JPH10323932A - 透明導電フィルム - Google Patents
透明導電フィルムInfo
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- JPH10323932A JPH10323932A JP9150179A JP15017997A JPH10323932A JP H10323932 A JPH10323932 A JP H10323932A JP 9150179 A JP9150179 A JP 9150179A JP 15017997 A JP15017997 A JP 15017997A JP H10323932 A JPH10323932 A JP H10323932A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透光性を維持したまま電気伝導性を有し、特
に、長時間高温・高湿雰囲気に曝されても実用性のある
透光性と電気伝導性を保持できる、環境の変化に左右さ
れない安定な透明導電フィルムを提供すること。 【解決手段】 透明高分子フィルム上に、二層の透明金
属薄膜層（Ａ）間にＩｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓ
ｂ、Ｇｅ、Ｗ又はＭｏの金属酸化物又は金属・金属酸化
物からなる透明導電薄膜層（Ｂ）又はＳｉ、Ｚｒ、Ｃ
ｅ、Ｍｇ、Ｔｉ又はＡｌの金属酸化物、金属窒化物又は
金属酸化窒化物からなる透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）を
挟んでなる三層複合層と、透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）
とを順次積層してなることを特徴とする。
に、長時間高温・高湿雰囲気に曝されても実用性のある
透光性と電気伝導性を保持できる、環境の変化に左右さ
れない安定な透明導電フィルムを提供すること。 【解決手段】 透明高分子フィルム上に、二層の透明金
属薄膜層（Ａ）間にＩｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓ
ｂ、Ｇｅ、Ｗ又はＭｏの金属酸化物又は金属・金属酸化
物からなる透明導電薄膜層（Ｂ）又はＳｉ、Ｚｒ、Ｃ
ｅ、Ｍｇ、Ｔｉ又はＡｌの金属酸化物、金属窒化物又は
金属酸化窒化物からなる透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）を
挟んでなる三層複合層と、透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）
とを順次積層してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、優れた環境安定性
と電気伝導特性を備えた透明導電フィルム、それを用い
たプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）前面の電磁波
シールド材料及びプラズマディスプレイに関するもので
ある。
と電気伝導特性を備えた透明導電フィルム、それを用い
たプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）前面の電磁波
シールド材料及びプラズマディスプレイに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明導電フィルムはポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の透明高分子フィ
ルム上にインジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電
膜を積層したものが一般的である。ＩＴＯによる透明導
電膜においては、透明性と導電性は相反する要求特性で
あることが多く、表面抵抗率が１０Ω／□以下であって
透明性が高い透明導電膜を得ることは因難であり、特に
成膜温度条件に制限のある高分子フィルム基材上に成膜
するのは困難である。
テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の透明高分子フィ
ルム上にインジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電
膜を積層したものが一般的である。ＩＴＯによる透明導
電膜においては、透明性と導電性は相反する要求特性で
あることが多く、表面抵抗率が１０Ω／□以下であって
透明性が高い透明導電膜を得ることは因難であり、特に
成膜温度条件に制限のある高分子フィルム基材上に成膜
するのは困難である。
【０００３】一方、ＰＤＰ内部からはグロー放電に伴い
紫外線や赤外線を含めた電磁波が放出されており、周囲
の電子機器のノイズになったり、使用者の健康を害する
等の問題点が指摘されており、電磁波がＰＤＰ外部に漏
れないよう遮蔽しなければならない。ＰＤＰ背面及び側
面は筺体に公知の電磁波シールド処理を施せばよいが、
パネル前面には透明なシールド材料を配置する必要があ
る。これまでもパソコン等のＣＲＴ用電磁波シールドフ
ィルターは各種発売されているが、ＰＤＰ用ではより高
度な電磁波シールド性能が必要となる。
紫外線や赤外線を含めた電磁波が放出されており、周囲
の電子機器のノイズになったり、使用者の健康を害する
等の問題点が指摘されており、電磁波がＰＤＰ外部に漏
れないよう遮蔽しなければならない。ＰＤＰ背面及び側
面は筺体に公知の電磁波シールド処理を施せばよいが、
パネル前面には透明なシールド材料を配置する必要があ
る。これまでもパソコン等のＣＲＴ用電磁波シールドフ
ィルターは各種発売されているが、ＰＤＰ用ではより高
度な電磁波シールド性能が必要となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＰＤＰ前面の電磁波シ
ールド材料に用いる透明導電フィルムには透明性ととも
に優れた導電性（低電気抵抗率）が求められる。このよ
うな要求特性を満足し得る透明導電フィルムとしてＡ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の透明金属薄膜を積層した導電フィル
ムがある。たとえば膜厚が５０Åから１５０ÅのＡｇの
スパッタリング膜をＰＥＴフィルム上に積層した透明導
電フィルムは、表面抵抗率は数Ω／□と低く、全光線透
過率も６５％以上あり、低電気抵抗率と高光線透過率の
バランスがとれた高性能な透明導電フィルムとなる。し
かし、Ａｇ、Ｃｕ等の透明金属薄膜は環境安定性が悪
く、特に高温高湿度下では酸化が進み、初期の性能が時
間の経過と共に維持できなくなり、Ａｕの透明金属薄膜
は透過光が青緑色になり又高価であることから好ましく
ない。また、電気伝導性を優先した透明導電フィルムと
して従来からよく知られているＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の透
明金属薄膜を透明高分子フィルム上に積層したものは、
一般に透明金属薄膜の膜厚の増加に従って電気伝導性は
良くなるが、光線透過率も極端に低下し、２００Å以上
では反射率１００％の金属光沢をもった膜となり不満足
なものである。
ールド材料に用いる透明導電フィルムには透明性ととも
に優れた導電性（低電気抵抗率）が求められる。このよ
うな要求特性を満足し得る透明導電フィルムとしてＡ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の透明金属薄膜を積層した導電フィル
ムがある。たとえば膜厚が５０Åから１５０ÅのＡｇの
スパッタリング膜をＰＥＴフィルム上に積層した透明導
電フィルムは、表面抵抗率は数Ω／□と低く、全光線透
過率も６５％以上あり、低電気抵抗率と高光線透過率の
バランスがとれた高性能な透明導電フィルムとなる。し
かし、Ａｇ、Ｃｕ等の透明金属薄膜は環境安定性が悪
く、特に高温高湿度下では酸化が進み、初期の性能が時
間の経過と共に維持できなくなり、Ａｕの透明金属薄膜
は透過光が青緑色になり又高価であることから好ましく
ない。また、電気伝導性を優先した透明導電フィルムと
して従来からよく知られているＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の透
明金属薄膜を透明高分子フィルム上に積層したものは、
一般に透明金属薄膜の膜厚の増加に従って電気伝導性は
良くなるが、光線透過率も極端に低下し、２００Å以上
では反射率１００％の金属光沢をもった膜となり不満足
なものである。
【０００５】本発明は、上記従来の透明導電フィルムの
有する問題点を解決したものであって、透光性を維持し
たまま電気伝導性を有し、特に、長時間高温・高湿雰囲
気に曝されても実用性のある透光性と電気伝導性を保持
できる、という環境の変化に左右されない安定な透明導
電フィルムを提供することを目的とする。
有する問題点を解決したものであって、透光性を維持し
たまま電気伝導性を有し、特に、長時間高温・高湿雰囲
気に曝されても実用性のある透光性と電気伝導性を保持
できる、という環境の変化に左右されない安定な透明導
電フィルムを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の透明導電フィルムは、透明高分子フィルム
上に、二層の透明金属薄膜層（Ａ）間にＩｎ、Ｓｎ、Ｃ
ｄ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｗ又はＭｏから選ばれた
１種又は２種以上の金属酸化物又は金属・金属酸化物か
らなる透明導電薄膜層（Ｂ）又はＳｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｍ
ｇ、Ｔｉ又はＡｌから選ばれた１種又は２種以上の金属
酸化物、金属窒化物又は金属酸化窒化物からなる透明ガ
スバリア薄膜層（Ｃ）を挟んでなる三層複合層と、透明
ガスバリア薄膜層（Ｃ）とを順次積層してなることを特
徴とする。
め、本発明の透明導電フィルムは、透明高分子フィルム
上に、二層の透明金属薄膜層（Ａ）間にＩｎ、Ｓｎ、Ｃ
ｄ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｗ又はＭｏから選ばれた
１種又は２種以上の金属酸化物又は金属・金属酸化物か
らなる透明導電薄膜層（Ｂ）又はＳｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｍ
ｇ、Ｔｉ又はＡｌから選ばれた１種又は２種以上の金属
酸化物、金属窒化物又は金属酸化窒化物からなる透明ガ
スバリア薄膜層（Ｃ）を挟んでなる三層複合層と、透明
ガスバリア薄膜層（Ｃ）とを順次積層してなることを特
徴とする。
【０００７】ここで、透明導電フィルムでいう透明と
は、全光線透過率が６５％以上のことを意味する。
は、全光線透過率が６５％以上のことを意味する。
【０００８】上記の構成からなる透明導電フィルムは、
透明フィルムなみの透光性を維持しながら優れた電気伝
導性を有し、特に、長時間高温・高湿雰囲気に曝されて
も実用性のある透光性と電気伝導性を保持できるとい
う、環境変化による影響が少ない、安定な透明導電フィ
ルムである。
透明フィルムなみの透光性を維持しながら優れた電気伝
導性を有し、特に、長時間高温・高湿雰囲気に曝されて
も実用性のある透光性と電気伝導性を保持できるとい
う、環境変化による影響が少ない、安定な透明導電フィ
ルムである。
【０００９】本発明の好適な実施態様としては、透明金
属薄膜層（Ａ）がＡｇを主成分とする厚さ５０Åから１
７５Åの薄膜であることができる。
属薄膜層（Ａ）がＡｇを主成分とする厚さ５０Åから１
７５Åの薄膜であることができる。
【００１０】また、本発明の好適な実施態様としては、
透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）の積層面積が透明金属薄膜
層（Ａ）より小面積であることができる。
透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）の積層面積が透明金属薄膜
層（Ａ）より小面積であることができる。
【００１１】また、本発明の透明導電フィルムは、電磁
波シールド材料に好適に使用することができる。
波シールド材料に好適に使用することができる。
【００１２】この電磁波シールド材料は、ＰＤＰ等から
放出される電磁波を遮断する場合に、長時間高温・高湿
雰囲気に曝されても実用性のある透光性と電気伝導性を
保持することができる電磁波シールド材料となる。
放出される電磁波を遮断する場合に、長時間高温・高湿
雰囲気に曝されても実用性のある透光性と電気伝導性を
保持することができる電磁波シールド材料となる。
【００１３】また、本発明の透明導電フィルムは、プラ
ズマディスプレイに好適に用いることができる。
ズマディスプレイに好適に用いることができる。
【００１４】このプラズマディスプレイは、ＰＤＰから
放出される電磁波を遮断するのに、長時間高温・高湿雰
囲気に曝されても実用性のある透光性と電気伝導性を保
持できるプラズマディスプレイとなる。
放出される電磁波を遮断するのに、長時間高温・高湿雰
囲気に曝されても実用性のある透光性と電気伝導性を保
持できるプラズマディスプレイとなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の透明導電フィルム
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００１６】具体的には、透明金属薄膜層（Ａ）、透明
導電薄膜層（Ｂ）、透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）、透明
高分子フィルム（Ｄ）の積層順序が、（Ｃ）／（Ａ）／
（Ｂ）／（Ａ）／（Ｄ）、（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）／
（Ａ）／（Ｄ）、（Ｃ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／
（Ｃ）／（Ｄ）、（Ｃ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／
（Ｃ）／（Ｄ）、（Ｃ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／
（Ｂ）／（Ａ）／（Ｄ）、（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）／
（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）／（Ｄ）のような構成
をとるのが典型的な積層構造であるがこれらに限定され
るものではない。
導電薄膜層（Ｂ）、透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）、透明
高分子フィルム（Ｄ）の積層順序が、（Ｃ）／（Ａ）／
（Ｂ）／（Ａ）／（Ｄ）、（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）／
（Ａ）／（Ｄ）、（Ｃ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／
（Ｃ）／（Ｄ）、（Ｃ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／
（Ｃ）／（Ｄ）、（Ｃ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／
（Ｂ）／（Ａ）／（Ｄ）、（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）／
（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）／（Ｄ）のような構成
をとるのが典型的な積層構造であるがこれらに限定され
るものではない。
【００１７】また、本発明の透明導電フィルムにおい
て、透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）の積層面積が、透明金
属薄膜層（Ａ）の積層面積より小面積であって、透明金
属薄膜層（Ａ）と外部端子とが電気的導通可能な構成で
あるようにする、或いは、さらに、三層複合層における
二層の透明金属薄膜層（Ａ）の間の透明ガスバリア薄膜
（Ｃ）の積層面積を上記（Ａ）の面積に比べ小面積に
し、内外２層の（Ａ）の電気的導通をはかる構造とする
ことができる。また、本発明の透明導電フィルムは電磁
波シールド材料に、またはプラズマディスプレイの構成
成分に使用することができる。
て、透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）の積層面積が、透明金
属薄膜層（Ａ）の積層面積より小面積であって、透明金
属薄膜層（Ａ）と外部端子とが電気的導通可能な構成で
あるようにする、或いは、さらに、三層複合層における
二層の透明金属薄膜層（Ａ）の間の透明ガスバリア薄膜
（Ｃ）の積層面積を上記（Ａ）の面積に比べ小面積に
し、内外２層の（Ａ）の電気的導通をはかる構造とする
ことができる。また、本発明の透明導電フィルムは電磁
波シールド材料に、またはプラズマディスプレイの構成
成分に使用することができる。
【００１８】本発明においては、透明高分子フィルム上
に積層する透明金属薄膜層（Ａ）は、透明で電気伝導性
のある金属薄膜層であれば限定はない。ここで、透明金
属薄膜層が透明であるとは、全光線透過率が６５％以上
のことであり、好ましくは、Ａｇを主成分とした、厚さ
５０Åから１７５Åの薄膜である。
に積層する透明金属薄膜層（Ａ）は、透明で電気伝導性
のある金属薄膜層であれば限定はない。ここで、透明金
属薄膜層が透明であるとは、全光線透過率が６５％以上
のことであり、好ましくは、Ａｇを主成分とした、厚さ
５０Åから１７５Åの薄膜である。
【００１９】また、本発明において、透明導電薄膜層
（Ｂ）はＩｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｇｅ、
Ｗ、Ｍｏから選ばれる１種又は２種以上の金属酸化物又
は金属・金属酸化物による透明な導電薄膜である。ここ
で、透明導電薄膜層が透明であるとは、全光線透過率が
６５％以上のことである。
（Ｂ）はＩｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｇｅ、
Ｗ、Ｍｏから選ばれる１種又は２種以上の金属酸化物又
は金属・金属酸化物による透明な導電薄膜である。ここ
で、透明導電薄膜層が透明であるとは、全光線透過率が
６５％以上のことである。
【００２０】また、本発明において、透明ガスバリア薄
膜層（Ｃ）はＳｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｍｇ、Ｔｉ又はＡｌか
ら選ばれる１種又は２種以上の金属酸化物、金属窒化物
又は金属酸化窒化物による透明なガスバリア薄膜層であ
る。ここで、透明ガスバリア薄膜層が透明であるとは、
全光線透過率が６５％以上のことである。
膜層（Ｃ）はＳｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｍｇ、Ｔｉ又はＡｌか
ら選ばれる１種又は２種以上の金属酸化物、金属窒化物
又は金属酸化窒化物による透明なガスバリア薄膜層であ
る。ここで、透明ガスバリア薄膜層が透明であるとは、
全光線透過率が６５％以上のことである。
【００２１】本発明において、三層複合層は透明導電薄
膜層（Ｂ）又はガスバリア薄膜層（Ｃ）を挟んで、
（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）又は（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）の
３層積層構造を含むものである。本発明においては、三
層複合層は上記基本構造を含んでおれば、（Ａ）／
（Ｂ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）、（Ａ）／（Ｃ）／
（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）、（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／
（Ｃ）／（Ａ）のようにさらに付加した構造であっても
何ら差し支えないものである。
膜層（Ｂ）又はガスバリア薄膜層（Ｃ）を挟んで、
（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）又は（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）の
３層積層構造を含むものである。本発明においては、三
層複合層は上記基本構造を含んでおれば、（Ａ）／
（Ｂ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）、（Ａ）／（Ｃ）／
（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）、（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／
（Ｃ）／（Ａ）のようにさらに付加した構造であっても
何ら差し支えないものである。
【００２２】本発明においては、上記薄膜層の外側にＳ
ｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｍｇ、Ｔｉ又はＡｌから選ばれた１種
又は２種以上の金属酸化物、金属窒化物又は金属酸化窒
化物によるガスバリア薄膜層（Ｃ）を１層以上積層して
いる。
ｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｍｇ、Ｔｉ又はＡｌから選ばれた１種
又は２種以上の金属酸化物、金属窒化物又は金属酸化窒
化物によるガスバリア薄膜層（Ｃ）を１層以上積層して
いる。
【００２３】以下、本発明の透明導電フィルムの実施の
形態を図面に基づいて説明する。
形態を図面に基づいて説明する。
【００２４】本発明における透明金属薄膜（Ａ）は、可
視域の吸収が少なく、電気伝導性の高い金属あるいは合
金であれば良いが、特に光学特性と電気伝導性のバラン
スよりＡｇによる薄膜あるいはＡｇを主成分としたもの
が好ましい。また、他に含有させることができる金属と
しては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、
Ｓｎ、Ｉｎ等が好ましい。Ａｇ単独では環境安定性が悪
い場合があるので、Ａｇ−Ａｕ合金、Ａｇ−Ｃｕ合金等
にすることにより膜密度が改善され、耐久性と導電率の
向上がみられることがある。ただし、光学特性の観点か
らＡｇの含有量は５０％以上が好ましい。
視域の吸収が少なく、電気伝導性の高い金属あるいは合
金であれば良いが、特に光学特性と電気伝導性のバラン
スよりＡｇによる薄膜あるいはＡｇを主成分としたもの
が好ましい。また、他に含有させることができる金属と
しては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、
Ｓｎ、Ｉｎ等が好ましい。Ａｇ単独では環境安定性が悪
い場合があるので、Ａｇ−Ａｕ合金、Ａｇ−Ｃｕ合金等
にすることにより膜密度が改善され、耐久性と導電率の
向上がみられることがある。ただし、光学特性の観点か
らＡｇの含有量は５０％以上が好ましい。
【００２５】透明金属薄膜の膜厚は５０Å〜１７５Åの
範囲が好ましい。５０Å未満では薄膜が不連続な島状構
造であり電気伝導性が低く、１７５Åを越えると可視光
の透過性がなくなる。しかしながら、金属の単層膜で、
ある程度の透光性を維持しつつ数Ω／□の表面抵抗率を
実現するのは困難である。そこで、２層に分割しそのあ
いだに異質の透明薄膜層を設け、周辺部で電気的導通を
とることで、合計膜厚が厚くなっても透光性を持たせた
まま、電気伝導性を向上することができる。上下２層の
透明金属薄膜の電気的導通の取り方は、たとえば、中間
層を成膜する際に周辺端部の一部又は全部に、あるいは
一部分を○あるいは□型にマスキングをかけて中間層成
膜後、２層目を成膜する前にマスキングを剥離すること
により与えることができる。
範囲が好ましい。５０Å未満では薄膜が不連続な島状構
造であり電気伝導性が低く、１７５Åを越えると可視光
の透過性がなくなる。しかしながら、金属の単層膜で、
ある程度の透光性を維持しつつ数Ω／□の表面抵抗率を
実現するのは困難である。そこで、２層に分割しそのあ
いだに異質の透明薄膜層を設け、周辺部で電気的導通を
とることで、合計膜厚が厚くなっても透光性を持たせた
まま、電気伝導性を向上することができる。上下２層の
透明金属薄膜の電気的導通の取り方は、たとえば、中間
層を成膜する際に周辺端部の一部又は全部に、あるいは
一部分を○あるいは□型にマスキングをかけて中間層成
膜後、２層目を成膜する前にマスキングを剥離すること
により与えることができる。
【００２６】透明金属薄膜の成膜法としては、主にスパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等
のＰＶＤ法（物理蒸着法）が用いられるが、５０Å〜１
７５Åというかなり薄い膜を安定的に成膜するためには
高エネルギー粒子による成膜法が好ましく、特に合金の
薄膜形成の場合は、組成・膜厚の均一性の観点からスパ
ッタリング法が好ましい。
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等
のＰＶＤ法（物理蒸着法）が用いられるが、５０Å〜１
７５Åというかなり薄い膜を安定的に成膜するためには
高エネルギー粒子による成膜法が好ましく、特に合金の
薄膜形成の場合は、組成・膜厚の均一性の観点からスパ
ッタリング法が好ましい。
【００２７】本発明の透明導電薄膜（Ｂ）とは、Ｉｎ、
Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｏ、Ｗ、Ｍｏ又はＡｌから
選ばれた１種又は２種以上の金属酸化物あるいは金属・
金属酸化物による導電性薄膜であり、可視域の光線透過
率の高いものが好ましい。
Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｇｏ、Ｗ、Ｍｏ又はＡｌから
選ばれた１種又は２種以上の金属酸化物あるいは金属・
金属酸化物による導電性薄膜であり、可視域の光線透過
率の高いものが好ましい。
【００２８】透明導電薄膜の膜厚は、その電気伝導性の
発現より、５０Å以上が好ましく、より好ましくは１５
０Å以上である。
発現より、５０Å以上が好ましく、より好ましくは１５
０Å以上である。
【００２９】透明導電薄膜の成膜法としてはスパッタリ
ング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶ
Ｄ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法（化学蒸着法）等の高真
空中での薄膜形成法がある。
ング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶ
Ｄ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法（化学蒸着法）等の高真
空中での薄膜形成法がある。
【００３０】本発明の透明ガスバリア薄膜（Ｃ）とは、
透明金属薄膜の電気伝導性及び透光性の低下の原因であ
る酸化を防ぐ目的のため、酸素、水蒸気等の気体透過性
の極めて低いものが好ましく、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｍ
ｇ、Ｔｉ又はＡｇから選ばれる１種又は２種以上の金属
酸化物又は金属窒化物あるいは金属酸化窒化物の薄膜が
好ましい。
透明金属薄膜の電気伝導性及び透光性の低下の原因であ
る酸化を防ぐ目的のため、酸素、水蒸気等の気体透過性
の極めて低いものが好ましく、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｍ
ｇ、Ｔｉ又はＡｇから選ばれる１種又は２種以上の金属
酸化物又は金属窒化物あるいは金属酸化窒化物の薄膜が
好ましい。
【００３１】透明ガスバリア薄膜の膜厚は、そのガスバ
リア性の発現より１００Å以上が好ましく、より好まし
くは１５０Å以上である。
リア性の発現より１００Å以上が好ましく、より好まし
くは１５０Å以上である。
【００３２】透明ガスバリア薄膜の成膜法としては、ス
パッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法
等のＰＶＤ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法（化学蒸着法）
等の高真空中での薄膜形成法がある。
パッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法
等のＰＶＤ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法（化学蒸着法）
等の高真空中での薄膜形成法がある。
【００３３】透明導電薄膜層（Ｂ）及び透明ガスバリア
薄膜層（Ｃ）の膜厚は、必要に応じて選択光透過フィル
ターとなるように、透明金属薄膜層（Ａ）との間で膜厚
の光学設計をしてもよい。
薄膜層（Ｃ）の膜厚は、必要に応じて選択光透過フィル
ターとなるように、透明金属薄膜層（Ａ）との間で膜厚
の光学設計をしてもよい。
【００３４】本発明において用いる透明高分子フィルム
は、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ
スルホン系樹脂等であり、たとえばポリエチレンテレフ
タレート、ポりエチレンナフタレート、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、非晶質環式ポリオレフィン、ポリエ
ーテルスルホン等のフィルムであるが、特性と価格のバ
ランスよりポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィ
ルムが好ましく用いられる。
は、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ
スルホン系樹脂等であり、たとえばポリエチレンテレフ
タレート、ポりエチレンナフタレート、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、非晶質環式ポリオレフィン、ポリエ
ーテルスルホン等のフィルムであるが、特性と価格のバ
ランスよりポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィ
ルムが好ましく用いられる。
【００３５】透明高分子フィルムの厚さは５０〜３００
μｍが好ましく、より好ましくは１００〜２００μｍで
ある。またこれらの透明高分子フィルム中にその透明高
分子フィルムの機械的特性及び光学特性を損なわない程
度の着色剤、紫外線吸収剤、安定剤、可塑剤、色素等を
含ませても何ら差し支えない。
μｍが好ましく、より好ましくは１００〜２００μｍで
ある。またこれらの透明高分子フィルム中にその透明高
分子フィルムの機械的特性及び光学特性を損なわない程
度の着色剤、紫外線吸収剤、安定剤、可塑剤、色素等を
含ませても何ら差し支えない。
【００３６】
【実施例】以下に本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
また、実施例とともに比較例を記した。
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
また、実施例とともに比較例を記した。
【００３７】次に、本明細書における特性値の測定法を
示す。
示す。
【００３８】(１)表面抵抗率：三菱油化（株）製抵抗率
計（ロレスタ・ＡＰ）にて測定した。
計（ロレスタ・ＡＰ）にて測定した。
【００３９】(２)全光線透過率及びヘイズ：日本電色工
業（株）製ヘイズメーター（ＮＤＨ−１０００ＤＰ）に
て測定した。
業（株）製ヘイズメーター（ＮＤＨ−１０００ＤＰ）に
て測定した。
【００４０】(３)電磁波シールド効果 はアドバンテスト社製スペクトラムアナライザー「Ｒ３
３６１Ａ」、及びシールドボックス「ＴＲ１７３０１
Ａ」を用い、電界、磁界についてそれぞれ測定した。測
定周波数は０〜１ＧＨｚで行った。
３６１Ａ」、及びシールドボックス「ＴＲ１７３０１
Ａ」を用い、電界、磁界についてそれぞれ測定した。測
定周波数は０〜１ＧＨｚで行った。
【００４１】（実施例１）厚さ１８８ミクロンの２軸延
伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板に、第１層
として１００ÅのＡｇ透明金属薄膜をＤＣマグネトロン
スパッタリングにより積層した。次に第２層として２０
０Åの酸化錫の透明薄電膜を高周波マグネトロンスパッ
タリングにより積層した。さらに第３層として１００Å
のＡｇ薄膜を第１層と同様に積層した。この積層体の表
面抵抗率は２Ω／□であった。次に周辺部全周にわたっ
て幅１０ｍｍのマスキングを施してから、第４層として
２００ÅのＡｌＳｉＮをＡｌＳｉ合金をターゲットに使
い反応性ＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層し
た。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは
２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽１
０００時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズ
値は２．０％であった。また、周辺部のマスキングをは
がし、銀ペーストを塗布しアース線を取り付け、電磁波
シールド特性を測定した結果、５５ｄＢであった。
伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板に、第１層
として１００ÅのＡｇ透明金属薄膜をＤＣマグネトロン
スパッタリングにより積層した。次に第２層として２０
０Åの酸化錫の透明薄電膜を高周波マグネトロンスパッ
タリングにより積層した。さらに第３層として１００Å
のＡｇ薄膜を第１層と同様に積層した。この積層体の表
面抵抗率は２Ω／□であった。次に周辺部全周にわたっ
て幅１０ｍｍのマスキングを施してから、第４層として
２００ÅのＡｌＳｉＮをＡｌＳｉ合金をターゲットに使
い反応性ＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層し
た。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは
２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽１
０００時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズ
値は２．０％であった。また、周辺部のマスキングをは
がし、銀ペーストを塗布しアース線を取り付け、電磁波
シールド特性を測定した結果、５５ｄＢであった。
【００４２】（実施例２）厚さ１８８ミクロンの２軸延
伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板に、第１層
として１００ÅのＡｇ透明金属薄膜をＤＣマグネトロン
スパッタリングにより積層した。次に周辺部全周にわた
って幅１０ｍｍのマスキングを施してから、第２層とし
て２００Åの酸化錫の透明導電膜を高周波マグネトロン
スパッタリングにより積層した。マスキングをはがし、
さらに第３層として１００ÅのＡｇ薄膜を第１層と同様
に積層した。この積層体の表面抵抗率は１Ω／□であっ
た。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキング
を施してから、第４層として２００ÅのＳｉＡｌＯＮを
ＡｌＳｉ合金をターゲットに反応性ＤＣマグネトロンス
パッタリングにより積層した。得られた積層体の全光線
透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、
９５％ＲＨの恒温恒湿槽１０００時間放置した後の全光
線透過率は７０％、ヘイズ値は２．０％であった。ま
た、周辺部のマスキングをはがし、銀ペーストを塗布し
アース線を取り付け、電磁波シールド特性を測定した結
果、６０ｄＢであった。
伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板に、第１層
として１００ÅのＡｇ透明金属薄膜をＤＣマグネトロン
スパッタリングにより積層した。次に周辺部全周にわた
って幅１０ｍｍのマスキングを施してから、第２層とし
て２００Åの酸化錫の透明導電膜を高周波マグネトロン
スパッタリングにより積層した。マスキングをはがし、
さらに第３層として１００ÅのＡｇ薄膜を第１層と同様
に積層した。この積層体の表面抵抗率は１Ω／□であっ
た。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキング
を施してから、第４層として２００ÅのＳｉＡｌＯＮを
ＡｌＳｉ合金をターゲットに反応性ＤＣマグネトロンス
パッタリングにより積層した。得られた積層体の全光線
透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、
９５％ＲＨの恒温恒湿槽１０００時間放置した後の全光
線透過率は７０％、ヘイズ値は２．０％であった。ま
た、周辺部のマスキングをはがし、銀ペーストを塗布し
アース線を取り付け、電磁波シールド特性を測定した結
果、６０ｄＢであった。
【００４３】（実施例３）厚さ１８８μの２軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルム基板に、第１層として
１００ÅのＡｇ透明金属薄膜をＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅
１０ｍｍのマスキングを施してから、第２層として２０
０ÅのＳｉＯ2の透明導電膜を高周波マグネトロンスパ
ッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、第３
層として１００ÅのＡｇ薄膜を第１層と同様に積層し
た。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□であった。次に
周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施して
から、第４層として２００ÅのＳｉＯ2を高周波マグネ
トロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体
の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。
６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽１０００時間放置した
後の全光線透過率は７５％、ヘイズ値は２．０％であっ
た。また、周辺部のマスキングをはがし、銀ペーストを
塗布しアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５
０ｄＢであった。
エチレンテレフタレートフィルム基板に、第１層として
１００ÅのＡｇ透明金属薄膜をＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅
１０ｍｍのマスキングを施してから、第２層として２０
０ÅのＳｉＯ2の透明導電膜を高周波マグネトロンスパ
ッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、第３
層として１００ÅのＡｇ薄膜を第１層と同様に積層し
た。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□であった。次に
周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施して
から、第４層として２００ÅのＳｉＯ2を高周波マグネ
トロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体
の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。
６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽１０００時間放置した
後の全光線透過率は７５％、ヘイズ値は２．０％であっ
た。また、周辺部のマスキングをはがし、銀ペーストを
塗布しアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５
０ｄＢであった。
【００４４】（実施例４）厚さ１８８μの２軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルム基板に、第１層として
２００ÅのＳｉＯ2を高周波マグネトロンスパッタリン
グにより積層した。次に第２層として、１００ÅのＡｇ
金属薄膜をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層
した。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキン
グを施してから、第３層として２００ÅのＳｉＯ2の透
明導電膜を高周波マグネトロンスパッタリングにより積
層した。マスキングを剥がし、第４層として１００Åの
Ａｇ薄膜を第１層と同様に積層した。この積層体の表面
抵抗率は２Ω／□であった。次に周辺部全周にわたって
幅１０ｍｍのマスキングを施してから、第５層として２
００ÅのＳｉＯ2を高周波マグネトロンスパッタリング
により積層した。得られた積層体の全光線透過率は７５
％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの
恒温恒湿槽１０００時間放置した後の全光線透過率は７
５％、ヘイズ値は２．０％であった。また、周辺部のマ
スキングをはがし、銀ペーストによりアース線を取り付
けた。電磁波シールド特性は５ＯｄＢであった。
エチレンテレフタレートフィルム基板に、第１層として
２００ÅのＳｉＯ2を高周波マグネトロンスパッタリン
グにより積層した。次に第２層として、１００ÅのＡｇ
金属薄膜をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層
した。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキン
グを施してから、第３層として２００ÅのＳｉＯ2の透
明導電膜を高周波マグネトロンスパッタリングにより積
層した。マスキングを剥がし、第４層として１００Åの
Ａｇ薄膜を第１層と同様に積層した。この積層体の表面
抵抗率は２Ω／□であった。次に周辺部全周にわたって
幅１０ｍｍのマスキングを施してから、第５層として２
００ÅのＳｉＯ2を高周波マグネトロンスパッタリング
により積層した。得られた積層体の全光線透過率は７５
％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの
恒温恒湿槽１０００時間放置した後の全光線透過率は７
５％、ヘイズ値は２．０％であった。また、周辺部のマ
スキングをはがし、銀ペーストによりアース線を取り付
けた。電磁波シールド特性は５ＯｄＢであった。
【００４５】（比較例１）厚さ１８８μの２軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルム基板に、１００ÅのＡ
ｇ金属薄膜をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積
層した。得られた積層体の表面抵抗率は５Ω／□、全光
線透過率は８０％、ヘイズは１．５％であった。またこ
の積層体を６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００
時間放置したのちの表面抵抗率は１０Ω／□以上であ
り、全光線透過率は５０％、ヘイズは１０％であり、外
観的にも酸化によるＡｇ膜の変色が見られた。
エチレンテレフタレートフィルム基板に、１００ÅのＡ
ｇ金属薄膜をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積
層した。得られた積層体の表面抵抗率は５Ω／□、全光
線透過率は８０％、ヘイズは１．５％であった。またこ
の積層体を６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００
時間放置したのちの表面抵抗率は１０Ω／□以上であ
り、全光線透過率は５０％、ヘイズは１０％であり、外
観的にも酸化によるＡｇ膜の変色が見られた。
【００４６】（比較例２）実施例１の第２層の酸化錫の
代わりに２００ÅのＳｉＯ2を高周波マグネトロンスパ
ッタリングにより積層すること以外は実施例１と同様に
積層体を作製した。つまり、上下２層のＡｇ層は、電気
的に絶縁状態である。最外層のＳｉＯ2積層前の表面抵
抗は５Ω／□であり、劣ったものであった。
代わりに２００ÅのＳｉＯ2を高周波マグネトロンスパ
ッタリングにより積層すること以外は実施例１と同様に
積層体を作製した。つまり、上下２層のＡｇ層は、電気
的に絶縁状態である。最外層のＳｉＯ2積層前の表面抵
抗は５Ω／□であり、劣ったものであった。
【００４７】（比較例３）実施例１の第４層を積層しな
いこと以外は実施例１と同様に積層した。この積層体の
表面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光
線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０
℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽１０００時間放置した後の
全光線透過率は５５％、ヘイズ値は１０％であり劣った
ものであった。
いこと以外は実施例１と同様に積層した。この積層体の
表面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光
線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０
℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽１０００時間放置した後の
全光線透過率は５５％、ヘイズ値は１０％であり劣った
ものであった。
【００４８】
【発明の効果】本発明の透明導電フィルムは、透明フィ
ルムなみの透光性を維持しながら優れた電気伝導性（低
電気抵抗率）を有し、特に、長時間高温・高湿雰囲気に
曝されても実用性のある透光性と電気伝導性を保持する
ことができる。
ルムなみの透光性を維持しながら優れた電気伝導性（低
電気抵抗率）を有し、特に、長時間高温・高湿雰囲気に
曝されても実用性のある透光性と電気伝導性を保持する
ことができる。
【００４９】本発明の電磁波シールド材料は、ＰＤＰ等
から放出される電磁波を遮断する場合に、長時間高温・
高湿雰囲気に曝されても実用性のある透光性と電気伝導
性を保持することができる。
から放出される電磁波を遮断する場合に、長時間高温・
高湿雰囲気に曝されても実用性のある透光性と電気伝導
性を保持することができる。
【００５０】本発明のプラズマディスプレイは、ＰＤＰ
から放出される電磁波を遮断するのに、長時間高温・高
湿雰囲気に曝されても実用性のある透光性と電気伝導性
を保持することができる。
から放出される電磁波を遮断するのに、長時間高温・高
湿雰囲気に曝されても実用性のある透光性と電気伝導性
を保持することができる。
【図１】本発明の透明導電フィルムの層構成の一例であ
る。
る。
【図２】本発明の透明導電フィルムの層構成の他の例で
ある。
ある。
【図３】本発明の透明導電フィルムの層構成の別の例で
ある。
ある。
【図４】本発明の透明導電フィルムの層構成のさらに他
の例である。
の例である。
Ａ 透明金属薄膜層 Ｂ 透明導電薄膜層 Ｃ 透明ガスバリア薄膜層 Ｄ 透明高分子フィルム
Claims (5)
- 【請求項１】 透明高分子フィルム上に、二層の透明金
属薄膜層（Ａ）間にＩｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓ
ｂ、Ｇｅ、Ｗ又はＭｏから選ばれた１種又は２種以上の
金属酸化物又は金属・金属酸化物からなる透明導電薄膜
層（Ｂ）又はＳｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｍｇ、Ｔｉ又はＡｌか
ら選ばれた１種又は２種以上の金属酸化物、金属窒化物
又は金属酸化窒化物からなる透明ガスバリア薄膜層
（Ｃ）を挟んでなる三層複合層と、透明ガスバリア薄膜
層（Ｃ）とを順次積層してなることを特徴とする透明導
電フィルム。 - 【請求項２】 透明金属薄膜層（Ａ）がＡｇを主成分と
する厚さ５０Åから１７５Åの薄膜であることを特徴と
する請求項１記載の透明導電フィルム。 - 【請求項３】 透明ガスバリア薄膜層（Ｃ）の積層面積
が透明金属薄膜層（Ａ）より小面積であることを特徴と
する請求項１又は２記載の透明導電フィルム。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の透明導電フィ
ルムを構成要素として有することを特徴とする電磁波シ
ールド材料。 - 【請求項５】 請求項１、２又は３記載の透明導電フィ
ルムを構成要素として有することを特徴とするプラズマ
ディスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15017997A JP3924846B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 透明導電フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15017997A JP3924846B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 透明導電フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10323932A true JPH10323932A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3924846B2 JP3924846B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=15491239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15017997A Expired - Fee Related JP3924846B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 透明導電フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3924846B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7695805B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-04-13 | Tdk Corporation | Transparent conductor |
| KR101328416B1 (ko) * | 2012-07-02 | 2013-11-14 | 고려대학교 산학협력단 | 투명 전극을 포함하는 반도체 소자, 및 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| KR101492240B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2015-02-16 | 한국기계연구원 | 투명전도성기판 |
| WO2016186402A1 (ko) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 한국기계연구원 | 금속 박막 기판 및 이의 제조방법 |
-
1997
- 1997-05-23 JP JP15017997A patent/JP3924846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7695805B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-04-13 | Tdk Corporation | Transparent conductor |
| US7964281B2 (en) * | 2004-11-30 | 2011-06-21 | Tdk Corporation | Transparent conductor |
| KR101328416B1 (ko) * | 2012-07-02 | 2013-11-14 | 고려대학교 산학협력단 | 투명 전극을 포함하는 반도체 소자, 및 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| KR101492240B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2015-02-16 | 한국기계연구원 | 투명전도성기판 |
| WO2016186402A1 (ko) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 한국기계연구원 | 금속 박막 기판 및 이의 제조방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3924846B2 (ja) | 2007-06-06 |
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