JPH0982615A - マスクとワークの位置合わせ方法および装置 - Google Patents

マスクとワークの位置合わせ方法および装置

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JPH0982615A
JPH0982615A JP7239783A JP23978395A JPH0982615A JP H0982615 A JPH0982615 A JP H0982615A JP 7239783 A JP7239783 A JP 7239783A JP 23978395 A JP23978395 A JP 23978395A JP H0982615 A JPH0982615 A JP H0982615A
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exposure light
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    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度な位置合わせを行うことができ、逐次
露光に適用するに好適なマスクとワークの位置合わせ方
法および装置を提供すること。 【解決手段】 ワークステージ4上のワーク固定領域と
離れた位置に反射部材4aを設ける。そして露光光照射
装置1より露光光をマスクMに照射して、上記反射部材
4aにマスクMのアライメント・マークを投影し、投影
像を受像してその相対位置を記憶する。ついで、上記露
光光の照射を停止して、ワークWが載置されたワークス
テージ4を、マスクMのアライメント・マークがワーク
W上に投影される位置に移動させ、非露光光をワークW
のアライメント・マークに照射し、ワークのアライメン
ト・マークを受像して、その相対位置を検出する。そし
て、両アライメント・マークの位置が重なるようにワー
クWおよび/またはマスクMを移動させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置やプリ
ント基板、LCD(液晶画面)の生産等に使用される露
光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法および
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子や液晶画面、インクジェット
方式のプリンタヘッド、一枚の基板の上に多種多数の電
気素子を製作して1つのモジュールにするマルチチップ
モジュール等、ミクロンサイズの加工が必要である様々
な電気部品の製作工程に露光工程が用いられている。
【0003】この露光工程において、ワークとマスクの
パターンを転写する場合、前に形成したパターンに対し
て次に転写するパターンを正確に位置合わせすることが
重要である。上記位置合わせは、通常、マスクおよびワ
ークのアライメント・マークを重ね合わせるようにして
行っている。
【0004】マスクのパターンを転写する自動化された
装置としては、露光光、例えば、i線、h線、g線(i
線:波長365nm、h線:波長405nm、g線:波
長436nm)を用いて位置合わせを行うものと、非露
光光、例えば、e線、d線、c線(e線:波長546n
m、d線:波長588nm、c線:波長656nm)を
用いて位置合わせを行う投影方式の露光装置が知られて
いる。
【0005】前者の場合、位置合わせの時にフォトレジ
ストが感光されてしまうため、位置合わせに使われる領
域に回路パターンを形成することができない。そのた
め、半導体素子のように1枚のワークから複数個のチッ
プを取る場合、その取れる個数が位置合わせに使われる
領域分だけ減少することになり、生産効率が悪くなると
いう欠点がある。
【0006】一方、後者の場合、位置合わせの時にフォ
トレジストが感光されないため、回路パターンの領域が
位置合わせ領域によって制限されないという利点があ
る。ところが、露光光と非露光光では、光の波長が異な
っているので、マスクのパターンは同じところに投影さ
れないという問題がある。図11は上記したe線を用い
て位置合わせを行う従来の露光装置の構成を示す図であ
り、同図において、1は露光光(非露光光)照射装置で
あり、1aはランプ、1bは集光鏡、1cはシャッタ、
1dは光学フィルタ、1eはコンデンサレンズである。
【0007】2はマスクステージであり、マスクステー
ジ2には真空チャック等によりマスクMが固定され、マ
スクステージ2は図示しない駆動装置によりX,Y,
Z,θ(X,Y軸:マスク面に平行な平面上の直交軸、
Z軸:同図の上下方向の軸、θ:Z軸を中心とした回転
軸)方向に駆動される。また、マスクMにはマスクパタ
ーンと位置合わせ用のマスク・アライメント・マークM
AM(以下、マスクマークという)が印されている。
【0008】3は投影レンズ、Wはワークであり、ワー
クWには位置合わせ用のワーク・アライメント・マーク
WAM(以下ワークマークという)が印されている。5
はアライメント・ユニットであり、アライメント・ユニ
ット5はレンズ5a、対物レンズ5b、ハーフミラー5
c、CCDカメラを具備する画像センサ5dから構成さ
れており、ワークマークWAMと、ワークW上に投影さ
れるマスクマークMAMをハーフミラー5c→対物レン
ズ5b→レンズ5aを介して画像センサ5dで受像し、
両者の位置を観察する。
【0009】なお、同図ではアライメント・ユニット5
が一つしか図示されていないが、マスクマークMAMと
ワークマークWAMはマスクMとワークW上にそれぞれ
複数(少なくとも2箇所)設けられており、アライメン
ト・ユニット5はアライメント・マークにそれぞれ対応
して設けられるので複数(少なくとも2箇所)設けられ
る。
【0010】また、アライメント・ユニット5は、通
常、同図に示した矢印方向に退避可能に構成されてお
り、露光時、アライメント・ユニット5が露光範囲内に
入る場合にはアライメント・ユニット5を退避させる。
さらに、アライメント・ユニット5は同図のBの位置以
外に同図のAもしくはCの位置に設けることもできる。
同図において、ワークW上に露光処理を行う際には、ま
ず、露光光(非露光光)照射装置1から光学フィルタ1
dを介して非露光光であるe線を照射し、アライメント
・ユニット5により、ワークマークWAMとワークW上
に投影されるマスクマークMAMとを受像する(このよ
うに投影レンズを通してワーク上に投影されるマスクマ
ークMAMを検出する方式をTTL:Through The Lens
方式という)。
【0011】そして、オート・アライメントの場合に
は、図示しない制御装置がマスクマークMAMとワーク
マークWAMの特徴からそれぞれのマークを認識し、両
者の位置が一致するようにマスクステージ2または/お
よびワークステージ4を移動させる。また、手動アライ
メントの場合には、受像されたマスクマークMAMとワ
ークマークWAMを図示しないモニタ上に表示して、作
業者がモニタに見ながら両者が一致するように、マスク
ステージ2または/およびワークステージ4を移動させ
る。
【0012】位置合わせ終了後、光路から光学フィルタ
1dを退避させ、露光光(非露光光)照射装置1から露
光光であるi線を照射し、マスクパターンをワークW上
に投影して露光を行う。ここで、露光光としてi線を用
い、非露光光としてe線を用いる場合には、両者の光の
波長が異なっているので、上記位置合わせに際し次のよ
うな問題が生ずる。 露光波長で収差がないように設計された投影レンズ
においては、非露光波長において、マスクパターン投影
面がずれる。すなわち、同図のIとEに示すように、マ
スクパターンが同じ面に投影されない。 倍率の色収差により、e線によるマスクパターン投
影面E上のマスクマークMAM’と、i線によるマスク
パターン投影面I上のマスクマークMAMの位置は一致
しない。
【0013】すなわち、投影レンズ3とi線によるマス
クパターン投影面I間の距離より、投影レンズ3とe線
によるマスクパターン投影面E間の距離の方が大きくな
り、同図に示すように、e線によるマスクパターン投影
面E上のマスクマークMAM’の間隔Le は、i線によ
るマスクパターン投影面I上のマスクマークMAMの間
隔Li より広くなる。
【0014】また、マスクパターン投影面E上のマスク
マークMAM’の投影像の位置はアライメント・マーク
の場所によって変わる。すなわち、図12に示すよう
に、ワークマークと投影されたマスクマークの間隔ΔL
とΔL’が異なった値となる。そこで、従来において
は、投影光学系の光路に平行平面板を挿入し、非露光光
の波長に応じてその板厚を変えたり、その傾きを調整す
ることにより投影面のずれを補正していた(特公平5−
43168号参照)。
【0015】上記した従来技術は光路中に平行平面板を
挿入することにより、図13に示すようにピント位置が
ΔSだけずれるという性質を利用して、投影レンズとワ
ーク間に平行平面板を挿入し、露光光と非露光光による
投影像のずれを補正するものである。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した従
来技術は次のような問題点をもっている。 (1)図12に示したように、アライメント・マークの
場所によって、非露光光によるマスクマークの投影像の
位置が変わる。このため、例えば、従来例に示されるよ
うに、マスクと投影レンズ間に平行平面板を挿入してそ
の傾きを調整して、アライメント・マークの場所による
位置ずれを補正する必要がある。 (2)露光用波長とアライメント用波長が変わると、ピ
ント補正量が変化するので、平行平面板を上記波長の組
み合わせに応じて用意する必要がある。 (3)倍率を調整するため、平行平面板からなる光学部
材を使用しているため、その保持機構を新たに設ける必
要があり、特に、光学部材を挿入離脱させる場合には、
機構が複雑、かつ、大きくなるという問題がある。 (4)ワークの真上に平行平面板挿入機構があるため、
発塵によりワークが汚れるという問題がある。
【0017】以上のように、非露光光を用いた位置合わ
せは、アライメント・マーク近傍までパターンを形成で
きるというメリットがあるが、平行平面板を使用した光
路長の補正等が必要となり、それにともなう種々の問題
点が発生する。また、ワークマークが印されたワーク上
にマスクマークを投影した状態で2つのアライメント・
マークの相対位置を検出する従来方式においては、オー
トアライメントを行う際、制御装置がワークマークを認
識しにくい等の問題もある。
【0018】上記問題点を解決するため、本出願人は先
に図14に示す装置を提案した(特願平6−29427
9号)。同図において、図11に示したものと同一のも
のには同一の符号が付されており、1は露光光(非露光
光)照射装置、2はマスクステージ、Mはマスクであ
り、マスクMにはマスクパターンと位置合わせ用のマス
クマークMAMが印されている。3は投影レンズ、Wは
ワークであり、ワークWには位置合わせ用のワークマー
クWAMが印されている。4はワークステージであり、
ワークステージ4には、全反射ミラーもくしはハーフミ
ラー4aが埋設されている。また、ワークステージ4は
図示しない駆動装置によりX,Y,Z,θ方向に駆動さ
れる。
【0019】WA1はアライメント・マーク用部分照明
系であり、図示しない光源が放射する非露光光は光ファ
イバ6aを介してレンズ6b→ミラー6cを介してアラ
イメント・ユニット5のハーフミラー5eに入射し、ワ
ークW上のワークマークWAMを照射する。図14の装
置においては次のように露光処理が行われる。 (1) マスクMをマスクステージ2に載せて固定し、光学
フィルタ1dが光路から離脱した状態で露光光(非露光
光)照射装置1のシャッタ1cを開き、露光光をマスク
M上に照射する。なお、この段階ではワークステージ4
にワークWは載置されていない。 (2) ワークステージ4に埋設されたミラー4aの反射面
が露光光のマスクパターン投影面Zo に一致するように
ワークステージ4のZ方向位置を移動する。 (3) アライメント・ユニット5を挿入する。なお、アラ
イメント・マーク用部分照明系WA1はアライメント・
ユニット5と一体に構成されており、アライメント・ユ
ニット5と共に挿入される。 (4) アライメント・ユニット5の画像センサ5dにより
ワークステージ4のミラー4a上に投影されたマスクマ
ークMAMを受像する。図示しない画像処理部は受像さ
れた画像からマスクマークMAMを識別し、その位置座
標(XM ,YM )を記憶する。 (5) 露光光(非露光光)照射装置1のシャッタ1cを閉
じる。これにより、マスクM上への露光光の照射は停止
する。 (6) ワークWをワークステージ4上に載置し、ワークス
テージ4上に固定する。 (7) ワークWの表面がマスクパターン投影面Zo に一致
するようにワークステージ4をZ軸方向に移動させる。 (8) アライメント・マーク用部分照明系WA1に照明光
を導入し、光ファイバ6a→レンズ6b→ミラー6c→
ハーフミラー5e→レンズ5b→ハーフミラー5cを介
してワークW上のワークマークWAMを照射し、ワーク
マークWAMを画像センサ5dで受像する。
【0020】画像センサ5dで受像されたワークマーク
WAMの画像は上記した画像処理部に送られ、画像処理
部はワークマークWAMを識別し、その位置座標(XW
,YW )を求める。 (9) アライメント・マーク用部分照明系WA1の照明光
の照射を停止する。 (10)記憶されたマスクマークMAMの位置座標(XM ,
YM )と求めたワークマークの位置座標(XW ,YW )
とからワークWとマスクMの位置ずれを求め、該位置ず
れに基づき、マスクステージ2または/およびワークス
テージ4をX,Y,θ方向に駆動してマスクマークMA
MとワークマークWAMの位置を一致させる。
【0021】以上のようにマスクマークMAMとワーク
マークWAMの位置が一致すると、アライメント・ユニ
ット5を退避させ、露光光(非露光光)照射装置1のシ
ャッタ1cを開き、露光光をマスクM上に照射し、露光
を行う。また、上記露光処理をワークを移動させながら
ワーク上の各露光区域を逐次露光していくステップ・ア
ンド・リピート工程に適用する場合には、上記(10)以降
に次の工程が付加され、(8) 〜(15)の工程を繰り返し、
各露光区域の露光処理を行う。 (11)アライメント・ユニット5を退避させる。 (12)露光光(非露光光)照射装置1のシャッタ1cを開
き、露光光をマスクM上に照射し、露光を行う。 (13)露光光(非露光光)照射装置1のシャッタ1cを閉
じ、露光光照射を停止する。 (14)次の露光区域が所定の露光位置にくるようにワーク
ステージ4を規定量だけ移動させる。 (15)アライメント・ユニット5を挿入し、上記(8) に戻
り、(8) 〜(15)の工程を繰り返し、ワーク上の各露光区
域を逐次露光(ステップ・アンド・リピート露光)す
る。
【0022】ところで、先に提案した上記技術は平行平
面板を使用することなく、また、投影レンズの特性に依
存せずに高精度なマスクとワークの位置合わせを行うこ
とができという利点があるが、上記した逐次露光に適用
した場合、次のような問題点が発生する。すなわち、先
に提案した露光処理方法を逐次露光に適用する場合に
は、露光を行う毎にアライメント・ユニット5の挿入・
退避を行う必要があるが、その際、アライメント・ユニ
ット5の挿入位置の再現性が重要となってくる。
【0023】図15はアライメント・ユニット5の停止
位置が変化した場合を示す図であり、アライメント・ユ
ニット5の停止位置が同図の点線位置になると、それに
応じてマスクマークMAM(またはワークマークWA
M)の画像センサ5d上の結像位置が変化する。ところ
が、上記した逐次露光における(8) 〜(15)のステップ・
アンド・リピート・サイクルにおいては、2回目以降は
ワークマークWAMの位置のみの受像・記憶となるた
め、1回目に記憶しておいたマスクマークMAMの記憶
位置とズレが生ずる可能性がある。
【0024】逐次露光においては、普通、アライメント
精度は±1μm程度であることが多い。ワークマークW
AMとマスクマークMAMの記憶位置とのズレをこの範
囲内に収めるためには、アライメント・ユニット5の位
置精度は±0.1μm程度(マスクMとワークWのアラ
イメント精度の約1/10)要求される。これをアライ
メント・ユニット5の挿入・退避毎に機械的に実現する
ことは困難である。
【0025】一方、ステップ・アンド・リピート・サイ
クルの都度、マスクマークMAMの位置を記憶すれば上
記問題は解決されるが、ステップ・アンド・リピート・
サイクルの2回目以降はワークステージ4にワークWが
固定されているため、上記した場合には、露光光を照射
することによるマスクマークMAM位置の記憶という手
順を経ることができない。
【0026】本発明は前記した従来技術の問題点および
上記のアライメント・ユニットの挿入位置の再現性の問
題を解決するためになされたものであり、本発明の第1
の目的は、平行平面板を使用することなく、また、投影
レンズの特性に依存せずに高精度なマスクとワークの位
置合わせを行うことができ、逐次露光に適用するに好適
なマスクとワークの位置合わせ方法および装置を提供す
ることである。
【0027】本発明の第2の目的は、マスクマークとワ
ークマークが重なっている場合等、ワークマークの識別
が困難な場合であっても、マスクマークとワークマーク
の相対位置を自動的にかつ容易に検出することができ、
短時間に高精度な位置合わせを行うことができるマスク
とワークの位置合わせ方法および装置を提供することで
ある。
【0028】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明においては、ワークステージ上であってワー
ク固定領域から離れた位置に反射部材を設け、次のよう
にしてマスクとワークの位置合わせを行うようにしたも
のである。まず、露光光をマスクのアライメント・マー
クに照射して上記反射部材にマスクのアライメント・マ
ークを投影してその相対位置を検出/記憶する。つい
で、露光光の放出を停止したのち、ワークが載置された
ワークステージを、マスク上のアライメント・マークが
上記ワーク上に投影される位置に移動させ、非露光光を
ワークのアライメント・マークへ照射し、ワークのアラ
イメント・マークの相対位置を検出/記憶し、マスクの
アライメント・マークとワークのアライメント・マーク
の相対位置データを演算して、両アライメント・マーク
の位置ズレを求め、該両アライメント・マークが重なる
ようにワークおよび/またはマスクを移動させる。
【0029】本発明の請求項1および請求項3の発明に
おいては、上記のようにマスクとワークの位置合わせを
行うようにしたので、平行平面板を使用することなく、
また、投影レンズの特性に依存せずに高精度なマスクと
ワークの位置合わせを行うことができる。さらに、マス
クのアライメント・マークとワークのアライメント・マ
ークの位置を個別に検出しているので、マスクのアライ
メント・マークもしくはマスクパターン等に影響されて
ワークのアライメント・マークの識別が困難になること
がなく、両アライメント・マークの相対位置を容易に検
出することができる。このため、オートアライメントに
おいて、短時間に高精度な位置合わせを行うことができ
る。
【0030】本発明の請求項2および請求項4の発明に
おいては、上記位置合わせを逐次露光に適用し、ワーク
の固定領域から離れた位置に設置された反射部材を利用
してマスクのアライメント・マークの相対位置を検出/
記憶するようにしたので、請求項1,2と同様な効果を
得ることができるとともに、ワーク上の各露光区域の露
光処理を行う際、ワークをワークステージ上に固定した
ままで、マスクマークの投影像を受像して該位置を記憶
することができる。このため、アライメント・ユニット
の挿入位置の精度に影響されずに、高精度なアライメン
トを行うことができる。
【0031】
【発明の実施形態】図1は本発明の第1の実施例であ
り、本実施例は前記した逐次露光を行う場合の実施例を
示している。なお、以下の実施例では、逐次露光につい
て説明するが、本発明は逐次露光だけでなく、前記従来
例に示した露光処理にも適用することができる。
【0032】図1は本発明の第1の実施例を示す図であ
る。同図において、図11に示したものと同一のものに
は同一の符号が付されており、1は露光光(非露光光)
照射装置であり、1aはランプ、1bは集光鏡、1cは
シャッタ、1dは光学フィルタ、1eはコンデンサレン
ズである。2はマスクステージであり、マスクステージ
2は図示しない駆動装置によりX,Y,Z,θに駆動さ
れる。また、Mはマスクであり、マスクMにはマスクパ
ターンと位置合わせ用のマスクマークMAMが印されて
いる。
【0033】MA1は露光光をマスクM上に照射するマ
スクアライメント用部分照明系であり、7aは部分照明
光を導入する光ファイバ、7bはレンズ、7cはミラー
である。3は投影レンズ、Wはワークであり、ワークW
には位置合わせ用のワークマークWAMが印されてい
る。4はワークステージであり、ワークステージ4に
は、全反射ミラーもくしはハーフミラー4aが埋設され
ている。また、ワークステージ4は図示しない駆動装置
によりX,Y,Z,θ方向に駆動される。なお、上記し
たミラー4aは後述するようにハーフミラーが好まし
い。
【0034】図2(a)は上記ワークステージ4を図1
の上方から見た図であり、同図の点線で示した位置はワ
ークWの固定位置である。ワークステージ4上のワーク
固定位置の上方には、ミラー4aが設けられており、ワ
ークW上には同図に示すように複数の露光区域が設けら
れている。なお、ミラー4aの高さは、図2(b)に示
すようにワークWの標準的な高さHに設定するのが望ま
しい。このようにすることにより、後述するように、ワ
ークステージ4をZ軸方向(図1の上下方向)に移動さ
せ、ミラー4aの反射面とマスクパターン投影面を一致
させる際のZ方向移動量を少なくすることができ、精度
を向上させることができる。
【0035】図1に戻り、WA1はアライメント・マー
ク用部分照明系であり、図示しない光源が放射する非露
光光は光ファイバ6aを介してレンズ6b→ミラー6c
を介してアライメント・ユニット5のハーフミラー5e
に入射し、ワークW上のワークマークWを照射する。な
お、アライメント・マーク用部分照明系WA1を設け
ず、後述するように、露光光(非露光光)照射装置1か
ら光学フィルタ1dを介して非露光光をワークWに照射
することもできる。
【0036】5はアライメント・ユニットであり、アラ
イメント・ユニット5は、レンズ5a、対物レンズ5
b、ハーフミラー5c,5e、CCDカメラを具備する
画像センサ5dから構成されており、ワークステージ4
に設けられたミラー4aに投影されるマスクマークMA
Mおよび上記アライメント・マーク用部分照明系WA1
により照射されるワークマークWAMをハーフミラー5
c→対物レンズ5b→ハーフミラー5e→レンズ5aを
介して画像センサ5dで受像する。なお、前記したよう
に、アライメント・ユニット5および部分照明系WA1
はマスクマークとワークマークの数に対応して設けら
れ、少なくとも2か所設けられる。
【0037】図3は本発明の露光装置を制御するシステ
ムの構成を示す図であり、同図において、11は操作パ
ネル、12は図1に示した投影露光装置を制御する演算
装置、13はステージ制御部であり、ステージ制御部1
3は図1に示したマスクステージ2、ワークステージ4
をX,Y,Z,θ方向に制御する。14は画像処理部で
あり、画像処理部14は、後述するように、アライメン
ト・ユニット5の画像センサ5dで受像されたマスクマ
ークMAMを認識してその位置座標を記憶し、ついで、
アライメント・ユニット5の画像センサ5dで受像され
たワークマークWAMを認識して、その位置座標を検出
する。
【0038】また、演算装置12は画像処理部14で検
出された上記マスクマークMAMの位置座標とワークマ
ークWAMの位置座標の差を求め、ステージ制御部13
は両者が一致するようにマスクステージ2または/およ
びワークステージ4を移動させる。また、アライメント
・ユニット5により受像されたマスクマークMAMとワ
ークマークWAMはモニタ15に表示される。
【0039】次に本実施例における露光処理について説
明する。 (1) マスクMをマスクステージ2に載せて固定し、マス
クアライメント用部分照明系MA1を所定位置に挿入す
る。 (2) マスクマークMAM投影位置にミラー4aが位置す
るようにワークステージ4をX,Y方向に移動させる。
【0040】すなわち、図4に示すように、例えば同図
の点線位置から実線位置までワークステージ4を移動さ
せ、マスクマークMAM投影位置にミラー4aの位置を
一致させる。 (3) マスクアライメント用部分照明系MA1により露光
光をマスクM上に照射する。なお、この段階ではワーク
ステージ4にワークWは載置されていない。 (4) ワークステージ4のミラー4aの反射面が露光光の
マスクパターン投影面Zo に一致するようにワークステ
ージ4のZ方向位置を移動する。 (5) アライメント・ユニット5を挿入する(アライメン
ト・ユニット5を退避してある場合)。なお、アライメ
ント・マーク用部分照明系WA1はアライメント・ユニ
ット5と一体に構成されており、アライメント・ユニッ
ト5と共に挿入される。 (6) アライメント・ユニット5の画像センサ5dにより
ワークステージ4のミラー4a上に投影されたマスクマ
ークMAMを受像し画像処理部14に送る。画像処理部
14は受像された画像からマスクマークMAMを識別
し、その位置座標(XM ,YM )を記憶する。
【0041】なお、マスクマークMAMの投影像は通常
ワークマークWAMに比べコントラストが大きく、上記
ミラー4aとして全反射ミラーを用いると、マスクマー
クMAMの受像画像とワークマークWAMの受像画像と
の差が大きくなり、アライメント・マークの認識処理上
不都合が生ずることもある。そこで、上記ミラー4aと
してハーフミラーを用い、ワークマークWAMとのコン
トラストを合わせるのが望ましい。 (7) マスクアライメント用部分照明系MA1からの露光
光の照射を停止する。 (8) ワークWをワークステージ4上に載置し、前記図2
に示した位置に固定する。 (9) ワークWの表面がマスクパターン投影面Zo に一致
するようにワークステージ4をZ軸方向に移動させる。 (10)マスクマークMAM投影位置にワークマークWAM
が一致するようにワークステージ4をX,Y方向に移動
させ、ワークW位置の粗調整する。
【0042】すなわち、図5に示すように、例えば点線
位置から実線位置までワークステージ4を移動させ、ワ
ークW上の露光対象となる露光区域のワークマークWA
Mの位置をマスクマークMAMの投影位置MAMTに略
一致させ、ワークマークWAMがアライメント・ユニッ
ト5の視野に入るようにする。 (11)アライメント・マーク用部分照明系WA1に非露光
光である照明光を導入する。すなわち、図示しない部分
照明用光源のシャッタを開き、光ファイバ6a→レンズ
6b→ミラー6c→ハーフミラー5e→レンズ5b→ハ
ーフミラー5cを介してワークW上のワークマークWA
Mを照射する。 (12)ワークマークWAMを画像センサ5dで受像する。
画像センサ5dで受像されたワークマークWAMの画像
は画像処理部14に送られ、画像処理部14はワークマ
ークWAMを識別し、その位置座標(XW ,YW )を求
める。 (13)アライメント・マーク用部分照明系WA1からの非
露光光の照射を停止する。 (14)演算装置12は記憶されたマスクマークMAMの位
置座標(XM ,YM )と求めたワークマークWAMの位
置座標(XW ,YW )とからワークWとマスクMの位置
ズレを、上記ステップ(2)(10) におけるワークステージ
4の位置ズレ量を考慮して求める。
【0043】すなわち、上記ステップ(2)(10) における
ワークステージ4の位置ズレ量は図示しないワークステ
ージ移動機構に設けられたエンコーダカウント値等から
既知であるので、ステップ(2) におけるワークステージ
4の位置とステップ(10)におけるワークステージ4の位
置の差Δx,Δyの相当した値だけ上記位置座標(XM
,YM )の値を補正し、補正された位置座標(XM +
Δx,YM +Δy)と上記位置座標(XW ,YW )の位
置ズレを求める。 (15)ステージ制御部13は上記位置ずれに基づき、マス
クステージ2または/およびワークステージ4をX,
Y,θ方向に駆動してマスクマークMAMとワークマー
クWAMの位置を一致させる。 (16)アライメント・ユニット5およびマスクアライメン
ト用部分照明系MA1を退避させる。 (17)露光光照射装置1のシャッタを1cを開き、光学フ
ィルタ1dが光路から離脱した状態で露光光をマスクM
上に照射し、露光を行う。露光終了後は、シャッタ1c
を閉じる。 (18)次の露光区域が所定の露光位置にくるように、ワー
クステージ4を規定量だけ移動させる。 (19)マスクアライメント用部分照明系MA1を所定位置
に挿入する。 (20)前記(2) と同様、マスクマークMAM投影位置にミ
ラー4aが位置するようにワークステージ4をX,Y方
向に移動させる。 (21)マスクアライメント用部分照明系MA1により露光
光をマスクM上に照射する。 (22)ワークステージ4のミラー4aの反射面が露光光の
マスクパターン投影面Zo に一致するようにワークステ
ージ4のZ方向位置を移動する。 (23)アライメント・ユニット5を挿入する。
【0044】ついで、前記した(6) に戻り、(6) 〜(23)
の工程を繰り返し、ワークWの各露光区域を露光する。
以上のように、本実施例においては、ワークステージ4
上にミラー4aを設け、マスクマークMAM投影位置
にミラー4aが位置するようにワークステージ4をX,
Y方向に移動させ、ミラー反射面をマスクパターン投
影面に一致させ、露光光を照射してマスクマークMAM
をミラー4a上に投影してマスクマークMAMの位置座
標を記憶したのち、上記露光光の照射を停止して、
ワークW上の露光対象となる露光区域のワークマークW
AMの位置がマスクマークMAM投影位置に略一致する
ようにワークステージ4を移動させ、ワークWの表面
をマスクパターン投影面に一致させ、非露光光によりワ
ークマークWAMを照射してワークマークWAMの位置
座標を求めているので、平行平面板を使用することな
く、また、投影レンズの特性に依存せずに高精度なマス
クとワークの位置合わせを行うことができる。
【0045】また、ミラー4aをワークステージ4上の
ワーク設置位置とは異なる場所に設けているので、ワー
クWをワークステージ4上に固定したままで、ワークW
上の各露光区域の露光処理毎にマスクマークMAMの投
影像を受像して該位置を記憶することができる。このた
め、露光処理毎にアライメント・ユニット5の挿入位置
がズレても、該位置にて両アライメント・マークを受像
できるのでアライメント精度が低下することがない。
【0046】さらに、マスクマークMAMとワークマー
クWAMの位置を個別に検出しているので、マスクマー
クMAMもしくはマスクパターン等に影響されてワーク
マークの識別が困難になることがなく、マスクマークと
ワークマークの相対位置を容易に検出することができ
る。このため、オートアライメントにおいて、短時間に
高精度な位置合わせを行うことができる。
【0047】図6は本発明の第2の実施例を示す図であ
る。図6において、図1に示したものと同一のものには
同一の符号が付されており、本実施例においては、図1
におけるマスクアライメント用部分照明系MA1を設け
る代わりに、マスクM上に挿入・退避されるアパーチャ
8を設け、マスクアライメント時、アパーチャの開放口
から露光光をマスク上に照射するようにするようにした
ものであり、その他の構成は図1に示した実施例と同様
である。
【0048】図7は上記アパーチャ8を図6の上方から
見た図であり、同図に示すようにアパーチャ7には、マ
スクマークMAMが印された位置に対応する位置に開放
口が設けられている。次に本実施例における露光処理に
ついて説明する。 (1) マスクMをマスクステージ2に載せて固定する。 (2) アパーチャ8を図6に示すようにマスクM上の所定
位置に挿入する。なお、アパーチャ8の開放口はマスク
マークMAMのほぼ真上に位置している。 (3) 前記図4に示したように、ミラー4aがマスクマー
クMAM投影位置に位置するようにワークステージ4を
X,Y方向に移動させ、マスクマークMAM投影位置に
ミラー4aの位置を一致させる。 (4) 光学フィルタ1dが光路から離脱した状態で露光光
(非露光光)照射装置1のシャッタ1cを開き、露光光
をマスクM上に照射する。なお、この段階ではワークス
テージ4にワークWは載置されていない。 (5) ワークステージ4のミラー4aの反射面が露光光の
マスクパターン投影面Zo に一致するようにワークステ
ージ4のZ方向位置を移動する。 (6) アライメント・ユニット5を挿入する。 (7) アライメント・ユニット5の画像センサ5dにより
ワークステージ4のミラー4a上に投影されたマスクマ
ークMAMを受像しその位置座標(XM ,YM )を記憶
する。 (8) 露光光(非露光光)照射装置1のシャッタ1cを閉
じ露光光の照射を停止する。 (9) ワークWをワークステージ4上に載置しワークステ
ージ4上に固定する。 (10)ワークWの表面がマスクパターン投影面Zo に一致
するようにワークステージ4をZ軸方向に移動させる。 (11)前記図5に示したようにマスクマークMAMの投影
位置MAMTにワークマークWAMが一致するようにワ
ークステージ4をX,Y方向に移動させ、ワークW位置
の粗調整する。 (12)アライメント・マーク用部分照明系WA1に非露光
である照明光を導入し、非露光光をワークW上のワーク
マークWAMに照射する。 (13)ワークマークWAMを画像センサ5dで受像し、そ
の位置座標(XW ,YW)を求める。 (14)アライメント・マーク用部分照明系WA1からの非
露光光の照射を停止する。 (15)マスクマークMAMの位置座標(XM ,YM )と求
めたワークマークWAMの位置座標(XW ,YW )とか
らワークWとマスクMの位置ズレを、上記ステップ(3)
(11) におけるワークステージ4の位置ズレ量を考慮し
て求める。なお、第1の実施例と同様、上記ステップ
(3)(11) におけるワークステージ4の位置ズレ量は図示
しないワークステージ移動機構に設けられたエンコーダ
カウント値等から既知である。 (16)マスクステージ2または/およびワークステージ4
をX,Y,θ方向に駆動してマスクマークMAMとワー
クマークWAMの位置を一致させる。 (17)アライメントユニット5およびアパーチャ8を退避
させる。 (18)露光光照射装置1のシャッタを1cを開き、露光光
をマスクM上に照射し、露光を行う。露光終了後、シャ
ッタ1cを閉じる。 (19)次の露光区域が所定の露光位置にくるように、ワー
クステージ4を規定量だけ移動させる。 (20)アパーチャ8をマスクM上の所定位置に挿入する。 (21)前記(3) と同様、マスクマークMAM投影位置にミ
ラー4aが位置するようにワークステージ4をX,Y方
向に移動させる。 (22)露光光をマスクM上に照射する。。 (23)ワークステージ4のミラー4aの反射面が露光光の
マスクパターン投影面Zo に一致するようにワークステ
ージ4のZ方向位置を移動する。 (24)アライメント・ユニット5を挿入する。
【0049】ついで、前記した(7) に戻り、(7) 〜(24)
の工程を繰り返し、ワークWの各露光区域を露光する。
本実施例においては、上記のようにマスクアライメント
用部分照明系を用いる代わりにアパーチャを用いている
ので、第1の実施例にくらべ、装置の構成を簡単化し、
安価に構成することができる。
【0050】なお、本実施例の場合には、ワークステー
ジ4の大きさおよびそのX,Y方向の移動量を第1の実
施例より大きくしておき、ワーク設置位置とミラー4a
の距離を第1の実施例より離しておくことが望ましい。
これにより、マスクアライメント時にアパーチャ8の開
放口から漏れる露光光によりワークWが露光されること
を防ぐことができる。
【0051】図8は本発明の第3の実施例のワークステ
ージ4を示す図である。同図はワークステージ4を上方
から見た図を示しており、本実施例においては、同図に
示すように、ミラー4aをワークステージ4上のワーク
設置位置から完全に分離した位置に配置し、マスクアラ
イメント時に露光光(非露光光)照射装置1から露光光
をマスクM上に照射したとき、露光光がワークW上に照
射されないようにしたものである。
【0052】次に本実施例における露光処理について説
明する。なお、本実施例の露光装置は、図1のものから
マスクアライメント用部分照明系MA1を除去、もしく
は、図6のものからアパーチャ8を除去するとともに、
ワークステージ4上のミラーの大きさ/配置を変更し、
ワークステージ4のX,Y方向の移動量を大としたもの
であり、その他の構成は図1、図6に示したものと同様
である。 (1) マスクMをマスクステージ2に載せて固定する。 (2) 図9に示すように、ミラー4aがマスクマークMA
M投影位置に位置するようにワークステージ4をX,Y
方向に移動させ、マスクマークMAM投影位置にミラー
4aの位置を一致させる。 (3) 光学フィルタ1dが光路より離脱した状態で露光光
(非露光光)照射装置1のシャッタ1cを開き、露光光
をマスクM上に照射する。なお、この段階ではワークス
テージ4にワークWは載置されていない。 (4) ワークステージ4のミラー4aの反射面が露光光の
マスクパターン投影面Zo に一致するようにワークステ
ージ4のZ方向位置を移動する。 (5) アライメント・ユニット5を挿入する。 (6) アライメント・ユニット5の画像センサ5dにより
ワークステージ4のミラー4a上に投影されたマスクマ
ークMAMを受像しその位置座標(XM ,YM )を記憶
する。 (7) 露光光(非露光光)照射装置1のシャッタ1cを閉
じ露光光の照射を停止する。 (8) ワークWをワークステージ4上に載置しワークステ
ージ4上に固定する。 (9) ワークWの表面がマスクパターン投影面Zo に一致
するようにワークステージ4をZ軸方向に移動させる。 (10)図10に示すようにマスクマークMAMの投影位置
MAMTにワークマークWAMが一致するようにワーク
ステージ4をX,Y方向に移動させ、ワークW位置の粗
調整する。 (11)アライメント・マーク用部分照明系WA1に非露光
光である照明光を導入し、非露光光によりワークW上の
ワークマークWAMを照射する。 (12)ワークマークWAMを画像センサ5dで受像し、そ
の位置座標(XW ,YW)を求める。 (13)アライメント・マーク用部分照明系WA1からの非
露光光の照射を停止する。 (14)マスクマークMAMの位置座標(XM ,YM )と求
めたワークマークWAMの位置座標(XW ,YW )とか
らワークWとマスクMの位置ズレを、上記ステップ(2)
(10) におけるワークステージ4の位置ズレ量を考慮し
て求める。なお、第1の実施例と同様、上記ステップ
(2)(10) におけるワークステージ4の位置ズレ量は図示
しないワークステージ移動機構に設けられたエンコーダ
カウント値等から既知である。 (15)マスクステージ2または/およびワークステージ4
をX,Y,θ方向に駆動してマスクマークMAMとワー
クマークWAMの位置を一致させる。 (16)アライメントユニット5を退避させる。 (17)露光光照射装置1のシャッタを1cを開き、露光光
をマスクM上に照射し、露光を行う。露光終了後、シャ
ッタ1cを閉じる。 (18)次の露光区域が所定の露光位置にくるように、ワー
クステージ4を規定量だけ移動させる。 (19)前記(2) と同様、マスクマークMAM投影位置にミ
ラー4aが位置するようにワークステージ4をX,Y方
向に移動させる。 (20)露光光をマスクM上に照射する。。 (21)ワークステージ4のミラー4aの反射面が露光光の
マスクパターン投影面Zo に一致するようにワークステ
ージ4のZ方向位置を移動する。 (22)アライメント・ユニット5を挿入する。
【0053】ついで、前記した(6) に戻り、(6) 〜(22)
の工程を繰り返し、ワークWの各露光区域を露光する。
本実施例においては、上記のようにミラー4aをワーク
ステージ4上のワーク設置位置から完全に分離した位置
に配置したので、マスクアライメント時に図1に示した
ようにマスクアライメント用部分照明系や図6に示した
ようにアパーチャ8を用いることなく露光光(非露光
光)照射装置1から露光光を照射することができる。
【0054】なお、各実施例における非露光光の照射
を、アライメント・マーク用部分照明系WA1を用いる
代わりに、光学フィルタ1dを介して露光光(非露光
光)照射装置1より行うこともできる。また、全ての実
施例において、マスクマークMAMとワークマークWA
Mの位置を一致させる場合、ワークステージのみをX,
Y,θ方向に駆動するのが望ましい。これは以下の理由
による。
【0055】一般に、マスクステージ、ワークステージ
とも、その移動量にはある程度の誤差が存在する。よっ
て、位置合わせのため所定量ステージを移動させた後、
再度マスクマークMAMとワークマークWAMとの位置
関係を確認し、位置ずれ量が許容値以下でない場合、再
び位置合わせを行う必要がある。ワークステージのみを
駆動する場合は、非露光光をワークマークWAMに再度
照射してその位置座標(XW,YW)を記憶して、予め
記憶しておいたマスクマークの位置座標(XM,YM)
と比較することが可能である。
【0056】一方、マスクステージを駆動する場合に
は、露光光をマスクマークMAMに照射してその投影像
の位置座標(XM,YM)の位置を記憶する必要があ
る。しかしながら、この再位置合わせの場合は上記投影
像をワーク上に投影しなければならず、ワーク上のレジ
ストが感光してしまう。よって、マスクステージを駆動
する場合には、別途レーザ干渉計等の測長手段によりマ
スクステージの移動量を計測してそのデータをもとに再
調整したり、あるいは高精度の移動精度をもつステージ
をマスクステージとして採用する必要がある。
【0057】従って、通常は、ワークステージのみを駆
動して位置合わせが行われることが多い。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
ワークステージ上であってワーク固定領域から離れた位
置に反射部材を設け、反射部材にマスクのアライメント
・マークを投影してその相対位置を検出/記憶し、つい
で、ワークが載置されたワークステージを、マスク上の
アライメント・マークが上記ワーク上に投影される位置
に移動させ、非露光光をワークのアライメント・マーク
へ照射し、ワークのアライメント・マークの相対位置を
検出/記憶し、マスクのアライメント・マークとワーク
のアライメント・マークの相対位置データを演算し、該
両アライメント・マークが重なるようにワークおよび/
またはマスクを移動させるようにしたので、以下の効果
を得ることができる。 (1)平行平面板を使用することなく、また、投影レン
ズの特性に依存せずに高精度なマスクとワークの位置合
わせを行うことができる。
【0059】さらに、マスクマークMAMとワークマー
クWAMの位置を個別に検出しているので、マスクマー
クMAMもしくはマスクパターン等に影響されてワーク
マークの識別が困難になることがなく、マスクマークと
ワークマークの相対位置を容易に検出することができ
る。このため、オートアライメントにおいて、短時間に
高精度な位置合わせを行うことができる。 (2)本発明を逐次露光に適用し、ワークの固定領域か
ら離れた位置に設置された反射部材を利用してマスクの
アライメント・マークの相対位置を検出/記憶すること
により、ワーク上の各露光区域の露光処理を行う際、ワ
ークをワークステージ上に固定したままでマスクマーク
の投影像を受像して該位置を記憶することができる。こ
のため、アライメント・ユニットの挿入位置の精度に影
響されずに、高精度なアライメントを行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す図である。
【図2】ワークステージ上のミラーの配置を示す図であ
る。
【図3】本発明の露光装置を制御するシステムの構成を
示す図である。
【図4】マスク・アライメント・マーク受像時のワーク
ステージの位置を示す図である。
【図5】ワーク・アライメント・マーク受像時のワーク
ステージの位置を示す図である。
【図6】本発明の第2の実施例を示す図である。
【図7】第2の実施例に使用されるアパーチャを示す図
である。
【図8】本発明の第3の実施例のワークステージ4を示
す図である。
【図9】マスク・アライメント・マーク受像時のワーク
ステージの位置を示す図である。
【図10】ワーク・アライメント・マーク受像時のワー
クステージの位置を示す図である。
【図11】従来の露光装置の構成を示す図であり、
【図12】マスクパターン投影面上のアライメント・マ
ークの位置を示す図である。
【図13】平行平面板によるピント位置のずれを示す図
である。
【図14】反射部材を利用して位置合わせを行う露光装
置の構成を示す図である。
【図15】アライメント・ユニットの停止位置と結像位
置の関係を示す図である。
【符号の説明】
1 露光光(非露光光)照射装置 1a ランプ 1b 集光鏡 1c シャッタ 1d 光学フィルタ 1e コンデンサレンズ 2 マスクステージ 3 投影レンズ 4 ワークステージ 4a ミラー 5 アライメント・ユニット 5a,6b,7b レンズ 5b 対物レンズ 5c,5e ハーフミラー 5d 画像センサ 6a,7a 光ファイバ 6c,7c ミラー 8 アパーチャ 11 操作パネル 12 演算装置 13 ステージ制御部 14 画像処理部 15 モニタ M マスク MAM マスクマーク W ワーク WAM ワークマーク WA1 アライメント・マーク用部分照明
系 MA1 マスクアライメント用部分照明系

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の光照射部より露光光をマスクのア
    ライメント・マークに照射し、 ワークステージ上であってワーク固定領域から離れた位
    置に設けられた反射部材にマスクのアライメント・マー
    クを投影して、該投影像を受像・画像処理して、その相
    対位置を検出/記憶し、 第1の光照射部からの露光光の放出を停止したのち、ワ
    ークが載置されたワークステージを、マスク上のアライ
    メント・マークが上記ワーク上に投影される位置に移動
    させ、上記第1の光照射部もしくは第2の光照射部より
    非露光光をワークのアライメント・マークへ照射し、 ワークのアライメント・マークを受像・画像処理して、
    相対位置を検出/記憶し、 該両アライメント・マークの相対位置データを演算し
    て、該両アライメント・マークが重なるようにワークお
    よび/またはマスクを移動させることを特徴とするマス
    クとワークの位置合わせ方法。
  2. 【請求項2】 複数の露光区域を有するワークが載置さ
    れたワークステージを所定量ずつ移動させることによ
    り、ワーク上の上記各露光区域を露光位置に順次移動さ
    せ、露光光をマスク上に照射して、ワーク上の各露光区
    域を逐次露光するに際し、 ワークステージ上のワーク固定領域から離れた位置に反
    射部材を配置し、露光光をマスクのアライメント・マー
    クに照射したときに該アライメント・マークが上記反射
    部材上に投影される位置にワークステージを移動させ、 第1の光照射部より露光光をマスクのアライメント・マ
    ークに照射し、上記反射部材にマスクのアライメント・
    マークを投影して、該投影像を受像・画像処理して、そ
    の相対位置を検出/記憶し、 第1の光照射部からの露光光の放出を停止し、ワークス
    テージ上に載置されたワーク上に前記マスクのアライメ
    ント・マークの投影像の位置がくるように前記ワークを
    移動させ、上記第1の光照射部もしくは第2の光照射部
    より非露光光をワークのアライメント・マークへ照射し
    て、ワークのアライメント・マークを受像・画像処理し
    て、その相対位置を検出/記憶し、 上記両アライメント・マークの相対位置データを演算し
    て、該両アライメント・マークが重なるようにワークお
    よび/またはマスクを移動させて、マスクとワークの位
    置合わせを行うことを特徴とするマスクとワークの位置
    合わせ方法。
  3. 【請求項3】 マスクと該マスクを移動させるマスクス
    テージと、 投影レンズと、ワークと該ワークを移動させるワークス
    テージと、 非露光光もしくは露光光をマスクのアライメント・マー
    クおよび/またはマスクパターンに照射する第1の光照
    射部と、 ワークステージ上のワーク固定領域から離れた位置に設
    けられ、上記第1の光照射部から放出される露光光によ
    るマスクのアライメント・マークの投影像が結像する反
    射部材と、 マスクのアライメント・マークの投影像を受像するとと
    もに、上記第1の光照射部もしくは第2の光照射部から
    放出される非露光光により照明されるワークのアライメ
    ント・マークを受像する受像手段と、 上記受像手段が受像した画像データに基づき、マスクお
    よび/またはワークを移動させ、また上記第1の光照射
    部からの露光光の放出を制御する制御手段とを備え、 上記制御手段は、マスクのアライメント・マークの投影
    位置に上記反射部材が配置されるようにワークステージ
    を移動させ、第1の光照射部より露光光をマスク上に照
    射して、上記反射部材に投影されるマスクのアライメン
    ト・マーク投影像を受像・画像処理して、その相対位置
    を検出/記憶し、 第1の光照射部からの露光光の放出を停止したのち、マ
    スク上のアライメント・マークが上記ワーク上に投影さ
    れる位置にワークを移動させ、上記第1の光照射部もし
    くは第2の光照射部より非露光光をワークのアライメン
    ト・マークへ照射し、ワークのアライメント・マークを
    受像・画像処理して、相対位置を検出/記憶し、 該両アライメント・マークの相対位置データを演算し
    て、該両アライメント・マークが重なるようにワークお
    よび/またはマスクを移動させ、マスクとワークの位置
    合わせを行うことを特徴とするマスクとワークの位置合
    わせ装置。
  4. 【請求項4】 マスクと該マスクを移動させるマスクス
    テージと、 投影レンズと、複数の露光区域を有するワークと、該ワ
    ークを移動させるワークステージと、 非露光光もしくは露光光をマスクのアライメント・マー
    クおよび/またはマスクパターンに照射する第1の光照
    射部と、 ワークステージ上のワーク固定領域から離れた位置に設
    けられ、上記第1の光照射部から放出される露光光によ
    るマスクのアライメント・マークの投影像が結像する反
    射部材と、 マスクのアライメント・マークの投影像を受像するとと
    もに、上記第1の光照射部もしくは第2の光照射から放
    出される非露光光により照明されるワークのアライメン
    ト・マークを受像する受像手段と、 ワークが載置されたワークステージを所定量ずつ移動さ
    せてワーク上の上記各露光区域を露光位置に順次移動さ
    せ、上記受像手段が受像した画像データに基づきマスク
    とワークのアライメント・マークが重なるようにワーク
    および/またはマスクを移動させてマスクとワークの位
    置合わせを行い、露光光をマスク上に照射させてワーク
    上の各露光区域に逐次露光させる制御手段とを備え、 上記制御手段は、マスクのアライメント・マークの投影
    位置に上記反射部材が配置されるようにワークステージ
    を移動させ、第1の光照射部より露光光をマスク上に照
    射して、上記反射部材に投影されるマスクのアライメン
    ト・マーク投影像を受像・画像処理して、その相対位置
    を検出/記憶し、 第1の光照射部からの露光光の放出を停止したのち、マ
    スクのアライメント・マークの投影位置に、ワーク上の
    露光対象となる露光区域が位置するようにワークを移動
    させ、上記第1の光照射部もしくは第2の光照射部より
    非露光光をワークのアライメント・マークへ照射し、ワ
    ークのアライメント・マークを受像・画像処理して、相
    対位置を検出/記憶し、 該両アライメント・マークの相対位置データを演算し
    て、該両アライメント・マークが重なるようにワークお
    よび/またはマスクを移動させマスクとワークの位置合
    わせを行うことを特徴とするマスクとワークの位置合わ
    せ装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008139955A1 (ja) * 2007-05-07 2008-11-20 Mejiro Precision, Inc. 投影露光方法、アライメント方法及び投影露光装置
JP2011066185A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Ushio Inc ワークアライメントマークの検出方法および露光装置
JP2013171988A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置及び露光方法
KR20210095068A (ko) 2020-01-22 2021-07-30 우시오덴키 가부시키가이샤 얼라인먼트 마크 검출 장치 및 얼라인먼트 마크 검출 방법
KR20230075409A (ko) 2020-09-14 2023-05-31 가부시키가이샤 브이 테크놀로지 투영 노광 장치 및 투영 노광 방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2856711B2 (ja) * 1996-07-16 1999-02-10 山形日本電気株式会社 位置検出方法
JP3445100B2 (ja) * 1997-06-02 2003-09-08 キヤノン株式会社 位置検出方法及び位置検出装置
US6002426A (en) * 1997-07-02 1999-12-14 Cerprobe Corporation Inverted alignment station and method for calibrating needles of probe card for probe testing of integrated circuits
EP1089327A4 (en) * 1998-03-06 2003-01-02 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
JPH11312635A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Ushio Inc コンタクト露光方法
US7004970B2 (en) 1999-10-20 2006-02-28 Anulex Technologies, Inc. Methods and devices for spinal disc annulus reconstruction and repair
US8632590B2 (en) 1999-10-20 2014-01-21 Anulex Technologies, Inc. Apparatus and methods for the treatment of the intervertebral disc
US7615076B2 (en) 1999-10-20 2009-11-10 Anulex Technologies, Inc. Method and apparatus for the treatment of the intervertebral disc annulus
JP2002131923A (ja) 2000-10-25 2002-05-09 Ushio Inc 基板用逐次露光装置
JP4740405B2 (ja) * 2000-11-09 2011-08-03 東京エレクトロン株式会社 位置合わせ方法及びプログラム記録媒体
TW200404485A (en) * 2002-05-22 2004-03-16 Assembleon Nv Method of placing a component by means of a placement device at a desired position on a substrate holder, and device suitable for performing such a method
JP3643572B2 (ja) * 2002-05-31 2005-04-27 株式会社アドテックエンジニアリング 投影露光装置及び位置合わせ装置
JP4158514B2 (ja) 2002-12-24 2008-10-01 ウシオ電機株式会社 両面投影露光装置
DE102005021048A1 (de) * 2005-05-06 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Stabilisieren eines Werkstücks bei einer Bearbeitung
JP5523207B2 (ja) * 2010-06-01 2014-06-18 株式会社トプコン 露光装置
US9547231B2 (en) * 2013-06-12 2017-01-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for making photomask assembly and photodetector device having light-collecting optical microstructure
TWD174921S (zh) * 2014-12-17 2016-04-11 日本碍子股份有限公司 複合基板之部分
JP6642032B2 (ja) * 2016-01-21 2020-02-05 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター及びプロジェクターの制御方法
JP7378910B2 (ja) * 2017-10-31 2023-11-14 株式会社アドテックエンジニアリング 両面露光装置及び両面露光方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56110234A (en) * 1980-02-06 1981-09-01 Canon Inc Projection printing device
JPS56122128A (en) * 1980-02-29 1981-09-25 Telmec Co Ltd Positioning system for printing device of semiconductor or the like
US4699515A (en) * 1984-02-28 1987-10-13 Nippon Kogaku K. K. Process of transfer of mask pattern onto substrate and apparatus for alignment therebetween
JPS60223122A (ja) * 1984-04-19 1985-11-07 Canon Inc 投影露光装置
US4814829A (en) * 1986-06-12 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JP2773147B2 (ja) * 1988-08-19 1998-07-09 株式会社ニコン 露光装置の位置合わせ装置及び方法
JP3109852B2 (ja) * 1991-04-16 2000-11-20 キヤノン株式会社 投影露光装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008139955A1 (ja) * 2007-05-07 2008-11-20 Mejiro Precision, Inc. 投影露光方法、アライメント方法及び投影露光装置
JPWO2008139955A1 (ja) * 2007-05-07 2010-08-05 株式会社目白プレシジョン 投影露光方法、アライメント方法及び投影露光装置
JP2011066185A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Ushio Inc ワークアライメントマークの検出方法および露光装置
JP2013171988A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置及び露光方法
KR20210095068A (ko) 2020-01-22 2021-07-30 우시오덴키 가부시키가이샤 얼라인먼트 마크 검출 장치 및 얼라인먼트 마크 검출 방법
KR20230075409A (ko) 2020-09-14 2023-05-31 가부시키가이샤 브이 테크놀로지 투영 노광 장치 및 투영 노광 방법

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