KR20060106355A - 멀티-포트 메모리 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 다수의 버스 라인을 구비하는 글로벌 데이터 버스;상기 글로벌 데이터 버스와 데이터를 교환하기 위한 전류 센싱 방식의 송신 수단 및 수신 수단을 가지는 다수의 뱅크;상기 글로벌 데이터 버스와 데이터를 교환하기 위한 전류 센싱 방식의 송신 수단 및 수신 수단을 가지는 하나 이상의 포트;상기 뱅크 및 상기 포트 각각의 수신 수단과 상기 글로벌 데이터 버스의 버스 라인 사이에 제공되어 해당 수신 수단과 상기 글로벌 데이터 버스를 선택적으로 연결하기 위한 다수의 스위칭 수단; 및상기 뱅크 및 상기 포트의 송신 수단에 인가되는 데이터 구동펄스에 응답하여, 상기 뱅크의 송신 수단에 의해 상기 글로벌 데이터 버스가 구동되는 구간 동안 상기 뱅크의 수신 수단에 대응하는 스위칭 수단을 오프시키고 상기 포트의 송신 수단에 의해 상기 글로벌 데이터 버스가 구동되는 구간 동안 상기 포트의 수신 수단에 대응하는 스위칭 수단을 오프시키는 스위칭 신호를 생성하기 위한 스위칭 신호 생성 수단을 구비하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,상기 다수의 스위칭 수단은 각각,해당 수신 수단과 상기 글로벌 데이터 버스 사이에 연결되며, 해당 수신 수단에 대응하는 상기 스위칭 신호를 게이트 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 스위칭 신호 생성 수단은,상기 뱅크의 송신 수단에 인가되는 다수의 리드 데이터 드라이빙 펄스 - 리드 커맨드를 받아서 펄싱함 - 를 논리 조합하여 뱅크용 스위칭 신호를 생성하기 위한 제1 로직 게이트와,상기 포트의 송신 수단에 인가되는 다수의 데이터 드라이빙 펄스 - 라이트 커맨드를 받아 펄싱함 - 를 논리 조합하여 포트용 스위칭 신호를 생성하기 위한 제2 로직 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제3항에 있어서,상기 제1 및 제2 로직 게이트는 각각 노아 게이트인 것을 특징으로 하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,상기 송신 수단은 각각,상기 글로벌 데이터 버스와 접지전압단 사이에 차례로 연결되며, 각각 데이터 신호 및 상기 데이터 구동펄스를 게이트 입력으로 하는 제1 및 제2 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제5항에 있어서,상기 수신 수단은 각각,소오스가 전원전압단에 접속되며 드레인과 게이트가 다이오드 접속된 제1 PMOS 트랜지스터;소오스가 상기 전원전압단에 접속되며 드레인이 출력 노드에 접속된 제2 PMOS 트랜지스터;드레인이 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고 소오스가 상기 글로벌 데이터 버스에 접속되며 게이트로 상기 기준전압을 인가받는 제3 NMOS 트랜지스터;드레인이 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인(출력 노드)에 접속되며 게이트로 상기 기준전압을 인가 받는 제4 NMOS 트랜지스터;드레인이 상기 제4 NMOS 트랜지스터의 소오스에 접속되고 소오스가 상기 접 지전압단에 접속되며, 게이트로 데이터 평가신호를 인가받는 제5 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 다수의 버스 라인을 구비하는 글로벌 데이터 버스;상기 글로벌 데이터 버스와 데이터를 교환하기 위한 전류 센싱 방식의 송신 수단 및 수신 수단을 가지는 다수의 뱅크;상기 글로벌 데이터 버스와 데이터를 교환하기 위한 전류 센싱 방식의 송신 수단 및 수신 수단을 가지는 하나 이상의 포트;상기 뱅크 및 상기 포트 각각의 수신 수단과 상기 글로벌 데이터 버스의 버스 라인 사이에 제공되어 해당 수신 수단과 상기 글로벌 데이터 버스를 선택적으로 연결하기 위한 다수의 스위칭 수단; 및상기 뱅크 및 상기 포트의 송신 수단에 인가되는 데이터 구동펄스에 응답하여, 상기 뱅크 또는 상기 포트의 송신 수단에 의해 상기 글로벌 데이터 버스가 구동되는 구간 동안 실제로 데이터를 받는 하나의 수신 수단을 제외한 나머지 수신 수단에 대응하는 스위칭 수단을 오프시키는 스위칭 신호를 생성하기 위한 스위칭 신호 생성 수단을 구비하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제7항에 있어서,상기 다수의 스위칭 수단은 각각,해당 수신 수단과 상기 글로벌 데이터 버스 사이에 연결되며, 해당 수신 수단에 대응하는 상기 스위칭 신호를 게이트 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 스위칭 신호 생성 수단은,상기 뱅크 및 상기 포트의 모든 수신 수단에 대응하는 상기 데이터 구동펄스를 논리 조합하기 위한 논리 조합부와,상기 글로벌 데이터 버스가 구동되는 구간에서 상기 논리 조합부의 출력신호를 선택적으로 래치하여 상기 실제로 데이터를 받는 하나의 수신 수단에 대응하는 상기 스위칭 신호만을 활성화시켜 출력하기 위한 다수의 래치 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제9항에 있어서,상기 논리 조합부는 상기 뱅크 및 상기 포트의 모든 수신 수단에 대응하는 상기 데이터 구동펄스를 입력으로 하는 노아 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하 는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제10항에 있어서,상기 다수의 래치회로는 각각,상기 데이터 구동펄스 보다 위상이 빠르고 상기 데이터 구동펄스의 펄싱 구간이 포함될 정도로 넓은 펄스폭을 가지는 데이터 캡쳐 신호 - 상기 데이터 캡쳐 신호는 상기 뱅크 및 상기 포트의 수신 수단 각각에서 감지된 데이터를 래치하는데 사용되는 신호임 - 에 응답하여 상기 논리 조합부의 출력신호를 선택적으로 통과시키기 위한 트랜스미션 게이트;상기 트랜스미션 게이트의 출력신호를 반전 래치하기 위한 인버터 래치; 및상기 인버터 래치의 출력신호를 반전시켜 상기 스위칭 신호로서 출력하기 위한 인버터를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제7항에 있어서,상기 송신 수단은 각각,상기 글로벌 데이터 버스와 접지전압단 사이에 차례로 연결되며, 각각 데이터 신호 및 상기 데이터 구동펄스를 게이트 입력으로 하는 제1 및 제2 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티-포트 메모리 소자.
- 제12항에 있어서,상기 수신 수단은 각각,소오스가 전원전압단에 접속되며 드레인과 게이트가 다이오드 접속된 제1 PMOS 트랜지스터;소오스가 상기 전원전압단에 접속되며 드레인이 출력 노드에 접속된 제2 PMOS 트랜지스터;드레인이 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고 소오스가 상기 글로벌 데이터 버스에 접속되며 게이트로 상기 기준전압을 인가받는 제3 NMOS 트랜지스터;드레인이 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인(출력 노드)에 접속되며 게이트로 상기 기준전압을 인가 받는 제4 NMOS 트랜지스터;드레인이 상기 제4 NMOS 트랜지스터의 소오스에 접속되고 소오스가 상기 접지전압단에 접속되며, 게이트로 데이터 평가신호를 인가받는 제5 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티-포트 메모리 소자.
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