KR20060131265A - 콤팩트 픽셀 레이아웃을 갖는 ｃｍｏｓ 이미지 센서 - Google Patents

콤팩트 픽셀 레이아웃을 갖는 ｃｍｏｓ 이미지 센서 Download PDF

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Abstract

본 발명은 상세하게는 고체 이미지 센서를 기재하고 있고, 특히 3개 또는 4개의 트랜지스터, 고감도, 적은 노이즈 및 낮은 암전류를 갖는 이미지 센서 픽셀에 관한 것이다.
픽셀은 그 능동 소자들, 즉, 로우-공유된(row-shared) 포토 다이오드를 위한 분리된 액티브 영역을 가지며, 또한 감도, S/N비 및 동작 범위를 조절하기 위한 커패시터를 포함할 수 있다. 낮은 암전류는 핀드 포토다이오드를 이용하여 달성된다. 아울러, 소스 팔로워 기능의 드라이브 트랜지스터는 공핍형 p채널 모스트랜지스터로 구현할 수 있는 바, 이는 노이즈 개선에 매우 유리하다.
이미지 센서, 트랜지스터, 픽셀, 암전류, 고감도

Description

콤팩트 픽셀 레이아웃을 갖는 ＣＭＯＳ 이미지 센서{CMOS IMAGE SENSORS WITH COMPACT PIXEL LAYOUT}
도 1은 핀드 포토다이오드 및 모든 트랜지스터가 공통 액티브 영역을 갖는 종래 기술에 따른 표준 4T 이미지 센서의 간소화된 레이아웃을 도시한 도면.
도 2는 트랜스퍼 게이트, 리셋 트랜지스터, 어드레스 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터(소스 팔로워), 및 핀드 포토다이오드를 갖으며, 공간적으로 분리된 액티브 영역을 갖는 본 발명에 따른 로우-공유 픽셀의 간소화된 레이아웃을 도시한 도면.
도 3은 어드레스 트랜지스터가 생략되는 경우에 로우-공유 픽셀의 간소화된 레이아웃을 도시한 도면.
본 발명은 고체 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 4개 또는 3개 트랜지스터(4T, 3T)로 구성된 픽셀, 콤팩트 레이아웃, 고감도 및 낮은 암전류를 갖는 CMOS 이 미지 센서에 관한 것이다.
통상의 이미지 센서는 센서 픽셀에 수집된(integrated) 충돌(impinging) 광자를 전자로 변환함으로써 빛을 센싱한다. 집적 사이클의 완료 후에, 전하는 전압으로 변환되어, 센서의 출력 단자에 제공된다. CMOS 이미지 센서에서, 전하-전압 변환은 픽셀 자체에서 직접 수행되며, 아날로그 픽셀 전압이 다양한 픽셀 어드레싱 및 스캐닝 방식을 통해 출력 단자로 전달된다. 칩 출력에 도달하기 전에, 아날로그 신호 역시 칩 상에서 디지털 등가물로 변환될 수 있다.
픽셀들은 그 안에 버퍼 증폭기를 포함하는데, 이것은 통상적으로 적절한 어드레싱 트랜지스터에 의해 픽셀에 연결되는 센스 라인을 구동하는 소스 팔로워(source follower)이다. 전하-전압 변환이 완료되고, 결과로서 생성된 신호가 픽셀로부터 전달된 후, 픽셀은 새로운 전하를 축적하기 위한 준비를 하기 위하여 리셋된다. 전하 검출 노드로서 플로팅 확산(Floating Diffusion: FD)을 사용하는 픽셀에서, 리셋은 FD 노드를 기준 전압에 순간적으로 도전 연결하는 리셋 트랜지스터를 턴온함으로써 수행된다. 이 단계는 수집된 전하를 제거하지만, 이 기술분야에서 잘 알려진 바와 같이, kTC-리셋 노이즈를 생성한다. kTC 노이즈는 요구된 낮은 노이즈 성능을 달성하기 위해, 상관 이중 샘플링(Correlated Double Sampling: CDS) 신호 처리 기법에 의해 신호로부터 제거되어야 한다. CDS 개념을 이용하는 통상의 CMOS 센서는 픽셀 내에 4개의 트랜지스터(4T)를 갖도록 요구된다.
4T 픽셀 회로의 예는 Guidash에 의한 미국특허 제6,107,655호, 제6,352,869호, 제6,657,665호 등에서 찾을 수 있다. Vdd 바이어스 라인으로 스위칭 펄스를 인가함으로써, 픽셀로부터 선택 트랜지스터를 제거할 수 있고, 픽셀 내에 3개의 트랜지스터(3T)만을 갖는 CDS 동작을 달성할 수 있다. 이것은 Masahiro Kasano에 의한 "A 2.0 um Pixel Pitch MOS Image Sensor with an Amorphous Si Film Color Filter"(Digest of Technical Papers ISCC, vol.38, Feb.2005, pp.348-349)에 개시되어 있다.
도 1은 핀드 포토다이오드 및 모든 트랜지스터가 공통 액티브 영역을 갖는 종래 기술에 따른 표준 4T 이미지 센서의 간소화된 레이아웃을 도시한 도면이다.
다수의 픽셀들이 실제 이미지 센서에서 로우(rows) 및 칼럼(columns)을 형성하는 어레이로 배열되지만, 도면의 간소화를 위해, 단지 하나의 픽셀만이 보다 상세하게 도시되어 있다. 액티브 영역(101)은 픽셀의 모든 능동 소자들, 즉, 핀드(pinned) 포토다이오드(102), 전달 게이트(transfer gate)(103), 플로팅 확산(FD) 검출 노드(104), 리셋 게이트(106), 드레인 바이어스 노드(118), 소스 팔로워(SF)를 위한 드라이브 트랜지스터 게이트(113), 소스-드레인 영역(119), 어드레스 트랜지스터 게이트(114) 및 어드레스 셀렉트 트랜지스터(120)를 모두 포함한다.
둘러싸인 액티브 영역(101)의 바깥 영역은, 이 기술분야에서 잘 알려진 바와 같이, 두꺼운 소자분리산화막로 채워진 얕은 트렌치 격리(STI) 영역이다. 도 1에서 픽셀 내에 존재하는 다단계 금속 인터커넥트가 도면의 명료성을 위해 생략되고, 개략적인 라인으로 대체되었다. 라인(117)은 어드레스 트랜지스터 게이트(114)의 콘택(116)에 연결되는 로우 어드레스 라인이고, 라인(111)은 트랜스퍼 게이트(103)의 콘택(112)에 연결되는 로우 전달 라인이며, 폴리실리콘 버스(106)는 픽셀의 리셋 트랜지스터 게이트(106)에 로우 리셋 신호를 공급한다. 칼럼 라인(108)은 콘택(109)을 통해 드레인 영역(118)으로 Vdd 바이어스를 제공하고, 라인(107)은 콘택(115)을 통해 어드레스 트랜지스터 소스(120)로부터의 출력 신호를 어레이 주변에 위치된 칼럼 신호 처리 회로로 전달한다. FD 검출 노드(104)는 인터커넥트(110)를 통해 드라이브 트랜지스터의 게이트에 연결된다. 또한 어드레싱 신호가 라인(117, 115, 105)을 통해 어레이 주변으로부터 픽셀로 공급된다.
한편, 도 1의 픽셀 구조는 기능을 잘 하더라도 2가지 주요 단점이 있다. 즉, 너무 많은 트랜지스터들이 큰 픽셀 영역을 차지하고 있으며, 포토다이오드와 기타 다른 트랜지스터를 구성하기 위한 액티브영역이 공간적으로 연결된 형태를 갖고 있으므로, 그 위치 및 내부연결배선이 효과적으로 배열될 수 없다.
결국, 저비용과 고해상도의 이미지 센서를 설계하기 위해, 픽셀 크기를 줄여야 할 필요가 있을 때에, 각 픽셀 내의 많은 수의 트랜지스터는 문제가 될 수 있다.
따라서, 상기한 미국특허 제6,107,655호, 제6,352,869호, 제6,657,665호 등에서는 서로 다른 로오의 근접한 픽셀 포토다이오드들을 4T의 독출 회로들이 공유하는 기술을 개시하고 있다.
그러나, 공지된 종래기술들은 콤팩트 픽셀 레이아웃이 어렵고 픽셀 신호 독출을 위한 트랜지스터(특히 리셋 트랜지스터의 액티브영역)와 포토다이오드를 구성하기 위한 액티브영역이 공간적으로 연결된 형태를 갖고 있으므로, 그 위치 및 내부연결배선이 효과적으로 배열될 수 없다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 고해상도와 고성능의 소형 이미지 센서에 사용될 수 있는 실용적인 이미지센서를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 목적은 리셋 트랜지스터를 플로팅 확산영역(전하 검출 노드)로부터 공간적으로 분리된 개별 액티브 영역으로 배치함으로써 달성한다.
또한, 본 발명의 픽셀은 검출 노드인 플로팅 확산영역과 소스팔로워 기능을 하는 드라이브트랜지스터의 드레인 사이에 전기적으로 연결되는 커패시터를 형성할 수 있다. 이는 드라이브트랜지스터의 게이트에 연장된 폴리실리콘버스와 들이브트랜지스터의 드레인 여역을 오버랩시켜 형성한다. 그리고, 그 오버랩 양을 조정하여 커패시터의 커패시턴스 값을 변화시킬 수 있다. 이러한 특징은 변환 이득을 조정하고, 그에 따른 센서의 감도를 위해 중요하다. 적절한 값의 커패시턴스는 또한 센서의 동작 범위(Dynamic Range: DR) 및 신호대 잡음비(SNR)를 결정한다.
또한, 본 발명의 픽셀은 수광소자를 핀드(Pinned) 포토다이오드로서 구성하는 바, 포토다이오드 영역 내의 실리콘-실리콘산화막 인터페이스에 가까이 배치되는 얕은 p형 임플란트 영역(즉, pinning layer)을 사용하여 인터페이스 상태를 소멸함으로써, 낮은 암전류를 유지한다.
또한, 본 발명에서, 드라이브 트랜지스터는 n채널 모스트랜지스터 및 p채널 모스트랜지스터로 구현할 수 있는 바, 특히 공핍형 p채널 모스트랜지스터로 구현함 으로써, 노이즈 특성을 개선할 수 있다.
제1특징적인 본 발명의 이미지센서는 로오 및 컬럼으로 어레이된 복수의 픽셀을 포함하는 이미지센서에 있어서,
서로 다른 로오에 해당하는 2개의 포토다이오드 및 공통 플로팅 확산 영역 - 상기 공통 플로팅 확산 영역은 상기 2개의 포토다이오드에 공유되어 형성된다 - 을 위한 제 1 액티브영역역;
상기 제 1 액티브영역과 공간적으로(spatially) 분리되어 형성되며, 픽셀을 리셋시키는 리셋트랜지스터를 위한 제 2 액티브영역; 및
상기 제 1 및 제 2 액티브영역과 공간적으로 분리되어 형성되며, 상기 플로팅확산의 전하에 응답하여 픽셀 신호를 출력하는 드라이브 트랜지스터를 위한 제 3 액티브영역을 포함한다.
제2특징적인 본 발명의 이미지센서는 로오 및 컬럼으로 어레이된 복수의 픽셀을 포함하는 이미지센서에 있어서,
서로 다른 로오에 해당하는 2개의 포토다이오드 및 공통 플로팅 확산 영역 - 상기 공통 플로팅 확산 영역은 상기 2개의 포토다이오드에 공유되어 형성된다 - 을 위한 제 1 액티브영역역;
상기 제 1 액티브영역과 공간적으로 분리되어 형성되며, 상기 플로팅확산의 전하에 응답하여 픽셀 신호를 출력하는 드라이브 트랜지스터를 위한 제 2 액티브영역; 및
상기 드라이브트랜지스터의 게이트에 연속하여 형성된 폴리실리콘 버스; 및
상기 드라이브트랜지스터의 드레인 영역 - 상기 드레인 영역은 상기 제 2 액티브영역의 일부 임- 과 상기 폴리실리콘 버스가 오버랩되어 형성된 커패시터를 포함한다.
제1 및 제2 특징적인 본 발명에서 상기 포토다이오드는 핀드 포토다이오드로 구성될 수 있고, 상기 드라이브 트랜지스터는 n채널 모스트랜지스터 또는 공핍형 p채널 모스트랜지스터로 구현될 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 트랜스퍼 게이트, 리셋 트랜지스터, 어드레스 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터(소스 팔로워), 및 핀드 포토다이오드를 갖으며, 공간적으로 분리된 액티브 영역을 갖는 본 발명에 따른 로우-공유 픽셀의 간소화된 레이아웃을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 픽셀 어레이(200)는 실제 공통 회로를 공유하는 한 쌍의 핀드 포토다이오드(202, 203)를 나타낸다. 역시 금속층은 간소화를 위해 생략되었고, 인터커넥팅 라인을 개략적으로 도시한 것으로 대체되었다. 물론, 이 픽셀 역시 많은 로우와 칼럼을 형성하는 어레이로 배열된다.
본 발명에서 특징되는 부분은 픽셀 내의 액티브 영역을 3개의 개별 블록으로 분리하는 것이다. 액티브 영역(201)은 핀드 포토다이오드 쌍(202, 203)을 위한 것 이고, 액티브 영역(209)는 리셋 트랜지스터를 위한 것이며, 액티브 영역(226)은 드라이브 트랜지스터 및 로오 셀렉트 트랜지스터를 위한 것이다. 액티브영역(201)은 또한 트랜스퍼 게이트(204, 205) 및 공통 플로팅 확산영역(전하 검출 노드, 206)를 포함한다. 금속 인터커넥트(207)는 공통 플로팅 확산영역(206)를, 드라이브 트랜지스터(212)의 게이트와 연결된 폴리 버스(208)와 연결시킨다. 인터커넥트(211)는 또한 폴리 버스를 리셋 트랜지스터의 소스에 연결한다.
리셋 신호가 콘택(215)을 통해 수평 버스 라인(216)으로부터 리셋 트랜지스터의 게이트로 공급된다. 리셋 트랜지스터의 드레인(225)이 드레인 칼럼 버스(224)에 연결된다. 유사하게, 드라이브 트랜지스터의 드레인(220)이 동일한 칼럼 버스(224)에 연결된다. 컬럼버스(224)는 VDD 신호라인이다. 드라이브 트랜지스터의 소스(221)는 그 게이트(213)가 콘택(214)을 통해 버스 라인(219)으로부터 로오 어드레싱 신호를 수신하는 셀렉트 트랜지스터 드레인과 공통 액티브영역을 구성한다.
셀렉트 트랜지스터의 소스(222)에서 출력 신호가 센싱되고, 이것은 칼럼 라인(223)에 연결된다. 칼럼 라인(223)은 픽셀 출력 신호 라인이다.
트랜스퍼 게이트 버스 라인(217, 218)은 어레이의 주변에 위치된 회로에서 생성되는 적절한 전하 전달 신호를 트랜스퍼 게이트(205, 204)로 공급한다. 칼럼 버스 라인(224, 223)도 역시 어레이의 주변에 위치된 회로에 연결되어, 필요한 바이어스를 공급하고, 어드레싱된 픽셀로부터의 출력 신호를 처리한다. 이것은 도면에 도시되어 있지 않지만, 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 잘 알려져 있다.
도 2에 도시된 것으로부터 알 수 있는 바와 같이, 종래 픽셀의 액티브 영역을 3개의 개별 블록으로 분리하고, 동일한 픽셀 신호 센싱 회로를 갖는 2개의 로우에서 포토다이오드를 공유함으로써 더욱 효과적인 레이아웃을 가져올 수 있다. 본 발명의 레이아웃은 보다 고성능 센서를 생성하는 보다 높은 간극 효율(aperture efficiency)을 갖는다.
한편, 점선(227)으로 도시된 폴리 버스(208) 아래의 액티브 영역(227)을 연장함으로써, 검출 노드와 드레인 사이에 전기적으로 연결되는 커패시터를 형성할 수 있다. 폴리 버스(208)와 액티브 영역(227) 사이의 오버랩 양을 조정하여 이 커패시터의 커패시턴스 값을 변화시킬 수 있다. 이러한 특징은 변환 이득을 조정하고, 그에 따른 센서의 감도를 위해 중요하다. 적절한 값의 커패시턴스는 또한 센서의 동작 범위(Dynamic Range: DR) 및 신호대 잡음비(SNR)를 결정한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예로서, 로오 어드레싱을 위한 셀렉트 트랜지스터가 생략되는 경우에 로우-공유 픽셀의 간소화된 레이아웃을 도시한 도면이다.
도 3에 따른 본 발명의 다른 실시에에서의 픽셀 어레이(300)는 도 2에 도시된 것과 유사한 레이아웃을 가지며, 액티브 영역은 또한 몇 개의 개별 영역들로 분리된다. 액티브 영역(301)은 핀드 포토다이오드(302, 303), 트랜스퍼 게이트(304, 305) 및 공통 플로팅 확산영역(306)을 포함한다. 두 개의 다른 액티브 영역(309, 318)은 게이트(310) 및 드레인(319)을 갖는 리셋 트랜지스터, 및 게이트(312), 소스(321) 및 드레인(320)을 갖는 드라이브 트랜지스터를 포함한다. 이 구성에서, 어드레스 트랜지스터가 제거되고, Kasano에 의해 개시된 것과 같이 전원선(322)을 펄 싱하는 외부 회로로 대체된다.
버스(311)는 폴리 버스(308)를 리셋 트랜지스터의 소스에 연결시킨다. 리셋 트랜지스터(310)의 게이트는 리셋 라인(323)으로부터 콘택(313)을 통해 그 리셋 펄스를 수신한다. 픽셀은 전원선(322)에 의해 어드레싱되는데, 이것은 드라이브 트랜지스터의 소스(321)에 연결되어 이를 턴온시킨다. 출력 신호는 드라이브 트랜지스터의 드레인(320)에서 검출되고, 이것은 칼럼 버스 라인(316)에 연결된다. 다른 칼럼 버스 라인(317)은 리셋 트랜지스터의 드레인으로 바이어스를 공급한다.
또한, 앞의 실시예와 유사하게, 이를 폴리 버스(308)와 오버랩시켜 커패시터를 형성하도록, 액티브 영역(318)을 확장할 수 있다. 이것은 명료성 및 간소화를 위해 도면에 도시되지 않았다. 수평 버스 라인(314, 315)은 트랜스퍼 게이트(304, 305)로 전달 펄스를 제공한다. 펄스는 도면에는 도시되지 않은 주변 회로에서 생성된다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 잘 알려진 바와 같이, 주변 회로에서 출력 신호가 처리된다.
본 실시예의 장점은 픽셀당 단지 2개의 트랜지스터만을 가지므로, 적당한 설계 규칙만을 사용하여, 매우 작은 픽셀 크기를 갖는 고성능 이미지 센서를 설계할 수 있게 한다.
한편, 두 실시예는 포토다이오드 영역(202, 203, 302, 303) 내의 실리콘-실리콘 다이옥사이드 인터페이스에 주입되는 p+ 붕소 불순물을 갖는 핀드 포토다이오드를 사용한다. 이것은 주지된 바와 같이 인터페이스 상태의 소멸과 낮은 암전류 생성을 야기한다.
또한, 본 발명에서, 드라이브 트랜지스터는 n채널 모스트랜지스터 및 p채널 모스트랜지스터로 구현할 수 있는 바, 특히 공핍형 p채널 모스트랜지스터로 구현함으로써, 노이즈 특성을 개선할 수 있다.
새로운 레이아웃의 장점은, 픽셀 트랜지스터가 보다 작은 영역을 차지함으로써 발생하는 높은 간극 효율에 있다.
소형 크기, 고감도 및 낮은 암전류를 갖는 새로운 3T 및 4T 픽셀 레이아웃의 바람직한 실시예가 기재되었지만, 이것은 제한적이라기 보다는 예시적인 것이며, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 이러한 기술사상으로부터 변경 및 수정이 가능하다는 것을 알 수 있다. 따라서, 첨부된 특허청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 사상 및 범주 내에서, 기재된 본 발명의 특정 실시예에 대한 수정이 이루어질 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면, 고성능, 간단한 구조 및 소형 크기의 3T 및 4T 이미지-센싱 픽셀을 갖는 실용적인 CMOS 이미지 센서가 제공된다.

Claims (23)

  1. 로오 및 컬럼으로 어레이된 복수의 픽셀을 포함하는 이미지센서에 있어서,
    서로 다른 로오에 해당하는 2개의 포토다이오드 및 공통 플로팅 확산 영역 - 상기 공통 플로팅 확산 영역은 상기 2개의 포토다이오드에 공유되어 형성된다 - 을 위한 제 1 액티브영역역;
    상기 제 1 액티브영역과 공간적으로(spatially) 분리되어 형성되며, 픽셀을 리셋시키는 리셋트랜지스터를 위한 제 2 액티브영역; 및
    상기 제 1 및 제 2 액티브영역과 공간적으로 분리되어 형성되며, 상기 플로팅확산의 전하에 응답하여 픽셀 신호를 출력하는 드라이브 트랜지스터를 위한 제 3 액티브영역
    을 포함하는 이미지센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제3액티브영역에 형성되는 로오 어드레싱용 셀렉트트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 픽셀 어레이에서 주어진 로오의 상기 드라이브트랜지스터의 드레인영역 - 상기 드라이브트랜지스터의 드레인 영역은 상기 제3 액티브영역의 일부 임- 으로 펄스를 인가하여 로우 어드레싱이 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 드라이브트랜지스터의 소스영역 - 상기 드라이브트랜지스터의 소스 영역은 상기 제3 액티브영역의 일부 임- 은 픽셀 출력신호라인에 연결된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 드라이브트랜지스터의 소스영역과 상기 셀렉트트랜지스터의 드레인영역은 상기 제3액티브영역 내의 공통 액티브영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 셀렉트트랜지스터의 소스영역 - 상기 셀레트트랜지스터의 소스영역은 상기 제3액티브영역의 일부 임 -은 픽셀 출력신호라인에 연결된 것을 특징으로 하 는 이미지센서.
  7. 제4항 또는 제6항에 있어서,
    상기 드라이브 트랜지스터의 게이트는 상기 공통 플로팅 확산영역와 상호 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 리셋트랜지스터의 소스영역 - 상기 리셋트랜지스터의 소스영역은 상기 제 2 액티브영역의 일부 임 - 와 상기 드라이브 트랜지스터의 게이트는 상호 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 드라이브 트랜지스터의 드레인영역과 상기 리셋트랜지스터의 드레인영역 - 상기 리셋트랜지스터의 드레인영역은 상기 제 2 액티브영역의 다른 일부 임 - 은 각기 VDD 전원선에 연결된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느한 항에 있어서,
    상기 포토다이오드는 핀드(Pinned) 포토다이오드 임을 특징으로 하는 이미지센서.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느한 항에 있어서,
    상기 드라이브 트랜지스터는 n채널 모스트랜지스터 또는 공핍형 p채널 모스트랜지스터인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  12. 로오 및 컬럼으로 어레이된 복수의 픽셀을 포함하는 이미지센서에 있어서,
    서로 다른 로오에 해당하는 2개의 포토다이오드 및 공통 플로팅 확산 영역 - 상기 공통 플로팅 확산 영역은 상기 2개의 포토다이오드에 공유되어 형성된다 - 을 위한 제 1 액티브영역역;
    상기 제 1 액티브영역과 공간적으로 분리되어 형성되며, 상기 플로팅확산의 전하에 응답하여 픽셀 신호를 출력하는 드라이브 트랜지스터를 위한 제 2 액티브영역;
    상기 드라이브트랜지스터의 게이트에 연속하여 형성된 폴리실리콘 버스; 및
    상기 드라이브트랜지스터의 드레인 영역 - 상기 드레인 영역은 상기 제 2 액티브영역의 일부 임- 과 상기 폴리실리콘 버스가 오버랩되어 형성된 커패시터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 액티브영역과 공간적으로 분리되어 형성되며, 픽셀을 리셋시키는 리셋트랜지스터를 위한 제 3 액티브영역을 더 포함하는 이미지센서.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2액티브영역에 형성되는 로오 어드레싱용 셀렉트트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 픽셀 어레이에서 주어진 로오의 상기 드라이브트랜지스터의 드레인영역 으로 펄스를 인가하여 로우 어드레싱이 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 드라이브트랜지스터의 소스영역 - 상기 드라이브트랜지스터의 소스 영역은 상기 제 2 액티브영역의 다른 일부 임- 은 픽셀 출력신호라인에 연결된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 드라이브트랜지스터의 소스영역과 상기 셀렉트트랜지스터의 드레인영역은 상기 제 2 액티브영역 내의 공통 액티브영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 셀렉트트랜지스터의 소스영역 - 상기 셀레트트랜지스터의 소스영역은 상기 제 2 액티브영역의 일부 임 -은 픽셀 출력신호라인에 연결된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  19. 제16항 또는 제18항에 있어서,
    상기 폴리실리콘 버스는 상기 공통 플로팅 확산영역 및 상기 리셋트랜지스터의 소스영역 - 상기 리셋트랜지스터의 소스영역은 상기 제 3 액티브영역의 일부 임 - 와 함께 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 폴리실리콘 버스와 상기 공통 플로팅 확산영역은 제 1 금속연결선을 통해 연결되고, 상기 폴리실리콘 버스와 상기 리셋트렌지스터의 소스영역은 제 2 금속연결선을 통해 연결된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 드라이브 트랜지스터의 드레인영역과 상기 리셋트랜지스터의 드레인영역 - 상기 리셋트랜지스터의 드레인영역은 상기 제 3 액티브영역의 다른 일부 임 - 은 각기 VDD 전원선에 연결된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  22. 제12항 내지 제14항 중 어느한 항에 있어서,
    상기 포토다이오드는 핀드(Pinned) 포토다이오드 임을 특징으로 하는 이미지센서.
  23. 제12항 내지 제14항 중 어느한 항에 있어서,
    상기 드라이브 트랜지스터는 n채널 모스트랜지스터 또는 공핍형 p채널 모스트랜지스터인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
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