KR20070092142A - 유기발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 위치하는 제 1 도전층 및 제 2 도전층; 상기 제 1 도전층과 제 2 도전층 사이에 위치하는, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 제1 도전층과 제 2 도전층 중 적어도 하나의 도전층과 상기 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 형성된 패턴층이 구비되고, 이 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송되고, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층이 직접 접하는 영역에서는 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 및 이의 제조방법을 제공한다.
유기발광소자, 패턴층, 에너지 준위
Description
도 1은 종래의 유기발광소자를 나타낸 단면도이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시상태에 따른 유기발광소자를 나타낸 단면도이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시상태에 따른 유기발광소자를 나타낸 단면도이고,
도 4는 본 발명의 제3 실시상태에 따른 유기발광소자를 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명 *
10, 100, 200, 300 ; 기판
50, 140, 240 ; 발광층
80, 180, 280, 380a, 380b; 유기물층
20, 70; 전극
30; 절연층
110, 210, 310 ; 제 1 도전층
170, 270, 370 ; 제 2 도전층
358; 제3 도전층
120, 260, 320, 360 ; 패턴층
본 발명은 유기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 전하주입 또는 전하추출용 전극으로부터 유기물층으로의 에너지 장벽을 낮출 수 있는 패턴층을 구비하는 유기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 출원은 2006년 3월 7일에 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2006-0021365호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
유기발광소자는 통상 2개의 전극과 이들 전극 사이에 개재된 유기물층을 포함하고, 상기 2개의 전극으로부터 상기 유기물층으로 전자 및 정공을 주입하여 전류를 가시광으로 변환시킴으로써 빛을 발하게 된다.
도 1은 종래의 유기발광소자를 나타낸 단면도로서, 일반적인 유기발광소자의 단면을 나타낸 모식도이다.
도 1을 참조하면, 상기 유기발광소자는 2 개의 전극, 예를 들어 애노드 전극(20) 및 캐소드 전극(70) 사이에 위치하는 발광층(50)을 구비한다. 상기 2 개의 전극 중 어느 하나, 예를 들어 애노드 전극(20)은 투명 기판(10) 상에 위치하고, 상기 발광층(50)에서 발한 빛을 통과시키게 된다. 상기 유기발광소자는 성능을 향상시키기 위하여 전자주입층(65), 전자수송층(60), 정공수송층(45) 및 정공주입층(40)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다. 또한 발광 영역(A)과 비발광 영역(B)의 구분을 위하여 상기 투명기판(10)의 전극 상에 절연층(30)을 구비할 수도 있다.
상기 2 개의 전극(20, 70)은 금속, 금속산화물 또는 도전성 폴리머로 형성될 수 있다. 상기 전극 형성 물질들은 유기물층과의 계면에서 불안정한 특성을 가질 수 있다. 또한, 외부로부터 가해지는 열, 상기 유기발광소자의 구동 시 발생 가능한 내부열, 및 상기 유기발광소자에 가해지는 전계는 상기 소자의 성능에 악영향을 줄 수 있다. 그리고, 상기 전자/정공주입층(65/40) 또는 상기 전자/정공수송층(60/45)과 유기물층 사이의 전도 에너지 준위(conductive energylevel) 차이로 인해 상기 소자의 동작을 위한 구동전압이 커질 수 있다.
따라서, 전극으로 또는 전극으로부터 전자/정공을 주입/추출하는 에너지 장벽을 최소화하는 것뿐만 아니라 전자/정공 주입층 또는 전자/정공 수송층과 유기물층 사이의 계면을 안정화시키는 것이 중요하며 이를 개선하는 기술이 개발되고 있다.
이를 위해, 상기 유기발광소자의 애노드 전극은 정공주입층의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위와 비슷한 페르미 에너지 준위(Fermi energy level)를 갖도록 조절되거나 또는 애노드 전극의 페르미 에너지 준위와 비슷한 HOMO 에너지 준위를 갖는 물질을 정공주입층으로 선택한다.
정공주입층은 애노드 전극의 페르미 에너지 준위뿐만 아니라 정공수송층 또는 발광층의 HOMO 에너지 준위를 고려하여 선택되어야 하므로, 정공주입층용 물질을 선택하는 데에는 제한이 있다. 따라서, 유기발광소자를 제조하는 데 있어서 일반적으로 애노드 전극의 페르미 에너지를 조절하는 방법이 채택되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유기발광소자의 전극과 유기물층 사이에 정공 또는 전자의 주입 또는 수송을 위한 전기적 장벽을 낮출 수 있는 패턴층을 형성함으로써 패턴층의 모양으로 발광시킬 수 있는 유기발광소자 및 이의 제조방법을 제공하는 것에 목적이 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유기발광소자의 전극과 유기물층 사이에 정공 또는 전자의 주입 또는 수송을 위한 전기적 장벽을 낮출 수 있는 패턴층을 형성함으로써 보다 다양한 물질로 이루어진 전극을 구비할 수 있는 유기발광소자 및 이의 제조방법을 제공하는 것에 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 위치하는 제 1 도전층 및 제 2 도전층; 및 상기 제 1 도전층과 제 2 도전층 사이에 위치하는, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 제1 도전층과 제 2 도전층 중 적어도 하나의 도전층과 상기 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 형성된 패턴층이 구비되고, 이 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송되고, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층이 직접 접하는 영역에서는 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 제1 도전층, 적어도 하나의 중간 도전층 및 제2 도전층과, 상기 도전층들 사이에 각각 배치된 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 포함하는 적층형 유기발광소자에 있어서, 상기 도전층들 중 적어도 하나와 상기 1층 이상 의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 형성된 패턴층이 구비되고, 이 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송되고, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층이 직접 접하는 영역에서는 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않는 것을 특징으로 하는 적층형 유기발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 제1 도전층, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층 및 제2 도전층을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 제1 도전층과 제 2 도전층 중 적어도 하나의 도전층과 상기 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 패턴층을 형성하되, 상기 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송될 수 있는 재료로 상기 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층은 이들 2층이 직접 접하는 영역에서 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않는 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
이하 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 적층되어 위치하는 제 1 도전층 및 제 2 도전층; 및 상기 제 1 도전층과 제 2 도전층 사이에 위치하는, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 제1 도전층과 제 2 도전층 중 적어도 하나의 도전층과 상기 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 형성된 패턴층이 구비되고, 이 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송되고, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층이 직접 접하는 영역에서는 직접 전하가 주입 또는 수송 되지 않는 것을 특징으로 한다. 즉, 본 발명에서는 전극과 유기물층 사이에 정공 또는 전자의 주입 또는 수송을 위한 전기적 장벽을 낮출 수 있는 패턴층을 이용함으로써 패턴층의 모양의 발광영역을 갖는 유기발광소자를 실현할 수 있다.
본 발명에 있어서, 유기물층으로부터 발생한 빛은 기판을 향한 방향(bottom emission), 기판의 반대 방향(top emission) 또는 양 방향으로 방출할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 패턴층은 유기물, 무기물 또는 이들의 혼합물일 수 있으며, 이 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송될 수 있는 에너지 준위를 갖는다면 재료에 특별히 한정되지 않는다. 상기 패턴층은 종래 유기발광소자를 구성하는 유기물층들 중 어느 하나의 역할, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 또는 전자주입층 역할을 할 수도 있으나, 소자의 전하 이동에 악영향을 미치지 않는 한 다른 역할을 추가로 갖지 않는 것도 좋다. 예컨대, 상기 패턴층과 인접한 도전층이 애노드인 경우, 상기 패턴층은 정공주입층 또는 정공수송층 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 패턴층과 인접한 도전층이 캐소드인 경우, 상기 패턴층은 정공억제층, 전자수송층 또는 전자주입층 재료로 이루어질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층은 이들 층 사이에서 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않도록 각 층이 적절한 에너지 준위를 갖고 전체 소자의 구동에 악영향을 미치지 않는다면 그 재료에 특별히 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 각각 애노드 전극 및 캐소드 전극일 수도 있고, 각각 캐소드 전극 및 애노드 전극일 수도 있다.
본 발명의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 패턴층은 상기 제1 도전층과 제 2 도전층 중 적어도 하나의 도전층과 접하고, n-형 유기물층으로 이루어지며, 상기 패턴층과 접하는 유기물층은 p-형 유기물층으로 이루어져 상기 패턴층과 NP 접합을 형성하며, 상기 도전층의 페르미 준위, 상기 패턴층의 루모(LUMO) 에너지 준위, 및 상기 패턴층과 접하는 유기물층의 호모(HOMO) 에너지 준위는 하기 식 (1) 및 (2)를 만족할 수 있다:
상기 식 (1)과 (2)에 있어서, EF1은 상기 도전층의 페르미 에너지 준위이고, EnL 은 상기 패턴층의 루모(LUMO) 에너지 준위이며, EpH는 상기 패턴층과 NP접합을 형성하는 상기 유기물층의 호모(HOMO) 에너지 준위이다. 또한, 상기 n-형 유기물층은 4 내지 7 eV의 LUMO 에너지 준위 및 10-8cm2/Vs 내지 1 cm2/Vs의 전자이동도를 가질 수 있다.
상기 실시 상태에 있어서, 상기 패턴층과 접하는 도전층은 제1 도전층 또는 제2 도전층일 수 있다. 상기 패턴층과 접하는 도전층이 제1 도전층인 경우 상기 제2 도전층은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 투명전극재료, 예컨대 ITO로 이루어질 수 있다. 상기 유기물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층을 더욱 포함할 수 있다. 상기 실시상태에 있어서, 상기 제2 도전층과 상기 유기물층 사이에 추가의 패턴층을 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 추가의 패턴층은 LiF, NaF, CsF, Ca, Mg 및 MgO로 이루어진 군에서 선택된 하나의 것으로 이루어질 수 있다.
본 발명은 또한 제1 도전층, 적어도 하나의 중간 도전층 및 제2 도전층과, 상기 도전층들 사이에 각각 배치된 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 포함하는 적층형 유기발광소자에 있어서, 상기 도전층들 중 적어도 하나와 상기 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 형성된 패턴층이 구비되고, 이 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송되고, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층이 직접 접하는 영역에서는 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않는 것을 특징으로 하는 적층형 유기발광소자를 제공한다.
본 발명에 따른 적층형 유기발광소자는 각각의 도전층과 그 도전층의 상부에 위치하는 유기물층 사이에 상기 패턴층을 모두 구비하는 것이 바람직하다. 상기 패턴층이 2 이상 포함되는 경우 이들은 서로 동일한 패턴 또는 상이한 패턴을 가질 수 있다. 다수 층의 다양한 형태의 패턴층들을 형성함으로써 여러 형태의 발광모양을 구현할 수 있다.
본 발명의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제 1 도전층과 상기 제 2 도전층 사이에 위치한 제 3 도전층을 포함하고, 상기 제 3 도전층의 상부 및 하부에 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 제1 도전층, 제2 도전층 및 제 3 도전층 중 적어도 하나의 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 형성된 패턴층이 구비된다. 이 경우, 상기 제 1 도전층 및 상기 제 2 도전층과 상기 제 3 도전층은 서로 전기적으로 접지 전위에 연결되며, 상기 제 3 도전층에는 교류 전압이 인가될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 유기발광소자는 표시소자에 사용될 수 있으며, 상기 표시소자는 오디오 디스플레이, 광고판, 로고, 가전용 표시장치 등에 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 제1 도전층, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층 및 제2 도전층을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 제1 도전층과 제 2 도전층 중 적어도 하나의 도전층과 상기 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 패턴층을 형성하되, 상기 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송될 수 있는 재료로 상기 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층은 이들 2층이 직접 접하는 영역에서는 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않는 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 하나의 실시상태에 따르면, 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전층 상에 발광 영역에 상응하도록 패턴층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전층의 노출부 및 상기 패턴층 상에, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 패턴층은 상기 패턴층을 통하여 제1 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송될 수 있는 재료로 형성하고, 상기 패턴층과 접하는 유기물층은 상기 제 1 도전층과 접하는 영역에서 제1 도전층으로부터 전하가 직접 주입 또는 수송되지 않는 재료로 형성하는 것인 유기발광소자의 제조방법을 제공한다. 상기 제 1 도전층은 애노드 전극으로 형성하고, 상기 제 2 도전층은 캐소드 전극으로 형성할 수 있다. 상기 애노드 전극 상의 상기 패턴층은 정공주입층 또는 정공수송층으로 형성할 수 있다. 나아가서, 상기 패턴층은 n-형 유기물로 형성하고, 상기 패턴층에 접하는 유기물층은 p-형 유기물로 형성할 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 따르면, 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전층 상에 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 상기 유기물층 상에 발광 영역에 대응하도록 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층의 노출부 및 상기 패턴층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 패턴층은 상기 패턴층을 통하여 제2 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송될 수 있는 재료로 형성하고, 상기 패턴층과 접하는 유기물층은 상기 제 2 도전층과 접하는 영역에서 제2 도전층으로부터 전하가 직접 주입 또는 수송되지 않는 재료로 형성하는 것인 유기발광소자의 제조방법을 제공한다. 상기 제 1 도전층은 애노드 전극으로 형성하고, 상기 제 2 도전층은 캐소드 전극으로 형성할 수 있다. 상기 캐소드 전극 하부에 형성된 패턴층은 정공억제층, 전자수송층, 또는 전자 주입층으로 형성할 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 따르면, 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전층 상에 발광 영역에 상응하도록 제1 패턴층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전층의 노출부 및 및 상기 제1 패턴층 상에, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 상기 유기물층 상에 발광 영역에 대응하도록 제2 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층의 노출부 및 상기 제2 패턴층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 패턴층은 상기 제1 패턴층을 통하여 제1 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송될 수 있는 재료로 형성하고, 상기 제1 패턴층과 접하는 유기물층은 상기 제 1 도전층과 접하는 영역에서 상기 제1 도전층으로부터 전하가 직접 주입 또는 수송되지 않는 재료로 형성하며, 상기 제2 패턴층은 상기 제2 패턴층을 통하여 제2 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송될 수 있는 재료로 형성하고, 상기 제2 패턴층과 접하는 유기물층은 상기 제2 도전층과 접하는 영역에서 상기 제 2 도전층으로부터 전하가 직접 주입 또는 수송되지 않는 재료로 형성하는 것인 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 따르면, 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전층 상에 발광 영역에 상응하도록 제1 패턴층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전층의 노출부 및 및 상기 제1 패턴층 상에, 발광층을 비롯한 1층 이상의 제1 유기물층을 형성하는 단계; 상기 제1 유기물층 상에 제 3 도전층을 형성하는 단계; 상기 제3 도전층 상에 발광 영역에 상응하도록 제2 패턴층을 형성하는 단계; 상기 제3 도전층의 노출부 및 제2 패턴층 상에 발광층을 비롯한 1층 이상의 제2 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 유기물층 상에 제2 도전층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 패턴층은 상기 제1 패턴층을 통하여 상기 제1 도전층과 상기 제1 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송될 수 있는 재료로 형성하 고, 상기 제1 패턴층과 접하는 유기물층은 상기 제1 도전층과 접하는 영역에서 상기 제 1 도전층으로부터 전하가 직접 주입 또는 수송되지 않는 재료로 형성하며, 상기 제2 패턴층은 상기 제2 패턴층을 통하여 상기 제3 도전층과 상기 제2 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송될 수 있는 재료로 형성하고, 상기 제2 패턴층과 접하는 유기물층은 상기 제3 도전층과 접하는 영역에서 상기 제3 도전층으로부터 전하가 직접 주입 또는 수송되지 않는 재료로 형성하는 것인 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시상태들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시상태들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시상태들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시상태에 따른 유기발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 기판(100) 상에 순차적으로 제 1 도전층(110) 및 제 2 도전층(170)이 위치한다. 상기 제 1 도전층(110)은 애노드 전극이고, 상기 제 2 도전층(170)은 캐소드 전극일 수 있다.
상기 제 1 도전층(110)과 제 2 도전층(170) 사이, 즉 상기 제 1 도전층(110) 상에 접하여 패턴층(120)이 구비된다. 이 때 상기 패턴층(120)에 상응하는 영역은 발광영역(A)이 되고, 나머지 영역은 비발광영역(B)이 된다. 상기 패턴층(120) 및 상기 제 1 도전층(110)의 노출면에는 유기물층들(180)이 위치한다. 상기 유기물층 들(180)은 발광층(140)을 포함하고, 정공주입층(130), 정공수송층(135), 전자수송층(150), 및 전자주입층(155)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 것을 더욱 포함할 수 있다.
상기 제 1 도전층(110)이 애노드 전극일 경우, 상기 정공주입층(130) 및 상기 제 1 도전층(110)은 각각 이들이 접하는 영역에서 상기 제1 도전층(110)으로부터 상기 정공주입층(130)으로 정공이 주입되지 않는 에너지 준위를 갖는다. 또한, 상기 패턴층(120), 상기 패턴층(120)에 접하는 제 1 도전층(110), 및 상기 패턴층(120)에 접하는 정공주입층(130)은 각각 정공이 상기 제1 도전층으로부터 상기 패턴층(120)을 통하여 상기 정공주입층(130)으로 주입될 수 있는 에너지 준위를 갖는다. 이에 의하여, 상기 발광영역(A)에 해당되는 영역, 즉 상기 패턴층(120)의 영역에만 전하가 주입 및 수송되고, 빛이 발하게 된다.
상기 패턴층(120)은 유기물로 이루어진 것일 수 있다. 바람직하게는, 상기 패턴층(120)은 n-형 유기물층로 이루어지고, 상기 패턴층(120)과 접하는 정공주입층(130)은 p-형 유기물층로 이루어질 수 있다. 이 경우 상기 패턴층(120)과 상기 정공주입층(130)은 NP접합을 형성하게 된다. 이 때, 상기 제 1 도전층, 즉 상기 애노드 전극(110)의 페르미 준위, 상기 패턴층(120)의 루모(LUMO) 에너지 준위 및 상기 정공수송층(130)의 호모(HOMO) 에너지 준위는 하기 식 (1)과 (2)를 만족하는 것이 바람직하다:
상기 식 (1)과 (2)에서 EF1은 상기 제 1 도전층의 페르미 에너지 준위이고, EnL 은 상기 패턴층의 루모(LUMO) 에너지 준위이며, EpH는 상기 패턴층과 NP접합을 형성하는 상기 유기물층의 호모(HOMO) 에너지 준위이다
따라서, 유기발광소자의 상기 제 1 도전층(110), 즉 애노드 전극과 상기 정공주입층(130) 사이에 상기 패턴층(120)을 구비함으로써, 제 1 도전층과 유기물층 사이의 계면에서 전하 주입에 대한 전기적 장벽을 낮출 수 있게 된다. 이로 인해, 전하의 주입능력이 향상될 수 있으며, 보다 다양한 물질의 전극을 구비할 수 있다.
상기 n-형 유기물층은 하기의 화학식 1의 화합물을 포함하 수 있다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R6은 각각 수소, 할로겐 원자, 니트릴(- CN), 니트로(-NO2), 술포닐(-SO2R), 술폭사이드(-SOR), 술폰아미드(-SO2NR), 술포네이트(-SO3R), 트리플루오로메틸(-CF3), 에스테르(-COOR), 아미드(-CONHR 또는 -CONRR'), 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C12 알콕시, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C1-C12의 알킬, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족의 헤테로 고리, 치환 또는 비치환된 아릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-아릴아민, 및 치환 또는 비치환된 아랄킬아민으로 구성된 군에서 선택되며, 상기 R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환된 C1-C60의 알킬, 치환 또는 비치환된 아릴, 및 치환 또는 비치환의 5-7원 헤테로 고리로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-6으로 나타내어지는 화합물로부터 선택될 수 있다:
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
[화학식 1-4]
[화학식 1-5]
[화학식 1-6]
상기 유기물층(180)에서 발생한 빛은 상기 기판(100)을 향한 방향(bottom emission), 상기 기판(100)의 반대방향(top emission) 또는 양방향으로 방출할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시상태에 따른 유기발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제1 실시상태와 달리 제2 실시상태에서는 패턴층(260)이 제 2 도전층(270)에 접하여 위치한다. 즉, 기판(200) 상에 위치하는 제 1 도전층(210) 및 제 2 도전층(270) 중, 상기 제 2 도전층(270)과 접하여 발광영역(A)에 상응하도록 패턴층(260)이 구비된다. 상기 제 1 도전층(210)은 애노드 전극, 제 2 도전층(270)은 캐소드 전극일 수 있으며, 상기 패턴층(260) 및 노출된 제 2 도전층(270)과 상기 제 1 도전층(210) 사이에는 유기물층(280)이 개재된다. 상기 유기물층(280)은 발광층(240)을 포함하고, 정공주입층(230), 정공수송층(235), 전자수송층(250), 및 전자주입층(255)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 것을 더욱 포함할 수 있다.
상기 패턴층(260)과 접하는 전자주입층(255) 및 상기 제 2 도전층(270)은 각각 이들이 접하는 영역에서 상기 제2 도전층(270)으로부터 상기 전자주입층(255)으로 전자가 주입되지 않는 에너지 준위를 갖는다. 또한, 상기 패턴층(260), 상기 패턴층(260)에 접하는 제2 도전층(270), 및 상기 패턴층(260)에 접하는 전자주입층(255)은 각각 전자가 상기 제2 도전층으로부터 상기 패턴층(260)을 통하여 상기 전자주입층(255)으로 주입될 수 있는 에너지 준위를 갖는다. 이에 의하여, 상기 발광영역(A)에 해당되는 영역, 즉 상기 패턴층(260)의 영역에만 전하가 주입 및 수송되고, 빛이 발하게 된다.
즉, 제 1 실시상태에서는 발광 영역에 해당되는 영역에 애노드 전극과 접하는 패턴층을 구비하여, 애노드 전극과 유기물층과의 에너지 장벽을 최소화시킴으로써 정공의 주입능력을 향상시키는 것과 달리, 제 2 실시상태에서는 발광 영역에 해당되는 영역에 캐소드 전극과 접하는 패턴층을 구비함으로써 캐소드 전극과 유기물층과의 에너지 장벽을 최소화한다. 따라서, 제 2 실시상태에서는 전자의 주입능력을 향상시킴으로써 패터닝된 발광소자를 구현할 수 있다.
상기 패턴층(260)은 무기물로 이루어진 것일 수 있다. 바람직하게는, LiF, NaF, CsF, Ca, Mg 및 MgO로 이루어진 군에서 선택된 하나의 것으로 이루어질 수 있다. 또한, 정공억제층, 전자수송층, 또는 전자주입층 재료로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 제 2 도전층(270), 즉 캐소드 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 투명전극(ITO)로 이루어질 수 있다.
상기 구조의 유기발광소자 역시 배면발광(bottom emission), 전면발광(top emission) 또는 양면발광(both-side emission) 모두 가능하다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시상태에 따른 유기발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 제 3 실시상태에서는 유기물층(380a, 380b)이 두 개 이상 구비되는 적층형 구조를 제시한다. 즉, 제 1 도전층(310)과 제 2 도전층(370) 사이에 제 3 도전층(358)이 위치하고, 상기 제 3 도전층(358)의 하부 및 상부에 제 1 유기물층(380a) 및 제 2 유기물층(380b)이 개재된다.
또한, 패턴층(320, 360)은 상기 제 1 도전층(310) 및/또는 제 3 도전층(358) 상에 배치될 수 있으며, 대신에 또는 동시에 상기 제1 도전층(310) 및/또는 제 2 도전층(370)의 하부에도 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제1 도전층(310) 및 상기 제2 도전층(370)과 상기 제 3 도전층(358)은 서로 전기적으로 접지 전위에 연결하고, 상기 제 3 도전층(358)에는 교류 전압을 인가시킴으로써 유기발광소자에 필요한 구동전압을 인가시킬 수 있다.
제 3 실시상태에서도 마찬가지로, 발광 영역(A)에 해당되는 영역에 패턴층을 형성함으로써 도전층과 유기물층 간의 에너지 장벽을 감소시켜 전하의 이동을 용이 하게 하여 발광메커니즘을 조절할 수 있는 장점을 가진다. 그와 동시에 각각의 도전층상의 패턴층들의 모양을 다르게 구비함으로써 서로 다른 형태의 발광이 전면, 후면 또는 전후면 모두로 방출하도록 구현가능해진다.
상기 제 1 실시상태, 제 2 실시상태 및 제 3 실시상태의 유기발광소자는 표시 소자에 사용될 수 있으며, 상기 표시소자는 오디오 디스플레이, 광고판, 로고 및 가전용 표시장치로 이루어진 군에서 선택되어 사용될 수 있다.
도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시상태들에 따른 제조방법들을 하기와 같이 설명한다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시상태에 따른 유기발광소자의 제조방법을 설명하면, 먼저 기판(100) 상에 제 1 도전층(110)을 형성한다. 상기 기판(100)은 유리 또는 플라스틱의 재질로 형성할 수 있으며, 배면발광형의 유기발광소자를 형성할 경우 투명기판으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 1 도전층(110)은 금속, 금속 산화물, 또는 도전성 폴리머로 형성할 수 있다.
상기 제 1 도전층(110) 상에 패턴층(120)을 형성한다. 상기 패턴층(120)을 형성하는 것은 건식 또는 습식 식각, 미세금속 마스크(fine metal mask)를 이용한 증착, 프린팅 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 패턴층(120)에 상응하는 영역이 발광 영역(A)으로 되고, 나머지 영역이 비발광영역(B)으로 된다.
상기 패턴층(120)으로 인해 노출된 제 1 도전층(110) 및 상기 패턴층(120) 상에 유기물층(180)을 형성한다. 상기 유기물층(180)은 정공주입층(130), 정공수송층(135). 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(155)에서 하나 이상을 선택 하여 적층함으로써 형성된다.
상기 유기물층 중 상기 패턴층(120)과 접하는 정공주입층(130)은 상기 제1 도전층(110)과 접하는 영역에서 상기 제 1 도전층(110)으로부터 정공이 직접 주입되지 않는 에너지 준위를 갖는다. 이때, 상기 제1 도전층(110), 상기 패턴층(120) 및 상기 정공주입층(130)은 각각 상기 제 1 도전층(110)으로부터 상기 패턴층(120)을 통하여 상기 정공주입층(130)으로 정공이 주입 및 수송될 수 있는 에너지 준위를 갖는다.
상기 형성된 유기물층(180) 상에 전도성 물질을 사용하여 제2 도전층(170)을 형성한다. 상기 제 2 도전층(170)은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 투명전극(ITO)으로 형성할 수 있다. 이 때, 상기 제 1 도전층(110)은 애노드 전극으로 형성하고, 상기 제 2 도전층(170)은 캐소드 전극으로 형성할 수 있다. 나아가서, 상기 애노드 전극(110) 상의 상기 패턴층(120)은 정공주입층 또는 정공수송층으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 패턴층(120)은 n-형 유기물로 형성하고, 상기 정공주입층(130)은 p-형 유기물로 형성할 수 있는데, 이 때 상기 제 1 도전층(110)의 페르미 준위, 상기 정공주입층(130)의 호모(HOMO) 에너지 준위 및 상기 패턴층(120)의 루모(LUMO) 에너지 준위는 전술한 식 (1) 및 (2)를 만족하는 것이 바람직하다.
도 3을 참조하여, 본 발명의 제 2 실시상태에 따른 유기발광소자의 제조방법을 하기와 같이 설명한다.
먼저 기판(200) 상에 제 1 도전층(210)을 형성한다. 상기 기판(200)은 제 1 실시상태에서와 같이 투명기판일 수 있으며, 상기 제 1 도전층(210)은 전도성 물질막으로 형성할 수 있다. 상기 제 1 도전층(210) 상에 유기물층(280)을 형성한다. 상기 유기물층(280)은 발광층(240)을 포함하여 형성하며, 정공주입층(230), 정공수송층(235), 전자수송층(250) 및 전자주입층(255)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 것을 더욱 포함할 수 있다. 상기 유기물층(280) 패턴층(260)을 형성한다.
상기 패턴층(260)이 형성된 영역에 상응하는 영역 발광영역(A)으로 되고, 나머지 영역이 비발광영역(B)으로 된다. 상기 패턴층(260)은 앞에서 설명한 바와 같이, 식각법, 미세금속마스크를 이용한 증착법, 프린팅법 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 패턴층(260)은 LiF, NaF, CsF, Ca, Mg, MgO 및 CaO로 이루어진 군에서 선택된 하나의 것으로 형성할 수 있다.
상기 패턴층(260)에 의해 노출된 전자주입층(255) 및 상기 패턴층(260) 상에 제 2 도전층(270)을 형성한다. 이 때, 상기 전자주입층(255) 및 상기 제 2 도전층(270)은 각각 이들이 접하는 영역에서 상기 제2 도전층(270)으로부터 상기 전자주입층(255)으로 직접 전자가 주입되지 않는 에너지 준위를 갖는다. 또한, 상기 제2 도전층(270), 상기 패턴층(270) 및 상기 전자주입층(255)는 각각 상기 제2 도전층(270)으로부터 상기 패턴층(270)을 통하여 상기 전자주입층(255)으로 전자가 주입 및 수송될 수 있는 에너지 준위를 갖는다. 상기 제 2 도전층(270)은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 투명전극(ITO)으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 제 1 도전층(210)은 애노드 전극으로 형성하고, 상기 제 2 도전층(270)은 캐소드 전극으로 형성할 수 있다. 이 때, 상기 캐소드 전극 하부에 형성 된 패턴층(280)은 정공억제층, 전자수송층, 또는 전자 주입층으로 형성할 수 있다.
도 4를 참조하여, 본 발명의 제 3 실시상태에 따른 유기발광소자의 제조방법을 설명하면, 본 실시상태에서는 유기물층 유닛이 2개 이상 적층된 유기발광소자를 형성한다. 즉, 실시상태 1에서와 같이 기판(300) 상에 제 1 도전층(310)을 형성하고, 발광 영역(A)과 상응하도록 상기 제 1 도전층(310) 상에 제1 패턴층(320)을 형성한 후, 상기 제1 패턴층(320) 및 상기 제 1 패턴층(320)에 의해 노출된 상기 제 1 도전층(310) 상에 제 1 유기물층(380a)을 형성한다. 그러나, 제 1 유기물층(380a) 상에 제 2 도전층을 형성한 제 1 실시상태와는 달리, 제 2 도전층(370)을 형성하기 전에, 상기 제 1 유기물층(380a) 상에 제 3 도전층(358)을 형성한다.
그리고, 상기 제 3 도전층(358) 상에 제 2 패턴층(360)을 형성한다. 상기 제 2 패턴층은 또 다른 발광영역(C)와 상응하도록 형성할 수 있다. 상기 제 2 패턴층(360) 및 상기 제 2 패턴층(360)에 의해 노출된 제 3 도전층(358) 상에 제 2 유기물층(380b)을 형성하고, 상기 제 2 유기물층(380b) 상에 제 2도전층(370)을 형성한다.
이때, 상기 제1 유기물층(380a)과 상기 제3 도전층(358) 사이 및/또는 상기 제 2 유기물층(380b)과 상기 제 2 도전층(370) 사이에 또 다른 제 3의 패턴층을 형성할 수도 있다. 상기 제 3의 패턴층을 형성할 경우, 상기 제 3 패턴층은 정공억제층, 전자수송층, 또는 전자 주입층으로 형성할 수 있다.
상기 패턴층, 상기 패턴층에 접하는 도전층 및 상기 패턴층에 접하는 유기물층은 각각 상기 패턴층을 통하여 전하가 주입 또는 수송되고, 상기 도전층과 유기 물층이 접하는 영역에서 상기 도전층으로부터 상기 유기물층으로 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않는 에너지 준위를 갖는다.
상기 제 1 패턴층(320) 또는 상기 제 2 패턴층(360)은 정공주입층 또는 정공수송층으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 제 1 패턴층(320) 또는 상기 제 2 패턴층(360)은 n-형 유기물층으로 형성하고, 상기 제 1 유기물층(380a) 또는 상기 제2 유기물층(380b)은 p-형 유기물층으로 형성할 수 있다. 상기 n-형 유기물층과 상기 p-형 유기물층의 특징은 상기 제1 실시상태의 유기물의 특징을 따른다.
제 3 실시상태에서는 상기의 특징을 가지는 패턴층들을 형성하여 발광 영역 상의 전하 이동에 대한 전기적 장벽을 낮추어줌으로써 전하 주입능력을 향상시킬 뿐만 아니라, 다수 층의 다양한 형태의 패턴층들을 형성함으로써 여러 형태의 발광모양을 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 도전층과 유기물층 사이에 패턴층을 구비함으로써, 도전층과 유기물층의 계면에서 정공주입 또는 전자주입에 대한 전기적 장벽을 낮출 수 있는 효과가 있다. 따라서, 전하의 주입능력을 개선시켜, 발광메커니즘을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, 유기발광소자의 전극과 유기물층 사이의 계면에서 전하주입에 대한 전기적 장벽을 낮출 수 있는 패턴층을 형성함으로써 보다 다양한 물질의 전극을 구비할 수 있다. 그리고, 적층형 구조에 있어서 다수 개의 패턴층들을 서로 다른 형태로 형성함으로써 여러 가지 모양의 발광형태를 구현할 수 있는 장점이 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시상태를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (20)
- 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 위치하는 제 1 도전층 및 제 2 도전층; 및 상기 제 1 도전층과 제 2 도전층 사이에 위치하는, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 제1 도전층과 제 2 도전층 중 적어도 하나의 도전층과 상기 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 형성된 패턴층이 구비되고, 이 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송되고, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층이 직접 접하는 영역에서는 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 패턴층은 유기물, 무기물 또는 이들의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 도전층은 캐소드 전극이고, 상기 제 2 도전층은 애노드 전극인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 도전층은 애노드 전극이고, 상기 제 2 도전층은 캐소드 전극인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 4에 있어서, 상기 애노드 전극과 유기물층 사이의 패턴층은 정공주입층 또는 정공수송층인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 4에 있어서, 상기 캐소드 전극과 유기물층 사이의 패턴층은 정공억제층, 전자수송층, 또는 전자주입층인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 정공억제층(HBL), 전자수송층(ETL), 및 전자주입층(EIL)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기물층에서 발생한 빛은 상기 기판을 향한 방향(bottom emission), 상기 기판의 반대방향(top emission) 또는 양 방향으로 방출하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 패턴층은 상기 제1 도전층과 제 2 도전층 중 적어도 하나의 도전층과 접하고, n-형 유기물층으로 이루어지며, 상기 패턴층과 접하는 유기물층은 p-유기물층으로 이루어져 상기 패턴층과 NP 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 9에 있어서, 상기 제 도전층의 페르미 준위, 상기 패턴층의 루 모(LUMO) 에너지 준위, 및 상기 패턴층과 접하는 유기물층의 호모(HOMO) 에너지 준위는 하기 식 (1) 및 (2)를 만족하는 것인 유기발광소자:
상기 식 (1)과 (2)에 있어서, EF1은 상기 도전층의 페르미 에너지 준위이고, EnL 은 상기 패턴층의 루모(LUMO) 에너지 준위이며, EpH는 상기 패턴층과 NP접합을 형성하는 유기물층의 호모(HOMO) 에너지 준위이다. - 청구항 9에 있어서, 상기 n-형 유기물은 4 내지 7 eV의 LUMO 에너지 준위 및 10-8cm2/Vs 내지 1 cm2/Vs의 전자이동도를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 9에 있어서, 상기 n-형 유기물층은 하기의 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자:[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R6은 각각 수소, 할로겐 원자, 니트릴(-CN), 니트로(-NO2), 술포닐(-SO2R), 술폭사이드(-SOR), 술폰아미드(-SO2NR), 술포네이트(-SO3R), 트리플루오로메틸(-CF3), 에스테르(-COOR), 아미드(-CONHR 또는 -CONRR'), 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C12 알콕시, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C1-C12의 알킬, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족의 헤테로 고리, 치환 또는 비치환된 아릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-아릴아민, 및 치환 또는 비치환된 아랄킬아민으로 구성된 군에서 선택되며, 상기 R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환된 C1-C60의 알킬, 치환 또는 비치환된 아릴, 및 치환 또는 비치환의 5-7원 헤테로 고리로 이루어진 군에서 선택된다. - 청구항 12에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-6으로 나타내어지는 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자:[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
[화학식 1-4]
[화학식 1-5]
[화학식 1-6]
- 청구항 1에 있어서, 상기 패턴층은 상기 제1 도전층과 제 2 도전층 중 적어도 하나의 도전층과 접하고, 상기 패턴층은 LiF, NaF, CsF, Ca, Mg CaO및 MgO로 이루어진 군에서 선택된 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 제1 도전층, 적어도 하나의 중간 도전층 및 제2 도전층과, 상기 도전층들 사이에 각각 배치된 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 포함하는 적층형 유기발광소자에 있어서, 상기 도전층들 중 적어도 하나와 상기 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 형성된 패턴층이 구비되고, 이 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송되고, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층이 직접 접하는 영역에서는 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않는 것을 특징으로 하는 적층형 유기발광소자.
- 청구항 15에 있어서, 각각의 도전층과 그 도전층의 상부에 위치하는 유기물층과 사이에 상기 패턴층을 구비된 것인 적층형 유기발광소자.
- 청구항 15에 있어서, 상기 패턴층이 2 이상 포함되고, 이들 패턴층은 서로 동일하거나 상이한 패턴을 갖는 것인 적층형 유기발광소자.
- 청구항 15에 있어서, 상기 제 1 도전층과 상기 제 2 도전층 사이에 위치한 제 3 도전층을 포함하고, 상기 제 3 도전층의 상부 및 하부에 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층 중 적어도 하나의 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 형성된 패턴층이 구비된 것인 적층형 유기발광소자.
- 청구항 1의 유기발광소자를 포함하는 표시 소자.
- 기판 상에 제1 도전층, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층 및 제2 도전층을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 제1 도전층과 제 2 도전층 중 적어도 하나의 도전층과 상기 1층 이상의 유기물층 사이에 발광영역에 상응하도록 패턴층을 형성하되, 상기 패턴층을 통하여 도전층과 유기물층 사이에 전하가 주입 또는 수송될 수 있는 재료로 상기 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 패턴층의 상면 및 하면에 각각 접하는 2층은 이들 2층이 직접 접하는 영역에서 직접 전하가 주입 또는 수송되지 않는 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
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