KR101061457B1 - 열연화 열전도성 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

열연화 열전도성 조성물은 실리콘 수지를 포함하는 매트릭스, 및 열전도성 충전제를 포함한다. 당해 조성물은 전자 장치에서 열계면 물질로서 사용될 수 있다. 당해 조성물은 임의의 목적하는 연화 온도를 갖도록 제형화된다.
열연화 열전도성 조성물, 실리콘 수지, 매트릭스, 열전도성 충전제, 열계면 물질

Description

열연화 열전도성 조성물 및 이의 제조방법{Heat softening thermally conductive compositions and methods for their preparation}
본 발명은 열연화 열전도성(HSTC) 조성물 및 이의 제조방법 및 용도에 관한 것이다. 더욱 특히, 본 발명은 실리콘 수지 시스템 및 열전도성 충전제를 포함하는 HSTC 조성물에 관한 것이다. HSTC 조성물은 열계면 물질(TIM)로서 사용될 수 있다.
전자 부품, 예를 들면, 반도체, 트랜지스터, 집적 회로(ICs), 이산 장치 및 당해 분야에 공지된 기타 장치는 정상 작동 온도에서 또는 정상 작동 온도 범위내에서 작동하도록 고안된다. 그러나, 전자 부품의 작동은 열을 발생한다. 충분한 열이 제거되지 않는 경우, 전자 부품은 이의 정상 작동 온도보다 더 높은 온도에서 작동할 것이다. 과잉의 온도는 전자 부품의 성능 및 이와 관련된 장치의 작동에 역으로 작용할 수 있고 평균 무고장 시간에 부정적인 영향을 줄 수 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 열을 전자 부품으로부터 히트 씽크(heat sink)로의 열 전도에 의해 제거할 수 있다. 이후, 히트 씽크는 임의의 편리한 수단, 예를 들면, 대류 또는 복사 기술에 의해 냉각시킬 수 있다. 열 전도 동안, 전자 부품과 히트 씽크 사이의 표면 접촉에 의해 또는 전자 부품과 히트 씽크를 TIM과 접촉시켜, 열을 전자 부품으로부터 히트 씽크로 전달할 수 있다.
전자 부품과 히트 씽크의 표면은 전형적으로 완전히 평활하지 않으므로, 표면 사이의 완전한 접촉을 달성하기가 어렵다. 불량한 열 전도체인 공극이 표면 사이에 나타나고 임피던스가 증가한다. 이들 공극은 표면 사이에 TIM을 삽입시켜 충전시킬 수 있다. TIM의 내열성이 작을수록 전자 부품으로부터 히트 씽크로의 열 유동이 커진다.
몇몇 시판되는 TIM은 열전도성 충전제가 충전된 탄성중합체이다. 그러나, 탄성중합체는 열 계면 접촉 저항(thermal interfacial contact resistance)을 감소시키고 기재와 TIM 사이의 효과적인 열 전달을 촉진하기 위해 고압이 요구되는 단점이 있다.
전도성 충전제를 갖는 실리콘 그리스가 또한 TIM으로서 제안되었다. 그러나, 그리스는 도포하기가 번거롭고 도포 후 공극으로부터 유동하여 방출될 수 있는 단점이 있다.
HSTC 조성물은 이들이 저온에서 고체로서 취급될 수 있고 승온에서 연화되므로 상기 문제점을 해결하는데 유익하다. 연화 온도는 전자 부품의 정상 작동 온도와 같거나 그 이상일 수 있다.
HSTC 조성물은 유기 물질, 예를 들면, 왁스, 및 전도성 충전제를 포함할 수 있다. 그러나, 유기 왁스는 이들이 도포 후, 전자 부품의 작동 동안 공극으로부터 유동하여 방출될 수 있는 단점이 있다. 유기 왁스는 또한 실온에서 취성일 수 있다.
발명의 요지
본 발명은 열연화 열전도성(HSTC) 조성물 및 이의 제조방법 및 용도에 관한 것이다. HSTC 조성물은 매트릭스 및 열전도성 충전제를 포함한다. 매트릭스는 실리콘 수지를 포함한다.
모든 양, 비 및 %는 달리 언급하지 않는 한 중량 기준이다. 본원에서 사용되는 정의는 다음과 같다.
용어 정의 및 사용
부정관사 "a" 및 "an"은 각각 하나 이상을 의미한다.
"알킬"은 1가 포화 탄화수소 그룹을 의미한다.
"배합"은 2개 이상의 아이템이 임의의 방법에 의해 함께 함을 의미한다.
"공중합체"는 2개 이상의 상이한 단량체로부터 제조된 중합체를 의미한다. 공중합체는 단지 2개의 상이한 단량체로부터 제조된 중합체를 포함하나, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
"D 단위"는 화학식 R2SiO2/2의 단위를 의미하고, 여기서, R은 각각 유기 그룹이다.
"M 단위"는 화학식 R3SiO1/2의 단위를 의미하고, 여기서, R은 각각 유기 그룹이다.
"Q 단위"는 화학식 SiO4/2의 단위를 의미한다.
"실록산" 및 "실리콘"은 본원에서 동의어로 사용된다.
"실리콘 수지"는 화학식 RxSiO(4-x)/2의 단위를 포함하는 측쇄 분자 구조를 갖는 중합체를 의미하고, 여기서, R은 각각 유기 그룹이고, x는 각각 0, 1, 2 또는 3이고, 단, 하나 이상의 단위의 x는 1 초과이다.
"치환된"은 탄소원자에 결합한 하나 이상의 수소원자가 다른 치환체에 의해 대체됨을 의미한다.
"처리된 표면"은 충전제 입자 상의 반응성 그룹의 전부 또는 일부가 임의의 편리한 화학적 또는 비반응성 수단에 의해 덜 반응성이 되게 함을 의미한다.
"T 단위"는 화학식 RSi03/2의 단위를 의미하고, 여기서, R은 유기 그룹이다.
열연화 열전도성 조성물
본 발명은 HSTC 조성물에 관한 것이다. HSTC 조성물은 A) 실리콘 수지를 포함하는 매트릭스, B) 열전도성 충전제, C) 임의의 처리제 및 D) 임의의 산화방지제를 포함한다.
매트릭스
실리콘 수지는 당해 분야에 공지되어 있고 시판된다. 실리콘 수지는 조성물의 4 내지 60%의 양으로 조성물에 가할 수 있다. 실리콘 수지는 M, D, T 및 Q 단위의 배합, 예를 들면, DT, MDT, DTQ, MQ, MDQ, MDTQ 또는 MTQ 수지를 포함할 수 있으며, 또한 DT 또는 MQ 수지를 포함할 수 있다.
DT 수지는 화학식 (R1R2Si02/2)a(R3SiO3/2)b의 수지로 예시된다.
R1, R2 및 R3의 각각의 예는 동일하거나 상이할 수 있다. R1, R2 및 R3은 각각의 단위 내에서 상이할 수 있다. R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 하이드록실 그룹 또는 유기 그룹, 예를 들면, 탄화수소 그룹 또는 알콕시 그룹이다. 탄화수소 그룹은 포화 또는 불포화될 수 있다. 탄화수소 그룹은 측쇄, 직쇄, 사이클릭 또는 이의 배합물일 수 있다. 탄화수소 그룹은 탄소수가 1 내지 40, 또는 1 내지 30, 또는 1 내지 20, 또는 1 내지 10, 또는 1 내지 6일 수 있다. 탄화수소 그룹은 알킬 그룹, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸 및 t-부틸을 포함하고; 또는 메틸 또는 에틸을 포함하고; 또는 메틸을 포함하고, 방향족 그룹, 예를 들면, 페닐, 톨릴, 크실릴, 벤질 및 페닐에틸을 포함하고; 또는 페닐을 포함한다. 불포화 탄화수소 그룹은 알케닐, 예를 들면, 비닐, 알릴, 부테닐 및 헥세닐을 포함한다.
상기 화학식에서, a는 1 내지 200, 또는 1 내지 100, 또는 1 내지 50, 또는 1 내지 37, 또는 1 내지 25이다. 상기 화학식에서, b는 1 내지 100, 또는 1 내지 75, 또는 1 내지 50, 또는 1 내지 37, 또는 1 내지 25이다.
또는, DT 수지는 화학식 (R1 2Si02/2)a(R2 2Si02/2)b(R1SiO3/2)a(R2Si03/2)b의 수지일 수 있으며, 상기 화학식에서, R1, R2, a 및 b는 위에서 정의한 바와 같다. 또는, 상기 화학식에서, R1은 각각 알킬 그룹이고, R2는 각각 방향족 그룹일 수 있다.
MQ 수지는 화학식 (R1R2R3SiO1/2)c(Si04/2)d의 수지로 예시되고, 상기 화학식에서, R1, R2 및 R3은 위에서 정의한 바와 같고, c는 1 내지 100이고, d는 1 내지 100이고, d에 대한 c의 평균 비는 0.65 내지 1.9이다.
실리콘 중합체는 실리콘 수지와 함께 또는 실리콘 수지의 일부 대신 성분 A)에 가할 수 있다. 실리콘 중합체는 조성물의 0 내지 35%의 양으로 가할 수 있다. 실리콘 중합체는 직쇄 또는 측쇄 폴리디오가노실록산, 예를 들면, 폴리디메틸실록산일 수 있다. 실리콘 중합체는 화학식 (R1R2R3SiO1/2)2(R1R2Si02/2)e의 중합체로 예시되고, 상기 화학식에서, R1, R2 및 R3은 위에서 정의한 바와 같고, e는 5 내지 800, 또는 50 내지 200이다.
M, D, T 및 Q 단위의 배합 및 실리콘 중합체의 존재는 물질의 물리적 특성 및 레올로지 특성에 영향을 준다. 전형적으로, 이러한 조성물은 유리 전이 온도(Tg) 범위가 넓다. 이러한 범위에 걸쳐서, 조성물은 온도가 증가함에 따라 모듈러스 및 점도가 많이 감소한다. 이는 HSTC 조성물의 점진적인 연화 또는 경화를 초래한다. 예를 들면, 문헌[참조: B. H. Copely, MS Thesis, University of Minnesota, 1984 and Wengorvius, J. H.; Burnell, T. B.; Zumbrum, M. A.; Krenceski, M. A. Polym. Preprints 1998, 39(1), 512]은 유리 전이 온도에 대한 MQ 수지/실리콘 중합체의 효과를 제시한다. 본 발명의 목적을 위해, 실리콘 수지 또는 실리콘 수지/실리콘 중합체 배합물은 주위 온도에 근접하는 온도에서 필름으로서 취급하기 위해 요구되는 물리적 완전성(physical integrity) 및 모듈러스를 갖도록 선택할 수 있다. 이는 HSTC 조성물을 필름 형태로 TIM으로서 용이하게 도포할 수 있게 한다. 실온에서 매트릭스의 점도는 100Pa·s 이상일 수 있다. 동시에, 적절한 실리콘 수지 또는 실리콘 수지/실리콘 중합체 배합물은 작동 온도 또는 어셈블리 온도에서 모듈러스 및 점도 감소가 크도록 선택된다. 이는 열 발생 기재와 열 분산 기재 사이에서의 조성물의 긴밀한 접촉을 용이하게 한다. 90℃ 이상에서, 매트릭스의 점도는 10Pa·s 이하일 수 있다.
사실상, 실리콘 수지 또는 실리콘 수지와 실리콘 중합체의 배합물에서의 M, D, T 및 Q 단위의 배합은 도포 온도와 어셈블리 온도 또는 작동 온도와의 사이의 점도 변화가 충분히 크도록 선택한다. 실리콘 수지는 또한 실온에서 점착성이도록 선택할 수 있다. 이러한 매트릭스로부터 제조된 TIM은 이들이 용이한 어셈블리를 허락하므로 유익할 수 있다.
조성물은 성분 A)를 4% 이상, 또는 5% 이상 포함할 수 있다. 조성물은 성분 A)를 60% 이하, 또는 50% 이하, 또는 20% 이하, 또는 10% 이하 포함할 수 있다.
본원 명세서에서 범위에 대한 교시는 범위 그 자체에 대한 교시일 뿐만 아니라 상기 범위에 포함되는 모든 것 및 종말점(end point)에 대하여도 교시하는 것으로 이해해야 한다. 예를 들면, 1 내지 10의 범위에 대한 교시는 1 내지 10의 범위 뿐만 아니라 개별적으로 1, 2.7, 9 및 10, 및 상기 범위에 포함되는 임의의 다른 수도 교시하는 것으로 이해해야 한다. 마찬가지로, 탄소수 1 내지 5의 탄화수소의 범위에 대한 교시는 한 부류로서의 탄소수 1 내지 5의 탄화수소 뿐만 아니라 개별적으로 탄소수 1의 탄화수소, 탄소수 2의 탄화수소, 탄소수 3의 탄화수소, 탄소수 4의 탄화수소 및 탄소수 5의 탄화수소도 교시하는 것으로 이해해야 한다.
충전제
성분 B)는 열전도성 충전제이다. 성분 B)는 성분 A)에 분산된다. 조성물에서 성분 B)의 양은 각종 인자, 예를 들면, 성분 A)로 선택된 물질, 성분 B)로 선택된 물질 및 조성물의 연화 온도에 따라 달라진다. 성분 B)의 양은 전체 조성물의 40% 이상, 또는 조성물의 50% 이상, 또는 조성물의 80% 이상, 또는 조성물의 85% 이상일 수 있다. 성분 B)의 양은 조성물의 96% 이하, 또는 95% 이하일 수 있다. 성분 B)의 양이 너무 적은 경우, 조성물은 몇몇 적용에서 열전도성이 불충분할 수 있다.
성분 B)는 열전도성, 전기 전도성 또는 둘 다 일 수 있다. 또는, 성분 B)는 열전도성이고 전기 절연성일 수 있다. 성분 B)에 적합한 열전도성 충전제는 금속 입자, 금속 산화물 입자 및 이들의 배합물을 포함한다. 성분 B)에 적합한 열전도성 충전제는 질화알루미늄, 산화알루미늄, 티탄바륨, 산화베릴륨, 질화붕소, 다이아몬드, 흑연, 산화마그네슘, 금속 미립자, 예를 들면, 구리, 금, 니켈 또는 은의 미립자, 탄화규소, 탄화텅스텐, 산화아연 및 이들의 배합물로 예시된다.
열전도성 충전제는 당해 분야에 공지되어 있고 시판된다[참조: 미국 특허 제6,169,142호(col. 4, lines 7-33)]. 예를 들면, CB-A20S 및 Al-43-Me는 입자 크기가 상이한 시판되는 산화알루미늄 충전제(제조원: Showa-Denko)이고, AA-04, AA-2 및 AA18은 시판되는 산화알루미늄 충전제(제조원: Sumitomo Chemical Company)이다.
은 충전제는 시판되고 있다(제조원: Metalor Technologies U.S.A. Corp. of Attleboro, Massachusetts, U.S.A.). 질화붕소 충전제는 시판되고 있다(제조원: Advanced Ceramics Corporation, Cleveland, Ohio, U.S.A.).
충전제 입자의 형태는 특별히 한정되지 않으나, 둥근 또는 구형 입자는 조성물에서 충전제의 높은 부하시 바람직하지 않은 수준으로의 점도 증가를 예방할 수 있다.
입자 크기가 상이하고, 입자 크기 분포가 상이한 충전제들의 배합물이 성분 B)로서 사용될 수 있다. 예를 들면, 가장 밀접한 팩킹 이론 분포 곡선에 부합되는 비율로 평균 입자 크기가 큰 제1 산화알루미늄을 평균 입자 크기가 작은 제2 산화알루미늄과 배합하는 것이 유익할 수 있다. 이는 패킹 효율을 개선하고 점도를 감소시키고 열 전달을 증진시킬 수 있다.
충전제의 평균 입자 크기는 각종 인자, 예를 들면, 성분 B)로 선택된 충전제의 형태 및 조성물에 첨가되는 정확한 양에 따라 달라지나, 충전제는 평균 입자 크기가 0.2㎛ 이상, 또는 2㎛ 이상일 수 있다. 충전제는 평균 입자 크기가 80㎛ 이하, 또는 50㎛ 이하일 수 있다.
성분 B)인 충전제는 임의로 표면 처리될 수 있다. 처리제 및 처리 방법은 당해 분야에 공지되어 있다[참조: 미국 특허 제6,169,142호(col. 4, line 42 to col. 5, line 2)]. 조성물은 C) 처리제 0.05% 이상을 포함할 수 있다. HSTC 조성물은 C) 처리제를 5% 이하 포함할 수 있고, 또는 2% 이하 포함할 수 있고, 또는 0.5% 이하 포함할 수 있다.
처리제는 화학식 R4 fSi(OR5)(4-f)의 알콕시실란일 수 있으며, 상기 화학식에서, f는 1, 2 또는 3이고; 또는 f는 3이다. R4는 치환되지 않거나 치환된 탄소수 1 이상, 또는 탄소수 8 이상의 1가 탄화수소 그룹이다. R4는 탄소수가 50 이하, 또는 30 이하, 또는 18 이하이다. R4는 알킬 그룹, 예를 들면, 헥실, 옥틸, 도데실, 테트라데실, 헥사데실 및 옥타데실 및 방향족 그룹, 예를 들면, 벤질 및 페닐에틸로 예시된다. R4는 포화 또는 불포화되고 측쇄 또는 직쇄이고 치환되지 않을 수 있다. R4는 포화될 수 있고 직쇄일 수 있으며 치환되지 않을 수 있다.
R5는 치환되지 않고 포화된 탄소수 1 이상의 탄화수소 그룹이다. R5는 탄소수가 4 이하, 또는 2 이하일 수 있다. 성분 C)는 헥실트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 데실트리메톡시실란, 도데실트리메톡시실란, 테트라데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐에틸트리메톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란 및 이들의 배합물로 예시된다.
알콕시-작용성 올리고실록산 또한 처리제로서 사용될 수 있다. 알콕시- 작용성 올리고실록산 및 이의 제조방법은 당해 분야에 공지되어 있다[참조: 유럽 공개특허공보 제1 101 167 A2호]. 예를 들면, 적합한 알콕시-작용성 올리고실록산은 화학식 (R60)gSi(OSiR7 2R8)4-g의 알콕시-작용성 올리고실록산을 포함한다. 상기 화학식에서, g는 1, 2 또는 3이고, 또는 g는 3이다. R6은 각각 알킬 그룹일 수 있다. R7은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 불포화 1가 탄화수소 그룹으로부터 선택될 수 있다. R8은 각각 탄소수 11 이상의 불포화 1가 탄화수소 그룹일 수 있다.
처리제는 또한 알킬티올, 예를 들면, 옥타데실 머캅탄 등, 지방산, 예를 들면, 올레산, 스테아르산 및 알코올, 예를 들면, 미리스틸 알코올, 세틸 알코올, 스테아릴 알코올 또는 이들의 배합물을 포함할 수 있다.
알루미나 또는 부동태화 질화알루미늄을 위한 처리제는 알콕시실릴 작용성 알킬메틸 폴리실록산(예: 화학식 R9 hR10 iSi(OR11)(4-h-i)의 부분 가수분해 축합물 또는 공가수분해 축합물 또는 혼합물), 유사한 물질(여기서, 가수분해 가능한 그룹은 실라잔, 아실옥시 또는 옥시모일 수 있다)을 포함할 수 있다. 이들 모두에서, Si에 구속된 그룹, 예를 들면, 상기 화학식에서 R9는 장쇄 불포화 1가 탄화수소 또는 1가 방향족-작용성 탄화수소이다. R10은 1가 탄화수소 그룹이고, R11은 탄소수 1 내지 4의 1가 탄화수소 그룹이다. 상기 화학식에서, h는 1, 2 또는 3이고, i는 0, 1 또는 2이고, 단, h+i는 1, 2 또는 3이다. 당해 분야의 숙련가는 과도한 실험 없이 충전제의 분산을 돕기 위한 특정 처리를 최적화할 수 있다.
기타 임의 성분
성분 B), 열전도성 충전제는 열전도성 충전제와 함께 또는 열전도성 충전제의 일부 대신 강화 충전제를 임의로 포함할 수 있다. 강화 충전제는 쵸핑 충전제, 예를 들면, 쵸핑 KEVLAR
Figure 112008063536690-pct00001
일 수 있다. 이론적으로 결부시키고자 하는 것은 아니나, 쵸핑 KEVLAR
Figure 112008063536690-pct00002
가 강도 및 열팽창계수(CTE)를 개선시키는 것으로 생각된다. 강화 충전제는 또한 성분 C)로 처리될 수 있다.
임의 성분 D)는 산화방지제이다. 이론적으로 결부시키고자 하는 것은 아니나, 성분 D)가 실리콘 수지, 실리콘 중합체 또는 충전제 처리제의 쇄 개열 또는 분해를 방지하는 것으로 생각된다. 성분 D)는 플라스틱, 예를 들면, 폴리프로필렌에 통상 사용되는 임의의 산화방지제를 포함할 수 있다. 성분 D)는 조성물에 0.001 내지 1%, 또는 0.05 내지 1%의 양으로 첨가될 수 있다.
적합한 산화방지제는 당해 분야에 공지되어 있고 시판된다. 적합한 산화방지제는 페놀계 산화방지제 및 페놀계 산화방지제와 안정제와의 배합물을 포함한다. 페놀계 산화방지제는 완전 입체 장애 페놀 및 부분 입체 장애 페놀을 포함한다. 안정제는 유기 인 유도체, 예를 들면, 3가 유기 인 화합물, 포스파이트, 포스포네이트 및 이들의 배합물; 티오시너지스트(thiosynergist), 예를 들면, 설파이드를 포함하는 유기황 화합물, 디알킬디티오카바메이트, 디티오디프로피오네이트 및 이들의 배합물; 및 입체 장애 아민, 예를 들면, 테트라메틸-피페리딘 유도체를 포함한다. 적합한 산화방지제 및 안정제는 문헌에 기술되어 있다[참조: Zweifel, Hans, "Effect of Stabilization of Polypropylene During Processing and Its Influence on Long-Term Behavior under Thermal Stress," Polymer Durability, Ciba-Geigy AG, Additives Division, CH-4002, Basel, Switzerland, American Chemical Society, vol. 25, pp. 375-396, 1996].
적합한 페놀계 산화방지제는 비타민 E 및 IRGANOX
Figure 112005019789036-pct00003
1010(제조원: Ciba Specialty Chemicals, U.S.A.)를 포함한다. IRGANOX
Figure 112005019789036-pct00004
1010은 펜타에리트리톨 테트라키스(3-(3,5-디-3급-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트)를 포함한다.
임의 성분 E)는 억제제이다. 성분 E)는 부가 반응 촉매 억제제일 수 있다. 부가 반응 촉매 억제제는 당해 분야에 공지되어 있고 시판된다[참조: 미국 특허 제5,929,164호(col. 1, line 65 to col. 3, line 65)].
성분 E)는 포스핀, 디포스핀, 아민, 디아민, 트리아민, 유기 설파이드, 알케닐-작용성 화합물, 알키닐-작용성 화합물, 하이드록시-작용성 화합물, 이들의 배합물 또는 임의의 기타 전이 금속 촉매 독일 수 있다.
적합한 포스핀은 트리알킬 포스핀 및 트리아릴 포스핀, 예를 들면, 트리페닐 포스핀을 포함한다. 적합한 디포스핀은 테트라페닐에틸렌 디포스핀을 포함한다. 적합한 아민은 n-부틸 아민 및 트리에탄올아민을 포함한다. 적합한 디아민은 테트라메틸렌디아민을 포함한다. 적합한 유기 설파이드는 에틸 페닐 설파이드를 포함한다. 적합한 알케닐-작용성 화합물은 유기 물질, 오가노실리콘 또는 오가노실란일 수 있다. 적합한 알케닐-작용성 화합물은 비닐실록산 및 비닐실란을 포함한다. 적합한 알키닐 작용성 화합물은 유기 물질, 예를 들면, 아세틸렌, 프로핀, 1-부틴, 1-펜틴, 4,4-디메틸-1-펜틴, 1-헥신, 5-메틸-1-헥신 및 1-데신일 수 있다.
성분 E)는 조성물이 중앙 처리 장치(CPU) 디바이스에서 사용하고자 하는 경우 7년 이상 동안 HSTC 조성물에 기계적 및 화학적 안정성을 제공하는데 충분한 양으로 가한다. 성분 E)의 양은 0.001% 이상일 수 있다. 성분 E)의 양은 1% 이하일 수 있다.
성분 F)는 성분 A)와 함께 또는 성분 A)의 일부 대신에 첨가할 수 있는 임의의 매트릭스 물질이다. 성분 F)는 유기 작용성 실리콘 왁스, 실리콘-유기 블럭 공중합체 또는 이들의 배합물을 포함할 수 있다.
성분 G)는 비히클, 예를 들면, 용매 또는 희석제이다. 성분 G)는 조성물의 제조 동안, 예를 들면, 혼합 및 전달을 돕기 위하여 첨가할 수 있다. 성분 G)의 모두 또는 일부는 HSTC 조성물이 제조된 후 임의로 제거될 수 있다.
성분 H)는 습윤제이다.
성분 I)는 소포제이다.
성분 J)는 안료이다.
성분 K)는 난연제이다.
성분 L)은 스페이서이다. 스페이서는 유기 입자, 무기 입자 또는 이들의 배합물을 포함할 수 있다. 스페이서는 열전도성, 전기 전도성 또는 둘 다일 수 있다. 스페이서는 입자 크기가 25 내지 250㎛일 수 있다. 스페이서는 단분산 비이드를 포함할 수 있다. 성분 L)의 양은 각종 인자, 예를 들면, 입자의 분포, 배치 동안 가해지는 압력 및 배치 온도에 따라 달라진다. 조성물은 성분 B)와 함께 또는 성분 B)의 일부 대신 성분 L)을 15% 이하, 또는 5% 이하 포함할 수 있다.
성분 M)은 저융점 금속 충전제이다. 저융점 금속 충전제는 In, Sn 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 저융점 금속 충전제는 추가로 Ag, Bi, Cd, Cu, Ga, Pb, Zn 또는 이들의 배합물을 임의로 포함할 수 있다. 적합한 저융점 금속 충전제의 예는 In-Bi-Sn 합금, Sn-In-Zn 합금, Sn-In-Ag 합금, Sn-Ag-Bi 합금, Sn-Bi-Cu-Ag 합금, Sn-Ag-Cu-Sb 합금, Sn-Ag-Cu 합금, Sn-Ag 합금, Sn-Ag-Cu-Zn 합금 및 이들의 배합물을 포함한다. 저융점 금속 충전제는 융점이 250℃ 이하, 또는 225℃ 이하일 수 있다. 저융점 금속 충전제는 융점이 50℃ 이상, 또는 150℃ 이상일 수 있다. 저융점 금속 충전제는 공융 합금, 비-공융 합금 또는 순수한 금속일 수 있다. 저융점 금속 충전제는 당해 분야에 공지되어 있고 시판된다. 성분 M)은 성분 B)와 함께 또는 성분 B)의 전부 또는 일부 대신에 첨가할 수 있다. 조성물은 성분 M)을 96% 이하 함유할 수 있다.
열연화 열전도성 조성물의 제조방법
성분 A)를 조성물이 실온에서 고체로서 취급될 수 있고 전자 장치의 어셈블리 온도 이상에서는 변형가능하도록 선택한다.
HSTC 조성물을 열전도도가 0.8W/mK 이상, 또는 2W/mK 이상이도록 제형화할 수 있다. 열 전도도는 각종 인자, 예를 들면, 성분 B)로 선택된 충전제의 양 및 형태에 따라 달라진다.
HSTC 조성물을 임의의 편리한 방법, 예를 들면, 모든 성분을 연화 온도보다 더 높은 온도에서 혼합함으로써 제조할 수 있다.
성분 C)가 존재하는 경우, HSTC 조성물은 표면 처리 성분 B)를 성분 C)와 혼합한 후, 연화 온도 이상의 온도에서 조성물을 혼합함으로써 임의로 제조할 수 있다. 또는, 성분 C)를 연화 온도 이상의 온도에서 다른 성분 일부 또는 전부와 동시에 혼합할 수 있다.
성분 G)가 존재하는 경우, 조성물을 주위 온도 또는 승온에서 모든 성분을 혼합하여 제조할 수 있다.
사용 방법
상기 기술한 HSTC 조성물은 계면 물질, 예를 들면, 열계면 물질(TIM)로서 사용할 수 있다. 계면 물질은 임의의 편리한 배열(configuration)을 가질 수 있으며, 당해 분야의 숙련가는 성분 A) 및 기타 성분을 적절히 선택함으로써 배열을 조절할 수 있다. HSTC 조성물은 주위 조건하에 안정한 형태로 되도록 제형화될 수 있다. HSTC 조성물은 주위 조건하에 자가 지지 형태로 되도록 제형화될 수 있다. HSTC 조성물은 평평 부재, 예를 들면, 패드, 테이블, 시트 또는 테이프로서 임의로 제공될 수 있다. 또는, HSTC 조성물은 반-구형 누빈(nubbin), 볼록 부재, 피라미드 또는 원뿔로 제공될 수 있다. 이론적으로 결부시키고자 하는 것은 아니나, 성분 A)는 주위 조건하에 점착성 고체인 HSTC 조성물을 제공하게 하고, 점착성은 기재에 HSTC 조성물의 도포에 유리할 것으로 생각된다.
HSTC 조성물은 표면 위에 제거 가능한 박리 시트를 임의로 가질 수 있다. 박리 시트는 HSTC 조성물이 주위 조건하에 점착성인 경우 사용될 수 있다. 박리 시트는 예를 들면, 비교적 표면 에너지가 낮은 왁스- 또는 실리콘-피복 종이 또는 플라스틱 시트일 수 있다. HSTC 조성물은 임의의 편리한 수단, 예를 들면, 직접적인 방법, 예를 들면, 분무-피복, 나이프-피복, 롤러 피복, 캐스팅, 드럼 피복, 침지 등 또는 박리 시트를 사용하는 간접 전사 방법에 의해 페이스 스톡, 라이너 또는 기타 박리 시트에 도포할 수 있다. 용매, 희석제 또는 기타 비히클을 도포 전 HSTC 조성물에 가한 다음, 비히클을 제거하여 박리 시트 상에 HSTC 조성물의 접착 필름, 피복물 또는 잔류물을 남길 수 있다.
HSTC 조성물은, 예를 들면, HSTC 조성물이 가공 동안의 충분한 형태 안정성이 결여된 경우, 기재 상에 임의로 피복될 수 있다. 기재는 열전도성 물질, 전기 전도성 물질 또는 둘 다일 수 있다. 기재는 예를 들면, 금속 호일 또는 천공 금속 호일, 예를 들면, 금, 은, 구리 또는 알루미늄 호일, 폴리이미드, 폴리아미드, KAPTON
Figure 112008063536690-pct00005
(제조원: E. I. Du Pont de Nemours and Company, INC., of Wilmington, Delaware, U.S.A.) 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 폴리에스테르(MYLAR
Figure 112008063536690-pct00006
, 제조원: E. I. Du Pont de Nemours and Company, Inc., of Wilmington, Delaware, U.S.A.)일 수 있다. 조성물은 기재의 하나 이상의 표면에 피복될 수 있다. 박리 시트는 피복 기재의 양면에 사용될 수 있다. 계면 물질은 도 1에 나타내었다. 도 1에서, 계면 물질(100)은 기재(101), 및 기재(101)의 양면에 형성된 상기 기술된 HSTC 조성물 층(102)을 포함한다. 박리 라이너(103)들은 HSTC 조성물(102)의 노출면들 전체에 도포된다.
상기 기술된 HSTC 조성물을 포함하는 각종 계면 물질을 제조할 수 있다. 상기 기술된 HSTC 조성물은 미국 특허 제4,299,715호 및 제5,904,796호에 기술된 방법을 포함하는 각종 방법에 의해 계면 물질을 제조하기 위해 사용될 수 있다.
HSTC 조성물은 열원과 히트 스프레더(heat spreader) 사이의 열 경로를 따라 삽입될 수 있다. HSTC 조성물은 임의의 편리한 방법으로, 예를 들면, 형태 안정성 HSTC 조성물 또는 HSTC 조성물을 포함하는 계면 물질을 접착제 또는 프라이머의 존재 또는 부재하에 열원과 히트 스프레더 사이에 도포하거나, HSTC 조성물을 고온 용융 분산시키거나, HSTC 조성물을 용매 캐스팅시켜 삽입시킬 수 있다.
열원은 전자 부품, 예를 들면, 반도체, 트랜지스터, 집적 회로 또는 이산 장치를 포함할 수 있다.
히트 스프레더는 히트 씽크, 열전도성 플레이트, 열전도성 커버, 팬, 순환 냉각제 시스템, 이들의 배합 등을 포함할 수 있다. HSTC 조성물은 전자 부품 및 히트 씽크와 직접 접촉시키는데 사용될 수 있다. HSTC 조성물은 전자 부품에 도포한 다음, 히트 씽크에 도포하거나, HSTC 조성물을 히트 씽크에 도포한 다음, 전자 부품에 도포할 수 있다.
열 경로를 따라 HSTC 조성물을 삽입시키는 동안 또는 삽입시킨 후, HSTC 조성물을 연화 온도와 동일하거나 그 이상인 온도로 가열할 수 있다. 압력을 가할 수 있다. 이어서 HSTC 조성물을 냉각시킬 수 있다.
본 발명은 추가로 a) 전자 부품, b) 계면 물질 및 c) 히트 씽크를 포함하고, 계면 물질이 열 경로를 따라 전자 부품의 표면으로부터 히트 씽크의 표면으로 연장되도록 배열되고, 계면 물질이 상기 기술한 조성물을 포함하는 제품에 관한 것이다.
추가로, 본 발명은 a) 히트 스프레더 및 b) 히트 스프레더의 표면 상의 계면 물질을 포함하고, 계면 물질 및 히트 스프레더가 전자 부품과 히트 씽크 사이의 열전도성 경로의 일부를 포함하도록 배열되고, 계면 물질이 상기 기술한 조성물을 포함하는 제품에 관한 것이다.
도 2는 본 발명에 따르는 장치(200)를 나타낸다. 장치(200)는 솔더볼 어레이(solderball array, 211) 및 칩 언더필(chip underfill, 209)에 의해 기재(204)에 탑재된 전자 부품[예: 집척 회로(IC) 칩, 203]을 포함한다. 기재(204)는 패드(210)를 통해 기재에 부착된 솔더볼(205)을 갖는다. 제1 계면 물질(TIM1, 206)은 IC 칩(203)과 금속 커버(207) 사이에 삽입된다. 금속 커버(207)는 히트 스프레더로서 작용한다. 제2 계면 물질(TIM2, 202)은 금속 커버(207)와 히트 씽크(201) 사이에 삽입된다. 열은 장치가 작동되는 경우, 화살표(208)로 나타낸 열 경로를 따라 이동한다.
상기 기술된 HSTC 조성물을 포함하는 제품 및 장치를 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 기술된 HSTC 조성물은 미국 특허 제5,912,805호; 제5,930,893호; 제5,950,066호; 제6,054,198호 및 제6,286,212호에 기술된 계면 물질과 함께 또는 상기 특허에 기술된 계면 물질 대신에 상기 특허에 기술된 장치에서 열전도성 계면 물질로서 사용될 수 있다.
이들 실시예는 당해 분야의 숙련가에게 본 발명을 예시하기 위한 것이며 특허청구의 범위에 기술된 본 발명의 범위를 이로써 한정하고자 하는 것은 아니다. Me는 메틸 그룹이고, Ph는 페닐 그룹이다.
참조 실시예 1: 레이저 섬광 방법
열계면 물질의 열 임피던스 측정은 홀로메트릭스 마이크로플래쉬(Holometrix Microflash) 300 장치(제조원: Holometrix Micromet, Bedford, MA; now NETZSCH Instruments, Inc.) 상에서 수행한다. 샘플 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼는 애디슨 엔지니어링, 인코포레이티드(Addison Engineering, Inc. of San Jose, CA)로부터 구입한다. 실리콘 웨이퍼를 8 ±0.13mm2 기재로 다이싱하고, 탈이온수 세정한다(Silicon Sense of Nashua, NH).
이들 실리콘 웨이퍼를 열 임피던스 측정용 시험 어셈블리를 제조하기 위한 기재로서 사용한다. 열 임피던스를 시험하기 위해, HSTC 조성물 층을 하나의 실리콘 기재상에 위치시킨다. 제2 실리콘 기재를 HSTC 조성물의 상부에 위치시켜 샌드위치 어셈블리를 형성시킨다. 상이한 온도에서 어셈블리들에 대하여 압착력을 가하여 HSTC 조성물의 유동을 모니터링하고, 압착력/온도 조건하에 얻어진 결합선 두께를 측정한다.
어셈블리의 열 임피던스는 레이저 섬광 방법으로 측정한다. 레이저 섬광 방법은 어셈블리의 한 면을 레이저로부터의 단일 펄스로 빠르게 가열하고, 반대쪽 면에 대하여 생성된 온도 교란(temperature disturbance)의 도착을 시간의 함수로서 모니터링함을 포함한다. 2개의 기재 사이의 얇은 TIM의 열 임피던스는 다층 분석을 사용하여 측정한다. 이러한 방법에 대한 기술적 설명은 장치 매뉴얼 및 문헌에 기술되어 있다[참조: Campbell, R. C.; Smith, S. E.; Dietz, R. L., "Measurements of Adhesive Bondline Effective Thermal Conductivity and Thermal Resistance Using the Laser Flash Method," IEEE SEMI-THERM XV Symposium, (1999) pages 83-97; Campbell, R. C.; Smith, S. E.; Dietz, R. L "Laser Flash Diffusivity Measurements of Filled Adhesive Effective Thermal Conductivity and Contact Resistance Using Multilayer Methods," Thermal Conductivity 25 - Thermal Expansion 13, June 13-16, 1999; and "Standard Test Method for Thermal Diffusivity of Solids by the Flash Method," ASTM Test Method E1461-92].
참조 실시예 2: 점도의 측정
온도 함수로서의 조성물의 복합 점도의 측정은 어드밴스트 레오메트릭 팽창 시스템(Advanced Rheometric Expansion System, ARES) 유량계(제조원: Rheometric Scientific, Piscataway, NJ, USA) 상에서 수득한다. 데이타는 25mm 평행 플레이트들 사이의 조성물을 동적 변형률 0.5%, 주파수 1radian/second 및 냉각 속도 2℃/min하에 90℃로부터 30℃로 냉각시켜 기록한다.
실시예 1
화학식 (Ph2SiO2/2)19(Me2Si02/2)19(PhSi03/2)37(MeSiO3/2)25의 실리콘 수지와 Al203 충전제(CB-A20S 및 Al-43-Me 산화알루미늄 충전제 2:1 혼합물, 제조원: Showa-Denko K. K.)를, 상기 수지와 충전제를 80℃로 가열하고 원심 혼합하여 배합한다. 혼합물은 충전제 부하가 85.65중량%이다.
참조 실시예 2에서 기술된 조건하에 유랑계에서 측정한 수득한 HSTC 조성물의 복합 점도는 30℃에서 7,376Pa·s이고 90℃에서 -10Pa·s이다. HSTC 조성물을 2개의 박리 라이너 사이에서 압축하여 실온에서 형태 안정성이고 점착성인 가요성의 6mil 두께 필름을 형성시킬 수 있다.
HSTC 조성물을 사용하여 참조 실시예 1에서 기술한 바와 같이 2개의 실리콘 기재 사이에 어셈블리를 제조한다. 상이한 압착력하 90℃에서의 어셈블리 내의 HSTC 조성물의 결합선 두께를, 이러한 결합선 두께에서 레이저 섬광에 의해 측정한 열 임피던스와 함께 표 1에 나타내었다.
압력(kPa) 결합선 두께(㎛) 열 임피던스(cm2°K/W)
28 74 0.45
138 52 0.40
실시예 2
화학식 (Ph2SiO2/2)19(Me2Si02/2)19(PhSi03/2)37(MeSiO3/2)25의 실리콘 수지와 Al203 충전제(CB-A20S 및 Al-43-Me 산화알루미늄 충전제 2:1 혼합물, 제조원: Showa-Denko K. K.)를, 상기 수지와 충전제를 80℃로 가열하고 원심 혼합하여 배합한다. 혼합물은 충전제 부하가 88.08중량%이다.
참조 실시예 2에서 기술된 조건하에 유랑계에서 측정한 수득한 HSTC 조성물의 복합 점도는 30℃에서 13,932Pa·s이고 90℃에서 190Pa·s이다. HSTC 조성물을 2개의 박리 라이너 사이에서 압축하여 실온에서 형태 안정성이고 점착성인 가요성의 6mil 두께 필름을 형성시킬 수 있다.
HSTC 조성물을 사용하여 참조 실시예 1에서 기술한 바와 같이 2개의 실리콘 기재 사이에 어셈블리를 제조한다. 상이한 압착력하 90℃에서의 어셈블리 내의 HSTC 조성물의 결합선 두께를, 이러한 결합선 두께에서 레이저 섬광에 의해 측정한 열 임피던스와 함께 표 2에 나타내었다.
압력(kPa) 결합선 두께(㎛) 열 임피던스(cm2°K/W)
28 103 0.54
138 90 0.44
실시예 3
(i) 화학식 (CH3)3SiOl/2의 실록산 단위 및 화학식 SiO4/2의 실록산 단위로 이루어지고, 수평균 분자량이 2600이고, (CH3)3SiO1/2 단위 대 SiO4/2 단위의 몰비가 0.9:1이고, 규소-결합 하이드록실 그룹을 1중량% 미만 함유하는 오가노폴리실록산 수지 61.08중량% 및 (ii) 점도가 25℃에서 약 0.3 내지 0.6Pa·s인 디메틸비닐실록시-말단 폴리디메틸실록산 38.92중량%로 이루어진 실리콘 수지/실리콘 중합체 블렌드를 본 실시예에서 매트릭스로서 사용한다. 상기 수지/중합체 블렌드와 A1203 충전제(CB-A20S 및 Al-43-Me 산화알루미늄 충전제 2:1 혼합물, 제조원: Showa-Denko K. K.) 및 충전제 처리제로서의 스테아르산(Aldrich Chemical Company)을, 상기 수지와 충전제를 80℃로 가열하고 원심 혼합함으로써 혼합한다. 혼합물은 충전제 88.08중량%, 스테아르산 0.6중량% 및 매트릭스 11.32중량%를 함유한다.
참조 실시예 2에서 기술된 조건하에 유랑계에서 측정한 수득한 HSTC 조성물의 복합 점도는 30℃에서 96,691Pa·s이고 90℃에서 1,996Pa·s이다. HSTC 조성물을 2개의 박리 라이너 사이에서 압축하여 실온에서 형태 안정성이고 점착성인 가요성의 6mil 두께 필름을 형성시킬 수 있다.
HSTC 조성물을 사용하여 참조 실시예 1에서 기술한 바와 같이 2개의 실리콘 기재 사이에 어셈블리를 제조한다. 상이한 압착력하 90℃에서의 어셈블리 내의 HSTC 조성물의 결합선 두께를, 이러한 결합선 두께에서 레이저 섬광에 의해 측정한 열 임피던스와 함께 표 3에 나타내었다.
압력(kPa) 결합선 두께(㎛) 열 임피던스(cm2°K/W)
28 92 0.43
138 74 0.37
실시예 4
화학식 (Ph2SiO2/2)19(Me2Si02/2)19(PhSi03/2)37(MeSiO3/2)25의 실리콘 수지와 질화붕소 충전제(PT350S, 제조원: Advanced Ceramics Corportaion)를, 상기 수지와 충전제를 100℃로 가열하고 원심 혼합하여 배합한다. 혼합물은 충전제 부하가 54.87중량%이다.
참조 실시예 2에서 기술된 조건하에 유랑계에서 측정한 수득한 HSTC 조성물의 복합 점도는 30℃에서 455,640Pa·s이고 90℃에서 10,058Pa·s이다. HSTC 조성물을 2개의 박리 라이너 사이에서 압축하여 실온에서 형태 안정성이고 점착성인 가요성의 6mil 두께 필름을 형성시킬 수 있다.
HSTC 조성물을 사용하여 참조 실시예 1에서 기술한 바와 같이 2개의 실리콘 기재 사이에 어셈블리를 제조한다. 상이한 압착력하 90℃에서의 어셈블리 내의 HSTC 조성물의 결합선 두께를, 이러한 결합선 두께에서 레이저 섬광에 의해 측정한 열 임피던스와 함께 표 4에 나타내었다.
압력(kPa) 결합선 두께(㎛) 열 임피던스(cm2°K/W)
28 190 1.33
138 163 0.89
도면
도 1은 본 발명에 따르는 계면 물질이다.
도 2는 본 발명에 따르는 장치이다.
참조 번호
100 계면 물질
101 기재
102 HSTC 조성물 층
103 박리 라이너
200 장치
201 히트 씽크
202 제2 열계면 물질(TIM2)
203 전자 부품
204 기재
205 솔더볼
206 제1 열계면 물질(TIM1)
207 금속 커버
208 화살표로 나타낸 열 경로
209 칩 언더필
210 패드
211 솔더볼 어레이

Claims (21)

  1. A) 조성물의 중량을 기준으로 하여, (i) 실리콘 수지 4 내지 60% 및 (ii) 실리콘 중합체 0 내지 35%를 포함하며, 실온에서 점도가 100Pa·s 이상이고 90℃ 이상에서 점도가 10Pa·s 이하인 매트릭스;
    B) 조성물의 중량을 기준으로 하여, 열전도성 충전제 40 내지 96%;
    C) 조성물의 중량을 기준으로 하여, 처리제 0 내지 5%; 및
    D) 조성물의 중량을 기준으로 하여, 산화방지제 0 내지 1%를 포함하고,
    이때, 상기 성분 A)(i)이 DT 수지, MQ 수지 또는 이들의 배합물을 포함하는데, DT 수지는 화학식 (R1R2Si02/2)a(R3SiO3/2)b 또는 (R1 2SiO2/2)a(R2 2Si02/2)b(R1Si03/2)c(R2SiO3/2)d을 가지며, 상기 화학식에서, R1이 각각 독립적으로 하이드록실 그룹 또는 유기 그룹이고, R2가 각각 독립적으로 하이드록실 그룹 또는 유기 그룹이고, R3이 각각 독립적으로 하이드록실 그룹 또는 유기 그룹이고, a가 1 내지 200이고, b가 1 내지 100이고, c가 1 내지 200이고, d가 1 내지 200이고,
    MQ 수지는 화학식 (R1R2R3SiO1/2)c(Si04/2)d을 가지며, 상기 화학식에서, R1이 각각 독립적으로 하이드록실 그룹 또는 유기 그룹이고, R2가 각각 독립적으로 하이드록실 그룹 또는 유기 그룹이고, R3이 각각 독립적으로 하이드록실 그룹 또는 유기 그룹이고, c가 1 내지 100이고, d가 1 내지 100이고, c/d의 평균 비가 0.65 내지 1.9임을 특징으로 하는 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 40℃ 이상의 온도에서 연화되고 유동하도록 제형화되는 조성물.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 성분 A)(ii)가 존재하고, 화학식 (R1R2R3SiO1/2)2(R1R2SiO2/2)e을 가지며, 상기 화학식에서, R1이 각각 독립적으로 하이드록실 그룹 또는 유기 그룹이고, R2가 각각 독립적으로 하이드록실 그룹 또는 유기 그룹이고, R3이 각각 독립적으로 하이드록실 그룹 또는 유기 그룹이고, e가 5 내지 800인 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 성분 B)가 질화알루미늄, 산화알루미늄, 티탄바륨, 산화베릴륨, 질화붕소, 다이아몬드, 흑연, 산화마그네슘, 금속 미립자, 탄화규소, 탄화텅스텐, 산화아연 또는 이들의 배합물을 포함하는 조성물.
  7. 제1항에 있어서, E) 억제제; F) 유기 작용성 실리콘 왁스, 실리콘-유기 블럭 공중합체 또는 이들의 배합물; G) 비히클; H) 습윤제; I) 소포제; J) 안료; K) 난연제; L) 스페이서; M) 저융점 금속 충전제; N) 강화 충전제; 또는 이들의 배합물로부터 선택된 임의 성분을 추가로 포함하는 조성물.
  8. 제1항에 따르는 조성물(I)을 포함하고, 조성물이 평평 부재, 반구형 누빈(nubbin), 볼록 부재, 피라미드 또는 원뿔로서 형성되어 있는 계면 물질.
  9. 제8항에 있어서, 조성물이 기재의 표면 상에 피복되어 있는 계면 물질.
  10. 제9항에 있어서, 기재가 금속 호일, 천공 금속 호일, 폴리아미드 시트, 폴리이미드 시트 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 폴리에스테르 시트를 포함하는 계면 물질.
  11. 제9항에 있어서, 조성물이 기재의 2개의 면에 피복되어 있는 계면 물질.
  12. 제9항에 있어서, 기재 맞은편의 조성물 표면을 커버링하는 박리 시트(II)를 추가로 포함하는 계면 물질.
  13. 제1항에 따르는 조성물을 열원과 히트 스프레더(heat spreader) 사이의 열 경로를 따라 삽입시킴(i)을 포함하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 열원이 전자 부품을 포함하는 방법.
  15. 제13항에 있어서, 히트 스프레더가 히트 씽크, 열전도성 플레이트, 열전도성 커버, 팬 또는 순환 냉각제 시스템을 포함하는 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    조성물을, 조성물의 연화 온도 이상의 온도로 가열하고(ii),
    조성물에 압력을 가하고(iii),
    조성물을 상 변화 온도 미만의 온도로 냉각시킴(iv)을 추가로 포함하는 방법.
  17. 제16항에 따르는 방법으로 제조된 장치.
  18. 제1항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분 A)는 작동 또는 어셈블리 온도에서 모듈러스 및 점도가 감소되는 조성물.
  19. 삭제
  20. 제1항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분 A)(i)이,
    (a) 화학식 (Ph2SiO2/2)19((CH3)2Si02/2)l9(PhSi03/2)37((CH3)Si03/2)25(여기서, Ph는 페닐 그룹이다)의 수지 및
    (b) 화학식 (CH3)3Si01/2의 실록산 단위 및 화학식 SiO4/2의 실록산 단위로 이루어지고, 수평균 분자량이 2,600이고, (CH3)3SiO1/2 단위 대 SiO4/2 단위의 몰 비가 0.9:1이고, 규소-결합 하이드록실 그룹을 1중량% 미만 함유하는 오가노폴리실록산 수지로부터 선택되는, 조성물.
  21. 제1항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분 A)(ii)가 존재하고, 성분 A)(ii)가 디메틸비닐실록시-말단 폴리디메틸실록산인 조성물.
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