KR20070079510A - 마스크리스 노광기의 정렬장치 - Google Patents

마스크리스 노광기의 정렬장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070079510A
KR20070079510A KR1020060010255A KR20060010255A KR20070079510A KR 20070079510 A KR20070079510 A KR 20070079510A KR 1020060010255 A KR1020060010255 A KR 1020060010255A KR 20060010255 A KR20060010255 A KR 20060010255A KR 20070079510 A KR20070079510 A KR 20070079510A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
panel
light source
alignment
reflected
beam splitter
Prior art date
Application number
KR1020060010255A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101273800B1 (ko
Inventor
김명관
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020060010255A priority Critical patent/KR101273800B1/ko
Publication of KR20070079510A publication Critical patent/KR20070079510A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101273800B1 publication Critical patent/KR101273800B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F5/00—Screening processes; Screens therefor
    • G03F5/02—Screening processes; Screens therefor by projection methods
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 마스크리스 노광기의 정렬장치에 관한 것이다. 본 발명은 광원(50)에서 나온 빔을 디이엠디이(60)에서 선택적으로 반사하여 패널(42)에 노광하는 마스크리스 노광기에 있어서, 상기 디이엠디이(60)에서 반사되어 패널(42)로 전달되는 빔(51)의 경로 상에 설치되어 상기 디이엠디이(60)에서 반사되어온 빔(51)을 패널(42)쪽으로 투과하고 패널(42)에서 반사되어온 빔(51)을 반사하는 빔스플리터(70)와, 상기 빔스플리터(70)에 의해 상기 패널(42)에서 반사되어온 빔(51)을 전달받아 화상데이터를 획득하는 감지카메라(72)를 포함하여 구성되고, 상기 광원(50)에서 나온 빔(51)이 상기 패널(42)의 정렬마크(45)에 조사되는 것을 감지카메라(72)가 검출한다. 상기 빔스플리터(70)는 얇은 막으로 된 펠리클 빔스플리터(Pellicle Beamsplitter)이다.
노광기, 마스크리스, 정렬, 펠리클 빔스플리터

Description

마스크리스 노광기의 정렬장치{Align apparatus of maskless exposurer}
도 1은 종래 기술에 의한 마스크리스 노광장치의 개략 구성을 보인 구성도.
도 2는 종래 기술에 의한 마스크리스 노광장치에서 스캔방식으로 노광을 수행하는 것을 설명하는 설명도.
도 3은 본 발명에 의한 정렬장치의 바람직한 실시예가 채용된 마스크리스 노광기의 구성을 보인 개략구성도.
도 4는 본 발명 실시예에서 디이엠디이에서 나온 빔과 패널의 정렬마크가 정렬된 상태를 보인 정렬상태도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
40: 테이블 42; 패널
45: 정렬마크 50: 광원
51: 빔 52: 제1광학계
53: 컨덴싱렌즈 60: 디이엠디이
62: 제2광학계 63: 프로젝션렌즈
70: 빔스플리터 72: 감지카메라
74: 모니터
본 발명은 마스크리스 노광기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스캔방식으로 대면적의 패널에 노광을 수행하는 마스크리스 노광기에서 기판과 디이엠디이의 상대위치를 맞춰주는 마스크리스 노광기의 정렬장치에 관한 것이다.
일반적으로 평판디스플레이(FPD: Flat Panel Display)를 구성하는 패널에 패턴을 형성하는 방법은 다음과 같다. 즉, 먼저 패널에 패턴재료를 도포하고, 포토마스크를 사용하여 패턴재료에 선택적으로 노광을 한다. 선택적 노광에 의해 화학적 성질이 달라진 패턴재료 부분 또는 그 이외의 부분을 선택적으로 제거하여 패턴을 형성한다.
최근에 포토마스크를 사용하지 않는 마스크리스 노광기가 많이 사용되고 있다. 이와 같이 마스크리스 노광기에서는 전자장치(Electronic device)를 사용하여 전기적인 신호로 만들어진 패턴정보를 이용하여 광선을 패널에 전사시키는 방식을 사용한다. 상기 전자장치의 대표적인 예로서 디이엠디이(DMD: Digital micro-mirror device)가 있다. 상기 디이엠디이는 많은 수의 마이크로미러가 일정한 각도를 가지고 입사된 광을 원하는 각도로 보내고, 그 외의 광은 다른 각도로 보냄으로써, 필요한 광만을 사용하여 하나의 화면을 만드는 원리를 사용한다.
도 1에는 이와 같은 디이엠디이를 사용한 종래 기술에 의한 마스크리스 노광기의 구성이 개시되어 있다. 이에 따르면, 광원(1)은 노광을 위한 광을 제공하는 것이다. 상기 광원(1)에서 나온 광은 제1광학계(3)를 거쳐 디이엠디이(5)로 전달된 다. 상기 제1광학계(3)에는 광안내부재(3')와 컨덴싱광학부재(4)가 구비된다. 상기 광안내부재(3')는 광을 원하는 경로로 안내하는 역할을 하고, 상기 컨덴싱광학부재(4)는 광원(1)에서 나온 광을 노광에 사용할 수 있는 광으로 만들어준다.
상기 컨덴싱광학부재(4)를 통과한 광은 디이엠디이(5)에서 반사된다. 이때, 상기 디이엠디이(5)는 외부신호에 따라 원하는 패턴정보를 받아 필요한 광만을 아래에서 설명될 제2광학계(7)로 선택적으로 전달한다. 즉, 광원(1)에서 나온 광중에서 필요없는 광은 다른 각도로 반사시키고, 필요한 광만을 제2광학계(7)로 전달한다.
제2광학계(7)는 상기 디이엠디이(5)에서 나온 광을 안내하는 역할을 하는 것으로, 광안내부재(7')와 이미지광학부재(8)를 구비한다. 상기 광안내부재(7')는 광을 원하는 경로로 안내하는 역할을 하고, 상기 이미지광학부재(8)는 광을 패널(10)에 정확하게 전달되게 하는 것으로, 프로젝션렌즈가 사용된다.
이와 같은 구성을 가지는 종래의 마스크리스 노광기에서는 상기 디이엠디이(5) 자체의 면적이 좁은 반면, 패널(10)의 면적은 점차 커지고 있어 한번에 패널(10) 전체의 노광을 수행할 수 없다. 따라서, 디이엠디이(5)에서 나온 광이 상기 패널(10) 전체를 노광시키기 위해서는 패널(10)의 표면에 대해 상대적으로 이동되도록 하여 전체를 노광시킨다. 이때, 상기 광이 패널(10)의 표면을 따라 이동하는 것을 스캔한다고 한다. 일반적으로 하나의 패널(10)을 노광시킴에 있어, 도 2에 도시된 바와 같이, 다수개의 디이엠디이(5)에서 나와 소정 영역을 노광시킬 수 있는 광(L)이 상기 패널(10)의 표면을 따라 상대적으로 이동하면서 스캔하여 노광을 수행한다. 실제로는 패널(10)이 일정 속도로 이동하여 광(L)이 패널(10) 표면을 따라 이동되면서 노광되는 것으로 된다.
그러나 상기한 바와 같은 종래 기술에 의한 마스크리스 노광기에서는 다음과 같은 문제점이 있다.
마스크리스 노광기에서는 스캔이라는 방식으로 노광을 수행하기 위해서 해당되는 영역을 일회 왕복하게 된다. 즉, 상기 패널(10)과 디이엠디이(5)가 상대 이동하면서, 디이엠디이(5)에서 나온 광이 패널(10)을 일방향으로 가면서 노광하고 다시 반대로 돌아오면서 노광하는 것이다.
하지만, 상기 디이엠디이(5)와 패널(10)이 정확하게 정렬되어 있지 않으면, 일방향으로 가면서 노광한 패턴과 반대방향으로 가면서 노광한 패턴이 일치하지 않게 되어 일종의 얼룩같은 것이 형성되는 불량이 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 마스크리스 노광기에서 디이엠디이와 패널사이의 상대위치가 정확하게 정렬되도록 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 노광기에서 노광을 위해 사용되는 광원으로 정렬을 수행하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 기존의 노광기에 설치하여 사용할 수 있는 정렬장치를 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 광원에서 나온 빔을 디이엠디이에서 선택적으로 반사하여 패널에 노광하는 마스크리스 노광기에 있어서, 상기 디이엠디이에서 반사되어 패널로 전달되는 빔의 경로 상에 설치되어 상기 디이엠디이에서 반사되어온 빔을 패널쪽으로 투과하고 패널에서 반사되어온 빔을 반사하는 빔스플리터와, 상기 빔스플리터에 의해 상기 패널에서 반사되어온 빔을 전달받아 화상데이터를 획득하는 감지카메라를 포함하여 구성되고, 상기 광원에서 나온 빔이 상기 패널의 정렬마크에 조사되는 것을 감지카메라가 검출한다.
상기 빔스플리터는 얇은 막으로 된 펠리클 빔스플리터(Pellicle Beamsplitter)이다.
상기 감지카메라에서 획득한 화상데이터를 표시하는 모니터가 더 구비된다.
상기 빔스플리터는 상기 디이엠디이에서 나온 광을 패널에 집광시키는 제2광학계의 프로젝션렌즈를 통과한 위치에 설치된다.
상기 빔스플리터와 감지카메라는 하나의 조립체로 구성되어 상기 프로젝션렌즈를 통과한 위치에 설치된다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 본 발명은 광원과, 상기 광원에서 나온 빔을 선택적으로 반사하는 디이엠디이와, 상기 디이엠디이에서 반사되어 패널에 조사되는 빔의 경로 상에서 상기 패널의 직전 위치에 설치되어 상기 디이엠디이에서 반사되어온 빔을 패널쪽으로 투과하고 패널에서 반사되어온 빔을 반사하는 빔스플리터 와, 상기 빔스플리터에 의해 반사되어온 빔을 전달받아 화상데이터를 획득하는 감지카메라를 포함하여 구성되고, 상기 광원에서 나온 빔이 상기 패널의 정렬마크에 조사되는 것을 감지카메라가 검출한다.
상기 광원과 디이엠디이의 사이, 상기 디이엠디이와 빔스플리터의 사이에는 제1 및 제2 광학계가 더 구비되어 상기 정렬마크의 검출에 필요한 빔을 전달한다.
상기 빔스플리터는 얇은 막으로 된 펠리클 빔스플리터(Pellicle Beamsplitter)이다.
상기 감지카메라에서 획득한 화상데이터를 표시하는 모니터가 더 구비된다.
상기 빔스플리터와 감지카메라는 하나의 조립체로 구성되어 상기 패널에 조사되는 빔의 경로 상에서 상기 패널의 직전 위치에 설치된다.
이와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 마스크리스 노광기의 정렬장치에 의하면 노광기의 디이엠디이와 패널사이의 정렬이 정확하게 되어 노광에 의해 발생하는 패턴이 정확하게 형성되고, 노광을 위한 광원을 그대로 사용하여 정렬을 수행하므로 별도의 광원을 준비하지 않아도 되고, 기존의 노광기에 그대로 설치하여 정렬을 수행할 수 있어 저렴한 비용으로 노광기의 품질을 높일 수 있는 이점이 있다.
이하 본 발명에 의한 마스크리스 노광기의 정렬장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 3에는 본 발명에 의한 정렬장치의 바람직한 실시예가 채용된 마스크리스 노광기의 구성을 보인 개략구성도가 도시되어 있고, 도 4에는 본 발명 실시예에서 디이엠디이에서 나온 빔과 패널의 정렬마크가 정렬된 상태를 보인 정렬상태도가 도 시되어 있다.
도면에 도시된 바에 따르면, 테이블(40)상에는 작업대상물인 패널(42)이 설치된다. 상기 패널(42)은 상기 테이블(40)에 안착된 상태로 테이블(40)과 함께 이동될 수 있다. 즉, 상기 테이블(40)은 x,y,z방향으로 이동가능하게 구성되는 것이 바람직하다.
상기 패널(42)에는 노광대상물(도시되지 않음)이 도포되어 있다. 상기 패널(42)의 일측에는 정렬마크(45)가 형성되어 있다. 상기 정렬마크(45)는 패널(42)과 아래에서 설명될 디이엠디이(60) 사이의 상대위치를 정렬하도록 하는 역할을 한다.
광원(50)은 노광을 위한 빔(51)을 제공한다. 상기 빔(51)은 상기 패널(42)에 도포된 노광대상물에 조사된다. 상기 광원(50)에서 나오는 빔(51)은 상기 패널(42)과 디이엠디이(60)의 정렬을 위해서도 사용된다.
상기 광원(50)에서 나온 빔(51)은 제1광학계(52)를 통해 아래에서 설명될 디이엠디이(60)로 전달된다. 상기 제1광학계(52)는 빔(51)을 상기 광원(50)과 디이엠디이(60)사이에서 전달하고, 상기 빔(51)이 노광에 사용될 수 있도록 만든다. 이를 위해 상기 제1광학계(52)는 적어도 컨덴싱렌즈(53)를 포함한다. 그리고, 제1광학계(52)는 빔(51)의 경로를 조정하기 위한 미러와 같은 안내부재를 포함할 수도 있다.
디이엠디이(60)는 상기 광원(50)에서 나온 빔(51)을 선택적으로 반사하여 원하는 패턴형태로 상기 패널(42)에 조사되도록 하는 것이다. 상기 디이엠디이(60)는 그 각각의 미러에서 빔(51)을 선택적으로 반사하는 패턴을 계속 바꾸어, 일측에서 타측으로 이동되도록 하고, 또한 디이엠디이(60)와 패널(42)이 상대적으로 이동하 게 하여 패널(42)의 각각의 위치에 원하는 형태의 패턴을 형성하도록 한다. 여기서, 상기 디이엠디이(60)에서 패널(42)의 위치에 맞는 패턴을 만들어내도록 디이엠디이(60)에 빔(51)을 반사하는 미러가 인접하는 것으로 계속적으로 바뀌도록 하는 것을 일렉트릭컬 스캔(Electrical scan)이라고 하고, 상기 디이엠디이(60)와 패널(42)이 상대적으로 이동하면서 스캔을 수행하는 것을 미케니컬 스캔(Mechanical scan)이라고 한다.
상기 디이엠디이(60)에서 선택적으로 반사되어 나온 빔(51)은 제2광학계(62)로 전달된다. 상기 제2광학계(62)는 빔(51)을 상기 테이블(40)에 안착된 패널(42)로 보내는 역할을 하는데, 보다 정확하게는 빔(51)이 정확하게 패널(42)에 집광되도록 한다. 물론 상기 제2광학계(62)에도 빔(51)의 경로를 조정하기 위한 안내부재가 구비될 수 있다. 하지만, 상기 제2광학계(62)는 적어도 빔(51)이 패널(42)에 정확하게 집광되도록 하는 기능을 수행하는 프로젝션렌즈(62)를 구비하여야 한다. 상기 제2광학계(62)를 거쳐 나온 빔(51)은 상기 패널(42)에 조사되어 노광작용을 수행한다.
한편, 상기 제2광학계(62)와 패널(42)의 사이에는 상기 패널(42)과 디이엠디이(60) 사이의 정렬을 수행하기 위한 정렬장치가 구비된다.
즉, 상기 제2광학계(62)와 패널(42)의 사이에는 빔스플리터(70)가 설치된다. 상기 빔스플리터(70)로는 펠리클 빔스플리터(Pellicle Beamsplitter)가 사용된다. 상기 펠리클 빔스플리터는 대략 2㎛ 정도의 얇은 막으로 형성된 것으로, 상기 제2광학계(62)에서 나온 광을 투과시키고, 상기 패널(42)에서 반사되어 나오는 광은 반사시키는 역할을 하는 것이다. 특히, 상기 펠리클 빔스플리터는 얇은 막으로 되어 있어 상기 프로젝션렌즈(62)에서 나온 빔(51)이 통과하는 과정에서 초점거리가 변하지 않도록 하여 빔(51)이 패널(42)에 정확하게 조사되는 것을 방해하지 않는다. 하지만, 프리즘을 사용한 빔스플리터를 사용하면 빔(51)이 프리즘을 통과하는 과정에서 초점거리가 바뀌어 정확하게 집광되어 노광되지 않는 문제가 발생한다.
상기 빔스플리터(70)에서 반사된 빔(51)은 감지카메라(72)로 전달된다. 상기 감지카메라(72)는 상기 빔스플리터(70)에서 반사된 빔(51)을 받아 화상신호로 바꾸어주게 된다. 상기 감지카메라(72)에서 감지된 화상신호는 별도의 모니터(74)에 표시되어 작업자가 이를 보면서 디이엠디이(60)와 패널(42)의 정렬을 수행하도록 한다.
한편, 참고로, 상기 빔스플리터(70)와 감지카메라(72)는 하나의 조립체로 구성되어 상기 제2광학계(62)쪽에 장착될 수 있다. 물론, 상기 광원(50), 제1광학계(52), 디이엠디이(60) 및 제2광학계(62)와 빔스플리터(70) 및 감지카메라(72)가 하나의 조립체로 구성될 수도 있다.
이하 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 마스크리스 노광기의 정렬장치의 작용을 상세하게 설명한다.
본 발명에서는 마스크리스 노광기에서 디이엠디이(60), 보다 상세하게는 디이엠디이(60)에서 반사되어 나오는 패턴형상의 빔(51)이 패널(42)상의 정확한 위치에 조사될 수 있도록 정렬을 수행한다.
이를 위해 상기 광원(50)에서 빔(51)을 조사하면, 이 빔(51)은 제1광학계 (52)를 통과하여 디이엠디이(60)에서 반사되고, 상기 디이엠디이(60)에서 선택적으로 반사된 빔(51)은 제2광학계(62)를 통과한다. 여기서, 상기 디이엠디이(60)에서는 도 4에 도시된 바와 같은 형상으로 빔(51)이 형성되도록 선택적으로 반사한다. 상기 제2광학계(62)를 통과한 빔(51)은 펠리클 빔스플리터(70)를 투과하여 상기 패널(42)에 조사된다.
실제 노광공정을 진행하기에 앞서, 상기 패널(42)과 디이엠디이(60)를 정렬하여야 하는데, 이를 위해 상기 패널(42)에 조사된 빔(51)이 반사되어 오는 것을 상기 펠리클 빔스플리터(70)가 상기 감지카메라(72) 방향으로 반사한다.
상기 감지카메라(72)로 전달된 빔(51)은 감지카메라(72)에서 화상데이터로 변환되어 상기 모니터(74)에 표시된다. 실제로 상기 모니터(74)에는 도 4에 도시된 바와 같은 형태의 화상이 표시된다. 물론, 처음부터 상기 정렬마크(45)의 중앙이 상기 빔(51)의 중앙에 위치되는 것은 아니다.
상기 정렬마크(45)의 중앙이 상기 빔(51)의 중앙에 위치되도록 상기 테이블(40)이나 디이엠디이(60)의 위치를 조정한다. 물론, 상기 디이엠디이(60)는 상기 광원(50), 제1,2광학계(52,62) 및 빔스플리터(70)와 감지카메라(72) 등과 일체로 움직이도록 구성되는 것이 일반적이다.
디이엠디이(60)와 테이블(40)의 상대적인 이동에 의해 상기 정렬마크(45)의 중앙이 빔(51)의 중앙에 위치되면 디이엠디이(60)와 테이블(40), 즉 패널(42)의 정렬이 완성된 것이다. 이와 같은 상태에서, 상기 광원(50)에서 빔(51)을 조사하고, 상기 디이엠디이(60)에서 선택적으로 반사하여 패널(42)에 원하는 형상으로 빔(51) 을 조사하여 노광을 수행한다. 이때, 상기 디이엠디이(60)에서의 일렉트리컬 스캔과 패널(42)과 디이엠디이(60)사이에서의 미케니컬 스캔이 동시에 이루어지면서 노광이 수행된다.
본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.
예를 들면, 상기 광원(50)과 디이엠디이(60) 등을 실제로 노광을 위한 것과 별도로 가지면서, 빔스플리터(70)와 감지카메라(72) 등을 구비하여 디이엠디이(60)와 패널(42)을 정렬하도록 할 수도 있다.
위에서 상세히 설명한 바와 같은 본 발명에 의한 마스크리스 노광기의 정렬장치에서는 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
먼저, 마스크리스 노광기에서 패널과 디이엠디이 사이의 상대 위치를 정확하게 맞춘 상태에서 노광작업을 수행할 수 있어 노광에 의해 형성되는 패턴이 정밀하게 만들어질 수 있다. 따라서, 노광기에서 노광불량이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
그리고, 본 발명에서는 노광을 위해 사용하는 광원의 빔을 사용하여 패널과 디이엠디이의 정렬을 수행하도록 하였다. 따라서, 패널과 디이엠디이의 정렬을 위해 별도의 광원을 사용하지 않아도 되므로 정렬장치의 제조원가를 상대적으로 낮출 수 있는 효과도 있다.
그리고 본 발명에서는 패널과 디이엠디이의 정렬을 위한 빔스플리터와 감지카메라를 별도로 하나의 조립체로 구성되면, 기존의 노광기에 이를 장착하여 사용할 수 있다. 따라서, 저렴한 비용으로 기존 노광기의 품질을 높일 수 있는 효과도 있다.

Claims (10)

  1. 광원에서 나온 빔을 디이엠디이에서 선택적으로 반사하여 패널에 노광하는 마스크리스 노광기에 있어서,
    상기 디이엠디이에서 반사되어 패널로 전달되는 빔의 경로 상에 설치되어 상기 디이엠디이에서 반사되어온 빔을 패널쪽으로 투과하고 패널에서 반사되어온 빔을 반사하는 빔스플리터와,
    상기 빔스플리터에 의해 상기 패널에서 반사되어온 빔을 전달받아 화상데이터를 획득하는 감지카메라를 포함하여 구성되고,
    상기 광원에서 나온 빔이 상기 패널의 정렬마크에 조사되는 것을 감지카메라가 검출함을 특징으로 하는 마스크리스 노광기의 정렬장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 빔스플리터는 얇은 막으로 된 펠리클 빔스플리터(Pellicle Beamsplitter)임을 특징으로 하는 마스크리스 노광기의 정렬장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 감지카메라에서 획득한 화상데이터를 표시하는 모니터가 더 구비됨을 특징으로 하는 마스크리스 노광기의 정렬장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 빔스플리터는 상기 디이엠디이에서 나온 광을 패널에 집광시키는 제2광학계의 프로젝션렌즈를 통과한 위치에 설치됨을 특징으로 하는 마스크리스 노광기의 정렬장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 빔스플리터와 감지카메라는 하나의 조립체로 구성되어 상기 프로젝션렌즈를 통과한 위치에 설치됨을 특징으로 하는 마스크리스 노광기의 정렬장치.
  6. 광원과,
    상기 광원에서 나온 빔을 선택적으로 반사하는 디이엠디이와,
    상기 디이엠디이에서 반사되어 패널에 조사되는 빔의 경로 상에서 상기 패널의 직전 위치에 설치되어 상기 디이엠디이에서 반사되어온 빔을 패널쪽으로 투과하고 패널에서 반사되어온 빔을 반사하는 빔스플리터와,
    상기 빔스플리터에 의해 반사되어온 빔을 전달받아 화상데이터를 획득하는 감지카메라를 포함하여 구성되고,
    상기 광원에서 나온 빔이 상기 패널의 정렬마크에 조사되는 것을 감지카메라가 검출함을 특징으로 하는 마스크리스 노광기의 정렬장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 광원과 디이엠디이의 사이, 상기 디이엠디이와 빔스플리터의 사이에는 제1 및 제2 광학계가 더 구비되어 상기 정렬마크의 검출에 필요한 빔을 전달함을 특징으로 하는 마스크리스 노광기의 정렬장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 빔스플리터는 얇은 막으로 된 펠리클 빔스플리터(Pellicle Beamsplitter)임을 특징으로 하는 마스크리스 노광기의 정렬장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 감지카메라에서 획득한 화상데이터를 표시하는 모니터가 더 구비됨을 특징으로 하는 마스크리스 노광기의 정렬장치.
  10. 제 6 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔스플리터와 감지카메라는 하나의 조립체로 구성되어 상기 패널에 조사되는 빔의 경로 상에서 상기 패널의 직전 위치에 설치됨을 특징으로 하는 마스크리스 노광기의 정렬장치.
KR1020060010255A 2006-02-02 2006-02-02 마스크리스 노광기의 정렬장치 KR101273800B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060010255A KR101273800B1 (ko) 2006-02-02 2006-02-02 마스크리스 노광기의 정렬장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060010255A KR101273800B1 (ko) 2006-02-02 2006-02-02 마스크리스 노광기의 정렬장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070079510A true KR20070079510A (ko) 2007-08-07
KR101273800B1 KR101273800B1 (ko) 2013-06-11

Family

ID=38600112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060010255A KR101273800B1 (ko) 2006-02-02 2006-02-02 마스크리스 노광기의 정렬장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101273800B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102193339A (zh) * 2011-06-13 2011-09-21 中国科学院光电技术研究所 一种无掩模光刻对准系统
KR20120034396A (ko) * 2010-10-01 2012-04-12 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광에서 노광 시작 위치와 자세를 결정하는 방법
CN102566340A (zh) * 2012-02-07 2012-07-11 中国科学院光电技术研究所 一种基于相移莫尔条纹的数字无掩模光刻对准装置
CN106933073A (zh) * 2013-10-22 2017-07-07 应用材料公司 具有主动对准的卷对卷无掩模光刻
CN110603491A (zh) * 2017-06-26 2019-12-20 应用材料公司 用于通过非相干照明混合的对准的图像改善

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3491346B2 (ja) * 1994-08-22 2004-01-26 株式会社ニコン 位置合わせ方法及びそれを用いた露光方法、並びに位置合わせ装置及びそれを用いた露光装置
KR960026095A (ko) * 1994-12-28 1996-07-22 김주용 반도체 노광장비의 레티클 기울기 보상방법 및 그 장치
KR0174486B1 (ko) * 1995-09-28 1999-02-01 이해규 노광 장비에서 시시디 카메라를 이용한 정렬 장치

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120034396A (ko) * 2010-10-01 2012-04-12 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광에서 노광 시작 위치와 자세를 결정하는 방법
CN102193339A (zh) * 2011-06-13 2011-09-21 中国科学院光电技术研究所 一种无掩模光刻对准系统
CN102566340A (zh) * 2012-02-07 2012-07-11 中国科学院光电技术研究所 一种基于相移莫尔条纹的数字无掩模光刻对准装置
CN106933073A (zh) * 2013-10-22 2017-07-07 应用材料公司 具有主动对准的卷对卷无掩模光刻
CN110603491A (zh) * 2017-06-26 2019-12-20 应用材料公司 用于通过非相干照明混合的对准的图像改善
CN110603491B (zh) * 2017-06-26 2022-02-22 应用材料公司 用于通过非相干照明混合的对准的图像改善

Also Published As

Publication number Publication date
KR101273800B1 (ko) 2013-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5715037A (en) Scanning exposure apparatus
JP2008263092A (ja) 投影露光装置
WO2008007765A1 (fr) Appareil de détection de position de surface, appareil d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif
JPH08167558A (ja) 投影露光装置
JPH0982615A (ja) マスクとワークの位置合わせ方法および装置
KR101273800B1 (ko) 마스크리스 노광기의 정렬장치
JPH07130635A (ja) 基板の高さ位置検出装置
JP2017538139A (ja) リソグラフィ構造を生成するための光学系
KR100762396B1 (ko) 마스크리스 노광기용 디엠디 정렬 방법
JPH0729815A (ja) マスクとワークとの位置合わせ装置およびそれを使用した位置合わせ方法
JP5401770B2 (ja) 面位置検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2000299276A (ja) 露光装置
WO2006046430A1 (ja) 焦点検出装置
JP2005116779A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JPH09246356A (ja) 表面位置設定方法
JP2004165218A (ja) 露光装置
JPH113853A (ja) 位置検出方法及び位置検出装置
JP2011114209A (ja) 投影露光装置
JP2010135475A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JPS63224327A (ja) 投影露光装置
JP3246300B2 (ja) マスクとワークの自動位置合わせ方法および装置
JPH10242037A (ja) 斜光軸光学系を用いた位置検出装置及び方法
JPH06224101A (ja) 二重焦点レンズ及び位置合せ装置
JP2003035511A (ja) 位置検出装置、および該位置検出装置を備えた露光装置
JP2986627B2 (ja) プロキシミティ露光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160524

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170524

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180524

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190524

Year of fee payment: 7