JP2008243958A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008243958A JP2008243958A JP2007079628A JP2007079628A JP2008243958A JP 2008243958 A JP2008243958 A JP 2008243958A JP 2007079628 A JP2007079628 A JP 2007079628A JP 2007079628 A JP2007079628 A JP 2007079628A JP 2008243958 A JP2008243958 A JP 2008243958A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- light emitting
- transport layer
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】対向する2つの電極1,2間に、ホール輸送層4、有機発光層3、電子輸送層5をこの順に積層した有機層6を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。ホール輸送層4の有機発光層3に接する部位、有機発光層3内の部位、電子輸送層5の有機発光層3に接する部位のうち少なくとも一つの部位に、有機層6を構成する有機成分に絶縁物が0.1質量%以上20質量%以下含有される混合層7を設ける。有機層6を構成する有機成分に絶縁物が含有される混合層7を設けることによって、有機層6のキャリア輸送性を調整することができると共に、有機層6の膜質を安定化することができる。
【選択図】図1
Description
厚み110nmのITOが陽極の電極1として図3のパターンのように成膜された0.7mm厚のガラス基板8を用意した。陽極を形成するITOのシート抵抗は、約12Ω/□である。そしてこれを洗剤、イオン交換水、アセトンで各10分間超音波洗浄をした後、IPA(イソプロピルアルコール)で蒸気洗浄して乾燥し、さらにUV/O3処理した。この後、この基板8をヨウ素のIPA溶液(ヨウ素濃度50質量%)に3分間浸漬した後、表面に液滴が残らないように乾燥し、120℃で真空下、2分間焼成した。
混合層7として、TBADN(有機発光層のホスト材料)、Alq(電子輸送層の主成分)、LiF(絶縁物)の3成分を48:48:4の質量比で混合して蒸着した層を形成したこと以外は実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た(図1(b)(e)参照)。
実施例1において、ホール輸送層4を形成した後、この上にTBADNとsty−NPDを質量比96:4で混合した厚み35nmの層と、TBADNとsty−NPDとLiFを質量比92:4:4で混合した厚み5nm層を蒸着して有機発光層3を形成し、実施例1と同様にこの上にAlq(電子輸送層の主成分)とLiF(絶縁物)からなる混合層7を形成した後に、この上にAlqからなる厚み10nmの電子輸送層5を形成した。その他は、実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た(図1(b)参照)。
実施例1と同様にして、ホール輸送層4としてα−NPDを45nmの膜厚で形成した後、この上に混合層7としてα−NPD(ホール輸送層の主成分)に4質量%のLiF(絶縁物)を混合した層を5nmの膜厚で形成し、この上にTBADNとsty−NPDを質量比96:4で混合した有機発光層3を40nmの膜厚で形成し、さらにこの上に電子輸送層5としてAlqを10nmの膜厚で形成した。その他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た(図1(a)参照)。
混合層7として、α−NPD(ホール輸送層の主成分)とTBADN(有機発光層のホスト材料)とLiF(絶縁物)の3成分を質量比48:48:4で混合した膜厚5nmの層を形成するようにした他は、実施例4と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た(図1(a)(d)参照)。
実施例1と同様にして、ホール輸送層4としてα−NPDを45nmの膜厚で形成した後、この上に混合層7としてα−NPD(ホール輸送層の主成分)とTBADN(有機発光層のホスト材料)とLiF(絶縁物)の3成分を質量比48:48:4で混合した層を5nmの膜厚で形成し、この上にTBADNとsty−NPDを質量比96:4で混合した有機発光層を40nmの膜厚で形成し、この上に混合層7として、TBADN(有機発光層のホスト材料)とAlq(電子輸送層の主成分)とLiF(絶縁物)の3成分を質量比86:10:4で混合した膜厚5nmの層を形成し、さらにこの上に電子輸送層5としてAlqを5nmの膜厚で形成した。その他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た(図4参照)。
混合層7として、Alq(電子輸送層の主成分)とパラフィン(絶縁物)を質量比96:4で混合した膜厚5nmの層を形成するようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た(図1(b)参照)。
混合層7として、TBADN(有機発光層のホスト材料)とAlq(電子輸送層の主成分)とMgF2(絶縁物)を質量比80:16:4で混合した膜厚5nmの層を形成するようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た(図1(b)(e)参照)。
混合層7として、TBADN(有機発光層のホスト材料)とAlq(電子輸送層の主成分)とSiO2(絶縁物)を質量比80:16:4で混合した膜厚5nmの層を形成するようにした他は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た(図1(b)(e)参照)。
実施例1において、電子輸送層5をAlqを10nmの膜厚に成膜した層で形成し、混合層を形成しないようにした。その他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
実施例1において、混合層7を、絶縁物を添加しないで、TBADN(有機発光層のホスト材料)とAlq(電子輸送層の主成分)の質量比50:50の混合物で形成するようにした。その他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
実施例1において、混合層7を、Alq(電子輸送層の主成分)とLiF(絶縁物)を質量比60:40で混合して、絶縁物の添加量が過剰な層で形成するようにした。その他は実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
実施例1において、電子輸送層5をLiFを10nmの膜厚に成膜した層で形成するようにした。その他は実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
2 電極
3 有機発光層
4 ホール輸送層
5 電子輸送層
6 有機層
7 混合層
8 基板
Claims (4)
- 対向する2つの電極間に、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層をこの順に積層した有機層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に於いて、ホール輸送層の有機発光層に接する部位、有機発光層内の部位、電子輸送層の有機発光層に接する部位のうち少なくとも一つの部位に、有機層を構成する有機成分に絶縁物が0.1質量%以上20質量%以下含有される混合層を設けて成ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 上記混合層が、ホール輸送層の有機発光層と接する部位及び有機発光層のホール輸送層と接する部位のうち少なくとも一方に設けられ、この混合層に有機層を構成する有機成分として、ホール輸送層を構成する主成分と有機発光層のホスト材料の両者が含有されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 上記混合層が、電子輸送層の有機発光層と接する部位及び有機発光層の電子輸送層と接する部位のうち少なくとも一方に設けられ、この混合層に有機層を構成する有機成分として、電子輸送層を構成する主成分と有機発光層のホスト材料の両者が含有されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 上記混合層を構成する絶縁物が、106Ωcm以上の比抵抗を有するものであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007079628A JP5102522B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007079628A JP5102522B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008243958A true JP2008243958A (ja) | 2008-10-09 |
JP5102522B2 JP5102522B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=39914971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007079628A Expired - Fee Related JP5102522B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5102522B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010251585A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Toyota Central R&D Labs Inc | 有機電界発光素子 |
JP2010272353A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
WO2016204275A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 国立大学法人山形大学 | 有機電荷輸送層、有機elデバイス、有機半導体デバイス及び有機光電子デバイス |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000340361A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2004193011A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2004193018A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子 |
JP2005322465A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Canon Inc | 有機el素子 |
JP2006128717A (ja) * | 2001-11-22 | 2006-05-18 | Canon Inc | 発光素子及びその製造方法及び発光装置 |
JP2006157022A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Au Optronics Corp | 有機elダイオード及び有機elダイオードの効率改善方法 |
JP2007042914A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | 電子デバイスおよび電子機器 |
JP2008098475A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機発光素子の構造 |
-
2007
- 2007-03-26 JP JP2007079628A patent/JP5102522B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000340361A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2006128717A (ja) * | 2001-11-22 | 2006-05-18 | Canon Inc | 発光素子及びその製造方法及び発光装置 |
JP2004193011A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2004193018A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子 |
JP2005322465A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Canon Inc | 有機el素子 |
JP2006157022A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Au Optronics Corp | 有機elダイオード及び有機elダイオードの効率改善方法 |
JP2007042914A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | 電子デバイスおよび電子機器 |
JP2008098475A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機発光素子の構造 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010251585A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Toyota Central R&D Labs Inc | 有機電界発光素子 |
JP2010272353A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
WO2016204275A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 国立大学法人山形大学 | 有機電荷輸送層、有機elデバイス、有機半導体デバイス及び有機光電子デバイス |
JPWO2016204275A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2018-04-05 | 国立大学法人山形大学 | 有機電荷輸送層、有機elデバイス、有機半導体デバイス及び有機光電子デバイス |
US10381566B2 (en) | 2015-06-17 | 2019-08-13 | National University Corporation Yamagata University | Organic charge transport layer, organic EL device, organic semiconductor device, and organic photoelectric device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5102522B2 (ja) | 2012-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4915650B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4915913B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5149497B2 (ja) | 有機発光素子 | |
JP5476061B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP6089280B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5237541B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4886352B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4966176B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2011074633A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5102533B2 (ja) | 有機発光素子 | |
JP2007335214A (ja) | 有機発光素子 | |
JP2008294356A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2010092741A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4915651B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4872805B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4915652B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5102522B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2010034042A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4950632B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2003282265A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2010033973A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4886476B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5388375B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2010108652A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP5075027B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091026 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101008 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110812 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111216 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120928 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5102522 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |