KR20060110045A - 전압 강하 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전압 강하 회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전압 강하 회로의 출력신호의 레벨을 감지하여 안정성을 유지하지 못하는 경우 내부회로로 출력하지 않도록 제어함으로써, 전압 강하 회로의 출력신호의 안정(stability)을 자동으로 조절할 수 있는 기술을 개시한다. 이를 위해, 본 발명의 전압 강하 회로는, 기준전압을 발생하는 기준전압 발생부와, 상기 전압팔로워의 출력신호에 따라 내부전원전압을 출력하되, 상기 내부전원전압의 레벨을 감지하여 그 결과에 따라 상기 내부전원전압을 분배하여 출력하는 출력드라이버와, 상기 기준전압과 상기 분배된 내부전원전압을 비교하는 전압팔로워를 포함하여 구성함을 특징으로 한다.

Description

전압 강하 회로{Voltage down converter}
도 1은 종래의 전압 강하 회로의 구성도.
도 2는 도 1의 전압 팔로워 및 출력 드라이버의 세부 회로도.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 전압 강하 회로의 내부전류 및 내부전원전압의 파형도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전압 강하 회로의 구성도.
도 5는 도 4의 전압 팔로워 및 출력 드라이버의 세부 회로도.
도 6a 및 도 6b는 도 4의 전압 강하 회로의 내부전류 및 내부전원전압의 파형도.
도 7은 도 5의 전압레벨 감지부의 세부 회로도.
도 8은 도 7의 전압레벨감지부의 입출력 타이밍도.
도 9는 도 4의 전압 강하 회로의 입출력 타이밍도.
본 발명은 전압 강하 회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전압 강하 회로의 출력신호의 레벨을 감지하여 안정성을 유지하지 못하는 경우 내부회로로 출력 하지 않도록 제어함으로써, 전압 강하 회로의 출력신호의 안정(stability)을 자동으로 조절할 수 있는 기술이다.
일반적으로 반도체 메모리가 점점 고집적화 대용량화됨에 따라 칩 내부의 선폭을 더욱 가늘어지고 메모리 셀 트랜지스터의 크기는 점점 더 작아져서 칩의 신뢰성이 감소되고 대용량화에 의해 파워 소비는 증가하는 추세이다.
반도체 메모리 장치에 사용되는 외부 전원은 5V나 3V로 항상 일정하지만 반도체 메모리 장치의 고성능 및 고집적을 위해서 내부전원전압은 저전원(2.5V, 1.8V, 1.2V)이어야 한다. 그에 따라, 전압 강하 회로를 이용하여, 외부전원전압을 강하시킨 내부전원전압을 생성한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 전압 강하 회로에 관하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 전압 강하 회로의 구성도이다.
종래의 전압 강하 회로는 초기화부(10), 기준전압 발생부(20), 전압 팔로워(30), 및 출력드라이버(40)를 구비한다.
초기화부(10)는 전압 강하 회로를 초기화시킨다. 기준전압 발생부(20)는 외부전원전압 VCC을 이용하여 기준전압 VREF를 발생한다. 전압 팔로워(30)는 기준전압 VREF 및 내부전원전압 VINT를 비교하여 그 결과를 출력한다. 출력드라이버(40)는 전압팔로워(30)의 출력신호를 수신하여 내부전원전압 VINT를 출력한다.
도 2는 도 1의 전압팔로워(30) 및 출력드라이버(40)의 세부 구성도이다.
전압 팔로워(30)는 오피앰프(31)를 구비한다. 오피앰프(31)는 기준전압신호 VREF와 출력드라이버(40)의 출력신호를 비교하고 그 결과를 출력한다.
출력드라이버(40)는 엔모스 트랜지스터 NM1, 복수개의 저항 R1, R2, 부하(41), 및 캐패시터 C1를 구비한다. 엔모스 트랜지스터 NM1 및 복수개의 저항 R1, R2는 외부전원전압단과 접지전압단 사이에 직렬연결되고, 엔모스 트랜지스터 NM1는 오피앰프(31)의 출력신호에 의해 제어되어 전원전압레벨을 노드 N1에 인가한다. 저항 R1, R2는 노드 N2의 전압을 분배하여 그 결과를 공통노드를 통해 오피앰프(31)로 출력한다. 부하(41)와 캐패시터 C1는 노드 N1와 접지전압단 사이에 각각 병렬로 연결되되, 저항 R1, R2와도 병렬로 연결된다.
상기와 같은 구성을 갖는 종래의 전압 강하 회로는 저항 R1, R2을 통해 내부전원전압 VINT을 분배하고 분배된 전압의 레벨과 기준전압 VREF 레벨을 오피앰프(31)를 통해 비교하여 그 결과에 따라 엔모스 트랜지스터 NM1에 흐르는 전류 Iint의 양을 조절하여 결국 일정한 내부전원전압 VINT을 발생시킨다.
따라서, 도 3a와 같이, 엔모스 트랜지스터 NM1에 흐르는 전류 Iint는 내부전원전압 VINT의 레벨 변화에 따라 일정 파형을 갖는다. 그러나, 종래의 전압 강하 회로는 저항 R1, R2 저항값의 변화, 온도 및 공정의 변화, 및 저항의 기생 캐패시터 크기 등에 취약하여 그로 인해 내부전원전압 VINT의 안정성을 유지하지 못하고 발진하는 문제점이 있다. 도 3b에 도시한 바와 같이, 내부전원전압 VINT은 상기와 같은 요인에 의해 오버슛(A) 및 언더슛(B)이 발생될 수 있으며, 이러한 오버슛(A) 및 언더슛(B)이 발생된 내부전원전압 VINT을 사용하는 내부회로가 오동작하는 문제점이 있다. 또한, 종래의 출력드라이버는 단순히 내부전원전압 레벨을 분배하여 피 드백함으로써 그 주파수 특성에 따른 응답속도가 매우 느린 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 전압 강하 회로로부터 출력되는 내부전원전압의 레벨의 오버슛/언더슛 현상을 감지하여 보상하여 줌으로써 내부전원전압의 안정성을 유지하도록 하는데 있다.
또한, 전원전압레벨 감지부를 구비하여 디지털적으로 내부전원전압레벨을 빠르게 감지하고 그 결과를 빨리 출력함으로써, 더욱 안정적으로 내부전원전압 레벨을 유지할 수 있도록 하는데 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 전압 강하 회로는, 기준전압을 발생하는 기준전압 발생부와, 상기 전압팔로워의 출력신호에 따라 내부전원전압을 출력하되, 상기 내부전원전압의 레벨을 감지하여 그 결과에 따라 상기 내부전원전압을 분배하여 출력하는 출력드라이버와, 상기 기준전압과 상기 분배된 내부전원전압을 비교하는 전압팔로워를 포함하여 구성함을 특징으로 한다.
상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통해 보다 분명해질 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전압 강하 회로의 구성도이다.
본 발명의 전압 강하 회로는 초기화부(100), 기준전압 발생부(200), 전압 팔로워(300), 및 출력드라이버(400)를 구비한다.
초기화부(100)는 전압 강하 회로를 초기화시킨다. 기준전압 발생부(200)는 외부전원전압 VCC을 이용하여 기준전압 VREF를 발생한다. 전압 팔로워(300)는 기준전압 VREF 및 내부전원전압 VINT를 비교하여 그 결과를 출력한다. 출력드라이버(400)는 전압팔로워(300)의 출력신호를 수신하여 내부전원전압 VINT를 출력한다.
도 5는 도 4의 전압 팔로워(300) 및 출력 드라이버(400)의 일실시예도이다.
전압 팔로워(300)는 오피앰프(310)는 기준전압 VREF과 자동안정조절부(420)의 출력신호를 비교한다.
출력드라이버(400)는 풀업부(410), 자동안정조절부(420), 및 부하부(430)를 구비한다.
풀업부(410)는 엔모스 트랜지스터 NM2를 구비한다. 엔모스 트랜지스터 NM2는 외부전원전압단과 노드 N2 사이에 구비되고, 오피앰프(310)의 출력신호에 의해 제어되어 외부전원전압 VCC 레벨을 노드 N2에 인가한다.
자동안정조절부(420)는 전압레벨 감지부(421) 및 가변 분배부(422)를 구비한다. 전압레벨 감지부(421)는 외부전원전압 VCC과 노드 N2의 전압을 인가받아 노드 N2의 전압 레벨을 감지하여 감지신호 DET를 출력한다. 가변 분배부(422)는 가변저항 VR1, VR2를 구비한다. 가변저항 VR1, VR2는 노드 N2와 접지전압단 사이에 직렬구비되고, 감지신호 DET에 의해 제어되어 그 저항값이 결정되며 결정된 저항값에 따라 노드 N2의 전압을 분배하여 오피앰프(310)로 출력한다.
부하부(430)는 부하(410) 및 캐패시터 C2를 구비한다. 부하(410) 및 캐패시터 C2는 노드 N2와 접지전압단 사이에 병렬연결된다.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 전압 강하 회로는 도 6a에 도시한 바와 같이, 오피앰프(310)의 출력신호에 의해 엔모스 트랜지스터 NM2에 흐르는 전류 Iint가 일정 파형을 갖고, 도 6b에 도시한 바와같이, 내부전원전압 VINT가 거의 일정하게 안정적으로 출력됨을 알 수 있다.
도 7은 도 5의 전압레벨 감지부(421)의 세부 회로도이다.
전압레벨 감지부(421)는 내부전원전압 감지부(440), 고전압감지신호 발생부(450), 저전압감지신호 발생부(460), 및 출력부(470)를 구비한다.
내부전원전압 감지부(440)는 내부전원전압단과 접지전압 사이에 직렬연결되는 저항 R3, R4, 및 엔모스 트랜지스터 NM3를 구비한다. 저항 R3, R4는 내부전원전압 VINT을 분배하고, 엔모스 트랜지스터 NM3는 그 게이트와 드레인이 연결되어 다이오드의 기능을 한다.
고전압감지신호 발생부(450)는 피모스 트랜지스터 PM1, 인버터 IV, 및 고전압감지부(451)를 구비한다. 피모스 트랜지스터 PM1와 고전압감지부(451)는 외부전원전압단과 접지전압단 사이에 직렬연결되고, 고전압감지부(451)는 엔모스 트랜지스터 NM4, NM5를 구비한다. 피모스 트랜지스터 PM1 및 엔모스 트랜지스터 NM4, NM5는 내부전원전압 감지부(440)의 출력신호에 의해 제어되어 외부전원전압레벨 또는 접지전압레벨을 선택적으로 출력한다. 감지부(421)의 인버터 IV는 노드 N5의 전위를 반전하여 전압감지신호 Vsensor1를 출력한다.
저전압감지신호 발생부(460)는 피모스 트랜지스터 PM2 및 저전압감지부(461)를 구비한다. 피모스 트랜지스터 PM2와 저전압감지부(461)는 외부전원전압단과 접지전압단 사이에 직렬연결되고, 저전압감지부(461)는 엔모스 트랜지스터 NM6, NM7 를 구비한다. 피모스 트랜지스터 PM2 및 엔모스 트랜지스터 NM6, NM7는 내부전원전압 감지부(440)의 출력신호에 의해 제어되어 외부전원전압레벨 및 접지전압레벨을 노드 N6를 통해 선택적으로 출력하고 이때, 출력되는 출력신호가 전압감지신호 Vsensor2가 된다.
이때, 고전압감지부(451)의 엔모스 트랜지스터 NM4, NM5와 저전압감지부(461)의 엔모스 트랜지스터 NM6, NM7는 그 사이즈의 설정에 따라 오버슛/언더슛을 감지하도록 한다.
출력부(470)는 노아게이트 NOR를 구비한다. 노아게이트 NOR는 전압감지신호 Vsensor1, Vsensor2를 노아연산하여 감지신호 DET를 출력한다.
이하, 도 8을 참조하여, 상기와 같은 구성을 갖는 전압레벨 감지부(421)의 동작을 설명하기로 한다.
내부전원전압 감지부(440)가 내부전원전압 VINT을 분배한다. 고전압감지신호 발생부(450)와 저전압 감지신호 발생부(460)는 각각 내부전원전압 감지부(440)의 출력신호가 일정레벨 이상인지 이하인지를 감지하여 그 결과에 따라 전압감지신호 Vsensor1, Vsensor2를 출력한다. 도 8에 도시한 바와 같이, 내부전원전압 VINT 레벨이 상한선 이상이면 내부전원전압 VINT이 오버슛상태이므로 고전압감지신호 Vsensor1가 하이레벨로 인에이블되고, 내부전원전압 VINT 레벨이 하한선 이하이면 언더슛상태이므로 저전압감지신호 Vsensor2가 하이레벨로 인에이블된다.
출력부(470)는 전압감지신호 Vsensor1, Vsensor2 중 하나라도 하이레벨로 인에이블되면 하이레벨의 감지신호 DET를 출력한다.
그에 따라, 가변 분배부(422)의 가변저항 VR1, VR2은 감지신호 DET에 의해 제어되어 저항값이 결정되고, 결정된 저항값에 따라 노드 N3의 전위가 다시 결정됨으로써, 오피앰프(310)는 다시 결정된 노드 N3의 전위와 기준전압을 다시 비교하고그 출력에 의해 출력드라이버(400)는 내부전원전압 VINT을 다시 출력한다.
그 후, 전압레벨 감지부(421)가 내부전원전압 VINT의 레벨을 다시 감지하여 오버슛/언더슛이 감지되지 않을때까지 상기와 같은 과정을 반복함으로써, 내부전원전압 VINT의 안정성을 유지할 수 있다.
도 9는 도 4의 전압 강하 회로의 입출력 타이밍도이다.
도 9에 도시한 바와 같이, 기존의 내부전원전압 VINT에 오버슛/언더슛 현상이 발생되어 불안정한 경우 감지신호 DET를 인에이블시켜 불안정한 기존의 내부전원전압 VINT의 오버슛/언더슛 부분을 보상하여 안정적으로 만들어준다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 전압 강하 회로로부터 출력되는 내부전원전압의 레벨의 오버슛/언더슛 현상을 감지하고 이를 보상하여 내부전원전압의 안정성을 유지하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 전압레벨 감지부를 구비하여 감지결과에 따라 감지신호를 빠르게 발생하도록 함으로써 내부전원전압레벨의 변화에 따른 대응이 빨라 안정적인 수율을 얻을 수 있는 효과가 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허 청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (16)

  1. 기준전압을 발생하는 기준전압 발생부;
    상기 전압팔로워의 출력신호에 따라 내부전원전압을 출력하되, 상기 내부전원전압의 레벨을 감지하여 그 결과에 따라 상기 내부전원전압을 분배하여 출력하는 출력드라이버; 및
    상기 기준전압과 상기 분배된 내부전원전압을 비교하는 전압팔로워
    를 포함하여 구성함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 출력드라이버는,
    상기 내부전원전압 레벨에 발생하는 오버슛 및 언더슛을 감지하여 그에 따라 상기 내부전원전압을 분배하는 분배비율을 조정함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 출력드라이버는,
    상기 전압 팔로워의 출력신호에 의해 제어되어 상기 내부전원전압을 출력하는 풀업부; 및
    상기 내부전원전압 레벨을 감지하여 그 결과에 따라 상기 내부전원전압을 분배하여 출력하는 자동안정조절부
    을 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 풀업부의 출력단과 접지전압단 사이에 부하부를 더 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 풀업부는
    상기 전압 팔로워의 출력신호에 의해 제어되고 외부전원전압레벨을 그 소스단에 인가하는 엔모스 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  6. 제 3항에 있어서, 상기 자동안정조절부는,
    상기 내부전원전압의 레벨을 감지하고 감지신호를 출력하는 전압레벨 감지부; 및
    상기 감지신호에 의해 제어되어 상기 분배비를 조절하여 조절된 분배비에 따라 상기 내부전원전압을 분배하는 가변분배부
    를 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 가변분배부는,
    상기 감지신호에 의해 그 저항값이 제어되는 복수개의 가변저항을 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 전압레벨 감지부는,
    상기 내부전원전압을 분배하여 출력하는 내부전원전압 감지부;
    상기 내부전원전압 감지부의 출력신호의 레벨이 일정레벨 이상인지를 감지하여 고전압 감지신호를 출력하는 고전압감지신호 발생부
    상기 내부전원전압 감지부의 출력신호의 레벨이 일정레벨 이하인지를 감지하여 저전압 감지신호를 출력하는 저전압감지신호 발생부; 및
    상기 고전압감지신호와 상기 저전압감지신호를 논리연산하여 상기 감지신호를 출력하는 출력부;
    를 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 내부전원전압 감지부는,
    상기 내부전원전압을 저항비에 따라 분배하는 복수개의 저항; 및
    상기 복수개의 저항과 접지전압단 사이에 구비되는 다이오드
    를 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 고전압감지신호 발생부는,
    상기 내부전원전압 감지부의 출력신호에 의해 제어되어 외부전원전압레벨을 출력단에 인가하는 제 1 스위칭소자;
    상기 내부전원전압 감지부의 출력신호에 의해 제어되어 접지전압레벨을 출력단에 인가하는 제 1 감지부; 및
    상기 제 1 스위칭소자 및 상기 제 1 감지부의 공통노드를 통해 출력되는 상기 고전압감지신호를 반전수단
    를 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 제 1 감지부는,
    상기 내부전원전압 감지부의 출력신호에 의해 제어되고, 상기 제 1 스위칭소자의 출력단과 접지전압단 사이에 연결되는 제 2 및 제 3 스위칭소자를 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 저전압감지신호 발생부는,
    상기 내부전원전압 감지부의 출력신호에 의해 제어되어 외부전원전압레벨을 출력단에 인가하는 제 4 스위칭소자; 및
    상기 내부전원전압 감지부의 출력신호에 의해 제어되어 접지전압레벨을 출력단에 인가하는 제 2 감지부;
    를 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 제 2 감지부는,
    상기 내부전원전압 감지부의 출력신호에 의해 제어되고, 상기 제 4 스위칭소자의 출력단과 접지전압단 사이에 연결되는 제 5 및 제 6 스위칭소자를 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 제 2 및 제 3 스위칭소자는 상기 내부전원전압 감지부의 출력신호의 레벨이 일정레벨이상이면 턴온되도록 그 문턱전압을 설정하도록 하고, 상기 제 5 및 제 6 스위칭소자는 상기 내부전원전압 감지부의 출력신호의 레벨이 일정레벨 이하이면 턴온되도록 그 문턱전압을 설정함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  15. 제 8항에 있어서, 상기 출력부는,
    상기 고전압감지신호 및 상기 저전압감지신호중 적어도 하나이상이 하이레벨로 인에이블되면 상기 감지신호를 하이레벨로 출력함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 출력부는,
    상기 고전압감지신호 및 상기 저전압 감지신호를 노아연산하는 노아게이트를 구비함을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100845805B1 (ko) * 2007-05-10 2008-07-14 주식회사 하이닉스반도체 전압 강하 변환기
KR100901836B1 (ko) * 2007-03-21 2009-06-09 (주)제이디에이테크놀로지 스위칭 저전압강하 전압 조정기
KR101318802B1 (ko) * 2012-03-30 2013-10-17 (주)에프알텍 전압 조절 장치
US8648649B2 (en) 2010-12-30 2014-02-11 Hynix Semiconductor Inc. Voltage down converter

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102400103B1 (ko) 2015-08-20 2022-05-19 삼성전자주식회사 내부 전압 트리밍 장치와 이를 구비하는 반도체 집적 회로

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR19990009093A (ko) * 1997-07-07 1999-02-05 윤종용 반도체 메모리 장치의 내부 전원 전압 발생 회로
KR100410987B1 (ko) * 2001-11-02 2003-12-18 삼성전자주식회사 내부 전원전압 발생회로

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100901836B1 (ko) * 2007-03-21 2009-06-09 (주)제이디에이테크놀로지 스위칭 저전압강하 전압 조정기
KR100845805B1 (ko) * 2007-05-10 2008-07-14 주식회사 하이닉스반도체 전압 강하 변환기
US8044647B2 (en) 2007-05-10 2011-10-25 Hynix Semiconductor Inc. Voltage down converter
US8324877B2 (en) 2007-05-10 2012-12-04 SK Hynix Inc. Voltage down converter
US8648649B2 (en) 2010-12-30 2014-02-11 Hynix Semiconductor Inc. Voltage down converter
KR101318802B1 (ko) * 2012-03-30 2013-10-17 (주)에프알텍 전압 조절 장치

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