KR20070117238A - 반도체 발광 트랜지스터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 발광 트랜지스터에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 제1도전형 컬렉터층; 상기 컬렉터층 상의 일부영역에 형성된 제2도전형 베이스층; 상기 베이스층이 형성되지 않은 상기 컬렉터층 상에 형성된 컬렉터 전극; 상기 베이스층 상의 일부영역에 형성된 제1도전형 이미터층; 상기 이미터층이 형성되지 않은 상기 베이스층 상에 형성된 베이스 전극; 상기 이미터층 상에 형성된 이미터 전극; 상기 컬렉터층과 상기 베이스층의 사이에 형성된 제1발광층; 및 상기 베이스층과 상기 이미터층의 사이에 형성된 제2발광층;을 포함하는 반도체 발광 트랜지스터를 제공한다.
발광 트랜지스터, 이미터, 컬렉터, 베이스, 발광층
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 트랜지스터의 구조를 나타낸 평면도.
도 2 내지 도 4는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 절단하여 나타낸 단면도.
도 5의 (a) 및 (b)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 트랜지스터의 등가회로 및 I-V 곡선을 나타낸 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 기판 110: 컬렉터층
110a: 컬렉터 전극 120: 제1발광층
130: 베이스층 130a: 베이스 전극
140: 제2발광층 150: 이미터층
150a: 이미터 전극
본 발명은 반도체 발광 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 광학적 특성 및 전기적 특성을 동시에 얻을 수 있는 반도체 발광 트랜지스터에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광시키는 전자부품이다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때 보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다.
이러한 LED는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있으므로 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기 등에 널리 이용되고 있다.
한편, 현재 대부분의 반도체 전자 소자는 트랜지스터를 중심으로 이루어지고 있으며, 질화물 반도체를 포함한 Ⅲ-Ⅴ족 계열 및 Ⅱ-Ⅵ족 계열로 이루어진 트랜지스터도 제작되어 다양한 분야에 쓰이고 있다.
그러나, 발광을 목적으로 하는 트랜지스터의 경우 연구가 전무하며, 당 기술분야에서는 광학적(발광) 특성 및 전기적 특성을 동시에 얻을 수 있는 새로운 방안이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은, 광학적 특성 및 전기적 특성을 동시에 얻을 수 있는 반도체 발광 트랜지스터를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 발광 트랜지스터는, 기판 상에 형성된 제1도전형 컬렉터층; 상기 컬렉터층 상의 일부영역에 형성된 제2도전형 베이스층; 상기 베이스층이 형성되지 않은 상기 컬렉터층 상에 형성된 컬렉터 전극; 상기 베이스층 상의 일부영역에 형성된 제1도전형 이미터층; 상기 이미터층이 형성되지 않은 상기 베이스층 상에 형성된 베이스 전극; 상기 이미터층 상에 형성된 이미터 전극; 상기 컬렉터층과 상기 베이스층의 사이에 형성된 제1발광층; 및 상기 베이스층과 상기 이미터층의 사이에 형성된 제2발광층;을 포함한다.
그리고, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 다른 반도체 발광 트랜지스터는, 기판 상에 형성된 제1도전형 컬렉터층; 상기 컬렉터층 상의 일부영역에 형성된 제2도전형 베이스층; 상기 베이스층이 형성되지 않은 상기 컬렉터층 상에 형성된 컬렉터 전극; 상기 베이스층 상의 일부영역에 형성된 제1도전형 이미터층; 상기 이미터층이 형성되지 않은 상기 베이스층 상에 형성된 베이스 전극; 상기 이미터층 상에 형성된 이미터 전극; 및 상기 컬렉터층과 상기 베이스층의 사이에 형성된 발광층;을 포함한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 또다른 반도체 발광 트랜 지스터는, 기판 상에 형성된 제1도전형 컬렉터층; 상기 컬렉터층 상의 일부영역에 형성된 제2도전형 베이스층; 상기 베이스층이 형성되지 않은 상기 컬렉터층 상에 형성된 컬렉터 전극; 상기 베이스층 상의 일부영역에 형성된 제1도전형 이미터층; 상기 이미터층이 형성되지 않은 상기 베이스층 상에 형성된 베이스 전극; 상기 이미터층 상에 형성된 이미터 전극; 및 상기 베이스층과 상기 이미터층의 사이에 형성된 발광층;을 포함한다.
여기서, 상기 제1도전형은 n형이고, 상기 제2도전형은 p형인 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제1도전형은 p형이고, 상기 제2도전형은 n형인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 컬렉터층, 상기 베이스층, 상기 이미터층 및 상기 발광층은, Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체는 ZnSe, ZnTe, ZnSeTe, ZnS, ZnO, CdSe, CdS, CdTe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnCdSeTe 및 ZnCdSTe 등인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체는 GaAs, GaAlAs, GaInAs, InAs, InP, InSb, GaSb, GaInSb, GaN 및 GaInN 등인 것을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 트랜지스터에 대하여 도 1 내지 도 5를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 트랜지스터의 구조를 나타낸 평면도이고, 도 2 내지 도 4는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 절단하여 나타낸 단면도이다.
우선, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 발광 트랜지스터는, 기본적으로 쌍극성 접합(bipolar junction)구조를 갖는다.
즉, 본 발명에 따른 반도체 발광 트랜지스터는, 기판(100)과, 상기 기판 상에 형성된 제1도전형의 컬렉터(collector)층(110)과, 상기 컬렉터층(110) 상의 일부영역에 형성된 제2도전형의 베이스(base)층(130), 및 상기 베이스층(130) 상의 일부영역에 형성되며 상기 컬렉터층(110)과 동일한 제1도전형의 이미터(emitter)층(150)을 포함한다.
여기서, 상기 제1도전형은 n형이고, 상기 제2도전형은 p형인 것으로서, 상기 컬렉터층(110) 및 이미터층(150)은 n형 반도체로 이루어지고, 상기 베이스층(130)은 p형 반도체로 이루어질 수 있다. 상기 n형 반도체인 경우는 Si 등으로 도핑되고, p형 반도체인 경우는 Mg 등으로 도핑될 수 있다.
또한, 이와 반대로, 상기 제1도전형은 p형이고, 상기 제2도전형은 n형인 것 으로서, 상기 컬렉터층(110) 및 이미터층(150)은 p형 반도체로 이루어지고, 상기 베이스층(130)은 n형 반도체로 이루어질 수도 있다.
상기 이미터층(150)은 정공 또는 전자를 주입시키는 영역이고, 상기 컬렉터층(110)은 주입된 정공 또는 전자를 집속하는 영역이며, 상기 베이스층(130)은 상기 이미터층(150)과 컬렉터층(110)의 중간 영역이다.
상기 베이스층(130)이 형성되지 않은 상기 컬렉터층(110) 상에는 컬렉터 전극(110a)이 형성되어 있다.
상기 이미터층(150)이 형성되지 않은 상기 베이스층(130) 상에는 베이스 전극(130a)이 형성되어 있다.
또한, 상기 이미터층(150) 상에는 이미터 전극(150a)이 형성되어 있다.
상기 컬렉터 전극(110a), 베이스 전극(130a) 및 이미터 전극(150a)은, 상기 컬렉터층(110), 베이스층(130) 및 이미터층(150)과 각각 오믹 접촉되어 있으며, 이들 전극(110a,130a,150a)은 Pd, Ti, Al, Pt, Au, Ni 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 또는 합금으로 형성되는 것이 바람직하다.
특히, 본 발명에 따른 반도체 발광 트랜지스터는, 상기 컬렉터층(110)과 상기 베이스층(130)의 사이에 형성된 제1발광층(activation layer)(120), 및 상기 베이스층(130)과 상기 이미터층(150)의 사이에 형성된 제2발광층(140)을 더 포함하고 있다.
또한, 본 발명은 상기한 바와 같이 제1발광층(120) 및 제2발광층(140)을 모두 포함하는 대신에, 도 3에 도시한 바와 같이, 컬렉터층(110)과 베이스층(130)의 사이에 형성된 발광층(120)만을 더 포함하거나, 또는 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 베이스층(130)과 이미터층(150)의 사이에 형성된 발광층(140)만을 더 포함할 수도 있다.
여기서, 상기 발광층들(120,140)과, 상기 컬렉터층(110)과, 상기 베이스층(130), 그리고 상기 이미터층(150)은 모두 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 이루어질 수 있다.
상기 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로는 ZnSe, ZnTe, ZnSeTe, ZnS, ZnO, CdSe, CdS, CdTe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnCdSeTe 및 ZnCdSTe 등이 이용될 수 있고, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로는 GaAs, GaAlAs, GaInAs, InAs, InP, InSb, GaSb, GaInSb, GaN 및 GaInN 등이 이용될 수 있다.
도 5의 (a) 및 (b)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 트랜지스터의 등가회로 및 I-V 곡선을 나타낸 도면이다.
도 5의 (a) 및 (b)를 참조하면, 컬렉터(C), 베이스(B) 및 이미터(E)의 3 단자를 구비하는 본 발명에 따른 반도체 발광 트랜지스터는, 상기 베이스(B) 단자의 조절을 통해 발광층에서 발생되는 빛의 세기를 조절할 수 있으며, 컬렉터(C) 전류의 크기는 베이스(B) 전압으로 조절된다.
즉, 이미터(E)와 컬렉터(C)에 흐르는 캐리어는 전자와 정공이며 베이스(B)에 전압을 걸어주면, 베이스(B)의 장벽의 높이가 낮아져 이미터(E)에서 컬렉터(C)로 흐르는 캐리어의 이동이 용이하게 되어 컬렉터(C)에 흐르는 전류가 증폭되는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 발광 트랜지스터는, 컬렉터층(110), 베이스층(130) 및 이미터층(150)을 구비하는 쌍극성 접합구조를 가지며, 상기 컬렉터층(110)과 베이스층(130)의 사이 또는 상기 베이스층(130)과 이미터층(150)의 사이에 빛을 내는 발광층(120,140)을 형성함으로써, 각 단자의 바이어스 방향에 따라 광학적, 전기적 출력을 증폭하거나 온(on)에서 오프(off) 상태로, 그리고 다시 원상태로 스위칭시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 개시된 실시예에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 발광 트랜지스터에 의하면, 컬렉터층, 베이스층 및 이미터층을 구비하는 쌍극성 접합구조의 상기 컬렉터층과 베이스층의 사이 및 상기 베이스층과 이미터층의 사이에 빛을 내는 발광층을 형성함으로써, 광학적 특성 및 전기적 특성을 동시에 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 베이스 단자의 조절로 빛의 세기를 조절할 수 있으며, 각 단자의 바이어스 방향에 따라 광학 및 전기적 출력을 증폭하거나 온(on)에서 오프(off) 상태로, 그리고 다시 원상태로 스위칭시킬 수가 있다.
Claims (8)
- 기판 상에 형성된 제1도전형 컬렉터층;상기 컬렉터층 상의 일부영역에 형성된 제2도전형 베이스층;상기 베이스층이 형성되지 않은 상기 컬렉터층 상에 형성된 컬렉터 전극;상기 베이스층 상의 일부영역에 형성된 제1도전형 이미터층;상기 이미터층이 형성되지 않은 상기 베이스층 상에 형성된 베이스 전극;상기 이미터층 상에 형성된 이미터 전극;상기 컬렉터층과 상기 베이스층의 사이에 형성된 제1발광층; 및상기 베이스층과 상기 이미터층의 사이에 형성된 제2발광층;을 포함하는 반도체 발광 트랜지스터.
- 기판 상에 형성된 제1도전형 컬렉터층;상기 컬렉터층 상의 일부영역에 형성된 제2도전형 베이스층;상기 베이스층이 형성되지 않은 상기 컬렉터층 상에 형성된 컬렉터 전극;상기 베이스층 상의 일부영역에 형성된 제1도전형 이미터층;상기 이미터층이 형성되지 않은 상기 베이스층 상에 형성된 베이스 전극;상기 이미터층 상에 형성된 이미터 전극; 및상기 컬렉터층과 상기 베이스층의 사이에 형성된 발광층;을 포함하는 반도체 발광 트랜지스터.
- 기판 상에 형성된 제1도전형 컬렉터층;상기 컬렉터층 상의 일부영역에 형성된 제2도전형 베이스층;상기 베이스층이 형성되지 않은 상기 컬렉터층 상에 형성된 컬렉터 전극;상기 베이스층 상의 일부영역에 형성된 제1도전형 이미터층;상기 이미터층이 형성되지 않은 상기 베이스층 상에 형성된 베이스 전극;상기 이미터층 상에 형성된 이미터 전극; 및상기 베이스층과 상기 이미터층의 사이에 형성된 발광층;을 포함하는 반도체 발광 트랜지스터.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1도전형은 n형이고, 상기 제2도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 트랜지스터.
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- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컬렉터층, 상기 베이스층, 상기 이미터층 및 상기 발광층은, Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 트랜지스터.
- 제6항에 있어서,상기 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체는 ZnSe, ZnTe, ZnSeTe, ZnS, ZnO, CdSe, CdS, CdTe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnCdSeTe 및 ZnCdSTe 등인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 트랜지스터.
- 제6항에 있어서,상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체는 GaAs, GaAlAs, GaInAs, InAs, InP, InSb, GaSb, GaInSb, GaN 및 GaInN 등인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 트랜지스터.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014082030A1 (en) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | Quantum Electro Opto Systems Sdn.Bhd. | Optical tilted charge devices and techniques |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5667588B2 (ja) * | 2012-02-15 | 2015-02-12 | 日本電信電話株式会社 | 窒化物半導体発光トランジスタ |
| RU2499328C1 (ru) * | 2012-04-11 | 2013-11-20 | Станислав Александрович Петренко | Светотранзистор белого света |
| CN103456873A (zh) * | 2012-06-01 | 2013-12-18 | 李学旻 | 发光二极管元件 |
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Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3611069A (en) * | 1969-11-12 | 1971-10-05 | Gen Electric | Multiple color light emitting diodes |
| JP2980733B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1999-11-22 | キヤノン株式会社 | 波長選択性光半導体素子及びそれを用いて光を増幅又は発光させる方法 |
| US5334854A (en) * | 1990-07-11 | 1994-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device with wavelength selectivity and method for amplifying or emitting the light using the same |
| JPH04237135A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体積層構造体 |
| DE69631098D1 (de) * | 1995-08-03 | 2004-01-29 | Hitachi Europ Ltd | Halbleiterstrukturen |
| US6849472B2 (en) * | 1997-09-30 | 2005-02-01 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Nitride semiconductor device with reduced polarization fields |
| JP4465745B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2010-05-19 | ソニー株式会社 | 半導体積層基板，半導体結晶基板および半導体素子ならびにそれらの製造方法 |
| JP3445977B2 (ja) * | 2000-07-04 | 2003-09-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子 |
| US6707074B2 (en) * | 2000-07-04 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and apparatus for driving the same |
| WO2003025263A1 (fr) * | 2001-09-13 | 2003-03-27 | Japan Science And Technology Agency | Substrat semi-conducteur de nitrure, son procede d'obtention et dispositif optique a semi-conducteur utilisant ledit substrat |
| KR20060063947A (ko) * | 2003-08-22 | 2006-06-12 | 더 보드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 | 반도체장치 및 방법 |
-
2006
- 2006-06-08 KR KR1020060051214A patent/KR20070117238A/ko not_active Application Discontinuation
-
2007
- 2007-05-07 JP JP2007122348A patent/JP2007329466A/ja not_active Ceased
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- 2007-06-07 US US11/808,158 patent/US20070284616A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014082030A1 (en) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | Quantum Electro Opto Systems Sdn.Bhd. | Optical tilted charge devices and techniques |
Also Published As
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