KR20070080840A - 반도체 장치 제조 방법 - Google Patents
반도체 장치 제조 방법Info
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Abstract
폴리이미드 수지막이 반도체칩의 전면 상에 보호막으로서 형성될 때, 스크라이브 라인 상에 배치된 폴리이미드 수지막이 제거되고, 반도체 웨이퍼의 원주부상에 배치된 폴리이미드 수지막이 또한 제거되는, 반도체장치의 제조방법이 제공된다. 그래서, 반도체 웨이퍼의 후면이 접지될 때, 반도체 웨이퍼의 외주부 및 면보호 테이프가 서로 완전히 결합됨으로서, 면보호 테이프와 반도체 웨이퍼의 전면 상에 형성된 각 스크라이브라인 사이의 갭을 채울수 있게 되고, 반도체 웨이퍼의 후면이 그라인딩될 때, 그라인딩 웨이퍼가 갭으로 침투되는 것을 방지하고, 반도체 칩의 스크라이브 라인과 전면이 그라인딩 부스러기로 오염되는 것이 방지된다.
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 제조방법에 의해 반도체칩이 설치되는 반도체 웨이퍼를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 제조방법에 의해 반도체칩을 제조하기 위한 마스크 배열을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 장치의 제조방법에 의해 반도체칩이 설치되는 반도체 웨이퍼를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 제조방법에 의해 면저항 테이프가 반도체 웨이퍼에 접합될 때 반도체 웨이퍼의 외주부에 형성된 스크라이브 라인의 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 제조방법에 의해 면저항 테이프가 반도체 웨이퍼에 접합될 때 반도체 웨이퍼의 외주부의 스크라이브 라인에 의해 만들어진 각 트렌치의 확대 단면도이다.
도 6은 종래 기술에 따른 반도체 장치의 제조방법에 의해 면저항 테이프가 반도체 웨이퍼에 접합될 때 반도체 웨이퍼의 외주부의 스크라이브 라인에 의해 만들어진 각 트렌치의 확대 단면도이다.
도 7은 종래 기술에 따른 반도체 장치의 제조방법에 의해 반도체칩이 설치되 는 반도체 웨이퍼를 나타내는 도면이다.
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법, 더 상세하게는 반도체 웨이퍼의 후면을 그라인딩하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 각각 포함하는 복수의 반도체 칩이 반도체 웨이퍼의 전면에 형성되도록 반도체 장치가 제조된다. 또한, 반도체 웨이퍼 상에 서로 인접하는 반도체 칩들 사이에 스크라이브 라인(scribe line)들이 형성되고, 다이싱 공정에서 이것을 따라서 반도체 웨이퍼가 반도체 칩들로 절단된다. 반도체 웨이퍼는 제조 공정에서 특정 강도를 유지하기 위해 약 500 ∼ 900㎛의 두께를 갖는다. 그러나, 반도체 웨이퍼가 칩으로서 패키지로 조합된 경우에, 반도체 칩은 100 ∼ 350㎛ 사이의 두께를 갖는 것이 요구된다. 이 때문에, 원하는 두께를 얻기 위해 반도체 웨이퍼가 그라인딩되고, 반도체 웨이퍼가 스크라이브 라인을 따라서 수직과 수평으로 절단되어 분리되는 방법이 채택된다.
반도체 웨이퍼를 얇게 하는 방법으로서, 일본 특허공개 05-335411A는 반도체 웨이퍼의 전면에 각각 소정 깊이를 갖는 트렌치가 형성되고, 반도체 웨이퍼의 후면이 그라인딩되는 반도체 칩 제조 방법을 개시한다.
또한, 일본 특허공개 2001-127029A는 기재와 거기에 형성된 접착층을 포함하고, 면보호 시트에 대한 인장 시험에서 10%의 장력에 대해 분당 40% 이상의 응력 완화율을 갖는 면보호 시트로 반도체 웨이퍼의 전면을 보호하는 방법을 개시한다.
반도체 웨이퍼의 후면을 그라인딩하는 공정에서, 반도체 웨이퍼의 전면을 보호하도록 면보호 테이프가 반도체 웨이퍼의 전면과 접합되고, 반도체 웨이퍼의 후면은 그라인딩된다. 반도체 웨이퍼의 후면이 그라인딩된 후, 면보호 테이프가 제거된다.
폴리이미드 수지막을 사용하는 경우에, 반도체 칩이 손상되거나 오염되는 것을 방지하기 위해, 폴리이미드 수지막은 특정 두께를 가져야 한다. 또한, 스크라이브 라인상에 배치된 폴리이미드 수지막은 다이싱 공정에서 다이싱 블레이드의 커팅 성능을 왜곡시키기 때문에, 스크라이브 라인상에 배치된 폴리이미드 수지막을 제거하는 것이 필요하다.
폴리이미드 수지막은 4 ㎛ 이상의 두께를 갖는 것이 요구된다. 도 7에 나타낸 것같이, 스크라이브 라인(3)이 반도체 웨이퍼(1)의 최외주 부분에 형성된다. 도 6에 나타낸 것같이, 면보호 테이프(6)는 반도체 웨이퍼의 전면상의 스크라이브 라인(3)에 의해 만들어진 각 트렌치를 채우지 못하므로, 면보호 테이프와 반도체 웨이퍼의 전면 상에 형성된 각 스크라이브 라인 사이에 갭(9)을 생성한다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 후면이 그라인딩될 때, 그라인딩 워터가 갭(9)으로부터 들어가고, 그라인딩 부스러기는 반도체 칩의 스크라이브 라인과 전면을 오염시킨다.
본 발명은 상기 서술된 문제점을 고려하여 만들어진 것으로, 본 발명의 목적은, 스크라이브 라인 영역에 의해 분리되는 복수의 반도체칩 영역을 포함하는 반도 체 웨이퍼를 준비하는 단계에서, 반도체 웨이퍼의 스크라이브 라인 영역에 배치된 폴리이미드 수지막을 제거하고, 반도체 웨이퍼의 외주부에 설치된 폴리이미드 수지막을 제거한 후, 반도체 웨이퍼의 외주부와 면보호테이프는 서로 접합됨으로써, 면보호 테이프와 반도체 웨이퍼의 전면에 형성된 각 스크라이브 라인 사이의 갭을 채워서, 반도체 웨이퍼의 후면이 그라인딩될 때 그라인딩 웨이퍼가 상기 갭으로 침투되는 것을 방지하고, 스크라이브 라인과 반도체칩의 전면이 그라인딩 부스러기(swarf)로 오염되는 것을 방지하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
이후, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라서 반도체칩이 설치되는 반도체 웨이퍼의 상부면을 나타내는 평면도이다. 도 1에 나타낸 것같이, 반도체칩(2)은 웨이퍼 공정에서 반도체 웨이퍼(1)상에 설치되고, 마지막으로 예를 들면 감광 폴리이미드 수지막의 패시베이션막으로 보호하기 위해 덮여진다. 도면 부호 3은 스크라이브 라인을 나타내고, 도면 부호 4는 반도체 웨이퍼의 외주부를 나타낸다. 감광 폴리이미드 수지막은 스핀코팅 장치를 이용하여 형성될 수 있다. 그러면, 반도체 웨이퍼(1)는 거기에 마스크 패턴을 전사하기 위해 노광 장치에 놓여진다. 반도체 웨이퍼(1)는 실제 패턴에 대해서 1:1의 비율로 만들어진 마스크를 사용하여 근접 노광에 의해 노광된다. 그 후, 반도체 웨이퍼(1)는 현상 공정 및 후노광 베이킹되어, 폴리이미드 수지막의 패터닝을 실행한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 노광 공정에서, 네가티브 감광 폴리이미드가 사 용될 때, 도 2에 나타내는 것같이, 반도체 웨이퍼의 외주 부분이고, 1 ∼ 2mm의 폭을 갖는 부분(4)이 노광되는 것을 방지하기 위해 크롬 패턴(11)이 마스크(10) 상에 아크 형상으로 미리 형성된다. 포지티브 감광 폴리이미드가 사용될 때, 패턴이 마스크에 아크 형상으로 미리 형성되므로 반도체 웨이퍼의 외주 부분이고, 1 ∼ 2mm의 폭을 갖는 부분(4)이 노광된다. 노광후의 현상을 통해, 반도체 웨이퍼의 주변부 상에 배치된 폴리이미드 수지막을 제거하는 것이 가능하다.
포지티브 감광 폴리이미드를 사용하는 경우에, 마스크 상에 노광을 행하는 대신에, 패턴 노광 후에 반도체 웨이퍼의 주변부 위에만 아크 형상으로 노광을 행하는 공정을 부가적으로 행함으로써, 반도체 웨이퍼의 주변부 상에 배치된 폴리이미드 수지막을 또한 제거할 수 있다.
상기 서술된 공정에 의해, 스크라이브 라인 상에 배치된 폴리이미드 수지막이 제거되면서, 각각의 반도체칩이 폴리이미드 수지막으로 보호됨으로써, 반도체 칩의 유무에 상관없이 반도체 웨이퍼(1)의 외주부(4) 상에 배치된 폴리이미드 수지막을 제거한다.
이 경우, 감광 폴리이미드가 일예로서 서술되지만, 비감광 폴리이미드가 동일한 구성을 얻기 위해 사용될 수 있다. 비감광 폴리이미드가 사용될 때, 비감광 폴리이미드 상에 배치된 포토 레지스트가 패터닝되고, 에칭을 행하기 위한 마스크로서 사용됨으로써, 비감광 폴리이미드의 패터닝을 행할수 있게 된다.
반도체 웨이퍼(1)의 후면이 그라인딩될 때, 반도체 웨이퍼(1)의 외주부(4)와 면보호 테이프가 도 4에 나타낸 것같이 서로 접합함으로써, 면보호 테이프(6)와, 폴리이미드 수지막(7)이 도 5에 나타낸 것같이 제거되는 외주부(4)에서 반도체 웨이퍼의 전면상에 형성된 스크라이브 라인(3) 사이의 갭을 채운다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 후면이 그라인딩될 때, 그라인딩 웨이퍼가 갭에 침투하는 것이 방지될 수 있고, 반도체 칩의 스크라이브 라인과 전면이 그라인딩 부스러기로 오염되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 실제의 패턴에 대해서 1:1의 비율로 만들어진 마스크를 사용하여 근접 노광함으로써 노광을 행할 수 있으므로, 반도체 웨이퍼(1)의 외주부(4)상의 폴리이미드 수지막뿐 아니라, 반도체 웨이퍼(1)의 최외주부에 위치된 불량 칩(8) 상에 배치된 폴리이미드 수지막을 도 3에 나타낸 것같이 쉽고 완전하게 제거할 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 외주부와 면보호 테이프(6)가 서로 접합되는 큰 접합 영역을 확실히 할 수 있고, 반도체 웨이퍼의 후면이 그라인딩될 때, 그라인딩 웨이퍼가 반도체 웨이퍼의 주변부로부터 들어가는 것을 방지할 수 있다.
상기 서술한 것같이, 본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼의 전면이 그라인딩될 때, 반도체 웨이퍼의 외주부 및 면보호 테이프가 서로 접합함으로써 면보호 테이프와 반도체 웨이퍼의 전면에 형성된 각 스크라이브 라인 사이의 갭을 채울수 있고, 반도체 웨이퍼의 후면이 그라인딩될 때 그라인딩 웨이퍼가 갭에 침투되는 것을 방지할 수 있고, 반도체 칩의 스크라이브 라인과 전면이 그라인딩 부스러기에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
Claims (3)
- 반도체 웨이퍼의 전면 상에 폴리이미드 수지막으로 만들어진 패시베이션막을 형성하는 단계;반도체 웨이퍼의 스크라이브 라인 및 반도체 웨이퍼의 외주부상에 배치된 패시베이션막을 제거하는 단계;및반도체 웨이퍼의 전면 상에 보호 테이프를 접합하고, 반도체 웨이퍼의 후면을 그라인딩하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 패시베이션막을 제거하는 단계는, 상기 패시베이션막이 근접 노광에 의해 제거되는 영역을 결정하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 패시베이션막을 제거하는 단계는, 상기 반도체 웨이퍼의 외주부에 설치된 불량칩 상에 배치된 폴리이미드 수지막을 제거하는 단계를 더 포함하는, 반도체 장치의 제조방법.
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