KR20080063783A - 평면 자기 소자 및 그것을 이용한 전원 ｉｃ 패키지 - Google Patents

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데쯔오 이노우에
아끼라 사또오
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가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

자성 분말(7)과 수지의 혼합물로 이루어지는 제1 자성층(3)과 제2 자성층(5) 사이에 평면 코일(4)을 갖는 평면 자기 소자(1)에 있어서, 상기 평면 코일(4)의 코일 배선(4c, 4c)끼리의 간격을 W로 하는 한편, 상기 자성 분말(7)의 최대 직경을 L로 했을 때에, 관계식 W ＞ L을 만족하는 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자(1)이다. 상기 구성을 갖는 평면 자기 소자(1)에 따르면, 높은 인덕턴스치가 효과적으로 얻어지는 미세 자성 분말을 코일 배선 사이에 충전하고 있기 때문에, 특성이 우수하며 박형화한 인덕터 등의 평면 자기 소자를 실현할 수 있다.
자성 분말, 자성층, 평면 코일, 평면 자기 소자, 코일 배선

Description

평면 자기 소자 및 그것을 이용한 전원 ＩＣ 패키지 {PLANAR MAGNETIC DEVICE AND POWER SUPPLY IC PACKAGE USING SAME}
본 발명은 박형 인덕터로서 사용되는 평면 자기 소자(자기 수동 소자)에 관한 것으로, 특히 평면 코일에 발생하는 자계에 대한 투자율을 높여 인덕턴스를 향상시킨 평면 자기 소자 및 그것을 이용한 전원 IC 패키지에 관한 것이다.
최근, 각종 전자 기기의 소형화ㆍ경량화가 진전되고, 이에 수반하여 각종 디바이스가 박막 프로세스를 이용하여 제작되는 경향이 있다. 이 흐름 중에서 인덕터(리액터), 트랜스포머, 자기 헤드 등의 자기 소자도 종래 벌크 자성 재료에 권선을 행한 구조 대신에, 스파이럴 형상이나 구절양장(미란다형) 패턴을 갖는 평면 코일을 자성체로 피복한 쉘형의 구조를 갖는 평면 자기 소자(평면 인덕터)가 제안되고, 디바이스의 소형 박형화가 시행되고 있다(예를 들어, 비특허 문헌 1 참조).
한편, 소형 전자 기기용의 DC-DC 컨버터의 예에 보여지는 바와 같이, 기기의 소형 경량화를 실현하기 위해 ㎒ 이상의 높은 동작 주파수에서 동작시키고자 하는 기술적 요구가 높아지고 있다. 이와 같은 전자 기기에 있어서는 고주파용 인덕터가 하나의 중요한 요소로 되어 있고, 이하와 같은 특성이 요구되고 있다.
(1) 소형 박형인 것.
(2) 주파수 특성이 양호한 것.
(3) 적당한 전력 용량을 갖는 것.
일반적으로 소형 인덕터 소자로서는, 벌크 페라이트에 코일을 권취한 것이나 도포형의 페라이트 재료와 도포형의 도체 재료를 일체로 소성한 것이 실용화되고 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조). 전자는, 벌크 페라이트 코어를 소형ㆍ박형화하는데 수반하여 표면 열화층이 총 체적에 점유하는 비율이 커져, 투자율을 비롯한 특성이 열화되어, 저손실이며 고인덕턴스의 인덕터 소자를 실현할 수 없게 된다. 또한, 후자는 코일을 스파이럴형이나 토로이달형을 형성하도록 패터닝하여 도포하고, 이들 코일에 의해 연자성체가 여자되도록 페라이트를 도포하고, 마지막으로 이들을 소결하여 제작되고 있다. 예를 들어 토로이달형의 인덕터에서는 페라이트와 도체를 교대로 패턴화하여 도포하는 공정을 거쳐 제조되고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 제2002-299120호 공보
비특허 문헌 1 : IEEE Trans.Magn.MAG-20, No.5, pp.1804-1806
그러나, 상기 종래의 인덕터에 이용되는 연자성 재료는 대체로 투자율이 낮기 때문에, 높은 인덕턴스치가 얻어지기 어려운 결점이 있었다. 한편, 이 결점을 보충하기 위해 다량의 자성 재료를 이용하면 인덕터 등의 자기 소자의 박형화에는 한계가 있어, 부품의 고밀도 실장화에 따른 기기의 소형화가 곤란해진다고 하는 문제점을 발생시키고 있었다.
본 발명은 상기와 같이 투자율이 낮기 때문에 다량의 자성재 양을 사용할 필요가 있다고 하는 종래의 상황에 비추어, 높은 인덕턴스치가 효과적으로 얻어지는 배치 구조를 채용함으로써 박형화한 인덕터 등의 평면 자기 소자를 실현하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명자들은 특히 높은 인덕턴스치가 얻어지는 자성 분말의 치수 형상 및 배치 구조를 예의 연구하고, 실험에 의해 그들의 요인(factor)이 자기 소자 특성에 미치는 영향을 확인했다. 그 결과, 코일 배선끼리의 간격과, 자성 분말의 최대 직경을 소정의 관계로 되도록 조정하여 코일 배선 사이에 충전하거나, 또는 평면 코일과 그 상하에 형성되는 자성층 사이에 절연층을 형성하지 않고, 자성층에 함유되는 자성 분말이 직접 평면 코일에 접촉하거나, 또는 거리 1 ㎛ 이하로 근접하도록 형성하여 박형 인덕터를 구성했을 때에, 코일에 발생하는 자계에 대한 투자율을 효과적으로 향상시킬 수 있어, 인덕턴스치가 향상된 박형 인덕터가 처음으로 실현된다고 하는 지견이 얻어졌다. 특히, 평면 코일과 그 상하에 형성되는 자성층 사이에 절연층을 배치하지 않는 경우에는, 상하의 자성층을 관통하는 자속(磁束)이 많아져, 인덕턴스치를 높게 할 수 있는 것이 판명되었다. 본 발명은 이들 지견을 기초로 하여 완성된 것이다.
즉, 본 발명에 관한 평면 자기 소자는, 자성 분말과 수지의 혼합물로 이루어지는 제1 자성층과 제2 자성층 사이에 평면 코일을 갖는 평면 자기 소자에 있어서, 상기 평면 코일의 코일 배선끼리의 간격을 W로 하는 한편, 상기 자성 분말의 최대 직경을 L로 했을 때에, 관계식 W ＞ L을 만족하는 것을 특징으로 한다.
상기 평면 자기 소자에 있어서, 평면 코일의 코일 배선끼리의 간격(W)이라 함은, 도1 내지 도5에 도시하는 바와 같이, 임의의 코일 배선으로부터 대향하는 코일 배선으로 직선을 그었을 때의 거리이며, 인접하는 코일 배선 사이의 간극의 폭이다. 또한, 코일 배선이 L자형으로 굴곡하고 있는 부분은, 상기 간격(W)의 측정 대상으로는 하지 않는다.
또한, 코일 배선끼리의 간극에 충전된 자성 분말의 최대 직경(L)은, 하기와 같이 측정된다. 즉, 도7에 도시하는 바와 같이 평면 코일(4)의 코일 배선(4c, 4c) 사이에 형성된 자성층의 확대 사진을 촬영하여, 관찰되는 개개의 자성 분말(7) 중에서 가장 큰 직경을 측정한다(도6 참조). 이 측정 작업을 상기 표면의 임의의 3군데에서 행하고, 그 측정치에서 가장 큰 값을 자성 분말의 최대 직경(L)으로 한다.
또한, 자성 분말을 가스 물 아토마이즈법 등에 의해 조제한 단계에 있어서는, 조제한 자성 분말을 체에 친 후의 최대 직경(L)은, 이용한 체의 눈금 값에 상당한다.
상기 평면 자기 소자에 있어서, 상기 자성 분말의 최대 직경(L)이 코일 배선끼리의 간격(W) 이상(W ≤ L)인 경우에는, 자성 분말이 코일 배선 사이에 충전되지 않고, 또한 충전되어도 배선 간극의 길이 방향으로 자성 분말의 장축이 배치되기 때문에, 코일 사이에 충전된 자성 분말이 코일에 의해 형성되는 자기장에 의해 영향을 받기 쉬워져 평면 코일의 인덕턴스치가 저하되기 쉬워진다. 따라서 자성 분말의 최대 직경(L)은, 코일 배선끼리의 간격(W)보다 작은 범위로 된다. 상기 최대 직경의 범위 내에 있어서 평면 자기 소자의 인덕턴스를 높게 하는 것이 가능해진다.
상기 자성 분말 및 각 자성층을 구성하는 자성 재료로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 순철, 센더스트(Fe-5.5Al-10Si) 외에, 퍼멀로이(Fe-78.5Ni) 등의 Fe-Ni계 합금, Co계 아몰퍼스 합금, Fe계 아몰퍼스 합금, 규소강(Fe-5.5Si) 등의 금속 연자성 재료나 페라이트 등의 산화물을 사용할 수 있다. 아몰퍼스 합금으로서는, 일반식(M1-aM'a)100 -bXb(단, M은 Fe, Co로부터 선택된 적어도 1종의 원소이고, M'는 Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Ta 및 W로부터 선택된 적어도 1종의 원소이고, X는 B, Si, C 및 P로부터 선택된 적어도 1종의 원소를 나타내고, a 및 b는 각각 0 ≤ a ≤ 0.15, 10at％ ≤ b ≤ 35at％를 만족함)로 나타내어지는 조성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 비용면을 고려하면 센더스트나 Fe계 아몰퍼스 합금과 같이 Fe 베이스의 재료가 바람직하다.
상기 평면 코일은, 도1에 도시하는 바와 같은 각형 스파이럴 형상 내지는 도4에 도시하는 바와 같은 구절양장 형상으로 형성한 미앤더형(meander) 코일 또는 도5에 도시하는 바와 같은 둥근형 스파이럴 형상으로 전개하는 등과 같이, 인접하는 도체 코일이 나란히 주행하는 형상의 평면 코일이면 동일한 인덕턴스 증대 효과가 얻어진다. 상기 평면 코일의 두께(높이)는 10 내지 200 ㎛ 정도로 조정된다.
또한 상기 평면 자기 소자에 있어서, 상기 각 자성층 중에 함유되는 자성 분말과 상기 평면 코일이 접촉하고 있거나, 또는 거리 1 ㎛ 이하로 근접하고 있는 것이 바람직하다. 즉, 자성층에 함유되는 자성 분말이 직접 평면 코일에 접촉하거나, 또는 거리 1 ㎛ 이하로 근접함으로써, 코일에 발생하는 자계에 대한 투자율을 효과적으로 향상시킬 수 있어, 인덕턴스치가 향상된 박형 인덕터가 실현된다.
또한 상기 평면 자기 소자에 있어서, 상기 평면 코일의 코일 배선끼리의 간격을 W로 하는 한편, 상기 자성 분말의 최대 직경을 L로 했을 때에, 관계식 W ＞ 2L을 만족하는 것이 바람직하다. 이 자성 분말의 최대 직경(L)이 관계식 W ＞ 2L을 만족하도록 자성 분말을 더욱 미세하게 조제함으로써, 자성 분말이 코일 배선 사이에 효과적으로 충전되는 결과, 코일에 발생하는 자계에 대한 투자율을 효과적으로 향상시킬 수 있어, 코일의 인덕턴스치를 더욱 향상시킬 수 있다.
또한 상기 평면 자기 소자에 있어서, 상기 자성 분말의 평균 입경이 80 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 자성 분말의 평균 입경이 80 ㎛를 초과하도록 조대해지면, 코일 배선 사이의 공극부에 자성 분말이 충분히 충전되기 어려워지는 동시에, 코일 배선 사이의 자성체의 분말 충전율이 저하되어 인덕턴스의 향상은 기대할 수 없다. 그로 인해, 자성 분말의 평균 입경은 80 ㎛ 이하로 되나, 50 ㎛ 이하, 또는 35 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 그러나, 이 평균 입경(D)이 0.5 ㎛ 미만에서는 자성 분말이 과도하게 미세하여 취급이 어렵다. 구체적으로는, 표면 산화층이나 표면 열화층을 발생하여 자기 특성 열화나, 열 진동에 의한 자기 특성 열화를 발생하기 쉽다. 또한, 페이스트로 했을 때에 분말이 균일하게 혼합되기 어려운 등의 난점이 있다.
또한 상기 평면 자기 소자에 있어서, 상기 평면 코일의 코일 배선끼리의 간극으로의 상기 자성 분말의 충전율이 30 vol％ 이상인 것이 바람직하다. 이 코일 배선끼리의 간극으로의 자성 분말의 충전율이 30 vol％ 미만으로 과소해지면, 평면 자기 소자의 인덕턴스가 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상기 자성 분말 충전율은 30 vol％ 이상이 바람직하나, 또한 50 vol％ 이상이 바람직하다.
또한 상기 평면 자기 소자에 있어서, 상기 평면 코일의 코일 배선끼리의 간격을 W로 했을 때, 길이 W의 선분 중에 포함되는 자성 분말의 개수가 3개 이상인 것이 바람직하다. 이 자성 분말의 개수는 도7에 도시하는 바와 같이 측정된다. 즉, 코일 배선(4c, 4c) 사이의 간극부의 폭 W에 상당하는 길이를 갖는 선분 중에 일부에서도 포함되는 자성 분말(7)의 수가 계수된다. 도7에 있어서는 선분에 포함되는 자성 분말(7)의 개수는 5이다. 코일 배선 간격과의 관계에서 상기 자성 분말의 개수가 2개 이하인 경우에는, 자성층의 분말 충전율이 낮기 때문에 충분한 자기 특성이 얻어지지 않다. 따라서, 상기 코일 배선 사이에 직선 상에 배치되는 자성 분말의 개수는 3 이상으로 되나, 5개 이상이 더욱 바람직하다.
또한 상기 평면 자기 소자에 있어서, 상기 자성 분말(입자)은, 아몰퍼스 합금, 평균 결정 입경이 2 ㎛ 이하인 Fe기 미세 결정 합금, 페라이트의 적어도 1종의 자성 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 자성 재료로 이루어지는 자성 입자를 코일 간극에 충전함으로써, 투자율이 높아져 평면 자기 소자의 인덕턴스치를 높일 수 있다. 이때, 제1 자성층 또는 제2 자성층에 이용한 자성 분말을 이용하면 제조성이 향상된다.
또한 상기 평면 자기 소자에 있어서, 상기 평면 자기 소자의 전체 두께가 0.4 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 본 발명에서는 평면 자기 소자와 IC 칩을 동일 패키지 내에 수용하여, 보다 소형인 회로 부품을 실현하는 것을 목적으로 하고 있어, 반도체 칩과 동일한 높이 미만이 아니면 원 패키지화(one package)하는 장점이 없어진다. 이로 인해, 평면 자기 소자의 두께는 높아도 반도체 소자 펠릿의 일반적인 높이 0.625 ㎜ 미만, 바람직하게는 0.4 ㎜ 이하가 요구된다. 특히 평면 자기 소자의 두께를 0.4 ㎜ 정도 이하로 함으로써, 후술의 도8 내지 도10에 도시하는 바와 같은 적층 타입의 원 패키지화가 가능해진다. 상기 평면 자기 소자를 구성하는 제1 자성층과 제2 자성층의 두께는 각각 50 내지 200 ㎛ 정도로 설정하면 좋다.
또한 상기 평면 자기 소자에 있어서, 상기 평면 코일은 금속 분말의 저온 소성체로 이루어지는 것이 바람직하다. 금속 분말로서는, Cu, Ag, Au, Pt, Ni, Sn, 그 밖의 도전성 분말이 이용되고, 특히 도전성 및 경제성의 관점으로부터 Cu, Ag가 바람직하다. 평면 코일은, 상기 금속 분말과 수지와 용매의 혼합물을 소정 패턴으로 도포한 후에 자연 건조시키거나, 용매 기화 온도 내지는 그 이상의 온도로 가열하거나, 환원 등의 반응을 포함하는 가열 조작을 실시하여 코일로서 고화시켜 형성된다.
상기 평면 코일은, 금속 분말(도전성 분말)과 수지 바인더와의 혼합물을 건조나 가열에 의해 고화한 것, 스퍼터나 도금 등의 성막 기술에 의해 성막한 것 등을 적절하게 사용할 수 있다. 금속 분말과 수지 바인더의 혼합물을 이용한 쪽이 저렴하게 제작할 수 있으므로 바람직하다. 또한, 도전성 금속박을 에칭에 의해 형성, 또는 형(型)에 의해 소정 형상으로 펀칭한 것을 사용해도 좋다.
평면 코일 배선의 폭, 높이(두께), 간격(간극)은 코일의 특성에 영향을 미치는 요인으로, 배선 밀도를 높여 배선의 폭 및 두께를 가급적 크게 설정하고, 또한 배선의 간격은 상호 절연성을 유지하는 범위에서 가급적 작게 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 코일 배선의 높이(두께)는 20 ㎛ 이상, 바람직하게는 40 ㎛ 이상이 바람직하다. 얇으면 코일 저항이 커져 높은 성능 지수(Q값 : Quality factor)가 얻어지지 않다. 요구되는 성능에 따라서 가급적 두껍게 하는 것이 바람직하다. 또한 상기와 같이, 코일 배선의 간격은 좁을수록 좋다. 배선 간격이 넓으면 디바이스 사이즈가 증가하고, 또한 코일 길이가 길어지기 때문에 코일 직류 저항이 커져, 성능 지수(Q값)가 저하된다. 따라서, 배선 간격(W)은 200 ㎛ 이하가 적절하다. 또한, 배선 간격(W)의 최소치는 10 ㎛ 이상이 바람직하다. 배선 간격(W)이 10 ㎛ 미만에서는 균일한 가공이 곤란해져 배선의 쇼트 등의 수율이 저하될 우려가 있다.
또한 상기 평면 자기 소자에 있어서, 상기 자성층은 수지 바인더를 20 질량％ 이하 혼합한 자성 혼합물인 것이 바람직하다. 또한, 상기 수지 바인더로서는, 셀룰로오스계, 클로로프레인 고무계, 니트릴 고무계, 폴리술파이드계, 부타디엔 고무계, SBR계, 실리콘 고무계 등의 엘라스토머, 아세트산 비닐계, 폴리비닐알코올계, 폴리비닐아세탈계, 염화비닐계, 폴리스티렌계, 폴리이미드계 등의 열가소성 수지 등의 유기물, 에폭시계 수지 등의 열경화성 수지의 유기물, SiO2 등의 무기물 등을 이용할 수 있다.
상기와 같은 평면 자기 소자는, 예를 들어 다음과 같은 공정을 거쳐 제조된다. 즉, 소정의 최대 직경(L) 및 평균 입경(D)을 갖는 자성 분말에 비히클을 혼합하여 페이스트를 조제하고, 이 페이스트를 이용하여 기체 상에 소정 치수로 인쇄하여 제1 자성층을 조제한다.
그 제1 자성층 상면에, 예를 들어 Ag 페이스트나 Cu 페이스트 등의 도전성 금속 페이스트를 사용하여 각형 스파이럴형 또는 미앤더 형상 혹은 둥근형 스파이럴형으로 패턴화하여 평면 코일을 인쇄한다. 평면 코일은 미앤더 코일과 같이 인접하는 도체 코일 배선이 나란히 지나는 평면 코일이면 동일한 효과를 나타낸다. 또한, 상기 평면 코일은 상기 금속 페이스트를 인쇄하는 방법 이외에, 도금법, 도체 금속박의 펀칭법, 도체 금속박의 에칭법, 스퍼터법, 증착법 등의 기상 성장법 등, 낮은 체적 저항율의 평면 코일을 실현할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다.
그리고 상기 평면 코일 형성 후에, 이 평면 코일을 피복하도록 소정의 패턴 및 두께로 제2 자성층을 인쇄함으로써, 상기 평면 코일이 제1 및 제2 자성층에 의해 피복된 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터가 형성된다. 이때, 제2 자성층의 자성 패턴에는, 코일 단자부에 상당하는 부위에 개구를 형성한다.
상기 평면 코일의 상하면에 자성층을 형성하는 방법으로서는, 자성체의 박판을 절연성 접착제로 접착하는 방법, 자성 분말을 수지 중에 분산한 자성체 페이스트를 도포 건조하는 방법, 상기 자성체의 도금을 실시하는 방법 등이 있고, 이들을 조합해도 좋다.
본 발명에 관한 전원 IC 패키지는, 상기와 같이 조제한 평면 자기 소자와, 제어 IC, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등의 반도체 칩을 동일 기판 또는 동일 패키지 상의 평면 방향 또는 높이 방향으로 실장하여 형성된다. 특히 상기 전원 IC 패키지는, 동일 기판 상에 평면 자기 소자와 IC 칩을 일체로 실장한 IC 일체형인 것이 디바이스의 소형화에 유효하다. 또한, 복수의 반도체 칩과 능동 소자를 일체화하여 원 패키지화하는 것도 가능하다. 예를 들어, DC-DC 컨버터 등의 전원 기능을 조립한 패키지로 해도 좋다, 외장으로 캐패시터 등을 배치함으로써 동일한 전원 기능을 갖게 할 수 있다.
상기 구성에 관한 평면 자기 소자에 따르면, 자성 분말의 최대 직경(L)이 코일 배선끼리의 간격(W)보다 작기(W ＞ L) 때문에, 자성 분말이 코일 배선 사이에 효과적으로 충전되고, 또한 코일 사이에 충전된 자성 분말이 가급적 등방 형상이기 때문에, 코일에 의해 형성되는 자기장 방향의 영향을 받기 어려워져 평면 코일의 인덕턴스치가 상승한다. 또한 코일 배선끼리의 간격(W)보다 작은 최대 직경(L)을 갖는 자성 분말이 평면 코일의 배선 사이의 간극에 충전되어 형성되어 있기 때문에, 평면 코일에 발생하는 자계에 관한 투자율을 향상시킬 수 있어, 인덕턴스가 향상된 박형 인덕터로서의 자기 소자가 실현된다.
또한, 상기와 같이 조제한 평면 자기 소자와, 제어 IC, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등의 반도체 칩을 동일 기판 또는 동일 패키지 상의 평면 방향 또는 높이 방향으로 실장하여 원 패키지화하는 것도 가능하고, 기능 소자의 고밀도 실장도 가능해져, 반도체 디바이스의 소형화 및 고기능화에 현저한 효과를 발휘한다.
도1은 코일 형상으로서 각형 스파이럴 형상을 채용한 경우에 있어서의, 본 발명의 일 실시예에 관한 평면 자기 소자의 평면도이다.
도2는 도1 또는 도5에 있어서의 Ⅱ-Ⅱ 화살표 단면도이다.
도3은 도2에 있어서의 Ⅲ부의 부분 확대 단면도이다.
도4는 코일 형상으로서 미앤더 형상을 채용한 경우에 있어서의, 본 발명의 일 실시예에 관한 평면 자기 소자의 평면도이다.
도5는 코일 형상으로서 둥근형 스파이럴 형상을 채용한 경우에 있어서의, 본 발명의 일 실시예에 관한 평면 자기 소자의 평면도이다.
도6은 도3에 도시하는 자성 입자의 치수 측정 방법을 도시하는 단면도이다.
도7은 도3에 도시하는 코일 배선 사이의 폭 W에 충전된 자성 분말의 개수를 측정하는 방법을 도시하는 단면도이다.
도8은 본 발명에 관한 평면 자기 소자와 반도체 칩을 평면 상에 배치하여 패키징한 IC 패키지의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도9는 본 발명에 관한 평면 자기 소자와 반도체 칩을 적층 배치하여 패키징한 IC 패키지의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도10은 본 발명에 관한 평면 자기 소자와 반도체 칩을 범프 방식으로 적층하여 패키징한 IC 패키지의 구성예를 나타내는 단면도이다.
다음에 본 발명의 실시 형태에 대해 첨부 도면 및 이하의 실시예를 참조하여, 더욱 구체적으로 설명한다.
[제1 내지 제5 실시예]
표1에 나타내는 조성을 갖는 각 자성 재료 분말을 체로 쳐서 선정하여 표1에 나타내는 최대 입경(L)(최대 직경) 및 평균 입경(D)을 갖는 자성 분말을 조제했다. 또한, 표1에 나타내는 최대 입경은 체의 눈금 값으로 했다. 각 자성 분말에 대해 에틸셀룰로오스 용액을 16 질량％의 비율로 혼합하여 자성 분말 페이스트를 각각 조제했다.
다음에 도3에 도시하는 바와 같이, 기체(基體)(2)로서의 두께 35 ㎛의 폴리이미드 시트에 상기 자성 분말 페이스트를 각각 사용하여 두께 150 ㎛가 되도록 인쇄 후, 온도 150 ℃에서 60분 건조함으로써 제1 자성층(3)을 제작했다.
또한, 그 제1 자성층(3)의 상면에, 도3에 도시하는 바와 같이 코일 배선의 폭(B)이 150 ㎛이며 코일 배선끼리의 간격(W)이 100 ㎛인, 즉 라인/스페이스가 150 ㎛/100 ㎛인 15턴의 평면 코일(4)로서의 스파이럴 코일을, 평균 입경 1 ㎛의 Ag 페이스트를 이용하여 두께 20 ㎛가 되도록 인쇄 후, 온도 150 ℃에서 60분 사이에 걸쳐 저온 소성하여 평면 코일(4)을 제작했다. 계속해서, 그 평면 코일(4) 상면에, 제1 자성층(3)과 동일한 방법으로 두께 150 ㎛의 제2 자성층(5)을 인쇄하여 제1 내지 제5 실시예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터(1)를 조제했다. 또한, 각 실시예에 관한 코일에 있어서는 코일 배선끼리의 간격(W)의 선분 중에 포함되는 자성 분말의 개수를 3개 이상으로 했다
[제1 내지 제5 비교예]
제1 내지 제5 실시예에 있어서 제작한 제1 자성층(3)의 상면에, 절연층으로 서의 폴리이미드 수지를 두께 10 ㎛가 되도록 바아 코터에 의해 도포했다. 다음에, 그 절연층 상면에 제1 내지 제5 실시예와 동일한 평면 코일(4)을 제작했다. 또한, 그 평면 코일(4)의 상면에 절연층으로서의 폴리이미드 수지를 두께가 10 ㎛가 되도록 도포했다. 계속해서, 그 절연층의 상면에 제1 내지 제5 실시예와 동일한 제2 자성층(5)을 인쇄함으로써, 제1 내지 제5 비교예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터를 각각 조제했다.
상기와 같이 조제된 각 실시예 및 비교예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터의 두께(H), 인덕턴스치 및 성능 지수(Q값)를 측정한 결과를 표1에 나타낸다.
여기서 표1에 있어서 인덕터 두께(H)라 함은, 도3에 도시하는 바와 같이 기체(2)가 있는 경우는 기체(2)의 하단부로부터 평면 자기 소자(1)의 제2 자성층(5) 상단부까지의 거리를 나타내는 한편, 기체(2)가 없는 경우는 평면 자기 소자(1)의 제1 자성층(3) 하단부로부터 제2 자성층(5) 상단부까지의 거리를 말한다.
또한, 박형 인덕터의 두께(H)는 미쯔도요제 마이크로미터로 측정했다. 또한 각 평면 자기 소자의 인덕턴스 및 성능 지수(Q값)는, 요꼬가와 휴렛팩커드제 임피던스 애널라이저 4192A를 사용하여, 그 여자 전압을 0.5 V로 하고, 측정 주파수를 10 ㎒로 한 조건으로 측정했다. 평가 측정 결과를 하기 표1에 나타낸다.
[표1]
Figure 112008029685507-PCT00001
상기 표1에 나타내는 결과로부터 명백한 바와 같이, 코일 배선끼리의 간격(W)보다 작은 최대 직경(L)을 갖는 자성 분말이 평면 코일(4)의 배선 사이의 간극에 충전되어 형성되어 있는 각 실시예에 관한 평면 자기 소자(1)에 따르면, 평면 코일(4)에 발생하는 자계에 대한 투자율을 향상시킬 수 있었다. 또한, 자성층(3, 5)과 평면 코일(4) 사이에 절연층이 형성되어 있지 않아, 자성 분말이 평면 코일과 충분히 근접하고 있기 때문에, 인덕턴스가 충분히 향상된 박형 인덕터로서의 평면 자기 소자(1)가 실현되었다.
한편, 자성층(3, 5)과 평면 코일(4) 사이에 절연층을 형성한 각 비교예에 관한 평면 자기 소자에서는, 상하의 자성층을 관통하는 자속의 감소 및 자성 분말(7)이 코일 배선 사이의 간극에 충분히 충전되지 않기 때문에, 인덕턴스치가 실시예와 비교하여 대폭 저하되는 것이 재확인되었다.
[제6 내지 제10 실시예]
표2에 나타내는 조성을 갖는 각 자성 재료 분말을 체로 쳐서 선정하여 표2에 나타내는 최대 입경(L)(최대 직경) 및 평균 입경(D)을 갖는 자성 분말을 조제했다. 또한, 표2에 나타내는 최대 입경은 체의 눈금 값으로 했다. 각 자성 분말에 대해 에폭시 수지 용액을 11 질량％의 비율로 혼합하여 자성 분말 페이스트를 각각 조제했다.
다음에 도3에 도시하는 바와 같이, 기체(2)로서의 두께 35 ㎛의 폴리이미드 시트에 상기 자성 분말 페이스트를 각각 사용하여 두께 100 ㎛가 되도록 인쇄 후, 온도 150 ℃에서 30분 건조함으로써 제1 자성층(3)을 제작했다.
또한, 그 제1 자성층(3)의 상면에, 도1에 도시하는 바와 같이 코일 배선의 폭(B)이 100 ㎛이며 코일 배선끼리의 간격(W)이 100 ㎛인, 즉 라인/스페이스가 100 ㎛/100 ㎛인 15턴의 평면 코일(4)로서의 스파이럴 코일을, 평균 입경 0.5 ㎛의 Ag 페이스트를 이용하여 두께 25 ㎛가 되도록 인쇄 후, 온도 200 ℃에서 30분간에 걸쳐 저온 소성하여 평면 코일(4)을 제작했다. 계속해서, 그 평면 코일(4) 상면에, 제1 자성층(3)과 동일한 방법으로 두께 100 ㎛의 제2 자성층(5)을 인쇄하여 제6 내지 제10 실시예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터(1)를 각각 조제했다. 또한, 각 실시예에 관한 코일에 있어서는 코일 배선끼리의 간격(W)의 선분 중에 포함되는 자성 분말의 개수를 3개 이상으로 했다.
[제6 내지 제10 비교예]
제6 내지 제10 실시예에 있어서 사용한 최대 입경 32 ㎛의 자성 분말 대신에, 최대 입경이 150 ㎛인 조대한 자성 분말을 사용한 점 이외에는 제6 내지 제10 실시예와 마찬가지로 처리함으로써, 제6 내지 제10 비교예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터를 각각 조제했다.
상기와 같이 조제된 각 실시예 및 비교예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터의 두께(H), 인덕턴스치 및 성능 지수(Q값)를 제1 내지 제5 실시예와 마찬가지로 하여 측정한 결과를 하기 표2에 나타낸다.
[표2]
Figure 112008029685507-PCT00002
상기 표2에 나타내는 결과로부터 명백한 바와 같이, 평면 코일(4)의 선간 거리 W보다도 큰 자성 분말(7)을 이용하여 박형 인덕터를 제작한 제6 내지 제10 비교예에 관한 박형 인덕터에 있어서는, 제6 내지 제10 실시예와 비교하여 인덕턴스치 가 저하하고 있는 것이 판명되었다.
[제11 내지 제15 실시예]
표3에 나타내는 조성을 갖는 각 자성 재료 분말을 체로 쳐서 선정하여 표3에 나타내는 최대 입경(L)(최대 직경) 및 평균 입경(D)을 갖는 자성 분말을 조제했다. 또한, 표3에 나타내는 최대 입경은 체의 눈금 값으로 했다. 각 자성 분말에 대해 폴리이미드 수지 용액을 12 질량％의 비율로 혼합하여 자성 분말 페이스트를 각각 조제했다.
다음에 도3에 도시하는 바와 같이, 기체(2)로서의 두께 35 ㎛의 폴리이미드 시트에 상기 자성 분말 페이스트를 각각 사용하여 두께 150 ㎛가 되도록 인쇄 후, 온도 150 ℃에서 30분간 건조함으로써 제1 자성층(3)을 제작했다.
또한, 그 제1 자성층(3)의 상면에, 도1에 도시하는 바와 같이 코일 배선의 폭(B)이 200 ㎛이며 코일 배선끼리의 간격(W)이 200 ㎛인, 즉 라인/스페이스가 200 ㎛/200 ㎛인 15턴의 평면 코일(4)로서의 스파이럴 코일을, 저저항 Ag 페이스트를 이용하여 두께 10 ㎛가 되도록 인쇄 후, 온도 200 ℃에서 30분간에 걸쳐 저온 소성하여 평면 코일(4)을 제작했다. 계속해서, 그 평면 코일(4) 상면에, 제1 자성층(3)과 동일한 방법으로 두께 200 ㎛의 제2 자성층(5)을 인쇄하여 제11 내지 제15 실시예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터(1)를 각각 조제했다. 또한, 각 실시예에 관한 코일에 있어서는 코일 배선끼리의 간격(W)의 선분 중에 포함되는 자성 분말의 개수를 3개 이상으로 했다.
[제16 내지 제20 실시예]
제11 내지 제15 실시예에 있어서, 자성 분말의 결합제로서 사용한 폴리이미드 수지 용액 대신에 실리콘 수지를 12 질량％의 비율로 첨가한 점 이외에는, 제11 내지 제15 실시예와 마찬가지로 제1 자성층, 평면 코일 및 제2 자성층의 형성 건조, 소성한 후에, 기체로서 사용한 폴리이미드 시트를 박리시킴으로써, 제16 내지 제20 실시예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터(1)를 각각 조제했다. 또한, 각 실시예에 관한 코일에 있어서는 코일 배선끼리의 간격(W)의 선분 중에 포함되는 자성 분말의 개수를 3개 이상으로 했다.
상기와 같이 조제된 각 실시예 및 비교예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터의 두께(H), 인덕턴스치 및 성능 지수(Q값)를 제1 내지 제5 실시예와 마찬가지로 하여 측정한 결과를 하기 표3에 나타낸다.
[표3]
Figure 112008029685507-PCT00003
상기 표3에 나타내는 결과로부터 명백한 바와 같이, 자성 분말과 혼합하는 바인더 수지의 종류 및 기체로서의 폴리이미드 시트의 유무에 관계없이, 인덕턴스 성능이 안정된 박형 인덕터가 얻어지는 것이 판명되었다.
[제21 실시예]
표4에 나타내는 조성을 갖는 자성 분말을 체로 쳐서 선정하여 표4에 나타내는 최대 입경(L)(최대 직경) 및 평균 입경(D)을 갖는 자성 분말을 조제했다. 또한, 표4에 나타내는 최대 입경은 체의 눈금 값으로 했다. 자성 분말에 대해 에틸셀룰로오스 용액을 16 질량％의 비율로 혼합하여 자성 분말 페이스트를 각각 조제했다.
다음에 도3에 도시하는 바와 같이, 기체(2)로서의 두께 20 ㎛의 PEN 시트에 상기 자성 분말 페이스트를 사용하여 두께 150 ㎛가 되도록 인쇄 후, 온도 150 ℃에서 60분간 건조함으로써 제1 자성층(3)을 제작했다.
또한, 그 제1 자성층(3)의 상면에, 평균 입경 1 ㎛의 Ag 페이스트를 이용하여 두께 30 ㎛가 되도록 인쇄 후, 온도 150 ℃에서 60분 사이에 걸쳐 저온 소성하여 평면 코일(4)을 제작했다. 이 평면 코일(4)은, 도1 및 도3에 도시하는 바와 같은 스파이럴형 평면 코일(4)로, 코일 배선의 폭(B)이 200 ㎛이며 코일 배선끼리의 간격(W)이 200 ㎛인, 즉 라인/스페이스가 200 ㎛/200 ㎛인 15턴의 평면 코일(4)로서의 스파이럴 코일을 배치했다.
다음에, 그 스파이럴 코일(4)의 상면에 제1 자성층(3)과 동일한 방법으로 두께 150 ㎛의 제2 자성층(5)을 도포 형성함으로써 제21 실시예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터(1)를 조제했다. 또한, 각 실시예에 관한 코일에 있어서는 코일 배선끼리의 간격(W)의 선분 중에 포함되는 자성 분말의 개수를 3개 이상으로 했다.
[제22 실시예]
제21 실시예에 있어서 구리박을 펀칭하여 제작된 스파이럴형 평면 코일(4) 대신에 에칭법에 의해 제작한 스파이럴 코일을 사용한 점 이외에는 제21 실시예와 마찬가지로 처리하여 제22 실시예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터(1)를 조제했다.
[제23 내지 제26 실시예]
표4에 나타내는 재료 사양 및 치수 사양으로 스파이럴 코일을 에칭 처리에 의해 형성함으로써 도1에 도시하는 바와 같은 제23 내지 제24 실시예에 관한 박형 인덕터(1)를 각각 조제했다.
[제27 내지 제28 실시예]
표4에 나타내는 재료 사양 및 치수 사양으로 제조하고, 스파이럴 코일을 미앤더형 코일로 변경한 점 이외에는 제25 내지 제26 실시예와 마찬가지로 처리하여 도4에 도시하는 바와 같은 제27 내지 제28 실시예에 관한 박형 인덕터(1a)를 각각 조제했다.
[제11 내지 제12 비교예]
표4에 나타내는 재료 사양 및 치수 사양으로 제조하고, 에칭법에 의해 스파이럴 코일을 제조한 점 이외에는 제1 비교예와 마찬가지로 처리함으로써, 제11 내지 제12 비교예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터를 각각 조제했다.
상기와 같이 조제된 각 실시예 및 비교예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터의 두께(H), 인덕턴스치 및 성능 지수(Q값)를 제1 내지 제5 실시예와 마찬가 지로 하여 측정한 결과를 하기 표4에 나타낸다.
[표4]
Figure 112008029685507-PCT00004
상기 표4에 나타내는 결과로부터 명백한 바와 같이, 제21 실시예와 제23 실시예, 또는 제22 실시예와 제24 실시예를 비교하면, Ag 페이스트를 소성하여 제조 한 스파이럴 코일을 이용한 제21, 제22 실시예에 관한 박형 인덕터보다도, 에칭법으로 평면 코일을 조제한 제23, 제24 실시예에 관한 박형 인덕터의 쪽이, 특성이 개선되는 것이 판명되었다. 이것은, 제23, 제24 실시예에 있어서, 에칭으로 조제한 평면 코일에서 인접하는 코일의 간극부가 상방을 향해 개방되어 있기 때문에, 자성 입자가 간극부에 들어가기 쉬워 배선 사이에 존재하는 자성 입자수가 증가하여 인덕턴스가 커지기 때문이다.
또한, Ag제 평면 코일에 비교하여 Cu박제 평면 코일에서는, 코일 저항치가 상대적으로 감소하므로 성능 지수(Q값)가 증가한다.
또한, 제21 내지 제26 실시예의 스파이럴 코일을 이용한 박형 인덕터와, 제27 내지 제28 실시예 및 제13 내지 제14 비교예의 미앤더형 코일을 이용한 박형 인덕터를 비교하면, 미앤더형 코일에서는 인덕턴스를 높일 수 없기 때문에, 특성이 저하되는 것도 판명되었다. 단, 미앤더형 코일에서는, 접속 단자를 기재(基材)의 외주연에 배치할 수 있으므로, 실장성은 스파이럴형 코일을 이용한 것보다 개선된다. 또한, 모두 미앤더형 코일을 이용한 제27 실시예와 제13 비교예를 비교해도, 본 제27 실시예의 쪽이 특성이 더욱 향상되는 것이 판명되었다.
[제29 내지 제32 실시예]
코일 배선끼리의 간격을 W로 했을 때에, 길이 W의 선분 폭에 함유되는 자성 입자수를 표5에 나타내는 바와 같이 변경한 점 이외에는, 제11 실시예와 마찬가지로 처리하여 도1에 도시하는 바와 같은 제29 내지 제32 실시예에 관한 박형 인덕터를 각각 조제했다.
상기와 같이 조제된 각 실시예에 관한 평면 자기 소자로서의 박형 인덕터의 두께(H), 인덕턴스치 및 성능 지수(Q값)를 제1 내지 제5 실시예와 마찬가지로 하여 측정한 결과를 하기 표5에 나타낸다.
[표5]
Figure 112008029685507-PCT00005
상기 표5에 나타내는 결과로부터 명백한 바와 같이, 길이 W의 선분 중에 함유되는 자성 입자수가 3개 이상, 또한 5개 이상이면 인덕턴스 및 성능 지수는 향상되는 것이 판명되었다. 또한, 제29 내지 제32 실시예에 있어서는, 최대 입경이나 평균 입경이 동일한 자성 분말을 이용하고 있으나, 자성 분말은 편평 형상이나 구 형상이나 프레임 형상 등의 다양한 형상을 갖는 것이 있고, 입자의 짧은 직경에 관한 긴 직경의 비(종횡비)가 약간 다르기 때문에, 평균 입경이 동일해도 배선 간극 W 중에 존재하는 자성 입자수는 변화되는 것이다.
이상의 실시예에 있어서는 평면 코일로서 도1에 도시하는 바와 같은 각형 스파이럴 형상 코일 또는 도4에 도시하는 바와 같은 미앤더 형상 코일을 설치한 평면 자기 소자를 예로 들어 설명했으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 예를 들어 도5에 도시하는 바와 같은, 단자(6)를 설치한 둥근형 스파이럴 형상의 평면 코일(4b)을 자성층(3)에 형성한 경우에 있어서도 동일한 효과가 얻어진다.
각 실시예에 관한 평면 자기 소자(1)로서의 박형 인덕터(1, 1a)의 두께(H)는 0.26 내지 0. 39 ㎜로 되고, 제어 IC나 전계 효과 트랜지스터(FET) 등의 반도체 칩(8)의 두께 이하로 된다. 따라서, 도8 내지 도10에 도시하는 바와 같이 스위칭 IC 등의 반도체 칩(8)과 평면 자기 소자(1, 1a)를 일체화하여 패키징함으로써, 인덕터 내장의 박형 IC 패키지(10, 10a, 10b)가 실현된다.
도8에 도시하는 IC 패키지(10)는, 패키지 기판 상의 평면 방향으로 반도체 칩(8)과 평면 자기 소자(1, 1a)를 배치하고, 각각 리드 프레임(9)에 접속하여 몰드 수지로 고정한 구조를 갖고, 도9에 도시하는 IC 패키지(10a)는, 패키지 기판 상의 두께 방향으로 반도체 칩(8)과 평면 자기 소자(1, 1a)를 적층 배치하고, 각각 리드 프레임(9)에 접속하여 몰드 수지로 고정한 구조를 갖고, 도10에 도시하는 IC 패키지(10b)는, 패키지 기판 상의 두께 방향으로 반도체 칩(8)과 평면 자기 소자(1, 1a)를 범프 접합 방식에 의해 적층 배치하고, 각각 리드 프레임(9)에 접속하여 몰드 수지로 고정한 구조를 갖고 있다.
이와 같은 평면 자기 소자로서의 인덕터를 포함하는 박형 패키지에 따르면, 예를 들어 원 패키지화된 소형의 DC-DC 컨버터 IC나 전원 IC 패키지를 용이하게 실현할 수 있다.
각 표에 나타내는 결과로부터 명백한 바와 같이, 코일 배선끼리의 간격(W)보다 작은 최대 직경(L)을 갖는 자성 분말이 평면 코일의 배선 사이의 간극에 충전되어 형성되어 있는 각 실시예에 관한 평면 자기 소자에 따르면, 평면 코일에 발생하는 자계에 관한 투자율을 향상시킬 수 있어, 인덕턴스가 향상된 박형 인덕터로서의 평면 자기 소자가 실현된다.
또한, 상기와 같이 조제한 평면 자기 소자와, 제어 IC, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등의 반도체 칩을 동일 기판 또는 동일 패키지 상의 평면 방향 또는 높이 방향으로 실장하여 원 패키지화하는 것도 가능해지고, 기능 소자의 고밀도 실장도 가능해져, 반도체 디바이스의 소형화 및 고기능화에 현저한 효과를 발휘한다.
특히 스파이럴 코일을 배치한 평면 자기 소자에서는, 소정 입경의 미세한 자성 분말을 극소량의 유기 바인더에 의해 페이스트화하여 코일 배선 사이에 충전한 경우, 미세한 자성 분말끼리를 유기물과 같은 절연체로 덮는 일이 없어, 자성 분말 끼리를 가장 근접한 상태로 하는 것이 가능하며, 투자율의 저하를 억제할 수 있다. 이로 인해, 특히 큰 인덕턴스치를 얻을 수 있다.
상기 구성에 관한 평면 자기 소자에 따르면, 자성 분말의 최대 직경(L)이 코일 배선끼리의 간격(W)보다 작기(W ＞ L) 때문에, 자성 분말이 코일 배선 사이에 효과적으로 충전되고, 또한 코일 사이에 충전된 자성 분말이 가급적 등방 형상이기 때문에, 코일에 의해 형성되는 자기장 방향의 영향을 받기 어려워져 평면 코일의 인덕턴스치가 상승한다. 또한 코일 배선끼리의 간격(W)보다 작은 최대 직경(L)을 갖는 자성 분말이 평면 코일의 배선 사이의 간극에 충전되어 형성되어 있기 때문에, 평면 코일에 발생하는 자계에 관한 투자율을 향상시킬 수 있어, 인덕턴스가 향상된 박형 인덕터로서의 자기 소자가 실현된다.
또한, 상기와 같이 조제한 평면 자기 소자와, 제어 IC, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등의 반도체 칩을 동일 기판 또는 동일 패키지 상의 평면 방향 또는 높이 방향으로 실장하여 원 패키지화하는 것도 가능하며, 기능 소자의 고밀도 실장도 가능해져, 반도체 디바이스의 소형화 및 고기능화에 현저한 효과를 발휘한다.

Claims (12)

  1. 자성 분말과 수지의 혼합물로 이루어지는 제1 자성층과 제2 자성층 사이에 평면 코일을 갖는 평면 자기 소자에 있어서, 상기 평면 코일의 코일 배선끼리의 간격을 W로 하는 한편, 상기 자성 분말의 최대 직경을 L로 했을 때에, 관계식 W ＞ L을 만족하는 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자성층 중에 함유되는 자성 분말과 상기 평면 코일이 거리 1 ㎛ 이하로 근접하고 있거나, 또는 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 평면 코일의 코일 배선끼리의 간격을 W로 하는 한편, 상기 자성 분말의 최대 직경을 L로 했을 때에, 관계식 W ＞ 2L을 만족하는 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자.
  4. 제2항에 있어서, 상기 평면 코일의 코일 배선끼리의 간격을 W로 했을 때, 길이 W의 선분 중에 포함되는 자성 분말의 개수가 3개 이상인 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 길이 W의 선분 중에 포함되는 자성 분말의 개수가 5개 이상인 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자성 분말은 아몰퍼스 합금, 미세 결정 합금, 순철, 센더스트, Fe-Ni계 합금, Fe-Si계 합금, 페라이트의 적어도 1종으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 자성 분말의 평균 입경이 80 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평면 자기 소자의 두께가 0.4 ㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평면 코일은 금속 분말의 소성체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평면 코일은 금속박을 에칭하여 형성되는 것을 특징으로 하는 평면 자기 소자.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 평면 자기 소자를 이용한 것을 특징으로 하는 전원 IC 패키지.
  12. 제11항에 있어서, IC 일체형인 것을 특징으로 하는 전원 IC 패키지.
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