KR100646495B1 - 리드프레임 및 이를 봉지하기 위한 몰드 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- 반도체 다이가 위치될 다이 패들과, 상기 다이 패들로부터 외부로 소정 길이 연장된 다수의 타이바와, 상기 다이 패들의 외측에 배열되어 반도체 다이와 전기적으로 연결될 다수의 리드와, 상기 다이 패들의 외측에 위치되어 상기 타이바 및 리드가 연결되는 프레임 바디로 이루어진 리드프레임에 있어서,상기 프레임 바디에 연결된 타이바의 끝단에는, 봉지 공정중 몰드의 에어 벤트와 대응되도록, 상면에 소정 깊이의 상부 에칭부가 더 형성된 것을 특징으로 하는 리드프레임.
- 제 1 항에 있어서, 상기 타이바의 하면에는 상기 다이 패들로부터 상기 상부 에칭부까지 소정 깊이의 하부 에칭부가 더 형성된 것을 특징으로 하는 리드프레임.
- 제 2 항에 있어서, 상기 상부 에칭부와 하부 에칭부 사이에는 에칭되지 않은 소정 폭의 무에칭부가 형성된 것을 특징으로 하는 리드프레임.
- 제 3 항에 있어서, 상기 상부 에칭부 및 무에칭부는 타이바 컷팅 공정에서 컷팅되는 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 리드프레임.
- 반도체 다이가 다이 패들에 안착되고, 상기 다이 패들에는 다수의 타이바가 연결되어 외측으로 소정 길이 연장되며, 상기 다이 패들의 외주연에는 상기 반도체 다이와 전기적으로 접속된 다수의 리드가 위치되고, 상기 다이 패들의 외측으로서 상기 타이바 및 리드가 사각 형태의 프레임 바디에 연결된 동시에, 상기 프레임 바디에 연결된 타이바의 끝단 상면에는 소정 깊이의 에칭부가 형성된 리드프레임이 안착되는 제1다이와,상기 제1다이의 일면에 밀착되는 동시에, 상기 사각 형태의 프레임 바디중 어느 한 측면을 통해서 봉지재가 주입되도록 상기 프레임 바디의 측면과 대응되는 영역에 게이트가 형성되고, 상기 게이트의 반대 방향으로서 상기 타이바의 상부 에칭부와 대응되는 영역에 에어 벤트가 형성된 제2다이로 이루어진 것을 특징으로 하는 몰드.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050085802A KR100646495B1 (ko) | 2005-09-14 | 2005-09-14 | 리드프레임 및 이를 봉지하기 위한 몰드 |
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KR100646495B1 true KR100646495B1 (ko) | 2006-11-14 |
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KR1020050085802A KR100646495B1 (ko) | 2005-09-14 | 2005-09-14 | 리드프레임 및 이를 봉지하기 위한 몰드 |
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KR (1) | KR100646495B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101375185B1 (ko) * | 2009-02-24 | 2014-03-17 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드 프레임의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH08264708A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Nec Kansai Ltd | リードフレーム |
KR19990017130A (ko) * | 1997-08-21 | 1999-03-15 | 윤종용 | 리드프레임 |
KR20010037242A (ko) * | 1999-10-15 | 2001-05-07 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지용 리드프레임 및 이를 봉지하기 위한 금형 구조 |
KR20010055260A (ko) * | 1999-12-10 | 2001-07-04 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지용 리드프레임 |
-
2005
- 2005-09-14 KR KR1020050085802A patent/KR100646495B1/ko active IP Right Grant
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