モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020191316A true JP2020191316A (ja) 2020-11-26

Family

ID=73453887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019094221A Pending JP2020191316A (ja) 2019-05-20 2019-05-20 回路モジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2020191316A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6040624A (en) Semiconductor device package and method
US20070090517A1 (en) Stacked die package with thermally conductive block embedded in substrate
WO2010050087A1 (ja) 積層型半導体装置及びその製造方法
KR20060051982A (ko) 반도체 장치 및 전자기기
JP2006073651A (ja) 半導体装置
WO2018168591A1 (ja) モジュール
US11497119B2 (en) Carrier substrate, an electronic assembly and an apparatus for wireless communication
JP2011108924A (ja) 熱伝導基板及びその電子部品実装方法
US9621196B2 (en) High-frequency module and microwave transceiver
KR20140078547A (ko) 칩 방열 구조
KR20160038304A (ko) 회로기판
JP5577694B2 (ja) 部品内蔵モジュール
JP6719400B2 (ja) 半導体パッケージ
US6778398B2 (en) Thermal-conductive substrate package
US20130094152A1 (en) Electronic device and heat sink employing the same
WO2018216627A1 (ja) 電子機器
JP2014135418A (ja) 車載用電子制御装置
JP5115200B2 (ja) 電子素子、それを有するパッケージ及び電子装置
JP2812014B2 (ja) 半導体装置
JP6686467B2 (ja) 電子部品放熱構造
JP2011077075A (ja) 発熱性電子素子内蔵のモジュール基板及びその製造方法
JPH05259669A (ja) 印刷配線基板の放熱構造
JP2020191316A (ja) 回路モジュール
JP2006324646A (ja) モジュール基板
JP6633151B2 (ja) 回路モジュール