KR20060092531A - 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 - Google Patents
박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (33)
- 기판;상기 기판의 상부에 구비된 게이트 전극;상기 게이트 전극과 절연된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있는 채널 영역을 구비하며, 적어도 상기 채널 영역을 인접한 박막 트랜지스터와 구별시키는 그루브를 구비하는 반도체층; 및상기 반도체층의 하부에 구비된 스토퍼층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 그루브의 깊이는 상기 반도체층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 그루브의 깊이는 상기 반도체층의 두께와 동일한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 그루브의 깊이는 상기 반도체층의 두께보다 크고, 상기 반도체층의 두께와 상기 스토퍼층의 두께의 합보다는 작은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 그루브의 깊이는 상기 반도체층의 두께와 상기 스토퍼층의 두께의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 그루브는 폐곡선을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 6항에 있어서,상기 채널영역은 상기 폐곡선의 그루브 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 그루브는 적어도 한 쌍의 평행선인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 8항에 있어서,상기 채널영역은 상기 평행한 그루브 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 스토퍼층은 상기 그루브의 하부 및 그 주위의 영역에만 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 스토퍼층은 상기 기판의 전면에 구비되되, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 서로 대향된 단부들 및 그 사이의 채널영역에 대응하는 개구부를 구비하 는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서,상기 스토퍼층은 상기 기판의 전면에 구비되되, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 서로 대향된 단부들에 대응하는 개구부들을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층은 유기물로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 채널 영역은 상기 게이트 전극의 상부에 구비되고, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체층을 상기 게이트 전극으로부터 절연시키는 게이트 절연막이 상기 게이트 전극을 덮도록 더 구비되며, 상기 반도체층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 구비되고, 상기 게이트 전극은 상기 반도체층의 상부에 구비되며, 상기 게이트 전극과 상기 반도체층 사이에는 상기 게이트 전극을 상기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 기판;상기 기판의 상부에 구비된 게이트 전극;상기 게이트 전극과 절연된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있는 채널 영역을 구비하며, 적어도 상기 채널 영역을 인접한 박막 트랜지스터와 구별시키는 그루브를 구비하는 반도체층; 및상기 반도체층의 하부에 구비된 프라이밍층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 16항에 있어서,상기 그루브의 깊이는 상기 반도체층의 두께보다 크고, 상기 반도체층의 두께와 상기 프라이밍층의 두께의 합보다는 작은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 17항에 있어서,상기 프라이밍층은 상기 그루브의 하부 및 그 주위의 영역에만 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 17항에 있어서,상기 프라이밍층은 상기 기판의 전면에 구비되되, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 서로 대향된 단부들 및 그 사이의 채널영역에 대응하는 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 17항에 있어서,상기 프라이밍층은 상기 기판의 전면에 구비되되, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 서로 대향된 단부들에 대응하는 개구부들을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 16항에 있어서,상기 그루브의 깊이는 상기 반도체층의 두께와 상기 프라이밍층의 두께의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 21항에 있어서,상기 프라이밍층은 상기 그루브의 주위의 영역에만 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 21항에 있어서,상기 프라이밍층은 상기 기판의 전면에 구비되되, 상기 그루브, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 서로 대향된 단부들 및 그 사이의 채널영역에 대응하는 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 21항에 있어서,상기 프라이밍층은 상기 기판의 전면에 구비되되, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 서로 대향된 단부들 및 상기 그루브에 대응하는 개구부들을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 16항에 있어서,상기 그루브는 폐곡선을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 25항에 있어서,상기 채널영역은 상기 폐곡선의 그루브 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 16항에 있어서,상기 그루브는 적어도 한 쌍의 평행선인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 27항에 있어서,상기 채널영역은 상기 평행한 그루브 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 16항 내지 제 28항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층은 유기물로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 16항 내지 제 28항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 채널 영역은 상기 게이트 전극의 상부에 구비되고, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체층을 상기 게이트 전극으로부터 절연시키는 게이트 절연막이 상기 게이트 전극을 덮도록 더 구비되며, 상기 반도체층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 16항 내지 제 28항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 구비되고, 상기 게이트 전극은 상기 반도체층의 상부에 구비되며, 상기 게이트 전극과 상기 반도체층 사이에는 상기 게이트 전극을 상기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항의 박막 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제 16항 내지 제 28항 중 어느 한 항의 박막 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
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