KR20060076458A - 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법 - Google Patents

반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060076458A
KR20060076458A KR1020040114876A KR20040114876A KR20060076458A KR 20060076458 A KR20060076458 A KR 20060076458A KR 1020040114876 A KR1020040114876 A KR 1020040114876A KR 20040114876 A KR20040114876 A KR 20040114876A KR 20060076458 A KR20060076458 A KR 20060076458A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
hot plate
semiconductor
present
heat
Prior art date
Application number
KR1020040114876A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100640954B1 (ko
Inventor
하정혁
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020040114876A priority Critical patent/KR100640954B1/ko
Publication of KR20060076458A publication Critical patent/KR20060076458A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100640954B1 publication Critical patent/KR100640954B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 기판의 열처리를 균일하게 할 수 있도록 한 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조용 베이킹 장치는 일정한 온도로 가열되는 핫 플레이트와, 상기 핫 플레이트를 관통하도록 형성된 복수의 관통 홀과, 상기 핫 플레이트 상에 안착되는 기판과, 상기 복수의 관통 홀을 통해 상기 핫 플레이트 상에 안착된 상기 기판의 배면에 가열된 공기를 분사하는 공기 공급장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의하여 본 발명은 가열된 공기를 이용하여 기판을 열처리하므로 기판이 열처리를 균일하게 할 수 있다. 또한, 본 발명은 가열된 공기에 의해 핫 플레이트로부터 들어올려진 상태에서 기판을 열처리하기 때문에 기판과 핫 플레이트의 직접적인 접촉에 의한 열처리에서의 불량이 발생하지 않는다. 따라서, 본 발명은 반도체 포토 공정에서 기판을 균일하게 열처리함으로써 기판의 임계치수 균일도를 향상시켜 미세회로 선폭을 구현할 수 있다.
베이킹, 포토, 반도체, 공기, 핫 플레이트

Description

반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법{Apparatus of baking for semiconductor fabrication and Method of the same}
도 1은 일반적인 반도체 제조용 베이킹 장치를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조용 베이킹 장치를 나타내는 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10, 110 : 핫 플레이트 20, 120 : 기판
30, 130 : 커버 112 : 관통 홀
140 : 공기 공급장치 144 : 가열된 공기
본 발명은 반도체 제조용 베이킹 장치에 관한 것으로, 특히 기판의 열처리를 균일하게 할 수 있도록 한 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 다양한 형태의 막(예를 들어, 실리콘막, 산화막, 필드 산화막, 폴리 실리콘막, 금속 배선막 등)이 다층 구조로 적층되는 형태를 갖는다. 이러한 다층 구조의 반도체 소자는 증착공정, 산화 공정, 포토 리소그라피 공정(포토 레지스트막 도포, 노광, 현상 공정 등) 또는 패터닝 공정, 에칭 공정, 세정 공정, 린스 공정 등과 같은 여러 가지 공정들에 의해 제조된다. 이때, 임의의 막에 대한 패터닝은 임의의 막 위에 스핀 코팅 등의 방법을 통해 포토 레지스트(감광막)를 도포하고, 이를 노광한 후 현상함으로써 임의의 막 위에 원하는 형상의 마스크 패턴을 형성하며, 이와 같이 형성된 마스크 패턴을 이용하여 하부의 막을 선택적으로 제거(식각)함으로써 수행된다. 이러한 패터닝 과정을 위해 필요한 반도체 제조 장비 중의 하나가 노광 장치이다.
최근 들어, 반도체 소자가 고집적화 되어 가면서 회로 선폭이 0.13㎛, 0.09㎛ 이하로 미세화 되어 가고 있으며, 이러한 미세 라인의 해상력을 얻기 위해 불화 아르곤(ArF) 레이저를 사용하는 노광 장치를 사용하게 된다.
이러한, 반도체 소자의 제조공정에서 미세회로 선폭을 구현하기 위한 포토 장치는 기판에 포토 레지스트를 도포하고 현상하는 트랙 장치와, 기판에 미세회로 패턴을 노광시키는 스테퍼 장치가 있다.
트랙 장치는 기판에 포토 레지스트를 도포하고 현상하는 여러 개의 유닛을 가지며, 여러 개의 유닛 중 특히 베이킹 장치는 포토 공정을 진행하기 위한 필수 장치로서 포토 레지스트 도포 후, 노광 공정 직후 현상공정 전에 기판의 균일도를 일정하게 유지시켜 기판 상에 구현하고자 하는 미세회로를 기판 전면에 걸쳐 일정한 균일도를 가지는 미세 선폭이 되도록 하는데 중요한 역할을 하게 된다.
도 1은 일반적인 반도체 제조용 베이킹 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 반도체 제조용 베이킹 장치는 핫 플레이트(10) 와, 핫 플레이트(10) 상에 안착되는 기판(20)과, 핫 플레이트(10) 및 기판(20)을 덮는 커버(30)를 구비한다.
핫 플레이트(10)는 내부에 도시하지 않은 코일을 구비한다. 이에 따라, 핫 플레이트(10)는 내부의 코일이 가열되면서 발생되는 열로 인하여 소정의 온도로 가열된다.
기판(20)은 핫 플레이트(10)의 표면에 일정시간 동안 안착되어 핫 플레이트(10)로부터 전달되는 열에 의해 가열된다. 이에 따라, 기판(20) 상에 형성된 노광된 포토 레지스터는 핫 플레이트(10)로부터 전달되는 열에 의해 일정한 온도로 가열된다.
이와 같은, 일반적인 반도체 제조용 베이킹 장치는 핫 플레이트(10)의 표면에 기판(20)이 안착시켜 핫 플레이트(10)에서 발생되는 열을 기판(20)에 전달하여 기판(20)을 일정시간 동안 열처리하게 된다.
그러나, 일반적인 반도체 제조용 베이킹 장치는 코일에 의해 달구어진 핫 플레이트(10)가 열을 기판(20)에 전달하는데 있어 국부적으로 온도 차이가 발생하는 문제점이 있다. 즉, 일반적인 반도체 제조용 베이킹 장치는 핫 플레이트(10), 즉 고체에 기판(20)을 직접적으로 접촉시키는 열처리 방식이기 때문에 핫 플레이트(10) 상에 안착된 기판(20)의 안착상태가 불량일 경우 핫 플레이트(10)의 위치에 따라 미세한 온도차이로 인하여 기판(20)의 열처리 역시 국부적인 온도 차이를 보이게 된다.
따라서, 일반적인 반도체 제조용 베이킹 장치는 기판(20)에 대한 열처리 진 행시 기판(20)을 균일하게 열처리하지 못하므로 기판(20)에 형성된 미세회로 패턴이 균일하지 못해 반도체 소자의 특성 및 수율에 심각한 영향을 미치게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 기판의 열처리를 균일하게 할 수 있도록 한 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조용 베이킹 장치는 일정한 온도로 가열되는 핫 플레이트와, 상기 핫 플레이트를 관통하도록 형성된 복수의 관통 홀과, 상기 핫 플레이트 상에 안착되는 기판과, 상기 복수의 관통 홀을 통해 상기 핫 플레이트 상에 안착된 상기 기판의 배면에 가열된 공기를 분사하는 공기 공급장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 베이킹 장치에서 상기 기판은 상기 가열된 공기에 의해 상기 핫 플레이트로부터 소정 높이로 들어올려진 상태에서 열처리되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조용 베이킹 방법은 복수의 관통 홀이 형성된 핫 플레이트 상에 기판을 안착시키는 단계와, 상기 복수의 관통 홀에 가열된 공기를 공급하여 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 베이킹 방법에서 상기 기판은 상기 가열된 공기에 의해 상기 핫 플레이트로부터 소정 높이로 들어올려진 상태에서 열처리되는 것을 특징으로 한다.
이하 발명의 바람직한 실시 예에 따른 구성 및 작용을 첨부한 도면을 참조하 여 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조용 베이킹 장치를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조용 베이킹 장치는 핫 플레이트(110)와, 핫 플레이트(110) 상에 안착되는 기판(120)과, 핫 플레이트(110) 및 기판(120)을 덮는 커버(130)와, 핫 플레이트(110)를 관통하도록 형성된 복수의 관통 홀(112)과, 복수의 관통 홀(112)을 통해 핫 플레이트(110) 상에 안착된 기판(120)의 배면에 가열된 공기를 분사하는 공기 공급장치(140)를 구비한다.
핫 플레이트(110)는 내부에 도시하지 않은 코일을 구비한다. 이에 따라, 핫 플레이트(110)는 내부의 코일이 가열되면서 발생되는 열로 인하여 소정의 온도로 가열된다.
복수의 관통 홀(112)은 핫 플레이트(110)를 관통하도록 미세한 등간격으로 형성되어 공기 공급장치(140)로부터 공급되는 가열된 공기(144)를 기판(120)의 배면으로 분사한다. 이때, 복수의 관통 홀(112) 각각은 공기 공급장치(140)로부터 공급되는 가열된 공기(144)가 통과할 수 있을 정도로 미세하게 형성된다.
공기 공급장치(140)는 공기를 일정한 온도로 가열한 후, 가열된 공기(144)를 복수의 관통 홀(112) 각각에 공급한다.
기판(120)은 핫 플레이트(110)의 표면에 안착된 후, 공기 공급장치(140)로부터 복수의 관통 홀(112)을 통해 분사되는 가열된 공기(144)에 의해 핫 플레이트(110)의 표면으로부터 일정한 높이로 들어올려지게 된다. 이에 따라, 기판(120)은 핫 플레이트(110)로부터 일정한 높이를 유지한 상태에서 복수의 관통 홀(112)을 통해 공기 공급장치(140)로부터 분사되는 가열된 공기(144)에 의해 열처리 된다.
이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법을 설명하면 다음과 같다.
우선, 미세한 복수의 공기 관통 홀(112)이 형성된 핫 플레이트(110) 상에 기판(120)을 안착시킨다.
그런 다음, 공기 공급장치(140)로부터의 가열된 공기(144)를 미세한 복수의 공기 관통 홀(112)을 통해 핫 플레이트(110)에 안착된 기판(120)의 배면에 분사하여 기판(120)을 열처리하게 된다. 구체적으로, 핫 플레이트(110)에 안착된 기판(120)은 미세한 복수의 공기 관통 홀(112)로부터 분사되는 가열된 공기(144)에 의해 핫 플레이트(110)로부터 소정 높이로 들어올려진 상태에서 가열된 공기(144) 및 핫 플레이트(110)로부터 발생되는 열에 의해 일정시간 동안 열처리된다.
이러한, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법은 가열된 공기(144)를 이용하여 기판(120)에 열을 전달하여 균일한 열을 기판(120)에 전달할 수 있다. 더욱이, 본 발명은 가열된 공기(144)에 의해 기판(120)을 핫 플레이트(110)로부터 소정 높이로 들어올려진 상태에서 열처리하기 때문에 핫 플레이트(110) 상에 안착된 기판(120)의 안착상태와 상관없이 기판(120)의 열처리를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 본 발명은 기판(120)에 형성된 미세회로 패턴을 균일할 수 있으므로 반도체 소자의 특성 및 수율을 향상시킬 수 있다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법은 가열된 공기를 이용하여 기판을 열처리하므로 기판이 열처리를 균일하게 할 수 있다. 또한, 본 발명은 가열된 공기에 의해 핫 플레이트로부터 들어올려진 상태에서 기판을 열처리하기 때문에 기판과 핫 플레이트의 직접적인 접촉에 의한 열처리에서의 불량이 발생하지 않는다. 따라서, 본 발명은 반도체 포토 공정에서 기판을 균일하게 열처리함으로써 기판의 임계치수 균일도를 향상시켜 미세회로 선폭을 구현할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시 예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해서 정해져야 한다.

Claims (4)

  1. 일정한 온도로 가열되는 핫 플레이트와,
    상기 핫 플레이트를 관통하도록 형성된 복수의 관통 홀과,
    상기 핫 플레이트 상에 안착되는 기판과,
    상기 복수의 관통 홀을 통해 상기 핫 플레이트 상에 안착된 상기 기판의 배면에 가열된 공기를 분사하는 공기 공급장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 베이킹 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 가열된 공기에 의해 상기 핫 플레이트로부터 소정 높이로 들어올려진 상태에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 베이킹 장치.
  3. 복수의 관통 홀이 형성된 핫 플레이트 상에 기판을 안착시키는 단계와,
    상기 복수의 관통 홀에 가열된 공기를 공급하여 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 베이킹 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 가열된 공기에 의해 상기 핫 플레이트로부터 소정 높이로 들어올려진 상태에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 베이킹 방법.
KR1020040114876A 2004-12-29 2004-12-29 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법 KR100640954B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040114876A KR100640954B1 (ko) 2004-12-29 2004-12-29 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040114876A KR100640954B1 (ko) 2004-12-29 2004-12-29 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060076458A true KR20060076458A (ko) 2006-07-04
KR100640954B1 KR100640954B1 (ko) 2006-11-02

Family

ID=37168732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040114876A KR100640954B1 (ko) 2004-12-29 2004-12-29 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100640954B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100690300B1 (ko) * 2006-04-08 2007-03-12 주식회사 싸이맥스 반도체제조용 챔버의 히팅블록
WO2016145959A1 (zh) * 2015-03-16 2016-09-22 京东方科技集团股份有限公司 基板加热装置和基板加热方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100690300B1 (ko) * 2006-04-08 2007-03-12 주식회사 싸이맥스 반도체제조용 챔버의 히팅블록
WO2016145959A1 (zh) * 2015-03-16 2016-09-22 京东方科技集团股份有限公司 基板加热装置和基板加热方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100640954B1 (ko) 2006-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3917237B2 (ja) レジスト膜形成方法
JP2007073684A (ja) パターン形成方法
JP4308407B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100640954B1 (ko) 반도체 제조용 베이킹 장치 및 방법
TWI413158B (zh) 半導體製程及用於此半導體製程的設備
US8247164B2 (en) Resist film forming method
US20060166143A1 (en) Resist collapse prevention using immersed hardening
JPH07142356A (ja) レジスト・パターン形成方法およびこれに用いるレジスト・パターン形成システム
KR100825382B1 (ko) 평판 표시 장치용 트랙장비
JP3993426B2 (ja) 加熱処理装置・方法、フォトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法
KR100640944B1 (ko) 반도체 제조용 포토 장치 및 방법
KR100648995B1 (ko) 반도체 제조용 베이킹 장치
KR20020066373A (ko) 레지스트 패턴 형성 방법 및 미세 패턴 형성 방법
JP4267298B2 (ja) 半導体素子の製造方法
KR20060012468A (ko) 반도체 노광 설비의 베이킹 장치
KR100399924B1 (ko) 반도체소자의패턴형성방법
JP4121770B2 (ja) フォトマスク製造用べーキング装置
KR100649005B1 (ko) 반도체 제조용 노광장치
KR101165471B1 (ko) 인쇄판 및 이의 제조 방법
JP2005136430A (ja) パターン形成方法
KR20010001265U (ko) 반도체 소자의 포토레지스트 베이크 오븐
KR20040005498A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
KR20040069777A (ko) 반도체 웨이퍼의 노광방법
KR20030013590A (ko) 베이킹 오븐 장치
JPH03236216A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090925

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee