KR20080016811A - 열접착성 폴리에스테르 필름, 그것을 사용한 ｉｃ 카드또는 ｉｃ 태그의 제조방법, 및 ｉｃ 카드 또는 ｉｃ 태그 - Google Patents

열접착성 폴리에스테르 필름, 그것을 사용한 ｉｃ 카드또는 ｉｃ 태그의 제조방법, 및 ｉｃ 카드 또는 ｉｃ 태그 Download PDF

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Abstract

[과제] IC 카드 또는 IC 태그를 구성하는 플라스틱 재료로서 환경 적성(할로겐을 포함하지 않는다), 내열성, 내약품성을 유지하면서, 열접착성과 요철 흡수성, 활성을 개선한 열접착성 폴리에스테르 필름을 제공한다.
[해결수단] 이축연신 폴리에스테르 필름의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 열접착층을 적층해서 되는 열접착성 폴리에스테르 필름으로서, 열접착층은 두께가 5~30 ㎛이고, 유리전이온도가 50~95℃인 비결정성 폴리에스테르 수지 A와 이것에 비상용인 열가소성 수지 B의 혼합물로 되며, 열가소성 수지 B는 (a) 융점이 50~180℃인 결정성 수지, (b) 유리전이온도가 -50~150℃인 비결정성 수지, (c) 또는 그들의 혼합물 중 어느 하나이고, 열접착층 중에 1~30 질량% 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 열접착성 폴리에스테르 필름.

Description

열접착성 폴리에스테르 필름, 그것을 사용한 ＩＣ 카드 또는 ＩＣ 태그의 제조방법, 및 ＩＣ 카드 또는 ＩＣ 태그{Thermobondable polyester film, process for production of IC cards or IC tags with the same, and IC cards and IC tags}
본 발명은 IC 카드 또는 IC 태그의 구성재료로서 적합한 열접착성 폴리에스테르 필름, 이를 사용한 IC 카드 또는 IC 태그의 제조방법, 및 IC 카드 또는 IC 태그에 관한 것이다.
최근, IC 칩을 내장한 카드나 태그에 의한 정보의 관리운용 시스템이 보급되기 시작하고 있다. 이들에 사용되는 카드나 태그는 일반적으로 「IC 카드」나 「IC 태그」로 불리며, 종래의 인쇄·필기식, 자기기록식 카드·태그 등에 비해, 다량의 정보를 기록·보유할 수 있는 점에서 유용하기 때문에, 사람이나 물품의 각종 정보를 관리운용하는 제분야에서 활용되기 시작하고 있다.
IC 카드 또는 IC 태그를 구성하는 플라스틱 재료로서는, 종래, 폴리염화비닐(PVC)이 주류였다. 그러나, 최근 환경문제 측면에서 시장에서 할로겐을 사용하지 않는 소재로의 대체 요망이 높아져, 카드의 소재는 폴리에스테르계 수지로 주류가 바뀌고 있다. 폴리에스테르계 수지로 되는 시트 또는 필름으로서는, 비결정성으로 PVC에 가까운 가공 특성을 갖는 측면에서 1,4-시클로헥산디메탄올을 공중합성분으로서 포함하는 공중합 폴리에스테르(PETG)로 되는 무배향 시트, 또는 범용성 측면에서 이축연신 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름이 주로 사용되고 있다. 그러나, 현재상황의 이들 시트 및 필름에는 각각에 해결하기 곤란한 문제점이 있다.
예를 들면, 무배향의 PETG 시트의 경우, 내열성이 불충분하다. 이는 시트를 구성하는 폴리에스테르의 분자사슬이 연신배향되어 있지 않기 때문에, 상기 시트가 가열되었을 때 유리전이온도 근방에서 급격하게 연화(軟化)되어 변형되기 때문이다. 이 때문에, IC 카드 또는 IC 태그를 몹시 더운 날씨에 자동차의 대시보드 등에 장시간 방치한 경우, 양복 등의 포켓에 보관한 채로 실수로 이 양복을 세탁·열풍건조한 경우, 화물선의 선창 등에 격납하여 열대지방으로 수출한 경우, IC 카드 또는 IC 태그가 열에 의한 치수변화, 변형, 컬, 박리 등을 발생시켜, 외관이나 기능을 손상시키는 경우가 있었다.
이 내열성을 개선하기 위해, 최근, PETG에 폴리카보네이트 등을 첨가한 무배향 시트를 사용하는 경우도 있다. 그러나, 이 시트는 내약품성이 약간 떨어져, IC 카드 또는 IC 태그의 제조시에 용제계 접착제나 용제계 잉크를 사용한 경우, 변형이나 변색이 생기는 경우가 있어, 외관이나 기능을 손상시킨다는 문제가 있었다.
한편, 이축연신 PET 필름에서는 내약품성이나 내열성 측면에서 우수하다. 그러나, 이축연신 PET 필름은 탄성률이 커서 용이하게 변형되지 않기 때문에, IC 카드 또는 IC 태그의 내부구조(IC 칩이나 회로 등)로부터 생기는 요철을 흡수할 수 없어, 칩이나 회로의 형상이 IC 카드 또는 IC 태그의 표면으로 도드라진다는 문제 가 있었다. 이러한 요철이 IC 카드 또는 IC 태그의 표면에 존재하면, 외관이 미려하지 않은 것은 물론, 가지고 다닐 때에 생기는 다른 물품과의 찰과(擦過)에 의해 인쇄면이 지워지거나, 다른 물품에 걸려 표층이 벗겨지는 등, 외관이나 기능을 손상시키는 경우가 있었다.
또한, 이축연신 PET 필름은 PVC 시트나 PETG 시트와 같이 자기접착성을 갖지 않아, 열 프레스나 열 라미네이트로는 접착되지 않는다. 이 때문에, 이축연신 PET 필름을 적층하여 IC 카드 또는 IC 태그를 제조하기 위해서는, 각 필름 사이에 핫 멜트계 접착제 등을 삽입한 다음 가공할 수 밖에 없다. 이 때문에, 이축배향 필름을 사용하여 IC 카드 또는 IC 태그를 형성하는 공정은 번잡하여, 작업성이나 수율이 나빠진다는 문제가 있었다.
이들 각 소재의 단점을 상호 보완하기 위해, 이축연신 PET 필름과 무배향의 PETG 시트를 첩합(貼合)하는 방법도 제안되어 있다. 그러나, 이들을 첩합하기 위해서는, 핫 멜트 접착제를 사용하는 것이 필요하여, 상기 문제는 여전히 해소되어 있지 않다. 또한, 일반적으로 무배향의 PETG 시트에서는 얇은 시트를 정도(精度) 좋게 제조하는 것은 곤란하다. 또한, 통상 시장에 유통되는 무배향의 PETG 시트는 100 ㎛를 초과하는 두께를 갖는다. 이 때문에, IC 카드 또는 IC 태그를 구성하는 두께 비율의 대부분을 무배향 PETG 시트가 차지하게 된다. 이 때문에, 무배향 PETG 시트를 상기와 같이 첩합한 구성으로 해도, 카드 전체로서는 내열성이 충분히 개선되지 않는다. 또한, 복수의 필름이나 시트를 첩합하는 공정이 필요해진다. 이 때문에, 제조공정이 복잡해져 품질 안정성이나 제조 비용면에서 바람직하지 않다.
본 발명은 종래의 이축연신 PET 필름과 무배향 PETG 시트를 첩합하는 방법에 비해, 내열성, 내약품성, 요철 흡수성, 열접착성의 균형이 우수한, 이축연신 폴리에스테르 필름의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 특정 열접착성 수지층을 적층한 구성으로 되는 열접착성 폴리에스테르 필름을 제안하는 것이다.
본 발명과 층구성이 유사한 필름으로서, 주로 포장재료에 사용되는 열접착성 폴리에스테르 필름이 종래부터 사용되고 있다. 예를 들면, 이하와 같은 열접착성 폴리에스테르 필름에 관한 발명이 개시되어 있다.
(1) 공동(空洞) 함유 폴리에스테르 필름 표면에, 폴리부틸렌테레프탈레이트/폴리테트라메틸렌옥시드 공중합체를 적층한 구성으로 되는 단열성 포장재료용 필름(예를 들면, 특허문헌 1을 참조)
(2) 폴리에스테르 필름의 표면에, 결정성 폴리에스테르와 저결정성 공중합 폴리에스테르의 혼합물을 적층한 구성으로 되는 포장재료용 또는 전기절연용 필름(예를 들면, 특허문헌 2를 참조)
(3) 폴리에스테르 필름의 표면에, 2종류의 공중합 폴리에스테르 수지를 혼합한 수지를 적층해서 되는 포장재료용 필름(예를 들면, 특허문헌 3~4를 참조)
(4) 공동 함유 폴리에스테르 필름의 표면에 1종류 이상의 공중합 폴리에스테르 수지를 혼합한 수지를 도포한 포장재료용 또는 인쇄재료용 필름(예를 들면, 특허문헌 5~6을 참조)
(5) 폴리에스테르 필름의 표면에 공중합 폴리에스테르 수지와 실리카 입자의 혼합물을 적층한 금속판 라미네이트 또는 포장재료용 필름(예를 들면, 특허문헌 7~10을 참조)
(6) 폴리에스테르 필름의 표면에 공중합 폴리에스테르 수지 또는 공중합 우레탄 수지와, 실리카 입자 또는 탄산칼슘 입자, 제올라이트 입자 등의 혼합물을 도포한 콘덴서용 필름(예를 들면, 특허문헌 11~14를 참조)
특허문헌 1 : 일본국 특허공개 소56-4564호 공보
특허문헌 2 : 일본국 특허공개 소58-12153호 공보
특허문헌 3 : 일본국 특허공개 평1-237138호 공보
특허문헌 4 : 일본국 특허 제3484695호 공보
특허문헌 5 : 일본국 특허 제3314814호 공보
특허문헌 6 : 일본국 특허 제3314816호 공보
특허문헌 7 : 일본국 특허공개 평7-132580호 공보
특허문헌 8 : 일본국 특허공개 제2001-293832호 공보
특허문헌 9 : 일본국 특허공개 제2004-188622호 공보
특허문헌 10 : 일본국 특허공개 제2004-203905호 공보
특허문헌 11 : 일본국 특허공개 제2000-30969호 공보
특허문헌 12 : 일본국 특허공개 제2001-307945호 공보
특허문헌 13 : 일본국 특허공개 제2002-79637호 공보
특허문헌 14 : 일본국 특허공개 제2003-142332호 공보
이들 발명은 구성이야말로 유사하지만, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름의 과제 중 하나인 요철 흡수성을 만족하지 않는 것이었다. 즉, 결정성 공중합 폴리에스테르를 열접착층의 주된 구성성분으로서 사용한 발명(특허문헌 2, 7~10)에서는, 열접착층의 변형이 불충분하다. 이 때문에, IC 카드 또는 IC 태그의 코어시트로서 사용하기 위해 필요한 요철 흡수성이 불충분하다. 한편, 도포법에 의해 열접착층을 설치한 발명(특허문헌 5, 6, 11~14)에서는, 열접착층의 두께가 얇기 때문에, IC 카드 또는 IC 태그의 코어시트로서 사용하기 위해 필요한 요철 흡수성이 불충분하다. 한편, 비결정성 공중합 폴리에스테르를 열접착층의 주된 구성성분으로서 사용한 발명(특허문헌 1, 3, 4)에서는, 열접착층의 두께를 두껍게 함으로써 요철 흡수성은 개선된다. 그러나, 열접착층의 두께를 두껍게 하는 동시에, 필름의 활성(滑性)이 악화되어, 통상의 필름의 취급하는데 있어서 요망되는 활성이 얻어지지 않는다. 또한, 열접착층의 두께를 두껍게 한 경우, 기재와 열접착층의 조성이 상이하기 때문에, 필름의 제조 직후, 보관 후, 후가공공정에서 열처리될 때 필름에 컬이 생기기 쉬워진다. 이 때문에, 필름의 컬(평면성) 제어에 특단의 주의가 필요해진다. 그러나, 상기의 특허문헌에 기재된 기술의 범위에서는, 컬을 안정하게 제어할 수 없다.
즉, 종래의 기술에서는 요철 흡수성과, 열접착성, 활성을 양립시키는 것이 곤란하였다. 그 기술적 이유는 이하와 같이 생각된다.
통상, 수지의 변형에 의해 요철을 흡수시키려고 하는 경우, 수지로서 비결정성인 것을 사용하는 것이 유리하다. 또한, 열접착성의 관점에서도 수지는 결정화의 정도가 적절히 낮고, 연화온도가 낮은 것을 사용하는 것이 유리하다.
그러나, 이러한 수지를 사용하여 이축연신 필름을 제조하는 경우, 활성을 발 현시키는 것이 곤란한 것이 알려져 있다. 즉, 일반적으로 필름의 활성을 개량하기 위해 사용되고 있는, 수 ㎛ 이하의 크기의 무기 입자나 유기 입자를 필름 중에 함유시키는 방법을 사용해도, 비결정성 수지를 필름 원료로서 사용한 이축연신 필름에서는, 필름 표면에 충분한 요철이 얻어지지 않는다. 이 때문에, 필름의 활성이 불충분해진다.
이 원인은 명확하지는 않지만, 결정성이 낮은 수지는 연신 필름의 열고정처리의 공정에 있어서 실질적으로 용융에 가까운 상태가 된다. 이 때, 필름 표면의 요철을 작게 하여 표면적, 즉 표면 자유에너지를 작게 하도록 표면장력이 작용하여, 수지 중에 입자가 매몰되는 것으로 생각된다.
또한, 활성을 개선하기 위해, 입경이 큰 입자를 사용한 경우에는, 큰 입자에 기인하는 높은 돌기에 의해, 필름 표면부분에 있어서 접촉이 불량해지는 영역이 생겨, 열접착성이 충분히 발현되지 않는 경우가 있다. 또한, 필름의 제조공정이나 가공공정에 있어서, 커다란 입자가 탈락하여 제조공정을 오염시키는 경우나, 필름이나 시트의 강도가 저하되는 경우가 있다.
이에 대해, 무배향 PETG 시트로 대표되는 무배향 시트에서는, 시트 자체를 엠보스 가공함으로써 거시적인 요철을 형성시켜, 활성을 발현시킬 수 있다. 그러나, 본 발명과 같이, 내약품성이나 내열성이 우수한 이축연신 폴리에스테르 필름을 사용한 경우에는, 강성(剛性)을 갖는 필름이기 때문에, 엠보스 가공 그 자체가 곤란하여, 무배향 시트와 동일한 방법을 사용할 수 없었다.
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명의 목적은, IC 카드 또는 IC 태그를 구성하는 플라스틱 재료로서 환경 적성(할로겐을 포함하지 않는다), 내열성, 내약품성을 유지하면서, 열접착성과 요철 흡수성, 활성을 개선한 열접착성 폴리에스테르 필름을 제공하는 것이다. 또한, 상기 과제에 더하여, 컬이 작고, 평면성이 우수한 열접착성 폴리에스테르 필름도 제공한다.
과제를 해결하기 위한 수단
상기 과제를 해결할 수 있는 본 발명에 있어서 제1 발명은, 이축연신 폴리에스테르 필름의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 열접착층을 적층해서 되는 열접착성 폴리에스테르 필름으로서, 열접착층은 두께가 5~30 ㎛이고, 유리전이온도가 50~95℃인 비결정성 폴리에스테르 수지 A와 이것에 비상용인 열가소성 수지 B의 혼합물로 되며, 열가소성 수지 B는 (a) 융점이 50~180℃인 결정성 수지, (b) 유리전이온도가 -50~150℃인 비결정성 수지, (c) 또는 그들의 혼합물 중 어느 하나이고, 열접착층 중에 1~30 질량% 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 열접착성 폴리에스테르 필름이다.
제2 발명은, 이축연신 폴리에스테르 필름이 그 내부에 백색안료와 미세 공동의 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 백색 폴리에스테르 필름인 것을 특징으로 하는 제1 발명에 기재된 열접착성 폴리에스테르 필름이다.
제3 발명은, 열접착성 폴리에스테르 필름은 이축연신 폴리에스테르 필름의 양쪽 면에 열접착층을 적층하여, 한쪽의 열접착층을 열접착층 a로 하고, 다른 쪽의 열접착층 b(두께가 열접착층 a와 동일하거나, 열접착층 a 보다도 얇다)로 했을 때, 상기 열접착층의 두께의 비(열접착층 a의 두께/열접착층 b의 두께)가 1.0~2.0이며, 또한 필름의 가열처리 후(110℃, 무하중하에서 30분간)의 컬값이 5 ㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 제1 발명에 기재된 열접착성 폴리에스테르 필름이다.
제4 발명은, 열접착성 폴리에스테르 필름은 필름 내부에 미세 공동을 다수 함유하고, (a) 필름의 외관밀도가 0.7~1.3 g/㎤, (b) 두께가 50~350 ㎛, (c) 광학농도가 0.5~3.0 또는 광선투과율이 25~98%인 것을 특징으로 하는 제1 또는 제2 발명에 기재된 열접착성 폴리에스테르 필름이다.
제5 발명은, 열접착층의 표면이 하기 식(1)~(3)을 만족하는 것을 특징으로 하는 제1 발명에 기재된 열접착성 폴리에스테르 필름이다.
Figure 112007084076477-PCT00001
상기 식(1)~(3)에 있어서, Sa1은 열접착층 표면의 산술 평균 표면조도를, St1은 최대 높이를 의미한다. 또한, St2는 산술 평균 표면조도가 0.001 ㎛ 이하인 청정한 2장의 유리판으로 필름을 사이에 끼우고, 온도 100℃, 압력 1 MPa의 조건하에서 1분간, 열 프레스 처리한 후의 열접착층의 표면의 산술 평균 표면조도를 의미한다. 또한, Sa1, St1, St2의 단위는 모두 ㎛이다.
제6 발명은, 열접착성 폴리에스테르 필름의 표면과 이면 간의 정마찰계수가 0.1~0.8이고, 열 프레스에 의한 부형성(賦形性)이 (4) 및 (5)를 만족하는 것을 특징으로 하는 제1 발명에 기재된 열접착성 폴리에스테르 필름이다.
Figure 112007084076477-PCT00002
여기에서 부형율이란, 안테나 회로 또는 구리박편을 열접착층의 표면에 올리고, 열 프레스한 후, 상온 상압에서 안테나 회로 또는 구리박편을 제거했을 때, 안테나 회로 또는 구리박편에 의해 생긴 열접착층의 패임의 깊이이고, 부형부의 외연의 구배(勾配)란, 이 패임의 외연에 있어서의 벽면의 구배이다.
제7 발명은, 플라스틱 필름에 안테나 회로 및 IC 칩을 설치한 인렛의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 제1 발명에 기재된 열접착성 필름을 배치하고, 열접착성 필름의 열접착층을 매개로 하여 인렛을 열 프레스하여 접착시킨 코어시트를 구성요소로서 사용하는 것을 특징으로 하는 IC 카드 또는 IC 태그의 제조방법이다.
제8 발명은, 플라스틱 필름에 안테나 회로 및 IC 칩을 설치한 인렛의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 제1 발명에 기재된 열접착성 필름을 적층하고, 열접착성 필름의 열접착층을 매개로 하여 인렛과 접착시킨 코어시트를 구성요소로서 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 카드 또는 IC 태그이다.
제9 발명은, 코어시트의 양쪽 면에 폴리에스테르 시트 또는 이축연신 폴리에스테르 필름을 적층해서 되는 것을 특징으로 하는 제8 발명에 기재된 IC 카드 또는 IC 태그이다.
제10 발명은, 필름의 외관밀도가 0.7 g/㎤ 이상, 1.3 g/㎤ 미만인 것을 특징으로 하는 제8 또는 9 발명에 기재된 IC 카드 또는 IC 태그이다.
제11 발명은, 광선투과율이 10% 이상, 98% 이하인 것을 특징으로 하는 제8 또는 9 발명에 기재된 IC 카드 또는 IC 태그이다.
제12 발명은, 광선투과율이 0.01% 이상, 5% 이하인 것을 특징으로 하는 제8 또는 9 발명에 기재된 IC 카드 또는 IC 태그이다.
발명의 효과
본 발명의 열접착 폴리에스테르 필름은, 종래의 IC 카드용 각종 소재나 열접착성 필름으로는 달성할 수 없었던, (a) 요철 흡수성과, 환경 적성(할로겐을 포함하지 않는다), 내열성, 내약품성, (b) 요철 흡수성과 열접착성, (c) 열접착성과, 활성이나 평면성(컬 저감) 등 상반되는 특성을 양립시킬 수 있다.
(각 구성과 작용효과)
본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은, 기재로서 이축연신 폴리에스테르 필름을 사용하고 있기 때문에, IC 카드 또는 IC 태그에 사용했을 때, 환경 적성(할로겐을 포함하지 않는다), 내열성, 내약품성이 우수하다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은, 이축연신 폴리에스테르 필름의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 비결정성 폴리에스테르 수지와 이것에 비상용인 열가소성 수지의 혼합물로 되는, 특정의 열접착층을 적절한 두께로 설치하고 있기 때문에, IC 카드 또는 IC 태그의 코어시트에 사용했을 때, 열접착성과 요철 흡수성이 우수하다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은 열접착층의 두께를 특정 범위로 조정하고, 또한 비결정성 폴리에스테르 수지이면서, 분자사슬이 연신배향된 구조를 하고 있다. 이 때문에, 가공 후의 IC 카드 또는 IC 태그의 열변형을 실용상 문제 없는 범위까지 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은 열접착층에 특정 폴리에스테르와 비상용인 특정의 열가소성 수지를 함유시켜, 필름 표면의 표면장력(표면 자유에너지)과 표면조도(표면돌기)를 적절한 상태로 제어할 수 있기 때문에, 필름의 제조에서 사용에 이르기까지, 필요한 핸들링성, 즉 활성을 얻을 수 있다.
또한, 열접착층에 있어서 열가소성 수지에 의해 형성된 돌기는, 커다란 돌기여도 탈락되는 경우가 거의 없어 공정의 오염을 일으킬 염려가 작다. 또한, 낮은 열 프레스 온도로도, 열접착할 때에는 연화 변형되어 평탄화되기 때문에, 종래와 같은 큰 입경의 무기·유기 입자를 첨가했을 때에 생긴 열접착성의 저하가 발생하지 않는다. 또한, 무기·유기 입자에 비해 변형의 우도(likelihood)도 크기 때문에, 필름의 강도 저하를 발생시킬 염려도 작다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름을 사용하여 제조한 카드나 태그에서는, IC 카드 또는 IC 태그를 구성하는데 필요한 전기부품·회로를 확실하게 내포할 수 있다. 이는, 본 발명이 열 프레스 가공시에 적절하게 연화되어 변형되는 열접착층을 갖고, 또한 그것을 저해하지 않는, 융점이나 유리전이온도를 갖는 폴리머를 열접착층에 있어서 섬성분(島成分)(입자상의 분산체)으로서 함유시키고 있기 때문이다. 따라서, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은, 활성을 유지하면서 IC 칩이나 금속박 회로 등의 요철을 확실하게 흡수하는 부형성을 갖는다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에서는, IC 카드 또는 IC 태그의 구성재료로서 사용할 때 필요한 평면성을 얻을 수 있다. 이는 열접착층의 두께와 기재 필름의 두께를 조정하고, 또한 필름의 표리에 있어서의 열수축율이나 선팽창계수를 적절한 범위로 제어함으로써, 후가공공정 등에서 발생하는 컬을 감소시켰기 때문이다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에서는, 공동 함유 폴리에스테르 필름을 제조하는 공지기술에 의해, 필름 중에 미세 공동을 다수 함유시킬 수 있다. 이는 종래의 PVC나 PETG 시트에서는 곤란했던 기술이다. 이것에 의해, 열접착성 폴리에스테르 필름의 외관밀도, 즉 공동 함유량을 적절한 범위로 조절할 수 있다.
필름 중에 미세 공동을 적절하게 함유시키는 것은, IC 카드 또는 IC 태그에 경량성이나 유연성, 쿠션성, 필기성을 부여하기 때문에 유효하다. 또한, 공동 함유 폴리에스테르 필름을 재료로서 사용한 IC 카드 또는 IC 태그는, 수중이나 해중에 떨어뜨려도 바로 가라앉지 않는다. 이 때문에, IC 카드 또는 IC 태그를 유실하는 사고를 대부분의 경우에 있어 회피할 수 있다. 또한, 공동 함유 폴리에스테르 필름은, 공동을 함유하지 않는 폴리에스테르 필름 또는 시트에 비해, 외관 유전율이 낮다. 이 때문에, HF대(帶) 내지 SHF대의 고주파에 의한 통신에 있어서, 유전손실이 적다. 즉, 공동 함유 폴리에스테르 필름을 재료로서 사용한 IC 카드 또는 IC 태그는 이득이 높기 때문에, 통신 정도(精度)나 통신 거리, 전력 절약화에 있어서 유효하다.
일반적으로, 실용성이 중요한 IC 카드 또는 IC 태그에 있어서는, 광선투과율이 낮고, 은폐성이 높은 것이 인쇄 선명성이나 보안상의 관점에서 바람직하다. 그러나, 패션성이나 이벤트성이 요구되는 용도에서는, 내부의 전기회로 등을 적극적으로 보이는 투명성인 것이 바람직하게 사용되는 경우도 있다. 이 경우, 열접착성 폴리에스테르 필름의 기재는, 투명한 이축연신 폴리에스테르를 사용한다. 또한, 본 발명에 있어서, 열접착층을 비결정성 폴리에스테르 수지와, 이것에 비상용인 비결정성 열가소성 수지의 혼합물로 구성시킴으로써, 열접착층의 투명성이 향상된다. 이는 열접착층이 광학적 이방성과 고굴절률을 갖는 결정성 수지성분을 포함하지 않기 때문이다.
도면의 간단한 설명
도 1은 본 발명의 실시예 1에서 얻어진 IC 카드에 사용하는 코어시트의 단면의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시태양의 IC 카드 또는 IC 태그에 사용하는 코어시트의 단면의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 IC 카드 또는 IC 태그의 단면의 모식도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시태양의 IC 카드 또는 IC 태그의 단면의 모식도이다.
부호의 설명
1 : 열접착층
2 : 이축연신 폴리에스테르 필름
3 : 인렛(3A+3B+3C)
3A : 플라스틱 필름(기재)
3B : 안테나 회로
3C : IC 칩
4 : 무배향의 폴리에스테르 시트 또는 이축연신 폴리에스테르 필름
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은, 이축연신 폴리에스테르 필름의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 열접착층을 적층해서 되는 열접착성 폴리에스테르 필름으로서, 열접착층은 두께가 5~30 ㎛이고, 유리전이온도가 50~95℃인 비결정성 폴리에스테르 수지 A와 이것에 비상용인 열가소성 수지 B의 혼합물로 되며, 열가소성 수지 B는 (a) 융점이 50~180℃인 결정성 수지, (b) 유리전이온도가 -50~150℃인 비결정성 수지, (c) 또는 그들의 혼합물 중 어느 하나이고, 열접착층 중에 1~30 질량% 함유되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 IC 카드 또는 IC 태그의 제조방법은, 플라스틱 필름에 안테나 회로 및 IC 칩을 설치한 인렛의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 상기의 열접착성 필름을 배치하고, 열접착성 필름의 열접착층을 매개로 하여 인렛을 열 프레스하여 접착시킨 코어시트를 구성요소로서 사용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 IC 카드 또는 IC 태그는, 플라스틱 필름에 안테나 회로 및 IC 칩을 설치한 인렛의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 상기의 열접착성 필름을 적층하고, 열접착성 필름의 열접착층을 매개로 하여 인렛과 접착시킨 코어시트를 구성요소로서 포함하는 것을 특징으로 한다. 더욱 바람직한 실시형태는, 코어시트의 양쪽 면에 폴리에스테르 시트 또는 이축연신 폴리에스테르 필름이 적층된 IC 카드 또는 IC 태그이다.
이하에, 본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다.
[필름의 구성]
본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은, 기재와 그 기재의 한쪽 면 또는 양쪽 면에 열접착층이 적층된 구성으로 된다. 기재로서는, 이축연신 폴리에스테르 필름을 사용하는 것이, 환경 적성(할로겐화합물을 포함하지 않는다) 외에, 내열성이나 내약품성, 강도, 강성 등의 측면에서 중요하다. 이것에 의해, 종래 사용되어 온 무배향 PVC 시트나 PETG 시트 등에 비해 이들 특성이 비약적으로 향상된다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은, 그의 한쪽 면 또는 양쪽 면에 열접착층을 갖는 것이 중요하다. 여기에서 말하는 열접착층이란, 가열조건하에서 IC 카드 또는 IC 태그를 구성하는 플라스틱 필름 또는 시트, 금속막, 이들 표면에 형성된 각종 도포층과 열접착이 가능한 층이다. 이 열접착층을 기재에 적층함으로써, 종래의 IC 카드 또는 IC 태그의 소재인 PVC나 PETG 등과 동일한 열접착성을 부여할 수 있다. 이 열접착층의 두께는 1층당 5 ㎛ 이상, 30 ㎛ 이하로 하는 것이 중요하다. 열접착층의 두께가 5 ㎛ 미만인 경우, 열접착성과 요철 흡수성이 불충분해진다. 한편, 열접착층의 두께가 30 ㎛를 초과하는 경우에는, 종래의 PETG 시트를 재료로서 사용한 카드와 마찬가지로, 내열성이나 내약품성이 저하된다. 열접착층 두께의 하한은 8 ㎛가 바람직하고, 10 ㎛가 보다 바람직하다. 한편, 열접착층 두께의 상한은 25 ㎛가 바람직하고, 20 ㎛가 보다 바람직하다.
열접착층을 기재의 표면에 설치하는 수단은 특별히 한정되지 않지만, 상기의 두께에 있어서 안정적으로 적층하기 위해서는, 이축연신 폴리에스테르 필름의 제조공정에 있어서, 원료의 용융압출공정에서 2종류의 수지를 공압출하여 적층시키는 방법, 소위 공압출법을 사용하여 미연신 시트를 제조하는 것이 바람직하다. 또한, 열접착층에 적절한 내열성을 부여하는 관점에서도 연신공정 이전에 적층하고, 열접착층과 기재(이축연신 폴리에스테르 필름)층을 함께 연신가공하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에 있어서, 기재의 양쪽 면에 열접착층을 설치하는 것이, 필름의 컬을 억제하는 관점에서 바람직한 실시형태이다. 본 발명에 있어서, 열접착층은 주로 비결정성 수지로 구성되고, 결정성 폴리에스테르 수지를 주체로 하는 기재와는 열팽창계수가 크게 상이하다. 이 때문에, 기재의 한쪽 면에만 열접착층을 설치한 경우, 가공조건이나 사용조건에 따라서는 바이메탈과 같이 컬되는 경우가 있어, 평면성이나 핸들링성의 불량이 염려된다. 기재의 양쪽 면에 열접착층을 설치하는 경우, 표리의 열접착층의 두께 비율은 0.5 이상, 2.0 이하인 것이 바람직하다. 이 범위를 벗어나는 경우에는, 상기의 이유에 의해 컬이 발생하는 경우가 있다. 또한, 컬이 발생한 경우에 있어서도, 무하중의 상태에서 110℃, 30분간의 가열처리를 한 후의 컬값이 5 ㎜ 이하이면 핸들링성에 실질적인 지장은 생기지 않는다. 보다 바람직하게는 컬값이 3 ㎜ 이하이고, 특히 바람직하게는 1 ㎜ 이하이다.
또한, 컬을 억제하는 또 하나의 방법으로서는, 필름의 표면과 이면에 부여하는 온도나 열량에 적극적으로 차를 두어, 결과적으로 컬값을 제로에 근접시키는 방법이 있다. 구체적으로는, 세로연신이나 가로연신 등의 연신공정 및 열고정공정에서, 필름 표리의 온도 또는 열량을 다른 값으로 함으로써, 필름의 표면과 이면의 배향도를 독립적으로 제어하여, 필름의 표면과 이면의 구조나 물성을 균형있게 한다. 그 결과, 컬을 저감시킬 수 있다. 이 방법을 사용하는 경우, 필름을 세로연신하는 공정의 가열·냉각과정에 있어서, 필름의 표면과 이면을 가열하는 롤이나 적외선 히터의 온도를 조정하는 것은 용이하여 바람직한 방법이다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은, 필름 전체 두께가 50 ㎛ 이상, 350 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 필름 전체 두께의 하한은 70 ㎛가 보다 바람직하고, 90 ㎛가 더욱 바람직하다. 한편, 필름 전체 두께의 상한은 280 ㎛가 보다 바람직하고, 200 ㎛가 더욱 바람직하다. 필름 전체 두께가 50 ㎛ 미만인 경우에는, IC 카드 또는 IC 태그의 기재로서 충분한 두께를 이루지 못하게 되어, 카드 전체의 내열성 향상 등에 기여하지 못한다. 한편, 필름 전체 두께가 350 ㎛를 초과하는 경우에는, 카드의 표준적인 두께(JIS 규격에 있어서의 카드는 0.76 ㎜) 중에서, 다른 시트나 필름, 전기회로와의 조합이 제한된다.
또한 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에서는, 열접착성이나 활성을 보다 개선하기 위해, 또는 대전방지성 등의 다른 기능을 부여하기 위해, 필름의 표면에 도포층을 설치하는 것도 가능하다. 도포층을 구성하는 수지나 첨가제로서는, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 아크릴계 수지 등, 통상의 폴리에스테르 필름의 접착성을 향상시키기 위해 사용되는 수지, 또는 대전방지성을 향상시키는 대전방지제 등을 들 수 있다. 이들 수지나 첨가제 중에서 바람직한 것을 선택하는 기준으로서는, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름과, 그것에 적층하는 재료에 대해 친화성이 높은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 표면장력이나 용해도 파라미터가 가까운 수지나 첨가제를 선택하는 것이 바람직하다. 단, 경화성 수지를 두껍게 도포한 경우에는, 본 발명의 중요한 효과인 요철 흡수성에 지장을 초래할 염려도 있어, 주의가 필요하다.
도포층을 설치하는 방법으로서는, 그라비아 코트 방식, 키스 코트 방식, 딥 방식, 스프레이 코트 방식, 커텐 코트 방식, 에어나이프 코트 방식, 블레이드 코트 방식, 리버스 롤 코트 방식 등 통상 사용되고 있는 방법을 적용할 수 있다. 도포하는 단계로서는, 필름의 연신 전에 도포하는 방법, 세로연신 후에 도포하는 방법, 배향처리가 종료된 필름 표면에 도포하는 방법 등 중 어느 방법도 가능하다.
[열접착층]
본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에 있어서, 열접착층은 비결정성 폴리에스테르 수지 A를 주된 구성성분으로 하는 것이 중요하다.
여기에서 말하는 비결정성 폴리에스테르 수지 A란, 융해열량이 20 mJ/㎎ 이하인 폴리에스테르 수지이다. 또한, 융해열량은 JIS-K7122에 기재된 「플라스틱의 전이열 측정방법」에 따라, DSC 장치를 사용하여 질소분위기하, 10℃/분의 속도로 가열하여 측정된다. 본 발명에 있어서, 상기 융해열량은 10 mJ/㎎ 이하가 바람직하고, 실질적으로 융해 피크가 관찰되지 않는 것이 보다 바람직하다. 융해열량이 20 mJ/㎎을 초과하는 경우에는, 열접착층이 변형되기 어려워져 요철 흡수성이 충분히 얻어지지 않는다.
또한, 비결정성 폴리에스테르 수지 A는, 유리전이온도가 50℃ 이상, 95℃ 이하인 것이 중요하다. 또한, 상기의 유리전이온도는 JIS-K7121에 기재된 「플라스틱의 전이온도 측정방법」에 따라, DSC 장치를 사용하여 질소분위기하, 10℃/분의 속도로 가열하고, 얻어진 DSC 곡선을 토대로 구해지는 중간점 유리전이온도(Tmg)를 의미한다. 비결정성 폴리에스테르 수지 A의 유리전이온도의 하한은 60℃가 바람직하고, 70℃가 보다 바람직하다. 한편, 유리전이온도의 상한은 90℃가 바람직하고, 85℃가 보다 바람직하다. 유리전이온도가 50℃ 미만인 경우에는, IC 카드 또는 IC 태그로서 사용했을 때 내열성이 부족하여 변형되는, 이른바 약간의 가열로 열접착층이 재박리된다. 한편, 유리전이온도가 95℃를 초과하는 경우에는, IC 카드 또는 IC 태그를 제조할 때 보다 높은 온도에서 가열할 필요가 발생하여, 전기회로 등으로의 부담이 커진다.
비결정성 폴리에스테르 수지 A의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 범용성이나 비용, 내구성 또는 PETG 시트 등에 대한 열접착성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트에 대표되는 방향족 폴리에스테르 수지의 분자골격에 각종 공중합성분을 도입한 것이 바람직하게 사용된다. 도입하는 공중합성분 중, 글리콜성분으로서는 에틸렌글리콜이나 디에틸렌글리콜, 네오펜틸글리콜(NPG), 시클로헥산디메탄올(CHDM), 프로판디올, 부탄디올 등을 들 수 있다. 한편, 산성분으로서는 테레프탈산이나 이소프탈산, 나프탈렌디카르복실산 등을 들 수 있다. 공중합성분으로서는 유리전이온도를 낮게 하고, 저온에서의 열접착성을 향상시킬 수 있는 모노머를 선택한다. 이러한 중합성분으로서는 직쇄성분이 긴 글리콜, 또는 입체장애가 큰 비선상구조의 성분을 들 수 있다. 후자의 성분은 열접착층의 결정성을 효과적으로 저감시켜서 요철 흡수성을 향상하고자 하는 경우에 사용한다. 본 발명에 있어서는 PETG 시트에 대한 열접착성의 관점에서 CHDM이나 NPG가 바람직하고, NPG가 보다 바람직하다.
또한, 비결정성 폴리에스테르 수지 A로서는 일반적으로 접착제용도로서 개발되어, 시판되고 있는 것도 있다. 이러한 접착제용 수지를 사용한 경우, 본래, 접착제로서 개발된 것이기 때문에, 폭넓은 소재에 접착할 수 있는 가능성이 있다. 그러나, 이러한 접착제용 수지는 이축연신 필름의 제조공정에 있어서 안정적으로 공압출하는 것이 곤란한 경우가 있다. 이러한 경우, 압출기의 온도 제어나 열접착층의 두께 등을 충분히 조정하는 것이 필요하다.
또한, 본 발명에 있어서 열접착층은 비결정성 폴리에스테르 수지 A와, 이것에 비상용인 비결정성 또는 결정성 열가소성 수지 B를 포함하고, 바다·섬 구조를 형성하고 있다. 열가소성 수지 B는 열접착층에 있어서 분산체(섬구조)로서 존재한다. 또한, 이 바다·섬구조의 섬구조에 기인하는 돌기는, 열접착성 폴리에스테르 필름에 활성을 부여하여, 열접착의 공정에서 상기 돌기는 찌부러져 평탄해지고, 열접착성이나 투명성을 저해하지 않는다는 작용효과를 갖는다.
이하, 열가소성 수지 B로서 사용할 수 있는 비결정성 열가소성 수지와 결정성 열가소성 수지에 대해서 설명한다.
상기 비결정성 열가소성 수지란, 융해열량이 20 mJ/㎎ 이하인 열가소성 수지이다. 또한, 융해열량은 JIS K7122「플라스틱의 전이열 측정방법」에 따라, DSC 장치를 사용하여 질소분위기하, 10℃/분의 속도로 가열하여 측정된다.
비결정성 열가소성 수지는 열접착층의 내부에 있어서 비결정성 폴리에스테르 수지 중에 있어서 섬구조를 형성하고, 이것에 기인하는 돌기가 열접착층의 표면에 형성된다. 이 돌기는 실온에 있어서는 충분한 경도를 유지하여, 필름의 활성을 향상시킬 필요가 있다. 이 때문에, 본 발명에 있어서 섬성분으로 되는 열가소성 수지 B로서 비결정성 열가소성 수지를 사용하는 경우에는, 수지의 유리전이온도가 -50℃ 이상, 150℃ 이하인 것이 중요하다. 또한, 상기의 유리전이온도는 JIS K 7121에 나타내어지는 「플라스틱의 전이온도 측정방법」에 따라, DSC 장치에 의해 질소분위기하에서 10℃/분의 가열과정에서 측정한, 중간점 유리전이온도를 의미한다.
비결정성 열가소성 수지의 유리전이온도 하한은 -20℃가 바람직하고, 0℃가 보다 바람직하다. 비결정성 열가소성 수지의 유리전이온도가 -50℃ 미만인 경우에는, 필름을 취급할 때 필요한 활성이 얻어지지 않는 경우나, IC 카드 또는 IC 태그를 제조한 후에 열가소성 수지성분이 표면으로 삼출(渗出)되는 경우가 있다.
또한, 이 바다·섬구조에 의한 돌기는, 열접착의 공정에서 찌부러져 평탄해지고, 열접착성이나 투명성을 저해하지 않도록 작용한다. 통상, IC 카드 또는 IC 태그를 제조할 때 행해지는 열 프레스는, 80~150℃에서 실시된다. 이 때문에, 상기 비결정성 열가소성 수지의 유리전이온도 상한은 130℃가 보다 바람직하고, 100℃ 이하가 더욱 바람직하다. 한편, 비결정성 열가소성 수지의 유리전이온도가 150℃를 초과하는 경우에는, (a) 충분한 열접착성이 얻어지지 않게 되고, (b) 보다 높은 온도에서 열접착하는 것이 필요해져, 전기회로 등으로의 부담이 커지게 되며, 또는 (c) 접착계면의 평탄성이 불충분해져, 접착 후의 투명성이 악화된다는 문제가 있다.
한편, 본 발명에 있어서 열접착층에 사용되는 열가소성 수지 B로서, 결정성 열가소성 수지를 사용할 수 있다. 상기의 결정성 열가소성 수지란, 융해열량이 20 mJ/㎎을 초과하는 열가소성 수지이다. 또한, 융해열량은 JIS K 7122에 기재된 「플라스틱의 전이열 측정방법」에 따라, DSC 장치를 사용하여 질소분위기하, 10℃/분의 승온속도로 가열하여 측정된다.
이 결정성 열가소성 수지는, 비결정성 폴리에스테르 수지 A와 비상용이기 때문에, 비결정성 폴리에스테르 수지 중에서 분산체로서 섬구조를 형성하고, 이것에 기인하는 돌기가 열접착층 표면에 형성된다. 이 돌기는 실온에 있어서는 경도를 유지하여, 필름의 활성을 향상시킬 필요가 있다. 이 때문에, 결정성의 열가소성 수지는 융점이 50℃ 이상, 200℃ 이하의 수지인 것이 중요하다. 또한, 결정성 열가소성 수지의 융점은 JIS K 7121에 기재된 「플라스틱의 전이온도 측정방법」에 따라, DSC 장치를 사용하여 질소분위기하, 10℃/분의 속도에서 가열하여 측정된다.
결정성 열가소성 수지의 융점 하한은 70℃가 보다 바람직하고, 90℃가 더욱 바람직하다. 또한, 열접착의 공정에 있어서는 찌부러져 평탄해짐으로써 접착을 저해하지 않도록 작용시키기 위해, 수지의 융점이 열접착공정에서의 최고온도 보다도 30℃ 이상 초과하는 것은 바람직하지 않다. 보다 구체적으로는, 수지의 융점 상한은 180℃가 보다 바람직하고, 160℃가 더욱 바람직하다.
본 발명에 있어서, 열접착층에 사용되는 열가소성 수지는 특별히 한정되지 않지만, 비결정성 폴리에스테르 수지와 혼합하여 사용하기 때문에, 용해도 파라미터가 폴리에틸렌테레프탈레이트에 비해 2.0(J/㎤)1/2 이상 크거나 또는 작은 수지가 적합하다.
비결정성이고 범용성이 높은 수지로서는, 폴리스티렌이나 폴리카보네이트, 아크릴류, 환상 올레핀류나 그의 공중합체, 입체규칙성이 낮은 저밀도 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등 올레핀류나 그의 공중합체 등을 들 수 있지만, 열이나 자외선, 산소에 대한 안정성이 높고, 보다 범용적이기 때문에, 폴리스티렌이나 폴리올레핀류가 바람직하고, 내열성이 높은 점에서 폴리스티렌 또는 환상 올레핀 공중합체가 보다 바람직하다.
또한, 결정성이고 범용성이 높은 수지로서는, 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌, 폴리부타디엔, 폴리에틸렌프로필렌 고무, 폴리유산, 폴리옥시메틸렌 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 열이나 자외선, 산소에 대한 안정성이 높고 보다 범용적인 면에서, 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌이 바람직하고, 융점이 적절한 면에서, 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌이 보다 바람직하다. 또한, 폴리에틸렌은 결정성 면에서 밀도가 0.90 g/㎤를 초과하는 고밀도 폴리에틸렌 또는 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌이 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, 열접착층에 함유시키는 열가소성 수지 B의 양은, 열접착층을 구성하는 재료에 대해 1 질량% 이상이고, 30 질량% 이하이다. 열가소성 수지 B 함유량의 하한은 3 질량%가 바람직하고, 5 질량%가 보다 바람직하다. 한편, 열가소성 수지 B의 함유량 상한은 25 질량%가 바람직하고, 20질량%가 보다 바람직하다. 열가소성 수지 B의 함유량이 1 질량% 미만인 경우에는, 필요한 활성이 얻어지지 않게 된다. 한편, 열가소성 수지 B의 함유량이 30 질량%를 초과하는 경우에는 조대돌기(粗大突起)가 되어, 필름의 표면으로부터 탈락하는 경우, 반대로 활성이 나빠지는 경우, 또는 열 프레스로 충분히 평탄화되지 않아 열접착성이 나빠지고, 투명성도 저하되는 경우가 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 열접착층의 표면의 최대 높이가 1.0 ㎛ 이상이고, 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 열접착층의 표면의 최대 높이의 하한은 1.2 ㎛가 더욱 바람직하고, 1.5 ㎛가 특히 바람직하다. 한편, 열접착층의 표면의 최대 높이의 상한은 8.0 ㎛가 보다 바람직하고, 5.0 ㎛가 특히 바람직하다. 열접착층의 표면의 최대 높이가 1.0 ㎛ 미만인 경우, 충분한 활성이 얻어지지 않아 필름의 핸들링성이 곤란해진다. 한편, 열접착층의 표면의 최대 높이가 10 ㎛를 초과하는 경우에는, 마찰에 의해 필름 표면의 돌기가 탈락되어 공정을 오염시키거나, 반대로 활성이 나빠지거나 한다.
또한, 본 발명에 있어서 열접착층의 표면의 최대 높이(St1)와 산술 평균 표면조도(Sa1)의 비(St1/Sa1)가 3.0 이상이고, 20 이하인 것이 바람직하다. St1/Sa1의 하한은 5.0이 보다 바람직하고, 7.0이 특히 바람직하다. 한편, St1/Sa1의 상한은 16이 보다 바람직하고, 12가 특히 바람직하다. St1/Sa1이 3.0 미만인 경우에는, 활성을 개선하는 것이 곤란해진다. 한편, St1/Sa1이 20을 초과하는 경우에는 열접착성이 얻어지기 어려워진다.
열접착층의 표면에 있어서의 돌기의 최대 높이를 적절한 범위로 조절하는 방법으로서는, (1) 비결정성 폴리에스테르 수지 A의 용융점도나 유리전이온도를 선택하는 방법, (2) 열가소성 수지 B의 용융점도나 유리전이온도, 융점, 표면장력, 용해도 파라미터, 첨가량을 선택하는 방법, (3) 열접착층의 수지를 필름 표면에 압출할 때의 온도를 선택하는 방법 등을 들 수 있다. 이들 방법 중에서도, 비결정성 폴리에스테르 수지의 유리전이온도와, 열가소성 수지의 종류나 첨가량, 압출온도를 조절하는 방법이 용이하고 확실하다.
또한, 본 발명에 있어서 열접착층의 표면을 평활하고 청정한 유리판에 대향시켜서 사이에 끼우고, 열 프레스처리(100℃, 1 MPa, 1분간) 한 후의 열접착층의 표면의 최대 돌기높이(St2)가 0.001 ㎛ 이상이고, 3.000 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
St2의 하한은 0.005 ㎛가 보다 바람직하고, 0.01 ㎛가 가장 바람직하다. 또한, St2의 상한은 2.500 ㎛가 보다 바람직하고, 2.000 ㎛ 이하가 가장 바람직하다. St2가 0.005 ㎛ 미만인 경우는, 열 프레스 시에 열접착층을 구성하는 수지가 유동하여, 가공 안정성이 불충분해질 염려가 있다. 또한, St2가 0.01 ㎛를 초과하는 경우에는, 열 프레스 후에도 돌기가 다수 남아 있어, 안정된 접착력을 발휘하기에 충분한 접착 계면이 얻어지지 않기 때문에 바람직하지 않다. 또한, St2를 0.001~3.00 ㎛의 범위로 조절하기 위해서는, 결정성 열가소성 수지의 융점을 50~200℃의 범위 내에서 조정하거나, 결정성 열가소성 수지의 함유량을 1~30 질량%의 범위 내에서 조절하는 것이 효과적이다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에서는, 필름의 표면과 이면을 대향시키고, 그 계면에 있어서의 정마찰계수가 0.1 이상이며, 0.8 이하인 것이 바람직하다. 마찰계수의 하한은 0.2가 보다 바람직하다. 한편, 마찰계수의 상한은 0.7이 보다 바람직하고, 0.6이 더욱 바람직하며, 0.5가 특히 바람직하다. 필름의 표면과 이면 사이의 정마찰계수를 0.1 미만으로 하는 것은, 본 발명의 기술 범위에서는 곤란하다. 한편, 상기 정마찰계수가 0.8을 초과하는 경우에는, 필름의 핸들링성이 현저하게 나빠진다. 정마찰계수를 0.1~0.8의 범위로 조절하기 위해서는, 상기와 같이 하여 열접착층의 표면의 최대 높이를 조절하는 것이나, 열접착층의 탄성률이나 표면장력을 조절하는 것이 바람직하다.
또한, IC 카드 또는 IC 태그의 코어시트의 내부에 배치되는 IC 칩이나 전기회로의 요철 흡수성은, 열 프레스에 의한 부형성의 척도로서 부형율 및 부형부의 외연의 구배라고 하는 파라미터로 표현할 수 있다. 여기에서 부형율이란, 안테나 회로 또는 구리박편을 열접착층의 표면에 올리고, 열 프레스한 후, 상온 상압에서 안테나 회로 또는 구리박편을 제거했을 때, 안테나 회로 또는 구리박편에 의해 생긴 열접착층의 패임의 깊이를 의미하고, 부형부의 외연의 구배란, 이 패임의 외연에 있어서의 벽면의 구배를 의미한다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에서는, 열 프레스에 의한 부형율이 40% 이상이고, 105% 이하인 것이 바람직하다. 본 발명이 IC 칩이나 전기회로의 요철을 흡수한다는 관점에서, 부형율의 하한은 50%인 것이 보다 바람직하고, 60%인 것이 더욱 바람직하다.
이 관점에서는, 부형율의 상한이 높을수록 이상적인 것은 물론이다. 그러나, 열 프레스공정에서 열접착층이 연화·유동된 경우에 가공 안정성이 저하될 염려가 있기 때문에, 현실적으로는 102% 이하, 보다 현실적으로는 98% 이하로 억제하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 부형율을 40~105% 이하로 조정하는 방법으로서는, 열접착층의 두께를 5 ㎛ 이상으로 조정하는 것 이외에, 열접착층을 구성하는 비결정성 폴리에스테르 수지 A나 열가소성 수지 B의 유리전이온도나 융점, 혼합비율, 점도, 탄성률 등을 적절히 조정하는 것이 중요하다.
또한, 본 발명에 있어서, 열 프레스에 의한 부형부의 외연의 구배가 20% 이상이고, 1000% 이하인 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서 열접착층이 IC 칩이나 전기회로의 요철을 흡수한다는 관점에서, 부형되는 패임의 형상은 전기회로 등의 외형에 일치하고 있는 것이 바람직하다. 부형부의 외연의 구배가 20% 미만인 경우란, 전기회로 등의 볼록부에 대해, 그 주변까지 함께 변형되어 있거나, 또는 볼록부의 형상을 충분히 흡수하고 있지 않은 상태를 의미한다. 이 구배는 50% 이상이 보다 바람직하고, 100% 이상이 더욱 바람직하다.
요철 흡수성의 관점에서는, 열 프레스에 의한 부형부의 외연의 구배가 클수록 이상적인 변형인 것은 물론이고, 기하학적으로는 무한대가 되는 것이 가장 바람직하다. 그러나, 본 발명에서 개시한 기술 범위에서 현실적으로 달성되는 것은 상한인 1000%까지이고, 보다 일반적인 가공공정에서 현실적으로 달성할 수 있는 것은 500% 이하이다. 또한, 열 프레스에 의한 부형부의 외연의 구배를 20~1000%의 범위 내로 조정하는 방법으로서는, 열접착층의 두께를 5 ㎛ 이상으로 조정하는 이외에, 열접착층을 구성하는 비결정성 폴리에스테르 수지 A나 비결정성 열가소성 수지 B의 유리전이온도나 혼합비율, 점도, 탄성률 등을 적절히 조정하는 것이 중요하다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에 있어서, 특히 투명성을 필요로 하지 않는 경우나, 특히 백색으로 은폐성이 필요한 카드나 태그의 소재로서 사용하는 경우에는, 열접착성이나 활성, 요철 흡수성을 저해하지 않는 범위에서 열접착층에 백색 안료를 함유시키는 것은, 바람직한 실시형태의 하나이다. 열접착층에 함유시키는 백색 안료로서는, 산화티탄, 탄산칼슘, 황산바륨 및 이들의 복합체로 되는 것이 바람직하고, 은폐효과의 관점에서 산화티탄을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 이들 무기 입자는 기재의 이축연신 폴리에스테르 필름의 구성재료에 대해 30 질량% 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하고, 20 질량% 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위를 초과하여 첨가한 경우, 상기의 특성이 저해되는 경우가 있다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에서는, 열접착성이나 활성, 요철 흡수성을 저해하지 않는 범위에서, 열접착층에 유기 입자를 함유시켜도 상관 없다. 열접착층에 유기 입자를 함유시킴으로써, 열접착층의 표면에 돌기를 형성하는 것이 가능하고, 열 프레스에 의해 열접착시켜서 카드를 제조할 때, 필름 사이의 기포를 효과적으로 배출하는 것이 가능해진다. 유기 입자로서는 멜라민 수지나 가교 폴리스티렌 수지, 가교 아크릴 수지 및 이들을 주체로 하는 복합 입자가 바람직하다. 또한, 이들 무기 입자는, 열접착층의 구성재료에 대해 30 질량% 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하고, 20 질량% 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위를 초과하여 첨가한 경우, 상기의 특성이 저해되는 경우가 있다.
[이축연신 폴리에스테르 필름층(기재 필름)]
본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은, 적어도 한 층의 이축연신 폴리에스테르 필름층을 기재로 한다. 이 층은 종래 공지의 방법에 의해 용이하게 광학 특성이나 역학 특성을 조절할 수 있다. 즉, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름을 백색 또는 고은폐성 IC 카드 또는 IC 태그로서 사용할 때는, 기재 필름 중에 미세 공동을 다수 함유시키거나, 백색 안료를 함유시키거나 하는 것이 바람직한 실시형태의 하나이다. 또한, 은폐성을 필요로 하지 않는 경우이고, 투명성이나 강도가 우선적으로 요구되는 경우에는, 최대한 무기 입자나 이물질 등을 포함하지 않는 이축연신 폴리에스테르 필름을 사용하는 것이 바람직한 실시형태의 하나이다.
본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름을 백색 또는 고은폐의 IC 카드 또는 IC 태그의 소재로서 사용하는 경우에는, 기재 필름으로서 그 내부에 미세한 공동을 다수 함유하는, 공동 함유 폴리에스테르 필름이 바람직하다. 필름 내부의 다수의 미세한 공동에 의해, 필름의 외관밀도가 0.7 g/㎤ 이상, 1.2 g/㎤ 이하로 제어되어 있는 것이 바람직하다. 필름 외관밀도의 하한은 0.8 g/㎤가 보다 바람직하고, 0.9 g/㎤가 더욱 바람직하다. 한편, 필름 외관밀도의 상한은 1.2 g/㎤가 보다 바람직하고, 1.1 g/㎤가 더욱 바람직하다. 필름의 외관밀도가 0.7 g/㎤ 미만인 경우에는, 필름의 강도나 내좌굴성(耐座屈性), 압축 회복율이 저하되어, IC 카드 또는 IC 태그의 가공이나 사용에 적절한 성능을 얻을 수 없게 된다. 한편, 필름의 외관밀도가 1.2 g/㎤를 초과하는 경우에는, IC 카드 또는 IC 태그로서의 경량성이나 유연성을 얻을 수 없게 된다.
필름의 내부에 공동을 함유시키는 방법으로서는, (1) 발포제를 함유시켜 압출시나 제막시의 열에 의해 발포, 또는 화학적 분해에 의해 발포시키는 방법, (2) 압출시 또는 압출후에 탄산가스 등의 기체 또는 기화 가능한 물질을 첨가하고, 발포시키는 방법, (3) 폴리에스테르와 상기 폴리에스테르에 비상용성인 열가소성 수지를 첨가하고, 용융압출 후, 일축 또는 이축으로 연신하는 방법, (4) 유기 또는 무기의 미립자를 첨가하여 용융압출 후, 일축 또는 이축으로 연신하는 방법 등을 들 수 있다.
상기 필름의 내부에 공동을 함유시키는 방법 중에서, 상기 (3)의 방법, 즉 폴리에스테르와 비상용성인 열가소성 수지를 첨가하고, 용융압출 후, 일축 또는 이축으로 연신하는 방법이 바람직하다. 폴리에스테르 수지에 비상용인 열가소성 수지로서는 조금도 제한되는 것은 아니지만, 폴리프로필렌이나 폴리메틸펜텐으로 대표되는 폴리올레핀계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리설폰계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리페닐렌에테르계 수지 등이 예시된다.
이들 열가소성 수지는 단독으로 사용해도 되고, 또한 복수의 열가소성 수지를 조합하여 사용해도 된다. 이들 폴리에스테르 수지에 비상용성인 열가소성 수지의 함유량은, 공동 함유 폴리에스테르층을 형성하는 수지에 대해 3~20 질량%가 바람직하고, 더욱 바람직한 것은 5~15 질량%이다. 그리고, 폴리에스테르 수지에 비상용성인 열가소성 수지의 함유량이, 공동 함유 폴리에스테르층을 형성하는 수지에 대해 3 질량% 미만에서는, 필름 내부에 형성되는 공동 함유량이 적어지기 때문에, 은폐성이 저하된다. 한편, 비상용성인 열가소성 수지의 함유량이, 백색 폴리에스테르층을 형성하는 수지에 대해 20 질량%를 초과하는 경우에는, 필름 제조공정에서의 파단이 다발한다. 또한, 공동 함유 폴리에스테르 필름 내부의 공동 함유율은 10~50 체적%가 바람직하고, 20~40 체적%가 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름을 백색 또는 고은폐의 IC 카드 또는 IC 태크의 소재로서 사용하는 경우에는, 기재 필름으로서 이축연신 폴리에스테르층에 백색 안료를 함유시킨, 백색 폴리에스테르 필름도 바람직한 실시형태의 하나이다. 여기에서 사용하는 백색 안료는 특별히 한정되지 않지만, 범용성의 관점에서 산화티탄, 탄산칼슘, 황산바륨 및 이들의 복합체로 되는 것이 바람직하고, 은폐효과의 관점에서 산화티탄을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 이들 무기 입자는 백색 폴리에스테르층의 구성재료에 대해, 25 질량% 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하고, 20 질량% 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 상기의 범위를 초과하여 첨가한 경우, 필름 제조시에 파단이 다발하여 공업 레벨의 안정 생산이 곤란해지는 경우가 있다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름을 백색 또는 고은폐의 IC 카드 또는 IC 태그의 소재로서 사용하는 경우에는, 미세 공동이나 백색 안료의 함유량을 적절히 조절하여, 광학농도가 0.5 이상이고, 3.0 이하로 하는 것이 바람직하다. 광학농도의 하한은 0.7이 보다 바람직하고, 0.9가 더욱 바람직하다. 또한, 광학농도의 상한은 2.5가 보다 바람직하고, 2.0이 더욱 바람직하다. 광학농도가 상기의 범위에 미치지 못하는 경우에는, IC 카드 또는 IC 태그로 했을 때, 은폐성 부족으로부터 IC 칩이나 전기회로 등의 내부구조가 들여다보이는 경우가 있어, 의장상 또는 보안상 바람직하지 않다. 또한, 광학농도가 상기의 범위를 초과하도록 필름을 제조하기 위해서는, 필름 내부의 미세 공동이나 백색 안료의 함유량을 매우 많게 할 수 밖에 없어, 필름 강도 등이 저하된다.
또한, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름을 백색 또는 고은폐의 IC 카드 또는 IC 태그의 소재로서 사용하는 경우에는, 폴리에스테르 수지에 비상용인 열가소성 수지를 배합하여 공동을 형성하는 방법과, 백색 안료를 배합하는 방법을 병용하는 방법이 가장 바람직하다.
한편, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름을 투명한 IC 카드 또는 IC 태그의 소재로서 사용하는 경우에는, 필름의 광선투과율이 25% 이상, 98% 이하인 것이 바람직하다. 필름의 광선투과율을 상기의 범위로 조정함으로써, 깨끗하고 미려한 의장성이 우수한 카드를 얻을 수 있다. 필름 광선투과율의 하한은 30%가 보다 바람직하고, 40%가 더욱 바람직하다. 필름 광선투과율의 하한이 25% 미만인 경우에는, 투명성이 충분하지 않아 의장성이 얻어지지 않는다. 한편, 필름 광선투과율의 상한은 90%가 보다 바람직하고, 80%가 더욱 바람직하다. 의장성의 관점에서는 광선투과율이 높을수록 바람직한 것은 물론이다. 그러나, 필름의 광선투과율이 98%를 초과하는 것을 제조하는 경우, 실용에 견딜 수 있는 활성을 얻는 것이 곤란하다.
본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에 있어서, 열접착층을 제외한 각 층은 결정성 폴리에스테르를 주체로서 구성되는 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 결정성 폴리에스테르 수지란, 융해열량이 20 mJ/㎎을 초과하는 폴리에스테르 수지이다. 융해열량의 측정방법은 상기와 동일하다.
이러한 결정성 폴리에스테르는, 테레프탈산, 이소프탈산, 나프탈렌디카르복실산 등의 방향족 디카르복실산 또는 그의 에스테르와 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 네오펜틸글리콜 등의 글리콜을 적절한 비율로 중축합시켜서 제조되는 폴리에스테르이다. 이들 폴리에스테르는 방향족 디카르복실산과 글리콜을 직접 반응시키는 직중법(直重法) 외에, 방향족 디카르복실산의 알킬에스테르와 글리콜을 에스테르 교환반응시킨 후, 중축합시키는 에스테르 교환법이나, 또는 방향족 디카르복실산의 디글리콜에스테르를 중축합시키는 등의 방법에 의해 제조할 수 있다.
상기의 결정성 폴리에스테르의 대표예로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리트리메틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트를 들 수 있다. 상기의 폴리에스테르는 호모 폴리머여도 되고, 제3성분을 공중합한 것이어도 된다. 이들 폴리에스테르 중에서도, 에틸렌테레프탈레이트 단위, 트리메틸렌테레프탈레이트 단위, 또는 에틸렌-2,6-나프탈레이트 단위가 70몰% 이상, 바람직하게는 80 몰% 이상, 더욱 바람직하게는 90 몰% 이상인 폴리에스테르가 바람직하다.
[IC 카드 또는 IC 태그, 및 그의 제조방법]
본 발명의 IC 카드 또는 IC 태그는, 플라스틱 필름에 안테나 회로 및 IC 칩을 설치한 인렛의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 상기의 열접착성 필름을 배치하고, 열접착성 필름의 열접착층을 매개로 하여 인렛을 열 프레스하여 접착시킨 코어시트를 구성요소로서 사용함으로써 제조할 수 있다. 또한, IC 카드 또는 IC 태그의 보다 바람직한 제조방법은, 상기 코어시트의 양쪽 면에 추가로 폴리에스테르 시트(예를 들면, 무배향 PETG 시트) 또는 이축연신 폴리에스테르 필름을 적층하고, 이어서 열 프레스하며, 각 부재를 첩합하여 일체화시키는 방법이다.
또한, 인렛이란, 안테나 회로 또는 금속 코일에 IC 칩을 실장(mounting)한 상태까지의 제품형태를 나타내는 것으로, 플라스틱 필름의 한쪽 면에 안테나 회로 및 IC 칩을 설치한 구성으로 된다. 제품형태로서는 가장 기본적인 것으로, 안테나 회로 또는 금속 코일, IC 칩은 노출된 상태로 되어 있다.
통상, 이축연신 폴리에스테르 필름을 심재(芯材)로서 카드를 구성하는 경우, 핫 멜트 시트 등 접착제의 사용이 필수이지만, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름에서는 이것이 불필요하여, 카드나 태그의 생산효율을 향상시켜 제조 비용을 절감시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 IC 카드 또는 IC 태그는, 플라스틱 필름에 안테나 회로 및 IC 칩을 설치한 인렛의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 상기의 열접착성 필름을 적층하고, 열접착성 필름의 열접착층을 매개로 하여 인렛과 접착시킨 코어시트를 구성요소로서 포함하는 것을 특징으로 한다. 더욱 바람직한 실시형태는, 코어시트의 양쪽 면에 폴리에스테르 시트 또는 이축연신 폴리에스테르 필름이 적층된 IC 카드 또는 IC 태그이다.
또한, 카드나 태그는 물품의 형상이나 용도를 나타내는 것으로, 플라스틱 필름에 안테나 회로 또는 금속 코일 및 IC 칩을 설치한 인렛을 포함하는 것이라면, IC 카드나 IC 태그 등과 형태나 용도가 상이한 것도 본 발명에 포함된다.
본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은, 한쪽 면 또는 양쪽 면에 비결정성 폴리에스테르로 되는 열접착층을 갖기 때문에, 접착제를 사용하지 않더라도 기지의 폴리에스테르 시트나 폴리에스테르 필름에 접착시키는 것이 가능하다. 폴리에스테르는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 이소프탈산이나 시클로헥산디메탄올, 네오펜틸글리콜 등의 성분을 폴리에틸렌테레프탈레이트에 공중합한 저결정성 또는 비결정성 폴리에스테르 시트를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이축연신 폴리에스테르 필름을 사용하는 경우도 그 종류는 특별히 한정되지 않지만, 카드나 태그에 적합한, 백색 폴리에스테르 필름 또는 공동 함유 폴리에스테르 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 추가로, 인쇄성이나 접착성을 개량한 표면처리층을 형성시킨 이축연신 폴리에스테르 필름을 사용하는 것이, 더욱 바람직한 실시태양이다.
또한, 본 발명에 의해 IC 카드 또는 IC 태그를 제조할 때, 안테나 회로나 IC 칩을 갖는 인렛은, 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름의 적어도 한쪽 면에 인접시켜서 배치하는 것이 바람직하다. 본 발명의 열접착층은 열 프레스 공정에 있어서 용이하게 변형하는 것이 가능하고, 회로나 칩에 기인하는 요철을 효과적으로 완화시키는 것이 가능하여, 이것에 의해 외관이 미려한 카드나 태그를 제조하는 것이 가능하다.
본 발명에 있어서, 열 프레스 접착법으로 카드나 태그를 제조하는 경우, 열 프레스시의 온도는 90~160℃가 바람직하고, 110~150℃가 더욱 바람직하다. 열 프레스시의 온도가 90℃ 미만인 경우, 충분한 접착력을 얻을 수 없다. 한편, 열 프레스시의 온도가 160℃를 초과하는 경우, 필름이 현저히 열수축되어 카드의 형상이 미려하지 않게 되어, 의장 면에서 바람직하지 않다.
또한, 열 프레스시의 압력은 0.1~20 MPa가 바람직하고, 0.3~10 MPa가 보다 바람직하다. 열 프레스시의 압력이 0.1 MPa 미만인 경우, 카드의 평면성이 충분하지 않아 미려한 외관이 얻어지지 않는다. 한편, 열 프레스시의 압력이 20 MPa를 초과하는 경우, 공동 함유 폴리에스테르 필름을 기재로 하는 열접착성 폴리에스테르 필름을 사용하더라도, 그 우수한 쿠션성이나 요철 흡수성의 효과가 높은 압력에 의해 작아진다. 그 결과, IC 칩 등의 회로에 걸리는 부담이 지나치게 커져, 전기적 고장이 발생하기 쉬워진다.
본 발명의 IC 카드 또는 IC 태그의 바람직한 실시형태의 하나는, 필름 내부에 다수의 미세 공동을 함유시킨 공동 함유 필름을 기재로 하는 열접착성 폴리에스테르 필름(외관밀도가 0.7~1.3 g/㎤)을 사용한 것으로서, 외관밀도를 0.7 g/㎤ 이상, 1.3 g/㎤ 미만으로 한 IC 카드 또는 IC 태그이다. 카드 또는 태그 외관밀도의 하한은 0.8 g/㎤ 보다 바람직하고, 0.9 g/㎤가 더욱 바람직하다. 한편, 카드 또는 태그 외관밀도의 상한은 1.2 g/㎤가 보다 바람직하고, 1.1 g/㎤가 더욱 바람직하다. 카드 또는 태그의 외관밀도가 0.7 g/㎤ 미만인 경우에는, 카드나 태그의 강도나 내좌굴성, 압축 회복율이 저하되어, 가공시나 사용시에 적절한 역학 성능을 얻을 수 없게 된다. 한편, 카드 또는 태그의 외관밀도가 1.3 g/㎤ 이상인 경우에는, IC 카드 또는 IC 태그로서의 경량성이나 유연성을 얻을 수 없게 된다. 또한, 외관밀도를 0.7 g/㎤ 이상, 1.3 g/㎤ 미만으로 한 IC 카드 또는 IC 태그는, 수몰사고시에 수면에 떠오르거나, 또는 침몰까지의 사이에 회수하는데 충분한 시간을 얻을 수 있다. 이 때문에, 본 형태의 카드는 예를 들면, 개인이 그 정보를 기록하여 일상적으로 소지, 사용하는 개인정보의 기록 카드로서 적합하다.
또한, 본 발명의 IC 카드에 있어서의 또 하나의 바람직한 실시형태는, 광선투과율이 25% 이상, 98% 이하인 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름을 사용한 것으로서, 광선투과율(전자회로부분을 제외한다)이 10% 이상, 98% 이하인 IC 카드이다. 카드의 광선투과율을 25~98%의 범위로 제어함으로써, 패션성이나 이벤트성이 우수한 IC 카드를 제공할 수 있다. 카드 광선투과율의 하한은 20%가 보다 바람직하고, 30%가 더욱 바람직하다. 광선투과율의 하한이 25% 미만인 경우에는, 투명성이 충분하지 않아 의장성이 얻어지지 않는다. 한편, 광선투과율의 상한은 90%가 보다 바람직하고, 80%가 더욱 바람직하다. 의장성의 관점에서는 광선투과율이 높을수록 바람직한 것은 물론이다. 그러나, 광선투과율이 98%를 초과하는 것을 제조한 경우, 실용에 견딜 수 있는 활성을 얻는 것이 곤란하여 현실적이지 못하다.
본 발명의 IC 태그의 바람직한 실시형태의 하나는, 광선투과율이 25% 이상, 98% 이하인 본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름을 사용한 것으로서, 태그의 광선투과율(전자회로부분을 제외한다)이 10% 이상, 98% 이하인 IC 태그이다. 태그의 광선투과율을 25~98%의 범위로 제어함으로써, 태그의 안쪽부분 등에 기입된 관리정보나, 화물의 수신처, 개인명 등을 효율적으로 눈으로 확인할 수 있다. 이 때문에, 광선투과율의 하한은 20%가 보다 바람직하고, 30%가 더욱 바람직하다. 한편, 광선투과율의 상한은 90%가 바람직하고, 80%가 보다 바람직하다. 눈으로 확인할 수 있는 관점에서는 광선투과율이 높을수록 바람직한 것은 물론이다. 그러나, 광선투과율이 98%를 초과하는 것을 제조한 경우, 실용에 견딜 수 있는 활성을 얻는 것이 곤란하여 현실적이지 못하다.
다음으로, 본 발명의 기술요건과 효과의 상관관계를 실시예와 비교예에 의해 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명에서 사용한 특성값은 하기의 방법을 사용하여 평가하였다.
[평가방법]
(1) 수지의 융점과 유리전이온도
JIS K 7121에 기재된 「플라스틱의 전이온도 측정방법」에 의해, DSC 측정을 행하였다. 샘플은 확대경이 부착된 마이크로톰을 사용하여 필름으로부터 열접착층을 절삭한 소편(小片) 약 10 ㎎을, 알루미늄 팬에 밀봉하여 300℃에서 3분간 용융하고, 액체질소로 퀀칭(quenching)한 것을 사용하였다. 측정기에는 시차주사열량계(세이코 인스트루먼트사제, EXSTAR6200DSC)를 사용하여, 건조 질소분위기하에서 실시하였다. 실온으로부터 10℃/분의 속도로 가열하여 중간점 유리전이온도를 구한 후, 융해 피크 온도(융점)를 구하였다.
(2) 수지의 융해열량
JIS K 7122에 기재된 「플라스틱의 전이열 측정방법」에 의해 융해열량을 구하였다. DSC 측정의 상세는 상기 융점의 측정과 동일하게 하였다.
(3) 필름 두께
JIS K 7130에 기재된 「발포 플라스틱-필름 및 시트-두께 측정방법」에 의해 측정하였다. 측정기는 전자 마이크로미터(마르사제, 밀리트론 1240)를 사용하였다. 측정 대상 필름의 임의의 4개소로부터 가로 세로 5 ㎝ 샘플 4장을 잘라내고, 1장당 각 5점(계 20점) 측정하여 평균값을 두께로 하였다.
(4) 필름의 적층 두께
측정 대상 필름의 임의의 3개소로부터 소편을 잘라내었다. 마이크로톰을 사용하여 이 소편을 절삭하고, 필름 표면에 직교하는 필름 단면을 제작하였다. 이 단면에 백금 팔라듐 합금을 스퍼터링하여 샘플로 하고, 주사형 전자현미경(히타치 제작소제, S2500)을 사용하여 경면을 현미경 검사하였다. 필름 전체 두께가 한 시야에 포함되는 적절한 배율로 관찰하여, 각 층의 두께를 측정하였다. 측정은 각 시야당 3개소에서 행하고, 합계 9개소의 평균값을 적층 두께로 하였다.
(5) 필름의 표면조도
측정 대상 필름의 임의의 3개소로부터 소편을 잘라내고, 제전(除電) 송풍기(blower)로 먼지 등을 주의 깊에 제거하였다. 이 열접착층 표면을 비접촉형 3차원형상 측정장치(Micromap사제, Micromap557)로 측정하였다. 광학계에는 미라우형 2광속 간섭대물렌즈(10배)와 줌렌즈(Body Tube, 0.5배)를 사용하고, 5600 옹스트롬의 광원을 이용하여 2/3인치 CCD 카메라로 수광(受光)하였다. 측정은 WAVE 모드로 행하고, 1619 ㎛×1232 ㎛의 시야를 640×480 픽셀의 디지털 화상으로서 처리하였다. 화상의 해석에는 해석 소프트웨어(Micromap123, 버젼 4.0)를 사용하여, 일차함수 모드로 경사제거(Detrending)하였다. 이것에 의해, 상기 3 샘플의 표리 각각 5시야(합계 30시야)의 산술 평균 표면조도를 측정하고, 그 평균값을 표면조도(Sa)로 하였다.
(6) 열 프레스 처리 후의 필름의 표면조도
관찰 대상 부위의 양쪽 면에 평활 청정한 유리판(Sa가 0.0008 ㎛인 슬라이드글라스)을 배치하고, 이 양쪽 면을 쿠션재(도요 보세키제, 공동 함유 폴리에스테르 필름 K1212, 188 ㎛)로 덮었다. 이것을 100℃에서 5분간 여열(余熱)한 후, 열 프레스(1 MPa, 1분간)하였다. 그 외는 상기 필름의 표면조도와 동일하게 하여, 열 프레스 처리 후의 필름의 표면조도를 측정하였다.
(7) 부형율과 부형부 외연의 구배
제작한 IC 카드 또는 IC 태그에 대해서, 인렛의 회로면과 열접착층 사이의 접착면을 주의 깊게 박리하였다. 이 열접착층의 박리면에 있어서 계면박리되어 있는 부분을 선택하고, 프린트 회로의 압흔(壓痕)의 단차(段差)를 시야에 포함하도록 하여 상기 (5)와 동일하게 3차원형상의 화상을 얻었다. 동일 소프트웨어의 단면 해석기능에 의해, 압흔의 단차와 직교하는 단면형상 프로파일을 얻었다. 이 프로파일로부터, 프린트 회로에 의한 압흔의 깊이를 구하고, 원래의 프린트 회로의 높이(10 ㎛)로 나누어 부형율을 구하였다. 또한, 압흔의 외연부분에 있어서, 압흔부로부터 비압흔부에 이르는 단차에 대해서 구배(단차 중앙부를 포함하고, 단차의 약 1/3 부 분에서의 구배)를 구하여, 부형부 외연의 구배로 하였다. 또한, 관찰은 3시야에 대해 행하여 합계 15 프로파일의 평균값을 평가하였다.
(8) 필름의 정마찰계수
JIS K 7125에 기재된 「발포 플라스틱-필름 및 시트-마찰계수의 시험방법」에 의해 측정하였다. 측정기는 인장시험기(시마즈 제작소제, AG1KNI)를 사용하였다. 측정 대상 필름의 임의의 5개소로부터 샘플 10장을 잘라내고, 필름의 표리 양쪽 면을 대향시켜서 측정하였다. 미끄럼조각(滑片)에 가하는 하중은 1500 g으로 하고, 합계 5회의 평균값을 정마찰계수로 하였다.
(9) 필름 및 카드·태그의 광학농도, 광선투과율
투과 광학농도계(멕베스사, RD-914)를 사용하여, 백색광에서의 광학농도를 측정하였다. 측정 대상 샘플의 임의의 5개소로부터 잘라낸 가로 세로 50 ㎜인 샘플 5장에 대해 측정을 행하고, 그 평균값을 광선투과율(%)로 환산하였다.
(10) 필름의 컬값
측정 대상 필름을 임의의 3개소로부터 길이방향으로 100 ㎜, 폭방향으로 50 ㎜로 매엽상(枚葉狀)으로 잘라내고, 무하중의 상태로, 110℃에서 30분간 가열처리한 후, 필름의 볼록부를 아래로 하여 수평한 유리판 위에 정치하고, 유리판과 일어선 필름 네 모서리의 하단(下端)과의 수직거리를 최소 눈금 0.5 ㎜ 단위로 정규(定規)를 사용하여 측정하고, 이 4개소의 측정값의 평균값을 컬값으로 하였다. 3장에 대해서 측정을 행하고, 이 평균값을 컬값으로 하였다.
(11) 요철 흡수성
제작한 IC 카드 또는 IC 태그에서, 안테나 회로 또는 구리박을 배치한 부위의 외연부를 3차원형상 측정장치(료카 시스템사제, 마이크로맵 TYPE550, 대물렌즈 10배)를 사용하여, WAVE 모드로 관찰하였다. 안테나 회로 또는 구리박의 유무에 의해 생기는 단차를 3시야(1시야당 3개소) 관측하고, 그 평균값을 구하였다. 단차가 작을수록 요철 흡수성이 우수한 것으로 평가하고, 단차가 3 ㎛ 미만인 경우를 ◎, 3 ㎛ 이상 6 ㎛ 미만인 경우를 ○로 하고, 6 ㎛ 이상인 경우를 ×로 하였다. 또한, 구리박을 사용한 경우, IC 카드 또는 IC 태그로서의 기능은 없지만, 열접착성 필름을 사용하여 카드 또는 태그를 제작했을 때의 요철 흡수성의 모델 평가법으로서 사용할 수 있다.
(12) 필름의 열접착성
제작한 IC 카드 또는 IC 태그에 있어서, 수작업에 의해 박리하였다. 전혀 열접착되어 있지 않은 것을 ×, 전면적으로 계면박리되는 것을 △, 열접착층이 대부분 응집 파괴되는 것을 ○, 재료가 파괴되는 것을 ◎로 하였다.
(13) 필름 및 카드·태그의 외관밀도
임의의 5개소로부터 잘라낸 가로 세로 100 ㎜의 샘플 5장에 대해서, JIS K 7222에 기재된 「발포 플라스틱 및 고무-외관밀도의 측정」에 의해 측정하였다. 측정은 실온에서 행하고, 평균값을 외관밀도로 하였다. 또한, 표기를 간편하게 하기 위해 단위는 g/㎤로 환산하였다.
(14) IC 카드 또는 IC 태그의 내열성
제작한 IC 카드 또는 IC 태그를 청정하고 평평한 스테인리스강판(SUS304, 두 께 0.8 ㎜) 위에 정치하고, 오븐을 사용하여 공기분위기하, 120℃에서 24시간 가열 유지하였다. 가열 전후의 시료 외관(광택 손실이나 변색, 탁함, 균열, 변형, 융해, 융착)을 육안으로 평가하고, 가열 전후에서 차이가 인정되지 않는 것을 ○, 차이가 인정되는 것을 정도에 따라 △ 또는 ×로 하였다.
(15) 폴리에스테르 수지의 고유점도
JIS K 7367-5에 기재된 「플라스틱-모세관형 점도계를 사용한 폴리머 희석용액의 점도 구하는 방법-」에 의해, 페놀/1,1,2,2-테트라클로로에탄(60/40; 질량부)의 혼합용매를 사용하여, 30℃에서 측정하였다.
(16) 입자의 평균입자경
입자를 주사형 전자현미경(히타치 제작소제, S2500)으로 관찰하고, 입자의 크기에 따라 적절히 배율을 변경하여, 사진촬영한 것을 확대 복사하였다. 이어서, 랜덤하게 선택한 적어도 200개 이상의 입자에 대해서, 각 입자의 외주(外周)를 트레이스하였다. 화상해석장치로 이들 트레이스상으로부터 입자의 원 상당경을 측정하고, 이들의 평균값을 평균입자경으로 하였다.
실시예 1
[폴리에틸렌테레프탈레이트 수지의 제조]
에스테르화 반응캔을 승온하여 200℃에 도달한 시점에서, 테레프탈산 86.4 질량부 및 에틸렌글리콜을 64.4 질량부 포함하는 슬러리를 넣고, 교반하면서, 촉매로서 삼산화안티몬을 0.017 질량부 및 트리에틸아민을 0.16 질량부 첨가하였다. 이어서 가열 승온을 행하고, 게이지압 0.34 MPa, 240℃의 조건에서 가압 에스테르화 반응을 행하였다.
그 다음, 에스테르화 반응캔 내를 상압으로 되돌리고, 초산마그네슘 4수화물을 0.071 질량부, 이어서 인산트리메틸을 0.014 질량부 첨가하였다. 추가로, 15분에 걸쳐 260℃로 승온한 후, 인산트리메틸을 0.012 질량부, 이어서 초산나트륨을 0.0036 질량부 첨가하였다. 얻어진 에스테르화 반응 생성물을 중축합 반응캔에 이송하고, 감압하에서 260℃에서 280℃로 서서히 승온한 후, 285℃에서 중축합 반응을 행하였다. 중축합 반응 종료 후, 공경(孔徑) 5 ㎛(초기여과효율 95%)의 스테인리스스틸 소결체제 필터로 여과처리를 행하였다.
이어서, 공기 중에 존재하는 직경이 1 ㎛ 이상인 이물질을 헤파필터(Hepa Filter)로 감소시킨 밀폐실 내에서, 상기 중축합 반응 생성물인 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 펠릿화하였다. 펠릿화는 미리 여과처리(공경: 1 ㎛ 이하)를 행한 냉각수를 흘리면서, 냉각수조 중에 용융 PET를 압출기의 노즐로부터 압출하고, 형성된 스트랜드상 PET 수지를 컷팅하는 방법으로 행하였다. 얻어진 PET의 펠릿은 고유점도가 0.62 dl/g, Sb 함유량이 144 ppm, Mg 함유량이 58 ppm, P 함유량이 40 ppm, 컬러 L값이 56.2, 컬러 b값이 1.6이며, 불활성 입자 및 내부 석출 입자는 실질적으로 함유하고 있지 않았다.
[비결정성 폴리에스테르 수지의 제조]
상기 PET 수지에 대해서, 에틸렌글리콜의 15 몰%를 네오펜틸글리콜로, 테레프탈산의 15 몰%를 이소프탈산으로 변경하여 제조를 행하고, 비결정성 폴리에스테르 수지 A1을 얻었다. 이 수지의 DSC 장치에 의한 분석에서는 융점은 관측되지 않 고, 유리전이온도는 78℃였다.
상기 PET 수지에 대해서, 에틸렌글리콜의 30 몰%를 시클로헥산디메탄올로 변경하고 제조를 행하여, 비결정성 폴리에스테르 수지 A2를 얻었다. 이 수지의 DSC 장치에 의한 분석에서는 융점은 관측되지 않고, 유리전이온도는 81℃였다.
[공동형성제 함유 마스터 펠릿의 조제]
멜트플로우레이트 1.5의 폴리스티렌 수지(닛폰 폴리스티렌사제, 닛폰 폴리스티 G797N) 20 질량%, 멜트플로우레이트 3.0의 기상법 중합 폴리프로필렌 수지(이데미쯔 석유화학사제, IDEMITSU PP F300SP) 20 질량% 및 멜트플로우레이트 180의 폴리메틸펜텐 수지(미쯔이 화학사제: TPX, DX-820) 60 질량%를 펠릿 혼합하고, 이축 압출기에 공급하여 충분히 혼련하고, 스트랜드를 냉각, 절단하여 공동형성제 함유 마스터 펠릿을 조제하였다.
[산화 티탄 함유 마스터 펠릿의 조제]
상기에서 얻은 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 50 질량%에, 평균입경 0.3 ㎛(전자현미경법)의 아나타스형 이산화티탄(후지 티탄사제, TA-300) 50 질량%를 혼합한 것을 벤트식 이축 압출기에 공급하여 예비 혼련한 후, 용융 폴리머를 연속적으로 벤트식 단축(單軸) 혼련기에 공급하고 혼련하여 산화 티탄 함유 마스터 펠릿을 조제하였다.
[유기 입자 함유 마스터 펠릿의 조제]
상기에서 얻은 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 70 질량%에, 평균입경 3.5 ㎛(카탈로그값)의 멜라민 입자(닛산 화학공업사제, 오프토비즈 3500M)[30 질량%]를 혼합한 것을 벤트식 이축 압출기에 공급하여 예비 혼련한 후, 용융 폴리머를 연속적으로 벤트식 단축 혼련기에 공급하고 혼련하여 유기 입자 함유 마스터 펠릿을 조제하였다.
[열접착성 이축연신 폴리에스테르 필름의 제조]
상기 PET 수지를 원료 M으로 하고, 상기 비결정성 폴리에스테르 수지 A1을 90 질량%와 어택틱 폴리스티렌 수지(닛폰 폴리스티렌사제, G797N; 유리전이온도 78℃)를 10 질량% 포함하는 혼합물을 원료 C로 하였다. 원료 M 및 원료 C를 수분율 80 ppm까지 진공건조하여, 각각 별개의 압출기에 공급하였다. 압출시에는 혼합성과 적층 안정성을 조정하기 위해, 원료 M은 압출기 내부에서 280℃까지 가열하여 용융 혼합한 후, 수지온도 270℃에서 피드블록으로 유도하였다. 한편, 원료 C는 압출기 내부에서 250℃까지 가열하여 용융 혼합한 후, 수지온도 280℃에서 피드블록으로 유도하였다. 이것을 원료 M으로 되는 중간층(기재)의 양쪽 면에 원료 C로 되는 열접착층이 적층되도록 피드블록으로 접합하였다. 이것을 T형 다이스로부터 20℃로 조절된 냉각드럼 상으로 압출하여 두께 2.4 ㎜의 3층 구성의 미연신 필름을 제조하였다. 또한, 미연신 필름을 제조할 때, 냉각드럼의 반대면에는 20℃, 상대습도 30%로 조절한 냉풍을 스프레이하여 냉각하였다.
얻어진 미연신 필름을 테프론(등록상표)제 가열 롤을 사용하여 65℃로 균일하게 가열하고, 추가로 필름의 양쪽 면에 대향하여 설치한 표면온도가 700℃인 금 반사막을 구비한 적외선 히터를 4개 사용하여 필름온도가 95℃가 되도록 가열하면서, 세라믹 롤 사이에서 속도차를 이용하여 세로방향으로 3.4배 연신하였다. 세로 연신공정의 롤 직경은 150 ㎜이고, 석션 롤, 정전 밀착, 파트닙의 밀착장치를 채용하여 필름을 롤로 밀착시켰다. 이와 같이 하여 얻은 세로 일축연신 필름의 양쪽 끝을 클립으로 파지하고, 필름 표면온도가 대략 100℃가 되도록 건조열풍으로 예열한 후, 대략 140℃까지 가열하면서 가로방향으로 3.8배 연신하였다. 그 다음, 필름 폭을 고정한 상태에서 면 적외선 히터와 건조열풍에 의해 대략 230℃까지 가열하여 열고정을 행하고, 대략 200℃까지 냉각하면서 폭방향으로 5%의 이완 열처리를 행하였다. 그 다음, 150℃와 100℃ 및 실온 상당으로 조절된 건조온풍으로 단계적으로 서서히 냉각을 행하고, 필름의 표면온도(열접착층의 유리전이온도 보다도 충분히 낮은) 50℃ 이하에서 필름 단부(端部)를 절제하여 필름 롤로 하였다. 이것에 의해 두께 190 ㎛의 열접착성 폴리에스테르 필름을 얻었다. 또한, 필름 단면을 주사형 전자현미경으로 관찰한 결과, 각 층의 두께(열접착층 Aa/중간층(기재)/열접착층 Ab)는 대략 20/150/20(단위: ㎛)이었다.
상기의 방법으로 얻은 열접착성 폴리에스테르 필름을 사용하여 IC 카드를 제작하고, 카드 특성(열접착성, 요철 흡수성, 내열성)을 평가하였다. 즉, 상기에서 얻은 필름을 100 ㎜×70 ㎜의 크기로 2장 잘라내고, 그 사이에 IC 태그용 인렛(오므론사제, V720S-D13P01)을 배치하였다. 이 2장의 양쪽 바깥면에 투명 이축연신 폴리에스테르 필름(도요 보세키제, 코스모샤인 A4300; 188 ㎛)을 겹치고, 열 프레스(140℃, 0.3 MPa, 10분간)에 의해 접착하였다. 이 적층체로부터 인렛 부분을 포함하도록 86 ㎜×54 ㎜로 잘라내고, 네귀퉁의 모서리를 잘라내서 IC 카드를 얻었다. 필름의 구성을 표 1에, 필름과 카드의 특성을 표 2에, 카드의 구성을 도 1에 나타낸다.
이 실시예 1에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은 IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 평면성에 대해서도 IC 카드용으로서 적합하였다.
비교예 1
상기 실시예 1에서 첨가한 폴리스티렌 수지 대신에, 평균입경 1.5 ㎛의 무정형 실리카 입자를 5000 ppm 포함하는 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 사용하였다. 이것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름과 IC 카드를 얻었다. 이 비교예 1에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은 IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성과 요철 흡수성을 갖지만, 활성이 매우 나빠 블로킹하였기 때문에 마찰계수를 측정할 수 없었다. 이 때문에, IC 카드를 제작하는 과정에 있어서도, 핸들링성이나 열팽창에 의한 어긋남을 완화시킬 수 없어, 주름이나 접힌 자국이 발생하였다.
비교예 2
상기 실시예 1에서 첨가한 폴리스티렌 수지 대신에, 평균입경 3 ㎛의 황산바륨 입자를 50 질량% 포함하는 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 사용하였다. 이것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름과 IC 카드를 얻었다. 이 비교예 2에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성과 요철 흡수성을 갖지만, 활성이 매우 나빠 블로킹하였기 때문에 마찰계수를 측정할 수 없었다. 이 때문에, 카드를 시험 제작하는 과 정에 있어서도, 핸들링성이나 열팽창에 의한 어긋남을 완화시킬 수 없어, 주름이나 접힌 자국이 발생하였다.
실시예 2
상기 공동형성제 함유 마스터 펠릿 6 질량%와 상기 산화 티탄 함유 마스터 펠릿 14 질량%, 및 상기 PET 수지 80 질량%로 되는 혼합물을 원료 M으로 하였다. 또한, 비결정성 폴리에스테르 수지 A1을 94 질량%와 상기 폴리스티렌 수지 5 질량%, 폴리에틸렌 수지(미쯔이 화학사제, 하이왁스 NL500)를 1 질량% 포함하는 혼합물을 원료 C로 하였다. 또한, 열접착층 및 중간층(기재)의 적층 두께를 이축연신 후에 30/240/30(단위: ㎛)이 되도록 각 압출기로부터 토출(吐出)되는 수지량을 조절하였다. 이것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름을 얻었다. 또한 이축연신 폴리에스테르 필름(A4300) 대신에, 공동 함유 백색 폴리에스테르 필름(도요 보세키제, 클리스퍼 K1212, 두께 188 ㎛, 외관밀도 1.1 g/㎤)을 사용하여, IC 카드를 얻었다. 이 실시예 2에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은 IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 평면성, 은폐성, 경량성에 대해서도 IC 카드용 재료로서 적합하였다. 또한, 얻어진 IC 카드는 경량성, 은폐성이 우수한 것이었다.
실시예 3
상기 공동형성제 함유 마스터 펠릿 8 질량%와 상기 산화 티탄 함유 마스터 펠릿 6 질량%, 및 상기 PET 수지 86 질량%로 되는 혼합물을 원료 M으로 하였다. 또한, 원료 C에 있어서의 폴리스티렌 수지의 첨가량을 20 질량%로 하였다. 이것 이외 에는 실시예 1과 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름을 얻었다. 또한, 샌드 매트가공을 행한 이축연신 폴리에스테르 필름 대신에, 공동 함유 백색 폴리에스테르 필름(도요 보세키제, 클리스퍼 K2323, 두께 188 ㎛, 외관밀도 1.1 g/㎤)을 사용하여 IC 카드를 얻었다. 이 실시예 3에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 평면성, 은폐성, 경량성에 대해서도 IC 카드용 재료로서 적합하였다. 또한, 얻어진 IC 카드는 경량성, 은폐성이 우수한 것이었다.
실시예 4
산화 티탄 함유 마스터 펠릿 30 질량%와 PET 수지 70 질량%로 되는 혼합물을 원료 M으로 하였다. 비결정성 폴리에스테르 수지 A1을 95 질량%와 폴리카보네이트 수지(이데미쯔 석유화학사제, 유리전이온도 148℃) 5 질량%로 되는 혼합물을 원료 C로서 사용하였다. 열접착층 및 중간층(기재)의 적층 두께를, 이축연신 후에 14/47/14(단위: ㎛)가 되도록 각 압출기로부터 토출되는 수지량을 조절하였다. 또한, 공동 함유 백색 폴리에스테르 필름(도요 보세키제, 클리스퍼 K2323, 두께 250 ㎛, 외관밀도 1.1 g/㎤)을 사용하여 IC 카드를 얻었다. 이것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 두께 75 ㎛의 열접착성 폴리에스테르 필름과 IC 카드를 얻었다. 이 실시예에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 은폐성에 대해서도 IC 카드용으로서 적합하였다.
실시예 5
공동형성제 함유 마스터 펠릿 30 질량%와 PET 수지 70 질량%로 되는 혼합물을 원료 M으로 하였다. 또한 비결정성 폴리에스테르 수지 A2를 70 질량%와 공중합 환상 올레핀 수지(미쯔이 화학사제, APL8008T, 유리전이온도 70℃) 30 질량%로 되는 혼합물을 원료 C로서 사용하였다. 추가로, 압출기 3대를 사용하여 양쪽 면의 열접착층의 두께를 다르게 한 3층 구성의 미연신 필름을 제조하였다. 이 때, 각 층의 두께(열접착층 Aa/중간층(기재)/열접착층 Ab)가, 이축연신 후에 26/150/14(단위: ㎛)가 되도록, 각 압출기로부터 토출되는 수지량을 조절하였다. 또한, 열접착층 A가 냉각드럼에 접하는 표면이다. 얻어진 미연신 필름은 실시예 1과 동일하게 연신하였지만, 적외 히터의 온도를 필름 표리에서 차가 나도록 미세조정하여, 이축연신 후의 세로방향의 컬이 최소가 되도록 하였다. 이것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 두께 190 ㎛의 열접착성 폴리에스테르 필름을 얻었다. 또한, 이축연신 폴리에스테르 필름(도요 보세키제, 코스모샤인 A4300) 대신에, 공동 함유 백색 폴리에스테르 필름(도오레사제, E60L, 두께 188 ㎛, 외관밀도 0.9 g/㎤)을 사용하여, 실시예 1과 동일하게 IC 카드를 얻었다. 이 실시예 5에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 은폐성에 대해서도 IC 카드용 재료로서 적합하였다. 평면성에 대해서는 약간의 세로방향 컬이 발생하였지만, 필름의 핸들링성이 실용상의 장애가 없는 정도였다.
비교예 3
열접착층 및 중간층(기재)의 적층 두께를, 이축연신 후에 47/50/3(단위: ㎛) 이 되도록 각 압출기로부터 토출되는 수지량을 조절하였다. 또한 세로연신공정에 있어서의 적외 히터의 가열에 있어서, 필름 표리에 온도차를 두어 필름의 컬을 저감하는 수단을 채용하지 않았다. 이것 이외에는 실시예 5와 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름을 얻었다. 이 필름의 열접착층 B의 면에, 안테나 회로가 대향하도록 인렛을 배치하고, 실시예 5와 동일하게 IC 카드를 제작하였다. 이 비교예 3에서 얻어진 적층 이축연신 폴리에스테르 필름에서는, 열접착성, 요철 흡수성 모두 불충분하였다. 또한, 필름을 취급하는 것이 곤란한 레벨의 컬이 발생하였다. 또한, 평면에서 정치할 수 없었기 때문에, 컬값을 측정할 수 없었다. 이 때문에, IC 카드를 제작하는 과정에 있어서도 핸들링성이 곤란하여, 인렛을 열접착성 필름의 열접착층에 첩합할 때 위치 결정을 정확하게 할 수 없었다.
실시예 6
시판의 비결정성 폴리에스테르 수지 A3(도요 보세키제, 바이론 240; 유리전이온도 60℃) 95 질량%와 저밀도 폴리에틸렌 수지(이데미쯔 석유화학사제, 유리전이온도 -36℃) 5 질량%로 되는 혼합물을 원료 C로서 사용하였다. 또한, 각 층의 두께(열접착층 Aa/중간층(기재)/열접착층 Ab)는 이축연신 후에 25/250/25(단위: ㎛)가 되도록, 각 압출기로부터 토출되는 수지량을 조절하였다. 이것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 두께 300 ㎛의 열접착성 폴리에스테르 필름을 얻었다.
또한, 투명 이축연신 폴리에스테르 필름(도요 보세키제, 코스모샤인 A4300) 대신에, 샌드 매트가공을 행한 폴리에스테르 필름(표면조도 0.1 ㎛, 두께 188 ㎛, 외관밀도 1.4 g/㎤)을 사용하여 IC 태그를 제작하였다. 이 실시예 6에서 얻어진 열 접착성 폴리에스테르 필름은, IC 태그에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 평면성에 대해서도 IC 태그용으로서 적합하였다.
비교예 4
원료 C의 비결정성 폴리에스테르 수지를 결정성 폴리에스테르 수지인 PET 수지로 변경한 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여 적층 이축연신 폴리에스테르 필름을 얻었다. 그러나, 상기 필름은 열접착성을 갖지 않아, IC 태그를 제작할 수 없었다.
비교예 5
원료 M으로서 실시예 5의 원료 C를 사용하였다. 또한 혼합성과 적층 안정성을 조정하기 위해, 원료 M은 압출기 내부에서 250℃까지 가열하여 용융 혼합한 후, 수지온도 280℃에서 피드블록으로 유도하였다. 또한 미연신 필름의 두께를 0.25 ㎜로 조절하였다. 그 밖에는 실시예 5와 동일하게 하여 미연신 시트를 얻었다. 이 미연신 시트를 열접착성 폴리에스테르 필름 대신에 사용하고, 실시예 6과 동일하게 IC 태그를 제작하였다. 이 비교예 5에서 얻어진 미연신 시트는, 양호한 열접착성, 요철 흡수성을 나타냈지만, 활성이 나쁘고, 핸들링성이 곤란하였다. 또한, 내열성에 있어서도 IC 태그로서의 신뢰성을 얻기에는 불충분하였다.
Figure 112007084076477-PCT00003
Figure 112007084076477-PCT00004
실시예 7
상기 공동형성제 함유 마스터 펠릿[8 질량%]와 상기 산화 티탄 함유 마스터 펠릿[6 질량%], 및 상기 PET 수지[86 질량%]로 되는 혼합물을 원료 M으로 하였다. 비결정성 폴리에스테르 수지 A1[90 질량%]와, 상기 수지 A1에 비상용인 열가소성 수지 B로서 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌 수지(우베 흥산사제, 유메리트 2040F; 융점 116℃, 밀도 0.918 g/㎤)[10 질량%]로 되는 혼합물을 원료 C로 하였다. 또한, 열접착층 및 중간층(기재)의 적층 두께를, 이축연신 후에 20/150/20(단위: ㎛)이 되도록 각 압출기로부터 토출되는 수지량을 조절하였다. 그것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름을 얻었다. 이 열접착성 폴리에스테르 필름을 사용하여 IC 카드를 제작하고, 적성(열접착성, 요철 흡수성, 내열성)을 평가하였다. 즉, 상기에서 얻은 필름을 100 ㎜×70 ㎜의 크기로 2장 잘라내고, 그 사이에 IC 태그용 인렛(오므론사제, V720S-D13P01)을 배치하였다. 이 2장의 양쪽 바깥면에 공동 함유 백색 폴리에스테르 필름(도요 보세키제, 클리스퍼 K2323; 100 ㎛)을 겹치고, 열 프레스(140℃, 0.3 MPa, 10분간)에 의해 접착하였다. 이 적층체로부터 인렛부분을 포함하도록 86 ㎜×54 ㎜로 잘라내고, 네귀퉁의 모서리를 잘라내서 IC 카드를 얻었다. 필름의 구성을 표 3에, 필름과 카드의 특성을 표 4에 나타낸다. 이 실시예 7에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 평면성, 은폐성, 경량성에 대해서도 IC 카드로서 적합하였다.
비교예 6
실시예 7에 있어서, 직쇄상 폴리에틸렌 수지 대신에 평균입경 1.5 ㎛(SEM법)의 무정형 실리카 입자 5000 ppm을 포함하는 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 사용하는 것 이외에는 실시예 7과 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름 및 IC 카드를 얻었다. 이 비교예 6에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은 IC 카드로서 사용할 때 적합한 열접착성과 요철 흡수성을 갖지만, 활성이 매우 나빠 블로킹하였기 때문에 마찰계수를 측정할 수 없었다. 이 때문에, IC 카드를 제작하는 과정에 있어서도, 핸들링성이나 열팽창에 의한 어긋남을 완화시킬 수 없어, 주름이나 접힌 자국이 발생하였다.
비교예 7
실시예 7에 있어서, 직쇄상 폴리에틸렌 수지 대신에 평균입경 3 ㎛(SEM법) 황산바륨 입자[50 질량%]를 포함하는 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 사용하는 것 이외에는 실시예 7과 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름 및 IC 카드를 얻었다. 이 비교예 7에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은, IC 카드로서 사용하는 재료로서 적합한 열접착성과 요철 흡수성을 갖지만, 활성이 매우 나빠 블로킹하였기 때문에 마찰계수를 측정할 수 없었다. 이 때문에, IC 카드를 제작하는 과정에 있어서도, 핸들링성이나 열팽창에 의한 어긋남을 완화시킬 수 없어, 주름이나 접힌 자국이 발생하였다.
비교예 8
실시예 7에 있어서, PET 수지[100 질량%]를 원료 M으로서 사용하고, 비결정성 폴리에스테르 수지 A[60 질량%]와 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌 수지[40 질량%]로 되는 혼합물을 원료 C로서 사용하는 것 이외에는 실시예 7과 동일하게 하여, 적층 이축연신 폴리에스테르 필름과 IC 카드를 얻었다. 이 비교예 8에서 얻어진 적층 이축연신 폴리에스테르 필름은, IC 카드로서 사용하기 위해 필요한 열접착성이 불충분하여, 해당 용도로는 부적절한 것이었다.
실시예 8
실시예 7에 있어서, 공동형성제 함유 마스터 펠릿[6 질량%]와 산화 티탄 함유 마스터 펠릿[20 질량%], 및 상기 PET 수지[74 질량%]로 되는 혼합물을 원료 M으로 하였다. 또한, 비결정성 폴리에스테르 수지 A2[69 질량%]와 유기 입자 함유 마스터 펠릿[30 질량%], 폴리에틸렌 수지(미쯔이 화학사제, 하이왁스 400P)[1 질량%]로 되는 혼합물을 원료 C로서 사용하였다. 이것 이외에는 실시예 7과 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름과 IC 카드를 얻었다. 이 실시예 8에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 평면성, 은폐성, 경량성에 대해서도 IC 카드용으로서 적합하였다.
실시예 9
실시예 7에 있어서, 공동형성제 함유 마스터 펠릿[15 질량%]와 PET 수지[85 질량%]로 되는 혼합물을 원료 M으로 하였다. 또한, 비결정성 폴리에스테르 수지 A2[85 질량%]와 고밀도 폴리에틸렌 수지(이데미쯔 석유화학사제, IDEMITSU HD 640UF; 융점 131℃, 밀도 0.95 g/㎤)[15 질량%]로 되는 혼합물을 원료 C로서 사용하였다. 추가로, 압출기 3대를 사용하여 양쪽 면의 열접착층의 두께를 다르게 한 전체 두께 2.1 ㎜의 3층 구성의 미연신 필름을 제조하였다. 이 때, 각 층의 두께(열접착층 a/중간층(기재)/열접착층 b)는 이축연신 후에 13/230/7(단위: ㎛)이 되도록, 각 압출기로부터 토출되는 수지량을 조절하였다. 또한, 열접착층 A가 냉각드럼에 접하는 표면이다. 얻어진 미연신 필름은 실시예 7과 동일하게 연신하였지만, 적외선 히터의 온도를 필름 표리에서 차가 나도록 미세조정하여, 이축연신 후의 세로방향의 컬이 최소가 되도록 하였다. 이것 이외에는 실시예 7과 동일하게 하여, 두께 250 ㎛의 열접착성 폴리에스테르 필름과 IC 카드를 얻었다. 이 실시예 9에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트에 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 은폐성, 경량성에 대해서도 IC 카드로서 적합하였다. 또한, 필름의 평면성에 대해서는 세로방향으로 약간의 컬이 발생하였지만, 필름을 취급하는데 있어서 실용상의 장애가 없는 정도였다.
비교예 9
실시예 9에 있어서, 열접착층 a/중간층(기재)/열접착층 b의 적층 두께를, 이축연신 후에 37/5/3(단위: ㎛)이 되도록 각 압출기로부터 토출되는 수지량을 조절하였다. 또한, 세로연신공정에 있어서의 적외선 히터의 가열에 있어서, 필름 표리에 온도차를 두어, 필름의 컬을 저감하는 수단을 채용하지 않았다. 이것 이외에는 실시예 9와 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름을 얻었다. 이 필름의 열접착층 b의 면에, 안테나 회로가 대향하도록 인렛을 배치하고, 실시예 7과 동일하게 IC 카드를 제작하였다. 이 비교예 9에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름에서는, 열접착성, 요철 흡수성 모두 불충분하였다. 또한, 필름을 취급하는 것이 곤란한 레벨의 컬이 발생하였다. 또한, 평면에서 정치할 수 없었기 때문에, 컬값을 측정할 수 없었다. 이 때문에, IC 카드를 제작하는 과정에 있어서도 핸들링성이 곤란하여, 인렛을 열접착성 필름의 열접착층에 첩합할 때 위치 결정을 정확하게 할 수 없었다.
실시예 10
실시예 9에 있어서, 산화 티탄 함유 마스터 펠릿[30 질량%]와 PET 수지[70 질량%]로 되는 혼합물을 원료 M으로 하였다. 또한, 시판의 비결정성 폴리에스테르 수지 A3(도요 보세키제, 바이론 240; 유리전이온도 60℃)「95 질량%」와 기상법 폴리프로필렌 수지(이데미쯔 석유화학사제, IDEMITSU PP F300SP; 융점 160℃, 밀도 0.90 g/㎤)[5 질량%]로 되는 혼합물을 원료 C로서 사용하고, 전체 두께가 1.3 ㎜인 3층 구성으로 되는 미연신 필름을 제조하였다. 이 때, 각 층의 두께(열접착층 a/백색 폴리에스테르층(기재)/열접착층 b)는, 이축연신 후에 14/72/14(단위: ㎛)가 되도록, 각 압출기로부터 토출되는 수지량을 조절하였다. 이것 이외에는 실시예 7과 동일하게 하여, 두께 100 ㎛의 열접착성 폴리에스테르 필름과 IC 카드를 얻었다. 이 실시예 10에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 은폐성, 평면성에 대해서도 IC 카드용으로서 적합하였다.
실시예 11
실시예 10에 있어서, 비결정성 폴리에스테르 수지 A3[90 질량%]와 폴리부타디엔 수지(닛폰 제온사제, Nipol BR1220; 융점 95℃, 밀도 0.90 g/㎤)[10 질량%]로 되는 혼합물을 원료 C로서 사용하였다. 이것 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여, 열접착성 폴리에스테르 필름과 IC 카드를 얻었다. 이 실시예 11에서 얻어진 열접착성 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트로서 적합한 열접착성이나 요철 흡수성과 활성을 양립한 필름이다. 또한, 내열성, 평면성, 은폐성, 경량성에 대해서도 IC 카드용으로서 적합하였다.
비교예 10
실시예 10에 있어서, 비결정성 폴리에스테르 수지 A3[90 질량%]와 폴리메틸펜텐 수지(미쯔이 화학사제, TPX DX820; 융점 234℃, 밀도 0.82 g/㎤)[10 질량%]로 되는 혼합물을 원료 C로서 사용하였다. 이것 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여, 적층 이축연신 백색 폴리에스테르 필름과 IC 카드를 얻었다. 이 비교예 10에서 얻어진 적층 이축연신 백색 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트로서 필요한 열접착성이 불충분하여, 해당 용도로는 부적절한 것이었다.
비교예 11
실시예 10에 있어서, 원료 C의 비결정성 폴리에스테르 수지 A를 결정성 폴리에스테르 수지인 PET 수지로 변경한 것 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여 적층 이축연신 백색 폴리에스테르 필름과 IC 카드를 얻었다. 이 비교예 11에서 얻어진 적층 이축연신 백색 폴리에스테르 필름은, IC 카드에 사용하는 코어시트에 필요한 열접착성이나 요철 흡수성이 불충분하여, 해당 용도로는 부적절한 것이었다.
Figure 112007084076477-PCT00005
Figure 112007084076477-PCT00006
본 발명의 열접착성 폴리에스테르 필름은 내열성이나 내약품성, 환경 적성이 우수한 이축연신 폴리에스테르 필름에 있어서, 지금까지 곤란했던 열접착성과 요철 흡수성, 활성을 양립시켰다. 이것에 의해, 종래 IC 카드 또는 IC 태그에 사용되어 온 무배향의 PVC 시트나 PETG 시트, 이축연신 폴리에스테르 필름, 또는 그들의 첩합으로는 도달할 수 없었던 상기 특성을 달성할 수 있다. 본 발명은 IC 카드 또는 IC 태그의 성능 향상 뿐 아니라, 첩합공정의 생략에 의한 경제적 효과에도 크게 기여하는 것이다.

Claims (12)

  1. 이축연신 폴리에스테르 필름의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 열접착층을 적층해서 되는 열접착성 폴리에스테르 필름으로서, 열접착층은 두께가 5~30 ㎛이고, 유리전이온도가 50~95℃인 비결정성 폴리에스테르 수지 A와 이것에 비상용인 열가소성 수지 B의 혼합물로 되며, 열가소성 수지 B는 (a) 융점이 50~180℃인 결정성 수지, (b) 유리전이온도가 -50~150℃인 비결정성 수지, (c) 또는 그들의 혼합물 중 어느 하나이고, 열접착층 중에 1~30 질량% 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 열접착성 폴리에스테르 필름.
  2. 제1항에 있어서, 이축연신 폴리에스테르 필름이 그 내부에 백색안료와 미세 공동의 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 백색 폴리에스테르 필름인 것을 특징으로 하는 열접착성 폴리에스테르 필름.
  3. 제1항에 있어서, 열접착성 폴리에스테르 필름은 이축연신 폴리에스테르 필름의 양쪽 면에 열접착층을 적층하여, 한쪽의 열접착층을 열접착층 a로 하고, 다른 쪽의 열접착층 b(두께가 열접착층 a와 동일하거나, 열접착층 a 보다도 얇다)로 했을 때, 상기 열접착층의 두께의 비(열접착층 a의 두께/열접착층 b의 두께)가 1.0~2.0이며, 또한 필름의 가열처리 후(110℃, 무하중하에서 30분간)의 컬값이 5 ㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 열접착성 폴리에스테르 필름.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 열접착성 폴리에스테르 필름은 필름 내부에 미세 공동을 다수 함유하고, (a) 필름의 외관밀도가 0.7~1.3 g/㎤, (b) 두께가 50~350 ㎛, (c) 광학농도가 0.5~3.0 또는 광선투과율이 25~98%인 것을 특징으로 하는 열접착성 폴리에스테르 필름.
  5. 제1항에 있어서, 열접착층의 표면이 하기 식(1)~(3)을 만족하는 것을 특징으로 하는 열접착성 폴리에스테르 필름.
    Figure 112007084076477-PCT00007
    상기 식(1)~(3)에 있어서, Sa1은 열접착층 표면의 산술 평균 표면조도를, St1은 최대 높이를 의미한다. 또한, St2는 산술 평균 표면조도가 0.001 ㎛ 이하인 청정한 2장의 유리판으로 필름을 사이에 끼우고, 온도 100℃, 압력 1 MPa의 조건하에서 1분간, 열 프레스 처리한 후의 열접착층의 표면의 산술 평균 표면조도를 의미한다. 또한, Sa1, St1, St2의 단위는 모두 ㎛이다.
  6. 제1항에 있어서, 열접착성 폴리에스테르 필름의 표면과 이면 간의 정마찰계수가 0.1~0.8이고, 열 프레스에 의한 부형성이 (4) 및 (5)를 만족하는 것을 특징으로 하는 열접착성 폴리에스테르 필름.
    Figure 112007084076477-PCT00008
    여기에서 부형율이란, 안테나 회로 또는 구리박편을 열접착층의 표면에 올리고, 열 프레스한 후, 상온 상압에서 안테나 회로 또는 구리박편을 제거했을 때, 안테나 회로 또는 구리박편에 의해 생긴 열접착층의 패임의 깊이이고, 부형부의 외연의 구배란, 이 패임의 외연에 있어서의 벽면의 구배이다.
  7. 플라스틱 필름에 안테나 회로 및 IC 칩을 설치한 인렛의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 제1항의 열접착성 필름을 배치하고, 열접착성 필름의 열접착층을 매개로 하여 인렛을 열 프레스하여 접착시킨 코어시트를 구성요소로서 사용하는 것을 특징으로 하는 IC 카드 또는 IC 태그의 제조방법.
  8. 플라스틱 필름에 안테나 회로 및 IC 칩을 설치한 인렛의 한쪽 면 또는 양쪽 면에, 제1항의 열접착성 필름을 적층하고, 열접착성 필름의 열접착층을 매개로 하여 인렛과 접착시킨 코어시트를 구성요소로서 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 카드 또는 IC 태그.
  9. 제8항에 있어서, 코어시트의 양쪽 면에 폴리에스테르 시트 또는 이축연신 폴리에스테르 필름을 적층해서 되는 것을 특징으로 하는 IC 카드 또는 IC 태그.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 외관밀도가 0.7 g/㎤ 이상, 1.3 g/㎤ 미만인 것을 특징으로 하는 IC 카드 또는 IC 태그.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서, 광선투과율이 10% 이상, 98% 이하인 것을 특징으로 하는 IC 카드 또는 IC 태그.
  12. 제8항 또는 제9항에 있어서, 광선투과율이 0.01% 이상, 5% 이하인 것을 특징으로 하는 IC 카드 또는 IC 태그.
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