KR20060125400A - 반도체 장치 제조용 금형 - Google Patents

반도체 장치 제조용 금형 Download PDF

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KR20060125400A
KR20060125400A KR1020050047428A KR20050047428A KR20060125400A KR 20060125400 A KR20060125400 A KR 20060125400A KR 1020050047428 A KR1020050047428 A KR 1020050047428A KR 20050047428 A KR20050047428 A KR 20050047428A KR 20060125400 A KR20060125400 A KR 20060125400A
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Abstract

본 발명은 반도체 장치 제조용 금형에 관한 것으로서, 해결하고자 하는 기술적 과제는 봉지재의 사용량을 절감하고, 봉지재의 보이드 현상을 감소시키며, 트리밍 또는 소잉 공정에서 각종 불량을 방지하는데 있다.
이를 위해 본 발명에 의한 해결 방법의 요지는 다수의 반도체 장치가 위치될 수 있도록 소정 깊이를 갖는 다수의 캐비티가 일정 거리 이격된 채 배열되고, 각 캐비티는 소정 깊이를 갖는 쓰루 게이트로 연통되어 있는 제1금형과, 제1금형에 밀착되는 동시에, 제1금형의 쓰루 게이트를 통하여 모든 캐비티에 위치된 반도체 장치에 봉지재가 흘러 들어갈 수 있도록 하는 제2금형을 포함하여 이루어진 반도체 장치 제조용 금형이 개시된다.
반도체 장치, 금형, 봉지재, 게이트, 캐비티, 게이트 락 블록

Description

반도체 장치 제조용 금형{Mold for manufacturing semiconductor device}
도 1a는 종래의 반도체 장치 제조용 금형에 의해 반도체 장치가 봉지된 상태를 도시한 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 소정 영역을 확대 도시한 확대 평면도이다.
도 2a는 본 발명에 의한 반도체 장치 제조용 금형에 의해 반도체 장치가 봉지된 상태를 도시한 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 소정 영역을 확대 도시한 확대 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일실시예에 의한 금형에 의해 봉지부되는 상태를 도시한 횡단면도, 도 3b는 그 종단면도 및 도 3c는 반도체 장치가 안착된 상태를 도시한 평면도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 의한 금형중 게이트 락 블록의 작동전 봉지부 상태를 도시한 횡단면도, 도 4b는 그 종단면도 및 도 4c는 평면도이고, 도 4d는 게이트 락 블록의 작동후 상태를 도시한 횡단면도, 도 4e는 그 종단면도 및 도 4f는 그 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 의한 금형중 게이트 락 블록의 작동전 봉지부 상태를 도시한 횡단면도, 도 5b는 그 종단면도 및 도 5c는 평면도이고, 도 5d는 게이트 락 블록의 작동후 상태를 도시한 횡단면도, 도 5e는 그 종단면도 및 도 5f는 그 평면도이다.
도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 의한 금형중 게이트 락 블록의 작동전 봉지부 상태를 도시한 횡단면도, 도 6b는 그 종단면도 및 도 6c는 평면도이고, 도 6d는 게이트 락 블록의 작동후 상태를 도시한 횡단면도, 도 6e는 그 종단면도 및 도 6f는 그 평면도이다.
도 7a는 본 발명에 의한 금형중 게이트 락 블록의 작동전 봉지부 상태를 도시한 횡단면도, 도 7b는 그 횡단면도이고, 도 7c는 게이트 락 블록의 작동후 상태를 도시한 횡단면도, 도 7d는 그 평면도이다.
도 8a는 본 발명의 다른 실시예에 의한 금형중 게이트 락 블록의 작동전 봉지부 상태를 도시한 횡단면도, 도 8b는 그 종단면도, 도 8c는 그 평면도이고, 도 8d는 게이트 락 블록의 작동후 상태를 도시한 횡단면도, 도 8e는 그 평면도, 도 8f는 그 평면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
1; 리드프레임 2; 봉지부
3; 쓰루 게이트 봉지부 4; 게이트 봉지부
5; 런너 봉지부 6; 램 팟 봉지부
10; 반도체 장치 12; 봉지재
110; 제1금형 111; 캐비티
112; 쓰루 게이트 113; 게이트
114; 에어 벤트 120; 제2금형
130; 게이트 락 블록 131; 가로 격벽
132; 세로 격벽
본 발명은 반도체 장치 제조용 금형에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 설명하면 봉지재의 사용량을 절감하고, 봉지재의 보이드 현상을 감소시키며, 트리밍(trimming) 또는 소잉(sawing) 공정에서 각종 불량을 방지할 수 있는 반도체 장치 제조용 금형에 관한 것이다.
일반적으로 마더보드(mother board)나 메인보드(main board) 등에 실장할 수 있는 형태의 반도체 장치는 리드프레임(lead frame)(또는 회로기판)과, 상기 리드프레임에 장착된 반도체 다이(die)와, 상기 리드프레임과 반도체 다이를 전기적으로 연결하는 와이어(wire)(또는 솔더(solder))와, 상기 리드프레임, 반도체 다이 및 와이어 등을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 봉지재로 봉지된 봉지부로 이루어져 있다. 또한, 이러한 반도체 장치는 리드프레임에 다수의 반도체 다이를 장착하는 다이 본딩(die bonding) 공정과, 상기 각각의 반도체 다이와 리드프레임을 전기적으로 연결하는 와이어 본딩(wire bonding) 공정과, 상기 리드프레임, 반도체 다이 및 와이어 등을 봉지재로 봉지하는 봉지 공정과, 상기 리드프레임에서 낱개의 반도체 장치를 분리하는 트리밍 또는 소잉(trimming or sawing) 공정으로 이루어져 있다. 즉, 반도체 장치를 낱개씩 만든다면 그 수율이 매우 저하되기 때문에, 통상 리드프레임을 스트립(strip) 형태로 구비하여 대량의 반도체 장치가 한꺼번에 제조되도록 하고 있다.
도 1a는 종래의 반도체 장치 제조용 금형에 의해 반도체 장치가 봉지된 상태를 도시한 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 소정 영역을 확대 도시한 확대 평면도이다.
도시된 바와 같이 다수의 리드프레임(1')이 스트립 형태로 위치되어 있고, 또한 각 리드프레임에는 다수의 봉지부(2')가 형성되어 있음을 볼 수 있다.
좀더 구제적으로, 다수의 봉지부(2')가 소정 거리 이격된 채 2열(또는 그 이상의 열도 가능함)로 배열되어 있고, 상기 2열의 봉지부 사이에는 금형의 런너(runner)에 해당하는 런너 봉지부(4')가 그 봉지부(2')와 대략 수평 방향으로 소정 길이 연장되어 있다. 또한 상기 각 봉지부(2')와 런너 봉지부(4') 사이에는 금형의 게이트(gate)에 해당하는 게이트 봉지부(3')가 각각 형성되어 있다. 더불어, 상기 봉지부(2')는 금형에 구비된 캐비티(cavity)에 의해 형성된 영역이며, 이러한 금형의 런너, 게이트 및 캐비티는 모두 연통된 구조를 한다. 도면중 미설명 부호 6'는 금형의 램 팟(ram pot)에 대응하는 램 팟 봉지부이고, 미설명 부호 5'는 금형의 런너에 대응하는 런너 봉지부이다. 도 1a에서 화살표는 봉지재의 흐름 방향을 도시한 것이다.
물론, 이와 같은 봉지 공정후에는 트리밍 또는 소잉 공정을 통하여 상기 각각의 봉지부(즉, 각각의 반도체 장치)가 낱개로 분리된다. 물론, 이러한 트리밍 또는 소잉 공정시에는 리드프레임 뿐만 아니라 상기 런너 봉지부 및 게이트 봉지부도 함께 제거된다.
한편, 이러한 종래의 금형 및 이를 이용한 봉지 방법은 봉지 공정후 런너 봉지부 및 게이트 봉지부가 모두 제거됨으로써, 봉지재의 사용량이 과도하게 많아지는 문제가 있다. 즉, 통상의 봉지재는 열경화성 수지이기 때문에, 한번 경화되면 다시 용융하여 재사용할 수 없기 때문에, 상기와 같은 런너 봉지부 및 게이트 봉지부는 모두 폐기하여야 한다.
또한, 종래의 금형 및 이를 이용한 봉지 방법은 런너 및 게이트가 대략 직각방향으로 형성되어 있기 때문에, 실제로 봉지가 수행되는 캐비티 내측에서 봉지재의 와류 현상이 심하게 나타난다. 따라서, 봉지 공정이 완료된 봉지부의 내측에 많은 보이드(void)가 관찰된다. 이러한 보이드에는 차후 수분 등이 흡수됨으로써, 반도체 장치가 고열 상황에 놓여 있을 때 상기 수분이 증기화되어 결국 봉지부가 파괴되는 한 원인이 된다.
더불어, 종래의 금형 및 이를 이용한 봉지 방법은 봉지 공정후 진행되는 트리밍 또는 소잉 공정에서 펀치(punch) 또는 소잉 블레이드(sawing blade)가 리드프레임 뿐만 아니라 게이트 봉지부도 함께 제거하여야 함으로써, 펀치 또는 소잉 블레이드의 수명이 짧아질 뿐만 아니라 반도체 다이를 감싸는 봉지부도 함께 파손되는 경우가 빈번한 문제가 있다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 봉지재의 사용량을 절감하고, 봉지재의 보이드 현상을 감소시키며, 트리밍 또는 소잉 공정에서 각종 불량을 방지할 수 있는 반도체 장치 제조용 금형을 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체 장치 제조용 금형의 양태(樣態)는 다수의 반도체 장치가 위치될 수 있도록 소정 깊이를 갖는 다수의 캐비티가 일정 거리 이격된 채 배열되고, 상기 각 캐비티는 소정 깊이를 갖는 쓰루 게이트로 연통되어 있는 제1금형과, 상기 제1금형에 밀착되는 동시에, 상기 제1금형의 쓰루 게이트를 통하여 모든 캐비티에 위치된 반도체 장치에 봉지재가 흘러 들어갈 수 있도록 하는 제2금형을 포함한다.
여기서, 상기 제1금형에 형성된 캐비티는 사각 형태로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1금형에 형성된 쓰루 게이트의 깊이는 캐비티의 깊이보다 작을 수 있다.
또한, 상기 제1금형에 형성된 쓰루 게이트의 폭은 캐비티의 폭보다 작을 수 있다.
또한, 상기 쓰루 게이트는 캐비티가 갖는 어느 한 변의 끝단에 연통될 수 있다.
또한, 상기 쓰루 게이트는 캐비티가 갖는 어느 한 변의 중앙에 연통될 수 있다.
또한, 상기 제1금형에 형성된 쓰루 게이트의 폭은 캐비티의 폭과 같을 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체 장치 제조용 금형의 다른 양태(樣態)는 다수의 반도체 장치가 위치될 수 있도록 소정 깊이를 갖는 다수의 캐비티가 일정 거리 이격된 채 배열되고, 상기 각 캐비티는 소정 깊이를 갖는 쓰루 게이트로 연통되어 있는 제1금형과, 상기 제1금형에 밀착되는 동시에, 상기 제1금형의 쓰루 게이트를 통하여 모든 캐비티에 위치된 반도체 장치에 봉지재가 흘러 들어갈 수 있도록 하는 제2금형과, 상기 제1금형의 쓰루 게이트와 대응되는 영역의 제2금형에 관통 설치된 게이트 락 블록을 포함하고, 상기 게이트 락 블록은 봉지 공정중에는 쓰루 게이트를 개방시키고, 봉지 공정 완료후에는 상기 쓰루 게이트를 폐쇄시키거나 그 체적을 줄여 주는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제1금형에 형성된 캐비티는 사각 형태로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1금형에 형성된 쓰루 게이트의 깊이는 캐비티의 깊이보다 작을 수 있다.
또한, 상기 제1금형에 형성된 쓰루 게이트의 폭은 캐비티의 폭보다 작은 동시에, 게이트 락 블록의 폭과 같을 수 있다.
또한, 상기 쓰루 게이트는 캐비티가 갖는 어느 한 변의 끝단에 연통될 수 있다.
또한, 상기 쓰루 게이트는 캐비티가 갖는 어느 한 변의 중앙에 연통될 수 있다.
또한, 상기 제1금형에 형성된 쓰루 게이트의 폭은 캐비티의 폭과 같은 동시에, 게이트 락 블록의 폭과 같을 수 있다.
또한, 상기 게이트 락 블록에는 상기 게이트 락 블록을 직선 방향으로 왕복 운동시킬 수 있도록 블록 이동 부재가 더 설치될 수 있다.
또한, 상기 블록 이동 부재는 공압 실린더, 유압 실린더 또는 모터중 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체 장치 제조용 금형의 다른 양태(樣態)는 다수의 반도체 장치가 위치될 수 있도록 소정 깊이를 갖는 캐비티가 형성되고, 상기 캐비티에는 소정 깊이를 갖는 적어도 하나의 게이트가 연통되어 있는 제1금형과, 상기 제1금형에 밀착되는 동시에, 상기 제1금형의 게이트를 통하여 캐비티에 위치된 모든 반도체 장치에 봉지재가 흘러 들어갈 수 있도록 하는 제2금형과, 상기 제1금형에 상기 캐비티까지 관통 설치되어 있되, 상기 캐비티 내측의 각 반도체 장치에 각각 분할된 봉지부가 형성되도록 하는 분할 블록을 포함하고, 상기 분할 블록은 봉지 공정중에는 봉지재가 원할하게 흐를 수 있도록 반도체 장치로부터 소정 거리 이격되어 있고, 봉지 공정 완료후에는 각 반도체 장치의 봉지부가 분할되도록 상기 반도체 장치에 접촉 또는 접근함을 특징으로 한다.
여기서, 상기 분할 블록은 서로 교차하는 다수의 세로 격벽과 가로 격벽으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 세로 격벽과 가로 격벽으로 이루어지는 영역에 하나의 봉지부가 형성될 수 있다.
또한, 상기 분할 블록에는 상기 분할 블록을 직선 방향으로 왕복 운동시킬 수 있도록 블록 이동 부재가 더 설치될 수 있다.
또한, 상기 블록 이동 부재는 공압 실린더, 유압 실린더 또는 모터중 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기와 같이 하여 본 발명에 의한 반도체 장치 제조용 금형은 종래와 같이 하나의 런너로부터 각각 게이트를 통하여 캐비티가 연통되는 방식이 아니라, 각각의 캐비티가 쓰루 게이트를 통하여 연통됨으로써, 봉지재의 사용량을 획기적으로 절감할 수 있게 된다. 즉, 봉지 공정후 버려지는 봉지재는 쓰루 게이트에 형성된 소량의 게이트 봉지부이기 때문이다.
또한, 본 발명은 종래와 같이 런너로부터 대략 직각으로 절곡된 게이트를 따라서 캐비티로 봉지재가 유입되는 것이 아니라, 직선 형태의 쓰루 게이트를 통하여 각각의 캐비티로 봉지재가 유입됨으로써, 봉지재의 와류 현상이 제거된다. 따라서, 캐비티 내측에 형성되는 봉지부에 보이드가 거의 발생하지 않게 된다.
또한, 본 발명은 봉지 공정중에는 쓰루 게이트를 열어주고, 봉지 공정 완료후에는 쓰루 게이트를 닫아 주거나 그 체적을 최소화시키는 게이트 락 블록이 형성됨으로써, 트리밍 공정중 펀치가 리드프레임(또는 회로기판)만을 트림하거나 또는 최소의 봉지재 및 리드프레임을 트림하게 된다. 즉, 종래와 같이 펀치가 체적이 큰 게이트 봉지부와 리드프레임을 함께 트림하지 않아도 된다. 따라서, 트리밍 공정중 펀치의 수명이 현저하게 향상되고, 또한 봉지부와 연결되는 게이트 봉지부도 없거나 매우 얇음으로써, 게이트 봉지부 파괴에 의한 봉지부 파괴 현상도 발생하지 않게 된다.
또한, 본 발명은 봉지 공정중 반도체 장치들 간에 봉지재가 용이하게 흘러 가도록 하고, 봉지 공정 완료후에는 각각의 반도체 장치들 간에 봉지부가 자연스럽게 분할되도록 하는 분할 블록이 형성됨으로써, 금형에 다수의 캐비티를 형성하는 대신 커다란 하나의 캐비티만 형성할 수 있게 된다. 더욱이, 이와 같이 하나의 캐비티에서 다수의 반도체 장치를 만들게 되면, 통상은 소잉 공정시 봉지부 및 리드프레임(또는 회로기판)을 함께 소잉하여야 하지만, 본 발명은 이미 분할 블록에 의해 봉지부가 분할되어 있으므로, 블레이드를 이용한 소잉 또는 펀치를 이용한 트리밍 공정중 어느 하나를 선택적으로 사용할 수 있게 된다. 물론, 소잉이나 트림시 봉지부에 가해지는 충격은 거의 없고 리드프레임(또는 회로기판)에만 충격이 가해짐으로써, 봉지부의 파손 현상도 현저히 줄일 수 있게 된다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2a는 본 발명에 의한 반도체 장치 제조용 금형에 의해 반도체 장치가 봉지된 상태를 도시한 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 소정 영역을 확대 도시한 확대 평면도이다.
도시된 바와 같이 다수의 리드프레임(1)(또는 회로기판)이 스트립 형태로 위치되어 있고, 또한 상기 리드프레임(1)에는 다수의 봉지부(2)가 일정 거리 이격되어 형성되어 있음을 볼 수 있다.
좀더 구제적으로, 상기 다수의 봉지부(2)는 소정 거리 이격된 채 2열(또는 그 이상의 열도 가능함)로 배열되어 있다. 또한, 상기 배열된 각 봉지부(2) 사이의 소정 영역은 금형의 쓰루 게이트(112)에 해당하는 쓰루 게이트 봉지부(3)가 형성될 수 있다. 물론, 하기하겠지만 금형에 게이트 락 블록(130)이 설치되어 있는 경우에는 이러한 쓰루 게이트 봉지부(3)도 형성되지 않고, 리드프레임(1)이 그대로 외부로 노출된다. 한편, 봉지재(12)가 유입되기 시작하는 첫번째 봉지부(2)에는 게이트 봉지부(4) 가 형성되어 있으며, 이러한 게이트 봉지부(4) 는 런너 봉지부(5)와 연결되어 있다. 또한, 상기 런너 봉지부(5)는 램 팟(6)에 연결되어 있다. 물론, 이러한 램 팟(6)은 금형의 램 팟(115)에 대응되는 영역이고, 런너 봉지부(5)는 금형의 런너(114)에 대응되는 영역이며, 게이트 봉지부(4)는 금형의 게이트(113)에 대응되는 영역이고, 쓰루 게이트 봉지부(3)는 금형의 쓰루 게이트(112)에 대응되는 영역이다. 더불어, 상기 반도체 장치(10)의 봉지부(2)는 금형의 캐비티(111)에 대응되는 영역이다. 도 2a에서 화살표는 봉지재(12)의 흐름 방향을 도시한 것이다.
이와 같이 봉지된 리드프레임(1)은 트리밍 또는 소잉 공정을 통하여 상기 각각의 봉지부(2)(즉, 각각의 반도체 장치(10))가 낱개로 분리된다. 더불어, 하기하겠지만 게이트 락 블록(130)이 형성된 금형을 이용했을 경우에는 상기 트리밍 또는 소잉 공정에서 리드프레임(1)만 트리밍 또는 소잉됨으로써, 트리밍 장비의 펀치 또는 소잉 장비의 소잉 블레이드에 대한 수명을 현저히 증가시킬 수 있게 된다.
이하 상기와 같은 봉지부(2) 형태를 얻기 위한 다양한 금형의 구조를 좀더 구체적으로 설명하기로 한다.
도 3a는 본 발명의 일실시예에 의한 금형에 의해 봉지부가 형성되는 상태를 도시한 횡단면도, 도 3b는 그 종단면도 및 도 3c는 반도체 장치가 안착된 상태를 도시한 평면도이다.
도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이 본 발명에 의한 금형은 다수의 반도체 장치(10)가 위치될 수 있도록 소정 깊이를 갖는 다수의 캐비티(111)가 일정 거리 이격된 채 배열되고, 상기 각 캐비티(111)는 소정 깊이를 갖는 쓰루 게이트(112)로 연통되어 있는 제1금형(110)과, 상기 제1금형(110)에 밀착되는 동시에, 상기 제1금형(110)의 쓰루 게이트(112)를 통하여 모든 캐비티(111)에 위치된 반도체 장치(10)에 봉지재(12)가 흘러 들어갈 수 있도록 하는 제2금형(120)을 포함한다.
여기서, 상기 제1금형(110)에 형성된 캐비티(111)는 대략 사각 형태로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1금형(110)에 형성된 쓰루 게이트(112)의 깊이는 캐비티(111)의 깊이보다 작게 형성됨으로써, 차후 형성되는 봉지부(2)의 외관에 최소의 영향을 주도록 되어 있다. 또한, 상기 제1금형(110)에 형성된 쓰루 게이트(112)의 폭은 캐비티(111)의 폭보다 작게 형성될 수 있다. 물론, 도시되어 있지는 않지만 상기 쓰루 게이트(112)의 폭은 캐비티(111)의 폭과 같을 수도 있다. 더욱이, 상기 쓰루 게이트(112)는 캐비티(111)가 갖는 어느 한 변의 끝단에 연통되어 있다. 물론, 도시되어 있지는 않지만 상기 쓰루 게이트(112)는 캐비티(111)가 갖는 어느 한 변의 중앙에 연통될 수도 있다.
도면에서 굵은 화살표는 봉지재(12)의 흐름 방향을 도시한 것이다. 도시된 바와 같이 봉지재(12)는 게이트(113) 및 첫 번째 쓰루 게이트(112)를 통하여 첫 번째 캐비티(111)를 채우고, 이어서 두 번째 쓰루 게이트(112)를 통하여 두 번째 캐 비티(111)를 채운다. 따라서, 종래와 같이 봉지재(12)의 방향이 런너(114)로부터 게이트(113)로 대략 직각 방향으로 꺽이는 현상이 없음으로써, 봉지재(12)의 와류 현상이 거의 없게 된다. 따라서, 캐비티(111)로부터 완성된 봉지부(2)에는 보이드가 거의 없게 된다. 도면중 미설명 부호 114는 모든 캐비티(111) 내측의 공기를 금형 외부로 배출하는 에어 벤트(air vent)이다.
더욱이, 봉지 공정 완료후에는 상기 쓰루 게이트(112) 등에만 폐기되는 소량의 쓰루 게이트 봉지부(3)가 형성됨으로써, 종래와 같이 체적이 큰 런너 봉지부(5) 등이 형성되지 않게 된다. 따라서, 봉지재(12)의 사용량을 현저히 줄일 수 있게 된다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 의한 금형중 게이트 락 블록의 작동전 봉지부 상태를 도시한 횡단면도, 도 4b는 그 종단면도 및 도 4c는 평면도이고, 도 4d는 게이트 락 블록의 작동후 상태를 도시한 횡단면도, 도 4e는 그 종단면도 및 도 4f는 그 평면도이다.
먼저 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 장치(10) 제조용 금형은 제1금형(110), 제2금형(120) 및 게이트 락 블록(130)을 포함한다.
상기 제1금형(110)은 다수의 반도체 장치(10)가 위치될 수 있도록 소정 깊이를 갖는 다수의 캐비티(111)가 일정 거리 이격된 채 배열되어 있고, 상기 각 캐비티(111)는 소정 깊이를 갖는 쓰루 게이트(112)로 연통되어 있다. 물론, 봉지재(12)가 유입되기 시작하는 첫 번째 쓰루 게이트(112)에는 아주 짧은 길이의 게이트 (113)가 형성되어 있고, 마지막 캐비티(111)(도면에서 우측 끝단의 캐비티(111))에는 캐비티(111)의 공기를 외부로 배출하는 에어 벤트(114)가 형성되어 있다.
또한, 상기 제2금형(120)은 상기 제1금형(110)에 밀착되는 동시에, 상기 제1금형(110)의 쓰루 게이트(112)를 통하여 모든 캐비티(111)에 위치된 반도체 장치(10)에 봉지재(12)가 용이하게 흘러 들어갈 수 있도록 되어 있다.
더불어 상기 게이트 락 블록(130)은 상기 제1금형(110)의 쓰루 게이트(112)와 대응되는 영역의 제2금형(120)에 관통 설치되어 있다. 또한 도면에 도시되어 있지 않으나, 상기 게이트 락 블록(130)의 단부에는 그 게이트 락 블록(130)이 상,하 방향으로 움직일 수 있도록 블록 이동 부재가 더 설치되어 있다. 이러한 블록 이동 부재는 공압 실린더, 유압 실린더, 모터또는 그 등가물중 선택된 어느 하나일 수 있으나, 본 발명에서 그 블록 이동 부재의 종류를 한정하는 것은 아니다.
이러한 게이트 락 블록(130)은 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이 봉지 공정중에는 상기 쓰루 게이트(112)를 완전히 개방시킨다. 따라서, 봉지재(12)는 첫 번째 쓰루 게이트(112)를 통하여 첫 번째 캐비티(111)로 용이하게 흘러가고, 또한 두 번째 쓰루 게이트(112)를 통하여 두 번째 캐비티(111)로 용이하게 흘러 간다. 물론, 상기 봉지재(12)는 그 후의 쓰루 게이트(112) 및 캐비티(111)를 통해 계속 흘러 가면서 모든 캐비티(111)에 충진된다.
한편, 상기 제1금형(110)에 형성된 캐비티(111)는 대략 사각 형태로 형성될 수 있으나, 이러한 형태로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 상기 제1금형(110)에 형성된 쓰루 게이트(112)의 깊이는 캐비티(111)의 깊이보다 작게 되어 있 다. 더불어, 상기 제1금형(110)에 형성된 쓰루 게이트(112)의 폭은 캐비티(111)의 폭보다 작은 동시에, 게이트 락 블록(130)의 폭과 같게 되어 있다. 따라서, 상기 게이트 락 블록(130)은 쓰루 게이트(112)를 완벽하게 폐쇄하거나 그 체적을 현저히 줄일수 있다. 더욱이, 상기 쓰루 게이트(112)는 캐비티(111)가 갖는 어느 한 변의 끝단에 연통될 수 있으나, 이러한 쓰루 게이트(112)의 연통 위치로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
한편, 도 4d 내지 4f에 도시된 바와 같이 모든 캐비티(111)에 봉지재(12)가 충진된 후, 상기한 게이트 락 블록(130)이 동작한다. 즉, 게이트 락 블록(130)이 이동 부재에 의해 소정 거리 하강함으로써, 모든 쓰루 게이트(112)를 완전히 폐쇄하거나 그 체적을 상당히 줄여준다. 따라서, 상기 쓰루 게이트(112)와 대응되는 영역에는 쓰루 게이트 봉지부가 형성되지 않는다. 물론, 이러한 게이트 락 블록(130)은 봉지재(12)가 경화되기 전에 동작하여야 한다.
이와 같이 하여, 반도체 장치(10)중 쓰루 게이트(112)와 대응되는 영역에는 봉지 공정 완료후 쓰루 게이트 봉지부가 형성되지 않는다. 또는 쓰루 게이트 봉지부가 형성되어도 종래와 달리 매우 얇은 두께로 형성된다. 즉, 거의 캐비티(111)와 대응되는 영역에만 봉지부(2)가 형성된다. 따라서, 사용되는 봉지재(12)의 량을 최소화할 수 있다. 더욱이, 상술한 바와 같이 봉지재(12)는 캐비티(111)와 캐비티(111) 사이에 형성된 쓰루 게이트(112)를 통하여 각 캐비티(111)에 충진됨으로써, 봉지재(12)의 와류 현상이 최소화된다. 따라서, 봉지 공정 완료후 봉지부(2) 내측에 보이드가 거의 형성되지 않게 된다. 더불어, 봉지 공정 완료후 반도체 장치(10) 의 트리밍 또는 소잉 공정에서 트림 펀치 또는 소잉 블레이드는 오직 리드프레임(1)(또는 회로기판)만을 트림 또는 소잉하게 된다. 또는 매우 얇은 두께의 쓰루 게이트 봉지부 및 리드프레임을 트림 또는 소잉하게 된다. 즉, 트림 펀치 또는 소잉 블레이드는 경화된 봉지부(2)와 마찰되는 영역이 거의 없다. 따라서 트림 펀치 또는 소잉 블레이드의 수명을 연장시킨다. 물론, 트림 또는 소잉 공정시 거의 리드프레임(1)(또는 회로기판)만을 트림 또는 소잉함으로써, 봉지부(2)의 외관도 거의 손상되지 않게 된다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 의한 금형중 게이트 락 블록의 작동전 봉지부 상태를 도시한 횡단면도, 도 5b는 그 종단면도 및 도 5c는 평면도이고, 도 5d는 게이트 락 블록의 작동후 상태를 도시한 횡단면도, 도 5e는 그 종단면도 및 도 5f는 그 평면도이다. 도시된 바와 같이 이러한 금형은 상술한 금형과 유사한 구조를 하므로 그 차이점만을 설명하기로 한다.
도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 의한 금형 역시 제1금형(110)과, 제2금형(120)과, 게이트 락 블록(130)으로 이루어질 수 있다. 물론, 상기 제1금형(110)에는 반도체 장치(10)가 위치되는 다수의 캐비티(111)가 2열(또는 그 이상의 열도 가능함)로 형성되어 있고, 각 열의 캐비티(111)는 쓰루 게이트(112)로 연통되어 있다. 여기서 상기 2열의 쓰루 게이트(112)는 서로 가장 인접하여 상호 수평하게 연장되어 있다. 더불어, 봉지 공정중에는 상기 제2금형(120)에 결합된 게이트 락 블록(130)은 상기 각각의 쓰루 게이트(112)를 개방하고 있는 상태이다.
한편, 도 5d 내지 도 5f에 도시된 바와 같이 봉지 공정이 완료된 후에는 상기 게이트 락 블록(130)이 동작함으로써, 모든 쓰루 게이트(112)를 완전히 폐쇄하거나 그 체적을 상당히 줄일수 있다. 따라서, 상기 쓰루 게이트(112)와 대응되는 영역에는 쓰루 게이트 봉지부(3)가 거의 형성되지 않는다. 물론, 이러한 게이트 락 블록(130)은 봉지재(12)가 경화되기 전에 동작하여야 한다.
도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 의한 금형중 게이트 락 블록의 작동전 봉지부 상태를 도시한 횡단면도, 도 6b는 그 종단면도 및 도 6c는 평면도이고, 도 6d는 게이트 락 블록의 작동후 상태를 도시한 횡단면도, 도 6e는 그 종단면도 및 도 6f는 그 평면도이다. 도시된 바와 같이 이러한 금형도 상술한 금형과 유사한 구조를 하므로 그 차이점만을 설명하기로 한다.
도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 의한 금형 역시 제1금형(110)과, 제2금형(120)과, 게이트 락 블록(130)으로 이루어질 수 있다. 물론, 상기 제1금형(110)에는 반도체 장치(10)가 위치되는 다수의 캐비티(111)가 2열(또는 그 이상의 열도 가능함)로 형성되어 있고, 각 열의 캐비티(111)는 쓰루 게이트(112)로 연통되어 있다. 여기서 상기 2열의 쓰루 게이트(112)는 가장 먼 위치로 상호 수평하게 연장되어 있다. 더불어, 봉지 공정중에는 상기 제2금형(120)에 결합된 게이트 락 블록(130)은 상기 각각의 쓰루 게이트(112)를 개방하고 있는 상태이다.
한편, 도 6d 내지 도 6f에 도시된 바와 같이 봉지 공정이 완료된 후에는 상기 게이트 락 블록(130)이 동작함으로써, 모든 쓰루 게이트(112)를 완전히 폐쇄하거나 그 체적을 상당히 줄일수 있다. 따라서, 상기 쓰루 게이트(112)와 대응되는 영역에는 거의 쓰루 게이트 봉지부가 형성되지 않는다. 물론, 이러한 게이트 락 블록(130)은 봉지재(12)가 경화되기 전에 동작하여야 한다.
도 7a는 본 발명에 의한 금형중 게이트 락 블록의 작동전 봉지부 상태를 도시한 평면도, 도 7b는 그 횡단면도이고, 도 7c는 게이트 락 블록의 작동후 상태를 도시한 횡단면도, 도 7d는 그 평면도이다.
먼저 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이 제1금형(110)의 일측에는 봉지재(12)가 유입되는 램 팟(115)이 형성되어 있고, 상기 램 팟(115)에는 4개의 런너(114)가 일정 길이 및 깊이로 형성되어 있다. 또한, 상기 런너(114)의 끝단에는 소정 깊이를 갖는 다수의 캐비티(111)가 일정 간격을 가지며 4열로 형성되어 있다. 여기서, 상기 각 열의 캐비티(111)는 그것과 폭은 같으면서도 깊이는 얕은 쓰루 게이트(112)로 연통되어 있다. 물론, 상기 쓰루 게이트(112)를 완벽하게 폐쇄하거나 그 체적을 줄여 주기 위한 게이트 락 블록(130)의 폭도 상기 쓰루 게이트(112)의 폭과 같다. 이와 같이 하여, 램 팟(115)으로부터 공급된 봉지재(12)는 런너(114), 게이트(113) 및 첫 번째 쓰루 게이트(112)를 통하여 첫 번째 캐비티(111)에 충진되고, 이어서 두 번째 쓰루 게이트(112)를 통하여 두 번째 캐비티(111)로 충진된다. 이러한 방식으로 상기 봉지재(12)는 마지막 캐비티(111)까지 모두 충진된다. 더불 어, 이러한 봉지 공정중에는 제2금형(120)에 결합된 게이트 락 블록(130)은 동작하지 않음으로써, 모든 쓰루 게이트(112)가 개방되도록 한다.
한편, 도 7d 및 도 7c에 도시된 바와 같이 봉지 공정이 완료된 후에는 게이트 락 블록(130)이 하강함으로써, 캐비티(111)와 캐비티(111) 사이에 존재하는 모든 쓰루 게이트(112)를 완전히 폐쇄한다하거나 그 체적을 상당히 줄여 준다. 따라서, 상기 쓰루 게이트(112)와 대응되는 영역에는 쓰루 게이트 봉지부(3)가 거의 형성되지 않는다. 물론, 이러한 게이트 락 블록(130)은 봉지재(12)가 경화되기 전에 동작하여야 한다.
도 8a는 본 발명의 다른 실시예에 의한 금형중 게이트 락 블록의 작동전 봉지부 상태를 도시한 횡단면도, 도 8b는 그 종단면도, 도 8c는 그 평면도이고, 도 8d는 게이트 락 블록의 작동후 상태를 도시한 횡단면도, 도 8e는 그 평면도, 도 8f는 그 평면도이다.
도시된 바와 같이 본 발명의 다른 금형은 제1금형(110)과, 제2금형(120)과, 분할 블록(130)을 포함한다.
먼저 상기 제1금형(110)은 다수의 반도체 장치(10)가 위치될 수 있도록 소정 깊이를 갖는 캐비티(111)가 형성되고, 상기 캐비티(111)에는 소정 깊이를 갖는 적어도 하나의 게이트(113)가 연통되어 있다. 물론, 상기 게이트(113)에는 소정 깊이를 갖는 런너(114)에 연통되어 있고, 상기 런너(114)는 램 팟(115)에 연통되어 있다.
상기 제2금형(120)은 상기 제1금형(110)에 밀착되는 동시에, 상기 제1금형(110)의 게이트(113)를 통하여 캐비티(111)에 위치된 모든 반도체 장치(10)에 봉지재(12)가 흘러 들어갈 수 있도록 한다.
상기 분할 블록(130)은 상기 제1금형(110)에 상기 캐비티(111)까지 관통 설치되어 있되, 상기 캐비티(111) 내측의 각 반도체 장치(10)에 각각 분할된 봉지부(2)가 형성되도록 한다. 이러한 분할 블록(130)은 서로 교차하는 다수의 가로 격벽(131)과 세로 격벽(132)으로 이루어져 있다. 다른 말로, 상기 분할 블록(130)은 대략 바둑판 에 형성된 다수의 교차 라인(line)과 비슷하게 되어 있다. 물론, 상기 가로 격벽(131)과 세로 격벽(132)으로 이루어지는 하나의 영역에 하나의 봉지부(2)가 형성된다. 즉, 하나의 반도체 장치가 형성된다. 또한, 상기 분할 블록(130)에는 도시되어 있지는 않지만 상기 분할 블록(130)을 상,하 방향으로 왕복 운동시킬 수 있도록 블록 이동 부재가 더 설치된다. 이러한 블록 이동 부재는 공압 실린더, 유압 실린더, 모터 또는 그 등가물중 선택된 어느 하나일 수 있으나, 이러한 종류로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
한편, 도 8a 내지 도 8c에 도시된 바와 같이 램 팟(115), 런너(114) 및 게이트(113)를 통한 하나의 캐비티(111)에 봉지재(12)를 충진하는 공정시, 상기 분할 블록(130)은 캐비티(111) 내측으로 이동하지 않는다. 즉, 캐비티(111) 내측의 모든 반도체 장치(10)에 봉지재(12)가 도달할 수 있도록, 상기 분할 블록(130)은 상기 반도체 장치(10)로부터 소정 거리 상승된 상태를 유지한다. 즉, 상기 캐비티(111)를 완전히 개방시킨다.
그러나, 도 8d 내지 도 8f에 도시된 바와 같이 봉지 공정이 완료된 후에는 상기 분할 블록(130)이 소정 거리 하강하여 반도체 장치(10)의 표면에 완전히 접촉하거나 또는 근접한다. 즉, 각각의 반도체 장치에 형성되는 봉지부가 완전히 분할되도록 상기 분할 블록(130)이 캐비티(111)를 완전히 폐쇄하거나 또는 상당히 체적을 줄여준다. 즉, 상기 분할 블록(130)이 하강함으로써, 하나의 반도체 장치(10)에는 하나의 봉지부(2)가 형성된다. 물론, 각각의 반도체 장치(10) 사이에는 봉지재(12)가 형성되지 않거나, 또는 형성되어도 종래와 달리 매우 얇은 두께로 형성된다.
따라서, 이러한 봉지 공정이 완료된 후 수행되는 트리밍 공정 또는 소잉 공정에서 소잉 블레이드 또는 트리밍 펀치는 상기 봉지부(2)와 접촉하지 않고(또는 접촉한다고 해도 매우 얇은 두께가 접촉됨) 단순히 리드프레임(1)(또는 회로기판)과만 접촉됨으로써, 소잉 블레이드 또는 트리밍 펀치의 수명이 향상된다. 또한, 런너(114)나 쓰루 게이트(112)의 길이를 최대한 짧게 함으로써, 사용되는 봉지재(12)의 량도 최소화된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 장치 제조용 금형은 종래와 같이 하나의 런너로부터 각각 게이트를 통하여 캐비티가 연통되는 방식이 아니라, 각각의 캐비티가 쓰루 게이트를 통하여 연통됨으로써, 봉지재의 사용량을 획기적으로 절감할 수 있게 된다. 즉, 봉지 공정후 버려지는 봉지재는 쓰루 게이트에 형성된 소량의 게이트 봉지부이기 때문이다.
또한, 본 발명은 종래와 같이 런너로부터 대략 직각으로 절곡된 게이트를 따라서 캐비티로 봉지재가 유입되는 것이 아니라, 직선 형태의 쓰루 게이트를 통하여 각각의 캐비티로 봉지재가 유입됨으로써, 봉지재의 와류 현상이 제거된다. 따라서, 캐비티 내측에 형성되는 봉지부에 보이드가 거의 발생하지 않게 된다.
또한, 본 발명은 봉지 공정중에는 쓰루 게이트를 열어주고, 봉지 공정 완료후에는 쓰루 게이트를 닫아 주는 게이트 락 블록이 형성됨으로써, 트리밍 공정중 펀치가 리드프레임(또는 회로기판)만을 트림할 수 있게 된다. 즉, 종래와 같이 펀치가 게이트 봉지부와 리드프레임을 함께 트림하지 않아도 된다. 따라서, 트리밍 공정중 펀치의 수명이 현저하게 향상되고, 또한 봉지부와 연결되는 게이트 봉지부도 없음으로써(게이트 봉지부가 존재하여도 그 두께가 종래에 비하여 매우 얇음으로써), 게이트 봉지부 파괴에 의한 봉지부 파괴 현상도 발생하지 않게 된다.
또한, 본 발명은 봉지 공정중 반도체 장치들 간에 봉지재가 용이하게 흘러 가도록 하고, 봉지 공정 완료후에는 각각의 반도체 장치들 간에 봉지부가 자연스럽게 분할되도록 하는 분할 블록이 형성됨으로써, 금형에 다수의 캐비티를 형성하는 대신 커다란 하나의 캐비티만 형성할 수 있게 된다. 더욱이, 이와 같이 하나의 캐비티에서 다수의 반도체 장치를 만들게 되면, 통상은 소잉 공정시 봉지부 및 리드프레임(또는 회로기판)을 함께 소잉하여야 하지만, 본 발명은 이미 분할 블록에 의해 봉지부가 분할되어 있으므로, 블레이드를 이용한 소잉 또는 펀치를 이용한 트리밍 공정중 어느 하나를 선택적으로 사용할 수 있게 된다. 물론, 소잉이나 트림시 봉지부에 가해지는 충격은 거의 없고 오직 리드프레임(또는 회로기판)에만 충격이 가해짐으로써, 봉지부의 파손 현상도 현저히 줄일 수 있게 된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 반도체 장치 제조용 금형을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims (17)

  1. 다수의 반도체 장치가 위치될 수 있도록 소정 깊이를 갖는 다수의 캐비티가 일정 거리 이격된 채 배열되고, 상기 각 캐비티는 소정 깊이를 갖는 쓰루 게이트로 연통되어 있는 제1금형; 및,
    상기 제1금형에 밀착되는 동시에, 상기 제1금형의 쓰루 게이트를 통하여 모든 캐비티에 위치된 반도체 장치에 봉지재가 흘러 들어갈 수 있도록 하는 제2금형을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1금형에 형성된 쓰루 게이트의 폭은 캐비티의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 쓰루 게이트는 캐비티가 갖는 어느 한 변의 끝단에 연통된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 쓰루 게이트는 캐비티가 갖는 어느 한 변의 중앙에 연통된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제1금형에 형성된 쓰루 게이트의 폭은 캐비티의 폭과 같은 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  6. 다수의 반도체 장치가 위치될 수 있도록 소정 깊이를 갖는 다수의 캐비티가 일정 거리 이격된 채 배열되고, 상기 각 캐비티는 소정 깊이를 갖는 쓰루 게이트로 연통되어 있는 제1금형과,
    상기 제1금형에 밀착되는 동시에, 상기 제1금형의 쓰루 게이트를 통하여 모든 캐비티에 위치된 반도체 장치에 봉지재가 흘러 들어갈 수 있도록 하는 제2금형과,
    상기 제1금형의 쓰루 게이트와 대응되는 영역의 제2금형에 관통 설치된 게이트 락 블록을 포함하고,
    상기 게이트 락 블록은 봉지 공정중에는 쓰루 게이트를 완전히 개방시키고, 봉지 공정 완료후에는 상기 쓰루 게이트를 폐쇄시키거나 그 체적을 줄여주는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제1금형에 형성된 쓰루 게이트의 폭은 캐비티의 폭보다 작은 동시에, 게이트 락 블록의 폭과 같은 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 쓰루 게이트는 캐비티가 갖는 어느 한 변의 끝단에 연통된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 쓰루 게이트는 캐비티가 갖는 어느 한 변의 중앙에 연통된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 제1금형에 형성된 쓰루 게이트의 폭은 캐비티의 폭과 같은 동시에, 게이트 락 블록의 폭과 같은 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  11. 제 6 항에 있어서, 상기 게이트 락 블록에는 상기 게이트 락 블록을 직선 방향으로 왕복 운동시킬 수 있도록 블록 이동 부재가 더 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 블록 이동 부재는 공압 실린더, 유압 실린더 또는 모터중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  13. 다수의 반도체 장치가 위치될 수 있도록 소정 깊이를 갖는 캐비티가 형성되고, 상기 캐비티에는 소정 깊이를 갖는 적어도 하나의 게이트가 연통되어 있는 제1금형과,
    상기 제1금형에 밀착되는 동시에, 상기 제1금형의 게이트를 통하여 캐비티에 위치된 모든 반도체 장치에 봉지재가 흘러 들어갈 수 있도록 하는 제2금형과,
    상기 제1금형에 상기 캐비티까지 관통 설치되어 있되, 상기 캐비티 내측의 각 반도체 장치에 각각 분할된 봉지부가 형성되도록 하는 분할 블록을 포함하고,
    상기 분할 블록은 봉지 공정중에는 봉지재가 원할하게 흐를 수 있도록 상기 캐비티를 완전히 개방시키고, 봉지 공정 완료후에는 각 반도체 장치의 봉지부가 분할되도록 각 반도체 장치에 접촉하거나 근접함을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 분할 블록은 서로 교차하는 다수의 세로 격벽과 가로 격벽으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 세로 격벽과 가로 격벽으로 이루어지는 영역에 하나의 봉지부가 형성됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 분할 블록에는 상기 분할 블록을 직선 방향으로 왕복 운동시킬 수 있도록 블록 이동 부재가 더 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 블록 이동 부재는 공압 실린더, 유압 실린더 또는 모터중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 금형.
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