KR20070013315A - 발광 다이오드 본딩 구조 및 발광 다이오드 본딩 방법 - Google Patents

발광 다이오드 본딩 구조 및 발광 다이오드 본딩 방법 Download PDF

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Abstract

LED 칩은 Sn, AuSn이나 그외 금속 등의 열음향 또는 열압착 본딩에 적합한 본드 패드를 포함한다. 이러한 본드 패드의 물리적 치수는 플럭스(flux)를 이용하거나 이용하지 않거나 간에 열압착 또는 열음향 본딩 동안 땜납-붕괴(solder-squeeze out)를 방해하거나 방지하도록 선택된다. 일부의 실시예에서, AuSn 본드 패드는 전술한 붕괴 없이 30g 내지 70g 이상의 힘을 수용하도록 선택된다.
LED, 땜납, 본드 패드, 열압착 본딩

Description

발광 다이오드 본딩 구조 및 발광 다이오드 본딩 방법{LED BONDING STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATING LED BONDING STRUCTURES}
본 출원은 2004년 4월 28일에 출원되고 발명의 명칭이 "체적이 감소된 본드 패드를 갖는 LED(LED with Reduced Volume Bond Pad)"인 미국 가출원 제60/565,960호의 이점을 주장하는 것이다.
본 발명은 반도체 디바이스에 관한 것이며, 특히 정션-다운 구조(junction-down configuration)로 서브마운트에 장착되는 발광 다이오드에 관한 것이다.
GaN 기반의 발광 다이도드(LED)는 통상적으로, 복수의 GaN 기반의 에피택셜 영역이 증착되는 SiC 또는 사파이어와 같은 절연 기판이나 반도체 기판을 포함한다. 상기 에피택셜 영역은 에너지를 받으면 발광하는, p-n 접합을 갖는 활성 영역을 포함한다. 통상적인 LED는 기판의 옆쪽 아래의 서브마운트 상에 장착되는데, 이 서브마운트를 패키지 또는 리드 프레임이라고도 한다(이하에서는 "서브마운트"라고 한다). 도 4는 n타입 SiC 기판(10)과, 이 기판(10) 위에 성장하여 메사(mesa)로 패턴화되는 n-GaN 기반의 층(14)과 p-GaN 기반의 층(16)으로 구성된 활성 영역을 갖는 종래의 LED를 개략적으로 도시한다. 상기 p-GaN 층(16) 위에 금속 p-전극(18)이 증착되고 이 p-전극(18) 위의 본드 패드(20)에 와이어 본드 접속(28)이 수행된다. 전도성 기판 위의 n-전극(22)은 전도성 에폭시(26)를 이용하여 금속성 서브마운트(24)에 부착된다. 종래의 프로세스에서, 전도성 에폭시(26)(통상적으로 은 에폭시)는 서브마운트 위에 증착되고, LED를 이 에폭시(26)에 가압한다. 그런 다음 상기 에폭시에 열을 가하여 경화시키면 안정하고 전기적으로 전도성인 LED 칩용 마운트가 제공된다. 상기 활성 영역(12)에서 발생된 상당한 양의 광이 상기 기판에 투과되어 상기 에폭시(26)에 의해 흡수된다.
LED의 정션-다운(또는 "플립-플롭") 마운팅은 상기 LED를 서브마운트 기판 측면 상에 장착하는 단계를 포함한다. 이때 투명 기판을 통해 광이 흡수되고 발광된다. 정션-다운 마운팅은 특히 SiC 기반의 LED를 탑재하기 위한 바람직한 기술이 될 수 있다. SiC는 GaN보다 굴절률이 높기 때문에, 활성 영역에서 발생된 광은 GaN/SiC 인터페이스에서 내부적으로 반사되지 않는다(즉, GaN 기반의 층들로 되반사된다). SiC 기반의 LED의 정션-다운 마운팅은 당분야에 공지되어 있는 특정한 칩-형성 기술의 효과를 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라 SiC LED의 정션-다운 패키징은 향상된 열 분산과 같은 다른 이점이 있으며, 이에 따라 칩의 특정한 어플리케이션에 바람직하게 의존하게 된다.
정션-다운 마운팅의 한 가지 문제점이 도 5에 도시되어 있다. 즉, 종래의 기술을 이용하여 전도성 서브마운트 또는 패키지 위에 칩을 장착할 때, 상기 칩 위에 및/또는 상기 서브마운트(24) 위에 전도성 다이 부착 재료(26)를 증착하고, 상기 서브마운트(24)에 대해 상기 칩을 가압한다. 대안으로, 상기 전도성 다이 부착 재료(26) Sn 또는 Au/Sn과 같은 땜납을 포함할 수 있는데, 이 경우 상기 칩은 열압착 본딩에 의해 서브마운트에 결합된다.
열압착 본딩은 열과 압축을 이용함으로써 디바이스와 서브마운트 사이의 전도성 본드를 생성하여 기판이나 서브마운트에 디바이스를 장착하는 기술이다. 통상적으로, 진공 콜릿(vacuum collet)을 사용하여 디바이스를 픽업한 다음 이것을, 사용된 땜납이 합금을 형성하는 재료로 형성된 서브마운트에 접촉하여 물리적으로 위치시킨다. 디바이스가 서브마운트와 접촉하게 되면 상기 진공 콜릿을 통해 상기 디바이스에 힘을 가한다. 열과 압축의 조합을 통해, 상기 땜납은 상기 서브마운트와 합금이 되고 상기 디바이스는 적소에 용접된다. 이러한 본딩을 형성하기 위해서는, 상기 디바이스는 열과 압력이 가해질 때 상기 서브마운트와 합금 본드를 형성할 Sn과 같은 금속으로 이루어진 금속 패드 층을 포함하여야 한다. 충분히 낮은 용융점을 갖는 다른 금속 및 합금으로서 Au/Sn, Pb/Sn, 및 Ag/Sn을 사용할 수도 있다. 몇몇 적절한 서브마운트 재료는 금과 은이다.
통상적인 열압착 프로세스에서는 약 30 내지 50g의 최소한의 힘을 사용하여, 서브마운트에 다이(die)가 본딩될 수 있게 한다. 그렇지만, 이 힘은 상기 용융된 본드 금속의 일부를 붕괴시켜 n타입 기판과 p-n 접합 주의의 서브마운트 사이의 분기 회로(shunt circuit)를 형성하게 함으로써 디바이스의 동작을 저하시킨다.
따라서, 도 5에 도시된 바와 같이, 전도성 다이 부착 재료(26)는 붕괴하여 디바이스 내의 n타입 층(14 및 10)과 접촉할 수 있게 되고, 이에 따라 쇼트키 다이오드 접속을 형성하게 되어, 예측 가능하게 바람직하지 않은 결과를 가지는 활성 영역에서의 p-n 접합에 단락 회로(short-circuit)를 형성한다. 따라서, 향상된 정 션-다운 마운팅에 바람직한 LED의 설계의 개선점이 요망된다.
LED 칩은 열음향 또는 Sn, AuSn 또는 그외 금속 등의 열압착 본딩에 적합한 본드 패드를 포함한다. 이러한 본드 패드의 물리적 치수는 플럭스(flux)를 이용하거나 이용하지 않거나 간에 열압착 또는 열음향 본딩 동안 땜납-붕괴(solder-squeeze out)를 방해하거나 방지하도록 선택된다. 일부의 실시예에서, AuSn 본드 패드는 전술한 붕괴 없이 30g 내지 70g 이상의 힘을 수용하도록 선택된다.
본 발명의 특정한 실시예는 약 3 x 10-5 mm3미만의 총 체적을 갖는 본드 패드를 포함하는 LED 칩을 제공한다. 본 발명의 다른 실시예들은 약 2.5 x 10-5 mm3미만의 총 체적을 갖는 본드 패드를 제공한다.
본 발명의 특정한 실시예에서, 상기 본드 패드는 전체적으로 정사각형 또는 직사각형의 외형을 가진 평행 육면체 형상이나, 전체적으로 원형의 외형을 가진 원통형의 형상이나, 또는 맞은 편의 면들이 평행하고 전체적으로 별 형상의 외형을 가진 다면체 형상으로 형성될 수 있다. 다른 외형의 형상도 가능하며 LED 칩의 형상에 의존하면 바람직하다.
본 발명의 방법 실시예는 제1 표면을 가지는 LED 칩, 상기 제1 표면 위의 에피택셜 메사 영역 및 상기 에피택셜 영역 위의 금속 오믹 접촉부를 제조하는 단계; 약 3 x 10-5 mm3미만의 총 체적을 갖는 본드 패드를 상기 오믹 접촉부 위에 형성하는 단계; 및 상기 LED 칩을 열음향(thermosonic) 또는 열압착 본딩(thermocompression bonding)으로 금속 서브마운트에 본딩하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 방법 실시예는 제1 표면을 가지는 LED 칩, 상기 제1 표면 위의 에피택셜 메사 영역 및 상기 에피택셜 영역 위의 금속 오믹 접촉부를 제조하는 단계; 약 2.5 x 10-5 mm3미만의 총 체적을 갖는 본드 패드를 상기 오믹 접촉부 위에 형성하는 단계; 및 상기 LED 칩을 열음향(thermosonic) 또는 열압착 본딩(thermocompression bonding)으로 금속 서브마운트에 본딩하는 단계를 포함한다.
도 1은 본딩 이전을 도시하는 본 발명의 실시예에 대한 측면도.
도 2는 본딩 이후를 도시하는 본 발명의 실시예에 대한 측면도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 저면도.
도 4는 종래의 LED 칩 구조의 측면도.
도 5는 "플립 플롭" LED 칩 구조의 측면도.
이하, 본 발명의 실시예가 도시되어 있는 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 대해 더욱 확실하게 설명한다. 본 발명은 여기에 개시된 실시예들에 제한되는 것이 아니며, 오히려 이러한 실시예들은 그러한 개시를 전체적으로 완전하게 하는 것으로 본 발명의 범주를 당업자에게 완전하게 전달시켜 줄 것이다. 게다가, 도면에는 다양한 층과 영역이 개략적으로 도시되어 있다. 또한, 당업자가 이해할 수 있는 바와 같이, 반도체 웨이퍼와 다이싱된 칩과 관련해서 본 발명을 설명하지만 이러한 칩들은 어떠한 크기로도 다이싱될 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부 도면에 도시된 상대적 크기 및 공간에 제한되는 것이 아니다. 또한, 도면상에서의 특정한 특징부에 대해서는 도면을 간결하게 하고 설명을 용이하게 하기 위해 확대하여 도시한다.
층, 영역 또는 기판 등의 소자를 다른 소자에 대해 "위에" 또는 "위로"로 언급할 때는 그 다른 소자에 직접적으로 접촉하고 있거나 또는 직접적으로 연장하고 있거나 소자들 사이에 개재하고 있다는 것임을 이해해야 한다. 대조적으로, 한 소자가 다른 소자에 대해 "직접적으로 위에" 있거나 또는 "직접적으로 위로" 연장하는 것으로 언급될 때, 개재하는 소자가 없다는 것임을 이해해야 한다. 또한, 한 소자가 다른 소자에 대해 "접속된" 또는 "결합된" 것을 언급할 때, 그 다른 소자에 직접적으로 접속되어 있거나 "결합되어" 있다는 것이거나 개재하는 소자가 있다는 것임을 이해해야 한다. 대조적으로, 한 소자가 다른 소자에 대해 "직접적으로 접속된" 또는 "직접적으로 결합된" 것을 언급할 때, 개재하는 소자가 없다는 것임을 이해해야 한다. 특히, 본드 패드와 같은 금속 층은 오믹 접촉부 "위에" 형성되는 것으로 설명될 것이다. 당업자는 예를 들어 장벽층, 접착층 및/또는 반사층과 같은 개재하는 층이 상기 본드 패드와 상기 오믹 접촉부 사이에 위치하고 있는 것으로 이해해야 한다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어는 다양한 소자, 구성요소, 영역, 층 및/또는 섹션을 설명하기 위해 사용되었지만, 이러한 소자, 구성요소, 영역, 층 및/또는 섹션은 이러한 용어들에 의해 제한되지 않는 것을 이해해야 한다. 이러한 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소, 영역, 층 또는 섹션을 다른 소자, 구성요소, 영 역, 층 또는 섹션과 구별하기 위해 사용한 것에 지나지 않는다. 그러므로 이하에서 사용되는 제1 소자, 제1 구성요소, 제1 영역, 제1 층 또는 제1 섹션은 본 발명의 개시를 벗어남이 없이 제2 소자, 제2 구성요소, 제2 영역, 제2 층 또는 제2 섹션이라 칭해진다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 "하위" 또는 "하부" 및 "상위" 또는 "상부" 등의 용어는 도면에 도시된 바와 같은 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위해 사용하는 것이다. 상대적 용어는 도면에 도시된 본래의 방향 외에 디바이스의 다른 방향을 망라하도록 의도된 것임을 이해해야 한다. 예를 들어, 도면 내의 디바이스를 뒤집으면, 다른 소자들의 "하위" 측 상에 있는 것으로 도시된 구성요소들이 상기 다른 소자들의 "상위"로 방향 지어지게 된다. 그러므로 예시적 용어 "하위"는 도면의 특정한 방향에 따라 "하위" 및 "상위" 모두를 망라하는 것이다. 마찬가지로, 도면들 중 한 도면에 있는 디바이스를 뒤집으면, 다른 소자의 "아래" 또는 "밑에" 있는 것으로 도시된 소자들이 상기 다른 소자들의 "위에"로 방향지어지게 된다. 그러므로 예시적 용어 "밑에" 또는 "아래"는 위 방향과 아래 방향 모두를 망라한다.
본 명세서에서 본 발명의 실시예를, 본 발명의 이상적인 실시예를 개략적으로 도시한 단면도를 참조하여 설명한다. 이와 같이, 예를 들어 제조 기술 및/또는 허용 공자의 결과를 도시한 형상으로부터 변형을 예상할 수 있다. 그래서 본 발명의 실시예는 본 명세서에서 설명된 영역들의 특정한 형상에 제한되는 것으로 해석되어서는 안 되며 예를 들어 제조의 결과로서 생긴 형상들의 변형을 포함하는 것으 로 해석되어야 한다. 예를 들어, 직사각형으로 도시된 에칭 영역은 통상적으로 테이퍼형으로 되거나 둥글게 되거나 곡선 모양으로 된다. 그래서 도면에 도시된 영역들은 현실적으로 도시된 것이며 그 형상은 디바이스의 영역에 대한 정교한 형상을 도시하려는 의도는 아니며 본 발명의 범주를 제한하려는 것도 아니다.
그렇지 않고 정의되어 있지 않으면, 본 명세서에서 사용된 모든 용어들(기술적 그리고 과학적 용어를 포함함)은 본 발명이 속하는 당기술분야의 당업자에 의해 공통적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 또한, 공통적으로 사용되는 사전들에 정의된 것과 같은 용어들은 관련 기술을 배경으로 그 의미가 일관되게 통하는 의미를 가지며, 본 명세서에 명확하게 정의되어 있지 않을 때는 이상적이거나 과도하게 관습적으로 해석되어서는 안 됨은 물론이다.
또한, 다른 특징부에 "이웃하여" 배치된 구조물 또는 특징부에 대한 기준은 상기 이웃하는 특징부와 겹쳐지거나 아래에 위치하는 부분을 갖는 것임을 당업자는 이해할 것이다.
실리콘 카바이드 기반의 기판 위에 있는 전체적으로 갈륨 질화물 기반의 발광 다이오드를 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 설명한다. 그렇지만, 본 발명의 많은 실시예는 많은 다른 기판 및 에피택셜 영역의 조합을 채용한다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 예를 들어, 조합으로는 GaP 기판 위의 AlGaInP 다이오드; GaAs 기판 위의 InGaAs 다이오드; GaAs 기판 위의 AlGaInP 다이오드; SiC 또는 사파이어(Al2O3) 기판 위의 SiC 다이오드; 및/또는 갈륨 질화물, 실리콘 카바이드, 알루미 늄 질화물, 사파이어, 아연 산화물 및/또는 그외 기판 위의 질화물 기반의 다이오드를 들 수 있다.
도 1은 형상화된 기판을 갖는 LED 칩을 도시하고 있다. 구체적으로, 도 1에 도시된 LED 칩(30)은 제1 표면(21)과 제2 표면(23)을 갖는 기판(10)을 포함한다. 상기 제1 표면(21) 위에 증착된 에피택셜 층에 의해 활성 영역(12)이 형성된다. p타입 영역(16) 위에 오믹 접촉부(18)가 형성된다. 상기 기판(10)의 제2 표면(23) 위에 n타입 전극(22)이 형성된다. 에피택셜 영역(14, 16) 및 오믹 접촉층(18)을 에칭하여 메사 격리 구조(25)를 형성한다. 상기 오믹 접촉층(18)은 장벽층, 접착층 및/또는 미러층과 같은 다른 금속층을 포함할 수 있다.
일부의 실시예에서, LED 칩의 제1 표면(21)의 폭은 대략 300㎛ 이상이다. 일부의 실시예에서, 메사 구조(25)의 폭은 대략 250㎛ 이상이다.
LED 칩(30)은 금속 패드(31)를 더 포함하며, LED 칩(30)은 이 금속 패드(31)를 통해 음향적으로 또는 열압착적으로 서브마운트(24)에 본딩된다. 금속 패드(31)는 Au 또는 Au/Sn, Pb/Sn, Sn, Sn/Ag와 같은 적절한 금속 합금을 양호하게 포함하여 이루어진다. 열음향 본딩은 열, 압력 및 초음파 진동의 조합을 이용하여 상기 칩을 상기 서브마운트에 결합시킨다.
도 3a에 도시된 일실시예에서, 금속 패드(31)는 전체적으로 원형 단면을 가지며 약 2㎛의 높이 h1을 가진 전체적으로 원통형의 형상으로 되어 있다. 상기 본드 패드는 메사(25) 폭의 절반보다 작은 직경을 가진다. 일실시예에서, 원형의 본드 패드는 120㎛의 직경을 갖는다. 본 실시예에서, 상기 본드 패드의 체적은 약 2.3 x 10-5 mm3 미만일 수 있다. 일부의 실시예에서, 상기 본드 패드의 금속 체적은 약 3 x 10-5 mm3 미만일 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 본드 패드의 금속 체적은 약 2.5 x 10-5 mm3 미만일 수 있다. 그러므로 도 3a에 도시된 원통형의 본드 패드는 약 200㎛의 직경과 약 0.95㎛ 이하의 높이를 갖는다. 일부의 실시예에서, 도 3a에 도시된 원통형의 본드 패드는 약 200㎛의 직경과 약 0.8㎛ 이하의 높이를 갖는다.
도 3b에 도시된 다른 실시예에서, 본드 패드(31)는 약 1.2㎛의 높이와 전체적으로 정사각형 단면을 갖는 평행 육면체를 포함한다. 정사각형 본드 패드는 메사(25)의 약 2/3의 폭 미만의 폭을 가질 수 있다. 일실시예에서, 이러한 정사각형 본드 패드는 약 150㎛의 폭을 가지며, 이에 따라 체적이 약 2.7 x 10-5 mm3이 된다. 도 3a에 도시된 실시예에서와 같이, 일부의 실시예에서는, 상기 본드 패드 내의 금속의 체적은 약 3 x 10-5 mm3 미만일 수 있고 다른 실시예에서는 상기 본드 패드 내의 금속의 체적은 약 2.5 x 10-5 mm3 미만일 수 있다.
도 3c에 도시된 다른 실시예들에서, 본드 패드(31)는, 맞은 편의 면들이 평행하고 4점 별의 형상의 외형을 가진 다각형을 포함하며, 이러한 4점은 칩의 면의 대각선들을 따라 연장한다. 다른 외형 형상 역시 가능하며 LED 칩의 형상에 의존하는 것이 바람직하다. 이 경우, 본드 패드의 엣지로부터 메사의 엣지까지의 거리는 양호하게 약 50㎛만큼이 될 수 있다. 일부의 실시예에서, 상기 본드 패드는 1.5 및 2.0㎛ 사이의 두께가 될 수 있다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 실시예에서와 같이, 일부의 실시예에서는, 상기 본드 패드 내의 금속의 체적은 약 3 x 10-5 mm3 미만이 될 수 있고, 다른 실시예에서는, 상기 본드 패드 내의 금속의 체적은 약 2.5 x 10-5 mm3 미만이 될 수 있다.
도 3d에 도시된 다른 실시예에서, 상기 본드 패드(31)는 맞은 편의 면들이 평행하고 전체적으로 사각형 영역이 칩의 엣지쪽으로 연장하는 십자가 형상의 외형을 가지는 다각형을 포함한다. 이 경우, 상기 본드 패드의 사각형 영역의 엣지로부터 상기 메사의 엣지까지의 거리는 양호하게 약 20㎛이다. 일부의 실시예에서는, 상기 본드 패드의 두께는 약 0.5㎛이다. 이러한 실시예들에서, 상기 본드 패드 내의 금속의 체적은 약 3 x 10-5 mm3 미만이 될 수 있고, 다른 실시예에서는, 상기 본드 패드 내의 금속의 체적은 약 2.5 x 10-5 mm3 미만이 될 수 있다.
칩을 기판에 접합할 때, 상기 본드 패드는 부분적으로 용융되어, 도 2에 도시된 바와 같은 새로운 크기로 변형된다. 일실시예에서, 칩에 탑재하기 전에 형성된 본드 패드(31)의 높이, 폭 및 형상은, 30-70g의 힘을 가하여 열음향 또는 열압착 본딩 후에, 상기 본드 패드(31) 내의 재료의 총 체적이 오믹 접촉층(18)과 서브마운트(24) 사이에 생긴 체적보다 작게 되도록 선택된다. 예를 들어, 도 2에 도시된 실시예에서, 본드 패드(31) 내의 재료의 체적은 (w2 x w2와 같은) 메사(25)의 영역이 곱해진 높이 h2보다 미만이다.
열압착 또는 열음향 본딩에서, 칩에 가해지는 힘은 칩과 서브마운트 사이의 본드 강도에 영향을 미친다. 힘을 약하게 가할수록 땜납이 약하게 붕괴되는 동시에, 힘을 약하게 가할수록 본드 강도를 더 약하게 한다. 통상적으로, 칩과 서브마운트 사이의 본드의 측면 단면 강도(lateral shear strength)에 의해 본드 강도를 측정한다. 일부의 어플리케이션에서는, 140g의 단면 강도가 허용될 수 있다. 더 큰 단면 강도가 요구될 수도 있다. 예를 들어, 300㎛ x 300㎛ 정도의 측면 치수를 갖는 칩을 탑재하기 위해서는, 300g - 600g의 단면 강도가 요구된다.
도면 및 명세서에서, 특정의 용어를 사용하여 본 발명의 실시예를 설명하였으나, 이러한 용어들은 일반적인 설명만을 위해 사용된 것일 뿐 본 발명을 제한하기 위해 사용한 것이 아니다.

Claims (27)

  1. LED 칩에 있어서,
    적어도 p타입 층과 n타입 층을 포함하는 에피택셜 영역;
    상기 p타입 층 또는 상기 n타입 층 중 적어도 하나의 층 위에 형성된 오믹 접촉부(ohmic contact); 및
    상기 오믹 접촉부 위에 형성되고 약 3 x 10-5 mm3미만의 총 체적을 갖는 본드 패드
    를 포함하는 LED 칩.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 본드 패드는 금속 땜납을 포함하는, LED 칩.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 본드 패드는 Au, Au/Sn, Pb/Sn, Sn 또는 Sn/Ag를 포함하여 이루어지는, LED 칩.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 본드 패드는 약 2.5 x 10-5 mm3미만의 총 체적을 갖는, LED 칩.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 본드 패드는 전체적으로 정사각형의 외형을 가지는 평행 육면체 형상으로 형성되는, LED 칩.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 에피택셜 영역은 약 250㎛ 이상의 폭을 가지고, 상기 본드 패드는 약 1.2㎛ 이하의 높이와 약 150㎛ 이하의 폭을 가지는, LED 칩.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 본드 패드는 원통형의 형상으로 형성되는, LED 칩.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 에피택셜 영역은 약 250㎛ 이상의 폭을 가지고, 상기 본드 패드는 약 2㎛ 이하의 높이와 상기 에피택셜 영역의 폭의 절반보다 작은 직경을 가지는, LED 칩.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 본드 패드는 약 120㎛ 이하의 직경을 가지는, LED 칩.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 본드 패드는, 맞은 편의 면들이 평행하고 별 형상의 외형을 가진 다면체 형상으로 형성되는, LED 칩.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 본드 패드의 엣지로부터 상기 에픽택셜 영역의 엣지까지의 거리는 적어도 약 50㎛인, LED 칩.
  12. LED에 있어서,
    적어도 p타입 층과 n타입 층을 포함하는 에피택셜 영역, 상기 p타입 층 또는 상기 n타입 층 중 적어도 하나의 층 위에 형성된 오믹 접촉부, 및 상기 오믹 접촉부 위에 형성되고 약 3 x 10-5 mm3미만의 총 체적을 갖는 본드 패드를 포함하는 LED 칩
    을 포함하며,
    상기 LED 칩은 상기 본드 패드를 통해 서브마운트에 본딩되고,
    상기 LED 칩과 상기 서브마운트 사이의 본드의 전단 강도(shear strength)는 140g을 초과하는, LED.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 에피택셜 영역은 경계부를 가지며, 상기 본드 패드는 상기 에피택셜 영역의 경계부 내에 전체적으로 위치하는 금속 땜납을 포함하는, LED.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 본드 패드의 총 체적은 상기 오믹 접촉부와 상기 서브마운트 사이의 공간 체적보다 작은, LED.
  15. LED 제조 방법에 있어서,
    적어도 p타입 층과 n타입 층을 포함하는 에피택셜 영역, 상기 p타입 층 또는 상기 n타입 층 중 적어도 하나의 층 위에 형성된 오믹 접촉부, 및 상기 오믹 접촉부 위에 형성되고 약 3 x 10-5 mm3미만의 총 체적을 갖는 본드 패드를 포함하는 LED 칩을 제공하는 단계; 및
    상기 LED 칩을 열압착(thermocompression) 또는 열 본딩(thermo bonding)으로 서브마운트에 본딩하는 단계
    를 포함하는 LED 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 LED 칩을 상기 서브마운트에 본딩하는 단계는, 약 30 내지 70g의 힘을 상기 LED 칩에 인가하는 단계를 포함하는, LED 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 인가된 힘은 약 50g인, LED 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 LED 칩은 기판이고, 상기 오믹 접촉부는 상기 기판에 대향하는 상기 에피택셜 영역의 표면 위에 형성되는, LED 제조 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 본드 패드는 약 2.5 x 10-5 mm3미만의 총 체적을 가지는, LED 제조 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 본드 패드는 전체적으로 정사각형의 외형을 가진 평행 육면체 형상으로 형성되는, LED 칩 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 에피택셜 영역은 약 250㎛ 이상의 폭을 가지고, 상기 본드 패드는 약 1.2㎛ 이하의 높이와 약 150㎛ 이하의 폭을 가지는, LED 칩 제조 방법.
  22. 제15항에 있어서,
    상기 본드 패드는 대략 원형의 외형을 가진 원통형 형상으로 형성되는, LED 칩 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 에피택셜 영역은 약 250㎛ 이상의 폭을 가지고, 상기 본드 패드는 약 2㎛ 이하의 높이와 상기 에피택셜 영역의 폭의 절반보다 작은 직경을 가지는, LED 칩 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 본드 패드는 약 120㎛ 이하의 직경을 가지는, LED 칩 제조 방법.
  25. 제15항에 있어서,
    상기 본드 패드는, 전체적으로 면들이 평행하고 별 또는 십자가 형상의 외형을 가진 다면체 형상으로 형성되는, LED 칩 제조 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 본드 패드의 엣지로부터 상기 에픽택셜 영역의 엣지까지의 거리는 적어도 약 20㎛인, LED 칩.
  27. 제12항에 있어서,
    상기 LED 칩과 상기 서브마운트 사이의 본드의 전단 강도는 300g을 초과하는, LED.
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