KR20060110551A - 가변 용량 캐패시터 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 하부구조물을 포함한 반도체 기판 상부에 제1 하부전극패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 하부전극패턴 상에 제1 유전막을 형성하는 단계, 상기 제1 유전막 상에 제1 상부전극패턴을 형성하여 제1 MIM 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 MIM 패턴이 형성된 결과물 상에 층간절연막을 형성하는 단계, 상기 층간절연막을 식각하여 상기 제1 MIM 패턴의 상기 제1 하부전극패턴이 후속하여 형성될 제2 MIM 패턴의 제2 하부전극패턴과 연결되도록 하는 제1 콘택을 형성하고, 상기 제1 MIM 패턴의 상기 제1 상부전극패턴이 후속하여 형성될 제2 MIM 패턴의 제2 상부전극패턴과 연결되도록 하는 제2 콘택을 형성하는 단계, 상기 결과물 상에 제2 하부전극패턴, 제2 유전막 및 제2 상부전극패턴을 형성하여 상기 제1 및 제2 콘택을 통해서 상기 제1 MIM 패턴과 병렬로 연결되는 제2 MIM 패턴을 형성하는 단계, 및 필요에 따라 상기의 단계를 반복하여 수행한 후, 결과물 상에 트렌치 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 가변 용량 캐패시터 제조 방법을 제공함으로써, 캐패시터의 용량을 손쉽게 가변시킬 수 있다.

캐패시터, 가변용량, MIM, 병렬구조, 상부전극, 하부전극

Description

가변 용량 캐패시터 제조 방법{METHOD FOR FABRICATING VARIABLE CAPACITANCE CAPACITOR}

도 1은 통상적으로 사용되는 MIM 패턴의 구조를 간략하게 도시한 단면도.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 용량 캐패시터의 구조를 간략하게 도시한 단면도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10: 반도체 기판 11: 제1 층간절연막

12: 제1 금속패턴(하부전극) 13: 유전막

14: 제2 금속패턴(상부전극) 15: 제2 층간절연막

16: 제1 콘택 17: 제2 콘택

18: 금속배선

본 발명은 반도체 소자 제조 기술에 관한 것으로 특히, 반도체 소자 제조 공정 중 가변 용량 캐패시터 제조 기술에 관한 것이다.

통상적으로, 반도체 소자는 모스(MOS: Metal Oxide Semiconductor) 구조, PN 접합 구조, 폴리실리콘-절연체-폴리실리콘(Polysilicon-Insulator-Polysilicon: PIP) 구조, 금속-절연체-금속(Metal Insulator Metal: MIM) 구조 등의 캐패시터를 사용한다.

이들 캐패시터 중에서 MIM 구조의 캐패시터는 반도체 장치의 고집적화에 의한 다층 배선 공정 중에 만들어지는 것으로서, 저저항의 전극 구조를 쉽게 실현할 수 있으며, 전압에 따른 캐패시턴스 변화율과 온도에 따른 캐패시턴스 변화율이 PIP 캐패시터보다 낮기 때문에 매우 양호한 전기적 특성을 나타낸다. 따라서, MIM 캐패시터는 정밀한 아날로그 소자에 주로 사용되고 있다.

그러나, 종래의 MIM 캐패시터는 MIM 패턴을 형성한 후에는 일정량의 캐패시터 값을 갖도록 하고 있어 실제로는, 캐패시터 용량을 선택적으로 가변하여 사용할 수 없는 실정이다. 즉, 특정의 캐패시터 용량을 만들어서 사용하였고, 각각에 들어가는 MIM 용량의 차이가 발생할 경우에는 새로 MIM 패턴 사이즈를 조절하여 캐패시터 용량을 맞추었다. 따라서, MIM 캐패시터는 다층 배선 공정시 정전용량을 가변시키기 위해서 제품 자체의 설계 변경과 제조에 많은 시간이 소모되는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 캐패시터 용량을 손쉽게 가변시킬 수 있는 가변 용량 캐패시터 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 하부구조물을 포함한 반도체 기판 상부에 제1 하부전극패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 하부전극패턴 상에 제1 유전막을 형성하는 단계, 상기 제1 유전막 상에 제1 상부전극패턴을 형성하여 제1 MIM 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 MIM 패턴이 형성된 결과물 상에 층간절연막을 형성하는 단계, 상기 층간절연막을 식각하여 상기 제1 MIM 패턴의 상기 제1 하부전극패턴이 후속하여 형성될 제2 MIM 패턴의 제2 하부전극패턴과 연결되도록 하는 제1 콘택을 형성하고, 상기 제1 MIM 패턴의 상기 제1 상부전극패턴이 후속하여 형성될 제2 MIM 패턴의 제2 상부전극패턴과 연결되도록 하는 제2 콘택을 형성하는 단계, 상기 결과물 상에 제2 하부전극패턴, 제2 유전막 및 제2 상부전극패턴을 형성하여 상기 제1 및 제2 콘택을 통해서 상기 제1 MIM 패턴과 병렬로 연결되는 제2 MIM 패턴을 형성하는 단계, 및 필요에 따라 상기의 단계를 반복하여 수행한 후, 결과물 상에 트렌치 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 가변 용량 캐패시터 제조 방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 가변 용량의 MIM 구조를 형성함으로써, 캐패시터 용량을 필요에 따라 가변하여 사용할 수 있으며, 소자마다 MIM 패턴을 달리 설계할 필요가 없다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 1은 통상적으로 사용되는 MIM 구조를 간략하게 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하여 MIM 구조 형성 방법을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 반도체 기판(10) 위에 하부 구조물로서 게이트 전극과 소스/드레인 영역을 구비하는 트랜지스터(도시되지 않음)를 형성한 후에, 상기 트랜지스터를 후속 공정시 형성될 상부 구조물들과 콘택홀을 제외한 모든 영역에서 절연시키기 위한 제1 층간절연막(11)을 형성한다.

그 다음, 상기 제1 층간절연막(11) 위에 금속을 증착한 후 사진 및 식각 공정을 이용하여 제1 캐패시터의 하부전극으로 사용될 제1 금속패턴(12)을 형성하고 나서, 그 위에 유전막(13)을 형성한 후, 유전막(13) 위에 제1 캐패시터의 상부전극으로 사용될 제2 금속패턴(14)을 형성한다. 여기서, 제1 및 제2 금속패턴(12, 14)은 알루미늄, 구리 또는 그 합금으로 형성된다.

그 다음, 결과물 상에 제2 층간절연막(15)을 형성한 후, 제2 층간절연막(15)을 식각하여 제1 금속패턴(12)의 상부 및 제2 금속패턴(14)의 상부가 일부 노출되도록 각각 제1 콘택(16) 및 제2 콘택(17)을 형성하여 후속 공정시 형성될 제2 캐패시터와 연결하기 위한 금속배선(18)을 형성한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 용량 캐패시터의 단면도를 간략하 게 도시하고 있다. 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 용량 캐패시터의 형성 방법을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 하부구조물을 포함한 실리콘 기판(20) 상부에 도 1에서 설명한 바와 같은 MIM 패턴 3개(제1 MIM 패턴(21), 제2 MIM 패턴(22) 및 제3 MIM 패턴(23))를 병렬로 적층한다. 이 때, 콘택을 통해서 제1 MIM 패턴(21)의 제1 하부전극(24)과 제2 MIM 패턴(23)의 제2 하부전극(27)이 연결되도록 형성하고, 제3 MIM 패턴(23)의 제3 하부전극(30) 또한 이들 하부전극(24, 27)과 연결되도록 형성한다. 마찬가지로, 콘택을 통해서 제1 MIM 패턴(21)의 제1 상부전극(26)과 제2 MIM 패턴(22)의 제2 상부전극(28)이 연결되도록 형성하고, 제3 MIM 패턴(23)의 제3 상부전극(32) 또한 이들 상부전극(26, 29)과 연결되도록 형성한다.

다음으로, 3개의 MIM 패턴이 형성된 결과물을 식각하여 2개의 트렌치(trench) 패턴(a, b)을 형성한다. 여기서, MIM 패턴이 n개이면, 트렌치 패턴은 (n-1)개가 되도록 형성되며, 이 트렌치 패턴(a, b)을 이용함으로써 MIM 패턴을 가변할 수 있다.

다음으로, 각각의 MIM 패턴의 상부전극을 레이저로 커팅(cutting)을 진행하여 병렬 구조의 MIM 패턴들을 전부 또는 일부 사용할 수 있도록 한다.

이와 같은 단계를 거친 결과물의 전체적인 구조는 하부전극(A), 상부전극(B) 및 MIM 패턴을 가변할 수 있는 영역 즉, 트렌치 패턴 영역(C)으로 형성된다. 이때, 레이저 커팅 부위는 상부 MIM 패턴의 상부전극을 이용한다.

전술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상위의 MIM 패턴의 상부전 극을 이용하여 하부 MIM 패턴의 사용가능 여부를 결정할 수 있다. 즉, 캐패시터의 용량을 가변시킬 수가 있다. 또한, 상기의 트렌치 패턴(a, b)을 형성한 후, 하부 금속배선층 위에 잔류 산화막을 1000 내지 11000Å 두께로 잔류시키면, 레이저 커팅시 금속배선의 파편으로부터 소자를 보호하고 레이저 커팅이 잘 되게 된다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

전술한 본 발명은, 가변 용량의 MIM 구조를 형성함으로써, 캐패시터 용량을 필요에 따라 가변하여 사용할 수 있으며, 소자마다 MIM 패턴을 달리 설계할 필요가 없으므로 정전용량을 가변시키기 위한 제품의 설계 변경 및 이에 따른 제조 시간을 단축시킬 수 있다.

Claims (3)

1. 하부구조물을 포함한 반도체 기판 상부에 제1 하부전극패턴을 형성하는 단계;

   상기 제1 하부전극패턴 상에 제1 유전막을 형성하는 단계;

   상기 제1 유전막 상에 제1 상부전극패턴을 형성하여 제1 MIM 패턴을 형성하는 단계;

   상기 제1 MIM 패턴이 형성된 결과물 상에 층간절연막을 형성하는 단계;

   상기 층간절연막을 식각하여 상기 제1 MIM 패턴의 상기 제1 하부전극패턴이 후속하여 형성될 제2 MIM 패턴의 제2 하부전극패턴과 연결되도록 하는 제1 콘택을 형성하고, 상기 제1 MIM 패턴의 상기 제1 상부전극패턴이 후속하여 형성될 제2 MIM 패턴의 제2 상부전극패턴과 연결되도록 하는 제2 콘택을 형성하는 단계;

   상기 결과물 상에 제2 하부전극패턴, 제2 유전막 및 제2 상부전극패턴을 형성하여 상기 제1 및 제2 콘택을 통해서 상기 제1 MIM 패턴과 병렬로 연결되는 제2 MIM 패턴을 형성하는 단계; 및

   필요에 따라 상기의 단계를 반복하여 수행한 후, 결과물 상에 트렌치 패턴을 형성하는 단계

   를 포함하는 가변 용량 캐패시터 제조 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 MIM 패턴의 개수가 n개인 경우, 상기 트렌치 패턴은 (n-1)개인 것을 특징으로 하는 가변 용량 캐패시터 제조 방법.
3. 제1항에 있어서,

   캐패시터의 용량을 가변시키기 위해, 상기 MIM 패턴 각각의 상부전극패턴을 레이저로 커팅(cutting)을 진행하여 병렬 구조의 MIM 패턴들을 전부 또는 일부 사용할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 가변 용량 캐패시터 제조 방법.

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