KR20070118945A - 다결정 실리콘 잉곳 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 냉각 플레이트를 이용하여 도가니에 용융된 실리콘을 응고함으로써, 균일한 결정립이 형성된 태양전지용 다결정 실리콘 잉곳을 제조하기 위한 장치를 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 다결정 실리콘 잉곳 제조장치는 실리콘을 용융하기 위한 도가니; 상기 도가니의 높낮이를 조절하기 위한 이송축; 상기 도가니를 가열하기 위한 히터; 및 상기 도가니 하부에 위치하여 상기 도가니를 냉각하기 위한 냉각 플레이트를 포함한다.
다결정, 실리콘, 잉곳, 히터, 냉각, 플레이트

Description

다결정 실리콘 잉곳 제조장치{MANUFACTURING EQUIPMENT FOR POLY SILICON INGOT}
도 1은 종래의 폴리 실리콘 잉곳 제조장치의 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 다결정 실리콘 잉곳 제조장치의 단면도,
도 3 내지 도 7은 본 발명에 따른 잉곳 제조장치의 공정 순서도.
*도면의 주요 부분에 대한 설명*
210: 챔버 211: 제 1 단열판
212: 제 2 단열판 213: 제 3 단열판
221: 제 1 히터 222: 제 2 히터
230: 도가니 240: 받침대
251: 제 1 이송축 252: 제 2 이송축
260: 냉각 플레이트 270: 용융된 실리콘
280: 이송지그
본 발명은 실리콘 잉곳 제조장치에 관한 것으로 보다 자세하게는 태양전지용으로 사용되는 다결정 실리콘 잉곳을 제조하기 위한 장치에 관한 것이다.
최근 매년 수십% 정도에 이르는 태양전지의 수요 증가에 따라 태양전지용 다결정 실리콘 잉곳의 수요 역시 매년 큰 폭으로 증가하고 있다. 일반적으로 태양전지용 다결정 실리콘 잉곳은 석영 또는 흑연 도가니에 원료 실리콘을 충진한 후 용융 및 방향성 응고과정을 통하여 제조된다.
도 1은 종래의 실리콘 잉곳 제조장치의 단면도이다.
내부에 핫존(Hot zone)이 조성되는 챔버로 구성되는 본체(140)와 원료 실리콘이 담겨지는 석영 또는 흑연 도가니(170)와 석영 또는 흑연 도가니(170)를 지지하기 위한 지지수단(미도시)과 원료 실리콘의 용융을 위한 복사 열에너지를 제공하기 위하여 도가니(170)의 주변에 배치되는 조립형 사각히터(110)와 도가니(170) 주위로 방출되는 열을 차단하기 위하여 도가니(170) 및 조립형 사각히터(110)의 주변에 배치되는 단열부재(190)와 장치의 온도제어를 위하여 냉각수 입구라인(150) 및 냉각수 출구라인(180)을 갖는 냉각자켓(160) 등으로 이루어진다. 따라서, 석영 또는 흑연 도가니 내부에 도가니 보호층을 코팅하고 원료 실리콘을 충진한 후, 도가니와 완성된 조립형 사각히터를 캐스팅 장치에 조립한다.
이렇게 도가니와 조립형 사각히터를 캐스팅 장치 내부에 설치한 다음, 진공을 걸어서 장치 내의 공기를 제거하고, 진공 상태의 장치 내에 알곤가스를 공급하 여 내부의 압력이 상압이 되게 한다. 이러한 과정을 3회 이상 반복한다. 장치 벽면의 냉각을 위하여 냉각수를 공급하고, 계속해서 조립형 사각히터측으로 전원을 공급하여 도가니 내부의 온도를 1,450℃ 이상으로 가열한 후, 이러한 상태를 2시간 이상 유지한다. 도가니 내부의 충진 실리콘이 완전 용융되면 조립형 사각히터측으로 제공되는 전원을 제어하여 도가니 하부로부터 상부쪽으로 냉각이 되도록 한다.
그러나 히터에 제공되는 전원의 제어만으로는 도가니 하부로부터의 냉각이 일정하지 않아 균일한 결정성장이 어렵고 잉곳 물성의 분균일성을 초래하는 단점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 냉각 플레이트를 이용하여 도가니에 용융된 실리콘을 응고함으로써, 균일한 결정립이 형성된 태양전지용 다결정 실리콘 잉곳을 제조하기 위한 장치를 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 다결정 실리콘 잉곳 제조장치는 실리콘을 용융하기 위한 도가니; 상기 도가니의 높낮이를 조절하기 위한 이송축; 상기 도가니를 가열하기 위한 히터; 및 상기 도가니 하부에 위치하여 상기 도가니를 냉각하기 위한 냉각 플레이트를 포함한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기 로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 2는 본 발명에 따른 다결정 실리콘 잉곳 제조장치의 분해 사시도이다.
오링(O-ring) 타입의 챔버(210)내에 실리콘을 용해하기 위한 도가니(230)가위치하고 있다. 챔버(210)의 벽면 내부에는 관이 형성되어 있어 냉각수 라인(도시안됨)으로부터 공급된 냉각수가 흐르고 있다. 그리고 온도센서가 구비되어 있어 챔버의 온도를 측정할 수 있다.
본 발명에 따르면, 챔버(210)내 진공을 형성하기 위한 펌프로서 부스터 펌프 및 로터리 펌프를 사용할 수 있다. 그리고, 적절한 진공도를 유지하기 위하여 러핑 밸브(roughing valve)와 스로트 밸브(throttle vavle)를 사용한다.
도가니(230) 하부에는 탄소소재의 받침대(240)가 있으며, 도가니(230)를 가열하기 위하여 도가니(230) 전면에 제 1 및 제 2 히터(221,222)가 구비되어 있다. 히터는 챔버 외부로부터 연결된 전원 공급장치(도시안됨)와 열결되어 있어 공급된 전원에 의하여 열을 발하게 된다. 열은 히터 부근에 구비된 복수의 온도센서를 통하여 제어부에 표시된다. 받침재(240) 하부에는 도가니(230)를 상하로 이동시키기 위하여 제 1 이송축(251)이 구비되어 있다. 제 1 이송축(251)은 받침대(240)의 모서리 4곳에 구비되어 있다. 일반적으로 받침대 중심부에 이송축을 구비한 경우, 도가니(230)에 가해진 열이 이송축을 통하여 외부로 빠져나가 손실되지만, 받침대 모서리 부분에 이송축(251)을 구비할 경우, 이러한 열손실을 최소화할 수 있는 장점이 있다. 도가니(230)의 저면부에 있는 제 2 히터(222)는 개폐가 가능한 두개의 히터로 구성되어 있어 도가니(230)를 가열할 때는 닫혀있다가, 가열이 완료된 후 냉각을 위하여 제 1 이송축(251)의 작동에 따라 도가니(230)가 하향으로 이동하기 전, 수평으로 작동하는 이송지그(280)에 의하여 서로 인접한 챔버 벽면으로 이동함으로써 열리게 된다.
제 2 히터(222)의 저면부에는 제 2 히터(222)와 동일하게 수평으로 작동하는 이송지그(280)에 의하여 개폐가 가능한 두개의 단열판(212)으로 구성되어 있어 제 1 이송축(251)에 의하여 도가니(230)가 하부로 이동하기 전, 제 2 히터(222)와 동일하게 수평으로 이동함으로써 열리게 된다.
제 2 단열판 하부에는 냉각플레이트(260)가 구비되어 있어, 가열된 도가니(230)를 냉각시킨다. 냉각플레이트(260)를 사용할 경우, 냉각속도를 가속시켜 냉각효율을 극대화할 수 있다. 결국 냉각 속도를 적절히 조절함으로써, 용용실리콘의 응고공정의 최적화를 가져올 수 있다.
본 발명에 다른 챔버는 제어판에 의하여 챔버내의 진공도, 히터의 온도, 챔 버의 온도, 가열시간 그리고 각 구성의 제어를 자동을 제어할 수 있다.
도 3 내지 도 6은 용융된 실리콘을 냉각시키는 공정을 도시한 것이다.
먼저, 챔버(210) 내에 구비된 도가니(230)에 고순도 실리콘 원료를 장입하고 챔버(210)를 밀폐시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 실리콘 원료외에 n형 또는 p형의 불순물을 함께 첨가하여 다결정 실리콘의 전기적 특성을 제어할 수 있다.
밀폐된 챔버(210) 내부는 펌프와 밸브를 이용하여 10-2 내지 10-4 torr 범위의 진공도를 유지한다. 다음으로 제 1 및 제 2 히터(221,222)를 작동시켜 도가니(230)를 가열한다. 도가니(230)가 가열되면 장입된 실리콘은 첨자 용융되기 시작한다. 용융이 완료되면 다시 도가니(230)를 냉각시켜 용융된 실리콘(270)을 응고시켜야 한다.
도 3에서 도시된 바와 같이 냉각플레이트(260)를 이용하여 용융된 실리콘(270)을 응고시키기 위하여 먼저 제 1 히터(221)의 온도는 낮추고, 제 2 히터(222)는 전원을 차단한다. 다음으로 제 2 이송축(252)을 작동시켜 제 3 단열판(213)을 하부로 이동함으로써, 제 2 히터(222)와 제 2 단열판(212)을 노출시킨다. 노출된 곳으로 도가니(230)의 열이 방출되면서 용융된 실리콘(270)의 부분 응고가 시작된다.
이때, 도 4에서 도시된 바와 같이 제 1 단열판(211)과 제 3 단열판(213) 사이에 형성된 공간으로 이송지그(280)를 작동시켜 제 2 히터(222)와 제 2 단열 판(212)을 수평으로 움직여 개방한다.
본 발명에 다른 단열판(211,212,213)은 복수의 층으로 형성함으로써, 도가니의 냉각 속도를 조절할 수 있다.
다음으로, 도 5에서 도시된 바와 같이 도가니(230)의 하부에 부착된 받침대(240)에 냉각플레이트(260)를 접촉시킨 후 제 1 이송축(251)을 움직이는 방식을 취한다.
본 발명에 따른 냉각플레이트(260)는 내부로 유체 냉매, 일예로 냉각수가 흐르는 수냉식을 사용할 수 있다. 냉각플레이트(260)를 이용하여 도가니(230) 하부의 냉각을 촉진시키면, 용융된 실리콘(270)은 냉각플레이트가 접해있는 도가니 하부에서 응고가 시작되어 상부 방향으로 진행된다. 이때, 냉각 속도는 상하로의 이송축(251,252)의 이송 속도, 냉각플레이트(260) 내로 흐르는 냉매의 온도, 히터의 온도 등을 조절함으로써 제어된다. 도가니(230)는 냉각플레이트(260)에 의하여 냉각됨과 동시에 하강하면서 냉각의 극대화가 진행되고, 제 3 단열판(213)과 접촉하게 된다. 냉각플레이트(260)에 의하여 용융된 실리콘(270)의 응고가 완료되면, 다시 도가니(230)를 상부로 이송시켜 추가적으로 제 1 및 제 2 히터(221,222)를 가열하여 900℃ 내지 1200℃에서 어닐링 공정을 수행한다.
본 발명에 따른 어닐링 공정은 용융된 실리콘(270)이 응고되면서 결정성장을 하는 과정에서 열응력 등으로 인하여 발생할 수 있는 다결정 실리콘 내의 각종 결함을 최소화하는데 도움을 준다.
어닐링 공정이 완료되면, 도 6에서 도시된 바와 같이 챔버내에(210)내에 퍼 지가스를 주입하고, 챔버(210)내의 압력이 상압으로 도달하면 챔버(210)를 개방하여 응고된 시료를 꺼낸다.
본 발명의 실시예에 따르면 다결정 실리콘 잉곳을 형성하기 위하여 실리콘 시드(seed)를 이용하는 경우, 결정성장면 방위에 있어서 (111)면 중심으로 하는 다결정 실리콘 제조가 가능하여, (111)면의 법선으로부터 30°이내의 면을 중심으로 하는 결정이 40%이상을 점하는 다결정 실리콘도 제조할 수 있다.
앞서 기술한 과정은 제어부에 입력된 설정값에 의하여 자동화로 진행된다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
본 발명의 다결정 실리콘 잉곳 제조장치는 냉각 플레이트를 이용하여 도가니에 용융된 실리콘을 응고함으로써, 결함이 적으면서 균일한 결정립이 형성된 태양전지용 다결정 실리콘 잉곳을 제조할 수 있는 현저하고도 유리한 효과가 있다.

Claims (9)

  1. 실리콘을 용융하기 위한 도가니;
    상기 도가니의 높낮이를 조절하기 위한 이송축;
    상기 도가니를 가열하기 위한 히터; 및
    상기 도가니 하부에 위치하여 상기 도가니를 냉각하기 위한 냉각 플레이트
    를 포함하는 다결정 실리콘 잉곳 제조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이송축은 상기 도가니 하부에 부착된 받침대의 모서리에 구비된 다결정 실리콘 잉곳 제조장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 히터는 상기 도가니를 감싸고 있는 다결정 실리콘 잉곳 제조장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도가니 저면부에 위치한 히터는 복수개로 형성되어 수평으로 개폐가 가 능한 다결정 실리콘 잉곳 제조장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 냉각 플레이트 내부는 유체 냉매를 이용하는 다결정 실리콘 잉곳 제조장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 도가니는 소정의 진공도를 갖는 챔버내에 구비된 다결정 실리콘 잉곳 제조장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 챔버의 벽면 내부는 냉각수가 흐르기 위한 관이 형성되어 있는 다결정 실리콘 잉곳 제조장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 히터 주위에는 열의 손실을 막기 위한 복수의 단열판을 포함하는 다결 정 실리콘 잉곳 제조장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 도가니 저면부에 위치한 상기 단열판은 복수개로 형성되어 수평으로 개폐가 가능한 다결정 실리콘 잉곳 제조장치.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100902859B1 (ko) * 2009-02-17 2009-06-16 (주) 썸백엔지니어링 태양전지용 실리콘 제조용 캐스팅 장치
WO2010024541A2 (ko) * 2008-08-26 2010-03-04 주식회사 아바코 잉곳 제조 장치 및 제조 방법
KR101023022B1 (ko) * 2009-09-07 2011-03-24 한국과학기술원 실리콘 제조장치 및 실리콘 제조방법
CN102084037A (zh) * 2008-06-16 2011-06-01 Gt太阳能公司 通过定向固化生长单晶硅锭的系统及方法
WO2011074847A2 (ko) * 2009-12-14 2011-06-23 주식회사 케이씨씨 실리콘 잉고트의 인출장치 및 방법
WO2011136479A2 (ko) * 2010-04-29 2011-11-03 한국화학연구원 태양전지용 고 생산성 다결정 실리콘 잉곳 제조 장치
KR101270071B1 (ko) * 2011-06-30 2013-06-04 (주)세미머티리얼즈 실리콘 연속 주조 장치 및 방법
WO2015047828A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Gt Crystal Systems, Llc A technique for controlling temperature uniformity in crystal growth apparatus
CN109112621A (zh) * 2018-10-30 2019-01-01 浙江羿阳太阳能科技有限公司 一种节能铸锭装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101323972B (zh) * 2008-07-14 2010-06-02 大连理工大学 一种多晶硅定向凝固设备
KR101101989B1 (ko) 2009-03-27 2012-01-02 최종오 폴리 실리콘의 제조방법 및 제조장치
KR101079618B1 (ko) 2009-08-11 2011-11-04 (주)원익머트리얼즈 금속실리콘 정제장치
KR101217458B1 (ko) * 2009-09-24 2013-01-07 주식회사 글로실 회전형 도어 개폐장치가 구비된 다결정 실리콘 주괴 제조장치
KR100947836B1 (ko) * 2009-09-28 2010-03-18 (주)세미머티리얼즈 실리콘 잉곳 제조장치
CN102071454A (zh) * 2011-02-17 2011-05-25 浙江晶盛机电股份有限公司 用于多晶铸锭炉的气体冷却装置及方法
CN102732959A (zh) * 2011-04-11 2012-10-17 上海普罗新能源有限公司 多晶硅铸锭炉和多晶硅铸锭方法
US20130239621A1 (en) * 2011-09-14 2013-09-19 MEMC Singapore, Pte. Ltd. (UEN200614797D) Directional Solidification Furnace With Laterally Movable Insulation System
CN103797164A (zh) * 2011-09-14 2014-05-14 Memc新加坡私人有限公司 具有可移动式热交换器的定向固化炉
NL2007809C2 (en) 2011-11-17 2013-05-21 Draka Comteq Bv An apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process.
TWI490379B (zh) * 2012-04-30 2015-07-01 Eversol Corp 無定向晶種長晶方法及裝置
CN105586636A (zh) * 2016-02-18 2016-05-18 安徽旭能光伏电力有限公司 一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭制造工艺
JP7186534B2 (ja) * 2018-07-25 2022-12-09 昭和電工株式会社 結晶成長装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63166711A (ja) * 1986-12-26 1988-07-09 Osaka Titanium Seizo Kk 多結晶シリコン鋳塊の製造法
JP3520957B2 (ja) * 1997-06-23 2004-04-19 シャープ株式会社 多結晶半導体インゴットの製造方法および装置
DE19855061B4 (de) * 1998-11-28 2012-05-16 Ald Vacuum Technologies Ag Schmelzofen zum Schmelzen von Silizium

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102084037A (zh) * 2008-06-16 2011-06-01 Gt太阳能公司 通过定向固化生长单晶硅锭的系统及方法
WO2010024541A2 (ko) * 2008-08-26 2010-03-04 주식회사 아바코 잉곳 제조 장치 및 제조 방법
WO2010024541A3 (ko) * 2008-08-26 2010-07-01 주식회사 아바코 잉곳 제조 장치 및 제조 방법
KR100902859B1 (ko) * 2009-02-17 2009-06-16 (주) 썸백엔지니어링 태양전지용 실리콘 제조용 캐스팅 장치
KR101023022B1 (ko) * 2009-09-07 2011-03-24 한국과학기술원 실리콘 제조장치 및 실리콘 제조방법
US9017478B2 (en) 2009-12-14 2015-04-28 Kcc Corporation Apparatus and method for extracting a silicon ingot made by an electromagnetic continuous casting method
WO2011074847A3 (ko) * 2009-12-14 2011-11-10 주식회사 케이씨씨 실리콘 잉고트의 인출장치 및 방법
WO2011074847A2 (ko) * 2009-12-14 2011-06-23 주식회사 케이씨씨 실리콘 잉고트의 인출장치 및 방법
WO2011136479A2 (ko) * 2010-04-29 2011-11-03 한국화학연구원 태양전지용 고 생산성 다결정 실리콘 잉곳 제조 장치
WO2011136479A3 (ko) * 2010-04-29 2011-12-29 한국화학연구원 태양전지용 고 생산성 다결정 실리콘 잉곳 제조 장치
KR101139845B1 (ko) * 2010-04-29 2012-04-30 한국화학연구원 태양전지용 고 생산성 다결정 실리콘 잉곳 제조 장치
US9263624B2 (en) 2010-04-29 2016-02-16 Korea Research Institute Of Chemical Technology High-output apparatus for manufacturing a polycrystal silicon ingot for a solar cell
KR101270071B1 (ko) * 2011-06-30 2013-06-04 (주)세미머티리얼즈 실리콘 연속 주조 장치 및 방법
WO2015047828A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Gt Crystal Systems, Llc A technique for controlling temperature uniformity in crystal growth apparatus
US10633759B2 (en) 2013-09-30 2020-04-28 Gtat Corporation Technique for controlling temperature uniformity in crystal growth apparatus
US11661671B2 (en) 2013-09-30 2023-05-30 Crystal Systems, Llc Technique for controlling temperature uniformity in crystal growth apparatus
CN109112621A (zh) * 2018-10-30 2019-01-01 浙江羿阳太阳能科技有限公司 一种节能铸锭装置

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