KR20060133589A - 비 휘발성 메모리의 비정밀/정밀 프로그래밍에 대한효율적인 검증 - Google Patents
비 휘발성 메모리의 비정밀/정밀 프로그래밍에 대한효율적인 검증 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Assuming a state-to-state separation of 500 mV | ||||
State | VT | Coarse Current Sink Value(nA) | Fine Current Sink Value(option 1)(nA) | Fine Current Sink Value(option 2) (nA) |
7 | 3.5 | 1000.19 | 409.67 | 167.79 |
6 | 3.0 | 409.67 | 167.79 | 68.73 |
5 | 2.5 | 167.79 | 68.73 | 28.15 |
4 | 2.0 | 68.73 | 28.15 | 11.53 |
3 | 1.5 | 28.15 | 11.53 | 4.72 |
2 | 1.0 | 11.53 | 4.72 | 1.93 |
1 | 0.5 | 4.72 | 1.93 | 0.79 |
Assuming a state-to-state separation of 400 mV | ||||
State | VT | Coarse Current Sink Value(nA) | Fine Current Sink Value(option 1)(nA) | Fine Current Sink Value(option 2) (nA) |
7 | 2.8 | 1000.15 | 489.71 | 239.78 |
6 | 2.4 | 489.71 | 239.78 | 117.40 |
5 | 2.0 | 239.78 | 117.40 | 57.48 |
4 | 1.6 | 117.40 | 57.48 | 28.14 |
3 | 1.2 | 57.48 | 28.14 | 13.78 |
2 | 0.8 | 28.14 | 13.78 | 6.74 |
1 | 0.4 | 13.78 | 6.74 | 3.30 |
Claims (39)
- 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자들과 통신하는 프로그래밍 회로; 및상기 비 휘발성 저장소자들과 통신하는 하나 이상의 검증 선택회로들 -여기서, 상기 하나 이상의 검증 선택회로들은 상기 비 휘발성 저장소자들의 제 1 서브세트는 비정밀 검증을 받게함과 동시에 상기 비 휘발성 저장소자들의 제 2 서브세트는 정밀 검증을 받게함을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 1 항에 있어서,비트라인들의 세트를 더 포함하여 이루어지며,여기서, 각각의 상기 비 휘발성 저장소자들은 상기 비트라인들 중 최소한 하나와 관련되며, 상기 하나 이상의 검증 선택회로들은 각각의 비트라인들을 위한 하나의 검증 선택회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 하나 이상의 검증 선택회로들은, 비 휘발성 저장소자들의 서브세트로 구성된 각각의 비 휘발성 저장소자를 위한 하나의 검증 선택회로를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하 기 위한 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 하나 이상의 검증 선택회로들 중 최소한 하나는,제 1 비 휘발성 저장소자와 통신하는 감지회로;상기 감지회로와 통신하며, 상기 감지회로에 기초하여 상기 제 1 비 휘발성 저장소자가 비정밀 프로그래밍 모드 또는 정밀 프로그래밍 모드에 있는지를 알려주는 출력신호를 제공하는 프로그래밍 모드 지시회로; 및상기 프로그래밍 모드 지시회로와 통신하는 선택회로 -여기서, 상기 선택회로는 상기 제 1 비 휘발성 저장소자가 상기 비정밀 프로그래밍 모드이면 비정밀 검증 신호를 상기 제 1 비 휘발성 저장소자에 인가하고, 상기 제 1 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 프로그래밍 모드이면 정밀 검증 신호를 상기 제 1 비 휘발성 저장소자에 인가함를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 하나 이상의 검증 선택회로들 중 최소한 하나는,제 1 비 휘발성 저장소자가 비정밀 프로그래밍 모드인지 정밀 프로그래밍 모드인지를 알려주는 데이터를 저장하는 저장유닛;상기 제 1 비 휘발성 저장소자와 통신하는 제 1 스위치;상기 제 1 스위치와 연결되며 상기 저장유닛에 그 출력을 제공하는 감지회로 -여기서, 상기 저장유닛은 상기 제 1 비 휘발성 소자가 상기 비정밀 프로그래밍 모 드인지 정밀 프로그래밍 모드인지를 알려주기 위해 상기 감지회로의 출력을 사용함-; 및상기 저장유닛과 통신하며 상기 감지회로에 연결된 출력을 갖는 제 2 스위치 -여기서, 상기 제 2 스위치는 입력받은 비정밀 기준신호와 정밀 기준신호 중 어느 하나를 상기 저장유닛에 응답하여 출력함를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자들은 플래쉬 메모리 소자들인 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 비정밀 기준신호와 상기 정밀 기준신호는 기준 전류들을 제공하는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 비정밀 기준신호와 상기 정밀 기준신호는 기준 전압들을 제공하는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 비정밀 기준신호와 상기 정밀 기준신호는 방전 시간들을 나타내는 지침을 제공하는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 비정밀 검증과 상기 정밀 검증은 방전 방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 프로그래밍 회로는 제어기와 상태 머신을 포함하며; 및상기 프로그래밍 회로는 상기 하나 이상의 검증 선택회로들과 분리된 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자들은 복수-상태 플래쉬 메모리 소자들인 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍 동안에 사용되는 장치에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자와 통신하는 감지회로;상기 감지회로에 기초하여, 상기 비 휘발성 저장소자가 비정밀 프로그래밍 모드인지 정밀 프로그래밍 모드인지를 알려주는 출력을 제공하는 프로그래밍 모드 지시회로; 및상기 프로그래밍 모드 지시회로와 통신하는 제 1 선택회로 -여기서, 제 1 선택회로는 상기 비 휘발성 저장소자가 상기 비정밀 프로그래밍 모드이면 비정밀 기준신호를 상기 비 휘발성 저장소자에 인가하고, 상기 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 프로그래밍 모드이면 정밀 기준신호를 상기 비 휘발성 저장소자에 인가함를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 비정밀 기준신호와 상기 정밀 기준신호는 전압원들로부터 제공받는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 비정밀 기준신호와 상기 정밀 기준신호는 전류원들로부터 제공받는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 비정밀 기준신호와 상기 정밀 기준신호는 타이밍 정보를 나타내는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 감지회로는,상기 비 휘발성 저장소자가 검증되었는지를 판별하기 위한 비트라인의 방전에 대한 분석을 수행하는 전기적인 회로를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자는 복수-상태 플래쉬 메모리 소자인 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 상기 비 휘발성 저장소자는 플래쉬 메모리 소자인 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 장치에 있어서,하나 이상의 상기 비 휘발성 저장소자들은 상기 정밀 프로그래밍 모드에 있는 반면에 하나 이상의 상기 비 휘발성 저장소자들은 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있는 것과 같이, 비정밀 프로그래밍 모드와 정밀 프로그래밍 모드를 포함하는 프로그래밍 과정의 일부로서 상기 비 휘발성 저장소자들에 프로그래밍 신호를 제공하는 수단;상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있는 하나 이상의 상기 비 휘발성 저장소자 들에 대한 정밀 검증이 수행됨이 없이 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있는 하나 이상의 상기 비 휘발성 저장소자들에 대한 비정밀 검증을 수행하는 수단; 및상기 정밀 프로그래밍 모드에 있는 하나 이상의 상기 비 휘발성 저장소자들에 대한 비정밀 검증이 수행됨이 없이 상기 정밀 프로그래밍 모드에 있는 하나 이상의 상기 비 휘발성 저장소자들에 대한 정밀 검증을 수행하는 수단을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 비정밀 검증을 수행하는 수단은 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있는 상기 하나 이상의 비 휘발성 저장소자들에 대한 상기 비정밀 검증을 수행하며 동시에 상기 정밀 검증을 수행하는 수단은 상기 정밀 프로그래밍 모드에 있는 상기 하나 이상의 비 휘발성 저장소자들에 대한 상기 정밀 검증을 수행하는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 비정밀 검증을 수행하는 수단과 상기 정밀 검증을 수행하는 수단은, 비트라인 방전 검증과정을 사용하는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자들은 복수-상태 플래쉬 메모리 소자들인 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하기 위한 장치.
- 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법에 있어서,프로그래밍 신호를 상기 비 휘발성 저장소자들에 제공하는 단계 -여기서, 상기 제공하는 단계는 상기 프로그래밍 과정의 일부이며, 상기 프로그래밍 과정은 하나 이상의 상기 비 휘발성 저장소자들은 상기 정밀 프로그래밍 모드에 있는 반면에 하나 이상의 상기 비 휘발성 저장소자들은 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있는 것과 같은 방식으로, 비정밀 프로그래밍 모드와 정밀 프로그래밍 모드를 포함함-; 및상기 정밀 프로그래밍 모드에 있는 상기 하나 이상의 비 휘발성 저장소자들에 대한 상기 정밀 검증을 수행함과 동시에, 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있는 상기 하나 이상의 비 휘발성 저장소자들에 대한 상기 비정밀 검증을 수행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 24 항에 있어서, 상기 제공단계는,상기 정밀 프로그래밍 모드에 있는 하나 이상의 상기 비 휘발성 저장소자들과 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있는 하나 이상의 상기 비 휘발성 저장소자들로 구성된 최소한 하나 이상의 서브세트와 공통인 워드라인에 프로그래밍 신호를 제공하는 것을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그 래밍하는 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자들은 복수-상태 플래쉬 메모리 소자들인 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자들은 플래쉬 메모리 소자들인 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 24 항에 있어서,언제 특정한 비 휘발성 저장소자가 상기 비정밀 프로그래밍 모드를 완료하는 지를 판단하기 위해 상기 비정밀 검증을 이용하는 단계; 및상기 특정한 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 프로그래밍 모드를 시작하도록 야기하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 프로그래밍 모드를 시작한 다음, 상기 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 검증을 시작하는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 28 항에 있어서, 상기 특정한 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 프로그래밍 모드를 시작하도록 야기하는 단계는,비트라인 전압을 증가시키는 방법을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 28 항에 있어서, 상기 수행단계는상기 특정한 비 휘발성 저장소자가 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있다고 판단되었다면, 상기 특정한 비 휘발성 저장소자에 대한 정밀 검증 없이, 상기 특정한 비 휘발성 저장소자에 대한 비정밀 검증을 수행하는 단계; 및상기 특정한 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 프로그래밍 모드에 있다고 판단되었다면, 상기 특정한 비 휘발성 저장소자에 대한 비정밀 검증 없이, 상기 특정한 비 휘발성 저장소자에 대한 정밀 검증을 수행하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 비정밀 검증과 상기 정밀 검증은 비트라인 방전 과정을 기반으로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 24 항에 있어서, 상기 수행하는 단계는,제 1 비 휘발성 저장소자가 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있다면, 비정밀 선행충전 신호에 따라 제 1 비트라인을 선행충전 하는 단계;제 1 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 프로그래밍 모드에 있다면, 정밀 선행충전 신호에 따라 제 1 비트라인을 선행충전 하는 단계;제 1 비 휘발성 저장소자의 제어 게이트에 검증 신호를 인가하는 단계; 및 일정 주기동안 상기 비트라인을 방전하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 24 항에 있어서, 상기 수행하는 단계는제 1 비 휘발성 저장소자의 제 1 비트라인을 선행충전하는 단계;상기 제 1 비 휘발성 저장소자의 제어 게이트에 검증 신호를 인가하는 단계;상기 비트라인이 방전하여 기 설정된 값에 도달할 때까지 걸리는 시간을 판별하는 단계;상기 제 1 비 휘발성 저장소자가 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있다면 비정밀 비교값과 상기 시간을 비교하는 단계; 및상기 제 1 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 프로그래밍 모드에 있다면 정밀 비교값과 상기 시간을 비교하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 제 1 비 휘발성 저장소자가 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있다면, 상기 기 설정된 값은 제 1 값이며;상기 제 1 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 프로그래밍 모드에 있다면, 상기 기 설정된 값은 제 2 값인 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 비 휘발성 저장소자를 프로그래밍할 때 수행되는 방법에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자가 비정밀 프로그래밍 모드에 있는지 정밀 프로그래밍 모드에 있는지를 판별하는 단계;상기 비 휘발성 저장소자가 상기 비정밀 프로그래밍 모드에 있다고 판별되면, 상기 비 휘발성 저장소자에 대한 정밀 검증을 수행함이 없이 상기 비 휘발성 저장소자에 대한 비정밀 검증을 수행하는 단계; 및상기 비 휘발성 저장소자가 상기 정밀 프로그래밍 모드에 있다고 판별되면, 상기 비 휘발성 저장소자에 대한 비정밀 검증을 수행함이 없이 상기 비 휘발성 저장소자에 대한 정밀 검증을 수행하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 36 항에 있어서,상기 비정밀 검증과 상기 정밀 검증은 비트라인 방전 방법을 이용하여 수행 되는 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 36 항에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자는 플래쉬 메모리 소자인 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
- 제 36 항에 있어서,상기 비 휘발성 저장소자는 복수-상태 플래쉬 메모리 소자인 것을 특징으로 하는 비 휘발성 저장소자들을 프로그래밍하는 방법.
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