KR100587200B1 - 플라즈마 디스플레이 패널용 전자기파 필터 - Google Patents

Abstract

본 명세서에는, 투명 기판, 광 투과성 전자기파 차폐막 및 수지 보호막을 포함하며 가전제품의 원격 제어의 오작동을 방지하는 데 효과적인 플라즈마 디스플레이 패널용 전자기파 필터로서,

전자기파 차폐막이, 투명 기판 위에 일차적으로 제공되어 있으며 굴절률이 550nm에서 1.6 내지 2.8인 유전 층과 은을 주성분으로서 함유하고, 은의 원자%를 기준으로 하여, 팔라듐을 0.1원자% 이상 0.5원자% 미만 함유하며, 두께가 5 내지 25nm인 금속 층이 교대로 적층되어 있으며 시트 저항이 3Ω/스퀘어(ohm/square) 이하이고 850nm에서의 근적외선 투과율이 20% 이하인 7층 적층물인 플라즈마 디스플레이 패널용 전자기파 필터가 기재되어 있다.

전자기파 필터, 플라즈마 디스플레이 패널, 투명 기판, 차폐막, 수지 막, 가시광선, 근적외선.

Description

플라즈마 디스플레이 패널용 전자기파 필터{Electromagnetic wave filter for plasma display panel}

도 1은 본 발명에 따르는 전자기파 필터의 예를 나타내는 개략적인 횡단면도이다.

도 2는 본 발명에 따르는 전자기파 필터 중에서 전자기파 차폐막의 층 구조를 나타내는 개략적인 횡단면도이다.

도 3은 실제 사용되는 본 발명의 전자기파 필터의 개략적인 횡단면도이다.

본 발명은 플라즈마 방출에 의해 생성되는 전자기파를 차단하기 위해 플라즈마 디스플레이 패널의 전면에 적절하게 사용되는 전자기파 필터에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 전자기파에 대한 고유 차폐 성능을 가질 뿐만 아니라 가시광선 투과율이 높고 근적외선 투과율이 낮으며, 또한 실제 사용에 있어서 내구성이 만족스러운 전자기파 필터에 관한 것이다. 본 발명의 전자기파 필터는 음극선관(CRT) 또는 전계 방출 디스플레이(FED)로부터 방출되는 전자기파를 차단하는 데 사용할 수도 있다.

투명 기판 및 유전 층과 금속성 층(이들 층은 기판 면으로부터 기판 위에 이러한 순서로 교대로 적층되어 있다)을 포함하는 전자기파 필터는 투명 기판(예: 유리판)을 포함하는 가시 영역에서 투명한 전자기파 필터로서 공지되어 있고, 기판의 한 면 위에 전자기파 차폐막을 형성한다. 이를 위해 사용되는 이러한 전자기파 차폐막은 전자기파를 차단하기 위하여 (표면 저항이 작은) 전기 전도성 물질을 기판 위에 피복시키거나 도포함으로써 형성된 막이다. 예를 들면, 유전성 박막(예: 투명한 금속 산화물)과 은 박막의 적층물은 높은 가시광선 투과율을 보장하면서 저항이 낮은 도전막으로서 공지되어 있다.

일본 공개특허공보 제(평)5-42624호에는, 은 층이 한 쌍의 유전 층 사이에 삽입되어 있는 구조를 갖는 적외선 차폐막으로 피복되어 있는 유리판이 기재되어 있다. 상기 특허문헌에는, 은 층을 보호하는 유전 층이 2층 이상의 산화아연 층과 산화주석 층을 포함하는 적층물을 각각 사용하는 것으로 기재되어 있다. 또한, 상기 특허문헌에는, 적외선 차폐막이 전자기파 차폐막으로서 윈도우 또는 전자 부품에 사용할 수 있는 것으로 기재되어 있다.

일본 공개특허공보 제(평)9-85893호에는, 금속성 층으로서 팔라듐을 0.3원자% 이상 함유하는 은 층과 유전 층으로서 금속(예: 알루미늄)을 함유하는 산화아연 층을 포함하며, 유리 기판 위에 형성되어 있는 적층물(알루미늄 등을 산화아연 층에 첨가하여 내부 응력을 감소시켜 은 층에 대한 접착력을 개선시킴)이 기재되어 있다. 또한, 상기 특허문헌에는, 습식 내열성이 향상된 5층 구조의 적층물(2개의 은 층이 사용됨)이 기재되어 있다.

일본 공개특허공보 제(평)8-104547호에는, 금속성 층으로서 2개의 은 층과, 유전 층으로서 산화주석 층 또는 산화아연 층을 함유하는 5층 구조, 즉 유전 층/은 층/유전 층/은 층/유전 층으로 이루어진 구조의 적층물인 절연 밀봉 이중창 장치(insulating sealed double-glazed unit)용 적외선 차폐막이 기재되어 있다. 상기 특허문헌에 따르면, 창유리용으로 사용하기 위하여, 유전 층의 두께를 조절하여 투과광과 반사광이 무색으로 되도록 한다.

플라즈마 디스플레이 패널은 대형 영상 디스플레이로서 공지되어 있으나, 높은 휘도 디스플레이를 성취하기 위해서는 강력한 플라즈마 방출이 요구되고 있다. 따라서, 플라즈마 디스플레이 패널은 방출 영역으로부터 패널의 전면으로 근적외선을 전자기파와 함께 방출시킨다. 전자기파는 인체에 부작용을 가져올 가능성이 있는 것으로 지적되어 왔다. 방출되는 적외선은 플라즈마 디스플레이 패널 근처의 가전제품의 원격 제어 수신기로 검출할 수 있으므로, 오작동이 발생하여 스위치를 켤 수도 있다. 이를 방지하는 각종 방법이 연구되어 왔다.

상기한 문제점을 극복하기 위하여, 전자기파 차폐 성능을 갖는 투명한 재료를 플라즈마 디스플레이 패널의 전면에 제공하는 것이 제안되었다. 이와 관련하여, 교대로 적층된 유전 층과 은 층을 포함하는 전자기파 필터를 플라즈마 디스플레이 소자의 전면에 부착시킴을 포함하는 방법이 연구되고 있다. 이러한 전자기파 필터는 공기에 노출된 상태에서 사용되고 있기 때문에,

전자기파에 대한 차폐 효과(1),

원격 제어 스위치에 의한 가전제품의 원격 제어에 사용되어 플라즈마 디스플레이 패널 근처의 가전제품의 오작동을 방지하는 기능을 갖는, 근적외선 영역(800 내지 900nm의 영역)의 열선에 대한 저투과율(2),

밝은 영상 디스플레이를 보장하는 높은 가시광선 투과율(3) 및

습식 열에 대한 충분한 내구성(4) 등의 성능이 요구되고 있다.

상기 성능(2)와 성능(3)을 둘 다 만족시키기 위하여, 소위 단광행로 필터(optical low path filter)로서의 특징을 갖도록, 즉 가시광선 영역에서 투과율이 높으며 근적외선 영역에서 투과율이 낮도록, 즉 보다 광범위한 두 가지 영역에서 투과율이 신속하게 낮아지도록 전자기파 차폐막을 설계하는 것이 필요하다. 이는, 본 발명에서 문제점을 극복하기 위해 구상된 것이다.

일본 공개특허공보 제(평)5-42624호에는, 유리판 위에 존재하는 적외선 차폐막이 기재되어 있는데, 보호 층인 유전 층은 2층 이상의 산화아연 층과 산화주석 층으로 이루어진 적층물을 포함한다. 따라서, 습식 내열성과 같은 내구성이 탁월하다. 그러나, 단지 하나의 은 층만을 사용하기 때문에, 전자기파 차폐 성능은 만족스럽지 않다. 또한, 막을 플라즈마 디스플레이 소자의 전면에 사용하는 경우일지라도, 막은 근적외선 영역에서 적외선 투과율이 높아서, 디스플레이 소자 부근의 가전제품의 원격 제어의 오작동을 방지하기가 어려워진다.

상기한 일본 공개특허공보 제(평)9-85893호에 기재되어 있는, 유리판 위에 도포된 적층물의 습식 내열성이 개선된 것은, 팔라듐을 0.3원자% 이상 함유하는 은 층이 금속성 층으로서 사용되고 금속(예: 알루미늄)이 첨가되는 산화아연 층이 유전 층으로서 사용되어, 내부 응력이 저하되고 은 층에 대한 접착력이 향상되기 때문이다. 그러나, (5층 구조 중에서) 2개의 은 층을 사용하기 때문에, 플라즈마 디스플레이 패널로서 필요한 성능(2)와 성능(3)을 수득하기가 어렵다.

또한, 상기한 일본 공개특허공보 제(평)8-104547호에 기재되어 있는 적외선 차폐막은 2개의 은 층을 함유하는 5층 구조물이다. 따라서, 상기한 바와 동일한 이유 때문에, 성능(2)와 성능(3)을 수득하기가 어렵다.

따라서, 본 발명의 목적은, 높은 가시광선 투과율과 실제 사용을 위한 충분한 내구성을 유지하면서, 플라즈마 디스플레이 패널로부터 조사되는 전자기파와 적외선을 차단하는 기능을 갖는 전자기파 필터를 제공하는 것이다.

광범위한 연구의 결과로서, 본 발명자들은, 플라즈마 디스플레이 패널용의 전면 전자기파 필터로서 사용하는 데 필요한 저항치, 근적외선 영역(850nm 부근)에서의 저투과율 및 실제적인 습식 열 강도가, 은을 주성분으로서 함유하는 금속 층을 3개의 층으로 분리시키고 은을 주성분으로서 함유하는 각각의 분리된 금속 층에 소정량의 팔라듐을 첨가함으로써 수득된다는 사실을 밝혀내었다.

본 발명은 투명 기판, 투명 기판의 한 면 위에 피복되어 있는 광 투과성 전자기파 차폐막 및 전자기파 차폐막 위에 제공되어 있는 수지 보호막을 포함하는 전자기파 필터에 관한 것으로서, 전자기파 차폐막이, 투명 기판 위에 굴절률이 550nm의 파장에서 1.6 내지 2.8인 유전 층과 은을 주성분으로서 함유하고, 은의 원자%를 기준으로 하여, 팔라듐을 0.1원자% 이상 0.5원자% 미만 함유하며, 두께가 5 내지 25nm인 금속 층이 이러한 순서대로 교대로 적층되어 있으며 시트 저항이 3Ω/스퀘어(ohm/square) 이하이고 850nm의 파장에서의 근적외선 투과율이 20% 이하인 7층 적층물인 전자기파 필터를 제공한다.

삭제

본 발명에 따르는 전자기파 필터는, 플라즈마 디스플레이 패널의 전면에 사용하는 경우, 플라즈마 디스플레이 패널 근처의 가전제품의 원격 제어의 오작동을 방지한다. 또한, 본 발명의 전자기파 필터는 실제 사용에 있어서 습식 내열성이 만족스러운 것은, 은 층 속의 특정한 양의 팔라듐 때문이다. 유전 층의 두께가 조절됨에 따라, 본 발명의 전자기파 필터는 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도 디스플레이를 보장하도록 가시광선 투과율이 60% 이상이다.

본 발명에서 사용할 수 있고 은을 주성분으로서 함유하는 금속 층(이 후, 간단히 "은 층"이라 칭함)은, 은의 원자%를 기준으로 하여, 팔라듐 0.1원자% 이상 0.5원자% 미만을 함유한다. 팔라듐 함량의 하한은 실제적인 습식 내열성을 보장하도록 결정되며, 상한은 원격 제어의 오작동을 방지하는 데 필수적인 근적외선에 대하여 차폐 성능을 보장하도록 결정된다.

실제적인 실험을 통하여, 휘도가 높은 플라즈마 디스플레이 패널로부터 방출되는 근적외선의 80% 이상이 차단되는 경우, 원격 제어의 오작동을 방지할 수 있는 것으로 확인되어 왔다. 즉, 근적외선 차폐 성능은 은 층 속의 팔라듐 함량이 증가함에 따라 대등하게 감소하며, 적외선 투과율을 20% 이하로 저하시키기 위하여 팔라듐 함량은, 은의 원자%를 기준으로 하여, 0.5원자% 미만이어야 하는 것으로 밝혀졌다.

한편, 전자기파 차폐막의 실제 사용에 있어서 충분한 습식 내열성을 보장하기 위하여, 은 층은 팔라듐을 0.1원자% 이상 함유해야 하는 것으로 밝혀졌다.

습식 내열성을 개선시키기 위하여, 팔라듐 함량은 바람직하게는 0.15원자% 이상, 보다 바람직하게는 0.2원자% 이상이다. 또한, 근적외선 차폐 성능을 향상시키기 위하여, 팔라듐 함량은 바람직하게는 0.4원자% 이하, 보다 바람직하게는 0.35원자% 이하이다.

각각의 은 층의 두께는 5 내지 25nm이다. 가시광선 투과율의 증가를 중요시하는 경우, 바람직한 은 층의 두께는 5 내지 10nm이며, 이 범위에서 60%보다 훨씬 높은 가시광선 투과율을 수득할 수 있다. 한편, 근적외선 투과율의 저하(시트 저항치 저하)를 중요시하는 경우, 바람직한 은 층의 두께는 10nm 이상이다. 본 명세서에서 사용한 "가시광선 투과율"이라는 용어는 CIE 표준 조도 D₆₅를 사용하여 시어랩 칼라 코오디네이트 시스템(Cealab color coordinate system)의 휘도 투과율 Y를 의미한다.

3개의 은 층의 두께가 거의 동일할 수 있지만, 중간 층(투명 기판으로부터 세는 경우, 제2 은 층)의 두께는, 투과 가능한 협소한 영역을 갖는 상태하에 높은 가시광선 투과율을 수득하기 위해서는 나머지 2개 층(투명 기판으로부터 세는 경우, 제1 은 층과 제3 은 층)의 두께보다 두꺼운 것이 바람직하다. 이러한 경우, 제2 은 층의 두께는 제1 은 층의 두께와 제3 은 층의 두께의 50%를 초과하지는 않는 것이 바람직하다. 제2 은 층의 두께가 기타 은 층의 두께의 50%를 초과하는 경우, 투과광은 녹색으로 사료되며, 이는 바람직하지 않다. 위에서 사용한 "두께가 거의 동일함"이라는 용어는 층의 두께가 또 다른 층의 두께의 ±15% 이내임을 의미한다.

4개의 유전 층 중에서, (투명 기판으로부터 세는 경우) 제2 유전 층의 두께와 제3 유전 층의 두께는 각각 바람직하게는 제1 유전 층의 두께 또는 제4 유전 층의 두께보다 더 두껍다. 이러한 이유는, 가시광선을 투과하며 광의 간섭이 효과적으로 이용되는 필터를 제공하기 때문이다.

또한, 제1 유전 층의 두께와 제4 유전 층의 두께는 거의 동일하고, 제2 유전 층의 두께와 제3 유전 층의 두께는 거의 동일하며, 제2 유전 층의 두께와 제3 유전 층의 두께는 각각 제1 유전 층의 두께 또는 제4 유전 층의 두께의 1.3 내지 1.9배인것이 바람직하다. 이렇게 두께를 설정함으로써, 플라즈마 디스플레이 소자의 앞에서 전자기파 필터로서 사용하는 데 적합한 필터를 수득할 수 있다. 본 명세서에서 사용한 "두께가 거의 동일함"이라는 용어는 상기한 바와 동일한 의미를 갖는다.

상기한 특정한 두께 관계에서, 제2 유전 층의 두께와 제3 유전 층의 두께는 55 내지 75nm의 범위로 선택하고 제1 유전 층의 두께와 제4 유전 층의 두께는 30 내지 60nm의 범위로 선택하는 것이 바람직하다.

전자기파 차폐막의 가시광선 투과율은 휘도 영상 디스플레이를 손상시키지 않도록 60% 이상이 바람직하다. 이러한 목적을 위해, 은 층은 3층으로 분리되고, 이들 사이에 각각의 은 층이 삽입되어 있는 유전 층의 굴절률은 550nm의 파장에서 1.6 내지 2.8이며, 또한 유전 층의 두께가 조절된다.

유전 층은 투명한 금속 산화물(예: 산화아연, 산화주석, 산화인듐, 산화티탄, 산화지르코늄 및 오산화탄탈)로 제조한다. 이들 금속 산화물은 개별적으로 사용할 수 있거나 이의 혼합물로서 사용할 수 있다. 예를 들면, 산화아연과 산화인듐 또는 인듐-주석 산화물(ITO)과의 혼합물을 사용할 수 있다. 유전 층(들)은 두 가지 이상의 금속 산화물 층으로 구성되어 있는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.

상기한 투명한 금속 산화물 중에서, 전기 전도성인 산화아연은 은 층과 직접 접촉하는 층으로서 적합하게 적층시키는데, 이는 산화아연의 결정 격자의 피치가 은의 결정 격자의 피치에 매우 가까우므로, 비저항이 작은 은의 결정 성장에 적합하기 때문이다(결정화도가 증가할수록 비저항이 작아짐). 대기 중의 은 부식성 기체에 함유되어 있는 황 성분 등을 흡수하여 황 성분이 은 층에 도달하는 것을 방지하기 때문에, 산화아연도 바람직하다. 또한, 주성분으로서의 산화아연과 소량의 금속(예: 알루미늄 및 갈륨)을 포함하는 유전 층의 전기 전도도는 증가하는데, 이는 이후에서 언급하는 막 형성 단계에서 유리하다.

한편, 산화주석 또는 인듐-아연 착체 산화물은 전기 전도성일 뿐만 아니라, 상기한 부식성 기체에 대해 기체 차단 특성이 높은 비결정성 막을 형성시켜 전자기파 차폐막의 습식 내열성을 증가시킬 수 있다. 또한, 이러한 산화물들은 환경(예: 공기) 속의 부식성 기체(예: H₂S, SO₂, NO_x 및 HCl)에 대해 은 층을 보호한다는 관점에서 바람직하다.

이러한 이유 때문에, 최외각 유전 층 또는 각각의 유전 층은 산화주석 층과 산화아연 층 또는 알루미늄 함유 산화아연(이 후, ZAO로 약칭함) 층으로 구성되어 있는 이중 층 구조를 갖는 것이 바람직하다. 산화아연 층과 ZAO 층은 모두 산화아연계 층이라고 할 것이다. 산화아연계 층은 상기한 결정 격자 관계의 관점에서 은 층과 직접 접촉하는 층으로서 제공하는 것이 바람직하다.

수지 막은 전자기파 차폐막을 외부 환경, 즉 대기로부터 화학적으로 그리고 물리적으로 보호한다. 수지 막의 굴절률은, 전자기파 차폐막과의 계면에서 반사광과 조화를 이루기 위하여 550nm에서 1.58 내지 1.70인 것이 바람직하다. 1.70을 초과하는 수지 막의 굴절률은 전자기파 차폐막의 굴절률과는 큰 차이가 있어서 계면 반사광을 증가시키며, 그 결과 전자기파 필터의 투과율이 저하된다. 수지 막의 굴절률이 1.58보다 작은 경우, 사용자가 보는 반사광의 색은 감지할 수 있을 정도로 천연색으로부터 벗어날 것이며, 이는 외관 특성상 바람직하지 않다.

수지 막의 바람직한 두께는 5μm 내지 5mm이다. 수지 막에 사용할 수 있는 수지에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에스테르(PE), 트리아세틸 셀룰로즈(TAC) 및 폴리우레탄(PW)이 포함된다.

수지 막은 감압성 접착제 층을 통하여 전자기파 차폐막에 접착되어 있는 것이 바람직하다. 아크릴 수지 감압성 접착제는 이의 내구성이 만족스럽기 때문에 바람직하다.

접착제 층의 두께는 바람직하게는 10 내지 500μm이다. 이물질이 들어가는 경우, 10μm보다 얇은 접착제 층은 이의 표면을 평탄화시키는 데 적당하지 않아서, 그 결과 육안으로 인지 가능한 제품 결함이 발생할 수 있다. 500μm보다 두꺼운 접착제 층은 수분 혼입을 방지하기가 어려워서, 그 결과 전자기파 차폐막의 내구성이 손상되는 경향이 있다. 접착제 층의 보다 바람직한 두께는 약 100μm이다.

본 발명에서 사용할 수 있는 투명 기판은 공지된 유리판(예: 소다 석회 유리, 붕규산염 유리 및 알칼리성 비함유 유리)과 플라스틱 판[예: PET, 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA) 및 TAC]을 포함한다.

유전 층과 은 층은 공지된 진공 막 형성 기술로 형성된다. 스퍼터링이 특히 바람직하다. 유전 층 중에서, ZAO 층은 수 퍼센트(%)의 산화알루미늄을 함유하는 산화아연의 미분 소결체를 사용하여 직류 스퍼터링에 의해 형성시키는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 막은 안정한 방출 상태에서 형성될 수 있다.

막 형성은 통상적으로 실온에서 수행한다. 은 층의 결정화도는 막 형성 도중에 때때로 기판을 300℃ 이하의 온도로 가열함으로써 크게 향상시킬 수 있다. 실온에서의 막 형성 이후에 대기 속에서 또는 질소 대기하에 약 300℃ 이하의 온도에서 열처리하여 유전 층의 광 흡수를 제거하고 은 층의 비저항을 향상시킬 수 있다.

경우에 따라, 전자기파 차폐막의 표면, 수지 막의 외부면 또는 내부면, 및 전자기파 차폐막이 없는 투명 기판의 표면 등을 반사 방지 표면 처리하여 가시광선 투과율을 70% 이상으로 증가시킬 수 있다.

도 1은 본 발명에 따르는 전자기파 필터(5)를 나타내는 개략적인 횡단면도이다. 전자기파 필터(5)는 투명 기판(1), 전자기파 차폐막(2), 및 접착제 층(3)을 통하여 전자기파 차폐막(2)에 접착되어 차폐막을 공기로부터 보호하는 수지 막(4)을 갖는다. 은 페이스트로 제조되는 버스 바(bus-bar, 8)는 접지(grounding)용 투명 기판(1)의 주변에 공급되며, 이의 일부는 투명 기판(1)과 전자기파 차폐막(2)과의 사이에 삽입되어 있다.

도 2는 투명 기판(1) 위에 제공되어 있는 전자기파 차폐막(2)의 층 구조를 나타내는 개략적인 횡단면도이다. 전자기파 차폐막(2)은, 유전 층(10)과 은 층(9)이 서로 교대로 적층되어 있는 7층 구조물[3개의 은 층(9)과 4개의 유전 층(10)]이다. 각각의 유전 층(10)은 상기한 투명 금속 산화물 하나 이상으로 구성된 단층 적층물이거나 투명 금속 산화물 두 가지 이상으로 구성된 다층 적층물일 수 있다.

도 3은 실제로 사용하는 전자기파 필터(5)의 개략적인 횡단면도이다. 도 3에서 원은 관찰자를 나타낸다. 전자기파 필터(5)는 프레임(7)에 의해 지지되어 플라즈마 디스플레이 패널(6)의 전면에 부착되어 있다.

본 발명은 실시예와 비교실시예를 참고하여 보다 상세하게 설명할 것이다. 제조한 전자기파 필터는 다음과 같이 평가한다.

1) 습식 내열성:

전자기파 필터를 60℃와 90% RH의 대기에 노출시킨다. 힐록(hillock), 핀홀(pin hole), 김서림(fogging) 등의 발생이 육안으로 관찰되는 시간을 습식 내열성의 디스플레이로서 지정한다. 500시간 이상인 경우를 "양호"로 판정하고, 500시간 미만인 경우를 "불량"으로 판정한다.

2) 시트 저항:

측정된 시트 저항치가 3.0Ω/스퀘어 보다 작은 경우를 "양호"로 판정하고, 3.0Ω/스퀘어 보다 큰 경우를 "불량"으로 판정한다.

3) 근적외선 투과율

850nm의 파장에서의 투과율을 측정한다. 측정치가 20% 이하인 경우를 "양호"로 판정하고, 20%보다 큰 경우를 "불량"으로 판정한다.

4) 투과광의 색 a^*, b^*

투과광의 값 a^* 및 b^*는 시어랩 칼라 코오디네이트 시스템에 따라 각각의 축에서 수득한다. -4 내지 +4의 범위 내에 속하는 두 가지 값을 갖는 샘플을 "양호"로 판정하고, 그렇지 않으면 "불량"으로 판정한다.

5) 가시광선 투과율

가시광선 투과율이 50% 이상인 시료를 "양호"로 판정하고, 그렇지 않으면 "불량"으로 판정한다.

실시예 1

대형 인-라인 스퍼터링 시스템(large-sized in-line sputtering system)을 이용하여 SnO₂ 층, ZAO 층 및 AgPd 층을 소다 석회 실리카 조성물을 포함하는 두께 2mm의 투명 유리 기판 위에 증착시켜 표 1에 기재되어 있는 구조를 갖는 7층 전자기파 차폐막을 형성시켰다. 표 1에서, 아래쪽으로 기재되어 있는 구성 층은 투명 기판으로부터 순서대로 존재하며, AgPd 뒤의 수는 Ag의 원자%를 기준으로 하는 Pd 함량을 의미한다. 예를 들면, AgPd_0.4는, Ag의 원자%를 기준으로 하여, Pd를 0.4원자% 함유하는 은이다. 금속성 주석을 표적으로서 사용하고 산소를 활성 기체로서 사용하여 SnO₂ 층을 증착시켰다. 아연 94중량%와 알루미늄 6중량%와의 혼합물을 표적으로서 사용하고 산소를 활성 기체로서 사용하여 ZAO(알루미늄 함유 산화아연) 층을 증착시켰다. 은과 팔라듐과의 혼합물을 아르곤 기체 속에서 소정의 원자 비율로 스퍼터링하여 AgPd 층을 형성시켰다.

생성된 적층물을 공기 속에서 200℃에서 30분 동안 열처리하여 유전 층에 의한 광 흡수를 제거하여 은 층의 결정화도를 향상시켰다. 접착제 층을 갖는 반사 방지 PET 막을 적층물에 접착시켜 전자기파 차폐막을 보호하고 파단시 유리가 분쇄되는 것을 방지했다. 생성된 전자기파 필터의 성능 특성은 아래 표 3에 기재되어 있다.

실시예 2 및 실시예 3

은 층에서의 팔라듐 함량과 유전 층의 구조를 표 1에 기재되어 있는 바와 같이 변경시키는 것을 제외하고는, 실시예 1에서의 방법과 동일한 방법으로 전자기파 필터를 제조했다. 생성된 필터의 성능 특성은 표 3에 기재되어 있다.

비교실시예 1 내지 비교실시예 3

층 구조를 표 2에 기재되어 있는 바와 같이 변경시키는 것을 제외하고는, 실시예 1에서의 방법과 동일한 방법으로 전자기파 필터를 제조했다. 생성된 필터의 성능 특성은 표 3에 기재되어 있다.

실시예 1 내지 실시예 3에서 수득한 전자기파 필터는 실제로 사용하기 위한 (고습도와 고온에 대한 저항에 관한) 시트 저항과 내구성의 요건을 만족시키며, 또한 가시광선 투과율이 플라즈마 디스플레이 소자의 휘도 디스플레이를 수득하는 데 충분히 높은 반면, 비교용 시료 중의 어느 하나도 요건 전부를 만족시키지는 못한다는 것을 표 3으로부터 알 수 있다.

실시예 4

850nm의 파장에서의 투과율에 대한 은 층 속의 팔라듐 함량의 영향을 다음과 같이 조사했다. 3개의 은 층의 팔라듐 함량(3개의 은 층은 팔라듐 함량이 동일하다)을 아래 표 4에 기재되어 있는 바와 같이 변경시키는 것을 제외하고는, 실시예 1에서의 방법과 동일한 방법으로 스퍼터링 타겟에서의 팔라듐 함량을 변경시켜 전자기파 필터를 제조했다. 은 층의 비저항과 가시광선 투과율은 팔라듐 함량에 따라 예민하게 가변적이기 때문에, 7층 전자기파 차폐막의 시트 저항이 3.0Ω/스퀘어 이하이고 가시광선 투과율이 65% 이상으로 되도록 은 층의 두께를 세밀하게 조절했다. 수득한 결과는 표 4에 기재되어 있다.

표 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 팔라듐 함량이 0.50원자% 이상인 각각의 은 층은 850nm에서의 투과율을 20% 이하로 저하시키지 못한다. 다시 말해, 은 층에서의 팔라듐 함량을 저하시키면, 시트 저항을 조절하고 높은 가시광선 투과율을 유지하면서, 850nm에서의 투과율을 20% 이하로 저하시킬 수 있다.

본 발명을 이의 특정 실시예를 참고하여 상세하게 설명하였지만, 본 발명의 취지와 범주를 이탈하지 않고 다양한 변화와 변형이 가능하다는 사실은 당해 분야의 숙련가에게는 명백할 것이다.

본 발명에 따르는 전자기파 필터는, 전자기파에 대한 고유 차폐 성능을 가질 뿐만 아니라 가시광선 투과율이 높고, 근적외선 투과율이 낮으며, 실제 사용에 있어서 내구성이 만족스럽고, 가전제품의 원격 제어의 오작동을 방지하는 데 효과적이다.

Claims (11)

1. 투명 기판, 투명 기판의 한 면 위에 피복되어 있는 광 투과성 전자기파 차폐막 및 전자기파 차폐막 위에 제공되어 있는 수지 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전자기파 필터로서,

   전자기파 차폐막이, 투명 기판 위에 일차적으로 제공되어 있으며 굴절률이 550nm의 파장에서 1.6 내지 2.8인 유전 층과, 은을 주성분으로서 함유하고 은의 원자%를 기준으로 하여 팔라듐 0.1원자% 이상 0.5원자% 미만을 함유하며 두께가 5 내지 25nm인 금속 층이 교대로 적층되어 있으며, 시트 저항이 3Ω/스퀘어(ohm/square) 이하이고 850nm의 파장에서의 근적외선 투과율이 20% 이하인 7층 적층물인, 플라즈마 디스플레이 패널용 전자기파 필터.
2. 제1항에 있어서, 유전 층의 두께가, 전자기파 필터의 가시광선 투과율이 60% 이상으로 되도록 조절되는 전자기파 필터.
3. 제1항에 있어서, 은을 주성분으로서 함유하는 금속 층의 두께가 5 내지 16nm인 전자기파 필터.
4. 제1항에 있어서, 투명 기판으로부터 세는 경우, 은을 주성분으로서 함유하는 제2 금속 층의 두께가, 투명 기판으로부터 세는 경우, 은을 주성분으로서 함유하는 제1 금속 층의 두께와 제3 금속 층의 두께보다 두꺼운 전자기파 필터.
5. 제1항에 있어서, 투명 기판으로부터 세는 경우, 제2 유전 층의 두께와 제3 유전 층의 두께가, 투명 기판으로부터 세는 경우, 제1 유전 층의 두께 또는 제4 유전 층의 두께보다 두꺼운 전자기파 필터.
6. 제5항에 있어서, 제1 유전 층의 두께와 제4 유전 층의 두께가 거의 동일하고, 제2 유전 층의 두께와 제3 유전 층의 두께가 거의 동일하며, 제2 유전 층의 두께와 제3 유전 층의 두께가 제1 유전 층의 두께 또는 제4 유전 층의 두께보다 1.3 내지 1.9배 두꺼운 전자기파 필터.
7. 제1항에 있어서, 유전 층이 산화아연을 주성분으로서 함유하는 금속 층인 전자기파 필터.
8. 제1항에 있어서, 4개의 유전 층 중에서 적어도 최외곽 유전 층이 산화주석 층과, 산화아연을 주성분으로서 함유하는 금속 층을 포함하는 다층 구조물인 전자기파 필터.
9. 제8항에 있어서, 4개의 유전 층이 각각 산화주석 층과 산화아연을 주성분으로서 함유하는 금속 층을 포함하며, 산화아연을 주성분으로서 함유하는 금속 층이 은을 주성분으로서 함유하는 금속 층과 접촉하고 있는 다층 구조물인 전자기파 필터.
10. 제1항에 있어서, 수지 막의 굴절률이 550nm의 파장에서 1.59 내지 1.69인 전자기파 필터.
11. 제1항에 있어서, 수지 막이, 두께가 10 내지 500μm인 감압성 접착제 층을 통하여 전자기파 차폐막에 접착되어 있는 전자기파 필터.

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