KR20080025367A - 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름 및 보호판 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름 및 보호판 Download PDF

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KR20080025367A
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다모츠 모리모토
마사아키 고니시
마사토 가와사키
다쿠지 오야마
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

보호 필름을 형성하지 않아도, 시감 반사율이 낮은 PDP 용 전자파 차폐 필름, 및 그 PDP 용 전자파 차폐 필름을 이용한 시감 반사율이 낮은 PDP 용 보호판을 제공한다. 기체 (11) 와 도전막 (12) 을 갖고, 도전막 (12) 은 기판 (11) 측으로부터 굴절률이 1.55 ∼ 2.5 인 무기물층 (12a) 과 금속층 (12b) 이 교대로 적층되고, 금속층 (12b) 이 n 층, 무기물층 (12a) 이 (n+1) 층 (단, n 은 3 ∼ 5 의 정수) 형성된 다층 구조로서, 무기물층 (12a) 이 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속산질화물에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 층이고, 금속층 (12b) 이 순은 또는 은 합금으로 이루어지는 층이며, 기체로부터 2 ∼ n 번째 각 금속층의 막 두께가 기체로부터 1 번째 금속층의 막 두께보다 두꺼운 전자파 차폐 필름 (10) 을 이용한다.
전자파 차폐 필름, 시감 반사율, PDP 용 보호판, 도전막, 금속층, 무기물층

Description

플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름 및 보호판{ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING FILM AND PROTECTIVE PLATE FOR PLASMA DISPLAY PANEL}
기술분야
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 (이하, PDP 라고 한다) 본체를 보호하기 위해서 PDP 의 관찰자측에 설치되고, PDP 로부터 발생하는 전자 노이즈를 차폐하는 전자파 차폐능을 갖는 PDP 용 전자파 차폐 필름 및 PDP 용 보호판에 관한 것이다.
배경기술
PDP 의 전면으로부터는 전자파가 방출되고 있기 때문에, 그 전자파를 차폐하는 것을 목적으로 하여, PDP 의 관찰자측에는, 플라스틱 필름 등의 기체 상에 도전막이 형성된 전자파 차폐 필름을 갖는 PDP 용 보호판이 배치되어 있다.
예를 들어, 특허 문헌 1 에는, 기체측으로부터, 1 종 이상의 금속을 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 산화물층과 은을 주성분으로 하는 금속층이 교대로, 합계로 (2n + 1) 층 (n 은 양의 정수) 이 적층된 다층의 도전막과, 그 도전막을 보호하는 보호 필름을 갖는 PDP 용 보호판이 제안되어 있다.
그런데 최근에는, (i) 도전막의 고기능화에 수반하여 보호 필름을 형성할 필요가 없고, (ⅱ) PDP 용 보호판의 박형화가 요구되고 있는, 등의 이유에 의해, 보호 필름이 없는 PDP 용 보호판이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허 문헌 2 참조) .
그러나, 보호 필름과 공기에서는 굴절률이 상이하기 때문에, 예를 들어, 특허 문헌 1 에 기재된 PDP 용 보호판으로부터 보호 필름을 떼어내면, PDP 용 보호판의 시감 반사율이 높아져 버리는 문제가 있다.
특허 문헌 1 : 국제공개공보 제98/13850호 팜플렛
특허 문헌 2 : 미국특허 제6391462호 명세서
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명은 보호 필름을 형성하지 않아도, PDP 용 보호판의 시감 반사율을 낮게 억제할 수 있는 PDP 용 전자파 차폐 필름, 및 보호 필름을 형성할 필요가 없고, 또한 시감 반사율이 낮은 PDP 용 보호판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명의 PDP 용 전자파 차폐 필름은 기체와, 기체 상에 형성된 도전막을 갖는 PDP 용 전자파 차폐 필름으로서, 도전막은 기체측으로부터 굴절률이 1.55 ∼ 2.5 인 무기물층과 금속층이 교대로 적층되고, 금속층이 n 층, 무기물층이 (n + 1) 층 (단, n 은 3 ∼ 5 의 정수이다) 형성된 다층 구조체이다. 또한, 무기물층이, 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 층이고, 금속층이, 순은으로 이루어지는 층, 또는 금, 팔라듐 및 비스무트로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 은 합금으로 이루어지는 층이다. 또, 기체로부터 2 번째, 3 번째, …, n 번째 (이하, 2 ∼ n 번째로 표시하는 경우도 있다) 의 각 금속층의 막 두께가, 기체로부터 1 번째 금속 층의 막 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.
기체로부터 i 번째 (단, i 는 2 ∼ n 의 정수이다) 금속층의 막 두께는, 기체로부터 i-1 번째 금속층의 막 두께보다 두꺼운 것이 바람직하다.
n 은 3 인 것이 바람직하다.
본 발명의 PDP 용 전자파 차폐 필름은, 상기 도전막 상에 방오제 (防汚劑) 층을 추가로 갖는 것이 바람직하다.
상기 무기물층은 산화 아연, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 티탄 및 산화 니오브로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 것이 바람직하다.
상기 무기물층은 주석, 알루미늄, 크롬, 티탄, 규소, 붕소, 마그네슘 및 갈륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 산화 아연으로 이루어지는 층인 것이 바람직하다.
본 발명의 PDP 용 보호판은 지지 기체와, 그 지지 기체 상에 형성된 본 발명의 PDP 용 전자파 차폐 필름을 갖는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 PDP 용 전자파 차폐 필름에 있어서의 기체의, 도전막이 형성된 면의 반대측 면과, 상기 지지 기체의 일방의 면이 접착되는 것이 바람직하다.
본 발명의 PDP 는 상기 PDP 용 보호판이 형성되고, 또한 상기 PDP 용 보호판의 도전막측 표면이 PDP 측이 되도록 설치되는 것이 바람직하다.
발명의 효과
본 발명의 PDP 용 전자파 차폐 필름은 보호 필름을 형성하지 않아도, PDP 용 보호판의 시감 반사율을 낮게 억제할 수 있다.
본 발명의 PDP 용 보호판은 보호 필름을 형성할 필요가 없고, 또한 시감 반사율이 낮다.
본 발명의 PDP 에서는, PDP 용 보호판이 PDP 용 보호판의 도전막측 표면이 PDP 측이 되도록 설치된다. 그 때문에, PDP 용 보호판의 도전막 표면은, 사람이 접촉하는 경우가 거의 없기 때문에, 도전막의 표면에 보호 필름을 형성할 필요가 없다.
도면의 간단한 설명
도 1 은, 본 발명의 PDP 용 전자파 차폐 필름의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 PDP 용 보호판의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 예 1 및 예 17 의 PDP 용 전자파 차폐 필름의 투과 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 4 는, 예 1 및 예 17 의 PDP 용 전자파 차폐 필름의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 5 는, 예 2 및 예 18 의 PDP 용 보호판의 투과 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 6 은, 예 2 및 예 18 의 PDP 용 보호판의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 7 은, 본 발명의 PDP 용 전자파 차폐 필름의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 8 은, 예 3 및 예 19 의 PDP 용 전자파 차폐 필름의 투과 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 9 는, 예 3 및 예 19 의 PDP 용 전자파 차폐 필름의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 10 은, 본 발명의 PDP 용 전자파 차폐 필름의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 11 은, 예 5 의 PDP 용 전자파 차폐 필름의 투과 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 12 는, 예 5 의 PDP 용 전자파 차폐 필름의 반사 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
부호의 설명
1 PDP 용 보호판
10 전자파 차폐 필름
11 기체
12 도전막
12a 무기물층
12b 금속층
14 전자파 차폐 필름
15 전자파 차폐 필름
20 지지 기체
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
<PDP 용 전자파 차폐 필름>
도 1 은, 본 발명의 PDP 용 전자파 차폐 필름 (이하, 전자파 차폐 필름이라고 약칭한다) 의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 전자파 차폐 필름 (10) 은 기체 (11) 와, 그 기체 (11) 상에 형성된 도전막 (12) 과, 그 도전막 (12) 상에 형성된 방오제층 (13) 을 가져 개략 구성된다.
(기체)
기체 (11) 로는, 투명 기체가 바람직하다. 「투명」이란, 가시광 영역 파장의 광을 60％ 이상 투과하는 것을 의미한다. 투명 기체는 가시광 영역 파장의 광을 80％ 이상 투과하는 것이 보다 바람직하고, 90％ 이상 투과하는 것이 더욱 바람직하다.
투명 기체의 재질로는, 유리 (풍랭 강화 유리, 화학 강화 유리 등의 강화 유리를 포함한다) ; 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 트리아세틸셀룰로오스 (TAC), 폴리카보네이트 (PC), 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA) 등의 플라스틱 등을 들 수 있다.
(도전막)
도전막 (12) 은 기체 (11) 측으로부터 무기물층 (12a) 과 금속층 (12b) 이 교대로 적층되고, 금속층 (12b) 이 n 층, 무기물층 (12a) 이 (n + 1) 층 (단, n 은 3 ∼ 5 의 정수이다) 형성된 다층 구조체이다. 도 1 에 있어서의 도전막 (12) 은 n = 3 의 예이다. 금속층 (12b) 이 3 ∼ 5 층인 점에서, 도전막 (12) 의 저 항값을 낮게 할 수 있어, 반사 밴드를 확대시킬 수 있다. 또, 금속층 (12b) 이 3 층인 점에서, 내부 응력의 증가 및 광투과성의 저하를 억제할 수 있다.
무기물층 (12a) 은 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유한다. 또, 무기물층 (12a) 은 굴절률이 1.55 ∼ 2.5 이며, 1.8 ∼ 2.5 가 바람직하고, 1.9 ∼ 2.5 인 것이 특히 바람직하다. 굴절률을 이 범위로 함으로써, 금속층 (12b) 과의 간섭 효과에 의해 투과율을 높일 수 있다. 「굴절률」이란, 파장 555㎚ 에 있어서의 굴절률을 의미한다.
굴절률이 1.55 ∼ 2.5 인 금속 산화물로는, 산화 알루미늄, 산화 아연, 산화 인듐, 산화 티탄, 산화 니오브, 산화 주석 등을 주성분으로 하는 금속 산화물을 들 수 있다. 이들 중, 금속층 (12b) 의 은과의 양립이 좋고, 도전막 (12) 의 내구성을 높일 수 있는 점에서, 산화 아연을 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 굴절률의 관점에서는 산화 인듐, 산화 티탄 또는 산화 니오브를 주성분으로 하는 것이 바람직하다.
굴절률이 1.55 ∼ 2.5 인 금속 질화물로는, 질화 규소 (Si3N4), 질화 알루미늄 (AlN) 등을 주성분으로 하는 금속 질화물을 들 수 있다.
굴절률이 1.55 ∼ 2.5 인 금속 산질화물로는, 산질화 규소 (SiON), 산질화 알루미늄 (AlON) 등을 주성분으로 하는 금속 산질화물을 들 수 있다.
무기물층 (12a) 으로는, 주석, 알루미늄, 크롬, 티탄, 규소, 붕소, 마그네슘 및 갈륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 산화 아연 로 이루어지는 층이 바람직하다. 특히 바람직한 것은, 무기물층 (12a) 이 알루미늄을 함유하는 산화 아연 (이하, AZO 라고 약칭한다), 갈륨을 함유하는 산화 아연 (이하, GZO 라고 한다) 또는 티탄을 함유하는 산화 아연 (이하, TZO 라고 한다) 으로 이루어지는 층이다.
무기물층 (12a) 으로서 AZO 를 이용한 경우, 아연 및 알루미늄은 산화 아연 및 산화 알루미늄으로서, 또는 이들 복합 산화물이 혼합된 형태로 존재하는 것으로 생각할 수 있다. 또, 무기물층 (12a) 으로서 GZO 를 이용한 경우, 아연 및 갈륨은 산화 아연 및 산화 갈륨으로서, 또는 이들 복합 산화물이 혼합된 형태로 존재하는 것으로 생각할 수 있다. 또한, 무기물층 (12a) 으로서 TZO 를 이용한 경우, 아연 및 티탄은 산화 아연 및 산화 티탄으로서, 또는 이들 복합 산화물이 혼합된 형태로 존재하는 것으로 생각할 수 있다.
무기물층 (12a) 은 산화물 환산으로 Al2O3, Ga2O3 또는 TiO2 와, ZnO 를 합계로 90질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 95질량％ 이상 함유하는 것이 보다 바람직하며, 99질량％ 이상 함유하는 것이 특히 바람직하다.
AZO 에 있어서는, 알루미늄은 통상, 산화 알루미늄으로 되어 있는 것으로 생각할 수 있다. 또, GZO 에 있어서는, 갈륨은 통상, 산화 갈륨으로 되어 있는 것으로 생각할 수 있다. 또, TZO 에 있어서는, 티탄은 통상, 산화 티탄으로 되어 있는 것으로 생각할 수 있다.
AZO 의 굴절률은 산화 알루미늄의 함유량에 따라서도 다르지만, 1.9 ∼ 2.5이며, AZO 로 이루어지는 무기물층 (12a) 은 고굴절률층으로서의 역할을 한다. 또, GZO 의 굴절률은 산화 갈륨의 함유량에 따라서도 다르지만, 1.9 ∼ 2.5 이며, GZO 로 이루어지는 무기물층 (12a) 은 고굴절률층으로서의 역할을 한다. 또, TZO 의 굴절률은 산화 티탄의 함유량에 따라서도 다르지만, 1.5 ∼ 2.5 이며, TZO 로 이루어지는 무기물층 (12a) 은 고굴절률층으로서의 역할을 한다.
무기물층 (12a) 의 AZO, GZO 또는 TZO 는, 산화 아연을 함유하기 때문에 은과 유사한 결정성을 갖는다. 따라서, 상기 무기물층 (12a) 의 표면에 형성된 금속층 (12b) 중의 은을 결정화시키기 쉽다. 또, 무기물층 (12a) 은 각각, 알루미늄, 갈륨 또는 티탄을 함유하기 때문에, 무기물층 (12a) 의 내부 응력을 저감시킬 수 있다. 따라서, 무기물층 (12a) 으로서 AZO, GZO 또는 TZO 를 이용한 경우, 은의 마이그레이션을 방지할 수 있고, 도전성을 높일 수 있으며, 또한 무기물층 (12a) 의 내부 응력을 저감시킬 수 있다.
무기물층 (12a) 으로서, AZO 또는 GZO 를 이용한 경우, 알루미늄 또는 갈륨의 양은, 알루미늄 또는 갈륨과 아연의 총량에 대하여 1 ∼ 10원자％ 인 것이 바람직하다. 1원자％ 이상인 점에서, 무기물층 (12a) 의 내부 응력을 충분히 저감시킬 수 있어, 무기물층 (12a) 과 금속층 (12b) 의 밀착성을 유지시킬 수 있다. 그 결과로서 내습성이 양호해진다. 또, 10원자％ 이하로 함으로써, 내습성을 유지시킬 수 있다. 이것은, 알루미늄 또는 갈륨의 비율을 어느 정도 이하로 함으로써, 산화 아연의 결정성을 유지시켜, 은과의 양립을 유지시킬 수 있기 때문인 것으로 생각할 수 있다. 안정적으로 재현성 좋게 낮은 내부 응력의 무기물층 (12a) 을 얻는 점, 및 산화 아연의 결정성을 고려하면, 알루미늄 또는 갈륨의 양은 2 ∼ 6원자％ 가 보다 바람직하고, 1.5 ∼ 5.5원자％ 가 특히 바람직하다.
무기물층 (12a) 으로서, TZO 를 이용한 경우, 티탄의 양은 티탄과 아연의 총량에 대하여 2 ∼ 20원자％ 인 것이 바람직하다. 2원자％ 이상인 점에서, 무기물층 (12a) 의 내부 응력을 충분히 저감시킬 수 있어, 무기물층 (12a) 과 금속층 (12b) 의 밀착성을 유지시킬 수 있다. 그 결과로서 내습성이 양호해진다. 또, 20원자％ 이하로 함으로써, 내습성을 유지시킬 수 있다. 이것은, 티탄의 비율을 어느 정도 이하로 함으로써, 산화 아연의 결정성을 유지시켜, 은과의 양립을 유지시킬 수 있기 때문인 것으로 생각할 수 있다. 안정적으로 재현성 좋게 낮은 내부 응력의 무기물층 (12a) 을 얻는 점, 및 산화 아연의 결정성을 고려하면, 티탄의 양은 3 ∼ 15원자％ 가 보다 바람직하다.
기체 (11) 에 가장 가까운 무기물층 (12a) 및 기체 (11) 로부터 가장 먼 무기물층 (12a) 의 물리적 막 두께 (이하, 간단히 막 두께라고 한다) 는 10 ∼ 60㎚ 가 바람직하고, 20 ∼ 60㎚ 가 보다 바람직하며, 30 ∼ 50㎚ 가 특히 바람직하다. 그 이외의 무기물층 (12a) 의 막 두께는 40 ∼ 140㎚ 가 바람직하고, 40 ∼ 100㎚ 가 특히 바람직하다. 도전막 (12) 중의 각 무기물층 (12a) 의 막 두께는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
1 개의 무기물층 (12a) 은 균일한 1 개의 층으로 구성되어 있어도 되고, 상이한 종류의 2 층 이상의 무기물층으로 구성되어 있어도 된다. 도전막 (12) 중 의 각 무기물층 (12a) 은 각각 동일한 구성이어도 되고, 각각 상이한 구성이어도 된다. 예를 들어, 1 개의 무기물층 (12a) 이, AZO 층 / 이산화 규소층의 2 층 구조 ; 산화 아연층 / 산화 니오브층의 2 층 구조 ; TZO 층 / 산화 니오브층의 2 층 구조 ; AZO 층 / 이산화 규소층 / AZO 층의 3 층 구조 ; AZO 층 / 산화 주석층 / AZO 층의 3 층 구조 ; 산화 아연층 / 산화 주석층 / 산화 아연층의 3 층 구조 ; 산화 아연층 / 이산화 규소층 / 산화 아연층의 3 층 구조 ; 산화 아연층 / 질화 규소층 / 산화 아연층의 3 층 구조 ; 산화 아연층 / 산화 니오브층 / 산화 아연층의 3 층 구조 ; TZO 층 / 산화 니오브층 / TZO 층의 3 층 구조 등을 가져도 된다.
이 경우, 1 개의 무기물층 (12a) 의 평균 굴절률이 1.55 ∼ 2.5 인 한, 굴절률이 1.55 ∼ 2.5 로부터 벗어나는 층을 갖고 있어도 된다. 「평균 굴절률」은, 1 개의 무기물층 (12a) 을 구성하는 각 층의 굴절률에 막 두께의 가중치를 부여하여 평균화한 굴절률을 의미하며, 하기식 (1) 로 구해진다.
[수학식 1]
Figure 112007086187382-PCT00001
단, m 은 무기물층 (12a) 을 구성하는 층의 수를 표시하고, nj 는 j 번째 층의 굴절률을 표시하며, dj 는 j 번째 층의 막 두께를 표시한다.
금속층 (12b) 은 도전막 (12) 의 저항값을 낮게 하는 관점에서는, 순은으로 이루어지는 층인 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서의 「순은」은, 금속층 (12b) (100질량％) 중에 은을 99.9질량％ 이상 함유하는 것을 의미한다.
금속층 (12b) 은 은의 확산을 억제하여, 결과적으로 내습성을 높일 수 있는 관점에서는, 금, 팔라듐 및 비스무트로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 다른 금속을 함유하는 은 합금으로 이루어지는 층이 바람직하다. 다른 금속의 합계는 비저항을 10.0μΩ·㎝ 이하, 특히 5μΩ·㎝ 이하로 하기 위해, 금속층 (12b) (100질량％) 중, 0.2 ∼ 3.0질량％ 가 바람직하고, 0.2 ∼ 1.5질량％ 가 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 기체 (11) 로부터 2 ∼ n 번째 각 금속층 (12b) 의 막 두께를, 기체 (11) 로부터 1 번째 금속층 (12b) 의 막 두께보다 두껍게 할 필요가 있다. 이로써, 보호 필름을 형성하지 않아도, PDP 용 보호판의 시감 반사율을 낮게 억제시킬 수 있다. 한편, 특허 문헌 1 에 기재된 금속층이 4 층인 PDP 용 보호판에 있어서는, 기체로부터 4 번째 금속층의 막 두께가, 1 번째 금속층의 막 두께와 동일하고, 이 때문에, 보호 필름을 형성하지 않은 경우, PDP 용 보호판의 시감 반사율이 높아진다.
각 금속층 (12b) 의 막 두께의 비는, 기체 (11) 로부터 1 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체 (11) 로부터 2 ∼ n 번째 각 금속층 (12b) 의 막 두께는 각각 1.1 ∼ 2.5 가 바람직하고, 1.2 ∼ 1.8 이 보다 바람직하다.
또, 본 발명에 있어서는, 기체 (11) 로부터 i 번째 (단, i 는 2 ∼ n 의 정 수이다) 금속층 (12b) 의 막 두께가, 기체 (11) 로부터 i-1 번째 금속층 (12b) 의 막 두께보다 두꺼운 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에 있어서의 도전막 (12) 의 각 금속층 (12b) 은, 기체 (11) 로부터 1 번째에서 i 번째까지 순서대로 두꺼워지는 것이 바람직하다. 이로써, PDP 용 보호판의 시감 반사율을 더욱 낮게 억제할 수 있다.
예를 들어, 금속층 (12b) 이 3 층인 경우, 기체 (11) 로부터 2 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를, 기체 (11) 로부터 1 번째 금속층 (12b) 의 막 두께보다 두껍게 하고, 또한 기체 (11) 로부터 3 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를, 기체 (11) 로부터 2 번째 금속층 (12b) 의 막 두께보다 두껍게 하는 것이 바람직하다. 한편, 특허 문헌 1 에 기재된 금속층이 3 층인 PDP 용 보호판에 있어서는, 기체로부터 2 번째 금속층의 막 두께가, 1 번째 및 3 번째 금속층의 막 두께보다 두껍게 되어 있어, 이 때문에, 보호 필름을 형성하지 않은 경우, PDP 용 보호판의 시감 반사율이 높아진다.
각 금속층 (12b) 의 막 두께비는, 기체 (11) 로부터 i-1 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체 (11) 로부터 i 번째 금속층 (12b) 의 막 두께는 1.05 ∼ 2.5 인 것이 바람직하고, 1.05 ∼ 2.0 인 것이 보다 바람직하다.
금속층 (12b) 이 3 층인 경우, 각 금속층 (12b) 의 막 두께비는, 기체 (11) 로부터 1 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체 (11) 로부터 2 번째 금속층 (12b) 의 막 두께는 1.1 ∼ 2.0 이 바람직하고, 1.2 ∼ 1.5 가 보다 바람직하다. 또, 기체 (11) 로부터 2 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체 (11) 로부터 3 번째 금속층 (12b) 의 막 두께는 1.05 ∼ 1.5 가 바람직하고, 1.05 ∼ 1.4 가 보다 바람직하다.
금속층 (12b) 이 4 층인 경우, 각 금속층 (12b) 의 막 두께비는, 기체 (11) 로부터 1 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체 (11) 로부터 2 번째 금속층 (12b) 의 막 두께는 1.1 ∼ 2.5 가 바람직하고, 1.2 ∼ 2.0 이 보다 바람직하다. 또, 기체 (11) 로부터 2 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체 (11) 로부터 3 번째 금속층 (12b) 의 막 두께는 1.05 ∼ 1.5 가 바람직하고, 1.05 ∼ 1.4 가 보다 바람직하다. 또, 기체 (11) 로부터 3 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체 (11) 로부터 4 번째 금속층 (12b) 의 막 두께는 0.7 ∼ 1.5 가 바람직하고, 0.9 ∼ 1.2 가 보다 바람직하며, 1.05 ∼ 1.2 가 더욱 바람직하다.
금속층 (12b) 이 5 층인 경우, 각 금속층 (12b) 의 막 두께비는, 기체 (11) 로부터 1 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체 (11) 로부터 2 번째 금속층 (12b) 의 막 두께는 1.1 ∼ 2.5 가 바람직하고, 1.2 ∼ 2.0 이 보다 바람직하다. 또, 기체 (11) 로부터 2 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체 (11) 로부터 3 번째 금속층 (12b) 의 막 두께는, 1.05 ∼ 1.5 가 바람직하고, 1.05 ∼ 1.4 가 보다 바람직하다. 또, 기체 (11) 로부터 3 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체 (11) 로부터 4 번째 금속층 (12b) 의 막 두께는 0.7 ∼ 1.5 가 바람직하고, 0.9 ∼ 1.2 가 보다 바람직하며, 1.05 ∼ 1.2 가 더욱 바람직하다. 또, 기체 (11) 로부터 4 번째 금속층 (12b) 의 막 두께를 1 로 했 을 때, 기체 (11) 로부터 5 번째 금속층 (12b) 의 막 두께는 0.7 ∼ 1.5 가 바람직하고, 0.9 ∼ 1.2 가 보다 바람직하며, 1.05 ∼ 1.2 가 더욱 바람직하다.
모든 금속층 (12b) 의 막 두께를 합계한 합계 막 두께는, 예를 들어, 얻어지는 전자파 차폐 필름 (10) 의 표면 저항의 목표를 1.8Ω/□ 로 한 경우, 25 ∼ 35㎚ 가 바람직하고, 28 ∼ 32㎚ 가 보다 바람직하다. 표면 저항의 목표를 1.5Ω/□ 로 한 경우, 30 ∼ 40㎚ 가 바람직하고, 32 ∼ 36㎚ 가 보다 바람직하다. 각 금속층 (12b) 의 막 두께는, 합계 막 두께를 금속층 (12b) 의 수로 적절하게 배분한다. 또한, 금속층 (12b) 의 수가 많아지면, 각 금속층 (12b) 의 비저항이 높아지기 때문에, 표면 저항을 낮추기 위해서 합계 막 두께는 커지는 경향이 있다.
방수층 (12c) 은 무기물층 (12a) 및 금속층 (12b) 을 수분으로부터 보호하는 층이다. 또한, 방수층 (12c) 은 본 발명에 있어서 임의의 구성 요소로서, 생략 되어도 상관없는 것이다.
방수층 (12c) 으로는, 예를 들어, 주석, 인듐, 티탄, 규소 등의 금속의 산화물막, 질화물막 등을 들 수 있다. 방수층 (12c) 으로는, 인듐과 주석의 산화물 (ITO) 층이 특히 바람직하다.
방수층 (12c) 의 막 두께는 2 ∼ 30㎚ 가 바람직하고, 3 ∼ 20㎚ 가 보다 바람직하다.
도전막 (12) (무기물층 (12a), 금속층 (12b), 방수층 (12c)) 의 형성 방법으로는, 예를 들어, 스퍼터법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법, 화학적 기상 성장법 등을 들 수 있다. 이들 중, 품질, 특성의 안정성이 양호한 점에서, 스퍼터법이 바람직하다.
스퍼터법에 의한 도전막 (12) 의 형성은, 예를 들어, 이하와 같이 하여 행할 수 있다. 먼저, 기체 (11) 표면에, 무기물층 (12a) 의 알루미늄, 갈륨 또는 티탄을 함유하는 산화 아연 타겟을 이용하여, 산소 가스를 혼합한 아르곤 가스를 도입하고, 펄스 스퍼터를 행하여, 무기물층 (12a) 을 형성한다. 알루미늄 또는 갈륨을 함유하는 산화 아연 타겟 중의 알루미늄 또는 갈륨의 양은, 내부 응력의 저감과 내습성 면에서, 알루미늄 또는 갈륨과 아연의 총량에 대해서 1 ∼ 10원자％ 가 바람직하고, 2 ∼ 6원자％ 가 보다 바람직하며, 1.5 ∼ 5.5원자％ 가 특히 바람직하다. 티탄을 함유하는 산화 아연 타겟 중의 티탄의 양은, 내부 응력의 저감과 내습성 면에서, 티탄과 아연의 총량에 대해서 2 ∼ 20원자％ 가 바람직하고, 3 ∼ 15원자％ 가 보다 바람직하다.
이어서, 순은 또는 은 합금의 타겟을 이용하여, 아르곤 가스를 도입하고, 펄스 스퍼터를 행하여, 금속층 (12b) 을 형성한다. 이 조작을 반복하여, 마지막에 상기와 동일한 방법으로 무기물층 (12a) 을 형성함으로써, 다층 구조체의 도전막 (12) 을 형성한다.
(방오제층)
방오제층 (13) 은 오염의 부착을 방지하여, 도전막 (12) 의 방오염 성능을 높이기 위해서, 도전막 (12) 상에 필요에 따라 형성되는 것이다.
방오제층 (13) 으로는, 퍼플루오로실란, 플루오로카본 등을 함유하는 발유성 (撥油性) 막이 바람직하다.
방오제층 (13) 의 형성 방법으로는, 예를 들어, 증착법, 스퍼터법, 도포 건조법 등을 들 수 있다.
방오제층 (13) 의 굴절률은 1.3 ∼ 1.5 인 것이 바람직하고, 1.3 ∼ 1.4 인 것이 보다 바람직하다.
방오제층 (13) 의 막 두께는 2 ∼ 30㎚ 가 바람직하고, 5 ∼ 30㎚ 가 보다 바람직하며, 10 ∼ 20㎚ 가 특히 바람직하다. 방오제층 (13) 의 막 두께가 2㎚ 이상이면, 충분한 방오 성능을 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다. 또, 30㎚ 이하이면, 전자파 차폐 필름의 시감 반사율을 낮게 할 수 있기 때문에 바람직하다.
전자파 차폐 필름 (10) 은 전자파 차폐능을 충분히 확보하기 위해서는, 표면 저항이 0.1 ∼ 3.0Ω/□ 인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 2.5Ω/□ 인 것이 보다 바람직하며, 0.1 ∼ 2.0Ω/□ 인 것이 특히 바람직하다.
전자파 차폐 필름 (10) 은 PDP 의 시인성을 향상시키기 위해서, 투과율이 50％ 이상이 바람직하고, 60％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 70％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
전자파 차폐 필름 (10) 은 PDP 의 시인성을 향상시키기 위해서 표면 반사가 충분히 낮은 것이 바람직하다. 필름 단체에서 코트면만의 반사율이 1.0％ 이하인 것이 바람직하고, 0.5％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.3％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또, 전자파 차폐 필름 (10) 은 파장 850㎚ 에서의 투과율이 5％ 이하인 것이 바람직하고, 2％ 이하의 것이 특히 바람직하다.
<PDP 용 보호판>
도 2 는, 본 발명의 PDP 용 보호판의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. PDP 용 보호판 (1) 은 지지 기체 (20) 와, 지지 기체 (20) 상에 형성된 전자파 차폐 필름 (10) 과, 지지 기체 (20) 에 있어서의 전자파 차폐 필름 (10) 측 면의 가장자리부에 형성된 착색 세라믹스층 (30) 과, 지지 기체 (20) 에 있어서의 전자파 차폐 필름 (10) 측과 반대측 면에 접착된 비산 방지 필름 (40) 을 갖는 것이다.
전자파 차폐 필름 (10) 과 지지 기체 (20), 및 지지 기체 (20) 와 비산 방지 필름 (40) 은, 점착제층 (70) 을 개재하여 접착되어 있다.
또, PDP 용 보호판 (1) 은 전자파 차폐 필름 (10) 이, 지지 기체 (20) 의 PDP 측에 형성된 것이다.
본 발명의 PDP 용 보호판은 상기 PDP 용 전자파 차폐 필름 (10) 에 있어서의 기체 (11) 의 도전막 (12) 이 형성된 면의 반대측 면과, 상기 지지 기체 (20) 의 일방의 면이 접착되는 것이 바람직하다.
(지지 기체)
지지 기체 (20) 는 전자파 차폐 필름 (10) 의 기체 (11) 보다 강성이 높은, 투명한 기체이다. 지지 기체 (20) 를 형성함으로써, 전자파 차폐 필름 (10) 의 기체 (11) 재료가 PET 등의 플라스틱이어도, PDP 측의 표면과 반대측에서 발생하는 온도차에 의해 휨이 발생하는 경우가 없다.
지지 기체 (20) 의 재료로는, 상기 서술한 전자파 차폐 필름 (10) 의 기체 (11) 재료와 동일한 재료 등을 들 수 있다.
본 발명의 PDP 용 전자파 차폐 필름에 있어서, 기체 (11) 의 재료가 유리 등의 강성이 높은 재료인 경우에는, 지지 기체 (20) 는 이용하지 않는 것이 바람직하다.
(착색 세라믹스층)
착색 세라믹스층 (30) 은 전자파 차폐 필름 (10) 과 PDP 케이스의 접속부가 관찰자측으로부터 직접 보이지 않도록 은폐하기 위한 층이다. 착색 세라믹스층 (30) 은, 예를 들어 지지 기체 (20) 상에 인쇄하거나, 착색 테이프를 붙이거나 함으로써 형성할 수 있다.
(비산 방지 필름)
비산 방지 필름 (40) 은 지지 기체 (20) 의 전자파 차폐 필름 (10) 이 적층된 면과는 반대측 면에 적층된다. 또, 기체 (11) 의 재료가 유리 등의 강성이 높은 재료로서 지지 기체 (20) 를 갖지 않는 경우, 비산 방지 필름 (40) 은 기체 (11) 의 도전막이 형성된 면의 반대측 면에 적층된다. 비산 방지 필름 (40) 은 지지 기체 (20) 의 손상시에 있어서의 지지 기체 (20) 파편의 비산을 방지하기 위한 필름이다. 비산 방지 필름 (40) 으로는, 통상의 PDP 용 보호판에 이용되고 있는 것을 들 수 있다. 특히, 흠이 생겼을 때 자기 수복하는 자기 수복성을 갖는 우레탄 수지계의 필름을 이용하면, 비산 방지 특성뿐만 아니라 자기 수복성도 발휘된다.
비산 방지 필름 (40) 에는, 반사 방지 기능을 갖게 해도 된다. 비산 방지 기능과 반사 방지 기능을 겸비한 필름으로는, ARCTOP (아사히 가라스사 제조, 상품명) 를 들 수 있다. ARCTOP 는 자기 수복성과 비산 방지 특성을 갖는 폴리우레탄계 연질 수지 필름의 편면에, 비결정성 불소 함유 중합체로 이루어지는 저굴절률의 반사 방지층을 형성하여 반사 방지 처리한 것이다.
비산 방지 필름 (40) 은 지지 기체 (20) 의 전자파 차폐 필름 (10) 이 적층된 면과는 반대측 면에 적층되는 것이 바람직하다.
(점착제층)
점착제층 (70) 의 점착제로는, 시판되고 있는 점착제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 아크릴산에스테르 공중합체, 폴리 염화 비닐, 에폭시 수지, 폴리우레탄, 아세트산비닐 공중합체, 스티렌-아크릴 공중합체, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리올레핀, 스티렌-부타디엔 공중합체계 고무, 부틸 고무, 실리콘 수지 등의 점착제를 들 수 있다. 이들 중, 양호한 내습성이 얻어지는 점에서, 아크릴계 점착제가 특히 바람직하다.
또, 점착제층 (70) 에는, 자외선 흡수제 등의 각종 기능을 갖는 첨가제가 배합되어도 된다.
(도전성 메시 필름)
본 발명의 PDP 용 보호판은 도전성 메시 필름을 갖고 있어도 된다.
도전성 메시 필름은 투명 필름 상에 구리로 이루어지는 도전성 메시층을 형성한 것이다. 통상적으로는, 투명 필름 상에 구리박을 접착한 후, 메시 형상으로 가공 함으로써 제조된다.
구리박은 압연 구리, 전계 구리의 어느 것이어도 되고, 적절하게 필요에 따 라 공지된 것을 이용하면 된다. 구리박은 각종 표면 처리가 되어 있어도 된다. 표면 처리로는, 크로메이트 처리, 조면화 처리, 산 세정, 징크·크로메이트 처리 등을 들 수 있다. 구리박의 두께는 3 ∼ 30㎛ 가 바람직하고, 5 ∼ 20㎛ 가 보다 바람직하며, 7 ∼ 10㎛ 가 특히 바람직하다. 구리박의 두께를 30㎛ 이하로 함으로써, 에칭 시간을 짧게 할 수 있고, 3㎛ 이상으로 함으로써, 전자파 차폐성이 높아진다.
도전성 메시층의 개구율은 60 ∼ 95％ 가 바람직하고, 65 ∼ 90％ 가 보다 바람직하며, 70 ∼ 85％ 가 특히 바람직하다.
도전성 메시층의 개구부 형상은, 정삼각형, 정사각형, 정육각형, 원형, 직사각형, 마름모꼴 등이다. 개구부는 형상이 일치되어 있고, 또한 면 내에 나열되어 있는 것이 바람직하다.
개구부의 사이즈는 한 변 또는 직경이 5 ∼ 200㎛ 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 150㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 개구부의 한 변 또는 직경을 200㎛ 이하로 함으로써, 전자파 차폐성이 향상되고, 5㎛ 이상으로 함으로써, PDP 의 화상에 대한 영향을 줄일 수 있다.
개구부 이외의 금속부의 폭은 5 ∼ 50㎛ 가 바람직하다. 즉, 개구부의 배열 피치는 10 ∼ 250㎛ 가 바람직하다. 금속부의 폭을 5㎛ 이상으로 함으로써, 가공이 용이해지고, 50㎛ 이하로 함으로써, PDP 의 화상에 대한 영향을 줄일 수 있다.
도전성 메시층의 면 저항을 필요 이상으로 낮게 하면, 막이 두꺼워져, 개구 부를 충분히 확보할 수 없게 되는 등, PDP 용 보호판 (1) 의 광학 성능 등에 악영향을 미친다. 한편, 도전성 메시층의 면 저항을 필요 이상으로 높게 하면, 충분한 전자파 차폐성을 얻을 수 없게 된다. 따라서, 도전성 메시층의 표면 저항은 0.01 ∼ 10Ω/□ 가 바람직하고, 0.01 ∼ 2Ω/□ 가 보다 바람직하며, 0.05 ∼ 1Ω/□ 가 특히 바람직하다.
도전성 메시층의 면 저항은, 개구부의 한 변 또는 직경보다 5 배 이상 큰 전극을 이용하여, 개구부의 배열 피치보다 5 배 이상의 전극 간격으로, 4 단자법에 의해 측정한다. 예를 들어, 개구부가 한 변 100㎛ 의 정방형이고, 금속부의 폭 20㎛ 를 개재하여 규칙적으로 나열된 것이면, 직경 1㎜ 의 전극을 1㎜ 간격으로 나열하여 측정하면 된다. 또는, 도전성 메시 필름을 직사각 형상으로 가공하여, 그 길이 방향의 양단에 전극을 형성하고, 그 저항 (R) 을 측정하여, 긴 길이 방향의 길이 (a), 짧은 길이 방향의 길이 (b) 로부터, 하기식으로부터 구해도 된다.
면 저항 = R × b / a
구리박을 투명 필름에 라미네이트할 때에는, 투명한 접착제를 이용한다. 접착제로는, 아크릴계 접착제, 에폭시계 접착제, 우레탄계 접착제, 실리콘계 접착제, 폴리에스테르계 접착제 등을 들 수 있다. 접착제의 타입으로는, 2 액형 또는 열경화 타입이 바람직하다. 또, 접착제로는, 내약품성이 우수한 것이 바람직하다.
구리박을 메시 형상으로 가공하는 방법으로는, 포토레지스트법을 들 수 있다. 인쇄법에서는, 스크린 인쇄에 의해 개구부의 패턴을 형성한다. 포토레 지스트법에서는, 롤 코팅법, 스핀 코팅법, 전체면 인쇄법, 전사법 등에 의해, 구리박 상에 포토레지스트 재료를 적층하여, 노광, 현상, 에칭에 의해 개구부의 패턴을 형성한다. 도전성 메시층을 형성하는 다른 방법으로는, 스크린 인쇄 등의 인쇄법에 의해, 개구부의 패턴을 형성하는 방법을 들 수 있다.
PDP 용 보호판 (1) 은 PDP 의 전면에 배치되는 것이기 때문에, PDP 의 화상이 잘 보이지 않게 되지 않도록, 시감 투과율 (JIS Z 8701 에서 규정되어 있는 자극값 (Y)) 은 30％ 이상이 바람직하고, 35％ 이상이 보다 바람직하다.
또, 시감 반사율은 5％ 미만이 바람직하고, 3％ 미만이 특히 바람직하다. 또, 파장 850㎚ 에서의 투과율은 15％ 이하가 바람직하고, 10％ 이하가 특히 바람직하다.
이상 설명한 PDP 용 보호판 (1) 은 지지 기체 (20) 와, 지지 기체 (20) 상에 형성된 전자파 차폐 필름 (10) 을 갖는 것이다. 또한, 전자파 차폐 필름 (10) 의 도전막 (12) 은 무기물층 (12a) 이 굴절률이 1.55 ∼ 2.5 인 금속 산화물로 이루어지는 층이고, 금속층 (12b) 이 순은 또는 은 합금으로 이루어지는 층이며, 금속층 (12b) 이 n 층, 무기물층 (12a) 이 (n + 1) 층 (단, n 은 3 ∼ 5 의 정수이다) 형성된 다층 구조체이다. 이러한 전자파 차폐 필름 (10) 에서는, PDP 로부터 방출되는 전자파를 차폐하는 성능 (높은 도전성, 즉 낮은 시트 저항값) 이 높고, 투과·반사 밴드가 넓고, 시감 투과율이 높고, 시감 반사율이 낮으며, 또한 근적외선 차폐성이 우수하다. 또, 기체 (11) 로부터 2 ∼ n 번째 각 금속층 (12b) 의 막 두께가, 기체 (11) 로부터 1 번째 금속층 (12b) 의 막 두께보다 두껍 기 때문에, 보호 필름을 형성하지 않고, PDP 용 보호판의 시감 반사율을 낮게 억제할 수 있다.
본 발명의 전자파 차폐 필름 (10) 의 도전막 (12) 표면에, 보호 필름을 점착제 등을 개재하여 적층하지 않은 경우, 도전막 (12) 은 최표층이 되는 구성이다. 즉, 도전막 (12) 은 공기와 직접 접하는 구성이다. 이 경우, 본 발명의 전자파 차폐 필름은 시감 반사율을 낮게 할 수 있어, 그 결과 PDP 용 보호판의 시감 반사율을 낮게 할 수 있다. 즉, 본 발명의 전자파 차폐 필름 (10) 은 도전막 (12) 이, 굴절률 1 인 공기와 접하는 경우에 있어서 시감 반사율을 낮게 할 수 있고, 그 결과 PDP 용 보호판의 시감 반사율을 낮게 할 수 있다.
또, 본 발명의 전자파 차폐 필름 (10) 에 있어서, 도전막 (12) 의 표면에는, 광학적인 영향이 작으면 방오제층 (13) 등의 다른 층이 적층되어 있어도 된다. 즉, 도전막 (12) 은 방오제층 (13) 을 개재하여 공기와 접하고 있어도 된다. 예를 들어, 본 발명에 있어서의 도전막 (12) 의 최표면에 굴절률이 1.3 ∼ 1.5 이고 두께가 2 ∼ 30㎚ 인 방오제층 (13) 이 적층된 경우, 상기 방오제층 (13) 의 광학적인 영향이 작기 때문에, 그 전자파 차폐 필름의 시감 반사율은 충분히 낮아진다.
본 발명의 PDP 용 보호판은 전자파 차폐 필름에 보호 필름을 적층하지 않아도 되기 때문에, 간편하게 제조할 수 있으므로 바람직하다.
본 발명의 전자파 차폐 필름은 표면에 보호 필름이 없는 상태에서 시감 반사율을 낮게 할 수 있기 때문에, 본 발명의 PDP 용 보호판은 전자파 차폐 필름이 PDP 측이 되도록 설치되는 것이 바람직하다. 전자파 차폐 필름이 PDP 측이 되도록 PDP 용 보호판이 설치된 경우, 전자파 차폐 필름은 사람에게 접촉되는 경우는 거의 없다. 그 때문에, 전자파 차폐 필름의 표면 (도전막의 표면) 에 보호 필름을 적층할 필요가 없다. 즉, 전자파 차폐 필름은 그 표면에, 아무것도 적층하지 않아도 오염되지 않는다. 또, 얇은 방오제층 (예를 들어, 두께 2 ∼ 30㎚) 을 적층하는 것만으로, 전자파 차폐 필름의 오염을 충분히 방지할 수 있다.
「보호 필름」이란, 종래의 PDP 용 보호판에 있어서 전자파 차폐 필름 상에 형성되어 있던, PET 등의 기체 표면에 반사 방지층 등이 형성된 반사 방지 기능 부여 보호 필름 등을 의미한다.
또한, 본 발명의 PDP 용 보호판은 상기 서술한 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 서술한 실시 형태에서는, 점착제층 (70) 을 형성하여 필름을 적층하였지만, 점착제 또는 접착제를 이용하지 않고, 열에 의한 접착이 가능한 경우도 있다.
또, 본 발명의 PDP 용 보호판은 필요에 따라, 반사 방지 수지 필름 또는 굴절률 1.3 ∼ 1.5 의 저굴절률 박막인 반사 방지층을 가져도 된다. 반사 방지 수지 필름으로는, 통상의 PDP 용 보호판에 이용되고 있는 것을 들 수 있다. 특히, 불소 수지계 필름을 이용하면 반사 방지성이 보다 우수하다.
반사 방지층은 얻어지는 보호판의 반사율이 낮아져 바람직한 반사색이 얻어지기 때문에, 가시역에서의 반사율이 최저가 되는 파장이 500 ∼ 600㎚, 특히 530 ∼ 590㎚ 인 것이 바람직하다. 반사 방지층은 기체의 전자파 차폐 필름이 적층된 면과는 반대측 면에 적층되는 것이 바람직하다.
또, PDP 용 보호판에 근적외선 차폐 기능을 갖게 해도 된다. 근적외선 차폐 기능을 갖게 하는 방법으로는, 근적외선 차폐 필름을 이용하는 방법, 근적외선 흡수 기체를 이용하는 방법, 근적외선 흡수제를 첨가한 점착제를 필름 적층시에 사용하는 방법, 반사 방지 수지 필름 등에 근적외선 흡수제를 첨가하여 근적외선 흡수 기능을 겸비시키는 방법, 근적외선 반사 기능을 갖는 도전막을 이용하는 방법 등을 들 수 있다.
또, 본 발명의 PDP 는 본 발명에 있어서의 PDP 용 보호판이 설치되고, 그 PDP 용 보호판의 도전막측 표면이 PDP 측이 되도록 설치되는 것이 바람직하다. 실시예
예 1 ∼ 18 은 실시예이며, 예 19, 20 은 비교예이다.
(예 1)
도 1 에 나타내는 전자파 차폐 필름 (10) 을 이하의 순서로 제작하였다.
먼저, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 표면의 세정을 목적으로 한 이온 빔에 의한 건식 세정을 이하와 같이 행하였다.
아르곤 가스에 약 30체적％ 의 산소 가스를 혼합하고, 100W 의 전력을 투입하여, 이온 빔 소스에 의해 이온화된 아르곤 이온 및 산소 이온을 기체 (11) 표면에 조사하였다.
이어서, 아르곤 가스에 3체적％ 의 산소 가스를 혼합하여 도입하면서, 건식 세정 처리가 실시된 기체 (11) 표면에 알루미나를 5질량％ 도프한 산화 아연 타겟 (굴절률 1.93) 을 이용하여, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 5.8W/ ㎠, 반전 펄스폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 행하여, 막 두께 40㎚ 의 무기물층 (12a(1)) 을 형성하였다.
이어서, 아르곤 가스를 도입하면서, 금을 1.0질량％ 도프한 은 합금 타겟을 이용하여, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 0.42W/㎠, 반전 펄스폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 행하여, 막 두께 6.8㎚ 의 금속층 (12b(1)) 을 형성하였다.
이어서, 아르곤 가스에 3체적％ 의 산소 가스를 혼합하여 도입하면서, 알루미나를 5질량％ 도프한 산화 아연 타겟을 이용하여, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 5.8W/㎠, 반전 펄스폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 행하여, 막 두께 80㎚ 의 무기물층 (12a(2)) 을 형성하였다.
이어서, 아르곤 가스를 도입하면서, 금을 1.0질량％ 도프한 은 합금 타겟을 이용하여, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 0.63W/㎠, 반전 펄스폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 행하여, 막 두께 11.4㎚ 의 금속층 (12b(2)) 을 형성하였다.
이어서, 아르곤 가스에 3체적％ 의 산소 가스를 혼합하여 도입하면서, 알루미나를 5질량％ 도프한 산화 아연 타겟을 이용하여, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 5.8W/㎠, 반전 펄스폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 행하여, 막 두께 80㎚ 의 무기물층 (12a(3)) 을 형성하였다.
이어서, 아르곤 가스를 도입하면서, 금을 1.0질량％ 도프한 은 합금 타겟을 이용하여, 0.5Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 0.73W/㎠, 반전 펄스폭 5μ초의 펄스 스퍼터를 행하여, 막 두께 12.0㎚ 의 금속층 (12b(3)) 을 형성하였다.
이어서, 아르곤 가스에 3체적％ 의 산소 가스를 혼합하여 도입하면서, 알루 미나를 5질량％ 도프한 산화 아연 타겟을 이용하여, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 5.2W/㎠, 반전 펄스폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 행하여, 막 두께 35㎚ 의 무기물층 (12a(4)) 을 형성하였다.
이어서, 아르곤 가스에 5체적％ 의 산소 가스를 혼합하여 도입하면서, 무기물층 (12a(4)) 상에, ITO 타겟 (인듐 : 주석 = 90 : 10 질량비) 을 이용하여, 0.35Pa 의 압력으로 주파수 100㎑, 전력 밀도 1.3W/㎠, 반전 펄스폭 1μ초의 펄스 스퍼터를 행하여, 방수층 (12c) 인 막 두께 5㎚ 의 ITO 층을 형성하였다.
이어서, 방수층 (12c) 상에 플루오로카본계 발유제 (다이킨사 제조, 상품명 : 오프툴 DSX) 를 도포하고, 이것을 건조시켜 막 두께 10㎚ 의 방오제층 (13) 을 형성하였다.
이와 같이 하여 제작한 전자파 차폐 필름 (10) 에 대하여, 컬러 애널라이저 (도쿄 전색사 제조, TC1800) 에 의해 측정한 시감 투과율은 78.86％, 시감 반사율은 0.50％ 이었다. 투과 스펙트럼을 도 3 에, 반사 스펙트럼을 도 4 에 나타낸다. 또, 와전류형 저항 측정기 (Nagy 사 제조, SRM12) 에 의해 측정한 시트 저항 (표면 저항) 은 1.78Ω/□ 이었다.
(예 2)
예 1 의 전자파 차폐 필름 (10) 을 이용하여 도 2 에 나타내는 PDP 용 보호판 (1) 을 이하와 같이 하여 제작하였다.
지지 기체 (20) 인 유리판을 소정의 크기로 절단, 모따기하여, 세정하였다. 그 후, 착색 세라믹스층용 잉크를 유리판 주변에 스크린 인쇄하고, 충분히 건조 시켜 착색 세라믹스층 (30) 을 형성하였다. 이어서, 유리 강화 처리로서, 이 유리판을 660℃ 까지 가열하고, 그 후 풍랭하여 유리 강화 처리를 하였다.
유리판의 착색 세라믹스층 (30) 측에, 점착제층 (70) 을 개재하여, 전자파 차폐 필름 (10) 을 부착하였다.
이어서, 유리판의 이면 (전자파 차폐 필름 (10) 을 접착한 측의 반대측 면) 에, 비산 방지 필름 (40) 인 폴리우레탄계 연질 수지 필름 (아사히 가라스사 제조, 상품명 : ARCTOP URP2199, 두께 300㎛) 을, 점착제층 (70) 을 개재하여 접착하였다. 또한, 통상, 이 폴리우레탄계 연질 수지 필름에 착색제를 첨가하여, 색조 보정, Ne 컷 등을 하여 색재현성의 향상을 도모하는데, 본 실시예에서는 색조 보정, Ne 컷을 평가하지 않기 때문에 무착색으로 하였다.
이와 같이 하여 제작한 PDP 용 보호판 (1) 에 대하여, 컬러 애널라이저 (도쿄 전색사 제조, TC1800) 에 의해 측정한 시감 투과율은 81.0％, 시감 반사율은 1.49％ 이었다. 투과 스펙트럼을 도 5 에, 반사 스펙트럼을 도 6 에 나타낸다.
(예 3)
예 1 과 동일한 조건에서, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 상에 도전막 (12) 및 방오제층 (13) 을 형성하여, 도 7 에 나타내는 전자파 차폐 필름 (14) 을 제작한다. 단, 금속층 (12b) 을 4 층으로 하고, 금속층 (12b(1)) 의 막 두께를 6.9㎚, 금속층 (12b(2)) 의 막 두께를 10.5㎚, 금속층 (12b(3)) 의 막 두께를 13.2㎚, 금속층 (12b(4)) 의 막 두께를 14.0㎚ 로 한다. 또, 무기물층 (12a(1)) 의 막 두께를 40㎚, 무기물층 (12a(2)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(3)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(4)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(5)) 의 막 두께를 35㎚ 로 한다. 또, 방수층 (12c) 으로서 막 두께 5㎚ 의 ITO 층을 형성한다.
그 전자파 차폐 필름 (14) 의 시감 투과율은 70.82％ 이고, 시감 반사율은 0.39％ 이며, 시트 저항 (표면 저항) 은 1.17Ω/□ 이다. 투과 스펙트럼을 도 8 에, 반사 스펙트럼을 도 9 에 나타낸다.
(예 4)
예 2 와 동일하게 하여, 예 3 의 전자파 차폐 필름 (14) 을 이용하여 PDP 용 보호판 (1) 을 제작한다. 그 PDP 용 보호판 (1) 의 시감 투과율은 72.77％ 이고, 시감 반사율은 1.13％ 이다.
(예 5)
예 1 과 동일한 조건에서, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 상에 도전막 (12) 및 방오제층 (13) 을 형성하여, 도 10 에 나타내는 전자파 차폐 필름 (15) 을 제작한다. 단, 금속층 (12b) 을 5 층으로 하고, 금속층 (12b(1)) 의 막 두께를 6.4㎚, 금속층 (12b(2)) 의 막 두께를 9.0㎚, 금속층 (12b(3)) 의 막 두께를 12.0㎚, 금속층 (12b(4)) 의 막 두께를 13.3㎚, 금속층 (12b (5)) 의 막 두께를 14.0㎚ 로 한다. 또, 무기물층 (12a(1)) 의 막 두께를 40㎚, 무기물층 (12a(2)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(3)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(4)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(5)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(6)) 의 막 두께를 35㎚ 로 한다. 또, 방수층 (12c) 으로서 막 두께 5㎚ 의 ITO 층을 형성한다.
그 전자파 차폐 필름 (15) 의 시감 투과율은 66.13％ 이고, 시감 반사율은 0.19％ 이며, 시트 저항 (표면 저항) 은 0.89Ω/□ 이다. 투과 스펙트럼을 도 11 에, 반사 스펙트럼을 도 12 에 나타낸다.
(예 6)
예 2 와 동일하게 하여, 예 5 의 전자파 차폐 필름 (15) 을 이용하여 PDP 용 보호판 (1) 을 제작한다. 그 PDP 용 보호판 (1) 의 시감 투과율은 69.26％ 이고, 시감 반사율은 0.98％ 이다.
(예 7)
예 1 과 동일한 조건에서, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 상에 도전막 (12) 및 방오제층 (13) 을 형성하여, 도 7 에 나타내는 전자파 차폐 필름 (14) 을 제작한다.
단, 금속층 (12b(1)) 의 막 두께를 7.0㎚, 금속층 (12b(2)) 의 막 두께를 10.7㎚, 금속층 (12b(3)) 의 막 두께를 13.1㎚, 금속층 (12b(4)) 의 막 두께를 14.1㎚ 로 한다. 또, 무기물층 (12a) 은 산화 갈륨을 5질량％ 도프한 산화 아연 타겟 (굴절률 1.96) 을 이용하여 형성하고, 무기물층 (12a(1)) 의 막 두께를 40㎚, 무기물층 (12a(2)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(3)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(4)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(5)) 의 막 두께를 35㎚ 로 한다. 또, 방수층 (12c) 으로서 막 두께 5㎚ 의 ITO 층을 형성한다.
그 전자파 차폐 필름 (14) 의 시감 투과율은 70.84％ 이고, 시감 반사율은 0.41％ 이며, 시트 저항 (표면 저항) 은 1.15Ω/□ 이다.
(예 8)
예 2 와 동일하게 하여, 예 7 의 전자파 차폐 필름 (14) 을 이용하여 PDP 용 보호판 (1) 을 제작한다. 그 PDP 용 보호판 (1) 의 시감 투과율은 72.63％ 이고, 시감 반사율은 1.15％ 이다.
(예 9)
예 1 과 동일한 조건에서, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 상에 도전막 (12) 및 방오제층 (13) 을 형성하여, 도 7 에 나타내는 전자파 차폐 필름 (14) 을 제작한다.
단, 금속층 (12b(1)) 의 막 두께를 7.8㎚, 금속층 (12b(2)) 의 막 두께를 10.0㎚, 금속층 (12b(3)) 의 막 두께를 12.2㎚, 금속층 (12b(4)) 의 막 두께를 14.9㎚ 로 한다. 또, 무기물층 (12a) 은 산화 티탄을 10질량％ 도프한 산화 아연 타겟 (굴절률 2.06) 을 이용하여 형성하고, 무기물층 (12a(1)) 의 막 두께를 40㎚, 무기물층 (12a(2)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(3)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(4)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(5)) 의 막 두께를 35㎚ 로 한다. 또, 방수층 (12c) 으로서 막 두께 5㎚ 의 ITO 층을 형성한다.
그 전자파 차폐 필름 (14) 의 시감 투과율은 73.07％ 이고, 시감 반사율은 0.25％ 이며, 시트 저항 (표면 저항) 은 0.98Ω/□ 이다.
(예 10)
예 2 와 동일하게 하여, 예 9 의 전자파 차폐 필름 (14) 을 이용하여 PDP 용 보호판 (1) 을 제작한다. 그 PDP 용 보호판 (1) 의 시감 투과율은 74.11％ 이고, 시감 반사율은 0.99％ 이다.
(예 11)
예 1 과 동일한 조건에서, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 상에 도전막 (12) 및 방오제층 (13) 을 형성하여, 도 1 에 나타내는 전자파 차폐 필름 (10) 을 제작한다.
단, 금속층 (12b(1)) 의 막 두께를 8.0㎚, 금속층 (12b(2)) 의 막 두께를 13.4㎚, 금속층 (12b(3)) 의 막 두께를 14.2㎚ 로 한다. 또, 무기물층 (12a(1)) 의 막 두께를 40㎚, 무기물층 (12a(3)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(4)) 의 막 두께를 35㎚ 로 한다. 또한, 무기물층 (12a(2)) 을, 알루미나를 5질량％ 도프한 산화 아연 타겟으로 형성한 AZO 층 (굴절률 1.93) 10.6㎚ 와, 붕소를 도프한 실리콘 타겟으로 형성한 이산화 규소층 (굴절률 1.46) 100㎚ 와, 알루미나를 5질량％ 도프한 산화 아연 타겟으로 형성한 AZO 층 17.5㎚ 를 적층한 3 층 구조 (평균 굴절률 1.56) 로 한다. 또, 방수층 (12c) 으로서 막 두께 5㎚ 의 ITO 층을 형성한다.
그 전자파 차폐 필름 (10) 의 시감 투과율은 71.11％ 이고, 시감 반사율은 0.49％ 이며, 시트 저항 (표면 저항) 은 1.33Ω/□ 이다.
(예 12)
예 2 와 동일하게 하여, 예 11 의 전자파 차폐 필름 (10) 을 이용하여 PDP 용 보호판 (1) 을 제작한다. 그 PDP 용 보호판 (1) 의 시감 투과율은 73.42％ 이고, 시감 반사율은 1.56％ 이다.
(예 13)
예 1 과 동일한 조건에서, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 상에 도전막 (12) 및 방오제층 (13) 을 형성하여, 도 1 에 나타내는 전자파 차폐 필름 (10) 을 제작한다.
단, 금속층 (12b(1)) 의 막 두께를 6.9㎚, 금속층 (12b(2)) 의 막 두께를 9.0㎚, 금속층 (12b(3)) 의 막 두께를 10.4㎚ 로 한다. 또, 무기물층 (12a(1)) 의 막 두께를 40㎚, 무기물층 (12a(2)) 의 막 두께를 80㎚, 무기물층 (12a(3)) 의 막 두께를 80㎚ 로 한다. 또한, 무기물층 (12a(4)) 을, AZO 층 (굴절률 1.93) 20㎚ 와 이산화 규소층 (굴절률 1.46) 47.0㎚ 의 2 층 구조 (평균 굴절률 1.60) 로 한다. 여기에서는 방수층 (12c) 은 형성하지 않는다.
그 전자파 차폐 필름 (10) 의 시감 투과율은 77.85％ 이고, 시감 반사율은 0.12％ 이며, 시트 저항 (표면 저항) 은 2.17Ω/□ 이다.
(예 14)
예 2 와 동일하게 하여, 예 13 의 전자파 차폐 필름 (10) 을 이용하여 PDP 용 보호판 (1) 을 제작한다. 그 PDP 용 보호판 (1) 의 시감 투과율은 80.02％ 이고, 시감 반사율은 0.90％ 이다.
(예 15)
예 1 과 동일한 조건에서, 기체 (11) 인 두께 100㎛ 의 PET 필름 상에 도전막 (12) 및 방오제층 (13) 을 형성하여, 도 1 에 나타내는 전자파 차폐 필름 (10) 을 제작한다.
단, 금속층 (12b(1)) 의 막 두께를 7.0㎚, 금속층 (12b(2)) 의 막 두께를 11.0㎚, 금속층 (12b(3)) 의 막 두께를 10.1㎚ 로 한다. 또, 무기물층 (12a) 은 알루미늄 타겟을 출발 원료로 하여 산소 분위기 하에서 막 형성한 산화 알루미늄층 (굴절률 1.67) 으로 형성하고, 무기물층 (12a(1)) 의 막 두께를 50㎚, 무기물층 (12a(2)) 의 막 두께를 97.6㎚, 무기물층 (12a(3)) 의 막 두께를 98.7㎚, 무기물층 (12a(4)) 의 막 두께를 51.3㎚ 로 한다. 여기에서는 방수층 (12c) 은 형성되지 않는다.
그 전자파 차폐 필름 (10) 의 시감 투과율은 76.74％ 이고, 시감 반사율은 0.46％ 이며, 시트 저항 (표면 저항) 은 1.99Ω/□ 이다.
(예 16)
예 2 와 동일하게 하여, 예 15 의 전자파 차폐 필름 (10) 을 이용하여 PDP 용 보호판 (1) 을 제작한다. 그 PDP 용 보호판 (1) 의 시감 투과율은 78.90％ 이고, 시감 반사율은 1.51％ 이다.
(예 17)
금속층 (12b(1)) 을 형성할 때의 전력 밀도를 0.34W/㎠ 로 하여, 금속층 (12b(1)) 의 막 두께를 9.1㎚ 로 하고 ; 금속층 (12b(2)) 을 형성할 때의 전력 밀도를 0.41W/㎠ 로 하여, 금속층 (12b(2)) 의 막 두께를 10.9㎚ 로 하고 ; 금속층 (12b(3)) 을 형성할 때의 전력 밀도를 0.37W/㎠ 로 하여, 금속층 (12b(3)) 의 막 두께를 10.0㎚ 로 한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 전자파 차폐 필름을 얻 었다.
이와 같이 하여 제작한 전자파 차폐 필름에 대하여, 컬러 애널라이저 (도쿄 전색사 제조, TC1800) 에 의해 측정한 시감 투과율은 78.2％, 시감 반사율은 2.29％ 이었다. 투과 스펙트럼을 도 3 에, 반사 스펙트럼을 도 4 에 나타낸다. 또, 와전류형 저항 측정기 (Nagy 사 제조, SRM12) 에 의해 측정한 시트 저항 (표면 저항) 은 1.82Ω/□ 이었다.
(예 18)
예 2 의 전자파 차폐 필름 (10) 을 예 17 의 전자파 차폐 필름으로 변경한 것 이외에는, 예 2 와 동일하게 하여 PDP 용 보호판을 얻었다.
이와 같이 하여 제작한 PDP 용 보호막에 대하여, 컬러 애널라이저 (도쿄 전색사 제조, TC1800) 에 의해 측정한 시감 투과율은 80.2％, 시감 반사율은 2.63％ 이었다. 투과 스펙트럼을 도 5 에, 반사 스펙트럼을 도 6 에 나타낸다.
(예 19)
금속층 (12b(1)) 의 막 두께를 10.0㎚, 금속층 (12b(2)) 의 막 두께를 12.0㎚, 금속층 (12b(3)) 의 막 두께를 12.0㎚, 금속층 (12b(4)) 의 막 두께를 10.0㎚ 로 하는 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 전자파 차폐 필름을 제작한다.
그 전자파 차폐 필름의 시감 투과율은 69.52％ 이고, 시감 반사율은 2.50％ 이며, 시트 저항 (표면 저항) 은 1.31Ω/□ 이다. 투과 스펙트럼을 도 8 에, 반사 스펙트럼을 도 9 에 나타낸다.
(예 20)
예 2 와 동일하게 하여, 예 19 의 전자파 차폐 필름을 이용하여 PDP 용 보호판을 제작한다. 그 PDP 용 보호판의 시감 투과율은 71.45％ 이고, 시감 반사율은 3.32％ 이다.
산업상이용가능성
본 발명의 PDP 용 전자파 차폐 필름 및 PDP 용 보호판은, 보호 필름을 형성하지 않아도, PDP 용 보호판의 시감 반사율이 낮게 억제되어, 최근의 고성능화, 박형화의 요구에 응할 수 있는 것으로서, 유용하다.
또한, 2005년 7월 7일에 출원된 일본 특허출원 2005-198507호 및 2005년 10월 26일에 출원된 일본 특허출원 2005-311169호의 명세서, 특허 청구의 범위, 도 면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하여, 본 발명의 명세서의 개시로서 도입한 것이다.

Claims (13)

  1. 기체와, 기체 상에 형성된 도전막을 갖고,
    또한 상기 도전막은, 기체측으로부터 굴절률이 1.55 ∼ 2.5 인 무기물층과 금속층이 교대로 적층되고, 금속층이 n 층, 무기물층이 (n + 1) 층 (단, n 은 3 ∼ 5의 정수이다) 형성된 다층 구조체이며,
    무기물층이 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 층이며,
    금속층이, 순은으로 이루어지는 층, 또는 금, 팔라듐 및 비스무트로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 은 합금으로 이루어지는 층이며,
    기체로부터 2 ∼ n 번째 각 금속층의 막 두께가, 기체로부터 1 번째 금속층의 막 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    기체로부터 1 번째 금속층의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체로부터 2 ∼ n 번째 각 금속층의 막 두께가 각각 1.1 ∼ 2.5 인, 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    기체로부터 i 번째 (단, i 는 2 ∼ n 의 정수이다) 금속층의 막 두께가, 기체로부터 i-1 번째 금속층의 막 두께보다 두꺼운, 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름.
  4. 제 3 항에 있어서,
    기체로부터 i-1 번째 금속층의 막 두께를 1 로 했을 때, 기체로부터 i 번째 금속층의 막 두께는 1.05 ∼ 2.5 인, 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    n 이 3 인, 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로 상기 도전막 상에 방오제 (防汚劑) 층을 갖는, 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 방오제층의 굴절률이, 1.3 ∼ 1.5 인, 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 방오제층의 두께가 2 ∼ 30㎚ 인, 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    무기물층이, 산화 아연, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 티탄 및 산화 니오브로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는, 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    무기물층이, 주석, 알루미늄, 크롬, 티탄, 규소, 붕소, 마그네슘 및 갈륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 산화 아연으로 이루어지는 층인, 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름.
  11. 지지 기체와,
    상기 지지 기체 상에 형성된 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 보호판.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널용 전자파 차폐 필름에 있어서의 기체의 도전막이 형성된 면의 반대측 면과, 상기 지지 기체의 일방의 면이 접착된, 플라즈마 디스플레이 패널용 보호판.
  13. 제 12 항에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널용 보호판의 도전막측 표면이, 플라즈마 디스플레이 패널측이 되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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