KR20070089169A - 아미드 치환된 실리콘, 이의 제조방법 및 이의 용도 - Google Patents

아미드 치환된 실리콘, 이의 제조방법 및 이의 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명은 아미드 치환된 실리콘(A)과 열 전도성 충전제(B)를 포함하는 조성물에 관한 것이다. 조성물은 전자 장치로부터의 열을 소산시키기 위한 열 전달재로서 사용할 수 있다.
아미드 치환된 실리콘, 열 전도성 충전제, 열 전달재, 전자 장치, 방열기.

Description

아미드 치환된 실리콘, 이의 제조방법 및 이의 용도{Amide-substituted silicones and methods for their preparation and use}
관련 출원에 대한 상호 참조
본원은 2004년 12월 16일자로 출원된 미국 가특허원 제60/636,837호에 대한 35 U.S.C. §119(e)하의 우선권을 주장하며, 본원은 또한 2005년 5월 9일자로 출원된 미국 가특허원 제60/679,142호에 대한 35 U.S.C. §119(e)하의 우선권을 주장한다. 미국 가특허원 제60/636,837호 및 미국 가특허원 제60/679,142호는 이로써 본원에 참조로 인용된다.
본 발명은 아미드 치환된 실리콘, 이의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명은 추가로, 아미드 치환된 실리콘과 열 전도성 충전제를 포함하는 조성물에 관한 것이다. 당해 조성물은 그리스(grease) 또는 상 변화 물질일 수 있으며, 열 전달재(thermal interface material, "TIM")로서 사용될 수 있다.
반도체, 트랜지스터, 집적 회로(IC), 개별 소자 및 당해 기술분야에 공지된 부품 등의 기타 전자 부품은 통상적인 작동 온도에서 또는 통상적인 작동 온도 범위 내에서 작동하도록 고안된 것이다. 그러나, 전자 부품을 작동시키면 열이 발생한다. 열이 충분히 제거되지 않는 경우, 전자 부품은 이의 통상적인 작동 온도를 현저히 초과하는 온도에서 작동될 것이다. 과도한 온도는 전자 부품 및 이와 관련된 장치의 작동의 성능에 역효과를 내어 고장에 이르는 평균 시간에 부정적인 영향을 미칠 수 있다.
이러한 문제를 피하기 위하여, 열을 전자 부품으로부터 방열기(heat sink)까지의 열 전도에 의하여 제거할 수 있다. 이어서, 방열기를 대류 또는 방사 기술 등의 어떠한 편리한 수단에 의해서라도 냉각시킬 수 있다. 열 전도 동안, 열은 전자 부품과 방열기 사이의 표면 접촉에 의해 또는 TIM으로 전자 부품과 방열기를 접촉시켜 전자 부품으로부터 방열기까지 이동할 수 있다. 매질의 열 임피던스가 낮을수록, 전자 부품으로부터 방열기까지의 열 유동이 커진다.
전자 부품과 방열기의 표면은 통상적으로 완전히 평활하지 않으므로, 표면들 사이의 완전한 접촉을 달성하는 것이 곤란하다. 불량한 열 전도체인 공간(air space)이 표면들 사이에 나타나 임피던스를 증가시킨다. 이러한 공간은 표면들 사이에 TIM을 삽입시켜 충전시킬 수 있다. 그러므로, 적합한 TIM이 지속적으로 요구되고 있다.
발명의 요약
본 발명은 아미드 치환된 실리콘 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명 은 추가로, 아미드 치환된 실리콘과 열 전도성 충전제를 포함하는 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 추가로, 조성물이 사용될 수 있는 방법 및 장치에 관한 것이다.
모든 양, 비율 및 백분율은 달리 지시되지 않는 한, 중량 기준이다. 다음은 본원에 사용된 정의의 목록이다.
용어의 정의 및 사용
부정관사("A" 및 "an")는 각각 하나 이상을 의미한다.
"아미드 치환된 실리콘"은 규소원자에 분자당 평균 하나 이상의 아미드 관능성 치환체가 결합된, 규소와 산소원자로 구성된 주쇄를 갖는 중합체를 의미한다.
"배합물/조합물"은 어떠한 방법으로든 함께 들어간 2종 이상의 품목을 의미한다.
"연화 온도"는 고형, 결정성 또는 유리질 상이 반고형 상으로 전이됨을 나타내는 온도 또는 온도 범위를 의미하며, 이는 분자내 쇄 회전을 나타내는 것으로 특징화될 수 있다.
"치환된"은 탄소원자에 결합된 하나 이상의 수소원자가 또 다른 치환체로 대체됨을 의미한다. 치환체의 예로는 이들로 한정하려는 것은 아니지만, 할로겐 원자(예: 염소, 불소, 브롬 및 요오드) 및 유기관능성 그룹(예: 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 아미드 관능성 그룹, 아민 관능성 그룹, 카보닐 그룹 및 시아노 관능성 그룹)을 들 수 있다.
"표면 처리된"은 충전제 입자 위의 모든 또는 일부의 반응성 그룹이 어떠한 편리한 화학적 또는 미반응적 수단에 의해서 비반응성으로 됨을 의미한다.
조성물
본 발명의 조성물은 그리스(grease) 또는 상 변화 물질일 수 있다. 당해 조성물은 아미드 치환된 실리콘과 열 전도성 충전제를 포함한다.
아미드 치환된 실리콘
성분(A)은 분자당 평균 하나 이상의 규소 결합된 아미드 관능성 그룹을 함유하는 아미드 치환된 실리콘이다. 또는, 폴리오가노실록산은 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 아미드 관능성 그룹을 함유한다. 또는, 폴리오가노실록산은 분자당 평균 3개 이상의 규소 결합된 아미드 관능성 그룹을 함유한다. 또는, 폴리오가노실록산은 분자당 평균 1 내지 6개의 규소 결합된 아미드 관능성 그룹을 함유한다. 또는, 폴리오가노실록산은 분자당 평균 1 내지 3개의 규소 결합된 아미드 관능성 그룹을 함유한다.
성분(A)은 단일 아미드 치환된 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 성분(A)은 구조, 점도, 평균 분자량, 실록산 단위 및 순서 등의 특성들 중의 하나 이상이 상이한, 2개 이상의 아미드 치환된 실리콘을 포함하는 배합물을 포함할 수 있다. 성분(A)은 25℃에서 액체이거나 25℃에서 고체일 수 있다. 성분(A)은 화학식 1의 단위를 가질 수 있다.
(R2 aR1 3 - aSiO1 /2)u(R2 bR1 2 - bSiO2 /2)v(R2 cR1 1 - cSiO3 /2)w(R1 3SiO1 /2)x(R1 2SiO2 /2)y(R1SiO3 /2)z(SiO4 /2)1-u-v-w-x-y-z
위의 화학식 1에서,
a는 0 내지 1이고,
b는 0 내지 1이고,
c는 0 내지 1이고,
(u+x)는 0 내지 0.4이고,
(v+y)는 0.6 내지 1이며,
(w+z)는 0 내지 0.1이다.
또는, (u+x)는 0.02 내지 0.15이고, (v+y)는 0.85 내지 0.98일 수 있다.
R1은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 그룹이다. R1에 대한 1가 탄화수소 그룹은 직쇄형, 측쇄형, 환형 또는 방향족일 수 있다. R1에 대한 1가 탄화수소 그룹은 치환되거나 치환되지 않을 수 있다. 적합한 탄화수소 그룹으로는 이들로 한정하려는 것은 아니지만, 지방족 불포화 탄화수소 그룹 및 지방족 불포화가 없는 탄화수소 그룹이 포함된다. 지방족 불포화 탄화수소 그룹의 예로는 알케닐 그룹(예: 비닐, 알릴, 부테닐, 펜테닐 및 헥세닐)을 들 수 있다. 지방족 불포화가 없는 탄 화수소 그룹의 예로는 알킬 그룹(예: 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸 및 헥실), 사이클로알킬 그룹(예: 사이클로펜틸 및 사이클로헥실) 및 아릴 그룹(예: 페닐)을 들 수 있다. 또는, R1은 각각 독립적으로 알킬 그룹 또는 알케닐 그룹이다. 또는, R1은 각각 독립적으로 알킬 그룹이다. 또는, R1은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹이다.
R2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 30의 알킬 그룹 또는 화학식
Figure 112007043603973-PCT00001
또는
Figure 112007043603973-PCT00002
의 아미드 관능성 그룹이다. 당해 화학식에서, R2의 0 내지 70mol%는 알킬 그룹이고 R2의 30 내지 100mol%는 아미드 관능성 그룹일 수 있다. R3은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자 또는 1가 유기 그룹이다. 1가 유기 그룹의 예로는 알콕시 그룹(예: 메톡시, 에톡시, 프로폭시 또는 부톡시) 및 알킬 그룹(예: 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸)이 있다. 할로겐 원자의 예로는 염소, 불소, 브롬 및 요오드가 있다. 또는, R3은 각각 수소원자일 수 있다. 또는, R3은 각각 독립적으로 수소원자, 메톡시 그룹 또는 메틸 그룹일 수 있다. R4는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 12의 1가 탄화수소 그룹이다. R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 1가 탄화수소 그룹 또는 화학식 -(CR3 2)rR1의 그룹(여기서, r은 5 내지 29이다)이다. R4 및 R5의 예는 R1에 대하여 위에서 예시한 1가 탄화수소 그룹일 수 있다. R4 및 R5는 직쇄형, 측쇄형, 환형 또는 방향족일 수 있다. R4 및 R5는 치환되거나 치환되지 않을 수 있다. 위의 화학식에서, q는 2 내지 29, 또는 2 내지 24, 또는 2 내지 16일 수 있다.
성분(A)에 적합한 아미드 치환된 실리콘은 직쇄형, 측쇄형, 환형 또는 수지상 구조 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 성분(A)로서 적합한 직쇄형 아미드 치환된 실리콘은 화학식
Figure 112007043603973-PCT00003
의 화합물, 화학식
Figure 112007043603973-PCT00004
의 화합물 또는 이들 화학식이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 성분(A)에 대한 환형 아미드 치환된 실리콘은 화학식
Figure 112007043603973-PCT00005
의 화합물(여기서, R1 및 R2는 위에서 기재한 바와 같다)을 포함할 수 있다. 또는, 직쇄형과 환형 아미드 치환된 실리콘의 배합물을 성분(A)로서 사용할 수 있다.
위의 화학식에서, m은 4 내지 100일 수 있다. 위의 화학식에서, n은 0 내지 100일 수 있다. 위의 화학식에서, p는 1 내지 30, 또는 1 내지 20일 수 있다. 위 의 화학식에서, s는 0 내지 7일 수 있다. 위의 화학식에서, t는 1 내지 8일 수 있다. 양(s+t)은 3 내지 8일 수 있다.
아미드 치환된 실리콘의 제조방법
위에서 예시한 구조를 갖는 아미드 치환된 실리콘의 제조방법은, 불활성 대기하에서 아민과 말단 지방족 불포화 산, 산 무수물 또는 아실 할라이드를 140 내지 260℃, 또는 160℃ 이상, 또는 160 내지 260℃, 또는 200 내지 260℃에서 가열하여 아미드를 형성하는 단계(1), 하나 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 폴리오가노하이드로겐실록산을 단계(1)의 아미드 및 임의로 탄소수 5 내지 30의 말단 알켄으로 백금족 금속 촉매의 존재하에 하이드로실릴화시키는 단계(2)를 포함하는 방법이다. 단계(2)는 25 내지 260℃의 온도 범위에서 가열하여 수행할 수 있다. 예를 들면, 단계(1)에서 화학식
Figure 112007043603973-PCT00006
의 아민은 화학식
Figure 112007043603973-PCT00007
의 산과 배합되어 화학식
Figure 112007043603973-PCT00008
의 아미드(여기서, R1, R4, R5 및 q는 위에서 정의한 바와 같다)를 형성할 수 있다. 이론으로 제약하려는 것은 아니지만, 160℃ 이상, 또는 160 내지 260℃의 온도에서 가열하면 반응 수율을 증가시킬 수 있는 것으로 생각된다.
단계(1)에 사용된 아민의 예로는 이들로 한정하려는 것은 아니지만, 2-에틸헥실아민, 펜에틸아민, 2,3-디메틸사이클로헥실아민, 디펜틸아민, 디헥실아민, 옥 틸아민, 디옥틸아민, 도데실아민, 디도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민 및 이들의 배합물이 있다. 단계(1)에 사용되는 산, 산 무수물 또는 아실 클로라이드의 예로는 이들로 한정하려는 것은 아니지만, 운데실렌산 또는 10-운데세노일 클로라이드가 있다.
임의로, 단계(1)의 생성물은 단계(2) 전에 예를 들면, 진공 증류시켜 정제시킬 수 있다. 임의로, 단계(2)의 생성물은 예를 들면, 승온에서 진공 스트립핑(stripping)시켜 정제시킬 수 있다. 단계(1)에서의 반응물 중의 하나는 비점이 기타 반응물보다 낮은 경우, 과량일 수 있다. 하나의 반응물 대 다른 반응물의 비는 단계(2)에서 0.9 내지 1.1이다. 단계(2)에서의 반응물 중의 하나는 과량일 수 있지만, 단계(2)에서의 반응물의 몰 당량을 생성물의 미반응 반응물을 최소화시키는 데 사용할 수 있다.
단계(2)에서, 단계(1)에서 형성된 아미드 및 임의로 탄소수 5 내지 30의 말단 알켄은 분자당 하나 이상의 규소 결합된 수소원자를 함유하는 폴리오가노하이드로겐실록산과 반응시킬 수 있다. 폴리오가노하이드로겐실록산은 화학식 2의 단위를 가질 수 있다.
(HaR1 3 - aSiO1 /2)u(HbR1 2 - bSiO2 /2)v(HcR1 1 - cSiO3 /2)w(R1 3SiO1 /2)x(R1 2SiO2 /2)y(R1SiO3 /2)z(SiO4 /2)1-u-v-w-x-y-z
위의 화학식 2에서,
R1, a, b, c, u, v, w, x, y 및 z는 위에서 정의한 바와 같다.
또는, 폴리오가노하이드로겐실록산은 화학식
Figure 112007043603973-PCT00009
의 화합물, 화학식
Figure 112007043603973-PCT00010
의 화합물, 화학식
Figure 112007043603973-PCT00011
의 화합물 및 이들 화학식이 조합된 화합물(여기서, R1, m, n, p, s 및 t는 위에서 정의한 바와 같다)로부터 선택될 수 있다. 단계(2)에 사용될 수 있는 말단 알켄의 예로는 1-헥센, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1-헥사데센, 1-옥타데센, 1-에이코센, 1-테트라코센, 1-옥타코센, 1-트리아코센 및 이들의 배합물이 포함된다.
단계(2)에서 사용하기에 적합한 하이드로실릴화 촉매는 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 시판중이다. 하이드로실릴화는 단계(2)에서의 반응물의 중량을 기준으로 하여, 백금족 금속을 0.1 내지 1000ppm의 양으로 가하여 수행한다. 하이드로실릴화 촉매는 백금, 로듐, 루테늄, 팔라듐, 오스뮴 또는 이리듐 금속, 또는 이들의 유기금속 화합물 또는 이들의 배합물로부터 선택된 백금족 금속을 포함할 수 있다. 하이드로실릴화 촉매의 예로는 클로로맥금산, 클로로백금산 육수화물, 이염화백금 등의 화합물 및 매트릭스 또는 코어쉘 유형의 구조물에 마이크로캡슐화된, 당해 화합물과 저분자량 오가노폴리실록산 또는 백금 화합물과의 착체가 있다. 백금과 저분자량 오가노폴리실록산과의 착체에는 백금과 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착체가 포함된다. 이러한 착체는 수지 매트릭스에 마이크로캡슐화될 수 있다.
적합한 하이드로실릴화 촉매는 예를 들면, 미국 특허 제3,159,601호, 제3,220,972호, 제3,296,291호, 제3,419,593호, 제3,516,946호, 제3,814,730호, 제3,989,668호, 제4,784,879호, 제5,036,117호 및 유럽 특허공보 제0 347 895 B호에 기재되어 있다. 마이크로캡슐화 하이드로실릴화 촉매 및 이의 제조방법은 미국 특허 제4,766,176호 및 이 특허 문헌에서 인용된 문헌 및 미국 특허 제5,017,654호에 예시되어 있는 바와 같이, 당해 기술분야에 공지되어 있다.
위에서 예시된 구조를 갖는 아미드 치환된 실리콘의 대체적 제조방법은 아민 관능성 실리콘을 카복실산과 140 내지 260℃, 또는 160℃ 이상, 또는 160 내지 260℃의 온도에서 가열하는 것이다. 아민 치환된 실리콘은 화학식 3의 단위를 가질 수 있다.
(R2' aR1 3 - aSiO1 /2)u(R2' bR1 2 - bSiO2 /2)v(R2' cR1 1 - cSiO3 /2)w(R1 3SiO1 /2)x(R1 2SiO2 /2)y(R1SiO3 /2)z(SiO4 /2)1-u-v-w-x-y-z
위의 화학식 3에서,
a, b, c, u, v, w, x, y, z 및 R1은 위에서 기재한 바와 같고,
R2'은 각각 독립적으로 아민 그룹 또는 탄소수 5 내지 30의 알킬 그룹이며,
단 R2'의 1 내지 100mol%는 아민 관능성 그룹이다.
또는, 아민 치환된 실리콘은 화학식
Figure 112007043603973-PCT00012
의 화합물, 화학식
Figure 112007043603973-PCT00013
의 화합물, 화학식
Figure 112007043603973-PCT00014
의 화합물 및 이들 화학식이 조합된 화합물(여기서, m, n, p, s, t, R1 및 R2'은 위에서 기재한 바와 같다)로부터 선택될 수 있다
위에서 예시한 구조를 갖는 아미드 치환된 실리콘의 또 다른 대체적 제조방법은 카복실산 관능 실리콘을 아민과 140 내지 260℃, 또는 160℃ 이상, 또는 160 내지 260℃의 온도에서 가열함을 포함한다. 카복실산 관능성 실리콘은 화학식 4의 단위를 가질 수 있다.
(R2 " aR1 3 - aSiO1 /2)u(R2 " bR1 2 - bSiO2 /2)v(R2 " cR1 1 - cSiO3 /2)w(R1 3SiO1 /2)x(R1 2SiO2 /2)y(R1SiO3 /2)z(SiO4 /2)1-u-v-w-x-y-z
위의 화학식 4에서,
a, b, c, u, v, w, x, y, z 및 R1은 위에서 기재한 바와 같고,
R2 "은 각각 독립적으로 카복실산 그룹 또는 탄소수 5 내지 30의 알킬 그룹이며,
단 R2 "의 1 내지 100mol%는 카복실산 관능성 그룹이다.
또는, 산 치환된 실리콘은 화학식
Figure 112007043603973-PCT00015
의 화합물, 화학식
Figure 112007043603973-PCT00016
의 화합물, 화학식
Figure 112007043603973-PCT00017
의 화합물 및 이들 화학식이 조합된 화합물로부터 선택될 수 있다. 적합한 아민의 예로는, 이들로 한정하려는 것은 아니지만, 2-에틸헥실아민, 펜에틸아민, 2,3-디메틸사이클로헥실아민, 디펜틸아민, 디헥실아민, 옥틸아민, 디옥틸아민, 도데실아민, 디도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민 및 이들의 배합물이 포함된다.
조성물 중의 성분(A)의 양은 성분(A)에 대하여 선택된 아민 치환된 실리콘, 성분(B)에 대하여 선택된 열 전도성 충전제, 첨가될 수 있는 임의의 추가 성분을 포함한 다양한 인자에 좌우된다. 그러나, 성분(A)의 양은, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 1 내지 65%, 또는 5 내지 10%, 또는 3 내지 30%, 또는 4 내지 8%의 범 위일 수 있다.
열 전도성 충전제
성분(B)은 열 전도성 충전제이다. 조성물 중의 성분(B)의 양은 성분(A)에 대하여 선택된 폴리오기노실록산 및 성분(B)에 대하여 선택된 열 전도성 충전제를 포함한 다양한 인자에 좌우된다. 그러나, 성분(B)의 양은, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 35 내지 98%, 또는 70 내지 96%, 또는 90 내지 95%, 또는 92 내지 95.5%의 범위일 수 있다.
성분(B)은 열 전도성이면서 전기 전도성일 수 있다. 또는, 성분(B)은 열 전도성이면서 전기 절연성일 수 있다. 성분(B)은 금속 충전제, 무기 충전제, 용융성 충전제 또는 이들의 배합물을 포함할 수 있다. 금속성 충전제는 금속 입자 및 입자의 표면 위에 층을 갖는 금속 입자를 포함한다. 이러한 층은 예를 들면, 입자의 표면 위의 질화금속 층 또는 산화금속 층일 수 있다. 적합한 금속 충전제의 예로는 알루미늄, 구리, 금, 니켈, 은 및 이들의 배합물, 또는 알루미늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 입자가 있다. 적합한 금속 입자의 예로는 추가로 질화알루미늄, 산화알루미늄, 산화구리, 산화니켈, 산화은 및 이들의 배합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 층을 위에서 기재한 금속 표면 위 갖는 금속 입자가 있다. 예를 들면, 금속 충전제는 표면 위에 산화알루미늄 층을 갖는 알루미늄 입자를 포함할 수 있다. 무기 충전제의 예로는 산화알루미늄, 산화베릴륨, 질화붕소, 산화마그네슘, 탄화규소, 탄화텅스텐, 산화아연 및 이들의 배합물이 있다. 또는, 무기 충전제의 예로는 산화알루미늄, 산화아연 및 이들의 배합물이 있다. 용융성 충전 제는 Ga, In, Sn 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 용융성 충전제는 임의로 Ag, Bi, Cd, Pb, Zn 또는 이들의 배합물을 추가로 포함할 수 있다. 적합한 용융성 충전제의 예로는 Ga, In-Bi-Sn 합금, Sn-In-Zn 합금, Sn-In-Ag 합금, Sn-Ag-Bi 합금, Sn-Bi-Cu-Ag 합금, Sn-Ag-Cu-Pb 합금, Sn-Ag-Cu 합금, Sn-Ag 합금, Sn-Ag-Cu-Zn 합금 및 이들의 배합물이 포함된다. 용융성 충전제의 융점은 250℃ 이하, 또는 225℃ 이하일 수 있다. 용융성 충전제의 융점은 50℃ 이상, 또는 150℃ 이상일 수 있다. 용융성 충전제는 공융 합금, 비공융 합금 또는 순수한 금속일 수 있다. 용융성 충전제는 시판중이다.
알루미늄 충전제는 예를 들면, 미국 일리노이주 네이퍼빌 소재의 토열 어메리카, 인코포레이티드(Toyal America, Inc.)에서 시판중이다. 은 충전제는 미국 매사추세츠주 아틀보로 소재의 메탈로 테크놀로지스 유.에스,에이. 코포레이션(Metalor Technologies U.S.A. Corp. of Attleboro)에서 시판중이다.
열 전도성 충전제는 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 시판중인데, 예를 들면, 미국 특허 제6,169,142호(컬럼 4, 7 내지 33행)를 참조한다. 예를 들면, CB-A20S 및 Al-43-Me는 쇼와-덴코(Showa-Denko)에서 시판중인, 입자 크기가 상이한 산화알루미늄 충전제이고, AA-04, AA-2 및 AA18은 스니토모 케미칼 캄파니(Sumitomo Chemical Company)에서 시판중인, 산화알루미늄 충전제이다. 상표명 KADOX® 및 XX®의 산화아연 등의 산화아연은 미국 펜실베니아주 모나카 소재의 징크 코포레이션 오브 어메리카(Zinc Corporation of America)에서 시판중이다.
열 전도성 충전제 입자의 형상은 구체적으로 제한되지 않지만, 둥글거나 구 형인 입자는 조성물 중에서 열 전도성 충전제의 높은 하중하에 점도가 불필요한 수준으로 증가하는 것을 방지할 수 있다.
성분(B)은 단일 열 전도성 충전제 또는 입자 형상, 평균 입자 크기, 입자 크기 분포 및 충전제 유형 등의 하나 이상의 특성이 상이한 2개 이상의 열 전도성 충전제의 배합물일 수 있다. 예를 들면, 무기 충전제의 배합물, 예를 들면, 평균 입자 크기가 큰 제1 산화알루미늄과 평균 입자 크기가 작은 제2 산화알루미늄과의 배합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 또는, 예를 들면, 평균 입자 크기가 큰 산화알루미늄과 평균 입자 크기가 작은 산화아연과의 배합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 또는, 금속 충전제의 배합물, 예를 들면, 평균 입자 크기가 큰 제1 알루미늄과 평균 입자 크기가 작은 제2 알루미늄과의 배합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 또는, 금속 충전제와 무기 충전제의 배합물, 예를 들면, 알루미늄 충전제와 산화알루미늄 충전제와의 배합물; 알루미늄 충전제와 산화아연 충전제와의 배합물; 또는 알루미늄, 산화알루미늄 및 산화아연 충전제의 배합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 평균 입자 크기가 큰 제1 충전제와 제1 충전제보다 평균 입자 크기가 작은 제2 충전제를 사용하면 팩킹 효율이 개선되고 점도가 감소되며 열 전달성이 개선될 수 있다.
열 전도성 충전제의 평균 입자 크기는 성분(B)에 대하여 선택된 열 전도성 충전제의 유형 및 조성물에 첨가된 정확한 양을 포함하는 다양한 인자에 좌우되지만, 열 전도성 충전제의 평균 입자 크기는 0.1 내지 80㎛, 또는 0.1 내지 50㎛, 또는 0.1 내지 10㎛일 수 있다.
추가 성분
조성물은 하나 이상의 추가 성분을 추가로 포함할 수 있다. 적합한 추가 성분의 예로는 충전제용 처리제(C), 산화방지제(D), 안료(E), 스페이서(F), 비히클(G), 습윤제(H), 소포제(I), 난연제(J), 녹 방지제(K), 위에서 기재하고 성분(A)로서 적합한 아미드 치환된 실리콘의 제조방법의 단계(1)에서 형성된 아미드(L), 강화 충전제(M), 촉매 억제제(N), 매트릭스 물질(O) 및 이들의 배합물이 포함된다.
성분(B)에 대한 열 전도성 충전제는 임의로 표면 처리될 수 있다. 추가 성분(C)은 처리제이다. 성분(C)은, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 조성물에 0 내지 5%, 또는 0.1 내지 5%, 또는 0.05 내지 4%의 범위의 양으로 가할 수 있다. 처리제 및 처리 방법은 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 예를 들면, 미국 특허 제6,169,142호(col. 4, 42행 내지 col. 5, 2행) 및 미국 특허 제6,136,758호를 참조한다.
처리제는 화학식 R6 xSi(OR7)(4-x)의 알콕시실란(여기서, x는 1 내지 3일 수 있으며, 또는 3이다)을 포함할 수 있다. R6은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 50, 또는 8 내지 30, 또는 8 내지 18의 1가 탄화수소 그룹이다. R6의 예로는 알킬 그룹(예: 헥실, 옥틸, 도데실, 테트라데실, 헥사데실 및 옥타데실); 방향족 그룹(예: 벤질 및 페닐에틸)이 있다. R6은 포화 또는 불포화되고 분지되거나 분지되지 않고 치환되지 않을 수 있다. R6은 포화되고 분지되지 않고 치환되지 않을 수 있다.
R7은 각각 독립적으로 치환되지 않은 탄소수 1 내지 4, 또는 1 내지 2의 포화 탄화수소 그룹이다. 성분(C)의 예로는 헥실트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 데실트리메톡시실란, 도데실트리메톡시옥시실란, 테트라데실트리메톡시실란, 페닐에틸트리메톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란 및 이들의 배합물이 있다.
알콕시 관능성 올리고실록산 또한 처리제로서 사용될 수도 있다. 알콕시 관능성 올리고실록산 및 이의 제조방법은 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제1 101 167 A2호를 참조한다. 예를 들면, 적합한 알콕시 관능성 올리고실록산은 화학식 (R8O)dSi(OSiR9 2R10)4-d의 화합물을 포함한다. 당해 화학식에서, d는 1, 2 또는 3, 또는 d는 3이다. R8은 각각 알킬 그룹일 수 있다. R9는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 불포화 1가 탄화수소 그룹으로부터 선택될 수 있다. R10은 각각 탄소수 10 이상의 불포화 1가 탄화수소 그룹일 수 있다.
금속 충전제는 알킬티올, 예를 들면, 옥타데실 머캅탄; 지방산, 예를 들면, 올레산 및 스테아르산; 및 이들의 배합물로 처리할 수 있다.
알루미나용 처리제로는 알콕시실릴 관능성 알킬메틸 폴리실록산(예: 화학식 R11 eR12 fSi(OR13)(4-e-f)의 부분 가수분해 축합물, 공가수분해 축합물 또는 혼합물), 가 수분해성 그룹이 실라잔, 아실옥시 또는 옥시모인 유사한 물질이 포함된다. 이들 모두에서, Si에 결합된 그룹, 예를 들면, 위의 화학식의 R11은 장쇄 불포화 1가 탄화수소 또는 1가 방향족 관능성 탄화수소이다. R12는 1가 탄화수소 그룹이고, R13은 탄소수 1 내지 4의 1가 탄화수소 그룹이다. 위의 화학식에서, e는 1 내지 3일 수 있다. 위의 화학식에서, f는 0 내지 2일 수 있다. 위의 화학식에서, (e+f)는 1, 2 또는 3이다. 당업자라면 과도하게 실험하지 않고도 충전제의 분산을 보조하는 특정 처리를 최적화시킬 수 있을 것이다.
기타 충전제 처리제로는 알케닐 관능성 폴리오가노실록산이 포함된다. 적합한 알케닐 관능성 폴리외가노실록산으로는, 이것으로 한정하려는 것은 아니지만, 화학식
Figure 112007043603973-PCT00018
의 화합물(여기서, g는 1,500 이하이다)이 포함된다.
추가 성분(D)은 산화방지제이다. 존재하는 경우, 성분(D)은 조성물에, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 0.001 내지 1%의 범위의 양으로 가할 수 있다. 적합한 산화방지제는 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 시판중이다. 적합한 산화방지제로는 페놀성 산화방지제 및 페놀성 산화방지제와 안정제와의 배합물이 포함된다. 페놀성 산화방지제로는 완전한 입체 장애 페놀 및 부분 장애 페놀이 포함된다. 안정제로는 유기인 유도체(예: 3가 유기인 화합물, 포스파이트, 포스포네이트 및 이들의 배합물), 티오시너지스트(thiosynergist)(예: 설파이드, 디알킬디티오카바메 이트, 디티오디프로피오네이트 및 이들의 배합물을 포함하는 유기황 화합물), 및 입체 장애 아민(예: 테트라메틸-피페리딘 유도체)이 포함된다. 적합한 산화방지제 및 안정제는 문헌[참조: in Zweifel, Hans, "Effect of Stabilization of Polypropylene During Processing and Its Influence on Long-Term Behavior under Thermal Stress," Polymer Durability, Ciba-Geigy AG, Additives Division, CH-4002, Basel, Switzerland, American Chemical Society, vol. 25, pp. 375-396, 1996]에 기재되어 있다.
적합한 페놀성 산화방지제는 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 비타민 E 및 IRGANOX® 1010(제조원: Ciba Specialty Chemicals, U.S.A.)을 포함한다. IRGANOX® 1010은 펜타에리트리톨 테트라키스(3-(3,5-디-3급 부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트)를 포함한다.
추가 성분(E)은 안료이다. 적합한 안료의 예로는 Stan-Tone 50SP01 그린(PolyOne에서 시판중임) 및 카본 블랙(예: Shawinigan Acetylene black, 제조원: Chevron Phillips Chemical Company LP)이 포함된다.
추가 성분(F)은 스페이서이다. 스페이서는 유기 입자, 무기 입자 또는 이들의 배합물을 포함한다. 스페이서는 열 전도성, 전기 전도성 또는 이들 둘 다의 특성을 가질 수 있다. 스페이서의 입자 크기는 25 내지 250㎛일 수 있다. 스페이서는 단분산 비드(bead)를 포함할 수 있다. 성분(F)의 양은 입자의 분포, 배치 동안 가해진 압력 및 배치 동안의 온도를 포함하는 다양한 인자에 좌우된다. 조성물은 성분(B)의 일부를 대신하여 또는 그 이외에 추가하여, 성분(F)을 0 내지 15%, 또는 0 내지 5% 포함할 수 있다. 스페이서는 성분(C)으로 처리될 수 있다.
추가 성분(G)는 용매 또는 희석제 등의 비히클이다. 성분(G)는 조성물의 제조 동안 가하여 예를 들면, 혼합 및 전달을 보조할 수 있다. 성분(G) 전체 또는 일부는 조성물을 제조한 후에 추가로 제거할 수 있다. 성분(G)은 유기 용매, 성분(A)와 상이한 폴리오가노실록산 유체 또는 이들의 배합물을 포함할 수 있다.
추가 성분(H)은 습윤제이다. 적합한 습윤제로는 습윤제로서 작용하는 것으로 당해 기술분야에 공지된 음이온성, 양이온성 또는 비이온성 계면활성제가 포함된다. 음이온성 습윤제는 TERGITOL® No. 7로 예시되고, 양이온성 습윤제는 TRITON® X-100으로 예시되며, 음이온성 습윤제는 TERGITOL® NR 27로 예시된다.
추가 성분(M)은 성분(B)의 일부를 대신하여 또는 그 이외에 추가하여 첨가할 수 있는 강화 충전제이다. 성분(M)은 실리카 또는 단연 섬유(chopped fiber), 예를 들면, 단연 KEVLAR®일 수 있다. 이론으로 제한하려는 것은 아니지만, 단연 KEVLAR®가 강도 및 열 팽창 계수(CTE)를 개선시키는 것으로 생각된다. 성분(M)은 또한 성분(C)로 처리될 수도 있다.
추가 성분(N)은 촉매 억제제이다. 성분(N)은 추가 반응 촉매 억제제일 수 있다. 추가 반응 촉매 억제제는 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 시판중이고, 예를 들면, 미국 특허 제5,929,164호(컬럼 1, 64행 내지 컬럼 3, 65행)를 참조한다. 이론으로 제약하려는 것은 아니지만, 촉매 억제제가, 예를 들면, 가교결합 성분(A)이 이의 제조방법으로부터의 잔류 하이드로실릴화 촉매를 함유하는 경우, 성분(A)을 방지하는 것으로 생각된다.
추가 성분(O)은 성분(B)의 일부를 대신하여 또는 그 이외에 추가하여 첨가할 수 있는 매트릭스 물질이다. 성분(O)은 유기 왁스, 예를 들면, 유기 아미드 왁스, 피셔-트롭쉬(Fischer-Tropsh) 왁스, 성분(A)과 혼화성인 중합체, 경화제 및 이들의 배합물을 포함할 수 있다. 유기 왁스는 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 시판중이다.
위에서 기재한 조성물은 모든 성분들을, 주위 온도 또는 승온에서 어떠한 편리한 혼합 장치라도 사용하여, 예를 들면, 원심분리 혼합기(예를 들면, Hauschild에서 시판중임) 또는 베이커-퍼킨스(Baker-Perkins) 혼합기를 사용하여 혼합하여 제조할 수 있다.
성분(C)이 존재하는 경우, 조성물은 표면 처리 성분(B)에 의해 임의로 제조한 다음, 조성물의 성분들을 혼합할 수 있다. 또 다른 방법으로, 성분(C)은 기타 성분들 일부 또는 전부와 동시에 혼합할 수 있다.
성분(G)이 존재하는 경우, 조성물은 전체 성분들을 주위 온도 또는 승온에서 혼합하여 제조할 수 있다. 성분(G)의 일부 또는 전체는 혼합 후에 임의로 제거할 수 있다.
그리스
위에서 기재한 조성물은 그리스 또는 PCC로서 제형화할 수 있다. 조성물이 그리스인지 또는 PCC인지는 성분(A)의 선택을 포함한 다양한 인자에 좌우된다. 성분(A)이 25℃에서 액체인 경우, 조성물은 그리스일 수 있다. 그리스는 0.02 내지 0.5℃·㎠/W의 열 저항을 갖는다. 열 저항은 성분(B)에 대하여 선택된 열전도성 충전제의 양 및 유형을 포함한 다양한 인자에 좌우된다.
조성물이 그리스인 경우, 성분(A)에 대한 위의 화학식에서, q는 2 내지 16일 수 있고, m은 4 내지 100일 수 있고, n은 0 내지 100일 수 있고, p는 1 내지 20일 수 있고, s는 0 내지 7일 수 있고, t는 1 내지 8일 수 있으며, (s+t)는 3 내지 8일 수 있다. 조성물이 그리스인 경우, R2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 16의 알킬 그룹 또는 화학식
Figure 112007043603973-PCT00019
또는
Figure 112007043603973-PCT00020
의 아미드 관능성 그룹이다. R4는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 12의 1가 탄화수소 그룹일 수 있다. R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 1가 탄화수소 그룹이다.
성분(A)의 양은 성분(A)에 대하여 선택된 아미드 치환된 실리콘, 성분(B)에 대하여 선택된 열전도성 충전제 및 그리스에 첨가될 수 있는 임의의 추가 성분을 포함한 다양한 인자에 좌우된다. 그러나, 성분(A)의 양은 그리스의 중량을 기준으로 하여, 1 내지 65%, 또는 5 내지 10%일 수 있다.
그리스 중의 성분(B)의 양은 성분(A)에 대하여 선택된 폴리오가노실록산 및 성분(B)에 대하여 선택된 열 전도성 충전제를 포함한 다양한 인자에 좌우된다. 그러나, 성분(B)의 양은 그리스의 중량을 기준으로 하여, 35 내지 98%, 또는 90 내지 95%일 수 있다.
성분(C)은 그리스에, 그리스의 중량을 기준으로 하여, 0 내지 5%, 또는 0.1 내지 5%의 양으로 첨가할 수 있다.
성분(D)은 그리스에, 그리스의 중량을 기준으로 하여, 0 내지 1%, 또는 0.001 내지 1%, 또는 0.01 내지 0.5%의 양으로 첨가할 수 있다. 그리스는 성분(B)의 일부를 대신하여 또는 그 이외에 추가하여, 성분(F)을 0 내지 15%, 또는 0 내지 5% 포함할 수 있다.
PCC
조성물이 PCC인 경우, 성분(A)의 연화 온도 범위는 30 내지 100℃일 수 있다. 위의 화학식에서 아미드 관능성 그룹은 화학식
Figure 112007043603973-PCT00021
(여기서, R1, R3, R4 및 r은 위에서 정의한 바와 같다)으로 나타낼 수 있다. 또는, R1은 각각 독립적으로 알킬 그룹(예: 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸)일 수 있다. 또는, R3은 수소원자일 수 있다. 또는, R4는 수소원자일 수 있다. 성분(A)에 대한 위의 화학식에서, m은 4 내지 100일 수 있고, n은 0 내지 100일 수 있고, p는 1 내지 30일 수 있고, s는 0 내지 7일 수 있고, t는 1 내지 8일 수 있고, (s+t)는 3 내지 8일 수 있고, q는 2 내지 29일 수 있고, r은 5 내지 29일 수 있으며, 단 (q+r)은 19 내지 39일 수 있다. 아미드 치환된 실리콘은,
화학식 HSi(R1)2O[Si(R1)2O]mSi(R1)2H(i), R1 3SiO[Si(R1)2O]n[Si(R1)(H)O]pSiR1 3(ii), [Si(R1)2O]s[Si(R1)(H)O]t(iii)의 화합물 또 는 이들의 배합물로부터 선택된 오가노하이드로겐실록산(a),
화학식 CH2=CH(CR3 2)q-2C(O)NH(CR3 2)rR1의 아미드(b) 및
백금족 금속 촉매(c)를 포함하는 조성물(위의 화학식, R1, R2, m, n, p, s, t, q 및 r은 위에서 정의한 바와 같다)의 하이드로실릴화 반응을 포함하는 방법으로 제조할 수 있다.
PCC에 첨가되는 성분(A)의 양은 PCC의 중량을 기준으로 하여, 3 내지 30%, 또는 4 내지 8%의 범위일 수 있다.
성분(B)의 양은 PCC의 중량을 기준으로 하여, 70 내지 96%, 또는 92 내지 95.5%의 범위일 수 있다. 성분(B)의 양이 지나치게 적은 경우, PCC는 일부 용도에 대하여 불충분한 열 전도율을 가질 수 있다.
성분(C)의 양은 PCC의 중량을 기준으로 하여, 0 내지 4%, 또는 0.05 내지 4%의 범위일 수 있다.
성분(D)의 양은 PCC의 중량을 기준으로 하여, 0 내지 1%, 또는 0.001 내지 1%, 또는 0.01 내지 0.5%의 범위일 수 있다.
PCC는 성분(B)의 일부를 대신하여 또는 그 외에 추가로 성분(F)을 0 내지 15%, 또는 0 내지 5% 함유할 수 있다.
조성물의 사용방법
위에서 기재한 조성물은 전달재, 예를 들면, 열 전달재(TIM)로서 사용할 수 있다. 전달재는 임의의 편리한 형태일 수 있으며, 당업자라면 성분(A)와 성분(B) 및 임의의 추가 성분을 적합하게 선택하여 형태를 조절할 수 있을 것이다. 조성물이 PCC인 경우, PCC는 주위 온도에서 자체 지지되도록 제형화할 수 있다. PCC는 편평한 구성품, 예를 들면, 패드, 타블렛, 시트 또는 테이프로서 임의로 제공될 수 있다. 또는, PCC는 반구형 누빈(nubbin), 볼록한 구성품, 피라미드 또는 콘으로서 제공될 수 있다. PCC는 주위 조건하에 점착성 또는 무점착성 고체로 제형화시킬 수 있다.
PCC는 PCC의 표면 위에 제거 가능한 박리 시트를 임의로 가질 수 있다. 박리 시트는 PCC가 주위 조건에서 점착성인 경우, 사용할 수 있다. 박리 시트는 예를 들면, 표면 에너지가 상대적으로 낮은 왁스 또는 실리콘 피복된 종이 또는 플라스틱 시트일 수 있다. PCC는 직접적 방법, 예를 들면, 분무 피복, 나이프 피복, 로울러 피복, 캐스팅, 드럼 피복, 침지 등, 또는 박리 시트를 사용하는 간접적 이동방법 등의, 어떠한 통상적인 수단에 의해서라도, 페이스 스톡(face stock), 라이너(liner) 또는 기타 박리 시트에 도포할 수 있다. 비히클은 도포 전에 PCC에 가할 수 있으며, 그 후 비히클을 제거하여 박리 시트 위에 접착성 필름, 피막 또는 PCC 잔사를 잔류시킨다.
PCC는 예를 들면, PCC가 가공 동안 충분한 형태 안정성이 부족한 경우, 임의로 기판 위에 피복할 수 있다. 기판은 열 전도성 물질, 전기 전도성 물질 또는 이들 둘 다의 특성을 갖는 물질일 수 있다. 기판은 예를 들면, 금속 호일 또는 천공 금속 포일(즉, 메쉬), 예를 들면, 금, 은, 구리 또는 알루미늄 호일; 폴리이미드; 폴리아미드; 미국 델라웨어주 윌밍톤 소재의 이.아이. 뒤퐁 드 느무아 앤드 컴퍼니, 인코포레이티드(E.I. Du Pont de Nemours and Company, Inc.)에서 제조한 KAPTON®; 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 폴리에스테르(미국 델라웨어주 윌밍톤 소재의 이.아이. 뒤퐁 드 느무아 앤드 컴퍼니, 인코포레이티드에서 제조한 MYLAR®)일 수 있다. PCC는 기판의 하나 이상의 표면 위에 피복할 수 있다. 이론으로 제약하려는 것은 아니지만, 천공 금속 포일의 한 면 위에 PCC의 피막을 포함하는 패드를 제공하면, 천공 금속 포일의 피복되지 않은 표면이 비점착성이고 라이너가 필요하지 않고, 설치후 작동 온도에서 PCC가 천공 금속 포일의 구멍을 통하여 유동할 수 있고, 장치의 표면과 접촉하여 적어도 부분적으로 더 낮은 계면 열 저항으로 냉각될 수 있고, 재작업 공정에서, 방열기 또는 분배기(spreader)가 포일-장치 계면에서 장치로부터 선택적으로 분리될 수 있는 이점이 제공될 수 있다. 당해 패드는 승온에서 PCC 필름 위로 천공 금속 포일을 가압시켜 제작할 수 있다.
또 다른 방법으로, PCC는 기판의 한 면 또는 다수 면에 피복할 수 있다. 박리 시트는 피복된 시판의 피복된 면 또는 면들 위에서 사용할 수 있다. 이러한 전달재는 도 1에 나타낸다. 도 1에서, 전달재(100)는 기판(101)과, 기판(101)의 양 면 위에 형성된 위에서 기재한 PCC 층(102)을 포함한다.
위에서 기재한 PCC를 포함한 다양한 전달재가 제조될 수 있다. 위에서 기재한 PCC는 미국 특허 제4,299,715호 및 제5,904,796호에 기재된 것을 포함하는, 다양한 방법으로 전달재를 제조하는 데 사용할 수 있다.
조성물은 열원과 열 확산기(heat spreader) 사이의 열 통로를 따라 삽입할 수 있다. 조성물은 열 통로 내의 제1 열 확산기와 제2 열 확산기 사이에 삽입할 수 있다. 또는, 조성물은 전자 부품과 열 통로 내의 제1 열 확산기 사이에 삽입할 수 있다. 조성물이 그리스인 경우, 그리스는 이를 습윤 분배, 스크린 인쇄, 스텐실 인쇄 또는 용매 캐스팅하는 등의 어떠한 편리한 수단에 의해서라도 삽입할 수 있다. 조성물이 PCC인 경우, PCC는 형태 안정성 PCC 또는 PCC를 포함하는 전달재를 접착제 또는 프라이머를 사용하지 않고 열원과 열 확산기 또는 방열기 사이에 도포하거나, PCC를 핫-멜트 분배하거나, PCC를 용매 캐스팅하는 등의 어떠한 편리한 수단에 의해서라도 삽입할 수 있다.
열원은 반도체, 트랜지스터, 집적 회로 또는 개별 장치 등의 전자 부품을 포함할 수 있다.
열 확산기는 열 전도판, 열 전도성 커버, 팬, 순환 냉각제 시스템, 방열기 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 조성물은 전자 부품 및 열 확산기(TIM1)와 직접 접촉하여 사용할 수 있다. 조성물은 전자 부품과 그 후에 열 확산기에 도포할 수 있거나, 조성물은 열 확산기와 그 후에 전자 부품에 도포할 수 있다. 또는, 조성물은 제1 열 확산기 및 제2 열 확산기(TIM2)에 도포할 수 있거나, 조성물은 제2 열 확산기와 그 후에 제1 열 확산기에 도포할 수 있다.
조성물이 PCC인 경우, 열 통로를 따라 PCC를 삽입하는 동안 또는 삽입 후에, PCC를 연화점 이상의 온도로 가열할 수 있다. 압력을 가할 수 있다. 이어서, PCC를 냉각시킬 수 있다.
본 발명은 추가로,
전자 부품(a),
열 전달재(b) 및
열 확산기(c)를 포함하는 장치로서, 열 전달재가 전자 부품과 열 확산기 사이에 전자 부품의 표면으로부터 열 확산기의 표면까지 연장된 열 통로를 따라 삽입되어 있고, 열 전달재가 위에서 기재한 그리스를 포함하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 추가로,
전자 부품(a),
제1 열 전달재(b),
제1 열 확산기(c),
제2 열 전달재(d) 및
제2 열 확산기(e)를 포함하는 장치로서, 제1 전달재가 전자 부품과 열 확산기 사이에 전자 부품의 표면으로부터 제2 열 확산기의 표면까지 연장된 열 통로를 따라 삽입되어 있고, 제2 열 전달재가 제1 열 확산기와 제2 열 확산기 사이에 열 통로를 따라 삽입되어 있으며, 제1 열 전달재와 제2 열 전달재 중의 하나 이상이 위에서 기재한 조성물을 포함하는 장치에 관한 것이다.
도 2는 본 발명에 따르는 장치(200)를 나타낸다. 장치(200)는 다이 부착 접착제(209)를 통하여 기판(204)에 설치된 전자 부품(203)(집적 회로 칩으로 나타냄)을 포함한다. 기판(204)은 패드(210)를 통하여 부착된 땜납 볼(205)을 갖는다. 제1 전달재(TIM1)는 IC 칩(203)과 금속 커버(207) 사이에 삽입한다. 금속 커버(207)는 열 확산기로서 작용한다. 제2 전달재(TIM2)(202)는 금속 커버(207)와 방열기(201) 사이에 삽입한다. 장치 작동시, 열은 화살표(208)로 나타낸 열 통로를 따라 이동한다.
제품 및 장치를 위에서 기재한 조성물을 포함하여 제조할 수 있다. 예를 들면, 위에서 기재한 조성물은 미국 특허 제5,912,805호, 제5,930,893호, 제5,950,066호, 제6,054,198호 및 제6,286,212호에 기재된 장치에서 내부의 전달재를 대신하여 또는 전달재 외에 추가로, 열 전달재로서 또는 열 전달재에 사용할 수 있다.
당해 실시예는 당업자에게 본 발명을 설명하기 위한 것이며, 청구의 범위에 기재한 본 발명의 영역을 한정하는 것으로 해석하지 않아야 한다. 달리 언급이 없는 한, 점도는 25℃에서 측정한 값이다. "Me"는 메틸 그룹이다. "C18Si(OMe)3"은 옥타데실트리메톡시실란을 나타낸다.
실시예 1. 말단 이중 결합을 갖는 아미드의 제조
화학식 CH2=CH(CH2)8CO2H의 운데실렌산과 표 1에 따르는 아민을 유리 반응기 속에 넣는다. 반응기를 질소로 10분 동안 퍼징시킨다. 반응기를 질소 스트림 속에서 퍼징시키면서 200℃에서 10시간 동안 가열하고 생성된 물을 수 냉각 컨덴서로 제거한다. 반응기 함유물을 2torr에서 200℃로 가열하여 스트립핑시켜 미반응 시약과 부산물인 잔여 물을 제거한다.
실시예 2. 아미드 치환된 실리콘의 제조
실시예 1에서 제조한 아미드와 표 2에 따르는 폴리오가노하이드로겐실록산을 유리 반응기 속에 넣는다. 반응기를 질소로 10분 동안 퍼징시킨다. 반응기를 교반하면서 질소하에 100℃에서 가열한다. 열원을 제거한다. 반응물의 총 중량을 기준으로 하여 백금을 50ppm 제공하기에 충분한 양의 백금 촉매를 교반하면서 가한다. 온도를 안정화시키고, 온도가 안정되어 반응을 완료한 후, 반응기를 120℃에서 1시간 동안 가열한다. 생성물 샘플을 30 내지 50rad에서의 고정 속도 스윕(sweep) 시험, 40mm 평행판, 컵 고정물 및 0.6mm 갭을 사용하는, 레오메트릭 사이언티픽(Rheometric Scientific)에서 제조한 어드밴스드 레오메트릭 익스팬션 시스템(Advanced Rheometric Expansion System)에서 평가하여, 25℃, 30rad에서의 점도(Eta)를 측정한다. 결과를 표 2에 나타낸다.
실시예 3. 그리스의 제조 및 특성
실시예 2에서 제조한 아미드 치환된 실리콘, 옥타데실트리메톡시실란 및 충전제를 표 3에 따르는 4온스 혼합기 컵 속에 넣는다. 수득한 배합물을 하우스칠드(Hauschild) 원심분리 혼합기에서 일정한 그리스가 수득될 때까지 3500rpm에서 혼합한다. CB-A20S, CB-A09S 및 Al-43-ME는 쇼와 덴코로부터 입수한 알루미나 충전제이고, H-3 및 H5는 발리멧(Valimet)에서 입수한 알루미나 충전제이고, 카독스(Kadox) 911 및 XX-503R은 징크 코포레이션 오브 어메리카에서 입수한 산화아연 충전제이고, ABY-99는 토열 어메리카 인코포레이티드에서 입수한 알루미늄 충전제이다. 생성물 샘플을 0.1 내지 1rad에서의 고정 속도 스윕(sweep) 시험, 25mm 평 행판, 컵 고정물 및 0.6mm 갭을 사용하는, 레오메트릭 사이언티픽에서 제조한 어드밴스드 레오메트릭 익스팬션 시스템에서 처리하여 25℃에서의 점도(Eta)를 측정한다.
실시예 4. 말단 이중 결합을 갖는 아미드의 제조
운데실렌산(CH2=CH(CH2)8CO2H)과 표 4에 따르는 아민을 유리 반응기 속에 넣고, 반응기를 질소로 10분 동안 퍼징시키고, 반응기를 160℃에서 교반하면서 질소하에 2시간 동안 가열하고, 생성된 물을 수 냉각된 컨덴서로 제거하고, 220℃에서 동일한 조건하에 1시간 동안 가열하여 물을 좀더 제거하고, 240℃에서 2torr하에 1시간 동안 가열하여 생성된 어떠한 휘발물이라도 제거한다. 생성물의 샘플을 밀봉 팬에 넣고 Q 1000 시차 주사 열량계(DSC)에서 -30 내지 150℃에서 2℃/분의 등가속으로 처리하여 융점을 측정한다. 결과를 표 4에 기록한다.
실시예 5. 아미드 치환된 실리콘의 제조(ADS)
아민과 표 5에 따르는 SiH 함유 실리콘을 유리 반응기에 넣고, 반응기를 질소로 10분 동안 퍼징시키고, 반응기를 교반하면서 질소하에 120℃로 가열한 다음, 열원을 제거하고, 반응물의 총 중량을 기준으로 하여, Pt 50ppm을 함유한 Pt 촉매를 교반하면서 가하고, 온도가 안정되어 반응이 완료된 후 반응기를 120℃에서 1시간 동안 가열한다. 생성물의 샘플을 1rad에서의 동적 T 등가속 시험, 40mm 평행판, 컵 고정물 및 0.6mm 갭을 사용하는, 레오메트릭 사이언티픽에서 제조한 어드밴스드 레오메트릭 익스팬션 시스템에서 처리하여 30 내지 90℃의 온도 범위에서의 복합 점도(Eta*)를 측정한다. 각각의 생성물의 연화점은 Eta*가 10000poise인 온도를 사용하여 측정한다. 결과를 표 5에 나타낸다.
실시예 6. 열전도성 상 변화 조성물의 제조
아미드 치환된 실리콘, 옥타데실트리메톡시실란(C18Si(OMe)3) 및 충전제를 표 3에 따르는 4온스 덴탈 혼합기 컵에 넣고, 이를 하우스칠드 원심 혼합기에서 3500rpm에서 30초 동안 혼합한다. CB-A20S, CB-A09S 및 Al-43-ME는 쇼와 덴코에서 입수한 Al2O3 충전제이고, H-5 및 H10은 발리멧에서 입수한 Al 충전제이다. 카독스 911은 징크 코포레이션 오브 어메리카로부터 입수한 ZnO 충전제이고, ABY-499는 토열 어메리카 인코포레이티드에서 입수한 Al 충전제이다. 생성물의 샘플을 1rad 주파수, 25mm 평행판 및 0.6mm 갭을 사용하는, 레오메트릭 사이언티픽에서 제조한 어드밴스드 레오메트릭 익스팬션 시스템에서 처리하여 40 내지 60℃의 온도 범위에서의 복합 점도(Eta*)를 측정한다. 결과를 표 6에 나타낸다.
실시예 7. 열 전도성 상 변화 패드의 제작 및 특성
열 전도성 상 변화 조성물(PCC)의 샘플을 2개의 박리 라이너 사이에 놓고 이로부터 두께 4 내지 6mil의 필름을 90℃에서 핫 플레이트 코터에서 연신시킨다. 1㎝×1㎝의 지지되지 않은 패드를 제조하고 55℃에서 20psi하에 히타치 열 저항 시스템(Hitachi Thermal Resistance System)에서 열 저항(TR) 및 경계선 두께(BLT)에 대해 시험한다. 결과를 표 7에 요약한다.
실시예 8. Al 메쉬 또는 포일 위에 운반되는 열 전도성 패드의 제작 및 특성
1.5mil의 Al 메쉬 또는 1mil의 Al 포일을 2개의 박리 라이너 사이에 놓고 PCC 샘플을 메쉬 또는 포일의 위와 아래에 놓는다. 이로부터 두께가 5 내지 6mil인 필름을 핫플레이트 코터 위에서 90℃에서 연신시킨다. 패드를 1㎝×1㎝로 절단하고 열 저항성(TR) 및 경계선 두께(BLT)에 대하여 55℃에서 20psi하에 히타치 열 저항 시스템에서 시험한다. 결과를 표 8에 요약한다.
조성물은 다양한 전자 장치에서 TIM으로서 사용하기에 적합하다.
Figure 112007043603973-PCT00022
Figure 112007043603973-PCT00023
Figure 112007043603973-PCT00024
열 저항은 샘플 3-1, 3-2, 2-2 및 비교용 샘플 3-5에 대해서는 시험하지 않는다. 열 저항은 샘플 3-4, 3-6, 3-7, 3-8, 3-9, 3-10, 3-11, 3-12, 3-13, 3-14 및 3-15에 대하여 측정한다. 이들 샘플의 열저항은 0.048 내지 0.172의 범위이다.
Figure 112007043603973-PCT00025
Figure 112007043603973-PCT00026
Figure 112007043603973-PCT00027
Figure 112007043603973-PCT00028
Figure 112007043603973-PCT00029
도 1은 본 발명에 따르는 전달재이다.
도 2는 본 발명에 따르는 전자 장치의 횡단면도이다.
참조 번호
100 장치
101 방열기
102 제1 전달재(TIM2)
103 집적 회로(IC) 칩
104 기판
105 땜납 볼
106 제1 전달재(TIM1)
107 금속 커버
108 화살표로 나타낸 열 통로
109 다이 부착 접착제
110 패드
111 스페이서

Claims (30)

  1. 화학식 1의 단위를 갖는 아미드 치환된 실리콘.
    화학식 1
    (R2 aR1 3 - aSiO1 /2)u(R2 bR1 2 - bSiO2 /2)v(R2 cR1 1 - cSiO3 /2)w(R1 3SiO1 /2)x(R1 2SiO2 /2)y(R1SiO3 /2)z(SiO4 /2)1-u-v-w-x-y-z
    위의 화학식 1에서,
    a는 0 내지 1이고,
    b는 0 내지 1이고,
    c는 0 내지 1이고,
    (u+x)는 0 내지 0.4이고,
    (v+y)는 0.6 내지 1이고,
    (w+z)는 0 내지 0.1이고,
    R1은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 그룹이고,
    R2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 30의 알킬 그룹 또는 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00030
    의 아미드 관능성 그룹{여기서, R3은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자 또는 1가 유기 그룹이고, R4는 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 12의 탄화수소 그룹이고, R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 1가 탄화수소 그룹 또는 화학식 (CR3 2)rR1의 그룹(여기서, r은 5 내지 29이다)이며, q는 10 내지 29이다}이며,
    단 R2의 1 내지 100mol%는 아미드 관능성 그룹이다.
  2. 제1항에 있어서, 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00031
    의 화합물, 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00032
    의 화합물, 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00033
    의 화합물 및 이들 화학식이 조합된 화합물[여기서, m은 4 내지 100이고, n은 0 내지 100이고, q는 1 내지 30이고, s는 0 내지 7이고, t는 1 내지 8이고, (s+t)는 3 내지 8이며, R1 및 R2는 제1항에서 정의한 바와 같다]로부터 선택되는, 아미드 치환된 실리콘.
  3. 아민과 지방족 불포화 산, 산 무수물 또는 아실 클로라이드를 200℃ 이상의 온도에서 가열하여 아미드를 형성하는 단계(1) 및
    백금족 금속 촉매의 존재하에 하나 이상의 규소 결합된 수소원자와 아미드를 갖는 폴리오가노하이드로겐실록산을 하이드로실릴화하는 단계(2)를 포함하는, 아미드 치환된 실리콘의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 단계(1) 이후에 말단 알켄을 가하는 단계를 추가로 포함하는, 아미드 치환된 실리콘의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 아민이 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00034
    의 화합물[여기서, R4는 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 12의 탄화수소 그룹이고, R5는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 12의 1가 탄화수소 그룹 또는 화학식 (CR3 2)rR1의 그룹(여기서, r은 5 내지 29이다)이다]이고, 산이 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00035
    의 화합물[여기서, R1은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 그룹이고, R3은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자 또는 1가 유기 그룹이며, q는 2 내지 29이다]인, 아미드 치환된 실리콘의 제조방법.
  6. 제3항에 있어서, 폴리오가노하이드로겐실록산이 화학식 2의 단위를 갖는, 아미드 치환된 실리콘의 제조방법.
    화학식 2
    (HaR1 3 - aSiO1 /2)u(HbR1 2 - bSiO2 /2)v(HcR1 1 - cSiO3 /2)w(R1 3SiO1 /2)x(R1 2SiO2 /2)y(R1SiO3 /2)z(SiO4 /2)1-u-v-w-x-y-z
    위의 화학식 2에서,
    a는 0 내지 1이고,
    b는 0 내지 1이고,
    c는 0 내지 1이고,
    (u+x)는 0 내지 0.4이고,
    (v+y)는 0.6 내지 1이고,
    (w+z)는 0 내지 0.1이며,
    R1은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 그룹이다.
  7. 제3항에 있어서, 폴리오가노하이드로겐실록산이 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00036
    의 화합물, 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00037
    의 화합 물, 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00038
    의 화합물 및 이들 화학식이 조합된 화합물[여기서, m은 4 내지 100이고, n은 0 내지 100이고, p는 1 내지 30이고, s는 0 내지 7이고, t는 1 내지 8이고, (s+t)는 3 내지 8이며, R1은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 그룹이다]로부터 선택되는, 아미드 치환된 실리콘의 제조방법.
  8. 제3항에 있어서, 단계(2) 전에 단계(1)에서 형성된 아미드를 정제하는 단계를 추가로 포함하는, 아미드 치환된 실리콘의 제조방법.
  9. 화학식 3의 아민 관능성 실리콘을 카복실산과 함께 160 내지 260℃의 온도 범위에서 가열함을 포함하는, 아민 치환된 실리콘의 제조방법.
    화학식 3
    (R2' aR1 3 - aSiO1 /2)u(R2' bR1 2 - bSiO2 /2)v(R2' cR1 1 - cSiO3 /2)w(R1 3SiO1 /2)x(R1 2SiO2 /2)y(R1SiO3 /2)z (SiO4 /2)1-u-v-w-x-y-z
    위의 화학식 3에서,
    a는 0 내지 1이고,
    b는 0 내지 1이고,
    c는 0 내지 1이고,
    (u+x)는 0 내지 0.4이고,
    (v+y)는 0.6 내지 1이고,
    (w+z)는 0 내지 0.1이고,
    R1은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 그룹이고,
    R2'은 각각 독립적으로 아민 관능성 그룹 또는 탄소수 5 내지 16의 알킬 그룹이며,
    단 R2'의 1 내지 100mol%는 아민 관능성 그룹이다.
  10. 제9항에 있어서, 아민 관능성 실리콘이 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00039
    의 화합물, 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00040
    의 화합물, 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00041
    의 화합물 및 이들 화학식이 조합된 화합물[여기서, m은 4 내지 100이고, n은 0 내지 100이고, p는 1 내지 30이고, s는 0 내지 7이고, t는 1 내지 8이며, (s+t)는 3 내지 8이다]로부터 선택되는, 아민 치환된 실리콘의 제조방 법.
  11. 화학식 4의 카복실산 관능성 실리콘을 아민과 함께 160 내지 260℃의 온도에서 가열함을 포함하는, 아민 관능성 실리콘의 제조방법.
    화학식 4
    (R2 " aR1 3 - aSiO1 /2)u(R2 " bR1 2 - bSiO2 /2)v(R2 " cR1 1 - cSiO3 /2)w(R1 3SiO1 /2)x(R1 2SiO2 /2)y(R1SiO3 /2)z(SiO4 /2)1-u-v-w-x-y-z
    위의 화학식 4에서,
    a는 0 내지 1이고,
    b는 0 내지 1이고,
    c는 0 내지 1이고,
    (u+x)는 0 내지 0.4이고,
    (v+y)는 0.6 내지 1이고,
    (w+z)는 0 내지 0.1이고,
    R1은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 그룹이고,
    R2 "은 각각 독립적으로 카복실산 관능성 그룹 또는 탄소수 5 내지 16의 알킬 그룹이며,
    단 R2 "의 1 내지 100mol%는 카복실산 관능성 그룹이다.
  12. 제11항에 있어서, 산 치환된 실리콘이 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00042
    의 화합물, 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00043
    의 화합물, 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00044
    의 화합물 및 이들 화학식이 조합된 화합물[여기서, m은 4 내지 100이고, n은 0 내지 100이고, p는 1 내지 30이고, s는 0 내지 7이고, t는 1 내지 8이며, (s+t)는 3 내지 8이다]로부터 선택되는, 아민 관능성 실리콘의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 아민이 2-에틸헥실아민, 펜에틸아민, 2,3-디메틸사이클로헥실아민, 디펜틸아민, 디헥실아민, 옥틸아민, 디옥틸아민, 도데실아민, 디도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민 또는 이들의 배합물로부터 선택되는, 아민 관능성 실리콘의 제조방법.
  14. 화학식 1의 단위를 갖는 아미드 관능성 실리콘(A)과
    열 전도성 충전제(B)를 포함하는 조성물.
    화학식 1
    (R2 aR1 3 - aSiO1 /2)u(R2 bR1 2 - bSiO2 /2)v(R2 cR1 1 - cSiO3 /2)w(R1 3SiO1 /2)x(R1 2SiO2 /2)y(R1SiO3 /2)z(SiO4 /2)1-u-v-w-x-y-z
    위의 화학식 1에서,
    a는 0 내지 1이고,
    b는 0 내지 1이고,
    c는 0 내지 1이고,
    (u+x)는 0 내지 0.4이고,
    (v+y)는 0.6 내지 1이고,
    (w+z)는 0 내지 0.1이고,
    R1은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 그룹이고,
    R2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 30의 알킬 그룹 또는 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00045
    또는
    Figure 112007043603973-PCT00046
    의 아미드 관능성 그룹{여기서, R3은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자 또는 1가 유기 그룹이고, R4는 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 12의 탄화수소 그룹이 고, R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 1가 탄화수소 그룹 또는 화학식 -(CR3 2)rR1의 그룹(여기서, r은 5 내지 29이다)이며, q는 10 내지 29이다]이며,
    단 R2의 1 내지 100mol%는 아미드 관능성 그룹이다.
  15. 제14항에 있어서, 처리제(C), 산화방지제(D), 안료(E), 스페이서(F), 비히클(G), 습윤제(H), 소포제(I), 난연제(J), 녹 방지제(K), 아미드(L), 강화 충전제(M), 촉매 억제제(N), 매트릭스 물질(O) 및 이들의 배합물로부터 선택된 하나 이상의 추가 성분을 추가로 포함하는 조성물.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서, 그리스로서 제형화되고, 그리스의 중량을 기준으로 하여, 성분(A) 1 내지 65%와 성분(B) 35 내지 98%를 포함하는 조성물.
  17. 제16항에 있어서, 화학식 R6 xSi(OR7)(4-x)의 충전제 처리제[여기서, x는 1 내지 3이고, R6은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 50의 1가 탄화수소 그룹이며, R7은 각각 독립적으로 치환되지 않은 탄소수 1 내지 4의 포화 탄화수소 그룹이다]를, 그리스의 중량을 기준으로 하여, 0.1 내지 5% 추가로 포함하는 조성물.
  18. 제16항에 있어서, 산화방지제를, 그리스의 중량을 기준으로 하여, 0.001 내지 1% 추가로 포함하는 조성물.
  19. 제16항에 있어서, 화학식
    Figure 112007043603973-PCT00047
    의 아미드[여기서, R1은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 그룹이고, R4는 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 12의 탄화수소 그룹이고, R5는 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 12의 탄화수소 그룹이며, q는 2 내지 16이다]를, 그리스의 중량을 기준으로 하여, 0.001 내지 10% 추가로 포함하는 조성물.
  20. 제14항 또는 제15항에 있어서, PCC로 제형화되고, PCC의 중량을 기준으로 하여, 성분(A) 3 내지 30%와 성분(B) 70 내지 96%를 포함하는 조성물.
  21. 제20항에 있어서, 화학식 R6 xSi(OR7)(4-x)의 충전제 처리제[여기서, x는 1 내지 3이고, R6은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 1 내지 50의 탄화수소 그룹이며, R7은 각각 독립적으로 치환되지 않은 탄소수 1 내지 4의 포화 탄화수 소 그룹이다]를, 0.05 내지 4% 추가로 포함하는 조성물.
  22. 제20항에 있어서, 산화방지제를 0.001 내지 1% 추가로 포함하는 조성물.
  23. 제14항 또는 제15항에 따르는 조성물을 열원과 열 확산기 사이의 열 통로를 따라 삽입시킴을 포함하는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 열원이 전자 부품을 포함하는 방법.
  25. 전자 부품(a),
    열 전달재(b) 및
    열 확산기(c)를 포함하는 장치로서, 열 전달재가 전자 부품과 열 확산기 사이에 전자 부품의 표면으로부터 열 확산기의 표면까지 연장된 열 통로를 따라 삽입되어 있고, 열 전달재가 제14항 또는 제15항에 따르는 조성물을 포함하는 장치.
  26. 전자 부품(a),
    제1 열 전달재(b),
    제1 열 확산기(c),
    제2 열 전달재(d) 및
    제2 열 확산기(e)를 포함하는 장치로서, 제1 전달재가 전자 부품과 열 확산 기 사이에 전자 부품의 표면으로부터 제2 열 확산기의 표면까지 연장된 열 통로를 따라 삽입되어 있고, 제2 열 전달재가 제1 열 확산기와 제2 열 확산기 사이에 열 통로를 따라 삽입되어 있으며, 제1 열 전달재 및 제2 열 전달재 중의 하나 이상이 제14항 또는 제15항에 따르는 조성물을 포함하는 장치.
  27. 편평한 구성품, 반구형 누빈(nubbin), 볼록한 구성품, 피라미드 또는 콘으로서 형성된, 제20항에 따르는 조성물(I)을 포함하는 전달재.
  28. 제27항에 있어서, 조성물의 표면을 덮는 박리 시트(II)를 추가로 포함하는 전달재.
  29. 제27항에 있어서, 조성물이 기판의 표면 위에 도포되어 있는 전달재.
  30. 제29항에 있어서, 기판에 대향하여 조성물의 표면을 덮는 박리 시트(II)를 추가로 포함하는 전달재.
KR1020077013643A 2004-12-16 2005-06-30 아미드 치환된 실리콘, 이의 제조방법 및 이의 용도 KR101164438B1 (ko)

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