KR101165471B1 - 인쇄판 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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KR101165471B1
KR101165471B1 KR1020050132900A KR20050132900A KR101165471B1 KR 101165471 B1 KR101165471 B1 KR 101165471B1 KR 1020050132900 A KR1020050132900 A KR 1020050132900A KR 20050132900 A KR20050132900 A KR 20050132900A KR 101165471 B1 KR101165471 B1 KR 101165471B1
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Abstract

본 발명은 인쇄판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 인쇄판은 패턴홈을 구비하는 기판; 상기 기판 상에 위치하되, 상기 기판의 패턴홈에 대응되어 패터닝된 금속막; 및 상기 금속막 상에 위치하되, 상기 금속막의 패턴에 대응되어 패터닝된 레지스트 패턴을 포함하며, 상기 인쇄판의 제조 방법은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 전면에 걸쳐 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막상에 레지스트층을 형성하는 단계; 상기 금속막의 일부분을 노출하는 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트 패턴에 대응하여 상기 금속막을 패턴하는 단계; 상기 금속막의 패턴에 대응하여 상기 기판에 패턴된 홈을 형성하는 단계; 및 상기 레지스트 패턴 상에 보호막을 형성하는 단계를 포함한다. 이로써, 미세한 패턴이 가능한 인쇄판을 제작할 수 있어, 고정밀도의 미세한 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
인쇄판, 레지스트 패턴, 패턴 홈

Description

인쇄판 및 이의 제조 방법{Printing plate and method for fabricating the same}
도 1a 내지 도 1c는 종래의 인쇄판을 제작하는 공정을 도시한 도면들이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판의 단면을 도시한 도면이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판의 제조 방법을 도시한 공정도들이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판을 이용한 패터닝 공정을 설명하기 위해 도시한 공정도들이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
100, 100', 200 : 기판 110, 110', 210 : 금속막
120 : 레지스트층 120', 220 : 레지스트 패턴
140, 240 : 보호막 200P : 인쇄판
H : 패턴홈 300 : 블랑캣
본 발명은 인쇄판에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 미세한 패턴을 형성할 수 있는 인쇄판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
오늘날 표시소자, 반도체, 전자장치의 소형화 및 경량화의 추세에 따라, 미세한 IC 배선 및 콘텍홀을 형성하기 위한 패터닝 방법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
일반적인 패턴방법은 패터닝하고자 하는 목표물 상에 사용자가 원하는 형태를 가지는 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴에 따라 상기 목표물을 식각하는 방식이다. 이때, 상기 목표물을 미세하게 패터닝하기 위해서는 상기 레지스트 패턴을 미세하게 형성하는 것이 중요하다.
상기 레지스트 패턴을 형성하는 방법은 포토리소그라피(photolithography) 또는 인쇄법을 사용할 수 있다.
이때, 상기 포토리소그라피는 미세한 레지스트 패턴을 형성함에 있어 유리하지만, 노광 및 현상과 같은 복잡한 공정을 수행해야 하므로 양산성이 떨어진다는 문제점을 가지고 있다.
이와 달리 인쇄법은 레지스트 패턴을 형성함에 있어 양산성이 뛰어난 장점을 가졌으나, 미세한 패턴을 형성하는데 어려움이 있다.
이와 달리 인쇄법은 레지스트 패턴을 형성함에 있어 양산성이 뛰어난 장점을 가졌으나, 미세한 패턴을 형성하는데 어려움이 있다.
이를테면, 상기 인쇄법 중 스크린 인쇄법은 수 십㎛의 레지스트 패턴의 두께를 가지므로 내식성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성할 수 있으나, 복잡하고 미세한 패턴을 형성하는데 어려움이 있다.
다른 인쇄법 중 옵셋인쇄법은 패턴홈을 구비하는 인쇄판을 이용하여 패턴하고자 하는 기판에 레지스트 패턴을 형성한다. 이로써, 미세한 레지스트 패턴을 형성하기 위해서는 미세한 패턴홈을 구비하는 인쇄판을 제작하는 것이 중요하다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 인쇄판을 제작하는 공정을 도시한 도면들이다.
도 1a를 참조하면, 먼저 기판(10)이 제공된다. 상기 기판(10)상에 패턴하고자 하는 형태를 가진 레지스트 패턴(20)을 형성한다. 여기서, 상기 레지스트 패턴(20)은 상기 기판(10)상에 레지스트층을 형성하고, 노광 및 현상 공정을 거쳐 형성할 수 있다.
이후, 도 1b를 참조하면, 상기 기판(10)을 상기 레지스트 패턴(20)에 따라 습식식각하여, 패턴홈(P)을 구비하는 기판(10')을 형성할 수 있다.
이후, 도 1c를 참조하면, 상기 레지스트 패턴(20)을 제거함에 따라, 패턴홈(P)을 구비하는 인쇄판(10')을 제조할 수 있다.
그러나, 습식 식각의 등방성 식각 특성상 패턴홈(P)의 양측 편차(CD-bias)가 발생하여 패턴홈(P)의 폭(W)이 증가하게 된다. 즉, 상기 패턴홈(P)의 깊이(d)만큼 상기 패턴홈의 폭(W)이 증가하게 된다.
이때, 상기 패턴홈(P)의 폭(W)을 줄이기 위해 상기 패턴홈(P)의 깊이(d)를 작게 형성하게 되면, 상기 레지스트 패턴의 두께가 작아져서 내식성이 떨어지게 된다. 이로 인하여, 패터닝하고자 하는 목표물에 원하고자 하는 형태의 패턴을 얻는데 어려움이 있다.
본 발명은 미세한 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 인쇄판 및 이의 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 인쇄판을 제공하고자 한다. 상기 인쇄판은 패턴홈을 구비하는 기판; 상기 기판 상에 위치하되, 상기 기판의 패턴홈에 대응되어 패터닝된 금속막; 및 상기 금속막 상에 위치하되, 상기 금속막의 패턴에 대응되어 패터닝된 레지스트 패턴을 포함한다.
여기서, 상기 레지스트 패턴은 네가티브 감성성 수지로 형성될 수 있다.
또한, 상기 레지스트 패턴상에 위치하는 보호막을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 보호막은 ITO로 이루어질 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 인쇄판의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 전면에 걸쳐 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막상에 레지스트층을 형성하는 단계; 상기 금속막의 일부분을 노출하는 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트 패턴 에 대응하여 상기 금속막을 패턴하는 단계; 상기 금속막의 패턴에 대응하여 상기 기판에 패턴된 홈을 형성하는 단계; 및 상기 레지스트 패턴 상에 보호막을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 금속막의 일부분을 노출하는 레지스트 패턴을 형성하는 단계이후에 상기 레지스트 패턴을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 인쇄판의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판의 단면을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 패턴홈(H)을 구비하는 기판(100')이 위치한다. 상기 기판(100')은 유리일 수 있으며, 이에 한정되지 아니하고 상기 기판(100')은 유리외에 플라스틱, 금속, 웨이퍼(wafer)중 어느 하나를 선택할 수 있다.
상기 기판(100')과 후술할 레지스트 패턴(120')간의 접착력은 약하므로 이를 해결하기 위해, 상기 기판(100')의 패턴홈(H)에 대응되어 패터닝된 금속막(110')이 구비된다. 이때, 상기 금속막(110')은 Cu, Ni, Cr, Mo의 단일금속 또는 이중금속 중에서 선택되어 형성될 수 있다.
상기 금속막(110') 상에, 상기 금속막(110')의 패턴에 대응되어 패터닝된 레지스트 패턴(120')이 위치한다. 여기서, 상기 레지스트 패턴(120')은 네가티브 감광성 수지로 이루어지는 것이 바람직하다. 이는, 상기 네가티브 감광성 수지는 포지티브 감광성 수지에 비해 두껍게 형성하는데 유리할 뿐만 아니라, 내구성이 강하다는 장점을 가지고 있기 때문이다.
여기서, 상기 레지스트 패턴(120')은 5 내지 20㎛의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 이는 상기 레지스트 패턴(120')을 두껍게 형성할수록 좋지만, 상기 레지스트 패턴(120')을 두껍게 형성하기 위해서는, 상기 레지스트 패턴(120')을 형성하는 네가티브 감광성 수지의 점도를 높여야 한다. 그러나, 상기 네가티브 감광성 수지의 점도가 높아지면, 상기 레지스트 패턴(120')의 두께를 균일하게 형성하는 것이 어렵다.
이때, 상기 레지스트 패턴(120')은 역테이퍼진 형태로 형성할 수 있다. 즉, 상기 레지스트 패턴(120')은 90°이하로 역테이퍼진 것이 바람직하다. 이로써, 상기 인쇄판에 의해 패턴하고자 하는 피기판에 레지스트 패턴을 형성함에 있어, 정밀한 패턴을 형성하는데 유리하다.
이때, 상술한 이유와 같이, 패턴하고자 하는 피기판에 정밀한 레지스트 패턴을 형성하기 위한 다른 형태로, 상기 금속막(110')에 대해, 상기 레지스트 패턴(120')은 언더컷 형상을 가지도록 형성할 수 있다.
상기 레지스트 패턴(120')상에 보호막(140)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 보호막(140)은 내화학성 및 인쇄특성을 향상시킬 뿐만 아니라, 상기 레지스트 패턴(120')의 내구성을 보강하는 역할을 한다. 이때, 상기 보호막(140)은 금속, ITO, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 중 어느 하나를 선택하여 형성할 수 있다.
여기서, 상기 보호막(140)은 500 내지 3000Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 이는, 상기 보호막(140)을 500Å미만으로 형성하게 되면, 상기 보호막의 역할을 수행할 수 없다. 또한, 상기 보호막(140)을 3000Å초과하여 형성하게 되면, 상기 보호막(140)과 상기 레지스트 패턴(120')간의 계면에서 스트레스가 발생하여, 상기 보호막(140)이 균열하거나 휘어지는 문제가 발생할 수 있기 때문이다.
상기 패턴홈(H)의 깊이(d)는 상기 레지스트 패턴(120')의 두께에 의해 제어할 수 있다. 이때, 상기 레지스트 패턴(120')의 패턴홈(H)의 깊이를 깊게 형성하기 위해서, 상기 레지스트 패턴(120')의 두께를 두껍게 형성하면 된다. 그러나, 상술한 바와 같이, 상기 레지스트 패턴(120')의 두께를 두껍게 형성하는데 한계가 있다.
이로써, 설계자가 상기 인쇄판에 형성되는 패턴 홈(H)의 높이를 높게 형성하고자 한다면, 상기 기판(100')을 더 식각하여 해결할 수 있다. 종래에는, 상기 인쇄판에 형성된 패턴 홈(H)의 깊이에 따라, 상기 패턴홈의 폭(W)이 증가하는 문제가 있었으나, 본 발명에서는 상기 레지스트 패턴의 패턴홈 폭에 의해, 상기 인쇄판에 형성된 패턴홈의 폭이 결정되어지므로, 이에 영향을 받지 않는다.
이로써, 미세한 패턴을 가지며, 사용자가 원하는 깊이를 가지는 패턴홈(H)을 구비하는 인쇄판을 이용하여, 더욱 미세한 레지스트 패턴을 형성할 수 있고, 이와 더불어 미세한 패턴을 가지는 배선 및 콘텍홀을 형성할 수 있다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판의 제조 방법을 도시한 공정도들이다.
먼저, 도 3a를 참조하여 설명하면, 먼저 기판(100)을 제공한다. 상기 기판(100)은 유리, 플라스틱, 금속, 웨이퍼(wafer)중 어느 하나를 선택할 수 있다.
상기 기판(100)상에 금속을 증착하여 금속막(110)을 형성한다. 여기서, 상기 금속막(110)은 Cu, Ni, Cr, Mo으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 진공증착하거나, 둘 이상을 선택하여 적층하여 형성할 수 있다.
상기 금속막(110)상에 레지스트층(120)을 형성한다. 여기서, 상기 레지스트층(120)은 네가티브 감광성 수지를 도포하여 형성할 수 있다. 이를테면, 상기 감광성 수지를 도포하는 방법은 스핀코팅법, 딥코팅법, 닥터블레이드법, 스프레이코팅법중에 어느 하나의 방식일 수 있다.
여기서, 상기 레지스트층(120)은 두께의 균일도를 고려하여 5 내지 20㎛의 두께로 형성할 수 있다.
상기 레지스트층(120) 상으로 미세한 패턴을 구비하는 마스크(130)를 제공한다. 여기서, 상기 마스크(130)는 비투과부(130a)와 투과부(130b)를 구비한다.
이후에, 상기 마스크(130)로 광을 조사하면, 상기 마스크(130)의 투과부(130b)를 통과한 광이 상기 레지스트층(120)상으로 조사되고, 상기 마스크(130)의 비투과부(130a)에 대응된 상기 레지스트층(120)으로 광이 조사되지 않는다.
이후, 도 3b를 참조하여 설명하면, 상기 레지스트층(도 1a의 120)의 현상 공 정을 거쳐, 광이 조사되지 않는 영역 즉, 상기 마스크의 비투과부(130a)에 대응되어 위치하는 레지스트가 제거되어, 레지스트 패턴(120')을 형성할 수 있다.
이후에, 상기 레지스트 패턴(120')에 열처리를 수행하는 것이 바람직하다. 이는 상기 레지스트 패턴(120')의 내화학성 및 내구성을 향상시키기 위함이다. 여기서, 상기 열처리는 150 내지 250℃에서 수행할 수 있다.
이때, 상기 기판(100)상에 형성된 레지스트 패턴(120')을 이용하여, 인쇄판으로 이용할 수 있다. 그러나, 상기 인쇄판의 패턴홈 깊이가 깊을수록, 더욱 정밀한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.
그러기 위해서는 상기 레지스트 패턴(120')의 두께를 두껍게 형성해야 하지만상기 레지스트 패턴(120')이 균일하면서 두꺼운 두께를 가지도록 형성함에 어려움이 있다.
이로써, 도 3c를 참조하여 설명하면, 상기 레지스트 패턴(120')에 대응된 상기 금속막(110')을 식각하여, 상기 기판(100)의 일부분을 노출시킨다. 이때, 상기 레지스트 패턴(120')과, 그 하부에 위치하는 금속막(110')은 언더컷 형상을 가지는 것이 바람직하다.
이후, 도 3d를 참조하여 설명하면, 상기 노출된 기판을 습식식각함에 따라, 패턴홈(H)을 구비하는 기판(100')을 형성할 수 있다.
이로써, 상기 기판(100')을 일정 두께로 식각하여, 설계자가 원하는 깊이(d)를 가지는 패턴홈(H)을 형성할 수 있다.
이후, 도 3e를 참조하여 설명하면, 상기 레지스트 패턴(120')상으로 레지스 트 수지가 도포되거나, 상기 레지스트 패턴(120')상으로 블랑켓이 회전됨에 따라, 상기 레지스트 패턴(120')이 손상될 우려가 있다. 즉, 상기 레지스트 패턴(120')의 내화학성이나 내구성이 중요하다.
이로써, 상기 레지스트 패턴(120')상에 보호막(140)을 더 형성할 수 있다.
이때, 상기 보호막(140)은 무기막으로 형성될 수 있다. 이를테면, 상기 무기막은 금속, ITO, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 중 어느 하나를 선택하여 형성할 수 있다.
이때, 상기 보호막(140)은 상기 레지스트 패턴(120')의 내구성을 향상시켜주는 역할을 수행할 수 있으며, 상기 보호막(140)과 상기 레지스트 패턴(120')간의 스트레스의 영향을 고려하여 500 내지 3000Å의 두께로 형성한다.
이로써, 미세하며, 설계자가 원하는 깊이를 가지는 패턴홈(H)을 구비하는 인쇄판을 제조할 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판을 이용한 패터닝 공정을 설명하기 위해 도시한 공정도들이다.
도 4a를 참조하여 설명하면, 우선 인쇄판(200P)을 제공한다. 상기 인쇄판(200P)은 패턴홈(H)을 구비하는 기판(200), 상기 기판(200) 상에 위치하되, 상기 기판의 패턴홈(H)에 대응되어 패터닝된 금속막(210) 및 상기 금속막(210) 상에 위치하되, 상기 금속막(210)의 패턴에 대응되어 패터닝된 레지스트 패턴(220)을 포함한다. 이때, 상기 인쇄판(200P)은 상기 레지스트 패턴(220) 상에 보호막(240)을 더 구비할 수 있다.
한편, 블랑켓(300)을 제공한다. 상기 블랑켓(300)의 표면에 레지스트층(310)을 형성한다. 여기서, 상기 레지스트층(310)을 형성하는 방법은 스핀 코팅, 딥코팅, 스프레이 코팅 또는 닥터 블레이드법중에 하나로써, 본 발명의 실시예에서 한정하는 것은 아니다.
도 4b를 참조하면, 상기 블랑켓(300) 표면에 형성된 상기 레지트스트층(310)을 상기 인쇄판(200P)으로 전사시켜, 상기 블랑켓(300) 상에 레지스트 패턴(310')이 형성된다. 즉, 상기 인쇄판(200P)의 표면으로 상기 블랑켓(300)을 회전시킴으로써, 상기 인쇄판(200P)의 패턴홈(H)에 레지스트가 전사된다. 이로써, 상기 블랑켓(300)의 표면에는 상기 패턴홈(H)의 형태를 가지는 레지스트 패턴(310')이 형성된다.
도 4c를 참조하면, 패턴하고자 하는 목표물(410)이 형성된 기판(400)을 제공한다. 상기 목표물(410)상으로 상기 레지스트 패턴(310')이 형성된 블랑켓(300)을 회전시켜, 상기 목표물(410)상에 상기 레지스트 패턴(310')을 전사시킨다. 이로써, 상기 목표물(410)상에 미세한 레지스트 패턴(310')을 형성할 수 있다.
여기서, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 방법은 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판을 이용한 옵셋 인쇄(offset printing)법에 한정하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 상기 인쇄판을 이용하여 다른 형태의 옵셋 인쇄(offset printing)법에 활용될 수 있다.
도 4d를 참조하면, 상기 레지스트 패턴(310')에 의해 노출된 상기 목표물 (410)을 습식식각 또는 건식식각하여 패터닝한 후, 상기 레지스트 패턴(310')을 제거함으로써, 패턴된 목표물(410')을 형성할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르는 인쇄판에 구비되는 패턴홈의 깊이는 레지스트 패턴에 의해 보강될 수 있으므로, 패턴홈의 깊이를 고려하지 않고, 상기 패턴홈의 폭을 자유롭게 설계할 수 있다.
이로써, 미세한 패턴을 가지는 인쇄판을 제조할 수 있으며, 이와 더불어 미세한 레지스트 패턴을 형성할 수 있고, 결론적으로 고정밀도의 패터닝을 수행할 수 있다.
또한, 상기 인쇄판을 이용하여, 고정밀도의 패터닝을 수행할 수 있어, 전자장치, 표시장치 또는 반도체 산업에 적용시 제품의 질 향상과 더불어 생산성을 높일 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (12)

  1. 패턴홈을 구비하는 기판;
    상기 기판 상에 위치하되, 상기 기판의 패턴홈에 대응되어 패터닝되고 상기 패턴홈보다 작은 폭의 홈을 갖는 금속막; 및
    상기 금속막 상에 위치하되, 상기 금속막의 패턴에 대응되어 패터닝되고 상기 금속막의 홈보다 작은 폭의 홈을 갖는 레지스트 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 레지스트 패턴은 네가티브 감광성 수지로 형성된 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 레지스트 패턴의 상면, 상기 레지스트 패턴의 홈을 형성하는 내측벽 및 상기 금속막의 홈을 형성하는 내측벽에 위치하는 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 보호막은 금속, ITO, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 중 어느 하나를 선택하여 형성된 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 보호막은 500 내지 3000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 레지스트 패턴은 역테이퍼진 형태로 패터닝된 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 레지스트 패턴은 상기 금속막 패턴에 대해 언더컷 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 금속막은 Cu, Ni, Cr, Mo의 단일금속 또는 이중금속 중에서 선택되어 형성되는 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  9. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판의 전면에 걸쳐 금속막을 형성하는 단계;
    상기 금속막의 상면에 레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 금속막의 일부분을 노출하는 홈을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 레지스트 패턴에 대응하여 상기 금속막을 패터닝하여 상기 레지스트 패턴의 홈보다 큰 폭을 갖는 홈을 형성하는 단계;
    상기 금속막의 패턴에 대응하여 상기 기판을 식각하여 상기 금속막의 홈보다 큰 폭을 갖는 패턴홈을 형성하는 단계; 및
    상기 레지스트 패턴 상에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 금속막의 일부분을 노출하는 레지스트 패턴을 형성하는 단계이후에 상기 레지스트 패턴을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 열처리는 150 내지 250℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 보호막은 상기 레지스트 패턴의 상면, 상기 레지스트 패턴의 홈을 형성하는 내측벽 및 상기 금속막의 홈을 형성하는 내측벽에 위치하는 인쇄판의 제조 방법.
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