JPH04237135A - 半導体積層構造体 - Google Patents
半導体積層構造体Info
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- JPH04237135A JPH04237135A JP3019263A JP1926391A JPH04237135A JP H04237135 A JPH04237135 A JP H04237135A JP 3019263 A JP3019263 A JP 3019263A JP 1926391 A JP1926391 A JP 1926391A JP H04237135 A JPH04237135 A JP H04237135A
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子としてもトラ
ンジスタとしても動作し得る半導体素子に適用される半
導体積層構造体に関するものである。
ンジスタとしても動作し得る半導体素子に適用される半
導体積層構造体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体積層構造体の代表
的な構造として次の２つが挙げられる。その１つは、図
７（ａ）に断面図で示すようにｎ形ＡｌＧａＡｓエミッ
タ７１とｐ形ＧａＡｓベース７２とｎ形ＡｌＧａＡｓコ
レクタ７３とからなるｎｐｎダブルヘテロ接合バイポー
ラトランジスタの層構造において、図７（ｂ）に示すよ
うに上部ｎ形ＡｌＧａＡｓエミッタ７１の一部にＢｅを
イオン注入してｐ形ＡｌＧａＡｓクラッド層７４に変化
させ、ｐｎダイオード化してｐ形ＧａＡｓベース７２を
発光層として用いるものである（Ｊ．Ｋａｔｚ ｅｔ
ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３７，ｐｐ
２１１，１９８０） 。２つ目は、前記同様に図８に断
面図で示すようにｎ形ＡｌＧａＡｓエミッタ８１とｐ形
ＧａＡｓベース８２とｎ形ＡｌＧａＡｓコレクタ８３と
からなるｎｐｎダブルヘテロ接合バイポーラトランジス
タの層構造において、Ｚｎを拡散し、ｐ形ＡｌＧａＡｓ
グラフトベース領域８４を形成し、このグラフトベース
領域８４より電流を注入し、ナロウギャップベース層で
あるｐ形ＧａＡｓベース８２を発光層として用いるとい
うものである（Ｙ．Ｈａｓｕｍｉ ｅｔ ａｌ．，Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．８
， ｐｐ１０， １９８７）。
的な構造として次の２つが挙げられる。その１つは、図
７（ａ）に断面図で示すようにｎ形ＡｌＧａＡｓエミッ
タ７１とｐ形ＧａＡｓベース７２とｎ形ＡｌＧａＡｓコ
レクタ７３とからなるｎｐｎダブルヘテロ接合バイポー
ラトランジスタの層構造において、図７（ｂ）に示すよ
うに上部ｎ形ＡｌＧａＡｓエミッタ７１の一部にＢｅを
イオン注入してｐ形ＡｌＧａＡｓクラッド層７４に変化
させ、ｐｎダイオード化してｐ形ＧａＡｓベース７２を
発光層として用いるものである（Ｊ．Ｋａｔｚ ｅｔ
ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３７，ｐｐ
２１１，１９８０） 。２つ目は、前記同様に図８に断
面図で示すようにｎ形ＡｌＧａＡｓエミッタ８１とｐ形
ＧａＡｓベース８２とｎ形ＡｌＧａＡｓコレクタ８３と
からなるｎｐｎダブルヘテロ接合バイポーラトランジス
タの層構造において、Ｚｎを拡散し、ｐ形ＡｌＧａＡｓ
グラフトベース領域８４を形成し、このグラフトベース
領域８４より電流を注入し、ナロウギャップベース層で
あるｐ形ＧａＡｓベース８２を発光層として用いるとい
うものである（Ｙ．Ｈａｓｕｍｉ ｅｔ ａｌ．，Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．８
， ｐｐ１０， １９８７）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体積層構造体においては、いずれの場合も高不純物
濃度のｐ形ベース層を発光層として用いるため、量子効
率が低く、また、イオン注入や拡散によって不純物が活
性層まで導入されるため、レーザ化したとき、発振しき
い値は、極めて高くなるという問題があった。
半導体積層構造体においては、いずれの場合も高不純物
濃度のｐ形ベース層を発光層として用いるため、量子効
率が低く、また、イオン注入や拡散によって不純物が活
性層まで導入されるため、レーザ化したとき、発振しき
い値は、極めて高くなるという問題があった。
【０００４】したがって本発明は、１回の結晶成長でヘ
テロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）として動作
し、また、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザ・ダイオ
ード（ＬＤ）としての動作も可能な半導体素子を製作す
ることを可能とした半導体積層構造体を提供することを
目的としている。
テロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）として動作
し、また、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザ・ダイオ
ード（ＬＤ）としての動作も可能な半導体素子を製作す
ることを可能とした半導体積層構造体を提供することを
目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明による半導体積層構造体は、コレクタの
ベース端では、Ｐ− 形であり、しかもコレクタ内に発
光，受光素子として動作し得る活性層を有している。
るために本発明による半導体積層構造体は、コレクタの
ベース端では、Ｐ− 形であり、しかもコレクタ内に発
光，受光素子として動作し得る活性層を有している。
【０００６】
【作用】本発明においては、不純物ドープ層を１回の成
長でコレクタ内に形成し、素子化プロセスで活性層への
不純物の導入がなく、また、２回以上の再成長が不要と
なる。
長でコレクタ内に形成し、素子化プロセスで活性層への
不純物の導入がなく、また、２回以上の再成長が不要と
なる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
【０００８】（第１の実施例）図１は本発明による半導
体積層構造体を用いた半導体素子の一実施例による構成
を示す断面図である。同図において、１はワイドギャッ
プｎ形ＩｎＰエミッタ、２はエネルギーギャップ（Ｅｇ
）が１．１５ｅＶのｐ＋ 形ＩｎＧａＡｓＰベース、３
はＥｇが１．１５ｅＶのｐ− 形ＩｎＧａＡｓＰコレク
タ第１層、４はＥｇが０．８ｅＶノンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層、５はｎ形ＩｎＰコレクタ第２層、６はＡｕ
Ｇｅエミッタ電極、７はＴｉ／Ａｕベース電極、８はＡ
ｕＧｅコレクタ電極である。
体積層構造体を用いた半導体素子の一実施例による構成
を示す断面図である。同図において、１はワイドギャッ
プｎ形ＩｎＰエミッタ、２はエネルギーギャップ（Ｅｇ
）が１．１５ｅＶのｐ＋ 形ＩｎＧａＡｓＰベース、３
はＥｇが１．１５ｅＶのｐ− 形ＩｎＧａＡｓＰコレク
タ第１層、４はＥｇが０．８ｅＶノンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層、５はｎ形ＩｎＰコレクタ第２層、６はＡｕ
Ｇｅエミッタ電極、７はＴｉ／Ａｕベース電極、８はＡ
ｕＧｅコレクタ電極である。
【０００９】図２は図１に示した半導体素子のエネルギ
ーバンド構造を示したものである。
ーバンド構造を示したものである。
【００１０】このような構成において、エミッタ電極６
，ベース電極７およびコレクタ電極８にバイアス電圧を
印加することにより、良好なトランジスタ特性が得られ
、ＨＢＴとしての動作が可能であった。また、ベース層
のＥｇよりエネルギーの大きな光を入射することにより
、ヘテロ接合フォトトランジスタ（ＨＰＴ）としての動
作も可能であった。さらにベース電極７をアノード電極
とし、コレクタ電極８をカソード電極としてこの間を順
方向にバイアスすることにより、ノンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４より発光が見られ、ＬＥＤ動作を観測した
。
，ベース電極７およびコレクタ電極８にバイアス電圧を
印加することにより、良好なトランジスタ特性が得られ
、ＨＢＴとしての動作が可能であった。また、ベース層
のＥｇよりエネルギーの大きな光を入射することにより
、ヘテロ接合フォトトランジスタ（ＨＰＴ）としての動
作も可能であった。さらにベース電極７をアノード電極
とし、コレクタ電極８をカソード電極としてこの間を順
方向にバイアスすることにより、ノンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４より発光が見られ、ＬＥＤ動作を観測した
。
【００１１】図３（ａ），（ｂ）は本発明による半導体
積層構造体を用いた半導体素子の他の構成を示す断面図
であり、前述の図と同一部分には同一符号を付してある
。同図において、図１と異なる点は、ベース電極７の形
成において、表面からＺｎの拡散を行い、グラフトベー
ス層９が形成されている。
積層構造体を用いた半導体素子の他の構成を示す断面図
であり、前述の図と同一部分には同一符号を付してある
。同図において、図１と異なる点は、ベース電極７の形
成において、表面からＺｎの拡散を行い、グラフトベー
ス層９が形成されている。
【００１２】このような構成においても、前述と同様な
ＨＴＢ，ＨＰＨおよびＬＥＤとしても動作した。なお、
Ｚｎの拡散の代わりにＢｅのイオン注入とその活性化に
よっても同様の動作が得られた。Ｚｎ拡散またはＢｅの
イオン注入による不純物導入の先端は、ｐ＋ 形ＩｎＧ
ａＡｓＰベース２まで到達していれば良いため、ノンド
ープＩｎＧａＡｓＰ活性層４に不純物の導入はなく、へ
き開による共振器構造を形成したところ、しきい値電流
３０ｍＡ以下の極めて低い値でレーザ発振した。さらに
図４に断面図に示すようにリッジ形レーザを形成し、へ
き開による共振器を形成しても、しきい値電流４０ｍＡ
以下で発振した。なお、４１はＺｎ拡散によるｐ形反転
層、４２はｐ電極、４３はｎ電極である。
ＨＴＢ，ＨＰＨおよびＬＥＤとしても動作した。なお、
Ｚｎの拡散の代わりにＢｅのイオン注入とその活性化に
よっても同様の動作が得られた。Ｚｎ拡散またはＢｅの
イオン注入による不純物導入の先端は、ｐ＋ 形ＩｎＧ
ａＡｓＰベース２まで到達していれば良いため、ノンド
ープＩｎＧａＡｓＰ活性層４に不純物の導入はなく、へ
き開による共振器構造を形成したところ、しきい値電流
３０ｍＡ以下の極めて低い値でレーザ発振した。さらに
図４に断面図に示すようにリッジ形レーザを形成し、へ
き開による共振器を形成しても、しきい値電流４０ｍＡ
以下で発振した。なお、４１はＺｎ拡散によるｐ形反転
層、４２はｐ電極、４３はｎ電極である。
【００１３】（第２の実施例）図５は本発明の第２の実
施例における半導体素子のエネルギーバンド構造を示し
たものである。同図において、５１はワイドギャップｎ
形ＩｎＰエミッタ、５２はＥｇが１．１５ｅＶのｐ＋
形ＩｎＧａＡｓＰベース、５３はベース端でＥｇが１．
１５ｅＶでそこから徐々にＥｇが小さくなりノンドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層（Ｅｇ＝０．８ｅＶ）５４端でＥ
ｇが０．９５ｅＶになるグレーテッドＩｎＧａＡｓＰコ
レクタ第１層、５５はノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
５４との界面でのＥｇ０．９５でありそこから徐々にＥ
ｇ＝１．３５のＩｎＰまでＥｇが大きくなっているグレ
ーテッドＩｎＧａＡｓＰコレクタ第２層、５６はｎ形Ｉ
ｎＰコレクタ第３層である。これも前述した図１，図３
または図４のように素子化を行い、ＨＢＴやＨＰＴとし
てもＬＥＤもしくはＬＤとしての動作が可能であった。 Ｚｎ拡散による拡散フロントは活性層まで到達しないた
め、活性層への不純物導入がなされず、ＬＤのしきい値
は２０ｍＡ以下の低い値であった。
施例における半導体素子のエネルギーバンド構造を示し
たものである。同図において、５１はワイドギャップｎ
形ＩｎＰエミッタ、５２はＥｇが１．１５ｅＶのｐ＋
形ＩｎＧａＡｓＰベース、５３はベース端でＥｇが１．
１５ｅＶでそこから徐々にＥｇが小さくなりノンドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層（Ｅｇ＝０．８ｅＶ）５４端でＥ
ｇが０．９５ｅＶになるグレーテッドＩｎＧａＡｓＰコ
レクタ第１層、５５はノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
５４との界面でのＥｇ０．９５でありそこから徐々にＥ
ｇ＝１．３５のＩｎＰまでＥｇが大きくなっているグレ
ーテッドＩｎＧａＡｓＰコレクタ第２層、５６はｎ形Ｉ
ｎＰコレクタ第３層である。これも前述した図１，図３
または図４のように素子化を行い、ＨＢＴやＨＰＴとし
てもＬＥＤもしくはＬＤとしての動作が可能であった。 Ｚｎ拡散による拡散フロントは活性層まで到達しないた
め、活性層への不純物導入がなされず、ＬＤのしきい値
は２０ｍＡ以下の低い値であった。
【００１４】（第３の実施例）図６は本発明の第３の実
施例における半導体素子のエネルギーバンド構造を示し
たものである。同図において、６１はワイドギャップｎ
形ＩｎＰエミッタ、６２はＩｎＰが１００Å，ＩｎＧａ
Ａｓが２０Åの超格子よりなるｐ＋ ベース、６３はＩ
ｎＰが１００Å，ＩｎＧａＡｓが２０Åの超格子よりな
るｐ形コレクタ第１層、６４はＥｇが０．８ｅＶのノン
ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、６５はＩｎＰコレクタ第
２層である。ｐ＋ ベース６２およびｐ形コレクタ第１
層６３の超格子はミニバンドＭを形成しており、電子の
それは井戸の上とほぼ同じ位の所に位置しており、電子
はほぼスムーズにｐ＋ ベース６２およびｐ形コレクタ
第１層６３の層を通過できる。これに対して正孔のそれ
は正孔質量が重いため、井戸の底に近い所に位置してお
り、エミッタ−ベース間順バイアス状態で正孔はエミッ
タへ入りにくくなっている。これも前述した図１，図３
または図４のように素子化を行い、ＨＢＴやＨＰＴとし
てもＬＥＤもしくはＬＤとしての動作が可能であった。 なお、ＬＤのしきい値は４０ｍＡ以下であった。
施例における半導体素子のエネルギーバンド構造を示し
たものである。同図において、６１はワイドギャップｎ
形ＩｎＰエミッタ、６２はＩｎＰが１００Å，ＩｎＧａ
Ａｓが２０Åの超格子よりなるｐ＋ ベース、６３はＩ
ｎＰが１００Å，ＩｎＧａＡｓが２０Åの超格子よりな
るｐ形コレクタ第１層、６４はＥｇが０．８ｅＶのノン
ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、６５はＩｎＰコレクタ第
２層である。ｐ＋ ベース６２およびｐ形コレクタ第１
層６３の超格子はミニバンドＭを形成しており、電子の
それは井戸の上とほぼ同じ位の所に位置しており、電子
はほぼスムーズにｐ＋ ベース６２およびｐ形コレクタ
第１層６３の層を通過できる。これに対して正孔のそれ
は正孔質量が重いため、井戸の底に近い所に位置してお
り、エミッタ−ベース間順バイアス状態で正孔はエミッ
タへ入りにくくなっている。これも前述した図１，図３
または図４のように素子化を行い、ＨＢＴやＨＰＴとし
てもＬＥＤもしくはＬＤとしての動作が可能であった。 なお、ＬＤのしきい値は４０ｍＡ以下であった。
【００１５】（第４の実施例）図２の層構造において、
活性層４とｎ形ＩｎＰコレクタ第２層５との間にＥｇが
０．９５ｅＶで回折格子の形成された光導波路層が入っ
ている基板を用いて前述した第１の実施例と同様の半導
体素子を形成したところ、ＨＢＴやＨＰＴおよびＬＥＤ
やＬＤとして動作した。また、共振器を形成したもので
は、１００ｍＡ以上まで単一波長でレーザ発振した。
活性層４とｎ形ＩｎＰコレクタ第２層５との間にＥｇが
０．９５ｅＶで回折格子の形成された光導波路層が入っ
ている基板を用いて前述した第１の実施例と同様の半導
体素子を形成したところ、ＨＢＴやＨＰＴおよびＬＥＤ
やＬＤとして動作した。また、共振器を形成したもので
は、１００ｍＡ以上まで単一波長でレーザ発振した。
【００１６】なお、前述した実施例においては、半導体
材料としてＩｎＰ系材料を用いた場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ＡｌＧａ
Ａｓ系やＩｎＧａＡｌＡｓ系のような他の材料系であっ
ても良い。また、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓのような格子
歪を伴う材料系であっても良い。
材料としてＩｎＰ系材料を用いた場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ＡｌＧａ
Ａｓ系やＩｎＧａＡｌＡｓ系のような他の材料系であっ
ても良い。また、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓのような格子
歪を伴う材料系であっても良い。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明による半導体
積層構造よれば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタや
ヘテロ接合フォトトランジスタとして動作し、さらに発
光ダイオードや低しきい値のレーザ・ダイオードとして
の動作も可能になるため、従来のような２回以上の再成
長を行うことなく、高速，高性能の光電子集積回路を製
作することができるという極めて優れた効果が得られる
。
積層構造よれば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタや
ヘテロ接合フォトトランジスタとして動作し、さらに発
光ダイオードや低しきい値のレーザ・ダイオードとして
の動作も可能になるため、従来のような２回以上の再成
長を行うことなく、高速，高性能の光電子集積回路を製
作することができるという極めて優れた効果が得られる
。
【図１】本発明による半導体積層構造体を半導体素子に
適用した一実施例による構成を示す断面図である。
適用した一実施例による構成を示す断面図である。
【図２】図１における半導体素子のエネルギーバンド構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は本発明による半導体積層構造
体を半導体素子に適用した他の実施例による構成を示す
断面図である。
体を半導体素子に適用した他の実施例による構成を示す
断面図である。
【図４】本発明による半導体積層構造体をリッジ形レー
ザに適用した構成を示す断面図である。
ザに適用した構成を示す断面図である。
【図５】本発明による半導体積層構造体を半導体素子に
適用したさらに他の実施例による半導体素子のエネルギ
ーバンド構造を示す図である。
適用したさらに他の実施例による半導体素子のエネルギ
ーバンド構造を示す図である。
【図６】本発明による半導体積層構造体を半導体素子に
適用した他の実施例による半導体素子のエネルギーバン
ド構造を示す図である。
適用した他の実施例による半導体素子のエネルギーバン
ド構造を示す図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は従来のｎｐｎダブルヘテロ接
合バイポーラトランジスタの層構造を示す断面図である
。
合バイポーラトランジスタの層構造を示す断面図である
。
【図８】従来のｎｐｎダブルヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタの層構造を示す断面図である。
ンジスタの層構造を示す断面図である。
１ ｎ形ＩｎＰエミッタ
２ ｐ＋ 形ＩｎＧａＡｓＰベース３ ｐ
形ＩｎＧａＡｓＰコレクタ第１層４ ノンドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層５ ｎ形コレクタ第２層 ６ ＡｕＧｅエミッタ電極 ７ Ｔｉ／Ａｕベース電極 ８ ＡｕＧｅコレクタ電極 ９ グラフトベース層 ４１ ｐ形反転層 ４２ ｐ電極 ４３ ｎ電極 ５１ ｎ形ＩｎＰエミッタ ５２ ｐ＋ 形ＩｎＧａＡｓＰベース５３
グレーテッドＩｎＧａＡｓＰコレクタ第１層５４
ノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５５ グレ
ーテッドＩｎＧａＡｓＰコレクタ第２層５６ ｎ
形ＩｎＰコレクタ第３層６１ ｎ形ＩｎＰエミッ
タ ６２ ｐ＋ 形ベース ６３ ｐ形コレクタ第１層
形ＩｎＧａＡｓＰコレクタ第１層４ ノンドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層５ ｎ形コレクタ第２層 ６ ＡｕＧｅエミッタ電極 ７ Ｔｉ／Ａｕベース電極 ８ ＡｕＧｅコレクタ電極 ９ グラフトベース層 ４１ ｐ形反転層 ４２ ｐ電極 ４３ ｎ電極 ５１ ｎ形ＩｎＰエミッタ ５２ ｐ＋ 形ＩｎＧａＡｓＰベース５３
グレーテッドＩｎＧａＡｓＰコレクタ第１層５４
ノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５５ グレ
ーテッドＩｎＧａＡｓＰコレクタ第２層５６ ｎ
形ＩｎＰコレクタ第３層６１ ｎ形ＩｎＰエミッ
タ ６２ ｐ＋ 形ベース ６３ ｐ形コレクタ第１層
Claims (4)
- 【請求項１】 ｎ形ワイドギャップ半導体第１層と、
前記半導体第１層よりエネルギーギャップの小さい高濃
度ｐ形半導体第２層と、前記高濃度ｐ形半導体第２層の
エネルギーギャップと同じかそれより小さい値を有する
低濃度ｐ形半導体第３層と、前記低濃度半導体第３層よ
りエネルギーギャップの小さい半導体活性層または前記
低濃度ｐ形半導体第３層より電子遷移エネルギーの小さ
い多重量子井戸層よりなる半導体活性層としての半導体
第４層と、前記半導体第４層のエネルギーギャップまた
は電子遷移エネルギーよりエネルギーギャップの大きな
ｎ形半導体第５層との積層構造よりなることを特徴とし
た半導体積層構造体。 - 【請求項２】 ｎ形ワイドギャップ半導体第１層と、
前記半導体第１層よりエネルギーギャップの小さい高濃
度ｐ形半導体第２層と、前記高濃度ｐ形半導体第２層と
の界面で前記高濃度ｐ形半導体第２層のエネルギーギャ
ップと同じかそれより小さい値を有しかつ徐々にエネル
ギーギャップの小さくなる低濃度ｐ形半導体第３層と、
前記低濃度ｐ形半導体第３層の終端のエネルギーギャッ
プより小さいそれを有する半導体活性層または前記低濃
度ｐ形半導体第３層より電子遷移エネルギーの小さい多
重量子井戸層よりなる半導体活性層としての半導体第４
層と、前記半導体第４層との界面で前記半導体活性層の
エネルギーギャップまたは電子遷移エネルギーより大き
なエネルギーギャップを有し徐々にさらにエネルギーギ
ャップの大きくなるｎ形半導体第５層と、前記ｎ形半導
体第５層との界面で前記ｎ形半導体第５層のエネルギー
ギャップと同じかそれより大きな値を有するｎ形半導体
第６層との積層構造よりなることを特徴とした半導体積
層構造体。 - 【請求項３】 ｎ形ワイドギャップ半導体第１層と、
半導体超格子よりなる高濃度ｐ形半導体第２層と、前記
高濃度ｐ形半導体第２層と同等の半導体超格子よりなる
低濃度ｐ形半導体第３層と、半導体活性層である半導体
第４層または前記低濃度ｐ形半導体第３層より電子遷移
エネルギーの小さい多重量子井戸層よりなる半導体活性
層としての半導体第４層と、前記半導体第４層のエネル
ギーギャップまたは電子遷移エネルギーよりエネルギー
ギャップの大きなｎ形半導体第５層もしくは前記低濃度
ｐ形半導体第３層と同等の半導体超格子よりなるｎ形半
導体第５層との積層構造よりなることを特徴とした半導
体積層構造体。 - 【請求項４】 請求項１，請求項２または請求項３に
おいて、前記低濃度ｐ形半導体第３層と半導体第４層ま
たは前記半導体第４層と第ｎ形半導体５層との間に回折
格子の形成された光導波路層を有することを特徴とした
半導体積層構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019263A JPH04237135A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 半導体積層構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019263A JPH04237135A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 半導体積層構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04237135A true JPH04237135A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11994556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3019263A Pending JPH04237135A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 半導体積層構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04237135A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5814843A (en) * | 1994-12-01 | 1998-09-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Heterojunction bipolar transistor having a graded-composition base region |
| JP2007503710A (ja) * | 2003-08-22 | 2007-02-22 | ザ ボード オブ トラスティース オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | 半導体素子及び方法 |
| JP2007329466A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 半導体発光トランジスタ |
| JP2009124010A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光検出器 |
| US7998807B2 (en) | 2003-08-22 | 2011-08-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method for increasing the speed of a light emitting biopolar transistor device |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP3019263A patent/JPH04237135A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5814843A (en) * | 1994-12-01 | 1998-09-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Heterojunction bipolar transistor having a graded-composition base region |
| JP2007503710A (ja) * | 2003-08-22 | 2007-02-22 | ザ ボード オブ トラスティース オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | 半導体素子及び方法 |
| US7998807B2 (en) | 2003-08-22 | 2011-08-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method for increasing the speed of a light emitting biopolar transistor device |
| JP2007329466A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 半導体発光トランジスタ |
| JP2009124010A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光検出器 |
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