본 발명은 이러한 목적에 따라 제공되며, 이러한 방법에 따라서 오직 소자들의 스택의 측면 표면을 소자들 사이에 연결을 형성하는 액체와 접촉시킴으로써 소자들이 연결된다.
이러한 방법은 자동화된 공정이 가능하다.
이러한 방법의 장점은 이격 프로파일(spacing profile)이 제공된 실질적으로 편평한 소자로 조립된 열 교환기를 제조하기 위한 장치에 따라 구현되며, 인접한 소자들은 소자들의 변부의 적어도 일부분에 이격 프로파일이 제공되고, 상기 장치는 실질적으로 편평한 소자들을 서로 적층하기 위한 적층 부재(stacking member)가 제공되며 소자들의 변부에서 실질적으로 편평한 소자들을 상호 연결하기 위한 연결 수단이 제공되고, 상기 연결 수단은 소자들의 스택의 측면 표면을 소자들 사이에 연결을 형성하는 액체와 접촉시키기에 적합하다.
소자들의 스택을 액체와 접촉시키기 위한 다양한 수단이 존재하며, 예를 들어 액체는 소자들의 스택의 측면으로 분사될 수 있다. 그러나 선호되는 실시예는 소자들의 스택이 소자들 사이에 연결을 형성하는 액체의 바스에서 제한된 깊이로 잠겨지는 수단을 제공한다. 이러한 수단에 따라 상기 방법을 용이하게 조절할 수 있으며, 이러한 방법을 수행하기 위해 필요한 수단은 상대적으로 간단하다.
이러한 장점들은 장치에 따라 구현되며, 연결 수단은 수평 위치에서 소자들의 스택을 소자들의 스택의 측면 표면과 연속적으로 고정시키며, 단부 표면에 소자들의 스택을 고정시키기에(grip) 적합한 회전식 그리핑 부재를 포함하고, 상기 그리핑 부재는 소자들의 스택의 하부 측면 표면을 연결 액체의 베슬에 침적시키기에 적합하다.
그 외의 실시예에 따라서 그리핑 부재를 수직 운동시키기에 적합한 수단이 제공한다. 침적 공정은 침적을 위하여 재료와 액체 사이에 접촉을 형성하는 것이 요구되며, 침적을 위한 재료를 고정하고 액체를 위한 용기를 상향으로 이동시킬 수 있을지라도 구조적인 관점에서 그리핑 부재는 수직 운동을 하기에 적합한 것이 요구된다. 여기서 베슬은 고정된다.
추가적인 실시예에 따라 베슬은 이동식 커버가 제공되며, 상기 이동식 커버는 침적을 하는 동안에만 제거된다. 특히 본 실시예는 액체의 과도한 증발을 방지하는 측면에서 액체가 증발 가능한 솔벤트에 의해 형성되는 것이 선호된다.
침적 공정은 깊이와 내구성(duration)을 변화시킬 수 있다. 상호 연결되어 지는 부품들, 즉 인접한 소자들을 접촉시키는 소자들의 변부에서의 프로파일들은 침적의 방향에서 특정 치수를 가진다. 상기 치수의 깊이로 소자들의 스택을 침적시키는 것은 물론 가능하다. 그러나 연결을 위하여 표면들 사이에서 모세관 효과를 이용하고, 표면의 남겨진 부분으로 액체를 이송하며, 소자들의 스택을 상대적으로 얕은 깊이로 침적시키는 것이 선호된다.
본 발명에서 제공된 열 교환기의 형태는 6각형 프리즘(six-sided prism), 즉 2개의 입구 표면, 2개의 출구 표면, 2개의 밀폐된 표면과 2개의 단부 표면을 가지는 바디이다. 열 교환기를 효율적으로 작동시키기 위하여, 서로 연결되어 져야 하는 소자들이 모든 측면에서 결합되기 때문에 프리즘 형태의 열 교환기의 모든 측면을 액체와 접촉시키는 것이 중요하다. 따라서 추가적으로 선호되는 실시예에 따라, 실질적으로 편평한 소자들이 6각형으로 형성되고, 소자들의 스택의 각각 6개의 측면이 액체로 침적시키는 방법이 제공된다. 특정 디자인의 소자로 인해, 2개의 측면은 서로 짝을 이루며 일렬로 배열될 수 있으며, 그 뒤 4각형 형태가 형성된다.
본 발명의 구성상 그리핑 수단은 스택의 상부 및 하부 소자에서 폼-피팅(form-fitting)되는 프로파일이 제공되고, 소자들의 스택의 단부 벽을 고정하는(grip) 판들이 제공된다. 결국 침적 공정은 지체되지 않으며(impede), 동시에 소자들의 스택은 충분히 견고하게 고정된다. 침적 이전에 소자들이 적층되고, 임의의 상호 접착제를 가지지 않아서 소자들은 스택의 형상이 보유되도록(form-retaining) 서로 압축시키는 것이 중요하다.
액체를 배출시킴으로써 초과 액체를 제거하기 위하여, 각각의 측면의 침적 간에 소자들의 스택은 2개의 측면 표면 사이의 변부와 하향 방향으로 고정되는 것이 선호된다.
본 발명은 소자에서 접착 기능을 하는 액체의 가용성(availability)이 요구된다. 본 발명에 제공된 실시예에서, 플라스틱으로 제조된 패널(panel)이 이용된다. 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리비닐 클로라이드 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트와 같은 다수의 플라스틱에서, 아교 연결(glue connection)은 이격 프로파일 사이에 연결을 형성하기 위하여 사용될 수 있다. 아교(glue)는 감지 가능한 잔여물을 남기는 물질로 이해된다. 몇몇 물질에서, 소자들은 아교와 소자 사이에 내구성 있는 접착을 형성하기 위하여 예비 처리되어야 한다.
그러나 소자들은 물질을 용해시키는(dissolving) 액체에 의해 상호 연결될 수 있다. 솔벤트는 소자들의 변부들을 전체적으로 변형시키고 심지어 완전히 용해시키며 사라지도록 충분히 공격적(aggressive)이어서는 안되지만 솔벤트는 재료의 표면을 연화시키고, 인접한 소자와 융합될 수 있는 형태를 가지게 하는 기능을 한다. 발명자에 따르면, 솔벤트 시클로헥산과 폴리스티렌으로 제조된 소자들의 조합물이 우수한 결과물을 형성한다고 알려졌다.
그러나 본 발명은 상기 언급된 액체에 제한되지 않으며, 납땜 연결(soldered connection)과 같은 연속적인 공정에서 오직 접착 기능을 가지는 액체를 이용할 수있다. 선호되는 실시예는 이러한 목적을 위한 방법을 제공하며, 액체는 납땜을 포함하는 액체에 의해 형성되고, 침적 후 열 교환기는 납땜의 용융 온도를 초과하는 온도로 열이 가해진다. 여기서 납땜은 예를 들어 솔벤트를 첨가한 액체로 구성된 다. 침적 공정에서 납땜이 제공된 후, 솔벤트는 분해되어 납땜이 남는다. 가열 공정으로 형성되는 연속적인 공정에서, 납땜이 용융되고, 기계적인 연결이 형성된다. 이러한 공정은 "리플로우(reflow)" 납땜 공정으로 알려졌다. 이러한 공정은 금속 또는 세라믹과 같은 납땜 가능한 물질의 경우에만 이용될 수 있다.
WO-A-9702461호에 언급된 바와 같이, 열 교환기는 실질적으로 편평한 소자들로 조립되고, 상기 소자들은 서로 적층되며, 열 교환기의 기능을 수행하기 위한 프로파일이 제공되지만 상호 거리에 소자들을 고정하기 위한 프로파일 또한 제공된다. 발명자에 의하면, 구조는 제 1 타입 및 제 2 타입의 소자들을 이용하여 제조함으로써 단순화될 수 있으며, 상기 제 1 타입의 소자들은 열 교환기를 밀봉하고 소자들로부터 떨어진 위치에 열 교환기를 고정하기 위한 프로파일과 열 교환기의 기능을 위한 프로파일이 제공되고, 상기 제 2 타입의 소자들은 실질적으로 평평하게 형성되지만 열 교환기를 밀봉하고 소자들로부터 떨어진 위치에 열 교환기를 고정하기 위한 프로파일이 제공된다. 제 1 및 제 2 타입의 소자들은 교대로 적층된다.
이러한 방법은 실질적으로 편평한 소자들을 위한 적층 공정을 포함한다. 적층을 하는 동안 수평 위치에서 가능한 빨리 부정확함을 교정하기 위하여, 적층된 소자들은 새로운 소자들이 배치될 때마다 소자들을 위치 설정하는 수평력이 가해진다.
바람직하게 이러한 공정은 실질적으로 수평인 방향으로 이동 가능하고, 소자가 배치될 때 스택의 중앙으로부터 떨어진 위치로 끌어올리며, 소자가 배치된 후 스택의 중앙을 향하는 위치로 끌어올리기에 적합한 스택 홀더를 적어도 하나의 측 면 벽에 제공함으로써 수행된다.
다른 선호되는 실시예에 따라서, 소자들이 적층 부재에 의해 고정되고(grip), 적층되는 방법이 제공되며, 상기 적층 부재는 제 1 타입의 소자들을 위한 용기, 제 2 타입의 소자들을 위한 용기 및 수집 용기를 연속적으로 지나가는 순환 운동(cyclical movement)을 하며, 적층 부재는 제 2 타입의 소자를 위한 용기를 지나가도록 제 1 타입의 소자를 이동시킨다. 단일의 적층 부재로 충분하지만 하나의 소자보다 많은 소자들을 고정하도록 구성되어져야 한다. 단일의 적층 부재는 오직 단일 이동 바디(single moving body)만을 제어하고 구동시킬 필요가 있는 장점을 가진다.
게다가 적층 기계(stacking machine)를 이용할 수 있으며, 상기 적층 기계에서 2개의 적층 부재가 이용된다. 제 1 적층 부재는 제 1 타입의 소자를 배치시키는데 이용되며, 제 2 적층 부재는 제 2 타입의 소자를 배치시키는데 이용된다. 적층 부재는 적층 부재들이 소자들을 교대로 배치시키도록 제어된다.
동일한 장점에 따라서, 적층 장치는 제 1 타입의 소자를 위한 용기, 제 2 타입의 소자를 위한 용기 및 수집 용기를 포함하며, 추가적으로 소자들을 위한 적층 부재는 하나 이상의 그리핑 위치가 제공되고, 제 1 타입의 소자들을 위한 용기, 제 2 타입의 소자들을 용기 및 수집 용기를 지나가도록 주기 운동을 하기에 적합하며, 적층 부재는 제 2 타입의 소자들의 용기를 지나가도록 제 1 타입의 소자들을 이송시키기에 적합하다.
적층 부재는 6개의 그리핑 위치가 제공된 회전식 소자를 포함할 때 적층 장 치의 구조는 단순화된다. 게다가 회전식 적층 부재는 장치가 다수의 동적 하중이 가해지지 않는 장점을 가진다.
다른 실시예에 따라서, 소자들은 열성형 공정(thermoforming process)에 의해 각각 제조된다. 주입 몰딩과 하이드로포밍(hydroforming)과 같이 소자들을 제조하기 위한 다른 방법이 이용될 수 있을지라도 발명자는 열성형 공정을 구현할 수 있는 상대적으로 신속하고 값싼 결과물에 기초로 한다. 소자들의 개시 포일(starting foil)이 상당히 얇기 때문에 기대와는 일치되지 않으며, 종래 기술의 당업자는 최종 생산물이 전체 표면을 성형함에 있어서 0.1 mm의 정확도로 구현되어질 수 있다는 것을 기대할 수 없을 것이다.
열성형 공정에서 상기 선호되는 결과물은 적어도 상기 타입들 중 하나의 타입의 소자가 다공성 몰드를 이용한 열성형 공정에 의해 제조됨으로써 형성될 수 있다. 채널의 비스듬한 벽이 배열되어지는, 제 1 타입의 소자들은 상당히 임계적이다(critical). 소자들의 재료는 상당히 연신되기 쉬우며, 이로 인해 개구부들이 신속히 형성될 수 있다. 이러한 가능성은 다공성 몰드를 제공하고, 전체 몰드에 대해 균일하게 흡입함에 따라 감소될 수 있다.
상기 기술된 바와 같이, 본 발명에 따르는 방법은 소자들을 적층시키기 위한 적층 장치(stacking device)가 제공된 장치가 이용되며, 제조를 위한 열 교환기는 상기 장치에 구성된다. 본 발명과 관련된 타입의 열 교환기는 교대로 적층된 다양 한 타입의 실질적으로 편평한 소자로 조립된다. 따라서 적층 장치는 제 1 타입과 제 2 타입의 소자를 교대 적층(alternate stacking) 하기에 적합하다.
이를 위해 도 1에 도시된 장치는 6각형 섹션이 구비된 적층 부재(stacking member, 1)를 포함한다. 적층 부재(1)는 중앙 샤프트(2)에 대해 회전 가능하게 구동될 수 있다. 적층 부재(1)는 진공 흡입 부재(vacuum suction member, 3)의 형태인 그리핑 부재(gripping member)가 각각의 6개의 측면 표면에 제공되고, 상기 진공 흡입 부재는 도면에 도식적으로 도시되며 도면에 도시되지 않은 부재를 제어하기 위하여 연결된다. 스테핑 모터(stepping motor)는 각각 6개의 위치 사이에서 적층 부재(1)를 이동시키기 위하여 샤프트(2)가 구동 부재(도시되지 않음)에 연결된다. 적층 부재(1)의 하부에 위치된 수집 홀더(collecting holder, 4)는 스택(stack)을 형성하는 소자들을 수집한다. 수집 홀더(4)는 높이-조절식 테이블(height-controllable table, 5)을 포함하며, 상기 높이-조절식 테이블(5)은 적층 부재(1)가 소자를 대략 동일한 높이에 배치시키도록 조절되어진다. 적층 부재(1)는 6각형 소자를 적층시키기에 적합하기 때문에, 수집 홀더(4)는 6개의 측벽(6)이 제공되며, 상기 6개의 측벽들 중 적어도 하나는 수평 방향으로 이동될 수 있다.
적층을 하기 위한 소자들을 공급하기 위하여, 적층 장치는 제 2 타입의 소자(11)를 위한 제 2 홀더(8)와 제 1 타입의 소자(1)를 위한 제 1 홀더(7)가 제공된다. 2개의 홀더(7, 8)의 축은 수직에 대해 60°로 연장된다. 이러한 위치 설정(positioning)으로 인해 적층 부재(1)의 그리핑 부재(3)는 각각의 홀더(7, 8)의 하부에서 이동될 수 있으며, 고정을 하기 위한(grip) 소자(10, 11)는 단순한 선형 운동에 따라 그리핑 부재(3)에 의해 고정될 수 있다.
각각의 적층 장치의 작동(operation)은 도면 2A 내지 2F에 따라 기술되어질 것이다. 본 도면에서의 열 교환기가 스택의 상부와 하부에 제 1 타입(10)의 소자로 형성되어야 하는 경우를 기점(starting point)으로 취한다. 따라서 도 2A에 도시된 바와 같이 적층 공정(stacking process)은 홀더(7)로부터 제 1 타입(10)의 소자를 고정하는 단계로부터 시작된다. 그 뒤 적층 부재(1)는 대략 60°로 회전하여 도 2B에 도시된 위치로 형성된다. 그 뒤 추가적으로 60°로 회전함에 따라 제 1 홀더(7)의 하부에 위치된 그리핑 부재는 제 1 타입(10)의 소자가 고정된다. 도 2C에 도시된 바와 같이, 제 1 타입(10)의 소자가 이미 제공된 그리핑 부재는 제 2 홀더(8)의 하부에 위치된다. 그 외 추가적인 회전을 한 뒤, 비어있는 그리핑 부재는 제 2 홀더(8)의 하부에 위치되고, 관련된 그리핑 부재는 제 2 타입(11)의 소자가 고정된다. 그 후 도 2D에 도시된 상태로 형성된다. 여기서 그리핑 부재는 제 1 홀더(7)의 하부에 위치되지만 그리핑 작용(gripping operation)dms 발생되지 않는다. 추가적으로 60° 회전 후, 도 2E에 도시된 상태가 형성된다. 제 1 타입(10)의 소자가 제공된 그리핑 부재는 소자를 구속 해제시키고, 수집 홀더(4)의 테이블(5)상에 소자를 위치시킨다. 제 1 타입(10)의 소자는 제 1 홀더(10)의 하부에 위치된 그리핑 부재에 의해 제 1 홀더(7)로부터 동시에 고정된다. 60°의 또 다른 회전 후, 도 2F에 도시된 위치가 형성된다. 이때 제 2 타입(11)의 소자는 테이블(5) 상에 위치되고, 제 2 타입(11)의 소자가 고정된다. 60°의 반복된 회전 후, 도 2E에 도시된 상태로 재차 형성된다. 따라서 제 1 타입(10) 및 제 2 타입(11)의 소자들이 교대로 적층된다. 이러한 공정은 소자(10, 11, ....)의 스택이 수집 홀더(4)에서 요구되는 높이에 도달될 때까지 반복된다. 여기서 스택(10, 11, ....)은 제 1 타입(10)의 소자로 밀폐된다.
적층 후 수행되어지는 접착 공정(glueing process)을 적절히 수행하고, 열 교환기를 통하여 이동하는 2개의 공기흐름 사이에 누출을 방지하기 위하여 소자(10, 11)는 서로에 대해 적절히 위치되는 것이 중요하다.
이러한 목적을 위하여, 수집 홀더(4)는 3개의 측벽을 포함하며, 상기 측벽은 2개의 입구 표면(inlet surface), 2개의 출구 표면(outlet surface) 및 열 교환기의 2개의 밀폐된 측면 표면에 일치하도록 배치된다. 이러한 벽들 중 하나의 벽은 적어도 수평 방향으로 이동 가능한 측벽(6)에 의해 형성된다. 소자(10, 11)를 배치하는 동안, 심지어 소자(10, 11)가 완전히 조절되지 못한 적층 부재(1)상에 위치될 지라도 측벽(6)은 배치를 돕기 위해 최외측 위치에 배치된다. 배치 후, 측벽(6)은 배치된 소자(10, 11)를 정확한 위치로 이동시키기 위하여 최 내측 위치로 이동된다.
스택이 완성된 후, 소자(10, 11, ...)의 스택은 2개의 판(20, 21)의 형태인 침적 수단(immersion means)에 의해 양쪽 단부 표면상에서 고정된다. 소자(10)와 접촉되는 측면에서 상기 판들은 프로파일(profile)이 제공되고, 상기 프로파일은 소자(10)에 대해 폼-피팅 정도(a degree of form-fitting)를 가진다.
판(20, 21)은 스택을 집어 올려서(pick up) 침적 베슬(immersion vessel, 22)위의 위치로 이동시키고, 상기 침적 베슬(22)은 소자들 사이에 연결을 형성하는 액체로 채워진다. 베슬(22)은 미끄럼 가능한 커버(slidable cover, 23)로 덮여질 수 있다. 베슬(22)위의 위치도 도달된 후, 판(20, 21)의 조립체와 이들 사이에 형성된 소자(10, 11)의 스택은, 소자들의 스택의 축이 수평 방향으로 연장되는, 위치에 도달될 때까지 회전한다.
그 뒤 도 3에 도시된 상태에 도달된다. 그 후 베슬(22)의 커버(23)가 개방되고, 소자(10, 11)의 스택은 스택의 하부 표면이 액면(liquid level) 아래의 짧은 거리에 위치될 때까지 액체로 잠겨진다. 그 뒤 액체는 판(10, 11)들 사이에 침투될 수 있다. 연결을 위한 표면의 일부분이 완전히 적셔진다. 상기 기술된 위치에 도달된 직 후, 소자의 스택과 판의 조립체는 재차 액면 위로 이동된다. 그 뒤 초과 액체가 소자의 스택으로부터 배출될 수 있다(drain). 이러한 배출 공정(draining process)은 소자의 스택을, 2개의 측면 표면 사이의 변부가 하부 위치에 배치되어지는, 위치로 회전시킴으로써 보강된다. 그 뒤 소자의 스택의 뒤 이은 측면 표면이 최하부 수평 위치에 위치될 때까지 스택은 회전하고, 침적 공정은 반복된다. 이러한 공정은 소자의 스택의 모든 측면 표면을 위해 반복된다. 그 뒤 소자의 스택은 판(20, 21)에 의해 90°로 재차 회전되어 소자(10, 11)들은 재차 수평 방향으로 연장된다. 그 뒤 소자들의 스택은 벨트(belt) 상에 배치되어 솔벤트와 같은 접착액이 증발된다. 이에 따라 부분적으로 녹은 판(10, 11)들이 서로 연결된다.
도 4는 침적되는 동안의 상태를 도시한다. 소자들은 오직 깊이 A로 액체에 잠겨지는 것으로 도시된다. 서로 압축된 소자(10, 11)들의 일부분과 액체의 모세관 효과로 인해 액체는 수면 위의 높이 B까지 상부를 향해 이동된다. 이를 위해 소자의 표면이 특정 조도(roughness)를 가지며, 소자들이 모세관 효과의 기능을 하도록 서로 인접하게 위치시키는 것이 필수적이다. 이러한 장점은 연결을 위한 표면이 완전히 적셔지고 상대적으로 짧고 깊지 않게 침적될 수 있는데 있다.